JP2000269310A - 半導体ウェハ支持装置 - Google Patents
半導体ウェハ支持装置Info
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- JP2000269310A JP2000269310A JP6912499A JP6912499A JP2000269310A JP 2000269310 A JP2000269310 A JP 2000269310A JP 6912499 A JP6912499 A JP 6912499A JP 6912499 A JP6912499 A JP 6912499A JP 2000269310 A JP2000269310 A JP 2000269310A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- clamp
- outer peripheral
- resist
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハを均一に密着支持することがで
き、移送に際しても脱落等の虞がなく、またイオン打ち
込み時に静電破壊等の状況が生じる虞のない半導体ウェ
ハ支持装置を提供する。 【解決手段】 上面にレジスト１３が塗布された半導体
ウェハ１２をバックプレート１１上に載置し、外周部を
クランプ１５によって固定するように構成したもので、
クランプ１５が、下向き傾斜面１７を有すると共に半導
体ウェハ１２の外周方向に分割配置されており、傾斜面
１７により半導体ウェハ１２の外周端を上方側から個々
独立に押圧するようにして固定する。
き、移送に際しても脱落等の虞がなく、またイオン打ち
込み時に静電破壊等の状況が生じる虞のない半導体ウェ
ハ支持装置を提供する。 【解決手段】 上面にレジスト１３が塗布された半導体
ウェハ１２をバックプレート１１上に載置し、外周部を
クランプ１５によって固定するように構成したもので、
クランプ１５が、下向き傾斜面１７を有すると共に半導
体ウェハ１２の外周方向に分割配置されており、傾斜面
１７により半導体ウェハ１２の外周端を上方側から個々
独立に押圧するようにして固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハを搬送するために支持する半導体ウェハ支持装置に関
する。
ハを搬送するために支持する半導体ウェハ支持装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を図４乃至図８を参照して説明
する。図４は概略の断面図であり、図５は平面図であ
り、図６はイオン打ち込みの際の帯電状況を説明するた
めの図であり、図７はクランプがない場合の面電位を説
明するための図であり、図８はクランプがある場合の破
壊を起こす瞬間の面電位を説明するための図である。
する。図４は概略の断面図であり、図５は平面図であ
り、図６はイオン打ち込みの際の帯電状況を説明するた
めの図であり、図７はクランプがない場合の面電位を説
明するための図であり、図８はクランプがある場合の破
壊を起こす瞬間の面電位を説明するための図である。
【０００３】図４乃至図８において、１は例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）で形成されたバックプレートで、接地さ
れており、２はバックプレート１の上面に載置された半
導体ウェハであり、半導体ウェハ２の上面には１．３μ
ｍ〜１．５μｍ程度の膜厚となるようレジスト３が塗布
され、レジスト３の外周部分が、例えば約１．５±０．
５ｍｍの幅で周辺カットされている。
ニウム（Ａｌ）で形成されたバックプレートで、接地さ
れており、２はバックプレート１の上面に載置された半
導体ウェハであり、半導体ウェハ２の上面には１．３μ
ｍ〜１．５μｍ程度の膜厚となるようレジスト３が塗布
され、レジスト３の外周部分が、例えば約１．５±０．
５ｍｍの幅で周辺カットされている。
【０００４】４はバックプレート１の上方に対向配置さ
れた上部固定部材であり、５はクランプスプリング６に
よって上部固定部材４に吊り下げられ、上下方向に進退
可能に支持されたアルミニウムで形成された環状のクラ
ンプで、クランプ５には押え片７が４つ内方に突出して
いる。なお、クランプ５はクランプスプリング６を介し
てグランド接地されている。
れた上部固定部材であり、５はクランプスプリング６に
よって上部固定部材４に吊り下げられ、上下方向に進退
可能に支持されたアルミニウムで形成された環状のクラ
ンプで、クランプ５には押え片７が４つ内方に突出して
いる。なお、クランプ５はクランプスプリング６を介し
てグランド接地されている。
【０００５】そして、このように構成されたものでは、
バックプレート１の上面に載置された半導体ウェハ２
は、クランプ５の押え片７によってレジスト３の外周端
上部を、クランプスプリング６の付勢力により、レジス
ト３の表面を傷つけないような小さい力で押圧され、バ
ックプレート１上に固定される。このようにクランプ５
によりバックプレート１上に固定、支持された半導体ウ
ェハ２は、例えば図示しないイオン打ち込み装置に移送
され、所定形状にパターニングされたレジスト３をマス
クにしてイオンの打ち込みが行われる。
バックプレート１の上面に載置された半導体ウェハ２
は、クランプ５の押え片７によってレジスト３の外周端
上部を、クランプスプリング６の付勢力により、レジス
ト３の表面を傷つけないような小さい力で押圧され、バ
ックプレート１上に固定される。このようにクランプ５
