JP2000277265A - 有機空間光変調素子 - Google Patents
有機空間光変調素子Info
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- JP2000277265A JP2000277265A JP11082114A JP8211499A JP2000277265A JP 2000277265 A JP2000277265 A JP 2000277265A JP 11082114 A JP11082114 A JP 11082114A JP 8211499 A JP8211499 A JP 8211499A JP 2000277265 A JP2000277265 A JP 2000277265A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 読み出し光を必要とせず、室温で動作し、高
速応答が可能で、しかも小型で安価な空間光変調素子を
提供する。 【解決手段】 光電変換層４０と電界発光層２０を対向
させて配置し、光電変換層４０に照射した光により励起
したキャリアを、これら光電変換層４０及び電界発光層
２０に印加した電界によって電界発光層２０に注入し、
光を励起・発光させる空間光変調素子において、該電界
発光層２０を有機電界発光材料で構成するとともに、該
光電変換層４０を金属フタロシアニン錯体で構成するこ
とを特徴とする有機空間光変調素子。
速応答が可能で、しかも小型で安価な空間光変調素子を
提供する。 【解決手段】 光電変換層４０と電界発光層２０を対向
させて配置し、光電変換層４０に照射した光により励起
したキャリアを、これら光電変換層４０及び電界発光層
２０に印加した電界によって電界発光層２０に注入し、
光を励起・発光させる空間光変調素子において、該電界
発光層２０を有機電界発光材料で構成するとともに、該
光電変換層４０を金属フタロシアニン錯体で構成するこ
とを特徴とする有機空間光変調素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、空間光変調素子
に関し、詳しくは長波長の光を短波長の光に変換する有
機空間光変調素子に関するものである。
に関し、詳しくは長波長の光を短波長の光に変換する有
機空間光変調素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】空間光変調素子として、光の入力情報を
一度電荷像に変換し、この電荷像に対応する電界が液晶
層に印加されるようにして、読み出し光を変調する方式
が検討されている。これは光の並列性を情報処理に有効
に利用した素子であり、すでに実用化がなされようとし
ている。
一度電荷像に変換し、この電荷像に対応する電界が液晶
層に印加されるようにして、読み出し光を変調する方式
が検討されている。これは光の並列性を情報処理に有効
に利用した素子であり、すでに実用化がなされようとし
ている。
【０００３】しかしながら、光の入力情報を一度電荷像
に変換し、この電荷像に対応する電界が液晶層に印加さ
れるようにして読み出し光を変調する方式では、本質的
にその応答速度は液晶の電界に対する応答速度により制
限され、高速並列情報処理には適さない。
に変換し、この電荷像に対応する電界が液晶層に印加さ
れるようにして読み出し光を変調する方式では、本質的
にその応答速度は液晶の電界に対する応答速度により制
限され、高速並列情報処理には適さない。
【０００４】さらに空間変調された情報を取り出すため
には読み出し光を必要とし素子の小型化に制限を生じ
る。
には読み出し光を必要とし素子の小型化に制限を生じ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点を解消し、読み出し光を必要とせず、室温で
動作し、高速応答が可能で、しかも小型で安価な空間光
変調素子を提供することをその課題とする。
術の問題点を解消し、読み出し光を必要とせず、室温で
動作し、高速応答が可能で、しかも小型で安価な空間光
変調素子を提供することをその課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、光電変換層と電界発
光層を対向させて配置し、光電変換層に照射した光によ
り励起したキャリアを、これら光電変換層及び電界発光
層に印加した電界によって電界発光層に注入し、光を励
起・発光させる空間光変調素子において、前記電界発光
層を有機電界発光材料で構成するとともに、前記光電変
換層を金属フタロシアニン錯体で構成することを特徴と
する有機空間光変調素子が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、光電変換層と電界発
光層を対向させて配置し、光電変換層に照射した光によ
り励起したキャリアを、これら光電変換層及び電界発光
層に印加した電界によって電界発光層に注入し、光を励
起・発光させる空間光変調素子において、前記電界発光
層を有機電界発光材料で構成するとともに、前記光電変
換層を金属フタロシアニン錯体で構成することを特徴と
する有機空間光変調素子が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を詳細に
説明する。図１は、本発明による有機空間光変調素子の
基本的構成例を模式的に示す図であり、図中１０は金属
電極、２０は電界発生層、３０はホール輸送層、４０は
光電変換層、５０は透明電極、６０は基板、７０は電
源、８０は入射光、９０は出射光である。
