JP2000276731A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬磁性ピンニング層、軟磁性下地層及び垂直
記録層が積層された３層構造の垂直磁気記録媒体におい
て、特にディスク状の媒体では、ピンニング層の保磁力
が低く、また、外来磁界により信号劣化や媒体ノイズが
発生する。 【解決手段】 硬磁性ピンニング層の下に、Ｃｒを主成
分とし、少なくともＴａを含有するＣｒ系合金下地層を
形成する。
記録層が積層された３層構造の垂直磁気記録媒体におい
て、特にディスク状の媒体では、ピンニング層の保磁力
が低く、また、外来磁界により信号劣化や媒体ノイズが
発生する。 【解決手段】 硬磁性ピンニング層の下に、Ｃｒを主成
分とし、少なくともＴａを含有するＣｒ系合金下地層を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直記録層、軟磁
性下地層、並びに、この軟磁性下地層の磁区を固定する
硬磁性ピンニング層を有する３層構造の垂直磁気記録媒
体に関する。
性下地層、並びに、この軟磁性下地層の磁区を固定する
硬磁性ピンニング層を有する３層構造の垂直磁気記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】垂直記録方式は、現在の面内記録方式よ
りも高密度記録が可能であることから注目されている。
垂直記録層単層からなる単層膜媒体とともに、軟磁性下
地層と垂直記録層とからなる２層構造媒体も多く検討さ
れている。特に、２層構造媒体は、単磁極ヘッドと組み
合わせることにより効率の良い記録・再生を行うことが
できる。中でも、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性膜を
下地層とする２層膜媒体は、垂直配向性の鋭い垂直記録
層が得られるため、記録効率の向上に特に有効であるこ
とが知られている（特開平３−２７８５９５号公報）。
りも高密度記録が可能であることから注目されている。
垂直記録層単層からなる単層膜媒体とともに、軟磁性下
地層と垂直記録層とからなる２層構造媒体も多く検討さ
れている。特に、２層構造媒体は、単磁極ヘッドと組み
合わせることにより効率の良い記録・再生を行うことが
できる。中でも、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性膜を
下地層とする２層膜媒体は、垂直配向性の鋭い垂直記録
層が得られるため、記録効率の向上に特に有効であるこ
とが知られている（特開平３−２７８５９５号公報）。
【０００３】ところが、上記の垂直磁気記録媒体、特
に、その形状がディスク状の媒体では、信号記録後、媒
体を回転させているだけで、経時的に信号強度が減衰し
てしまうという問題がある。この現象は、軟磁性下地層
の磁壁から発生する磁界が、垂直記録層の記録信号を消
去してしまうために起きるものである。それに加えて、
このような軟磁性下地層の磁壁から発生する磁界は、媒
体ノイズをも増大させるという問題もある。そこで、本
発明者らは、基板と軟磁性下地層との間に、半径方向に
磁化を有する面内配向硬磁性ピンニング層を設けて軟磁
性下地層と交換結合させることによって、記録再生特性
を損ねることなく、媒体の回転に伴う減磁を防止し、か
つ、媒体ノイズを低減したものを先に提案した（特開平
７−１２９９４６号公報）。
に、その形状がディスク状の媒体では、信号記録後、媒
体を回転させているだけで、経時的に信号強度が減衰し
てしまうという問題がある。この現象は、軟磁性下地層
の磁壁から発生する磁界が、垂直記録層の記録信号を消
去してしまうために起きるものである。それに加えて、
このような軟磁性下地層の磁壁から発生する磁界は、媒
体ノイズをも増大させるという問題もある。そこで、本
発明者らは、基板と軟磁性下地層との間に、半径方向に
磁化を有する面内配向硬磁性ピンニング層を設けて軟磁
性下地層と交換結合させることによって、記録再生特性
を損ねることなく、媒体の回転に伴う減磁を防止し、か
つ、媒体ノイズを低減したものを先に提案した（特開平
７−１２９９４６号公報）。
【０００４】この面内配向硬磁性ピンニング層として
は、クロム（Ｃｒ）下地層を有するＣｏ系合金が有効で
