JP2000277301A - Insulating substrate and resistor having heat transfer layer - Google Patents
Insulating substrate and resistor having heat transfer layerInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ形状または
板状等を有する絶縁基板上に伝熱層を有する絶縁基板
と、この絶縁基板上に抵抗膜を形成し、この抵抗膜の両
端に電気的に導通するように絶縁基板の両端に導体を形
成した抵抗器に関し、特に過負荷特性の劣化の小さな絶
縁基板と抵抗器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating substrate having a heat transfer layer on an insulating substrate having a chip shape or a plate shape, and a resistive film formed on the insulating substrate. The present invention relates to a resistor in which conductors are formed at both ends of an insulating substrate so as to be electrically conductive, and more particularly to an insulating substrate and a resistor having a small deterioration of overload characteristics.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、チップ状の抵抗器の例を図９に
示す。この図９に示すように、焼成したアルミナ基板や
ガラス系絶縁セラミックス基板等の絶縁基板１の上の両
端部に所定の電極パターンに従ってＡｇペースト等の導
電ペーストが印刷され、これが焼き付けられ、いわゆる
枕電極２、２と呼ばれる一対の抵抗膜３の間の電極が形
成されている。これら枕電極２、２にわたってＲｕＯ2
を主体とする抵抗ペーストが塗布され、焼き付けられ、
抵抗膜１３が形成されている。この抵抗膜１３の上にア
ンダーガラスが塗布され、これが焼き付けられ、アンダ
ーコート膜４が形成されている。このアンダーコート膜
４の上から、前記の抵抗膜３がレーザトリミングされ、
枕電極２、２の間の抵抗値が調整される。抵抗膜３の上
にオーバーガラスが塗布され、これが焼き付けられ、オ
ーバーコート膜５が形成されているる。さらに、チップ
状の絶縁基板１の両端部にＡｇペースト等の導電ペース
トが塗布され、これが焼き付けられ、このＡｇ膜の上に
Ｎｉメッキや半田メッキ等が施され、外部電極６、６が
形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 9 shows an example of a chip-shaped resistor. As shown in FIG. 9, a conductive paste such as an Ag paste is printed on both ends of an insulated substrate 1 such as a fired alumina substrate or a glass-based insulative ceramics substrate according to a predetermined electrode pattern. An electrode between a pair of resistance films 3 called electrodes 2 and 2 is formed. RuO 2 over these pillow electrodes 2 and 2
Is applied and baked,
A resistance film 13 is formed. Underglass is applied on the resistance film 13 and baked to form an undercoat film 4. The resistive film 3 is laser trimmed from above the undercoat film 4,
The resistance value between the pillow electrodes 2, 2 is adjusted. Overglass is applied on the resistance film 3 and baked to form an overcoat film 5. Further, a conductive paste such as an Ag paste is applied to both ends of the chip-shaped insulating substrate 1 and baked. Ni plating or solder plating is performed on the Ag film to form external electrodes 6 and 6. ing.
【０００３】従来において、前記のような抵抗器や回路
基板等の電子部品を製造する絶縁セラミックス材料とし
ては、アルミナ基板及びＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2を主体とし
たガラス系の絶縁セラミックス材料が使用されていた。
このセラミックス材料はＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、
ＣａＯ、ＭｇＯ等の粉末からなる磁器原料を溶媒に分解
したバインダ成分中に分散し、これをシート状に成型し
た後、焼成することにより得られる。In a conventional, as the insulating ceramic material for manufacturing the resistor and the circuit electronic components such as substrates, such as insulating ceramic material of the glass type consisting mainly of alumina substrate and Al 2 O 3 and SiO 2 is used It had been.
This ceramic material is made of SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 ,
It is obtained by dispersing a porcelain raw material made of a powder such as CaO, MgO or the like in a binder component decomposed into a solvent, molding this into a sheet, and then firing.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとしている課題】前述のようなアル
ミナ系のセラミックス材料による絶縁基板を使用した抵
抗器では、絶縁基板の熱伝導が大きいため、放熱性の点
で優れる。このため、過負荷特性が比較的良好である。
しかし、アルミナ系のセラミックス材料は非常に硬いた
め、焼成済みの絶縁基板の加工性が悪い。また、このア
ルミナ系のセラミックス材料は、低温で焼成することが
できない。このため、生産性が劣るという欠点がある。A resistor using an insulating substrate made of an alumina-based ceramic material as described above is excellent in heat dissipation because the insulating substrate has high heat conduction. Therefore, the overload characteristics are relatively good.
However, since alumina-based ceramic materials are very hard, the workability of a fired insulating substrate is poor. Further, this alumina-based ceramic material cannot be fired at a low temperature. For this reason, there is a disadvantage that productivity is poor.