説明する。図１は、本発明による有機空間光変調素子の
基本的構成例を模式的に示す図であり、図中１０は金属
電極、２０は電界発生層、３０はホール輸送層、４０は
光電変換層、５０は透明電極、６０は基板、７０は電
源、８０は入射光、９０は出射光である。
【０００８】本発明において、光電変換層４０は金属フ
タロシアニン錯体により構成され、このような金属フタ
ロシアニン錯体としては、チタニルフタロシアニン、銅
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、ニッケルフタロ
シアニン、水素フタロシアニン等を挙げることができ
る。これら金属フタロシアニン錯体は単独で用いてもよ
いし、２種以上で用いても良い。また、これら金属フタ
ロシアニン錯体にその他公知の光電変換材料を混合させ
てもよい。光電変換層４０の膜厚は１０〜１０００ｎ
ｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。光電変換層４
０の製膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、
スパッタ法等を用いることができる。光電変換層４０を
金属フタロシアニン錯体の薄膜で構成することにより、
素子の時間応答速度が改善されるとともに、空間変調さ
れた情報を取り出すためには読み出し光を必要としない
自発光型の空間光変調素子が実現する。
タロシアニン錯体により構成され、このような金属フタ
ロシアニン錯体としては、チタニルフタロシアニン、銅
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、ニッケルフタロ
シアニン、水素フタロシアニン等を挙げることができ
る。これら金属フタロシアニン錯体は単独で用いてもよ
いし、２種以上で用いても良い。また、これら金属フタ
ロシアニン錯体にその他公知の光電変換材料を混合させ
てもよい。光電変換層４０の膜厚は１０〜１０００ｎ
ｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。光電変換層４
０の製膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、
スパッタ法等を用いることができる。光電変換層４０を
金属フタロシアニン錯体の薄膜で構成することにより、
素子の時間応答速度が改善されるとともに、空間変調さ
れた情報を取り出すためには読み出し光を必要としない
自発光型の空間光変調素子が実現する。
【０００９】本発明において、光電変換層４０に対向配
置される電界発光層２０は、有機電界発光層材料で構成
される。有機電界発光層材料としては、従来公知の各種
材料が使用可能であるが、出射光の波長（エネルギー）
を容易に選択することができるという観点から、有機低
分子化合物からなる電界発光層材料の使用が好ましい。
このような有機低分子化合物としては、Ａｌｑ3、等の
金属キノール錯体、Ｚｎ（ＢＯＸ）2等の金属ベンゾオ
キサゾール錯体、ＰＡＴ（ポリアミノトリアゾール）、
ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミン）等が好ましく使用される。これらの有機低分子化
合物からなる電界発光層材料は単独で用いてもよいし、
２種以上で用いても良い。電界発光層２０の膜厚は１０
〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。電界
発光層２０の製膜方法としては、真空蒸着法、スピンコ
ート法、スパッタ法等を用いることができる。
置される電界発光層２０は、有機電界発光層材料で構成
される。有機電界発光層材料としては、従来公知の各種
材料が使用可能であるが、出射光の波長（エネルギー）
を容易に選択することができるという観点から、有機低
分子化合物からなる電界発光層材料の使用が好ましい。
このような有機低分子化合物としては、Ａｌｑ3、等の
金属キノール錯体、Ｚｎ（ＢＯＸ）2等の金属ベンゾオ
キサゾール錯体、ＰＡＴ（ポリアミノトリアゾール）、
ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミン）等が好ましく使用される。これらの有機低分子化
合物からなる電界発光層材料は単独で用いてもよいし、
２種以上で用いても良い。電界発光層２０の膜厚は１０
〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。電界
発光層２０の製膜方法としては、真空蒸着法、スピンコ
ート法、スパッタ法等を用いることができる。
【００１０】本発明において、電界発光層２０と光電変
換層４０の間にはホール輸送層３０を設けることができ
る。このホール輸送層３０にはホール輸送性にすぐれた
有機低分子化合物が使用される。このようなホール輸送
性にすぐれた有機低分子化合物としては、ＴＰＤ、α−
ＮＰＤ（４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノ]ビフェニル）等が挙げられる。これら
のホール輸送性にすぐれた有機低分子化合物は単独で用
いてもよいし、２種以上で用いても良い。ホール輸送層
３０の膜厚は１０〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜３０
ｎｍである。ホール輸送層３０の製膜方法としては、真
空蒸着法、スピンコート法、スパッタ法等を用いること
ができる。
換層４０の間にはホール輸送層３０を設けることができ