ある。これは、Ｃｏ−Ｚｒ系軟磁性下地膜と同じＣｏ合
金とすることで交換結合を大きくでき、さらに、Ｃｒ下
地を設けることで面内方向の磁気配向性を高めることが
できるからである。一方、面内配向硬磁性ピンニング層
として、ＣｏＳｍを用いると、Ｃｒ下地層がなくても面
内方向の磁気配向が高く、かつ、媒体がディスク状の場
合、媒体の半径方向に１軸磁気異方性を有するので、特
に大きなピンニング効果が得られる。
は、クロム（Ｃｒ）下地層を有するＣｏ系合金が有効で
ある。これは、Ｃｏ−Ｚｒ系軟磁性下地膜と同じＣｏ合
金とすることで交換結合を大きくでき、さらに、Ｃｒ下
地を設けることで面内方向の磁気配向性を高めることが
できるからである。一方、面内配向硬磁性ピンニング層
として、ＣｏＳｍを用いると、Ｃｒ下地層がなくても面
内方向の磁気配向が高く、かつ、媒体がディスク状の場
合、媒体の半径方向に１軸磁気異方性を有するので、特
に大きなピンニング効果が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の面内
配向硬磁性ピンニング層が半径方向に１軸磁気異方性を
有するＣｏＳｍである場合、磁化容易軸方向（半径方
向）の保磁力Ｈｃは熱的に不安定で、安定化した状態で
は５０〜１００［Oe］程度にまで下がってしまう。ピン
ニング層のＨｃが低いと、交換結合のため反転磁界はさ
らに小さくなり、外来の浮遊磁界によって反転しやすく
なる。ピンニング層が磁化反転を起こすと、交換結合し
ている軟磁性層も磁化反転するので磁壁が発生し、前述
したような理由で、信号劣化や媒体ノイズの発生を引き
起こすことになる。
配向硬磁性ピンニング層が半径方向に１軸磁気異方性を
有するＣｏＳｍである場合、磁化容易軸方向（半径方
向）の保磁力Ｈｃは熱的に不安定で、安定化した状態で
は５０〜１００［Oe］程度にまで下がってしまう。ピン
ニング層のＨｃが低いと、交換結合のため反転磁界はさ
らに小さくなり、外来の浮遊磁界によって反転しやすく
なる。ピンニング層が磁化反転を起こすと、交換結合し
ている軟磁性層も磁化反転するので磁壁が発生し、前述
したような理由で、信号劣化や媒体ノイズの発生を引き
起こすことになる。
【０００６】また、ピンニング層がＣｒ下地層を有する
Ｃｏ系合金の場合には、ＣｏＳｍに比べてＨｃを高くす
ることができる。しかし、この系では、媒体がディスク
状の場合、媒体の円周方向に１軸磁気異方性を有する
か、もしくは、面内方向で特定の方向に異方性を持たな
いランダム配向となる。この場合には、外来磁界によっ
て軟磁性層が磁化反転すると、交換結合しているピンニ
ング層が部分的に磁化反転しやすく、ＣｏＳｍの場合と
同様に信号劣化や媒体ノイズ発生の原因となる。
Ｃｏ系合金の場合には、ＣｏＳｍに比べてＨｃを高くす
ることができる。しかし、この系では、媒体がディスク
状の場合、媒体の円周方向に１軸磁気異方性を有する
か、もしくは、面内方向で特定の方向に異方性を持たな
いランダム配向となる。この場合には、外来磁界によっ
て軟磁性層が磁化反転すると、交換結合しているピンニ
ング層が部分的に磁化反転しやすく、ＣｏＳｍの場合と
同様に信号劣化や媒体ノイズ発生の原因となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解消するも
のとして、本発明によれば、非磁性基板上に、硬磁性ピ
ンニング層、軟磁性下地層及び垂直記録層が積層されて
構成された３層構造の垂直磁気記録媒体の、前記硬磁性
ピンニング層と前記非磁性基板との間に、Ｃｒを主成分
とし、かつ、少なくともタンタル（Ｔａ）を含有するＣ
ｒ系合金下地層が形成されたものが提供される。この構
成において、Ｃｒ系合金下地層のＴａの含有量が６原子
％（ａｔ％）以上であると、ピンニング効果を向上させ
る上で更に効果的である。さらに、上記の構成におい
て、Ｃｒ系合金下地層の磁化容易軸が磁気ヘッドの走行
方向に対して略直角であると好ましい。
のとして、本発明によれば、非磁性基板上に、硬磁性ピ
ンニング層、軟磁性下地層及び垂直記録層が積層されて
構成された３層構造の垂直磁気記録媒体の、前記硬磁性
ピンニング層と前記非磁性基板との間に、Ｃｒを主成分
とし、かつ、少なくともタンタル（Ｔａ）を含有するＣ
ｒ系合金下地層が形成されたものが提供される。この構