【０００５】これに対し、ガラス系の絶縁セラミックス
材料による絶縁基板を使用した抵抗器は、絶縁基板の加
工性が良好なため、研削により絶縁基板を個々のチップ
に分割でき、しかも焼成温度が比較的低い。このため生
産性には優れる。しかし、ガラス系の絶縁セラミックス
材料は、熱伝導率が小さいため、抵抗器の過負荷特性が
大幅に劣化する傾向がある。これは、抵抗膜３の両端に
電力を印加した時に、抵抗膜３に熱が発生するが、絶縁
基板１の熱伝導性が悪いと、同絶縁基板１を介して放熱
が行われにくいためである。すなわち、実装したプリン
ト基板に前記の熱が逃げにくく、抵抗膜３が非常に高温
になる。On the other hand, a resistor using an insulating substrate made of a glass-based insulating ceramic material has good workability of the insulating substrate, so that the insulating substrate can be divided into individual chips by grinding, and the firing temperature can be compared. Very low. Therefore, the productivity is excellent. However, glass-based insulating ceramic materials have a low thermal conductivity, so that the overload characteristics of the resistor tend to be significantly deteriorated. This is because when power is applied to both ends of the resistive film 3, heat is generated in the resistive film 3. However, if the thermal conductivity of the insulating substrate 1 is poor, it is difficult to radiate heat through the insulating substrate 1. is there. That is, the above-mentioned heat hardly escapes to the mounted printed board, and the temperature of the resistance film 3 becomes extremely high.
【０００６】本発明は、前記従来の抵抗器における課題
に鑑み、抵抗膜に電流を通電した時に、抵抗膜に発生す
る熱が放熱しやすく、これによって抵抗膜の発熱が小さ
く、過負荷特性が劣化しにくい抵抗器を提供することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the conventional resistor, and when current flows through the resistive film, the heat generated in the resistive film is easily radiated. An object of the present invention is to provide a resistor that is hardly deteriorated.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、熱発生源に近接して対向するように前
記絶縁基板１１、２１、３１より熱伝導良好な伝熱層１
７、２７、３７を設けた伝熱層を有する絶縁基板を使用
する。そして、この絶縁基板１１、２１，３１上に抵抗
膜１３を設けたものである。このような熱伝導良好な伝
熱層１７、１７を熱発生源である抵抗膜１３と近接して
配置し、抵抗膜１３に電流を通電してときに発生する熱
を、前記伝熱層１７、１７を介して広く拡散し、放熱す
る。According to the present invention, in order to achieve the above object, the heat transfer layer 1 having better heat conduction than the insulating substrates 11, 21, 31 is provided so as to be close to and opposed to a heat generating source.
An insulating substrate having a heat transfer layer provided with 7, 27 and 37 is used. The resistance film 13 is provided on the insulating substrates 11, 21 and 31. Such heat transfer layers 17, 17 having good heat conduction are arranged close to the resistive film 13 as a heat generating source, and the heat generated when current flows through the resistive film 13 is generated by the heat transfer layer 17. , 17 and diffuse heat to dissipate heat.
【０００８】すなわち、本発明による絶縁基板は、熱発
生源を有する絶縁基板１１、２１、３１を備え、絶縁基
板１１、２１、３１に、前記熱発生源に近接して対向す
るように前記絶縁基板１１、２１、３１より熱伝導良好
な伝熱層１７、２７、３７を設けたことを特徴とするも
のである。That is, the insulating substrate according to the present invention comprises insulating substrates 11, 21, and 31 having a heat generating source, and the insulating substrate is arranged to face the insulating substrates 11, 21, and 31 in close proximity to the heat generating source. It is characterized in that heat transfer layers 17, 27, 37 having better heat conductivity than the substrates 11, 21, 31 are provided.
【０００９】また、本発明による抵抗器は、絶縁基板１
１、２１、３１と、この絶縁基板１１、２１、３１上に
形成された抵抗膜１３と、この抵抗膜１３の両端に電気
的に導通するよう形成された導体とを有する。そして、
絶縁基板１１、２１、３１に、前記抵抗膜１３と近接し
て対向するように前記絶縁基板１１、２１、３１より熱
伝導良好な伝熱層１７、２７、３７を設けている。Further, the resistor according to the present invention comprises an insulating substrate 1
1, 21 and 31, a resistive film 13 formed on the insulating substrates 11, 21, 31 and conductors formed at both ends of the resistive film 13 so as to be electrically conductive. And
Heat transfer layers 17, 27, and 37 having better heat conductivity than the insulating substrates 11, 21, and 31 are provided on the insulating substrates 11, 21, and 31 so as to be close to and opposed to the resistance film 13.
【００１０】例えば、抵抗器がチップ形態を有するチッ
プ抵抗器の場合、絶縁基板１１はチップ状のものからな
り、このチップ状の絶縁基板１１の両端に、抵抗膜１３
の両端に電気的に導通するよう外部電極１６、１６が形
成されている。伝熱層１７、１７はこの外部電極１６、
１６と導通させる。For example, when the resistor is a chip resistor having a chip form, the insulating substrate 11 is formed in a chip shape, and a resistive film 13 is provided on both ends of the chip-shaped insulating substrate 11.