る。このホール輸送層３０にはホール輸送性にすぐれた
有機低分子化合物が使用される。このようなホール輸送
性にすぐれた有機低分子化合物としては、ＴＰＤ、α−
ＮＰＤ（４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−
フェニルアミノ]ビフェニル）等が挙げられる。これら
のホール輸送性にすぐれた有機低分子化合物は単独で用
いてもよいし、２種以上で用いても良い。ホール輸送層
３０の膜厚は１０〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜３０
ｎｍである。ホール輸送層３０の製膜方法としては、真
空蒸着法、スピンコート法、スパッタ法等を用いること
ができる。
【００１１】電界発光層２０及び光電変換層４０には電
圧が印加されるが、そのため電界発光層２０の片面に金
属電極１０が設けられるとともに、光電変換層４０の片
面に透明電極５０が設けられる。金属１０はＡｌ、Ａｌ
−Ｌｉ、Ａｇ−Ｍｇ等で構成することができる。一方、
透明電極５０はＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、ＦドープＳ
ｎＯ2、ＡｌドープＺｎＯの透明材料で構成することが
できる。金属電極１０の膜厚は１０〜１０００ｎｍ、好
ましくは５０〜２００ｎｍである。また、透明電極５０
の膜厚は１０〜４００ｎｍ、好ましくは１００〜３００
ｎｍである。
圧が印加されるが、そのため電界発光層２０の片面に金
属電極１０が設けられるとともに、光電変換層４０の片
面に透明電極５０が設けられる。金属１０はＡｌ、Ａｌ
−Ｌｉ、Ａｇ−Ｍｇ等で構成することができる。一方、
透明電極５０はＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、ＦドープＳ
ｎＯ2、ＡｌドープＺｎＯの透明材料で構成することが
できる。金属電極１０の膜厚は１０〜１０００ｎｍ、好
ましくは５０〜２００ｎｍである。また、透明電極５０
の膜厚は１０〜４００ｎｍ、好ましくは１００〜３００
ｎｍである。
【００１２】本構成例では、上記各層は基板６０上に積
層配置される。基板６０は透明であることが必要で、例
えばガラス、ポリカーボネート等を用いることができ
る。本発明では、基板６０にＩＴＯ等の導電性材料を使
用して電極を兼ねた構成とすることもできる。
層配置される。基板６０は透明であることが必要で、例
えばガラス、ポリカーボネート等を用いることができ
る。本発明では、基板６０にＩＴＯ等の導電性材料を使
用して電極を兼ねた構成とすることもできる。
【００１３】本発明において、素子に印加する電圧は
０．１〜５０×１０5（Ｖ／ｃｍ）程度である。また、
入射光８０の波長は６００〜８００ｎｍ程度である。
０．１〜５０×１０5（Ｖ／ｃｍ）程度である。また、
入射光８０の波長は６００〜８００ｎｍ程度である。
【００１４】上記構成の空間光変調素子では、入射光８
０が光電変換層４０に照射されると、キャリアが励起さ
れ、励起されたキャリアは、透明電極５０及び金属電極
１０により、これらの間にに印加される電界により、光
電変換層４０からホール輸送層３０を通じ電界発光層２
０に注入され、光を励起・発光し、出射光９０として取
り出される。従来の空間光変調素子では、電荷注入型の
有機電界発光層は無機物である電極界面からの電界によ
る電荷注入を有効に行うことが困難であった。ところ
が、光電変換層４０として有機物である金属フタロシア
ニン錯体層を用いる本発明の空間光変調素子では、上記
のように光電変換層４０で励起光により生じた電荷が電
極間に印加された電界により有機電界発光層２０に注入
される。これにより低電界で有機電界発光層２０からの
発光が得られる上、励起光を走査することで発光位置を
二次元的に制御可能な空間光変調素子とすることができ
る。
０が光電変換層４０に照射されると、キャリアが励起さ
れ、励起されたキャリアは、透明電極５０及び金属電極
１０により、これらの間にに印加される電界により、光
電変換層４０からホール輸送層３０を通じ電界発光層２
０に注入され、光を励起・発光し、出射光９０として取
り出される。従来の空間光変調素子では、電荷注入型の
有機電界発光層は無機物である電極界面からの電界によ
る電荷注入を有効に行うことが困難であった。ところ
が、光電変換層４０として有機物である金属フタロシア
ニン錯体層を用いる本発明の空間光変調素子では、上記
のように光電変換層４０で励起光により生じた電荷が電
極間に印加された電界により有機電界発光層２０に注入
される。これにより低電界で有機電界発光層２０からの
発光が得られる上、励起光を走査することで発光位置を
二次元的に制御可能な空間光変調素子とすることができ
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 実施例１ ＩＴＯ基板上に光電変換層４０（厚さ９０ｎｍ）として
チタニルフタロシアニン膜を、ホール輸送層３０（厚さ
２０ｎｍ）としてＴＰＤ膜を、電界発光層２０（厚さ２
０ｎｍ）としてＡｌｑ3膜を、金属電極１０（厚さ５０
ｎｍ）としてＡｌ膜を、それぞれ真空蒸着法により製
膜、積層し、本発明による空間光変調素子を作製した。
室温で上記素子に１〜５０×１０5Ｖ／ｃｍの電界を印
加し、入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅ
Ｖ）のレーザー光を照射したところ、電界発光層２０か
ら中心波長５５０ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０が