によりバックプレート１上に固定、支持された半導体ウ
ェハ２は、例えば図示しないイオン打ち込み装置に移送
され、所定形状にパターニングされたレジスト３をマス
クにしてイオンの打ち込みが行われる。
【０００６】しかしながら上記の従来技術においては、
イオン打ち込み装置に移送される半導体ウェハ２の固定
が、レジスト３の表面をクランプ体５で押圧することに
よって行われているので、イオン打ち込みを行うと半導
体ウェハ２が静電破壊してしまう場合があった。すなわ
ち、図６乃至図８に示すように、例えばクランプ５によ
るクランプがなされていない場合には、半導体ウェハ２
の表面の電位は破壊電圧より低い一定の電位となってい
る。
イオン打ち込み装置に移送される半導体ウェハ２の固定
が、レジスト３の表面をクランプ体５で押圧することに
よって行われているので、イオン打ち込みを行うと半導
体ウェハ２が静電破壊してしまう場合があった。すなわ
ち、図６乃至図８に示すように、例えばクランプ５によ
るクランプがなされていない場合には、半導体ウェハ２
の表面の電位は破壊電圧より低い一定の電位となってい
る。
【０００７】しかし、クランプ５によってレジスト３の
表面を押圧しているので、レジスト３上の正電荷がレジ
スト３の面内とクランプ５に帯電するものの、電荷のな
だれ現象によってクランプ５の押え片７が押圧している
位置付近に強電界が発生し、押え片７の押圧位置付近で
破壊電圧を超えて静電破壊を起こしてしまう状況であっ
た。なお、押え片７の押圧位置から離れた領域では、弱
電界であるために破壊電圧を超えることがなく、破壊が
生じることがない。
表面を押圧しているので、レジスト３上の正電荷がレジ
スト３の面内とクランプ５に帯電するものの、電荷のな
だれ現象によってクランプ５の押え片７が押圧している
位置付近に強電界が発生し、押え片７の押圧位置付近で
破壊電圧を超えて静電破壊を起こしてしまう状況であっ
た。なお、押え片７の押圧位置から離れた領域では、弱
電界であるために破壊電圧を超えることがなく、破壊が
生じることがない。
【０００８】このため、クランプ５の押え片７が押圧す
る位置を半導体ウェハ２のみにしようとすると、半導体
ウェハ２は、通常べべリングによって外周端が丸みを帯
びた形状となっている上に、レジスト３の周辺カット幅
が狭いので、押え片７による押え代を多く取れることが
できない。さらに、押え片７による押圧力も傷つけや欠
け等の虞があることから強くすることができず、押え代
が少ないことと合わせ移送する際に半導体ウェハ２が動
いてしまい、押え片７から外れて脱落しまう場合も生じ
る。
る位置を半導体ウェハ２のみにしようとすると、半導体
ウェハ２は、通常べべリングによって外周端が丸みを帯
びた形状となっている上に、レジスト３の周辺カット幅
が狭いので、押え片７による押え代を多く取れることが
できない。さらに、押え片７による押圧力も傷つけや欠
け等の虞があることから強くすることができず、押え代
が少ないことと合わせ移送する際に半導体ウェハ２が動
いてしまい、押え片７から外れて脱落しまう場合も生じ
る。
【０００９】また、環状のクランプ５によって押圧し固
定するため、１つの押え片７が他のものより先に押圧す
るような傾いた状態で押圧する状況にあると、半導体ウ
ェハ２は先に押圧された部位で強くバックプレート１に
密着し、直径方向反対側ではほとんど密着せず、密着状
態が部位により異なってしまう。このような状況である
と、バックプレート１を介しての放熱も均一に行われ
ず、半導体ウェハ２の温度が面内でばらついたものとな
り、またレジスト３の出ガスも悪く、装置の真空度が低
下する等の問題が生じる。
定するため、１つの押え片７が他のものより先に押圧す
るような傾いた状態で押圧する状況にあると、半導体ウ
ェハ２は先に押圧された部位で強くバックプレート１に
密着し、直径方向反対側ではほとんど密着せず、密着状
態が部位により異なってしまう。このような状況である
と、バックプレート１を介しての放熱も均一に行われ
ず、半導体ウェハ２の温度が面内でばらついたものとな
り、またレジスト３の出ガスも悪く、装置の真空度が低
下する等の問題が生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
バックプレートに半導体ウェハを均一に密着させて固
定、支持することができ、面内での温度分布が均一にな
り、レジストの出ガス特性も向上し、また半導体ウェハ
を移送するに際して脱落等が生じる虞がなく、また、イ
オン打ち込み等を行う際に静電破壊等の状況が生じる虞
のない半導体ウェハ支持装置を提供することにある。
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
バックプレートに半導体ウェハを均一に密着させて固
定、支持することができ、面内での温度分布が均一にな
り、レジストの出ガス特性も向上し、また半導体ウェハ
を移送するに際して脱落等が生じる虞がなく、また、イ
オン打ち込み等を行う際に静電破壊等の状況が生じる虞
のない半導体ウェハ支持装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハ支
持装置は、上面にレジストが塗布された半導体ウェハを
バックプレート上に載置し、外周部をクランプによって
固定するように構成した半導体ウェハ支持装置におい
て、クランプが、下向き傾斜面を有すると共に、傾斜面
により半導体ウェハの外周端を上方側から押圧するよう
にして固定するものであることを特徴とするものであ
り、さらに、クランプが、半導体ウェハの外周方向に沿