External electrodes 16 and 16 are formed at both ends of the substrate so as to be electrically connected. The heat transfer layers 17 and 17 are
Conduction with No. 16.
【００１１】このような抵抗器において、外部電極１
６、１６を介して抵抗膜１３に電流を通電すると、抵抗
膜１３に熱が発生する。この熱は、前記伝熱層１７、１
７を介して拡散し、速やかに絶縁基板１１の広い範囲に
伝熱し、放熱される。さらに、伝熱層１７、１７を外部
電極１６、１６と導通させることにより、抵抗膜１３で
発生した熱は、伝熱層１７、１７を介して拡散される。
そしてこの熱が外部電極１６、１６に伝熱され、この外
部電極１６、１６からこれに半田付けされたランド電極
を介して回路基板へと伝達される。これにより、抵抗器
の抵抗膜１３に発生した熱が速やかに拡散され、回路基
板へと放熱されるので、抵抗膜１３の温度上昇を抑える
ことができる。In such a resistor, the external electrode 1
When an electric current is applied to the resistive film 13 through 6 and 16, heat is generated in the resistive film 13. This heat is transferred to the heat transfer layers 17, 1
The heat diffuses through the insulating substrate 11, quickly transfers heat to a wide area of the insulating substrate 11, and radiates heat. Further, the heat generated in the resistance film 13 is diffused through the heat transfer layers 17 and 17 by making the heat transfer layers 17 and 17 conductive with the external electrodes 16 and 16.
Then, the heat is transferred to the external electrodes 16, and is transferred from the external electrodes 16, 16 to the circuit board via the land electrodes soldered thereto. Thereby, the heat generated in the resistance film 13 of the resistor is quickly diffused and radiated to the circuit board, so that the temperature rise of the resistance film 13 can be suppressed.
【００１２】より具体的な構造としては、絶縁基板１１
の上に伝熱層１７、１７を形成し、この上に絶縁基板１
１とは別の絶縁層１９を設け、その上に抵抗膜１３を設
ける。従って、抵抗膜１３と伝熱層１７、１７との間に
絶縁層１９が介在される。抵抗膜１３と伝熱層１７、１
７とは、この絶縁層１９の厚さで決定される距離ｄを介
して配置されるが、耐電圧等の条件が許す限り絶縁層１
９の厚さを薄くすることにより、抵抗膜１３と伝熱層１
７、１７との距離ｄをごく小さくすることが有効であ
る。As a more specific structure, the insulating substrate 11
The heat transfer layers 17, 17 are formed on the
An insulating layer 19 different from 1 is provided, and the resistive film 13 is provided thereon. Therefore, the insulating layer 19 is interposed between the resistance film 13 and the heat transfer layers 17. Resistance film 13 and heat transfer layers 17, 1
7 is disposed at a distance d determined by the thickness of the insulating layer 19, but as long as conditions such as withstand voltage permit, the insulating layer 1
9 by reducing the thickness of the resistive film 13 and the heat transfer layer 1.
It is effective to make the distance d between 7 and 17 extremely small.
【００１３】さらに、抵抗器はチップ状とし、これを回
路基板上に搭載する代わりに、回路基板を構成する絶縁
基板２１、３１上に抵抗器を直接形成することもでき
る。この場合、絶縁基板３１は複数の絶縁層３２、３２
…が積層された多層回路基板とすることもできる。この
多層回路基板の場合は、絶縁基板３１を構成する一部の
絶縁層３２を抵抗膜１３と伝熱層３７との間に介在させ
ることもできる。Further, instead of mounting the resistor in a chip shape and mounting it on a circuit board, the resistor can be formed directly on the insulating substrates 21 and 31 constituting the circuit board. In this case, the insulating substrate 31 includes a plurality of insulating layers 32, 32.
Can be a multi-layer circuit board in which... In the case of this multilayer circuit board, a part of the insulating layer 32 constituting the insulating substrate 31 can be interposed between the resistance film 13 and the heat transfer layer 37.
【００１４】伝熱層１７、２７が抵抗膜１３の両端に接
続されている場合は、絶縁を図るため、伝熱層１７、２
７は互いに分離された一対の層からなる。この場合、伝
熱層１７、２７を分離する分離部１８は、抵抗膜１３の
ほぼ中央部に対応した位置からずれて形成することが好
ましい。When the heat transfer layers 17 and 27 are connected to both ends of the resistance film 13, the heat transfer layers 17 and 27 are connected for insulation.
7 comprises a pair of layers separated from each other. In this case, it is preferable that the separation portion 18 separating the heat transfer layers 17 and 27 is formed so as to be shifted from a position corresponding to a substantially central portion of the resistance film 13.