観察された。この発光は、外部電界をかけた素子のうち
入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレ
ーザー光を照射した部位のみから生じた。中心波長５５
０ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０の発光強度は素子
に印加した電界に比例し、またその発光強度は素子に照
射する波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレーザー光の
強度に比例していた。また入射光８０に対する出射光９
０の応答速度は１０ｍｓ以下であった。
る。 実施例１ ＩＴＯ基板上に光電変換層４０（厚さ９０ｎｍ）として
チタニルフタロシアニン膜を、ホール輸送層３０（厚さ
２０ｎｍ）としてＴＰＤ膜を、電界発光層２０（厚さ２
０ｎｍ）としてＡｌｑ3膜を、金属電極１０（厚さ５０
ｎｍ）としてＡｌ膜を、それぞれ真空蒸着法により製
膜、積層し、本発明による空間光変調素子を作製した。
室温で上記素子に１〜５０×１０5Ｖ／ｃｍの電界を印
加し、入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅ
Ｖ）のレーザー光を照射したところ、電界発光層２０か
ら中心波長５５０ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０が
観察された。この発光は、外部電界をかけた素子のうち
入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレ
ーザー光を照射した部位のみから生じた。中心波長５５
０ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０の発光強度は素子
に印加した電界に比例し、またその発光強度は素子に照
射する波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレーザー光の
強度に比例していた。また入射光８０に対する出射光９
０の応答速度は１０ｍｓ以下であった。
【００１６】実施例２ ＩＴＯ基板上に、光電変換層４０（厚さ９０ｎｍ）とし
て銅フタロシアニン膜を、ホール輸送層３０（厚さ２０
ｎｍ）としてＴＰＤ膜を、電界発光層２０（厚さ２０ｎ
ｍ）としてＡｌｑ3膜を、金属電極１０（厚さ５０ｎ
ｍ）としてＡｌ膜を、それぞれ真空蒸着法により製膜、
積層し、本発明による有機空間光変調素子を作製した。
室温で上記素子に１〜５０×１０5Ｖ／ｃｍの電界を印
加し、入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅ
Ｖ）のレーザー光を照射したところ、電界発光層２０か
ら中心波長５５０ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０が
観察された。この発光は外部電界をかけた素子のうち入
射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレー
ザー光を照射した部位のみから生じた。中心波長５５０
ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０の発光強度は素子に
印加した電界に比例し、またその発光強度は素子に照射
する波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレーザー光の強
度に比例していた。また入射光８０に対する出射光９０
の応答速度は１０ｍｓ以下であった。
て銅フタロシアニン膜を、ホール輸送層３０（厚さ２０
ｎｍ）としてＴＰＤ膜を、電界発光層２０（厚さ２０ｎ
ｍ）としてＡｌｑ3膜を、金属電極１０（厚さ５０ｎ
ｍ）としてＡｌ膜を、それぞれ真空蒸着法により製膜、
積層し、本発明による有機空間光変調素子を作製した。
室温で上記素子に１〜５０×１０5Ｖ／ｃｍの電界を印
加し、入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅ
Ｖ）のレーザー光を照射したところ、電界発光層２０か
ら中心波長５５０ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０が
観察された。この発光は外部電界をかけた素子のうち入
射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレー
ザー光を照射した部位のみから生じた。中心波長５５０
ｎｍ（２．２５ｅＶ）の出射光９０の発光強度は素子に
印加した電界に比例し、またその発光強度は素子に照射
する波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレーザー光の強
度に比例していた。また入射光８０に対する出射光９０
の応答速度は１０ｍｓ以下であった。
【００１７】実施例３ ＩＴＯ基板上に、光電変換層４０（厚さ９０ｎｍ）とし
てチタニルフタロシアニン膜を、ホール輸送層３０（厚
さ２０ｎｍ）としてＴＰＤ膜を、電界発光層２０（厚さ
２０ｎｍ）としてＡｌｑ3膜を、金属電極１０（厚さ５
０ｎｍ）としてＡｌ膜を、それぞれ真空蒸着法により製
膜、積層し、本発明による有機空間光変調素子を作製し
た。室温で上記素子に１〜５０×１０5Ｖ／ｃｍの電界
を印加し、入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４