って複数配列されていることを特徴とするものであり、
さらに、個々のクランプが、独立して上下し押圧するよ
うに設けられていることを特徴とするものである。
持装置は、上面にレジストが塗布された半導体ウェハを
バックプレート上に載置し、外周部をクランプによって
固定するように構成した半導体ウェハ支持装置におい
て、クランプが、下向き傾斜面を有すると共に、傾斜面
により半導体ウェハの外周端を上方側から押圧するよう
にして固定するものであることを特徴とするものであ
り、さらに、クランプが、半導体ウェハの外周方向に沿
って複数配列されていることを特徴とするものであり、
さらに、個々のクランプが、独立して上下し押圧するよ
うに設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態を、図１
乃至図３を参照して説明する。図１は概略の断面図であ
り、図２は平面図であり、図３は半導体ウェハがセンタ
ーずれして載置されている状態を示す図である。
乃至図３を参照して説明する。図１は概略の断面図であ
り、図２は平面図であり、図３は半導体ウェハがセンタ
ーずれして載置されている状態を示す図である。
【００１３】図１乃至図３において、１１はアルミニウ
ム（Ａｌ）で形成されたバックプレートで、接地されて
おり、１２はバックプレート１１の平坦な上面に載置さ
れた半導体ウェハであり、半導体ウェハ１２の外周端は
ベベリングによって丸く加工されている。また半導体ウ
ェハ１２の上面には１．３μｍ〜１．５μｍ程度の膜厚
となるようレジスト１３が塗布され、レジスト１３の外
周部分が、例えば１．５ｍｍ±０．５ｍｍの幅で周辺カ
ットされている。
ム（Ａｌ）で形成されたバックプレートで、接地されて
おり、１２はバックプレート１１の平坦な上面に載置さ
れた半導体ウェハであり、半導体ウェハ１２の外周端は
ベベリングによって丸く加工されている。また半導体ウ
ェハ１２の上面には１．３μｍ〜１．５μｍ程度の膜厚
となるようレジスト１３が塗布され、レジスト１３の外
周部分が、例えば１．５ｍｍ±０．５ｍｍの幅で周辺カ
ットされている。
【００１４】１４はバックプレート１１の上方に対向配
置された上部固定部材であり、この上部固定部材１４に
は、弧状のアルミニウムで形成された複数、例えば４つ
のクランプ１５が、それぞれ対応するクランプスプリン
グ１６によって吊り下げられると共に、図示しないガイ
ドによって上下方向に個々独立に進退可能に支持されて
いる。また弧状のクランプ１５は、バックプレート１１
上に載置される半導体ウェハ１２の外周を均等に４分割
した長さに略等しい弧の長さを有しており、さらに外方
に向けて拡開するように形成された下向きの傾斜面１７
が内方側に設けられている。
置された上部固定部材であり、この上部固定部材１４に
は、弧状のアルミニウムで形成された複数、例えば４つ
のクランプ１５が、それぞれ対応するクランプスプリン
グ１６によって吊り下げられると共に、図示しないガイ
ドによって上下方向に個々独立に進退可能に支持されて
いる。また弧状のクランプ１５は、バックプレート１１
上に載置される半導体ウェハ１２の外周を均等に４分割
した長さに略等しい弧の長さを有しており、さらに外方
に向けて拡開するように形成された下向きの傾斜面１７
が内方側に設けられている。
【００１５】またさらに、クランプ１５の傾斜面１７の
傾斜角θは、半導体ウェハ１２の外周端の曲率やレジス
ト１３の塗布厚、周辺カット幅寸法等により適宜決めら
れるもので、傾斜面１７が半導体ウェハ１２の外周端に
当接した際にレジスト１３に接触しない角度にしてあ
る。なお、クランプ１５はそれぞれグランド接地されて
いる。
傾斜角θは、半導体ウェハ１２の外周端の曲率やレジス
ト１３の塗布厚、周辺カット幅寸法等により適宜決めら
れるもので、傾斜面１７が半導体ウェハ１２の外周端に
当接した際にレジスト１３に接触しない角度にしてあ
る。なお、クランプ１５はそれぞれグランド接地されて
いる。
【００１６】このように構成されているので、バックプ
レート１１の上面に載置された半導体ウェハ１２は、べ
べリングされて丸くなった半導体ウェハ１２の外周端
に、個々のクランプ１５の傾斜面１７が当接すると共に
上方側からのクランプスプリング１６の付勢力により押
圧されて固定、支持される。この時、クランプ１５はレ
ジスト１３を押圧せず、また接触することがない。その
ため、クランプ１５によってレジスト１３を傷つけてし
まうこともない。また、固定、支持された半導体ウェハ
１２が、何らかの要因でセンターずれを起こした場合で
も、常に半導体ウェハ１２はクランプ１５によってバッ
クプレート１１に押圧され、また中心方向に向かうよう
支持されているのでバックプレート１１上から脱落する
ことがない。
レート１１の上面に載置された半導体ウェハ１２は、べ
べリングされて丸くなった半導体ウェハ１２の外周端
に、個々のクランプ１５の傾斜面１７が当接すると共に
上方側からのクランプスプリング１６の付勢力により押
圧されて固定、支持される。この時、クランプ１５はレ
ジスト１３を押圧せず、また接触することがない。その
ため、クランプ１５によってレジスト１３を傷つけてし
まうこともない。また、固定、支持された半導体ウェハ
１２が、何らかの要因でセンターずれを起こした場合で
も、常に半導体ウェハ１２はクランプ１５によってバッ
クプレート１１に押圧され、また中心方向に向かうよう
支持されているのでバックプレート１１上から脱落する
ことがない。
【００１７】すなわち、図３に示すように、半導体ウェ