【００１５】抵抗膜１３は、レーザトリミング等の手段
により抵抗値が調整される。このレーザトリミングはア
ンダーコート膜１４の上からレーザを照射することによ
り行う。通常、このレーザトリミングは、抵抗膜１３の
中央部分で行われる。前述のように、伝熱層１７、２７
の分離部１８が抵抗膜１３の中央部からずれていると、
この抵抗膜１３の中央部に対応する位置に伝熱層１７、
２７が存在することになる。このため、レーザを照射時
に抵抗膜１３に発生する熱も前記の伝熱層１７、２７を
介して円滑に放熱することが可能となる。The resistance value of the resistance film 13 is adjusted by means such as laser trimming. This laser trimming is performed by irradiating a laser from above the undercoat film 14. Usually, this laser trimming is performed at the central portion of the resistance film 13. As described above, the heat transfer layers 17, 27
Is separated from the center of the resistive film 13,
A heat transfer layer 17 is provided at a position corresponding to the center of the resistance film 13.
27 will be present. Therefore, heat generated in the resistive film 13 during laser irradiation can be smoothly radiated through the heat transfer layers 17 and 27.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１〜４は、本発明をチップ抵抗器に適用した実施形態
である。これらの図を参照しながら説明すると、まず焼
成したガラス系絶縁セラミックス基板等のチップ状の絶
縁基板１１を用意する。Embodiments of the present invention will now be described specifically and in detail with reference to the drawings.
1 to 4 show an embodiment in which the present invention is applied to a chip resistor. Referring to these drawings, first, a chip-shaped insulating substrate 11 such as a fired glass-based insulating ceramic substrate is prepared.
【００１７】このような絶縁基板１１を形成するための
絶縁材料としては、ガラス成分を主体として、これにＭ
ｇＳｉＯ3（エンスタタイト）やＣａＳｉＯ3（ウォルス
テライト）を添加したものが好ましい。例えば、ＳｉＯ
2が３０〜６０重量％と、Ａｌ2Ｏ3が５〜２５重量％
と、Ｂ2Ｏ3が５〜２５重量％と、ＣａＯとＭｇＯとの少
なくとも何れかが５〜３０重量％とからなるガラス成分
が４０〜７０重量％と、ＭｇＳｉＯ3とＣａＳｉＯ3の少
なくとも何れかの粒子が３０〜６０重量％とからなる絶
縁材料を使用することが好ましい。The insulating material for forming such an insulating substrate 11 is mainly composed of a glass component,
It is preferable to add gSiO 3 (enstatite) or CaSiO 3 (walsterite). For example, SiO
2 is 30-60% by weight and, Al 2 O 3 5 to 25 wt%
When, B and 2 O 3 5 to 25% by weight, the glass component and 40 to 70% by weight comprising at least one 5 to 30 wt% of CaO and MgO, at least one of MgSiO 3 and CaSiO 3 It is preferable to use an insulating material composed of 30 to 60% by weight of the particles.
【００１８】このような絶縁材料では、焼成済みのセラ
ミックの研削加工性が向上し、研削によりセラミックス
基板を個々のチップに分割できる。溶剤に溶解したバイ
ンダ成分に前記このような絶縁材料の粉末状を分散した
スラリを作り、これをドクターブレード塗工等の手段で
ポリエチレンテレフタレート等からなる支持フィルム上
に薄く展開し、乾燥し、セラミックグリーンシートを形
成する。このセラミックグリーンシートを適当な大きさ
に裁断し、脱バインダ処理し、焼成する等の行程を経
て、後述する絶縁基板１１を形成するためのセラミック
基板を形成する。そしてこのセラミック基板を使用し、
以降の抵抗器の製造工程に供する。With such an insulating material, the grindability of the fired ceramic is improved, and the ceramic substrate can be divided into individual chips by grinding. A slurry in which the powdery form of the insulating material is dispersed in a binder component dissolved in a solvent is prepared, spread thinly on a support film made of polyethylene terephthalate or the like by means such as doctor blade coating, dried, and dried. Form a green sheet. The ceramic green sheet is cut into an appropriate size, subjected to binder removal processing, fired, and the like, to form a ceramic substrate for forming an insulating substrate 11 described later. And using this ceramic substrate,
It will be used for the subsequent resistor manufacturing process.
【００１９】まず、このセラミック基板上に、Ａｇペー
スト等の導電ペーストを印刷し、これを焼き付け、熱伝
導が良好な伝熱層１７、１７を形成する。この伝熱層１
７、１７は、セラミック基板を後述して分割することに
より得られる絶縁基板１１の中央部からずれた一部分を
除いて形成される。またこれら伝熱層１７、１７の両端
は、後述するようにしてセラミック基板を分割して形成
される絶縁基板１１の両端に達するよう形成される。次
に、この伝熱層１７の上にセラミックペーストやガラス
ペーストを塗布し、これを焼き付け、絶縁層１９を形成
する。First, a conductive paste such as an Ag paste is printed on the ceramic substrate and baked to form heat transfer layers 17 and 17 having good heat conduction. This heat transfer layer 1
Reference numerals 7 and 17 are formed except for a part deviated from the center of the insulating substrate 11 obtained by dividing the ceramic substrate as described later. Both ends of the heat transfer layers 17 are formed so as to reach both ends of the insulating substrate 11 formed by dividing the ceramic substrate as described later. Next, a ceramic paste or a glass paste is applied on the heat transfer layer 17 and baked to form an insulating layer 19.