ｅＶ）のレーザー光を照射したところ、電界発光層２０
から中心波長４９２ｎｍ（２．５２ｅＶ）の出射光９０
が観察された。この発光は外部電界をかけた素子のうち
入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレ
ーザー光を照射した部位のみから生じた。中心波長４９
２ｎｍ（２．５２ｅＶ）の出射光９０の発光強度は素子
に印加した電界に比例し、またその発光強度は素子に照
射する波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレーザー光の
強度に比例していた。また入射光８０に対する出射光９
０の応答速度は１０ｍｓ以下であった。
てチタニルフタロシアニン膜を、ホール輸送層３０（厚
さ２０ｎｍ）としてＴＰＤ膜を、電界発光層２０（厚さ
２０ｎｍ）としてＡｌｑ3膜を、金属電極１０（厚さ５
０ｎｍ）としてＡｌ膜を、それぞれ真空蒸着法により製
膜、積層し、本発明による有機空間光変調素子を作製し
た。室温で上記素子に１〜５０×１０5Ｖ／ｃｍの電界
を印加し、入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４
ｅＶ）のレーザー光を照射したところ、電界発光層２０
から中心波長４９２ｎｍ（２．５２ｅＶ）の出射光９０
が観察された。この発光は外部電界をかけた素子のうち
入射光８０として波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレ
ーザー光を照射した部位のみから生じた。中心波長４９
２ｎｍ（２．５２ｅＶ）の出射光９０の発光強度は素子
に印加した電界に比例し、またその発光強度は素子に照
射する波長６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）のレーザー光の
強度に比例していた。また入射光８０に対する出射光９
０の応答速度は１０ｍｓ以下であった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成を採用したの
で、室温で動作可能な自発光型の空間光変調素子を提供
することが可能となる。また、本発明の空間光変調素子
は、有機低分子化合物を用いたものであるため、極薄型
で軽量・安価な素子である。更に、本発明の空間光変調
素子は、高速応答可能であるとともに、容易に大面積化
ができる。
で、室温で動作可能な自発光型の空間光変調素子を提供
することが可能となる。また、本発明の空間光変調素子
は、有機低分子化合物を用いたものであるため、極薄型
で軽量・安価な素子である。更に、本発明の空間光変調
素子は、高速応答可能であるとともに、容易に大面積化
ができる。
【図１】本発明による空間光変調素子の基本的構成例を
示す図である。
示す図である。
１０ 金属電極 ２０ 電界発光層 ３０ ホール輸送層 ４０ 光電変換層 ５０ 透明電極 ８０ 入射光 ９０ 出射光
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月２７日（１９９９．１２．
２７）
２７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、光電変換層と電界発
光層を対向させて配置し、光電変換層に照射した光によ
り励起したキャリアを、これら光電変換層及び電界発光
層に印加した電界によって電界発光層に注入し、光を励
起・発光させる空間光変調素子において、前記電界発光
層を有機電界発光材料で構成するとともに、前記光電変
換層を金属フタロシアニン錯体で構成し、かつ前記光電
変換層と前記電界発光層との間にホール輸送層を設けた
ことを特徴とする有機空間光変調素子が提供される。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、光電変換層と電界発
光層を対向させて配置し、光電変換層に照射した光によ
り励起したキャリアを、これら光電変換層及び電界発光
層に印加した電界によって電界発光層に注入し、光を励
起・発光させる空間光変調素子において、前記電界発光
層を有機電界発光材料で構成するとともに、前記光電変
換層を金属フタロシアニン錯体で構成し、かつ前記光電
変換層と前記電界発光層との間にホール輸送層を設けた
ことを特徴とする有機空間光変調素子が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】本発明において、光電変換層４０は金属フ
タロシアニン錯体により構成され、このような金属フタ
ロシアニン錯体としては、チタニルフタロシアニン、銅
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、ニッケルフタロ
シアニン等を挙げることができる。これら金属フタロシ
アニン錯体は単独で用いてもよいし、２種以上で用いて
も良い。また、これら金属フタロシアニン錯体にその他
公知の光電変換材料を混合させてもよい。光電変換層４
０の膜厚は１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜１０
０ｎｍである。光電変換層４０の製膜方法としては、真
空蒸着法、スピンコート法、スパッタ法等を用いること
ができる。光電変換層４０を金属フタロシアニン錯体の
薄膜で構成することにより、素子の時間応答速度が改善
されるとともに、空間変調された情報を取り出すために
は読み出し光を必要としない自発光型の空間光変調素子
が実現する。
タロシアニン錯体により構成され、このような金属フタ