ハ１２の外方にずれた側の外周端を押圧するクランプ１
５は、傾斜面１７が外方に押されることによって上方に
押し上げられクランプスプリング１６を圧縮することに
なり、バックプレート１１との間隔Ｈ１が広がる。逆
に、内方にずれた側では、クランプ１５はクランプスプ
リング１６が伸張することによって押し下げられ、バッ
クプレート１１との間隔Ｈ２が狭くなる。これにより、
常にクランプ１５は、半導体ウェハ１２の外周端を外れ
ることなく押圧し、レジスト１３に接触することもな
い。この結果、半導体ウェハ１２は、圧縮したクランプ
スプリング１６によって、伸張したものよりも大きい付
勢力で付勢されるクランプ１５の傾斜面１７の押圧によ
り、下方及び中心方向に押し付けられることになる。
ハ１２の外方にずれた側の外周端を押圧するクランプ１
５は、傾斜面１７が外方に押されることによって上方に
押し上げられクランプスプリング１６を圧縮することに
なり、バックプレート１１との間隔Ｈ１が広がる。逆
に、内方にずれた側では、クランプ１５はクランプスプ
リング１６が伸張することによって押し下げられ、バッ
クプレート１１との間隔Ｈ２が狭くなる。これにより、
常にクランプ１５は、半導体ウェハ１２の外周端を外れ
ることなく押圧し、レジスト１３に接触することもな
い。この結果、半導体ウェハ１２は、圧縮したクランプ
スプリング１６によって、伸張したものよりも大きい付
勢力で付勢されるクランプ１５の傾斜面１７の押圧によ
り、下方及び中心方向に押し付けられることになる。
【００１８】そして、以上の通り構成されているので、
例えばバックプレート１１上に支持された半導体ウェハ
１２を、図示しないイオン打ち込み装置に移送し、所定
形状にパターニングされたレジスト１３をマスクにして
イオンの打ち込みを行う場合でも、その移送過程で何ら
かの外力が加わり、半導体ウェハ１２がバックプレート
１１上でセンターずれを起こすようなことがあっても、
常に外周端がクランプ１５で押圧され、脱落してしまう
ようなことにならない。また、クランプ１５は半導体ウ
ェハ１２の外周端を押圧していて上面のレジスト１３に
は接触することがないので、イオンの打ち込みの際にレ
ジスト１３の面内に帯電された正電荷の分布は均等なも
のとなり、半導体ウェハ１２が静電破壊してしまうこと
がない。
例えばバックプレート１１上に支持された半導体ウェハ
１２を、図示しないイオン打ち込み装置に移送し、所定
形状にパターニングされたレジスト１３をマスクにして
イオンの打ち込みを行う場合でも、その移送過程で何ら
かの外力が加わり、半導体ウェハ１２がバックプレート
１１上でセンターずれを起こすようなことがあっても、
常に外周端がクランプ１５で押圧され、脱落してしまう
ようなことにならない。また、クランプ１５は半導体ウ
ェハ１２の外周端を押圧していて上面のレジスト１３に
は接触することがないので、イオンの打ち込みの際にレ
ジスト１３の面内に帯電された正電荷の分布は均等なも
のとなり、半導体ウェハ１２が静電破壊してしまうこと
がない。
【００１９】またさらに、個々のクランプ１５により独
立に半導体ウェハ１５を押圧し固定するため、１つのク
ランプ１５が他のものより先に押圧するような傾いた状
態で押圧する状況にあっても、半導体ウェハ１２を先に
押圧するクランプ１５のみで押圧することがなく、すべ
てのクランプ１５によって押圧することになり、半導体
ウェハ１２は全面がバックプレート１１に密着すること
になる。これにより、バックプレート１１を介しての放
熱も均一に行われ、半導体ウェハ１２の温度分布が面内
で均等なものとなり、またレジスト１３の出ガスも均等
に行われ、出ガス特性も向上して装置の真空度が低下す
る等の虞がなくなる。
立に半導体ウェハ１５を押圧し固定するため、１つのク
ランプ１５が他のものより先に押圧するような傾いた状
態で押圧する状況にあっても、半導体ウェハ１２を先に
押圧するクランプ１５のみで押圧することがなく、すべ
てのクランプ１５によって押圧することになり、半導体
ウェハ１２は全面がバックプレート１１に密着すること
になる。これにより、バックプレート１１を介しての放
熱も均一に行われ、半導体ウェハ１２の温度分布が面内
で均等なものとなり、またレジスト１３の出ガスも均等
に行われ、出ガス特性も向上して装置の真空度が低下す
る等の虞がなくなる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、バックプレートに半導体ウェハが均一に密着
して固定、支持され、半導体ウェハの面内での温度分布
が均一になり、レジストの出ガス特性も向上し、半導体
ウェハを移送する際に脱落等が生じる虞がなく、静電破
壊等も生じる虞がない等の効果を奏する。
によれば、バックプレートに半導体ウェハが均一に密着
して固定、支持され、半導体ウェハの面内での温度分布
が均一になり、レジストの出ガス特性も向上し、半導体
ウェハを移送する際に脱落等が生じる虞がなく、静電破
壊等も生じる虞がない等の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施形態を示す概略の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施形態を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハがセン
ターずれして載置されている状態を示す図である。
ターずれして載置されている状態を示す図である。
【図４】従来技術を示す概略の断面図である。
【図５】従来技術を示す平面図である。
【図６】従来技術におけるイオン打ち込みの際の帯電状