成において、Ｃｒ系合金下地層のＴａの含有量が６原子
％（ａｔ％）以上であると、ピンニング効果を向上させ
る上で更に効果的である。さらに、上記の構成におい
て、Ｃｒ系合金下地層の磁化容易軸が磁気ヘッドの走行
方向に対して略直角であると好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の垂直磁気記録媒体は、非
磁性基板上に、Ｃｒ系合金下地層、硬磁性ピンニング
層、軟磁性下地層、及び垂直記録層をこの順で積層し
た、いわば、４層構造を有するものである。Ｃｒ系合金
下地層は、その上に形成される硬磁性ピンニング層の下
地となるものでＣｒを主成分とする合金により形成され
ている。このＣｒ系合金には、少なくともＴａが含有さ
れていることが必要であり、これにより、例えばディス
ク状の媒体の半径方向に１軸磁気異方性が付与され、か
つ、Ｈｃも高めることができるため、外来磁界による影
響を小さくし、後述する硬磁性ピンニング層のピンニン
グ効果も著しく向上させることができる。このＴａの含
有量が、６ａｔ％以上である場合には、このような効果
がさらに顕著となるため好ましい。また、上記のような
Ｔａ含有Ｃｒ系合金下地層は、ディスク状基板の表面
に、ディスクへの磁気ヘッド吸着の防止の目的で円周方
向に形成されたテクスチャー構造を有するものに適用す
ると特に効果的である。
磁性基板上に、Ｃｒ系合金下地層、硬磁性ピンニング
層、軟磁性下地層、及び垂直記録層をこの順で積層し
た、いわば、４層構造を有するものである。Ｃｒ系合金
下地層は、その上に形成される硬磁性ピンニング層の下
地となるものでＣｒを主成分とする合金により形成され
ている。このＣｒ系合金には、少なくともＴａが含有さ
れていることが必要であり、これにより、例えばディス
ク状の媒体の半径方向に１軸磁気異方性が付与され、か
つ、Ｈｃも高めることができるため、外来磁界による影
響を小さくし、後述する硬磁性ピンニング層のピンニン
グ効果も著しく向上させることができる。このＴａの含
有量が、６ａｔ％以上である場合には、このような効果
がさらに顕著となるため好ましい。また、上記のような
Ｔａ含有Ｃｒ系合金下地層は、ディスク状基板の表面
に、ディスクへの磁気ヘッド吸着の防止の目的で円周方
向に形成されたテクスチャー構造を有するものに適用す
ると特に効果的である。
【０００９】Ｃｒ系合金下地層の上には、硬磁性ピンニ
ング層が形成される。この硬磁性ピンニング層は、続い
て形成される軟磁性下地層の磁区を固定する機能を有す
るもので、例えば、ＣｏもしくはＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＮｉＰｔＰ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣ
ｒＴａＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ系合金
であることが好ましい。また、軟磁性下地層は、例え
ば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａなどのＣｏ−Ｚｒ系ア
モルファス合金により形成されることが好ましい。さら
に、垂直記録層は、例えば、Ｃｏ−Ｐ系合金、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｐ系合金、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2Ｏ3系合金、もしくは、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔなどの
Ｃｏ−Ｃｒ系合金により形成されることが好ましい。か
かる構成の垂直磁気記録媒体は、例えば、マグネトロン
スパッタ法を用いて、非磁性基板上に上記の各層を成膜
することにより製造することができる。
ング層が形成される。この硬磁性ピンニング層は、続い
て形成される軟磁性下地層の磁区を固定する機能を有す
るもので、例えば、ＣｏもしくはＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＮｉＰｔＰ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣ
ｒＴａＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ系合金
であることが好ましい。また、軟磁性下地層は、例え
ば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａなどのＣｏ−Ｚｒ系ア
モルファス合金により形成されることが好ましい。さら
に、垂直記録層は、例えば、Ｃｏ−Ｐ系合金、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｐ系合金、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2Ｏ3系合金、もしくは、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔなどの
Ｃｏ−Ｃｒ系合金により形成されることが好ましい。か
かる構成の垂直磁気記録媒体は、例えば、マグネトロン
スパッタ法を用いて、非磁性基板上に上記の各層を成膜
することにより製造することができる。
【００１０】＜実施例＞以下に示す実施例により、本発
明を具体的に説明する。基板として、φ９５ｍｍのディ
スク状Ａｌ基板上にＮｉＰを無電解メッキしたものに、
円周方向にテクスチャー研磨を施し、半径方向の平均表
面粗さ（Ｒa）＝５．５ｎｍとしたものを用い、その上
にＣｒ系合金下地層及び硬磁性ピンニング層を成膜し
た。成膜にはφ１５２ｍｍのカソードを有するＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置を用いた。エロージョンエリア
は、φ１０５ｍｍの位置を中心に、±１５ｍｍの範囲に
分布している。ターゲットと基板間の距離は１１０ｍｍ
とした。到達真空度４×１０-6Ｔｏｒｒ以下、基板温度
２００℃、Ａｒガス圧５ｍｍＴｏｒｒの条件で成膜を行
った。
明を具体的に説明する。基板として、φ９５ｍｍのディ
スク状Ａｌ基板上にＮｉＰを無電解メッキしたものに、
円周方向にテクスチャー研磨を施し、半径方向の平均表
面粗さ（Ｒa）＝５．５ｎｍとしたものを用い、その上
にＣｒ系合金下地層及び硬磁性ピンニング層を成膜し
た。成膜にはφ１５２ｍｍのカソードを有するＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置を用いた。エロージョンエリア
は、φ１０５ｍｍの位置を中心に、±１５ｍｍの範囲に
分布している。ターゲットと基板間の距離は１１０ｍｍ
とした。到達真空度４×１０-6Ｔｏｒｒ以下、基板温度
２００℃、Ａｒガス圧５ｍｍＴｏｒｒの条件で成膜を行
った。
【００１１】まず、Ｃｒ系合金下地層として、ＣｒＴａ
層を１００ｎｍ成膜し、続いて、硬磁性ピンニング層と
して、ＣｏＮｉ6.4Ｐｔ6.1Ｐ6ａｔ％よりなる層を５０
ｎｍ成膜した。なお、ＣｒＴａ下地層の組成、すなわち
Ｔａ含有量は、Ｃｒターゲット上に配置したＴａチップ
の個数で調整した。こうして得られた硬磁性ピンニング
層の磁気特性を、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により評
価した。測定はディスクの円周方向（Ｃｉｒ．）及び半
径方向（Ｒａｄ．）のそれぞれに対して行った。
層を１００ｎｍ成膜し、続いて、硬磁性ピンニング層と
して、ＣｏＮｉ6.4Ｐｔ6.1Ｐ6ａｔ％よりなる層を５０
ｎｍ成膜した。なお、ＣｒＴａ下地層の組成、すなわち
Ｔａ含有量は、Ｃｒターゲット上に配置したＴａチップ
の個数で調整した。こうして得られた硬磁性ピンニング
層の磁気特性を、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により評
価した。測定はディスクの円周方向（Ｃｉｒ．）及び半
径方向（Ｒａｄ．）のそれぞれに対して行った。
【００１２】図１にＣｒＴａ下地層のＴａ含有量と保磁
力Ｈｃとの関係、図２にＣｒＴａ下地層のＴａ含有量と
角型比Ｒｓ（飽和磁化Ｍｓに対する残留磁化Ｍｒの比、
Ｍｒ／Ｍｓ）及び保磁力角型比Ｓ*との関係をそれぞれ
示した。その結果、Ｔａを全く含有せずにＣｒ単独で形
成された下地層の場合は、上記の各値のＣｉｒ．の方が
Ｒａｄ．より高く、磁気異方性が円周方向に強いことが