【００２０】次に、前記絶縁層１９の上に、所定の電極
パターンに従ってＡｇペースト等の導電ペーストを印刷
し、これを焼き付け、いわゆる枕電極１２、１２と呼ば
れる導体膜を形成する。その後、これら枕電極１２、１
２の間にＲｕＯ2 を主体とするメタルグレーズからなる
抵抗ペーストを塗布し、これを焼き付け、抵抗膜１２を
形成する。さらにアンダーガラスを塗布し、これを焼き
付け、アンダーコート膜１４を形成する。Next, a conductive paste such as an Ag paste is printed on the insulating layer 19 according to a predetermined electrode pattern and baked to form conductor films called so-called pillow electrodes 12. Then, these pillow electrodes 12, 1
2, a resistance paste made of metal glaze mainly composed of RuO 2 is applied and baked to form a resistance film 12. Further, an undercoat is applied and baked to form an undercoat film 14.
【００２１】その後、抵抗膜１３をレーザトリミングす
る。この抵抗膜１３のレーザトリミングは、通常の場
合、抵抗膜１３の中央部、すなわち伝熱層１７が分離さ
れた部分で行う。その後、抵抗膜１３とアンダーコート
膜１４を覆うようにオーバーガラスを塗布し、これを焼
き付け、オーバーコート膜１５を形成する。Thereafter, the resistive film 13 is laser trimmed. The laser trimming of the resistive film 13 is usually performed at the central portion of the resistive film 13, that is, at a portion where the heat transfer layer 17 is separated. Thereafter, an overglass is applied so as to cover the resistance film 13 and the undercoat film 14 and is baked to form an overcoat film 15.
【００２２】このセラミックス基板を、ブレークする
か、またはワイヤーソー等の研削加工機により、個々の
チップ状の絶縁基板１１に分割する。その後、分割した
チップをバレル研磨する。最後に絶縁基板１１の両端に
Ａｇペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼き付
ける。さらにこのＡｇ膜の上にＮｉメッキや半田メッキ
等を施し、外部電極１６、１６を形成する。これによ
り、チップ抵抗器が完成する。This ceramics substrate is broken or divided into individual chip-shaped insulating substrates 11 by a grinding machine such as a wire saw. Thereafter, the divided chips are barrel-polished. Finally, a conductive paste such as an Ag paste is applied to both ends of the insulating substrate 11 and baked. Further, external electrodes 16 and 16 are formed on the Ag film by performing Ni plating, solder plating, or the like. Thereby, the chip resistor is completed.
【００２３】この完成したチップ抵抗器を図１〜図４に
示す。このチップ抵抗器は、絶縁基板１１の上に、Ａｇ
膜からなる熱伝導が良好な伝熱層１７、１７が形成され
ている。この伝熱層１７、１７は、絶縁基板１１の中央
部からずれら一部分を除いて形成されることにより、こ
の中央部からずれた帯状の分離部１８を介して分割され
た一対の膜として形成されている。そしてこれら伝熱層
１７、１７の両端は、絶縁基板１１の両端に達し、絶縁
基板の端面に導出されている。The completed chip resistor is shown in FIGS. This chip resistor is formed on an insulating substrate 11 by Ag
Heat transfer layers 17, 17 made of a film and having good heat conduction are formed. The heat transfer layers 17, 17 are formed as a pair of films divided by a strip-shaped separation portion 18 shifted from the center by excluding a portion shifted from the center of the insulating substrate 11. Have been. Both ends of the heat transfer layers 17 reach the both ends of the insulating substrate 11 and are led out to the end surfaces of the insulating substrate.
【００２４】この伝熱層１７、１７の厚さは、チップ抵
抗器のサイズ、製造の容易性等が条件が許す限りにおい
て、できるだけ厚いことが好ましい。例えば、縦１ｍ
ｍ、横０．５ｍｍのサイズのチップ抵抗器の場合、伝熱
層１７、１７の厚さは、５μｍ以上であることが好まし
い。The thickness of the heat transfer layers 17, 17 is preferably as thick as possible as long as conditions permit the size of the chip resistor, ease of manufacture, and the like. For example, 1m vertically
In the case of a chip resistor having a size of m and a width of 0.5 mm, the thickness of the heat transfer layers 17 is preferably 5 μm or more.