況を説明するための図である。
況を説明するための図である。
【図７】従来技術におけるクランプがない場合の面電位
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図８】従来技術におけるクランプがある場合の破壊を
起こす瞬間の面電位を説明するための図である。
起こす瞬間の面電位を説明するための図である。
１１…バックプレート １２…半導体ウェハ １３…レジスト １５…クランプ １６…クランプスプリング １７…傾斜面
Claims (3)
- 【請求項１】 上面にレジストが塗布された半導体ウェ
ハをバックプレート上に載置し、外周部をクランプによ
って固定するように構成した半導体ウェハ支持装置にお
いて、前記クランプが、下向き傾斜面を有すると共に、
前記傾斜面により前記半導体ウェハの外周端を上方側か
ら押圧するようにして固定するものであることを特徴と
する半導体ウェハ支持装置。 - 【請求項２】 クランプが、半導体ウェハの外周方向に
沿って複数配列されていることを特徴とする請求項１記
載の半導体ウェハ支持装置。 - 【請求項３】 個々のクランプが、独立して上下し押圧
するように設けられていることを特徴とする請求項１及
び請求項２記載の半導体ウェハ支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6912499A JP2000269310A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 半導体ウェハ支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6912499A JP2000269310A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 半導体ウェハ支持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269310A true JP2000269310A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13393592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6912499A Pending JP2000269310A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 半導体ウェハ支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269310A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100935754B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 프로세스 챔버의 웨이퍼 척 |
| WO2010062476A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-06-03 | Asm America, Inc. | Self-centering susceptor ring assembly |
| US7834451B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Film tray for fabricating flexible display |
| JP2013168462A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| CN105470154A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-06 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造装置及半导体装置 |
| USD914620S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-03-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| USD920936S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
| US11404302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate susceptor using edge purging |
| CN116103627A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-05-12 | 浙江珏芯微电子有限公司 | 提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法 |
| US11764101B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
| US11961756B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| USD1031676S1 (en) | 2020-12-04 | 2024-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Combined susceptor, support, and lift system |