ロシアニン錯体としては、チタニルフタロシアニン、銅
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、ニッケルフタロ
シアニン等を挙げることができる。これら金属フタロシ
アニン錯体は単独で用いてもよいし、２種以上で用いて
も良い。また、これら金属フタロシアニン錯体にその他
公知の光電変換材料を混合させてもよい。光電変換層４
０の膜厚は１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜１０
０ｎｍである。光電変換層４０の製膜方法としては、真
空蒸着法、スピンコート法、スパッタ法等を用いること
ができる。光電変換層４０を金属フタロシアニン錯体の
薄膜で構成することにより、素子の時間応答速度が改善
されるとともに、空間変調された情報を取り出すために
は読み出し光を必要としない自発光型の空間光変調素子
が実現する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】本発明において、光電変換層４０に対向配
置される電界発光層２０は、有機電界発光層材料で構成
される。有機電界発光層材料としては、従来公知の各種
材料が使用可能であるが、出射光の波長（エネルギー）
を容易に選択することができるという観点から、有機低
分子化合物からなる電界発光層材料の使用が好ましい。
このような有機低分子化合物としては、Ａｌｑ3、等の
金属キノール錯体、Ｚｎ（ＢＯＸ）2等の金属ベンゾオ
キサゾール錯体、ＰＡＴ（ポリアミノトリアゾール）等
が好ましく使用される。これらの有機低分子化合物から
なる電界発光層材料は単独で用いてもよいし、２種以上
で用いても良い。電界発光層２０の膜厚は１０〜５００
ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。電界発光層２
０の製膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、
スパッタ法等を用いることができる。
置される電界発光層２０は、有機電界発光層材料で構成
される。有機電界発光層材料としては、従来公知の各種
材料が使用可能であるが、出射光の波長（エネルギー）
を容易に選択することができるという観点から、有機低
分子化合物からなる電界発光層材料の使用が好ましい。
このような有機低分子化合物としては、Ａｌｑ3、等の
金属キノール錯体、Ｚｎ（ＢＯＸ）2等の金属ベンゾオ
キサゾール錯体、ＰＡＴ（ポリアミノトリアゾール）等
が好ましく使用される。これらの有機低分子化合物から
なる電界発光層材料は単独で用いてもよいし、２種以上
で用いても良い。電界発光層２０の膜厚は１０〜５００
ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。電界発光層２
０の製膜方法としては、真空蒸着法、スピンコート法、
スパッタ法等を用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本発明において、電界発光層２０と光電変
換層４０の間にはホール輸送層３０を設ける。このホー
ル輸送層３０にはホール輸送性にすぐれた有機低分子化
合物が使用される。このようなホール輸送性にすぐれた
有機低分子化合物としては、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジ
ジン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフ
チル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル）等が挙げら
れる。これらのホール輸送性にすぐれた有機低分子化合
物は単独で用いてもよいし、２種以上で用いても良い。
ホール輸送層３０の膜厚は１０〜５００ｎｍ、好ましく
は１０〜３０ｎｍである。ホール輸送層３０の製膜方法
としては、真空蒸着法、スピンコート法、スパッタ法等
を用いることができる。
換層４０の間にはホール輸送層３０を設ける。このホー
ル輸送層３０にはホール輸送性にすぐれた有機低分子化
合物が使用される。このようなホール輸送性にすぐれた
有機低分子化合物としては、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジ
ジン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフ
チル）−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル）等が挙げら
れる。これらのホール輸送性にすぐれた有機低分子化合
物は単独で用いてもよいし、２種以上で用いても良い。
ホール輸送層３０の膜厚は１０〜５００ｎｍ、好ましく
は１０〜３０ｎｍである。ホール輸送層３０の製膜方法
としては、真空蒸着法、スピンコート法、スパッタ法等
を用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】電界発光層２０及び光電変換層４０には電
圧が印加されるが、そのため電界発光層２０の片面に金
属電極１０が設けられるとともに、光電変換層４０の片
面に透明電極５０が設けられる。金属電極１０はＡｌ、
Ａｌ−Ｌｉ、Ａｇ−Ｍｇ等で構成することができる。一
方、透明電極５０はＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｆドー
プＳｎＯ2、ＡｌドープＺｎＯの透明材料で構成するこ
とができる。金属電極１０の膜厚は１０〜１０００ｎ
ｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。また、透明電
極５０の膜厚は１０〜４００ｎｍ、好ましくは１００〜
３００ｎｍである。
圧が印加されるが、そのため電界発光層２０の片面に金
属電極１０が設けられるとともに、光電変換層４０の片
面に透明電極５０が設けられる。金属電極１０はＡｌ、
Ａｌ−Ｌｉ、Ａｇ−Ｍｇ等で構成することができる。一
方、透明電極５０はＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｆドー
プＳｎＯ2、ＡｌドープＺｎＯの透明材料で構成するこ
とができる。金属電極１０の膜厚は１０〜１０００ｎ
ｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。また、透明電
極５０の膜厚は１０〜４００ｎｍ、好ましくは１００〜
３００ｎｍである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １０ 金属電極 ２０ 電界発光層 ３０ ホール輸送層 ４０ 光電変換層 ５０ 透明電極６０ 透明基板 ７０ 外部電源 ８０ 入射光 ９０ 出射光
Claims (1)
- 【請求項１】 光電変換層と電界発光層を対向させて配
置し、光電変換層に照射した光により励起したキャリア
を、これら光電変換層及び電界発光層に印加した電界に
よって電界発光層に注入し、光を励起・発光させる空間
光変調素子において、前記電界発光層を有機電界発光材
料で構成するとともに、前記光電変換層を金属フタロシ
アニン錯体で構成することを特徴とする有機空間光変調
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082114A JP2000277265A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 有機空間光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082114A JP2000277265A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 有機空間光変調素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001020418A Division JP2001250687A (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | 有機空間光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277265A true JP2000277265A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13765389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11082114A Pending JP2000277265A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 有機空間光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277265A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003101060A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機光電流増幅素子及びその製造方法 |
| JP2013532374A (ja) * | 2010-05-24 | 2013-08-15 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク． | 赤外光アップコンバージョンデバイス上に電荷遮断層を設けるための方法および装置 |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11082114A patent/JP2000277265A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003101060A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機光電流増幅素子及びその製造方法 |
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| JP2013532374A (ja) * | 2010-05-24 | 2013-08-15 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク． | 赤外光アップコンバージョンデバイス上に電荷遮断層を設けるための方法および装置 |
| US9997571B2 (en) | 2010-05-24 | 2018-06-12 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US10134815B2 (en) | 2011-06-30 | 2018-11-20 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
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