【００２５】前記の伝熱層１７の上に絶縁層１９が形成
されている。この絶縁層１９の厚さは、前記伝熱層１
７、１７と後述する抵抗膜１３との距離を決めるもので
ある。従って伝熱効果から、耐電圧特性等の電気的特性
が許容する条件の範囲で、絶縁層１９は出来るだけ薄い
ことが好ましい。例えば、前述の例の縦１ｍｍ、横０．
５ｍｍのサイズのチップ抵抗器の場合、絶縁層１９の厚
さにより決定される抵抗膜１３と伝熱層１７の距離ｄ
を、５０μｍ以下とすることが好ましい。An insulating layer 19 is formed on the heat transfer layer 17. The thickness of the insulating layer 19 depends on the heat transfer layer 1.
This determines the distance between 7, 7 and a resistive film 13 described later. Therefore, from the viewpoint of the heat transfer effect, it is preferable that the insulating layer 19 is as thin as possible within the range of the conditions permitted by the electric characteristics such as the withstand voltage characteristics. For example, in the above-described example, the height is 1 mm and the width is 0.
In the case of a chip resistor having a size of 5 mm, the distance d between the resistance film 13 and the heat transfer layer 17 determined by the thickness of the insulating layer 19
Is preferably 50 μm or less.
【００２６】次に、前記絶縁層１９の上の絶縁基板１１
の両端に当たる部分に、Ａｇ膜からなる枕電極１２、１
２が形成されている。この枕電極１２、１２の間にＲｕ
Ｏ2を主体とする抵抗膜１２が形成されている。さら
に、この抵抗膜１２の上に、アンダーコート膜１４が形
成されている。Next, the insulating substrate 11 on the insulating layer 19
Pillow electrodes 12, 1 made of Ag film
2 are formed. Ru between the pillow electrodes 12, 12
A resistance film 12 mainly composed of O 2 is formed. Further, an undercoat film 14 is formed on the resistance film 12.
【００２７】抵抗膜１３は、このアンダーコート膜１４
の上からレーザトリミングされている。この抵抗膜１３
のレーザトリミングは、抵抗膜１３の中央部、すなわち
伝熱層１７の間の分離部１８に対応する部分で行われて
いる。この抵抗膜１３の中央部分に対応する位置にも伝
熱層１７が存在するため、レーザトリミングのためのレ
ーザ照射により抵抗膜１３に発生した熱を円滑に逃がす
ことができる。さらに、この抵抗膜１３とアンダーコー
ト膜１４を覆うようにオーバーコート膜１５が形成され
ている。The resistance film 13 is formed of the undercoat film 14.
Laser trimming from above. This resistance film 13
Is performed at the center of the resistive film 13, that is, at the portion corresponding to the separating portion 18 between the heat transfer layers 17. Since the heat transfer layer 17 also exists at a position corresponding to the central portion of the resistive film 13, heat generated in the resistive film 13 by laser irradiation for laser trimming can be smoothly released. Further, an overcoat film 15 is formed so as to cover the resistance film 13 and the undercoat film 14.
【００２８】分割された絶縁基板１１の両端には、Ａｇ
膜とその上に形成されたメッキ膜とにより、外部電極１
６、１６がそれぞれ形成されている。この外部電極１
６、１６には、前記枕電極１２、１２がそれぞれ導通し
ており、従って、外部電極１６、１６は枕電極１２、１
２を介して抵抗膜１３の両端に電気的に導通している。
さらに、この外部電極１６、１６には、前記の分離部１
８により絶縁基板１１の両側に分離された伝熱層１７、
１７の端部がそれぞれ導通している。Ag at both ends of the divided insulating substrate 11
The external electrode 1 is formed by the film and the plating film formed thereon.
6 and 16 are formed respectively. This external electrode 1
The pillow electrodes 12, 12 are electrically connected to the pillow electrodes 6, 1, respectively.
2, and electrically connected to both ends of the resistance film 13.
Further, the external electrodes 16 and 16 are connected to the separating portion 1 described above.
8, a heat transfer layer 17 separated on both sides of the insulating substrate 11,
17 are electrically connected to each other.
【００２９】このようなチップ抵抗器は、図示してない
回路基板上に搭載され、同回路基板上に形成されたラン
ド電極に外部電極１６、１６を半田付けした状態で使用
される。このようなチップ抵抗器の使用状態において、
外部電極１６、１６を介して抵抗膜１３に電流を通電す
ると、抵抗膜１３に熱が発生する。しかしこの抵抗膜１
３に発生した熱は、前記伝熱層１７、１７を介して拡散
し、速やかに絶縁基板１１の広い範囲に伝熱する。さら
にこの熱は、伝熱層１７、１７を介して外部電極１６、
１６に伝熱され、この外部電極１６、１６からこれに半
田付けされたランド電極を介して回路基板へと伝達され
る。これにより、抵抗器内に発生した熱が速やかに回路
基板へと放熱され、抵抗膜１３の温度上昇を抑えること
ができる。Such a chip resistor is mounted on a circuit board (not shown), and is used in a state where external electrodes 16 and 16 are soldered to land electrodes formed on the circuit board. In the use condition of such a chip resistor,
When a current is applied to the resistive film 13 through the external electrodes 16, 16, heat is generated in the resistive film 13. However, this resistive film 1
The heat generated in 3 diffuses through the heat transfer layers 17 and 17 and quickly transfers the heat to a wide area of the insulating substrate 11. Further, this heat is transferred to the external electrodes 16 via the heat transfer layers 17, 17.