| US12417940B2 (en) | 2020-06-23 | 2025-09-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP6912499A patent/JP2000269310A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7834451B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Film tray for fabricating flexible display |
| KR100935754B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 프로세스 챔버의 웨이퍼 척 |
| WO2010062476A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-06-03 | Asm America, Inc. | Self-centering susceptor ring assembly |
| CN102197471A (zh) * | 2008-10-31 | 2011-09-21 | Asm美国公司 | 自动定心基座环组件 |
| CN102197471B (zh) * | 2008-10-31 | 2013-08-21 | Asm美国公司 | 自动定心基座环组件 |
| US8801857B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Self-centering susceptor ring assembly |
| US11387137B2 (en) | 2008-10-31 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Self-centering susceptor ring assembly |
| US9351341B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-05-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
| JP2013168462A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| CN105470154B (zh) * | 2014-09-26 | 2019-09-10 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造装置及半导体装置 |
| JP2016072305A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置 |
| CN105470154A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-06 | 富士电机株式会社 | 半导体装置的制造装置及半导体装置 |
| USD914620S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-03-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| USD920936S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
| USD958764S1 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
| US11961756B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| US11404302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate susceptor using edge purging |
| US12406871B2 (en) | 2019-05-22 | 2025-09-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate susceptor using edge purging |
| US11764101B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
| US12417940B2 (en) | 2020-06-23 | 2025-09-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| USD1031676S1 (en) | 2020-12-04 | 2024-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Combined susceptor, support, and lift system |
| CN116103627A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-05-12 | 浙江珏芯微电子有限公司 | 提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法 |
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