確認された。これは、基板の円周方向のテクスチャー構
造の影響によるものである。これに対し、Ｔａ含有量が
６ａｔ％程度になると、各値のＣｉｒ．とＲａｄ．はほ
ぼ同じになり、面内方向で磁気的にランダム配向膜とな
り、さらにＴａ含有量が６ａｔ％以上になると半径方向
に異方性を有する膜となることが明らかになった。
力Ｈｃとの関係、図２にＣｒＴａ下地層のＴａ含有量と
角型比Ｒｓ（飽和磁化Ｍｓに対する残留磁化Ｍｒの比、
Ｍｒ／Ｍｓ）及び保磁力角型比Ｓ*との関係をそれぞれ
示した。その結果、Ｔａを全く含有せずにＣｒ単独で形
成された下地層の場合は、上記の各値のＣｉｒ．の方が
Ｒａｄ．より高く、磁気異方性が円周方向に強いことが
確認された。これは、基板の円周方向のテクスチャー構
造の影響によるものである。これに対し、Ｔａ含有量が
６ａｔ％程度になると、各値のＣｉｒ．とＲａｄ．はほ
ぼ同じになり、面内方向で磁気的にランダム配向膜とな
り、さらにＴａ含有量が６ａｔ％以上になると半径方向
に異方性を有する膜となることが明らかになった。
【００１３】なお、Ｔａ含有量をさらに増加させるとＨ
ｃは低下してしまうが、それでも１０００［Oe］以上あ
り、しかも、半径方向に異方性を有するのでピンニング
層として十分に有用であることが確認された。この実施
例では、基板として円周方向のテクスチャー構造を持つ
ものを使用しているが、例えば、ガラスのようなテクス
チャー構造を持たない基板を使用すれば、半径方向の磁
気異方性はさらに強くなり、より大きなピンニング効果
を得ることが可能となる。
ｃは低下してしまうが、それでも１０００［Oe］以上あ
り、しかも、半径方向に異方性を有するのでピンニング
層として十分に有用であることが確認された。この実施
例では、基板として円周方向のテクスチャー構造を持つ
ものを使用しているが、例えば、ガラスのようなテクス
チャー構造を持たない基板を使用すれば、半径方向の磁
気異方性はさらに強くなり、より大きなピンニング効果
を得ることが可能となる。
【００１４】つぎに、Ｘ線回折法により、これらのＣｒ
Ｔａ膜の構造解析を行った。図３にＴａ含有量を変化さ
せた場合のＸ線回折パターンを示した。Ｔａ含有量の増
加に伴い、Ｃｒ（２００）からＣｒ（１１０）の結晶配
向性が向上し、２θの移動から、その面間隔が広がって
いることがわかる。これに対して、Ｃｏのどの結晶面も
現れていない。本来、Ｃｒ（１１０）上にはＣｏ（１０
１）が成長するはずである。つまり、Ｔａを添加して半
径方向の磁気異方性が強くなったのは、成膜時のスパッ
タ粒子の飛来方向と、Ｃｒ（１１０）の面間隔の広がり
との作用で、磁化容易軸であるＣｏのｃ軸が半径方向に
向きやすくなったことに起因する。つまり、エロージョ
ンエリアの中心がφ１０５ｍｍの位置であるのに対し、
基板はφ９５ｍｍであるので、スパッタ粒子の飛来方向
は主に、ディスク面内で半径方向であることに起因す
る。これにより、ＣｒＴａ系下地層の磁化容易軸を磁気
ヘッドの走行方向に対して略直角に設定することができ
る。
Ｔａ膜の構造解析を行った。図３にＴａ含有量を変化さ
せた場合のＸ線回折パターンを示した。Ｔａ含有量の増
加に伴い、Ｃｒ（２００）からＣｒ（１１０）の結晶配
向性が向上し、２θの移動から、その面間隔が広がって
いることがわかる。これに対して、Ｃｏのどの結晶面も
現れていない。本来、Ｃｒ（１１０）上にはＣｏ（１０
１）が成長するはずである。つまり、Ｔａを添加して半
径方向の磁気異方性が強くなったのは、成膜時のスパッ
タ粒子の飛来方向と、Ｃｒ（１１０）の面間隔の広がり
との作用で、磁化容易軸であるＣｏのｃ軸が半径方向に
向きやすくなったことに起因する。つまり、エロージョ
ンエリアの中心がφ１０５ｍｍの位置であるのに対し、
基板はφ９５ｍｍであるので、スパッタ粒子の飛来方向
は主に、ディスク面内で半径方向であることに起因す
る。これにより、ＣｒＴａ系下地層の磁化容易軸を磁気
ヘッドの走行方向に対して略直角に設定することができ
る。
【００１５】このように、硬磁性ピンニング層の下にＣ
ｒＴａ系下地層が形成されていると、ディスク状媒体の
半径方向に１軸異方性が付与され、かつ、ピンニング層
のＨｃが高くなる。その結果、大きなピンニング効果が
得られ、外来磁界に対する記録信号の安定性が向上す
る。しかも、媒体ノイズの発生が防止され、高いＳ／Ｎ