The heat is transferred to the external electrode 16, and is transferred from the external electrodes 16, 16 to the circuit board via the land electrodes soldered thereto. Thereby, the heat generated in the resistor is quickly radiated to the circuit board, and the temperature rise of the resistance film 13 can be suppressed.
【００３０】以上の例は、抵抗器をチップ形態を有する
チップ抵抗器として構成し、このチップ抵抗器を回路基
板上に搭載したものである。これに対し、抵抗器をチッ
プ抵抗器とせず、回路基板上に直接形成することもでき
る。図５と図６はこの例を示しおり、図１〜図４と同じ
部分、すなわち枕電極１２、１２、抵抗膜１３、アンダ
ーコート１４、オーバーコート１５及び絶縁層１９には
同じ符号を付して表してある。また、符号２６は、回路
基板を構成する絶縁基板２１上に形成された回路パター
ンとなる導体膜を示す。In the above example, the resistor is configured as a chip resistor having a chip form, and this chip resistor is mounted on a circuit board. On the other hand, the resistor can be formed directly on the circuit board without using a chip resistor. FIGS. 5 and 6 show this example, and the same parts as those in FIGS. 1 to 4, that is, the pillow electrodes 12, 12, the resistive film 13, the undercoat 14, the overcoat 15, and the insulating layer 19 are denoted by the same reference numerals. Is shown. Reference numeral 26 denotes a conductor film serving as a circuit pattern formed on the insulating substrate 21 constituting the circuit board.
【００３１】図５と図６に示すように、回路基板を構成
する絶縁基板２１の上に、Ａｇ膜からなる熱伝導が良好
な伝熱層２７、２７が形成されている。この伝熱層２
７、２７は、帯状の分離部１８を介して分割された一対
の膜として形成されている。この伝熱層２７の両端を除
いてその上に絶縁層１９が形成されている。この絶縁層
１９の厚さは、前記伝熱層２７、２７と後述する抵抗膜
１３との距離を決めるものである。従って伝熱効果か
ら、耐電圧特性等の電気的特性が許容する条件の範囲
で、絶縁層１９は出来るだけ薄いことが好ましい。例え
ば、前述のチップ抵抗器と同様に、絶縁層１９の厚さに
より決定される抵抗膜１３と伝熱層２７の距離ｄを、５
０μｍ以下とすることが好ましい。As shown in FIGS. 5 and 6, on the insulating substrate 21 constituting the circuit board, the heat transfer layers 27, 27 made of an Ag film and having good heat conduction are formed. This heat transfer layer 2
Reference numerals 7 and 27 are formed as a pair of films divided via a band-shaped separation portion 18. Except for both ends of the heat transfer layer 27, an insulating layer 19 is formed thereon. The thickness of the insulating layer 19 determines the distance between the heat transfer layers 27, 27 and a resistance film 13 described later. Therefore, from the viewpoint of the heat transfer effect, it is preferable that the insulating layer 19 is as thin as possible within the range of the conditions permitted by the electric characteristics such as the withstand voltage characteristics. For example, similarly to the above-described chip resistor, the distance d between the resistance film 13 and the heat transfer layer 27 determined by the thickness of the insulating layer 19 is 5
It is preferable that the thickness be 0 μm or less.
【００３２】次に、前記絶縁層１９の両端から露出した
伝熱層２７、２７の両端から絶縁層１９の両端の上にわ
たってＡｇ膜からなる枕電極１２、１２が形成されてい
る。この枕電極１２、１２の間にＲｕＯ2 を主体とする
抵抗膜１２が形成されている。さらに、この抵抗膜１２
の上に、アンダーコート膜１４が形成されている。Next, pillow electrodes 12 made of an Ag film are formed from both ends of the heat transfer layers 27 exposed from both ends of the insulating layer 19 to both ends of the insulating layer 19. A resistance film 12 mainly composed of RuO 2 is formed between the pillow electrodes 12. Further, the resistance film 12
On this, an undercoat film 14 is formed.
【００３３】抵抗膜１３は、このアンダーコート膜１４
の上からレーザトリミングされている。この抵抗膜１３
のレーザトリミングは、抵抗膜１３の中央部、すなわち
伝熱層２７の間の分離部１８に対応する部分で行われて
いる。前記の伝熱層２７、２７を分離する分離部は、抵
抗膜１３の中央部分に対応する位置からずれており、同
中央部分に一方の伝熱層２７が存在する。このため、レ
ーザトリミングのためのレーザ照射により抵抗膜１３に
発生した熱を円滑に逃がすことができる。さらに、この
抵抗膜１３とアンダーコート膜１４を覆うようにオーバ
ーコート膜１５が形成されている。The resistance film 13 is formed of the undercoat film 14.