を実現することが可能となる。
ｒＴａ系下地層が形成されていると、ディスク状媒体の
半径方向に１軸異方性が付与され、かつ、ピンニング層
のＨｃが高くなる。その結果、大きなピンニング効果が
得られ、外来磁界に対する記録信号の安定性が向上す
る。しかも、媒体ノイズの発生が防止され、高いＳ／Ｎ
を実現することが可能となる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、硬磁性ピンニング層の下地層としてＴａを含有す
るＣｒ系合金を使用したので、媒体ノイズを低減するこ
とができ、高いＳ／Ｎで、かつ、外来磁界に対する記録
信号の安定性を向上させることが可能となる。
れば、硬磁性ピンニング層の下地層としてＴａを含有す
るＣｒ系合金を使用したので、媒体ノイズを低減するこ
とができ、高いＳ／Ｎで、かつ、外来磁界に対する記録
信号の安定性を向上させることが可能となる。
【図１】ＣｒＴａ下地層のＴａ含有量と保磁力Ｈｃとの
関係を示したグラフである。
関係を示したグラフである。
【図２】ＣｒＴａ下地層のＴａ含有量と、角型比Ｒｓ及
び保磁力角型比Ｓ*との関係を示したグラフである。
び保磁力角型比Ｓ*との関係を示したグラフである。
【図３】Ｔａ含有量を変化させた場合のＸ線回折パター
ンを示した図である。
ンを示した図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、硬磁性ピンニング層、
軟磁性下地層及び垂直記録層が積層されて構成された３
層構造の垂直磁気記録媒体において、前記硬磁性ピンニ
ング層と前記非磁性基板との間に、Ｃｒを主成分とし、
かつ、少なくともＴａを含有するＣｒ系合金下地層を有
することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記Ｃｒ系合金下地層におけるＴａの含
有量が、６原子％以上である、請求項１記載の垂直磁気
記録媒体。 - 【請求項３】 前記Ｃｒ系合金下地層の磁化容易軸が磁
気ヘッドの走行方向に対して略直角である、請求項１又
は請求項２記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080734A JP2000276731A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080734A JP2000276731A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276731A true JP2000276731A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13726626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080734A Pending JP2000276731A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000276731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8675316B2 (en) | 2008-04-11 | 2014-03-18 | HGST Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor with sub-layering of pinned layers |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11080734A patent/JP2000276731A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8675316B2 (en) | 2008-04-11 | 2014-03-18 | HGST Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor with sub-layering of pinned layers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030624 |