Laser trimming from above. This resistance film 13
The laser trimming is performed at the central portion of the resistive film 13, that is, at a portion corresponding to the separating portion 18 between the heat transfer layers 27. The separation portion separating the heat transfer layers 27 is deviated from a position corresponding to the central portion of the resistive film 13, and one heat transfer layer 27 exists in the central portion. Therefore, heat generated in the resistive film 13 by laser irradiation for laser trimming can be smoothly released. Further, an overcoat film 15 is formed so as to cover the resistance film 13 and the undercoat film 14.
【００３４】このような抵抗器において、抵抗膜１３に
電流を通電すると、抵抗膜１３に熱が発生する。しかし
この抵抗膜１３に発生した熱は、前記伝熱層２７、２７
を介して拡散し、速やかに絶縁基板２１の広い範囲に伝
熱する。これにより、抵抗器内に発生した熱が速やかに
放熱され、抵抗膜１３の温度上昇を抑えることができ
る。In such a resistor, when a current flows through the resistance film 13, heat is generated in the resistance film 13. However, the heat generated in the resistance film 13 is not applied to the heat transfer layers 27, 27.
, And quickly conducts heat to a wide area of the insulating substrate 21. Thereby, the heat generated in the resistor is quickly radiated, and the temperature rise of the resistance film 13 can be suppressed.
【００３５】図７及び図８に示したのは、回路基板が複
数の絶縁層３２、３２…を積層して構成された多層回路
基板の場合である。この図７及び図８において、図５及
び図６と同じ部分、すなわち枕電極１２、１２、抵抗膜
１３、アンダーコート１４、オーバーコート１５及び絶
縁層１９には同じ符号を付して表してある。FIGS. 7 and 8 show a case where the circuit board is a multilayer circuit board formed by laminating a plurality of insulating layers 32,. 7 and 8, the same parts as those in FIGS. 5 and 6, that is, the pillow electrodes 12, 12, the resistive film 13, the undercoat 14, the overcoat 15, and the insulating layer 19 are denoted by the same reference numerals. .
【００３６】このような多層回路基板の場合は、多層回
路基板を構成する絶縁基板３１の一部の絶縁層３２を絶
縁層として利用し、この絶縁層３２と隣接する他の絶縁
層３２との間に伝熱層３７を形成することができる。す
なわち、絶縁基板３１上にＡｇ膜からなる一対の枕電極
１２、１２が直接形成され、この枕電極１２、１２の間
にＲｕＯ2 を主体とする抵抗膜１２が形成されている。
この抵抗膜１２の上に、アンダーコート膜１４が形成さ
れている。さらに、この抵抗膜１３とアンダーコート膜
１４を覆うようにオーバーコート膜１５が形成されてい
る。In the case of such a multilayer circuit board, a part of the insulating layer 32 of the insulating substrate 31 constituting the multilayer circuit board is used as an insulating layer, and the insulating layer 32 is connected to another adjacent insulating layer 32. The heat transfer layer 37 can be formed therebetween. That is, a pair of pillow electrodes 12, 12 made of an Ag film are directly formed on the insulating substrate 31, and the resistance film 12 mainly composed of RuO 2 is formed between the pillow electrodes 12, 12.
On this resistance film 12, an undercoat film 14 is formed. Further, an overcoat film 15 is formed so as to cover the resistance film 13 and the undercoat film 14.
【００３７】そして、前記の抵抗膜１３が形成された最
も表側の絶縁層３２とこれに隣接する絶縁層３２との間
に伝熱層３７を形成する。この伝熱層３７は、最も表側
の絶縁層３２を介して抵抗膜１３と対向するように設け
られている。すなわち、伝熱層３７と抵抗膜１３とは、
絶縁層３２に厚さにより決定される距離ｄをおいて対向
している。図示の例では、一方の枕電極１２を多層回路
基板に構成された回路と接続するための層間導体が伝熱
層３７を兼ねている。Then, a heat transfer layer 37 is formed between the insulating layer 32 on the outermost surface on which the resistance film 13 is formed and the insulating layer 32 adjacent thereto. The heat transfer layer 37 is provided so as to face the resistance film 13 via the insulating layer 32 on the most front side. That is, the heat transfer layer 37 and the resistance film 13
It faces the insulating layer 32 at a distance d determined by the thickness. In the illustrated example, an interlayer conductor for connecting one of the pillow electrodes 12 to a circuit formed on the multilayer circuit board also serves as the heat transfer layer 37.
【００３８】図７及び図８において符号３３は、絶縁基
板３１の絶縁層３２、３２…の層間に形成された回路パ
ターンとなる導体膜である。また図８において符号３４
は、絶縁層３２の間の導体膜２６、３３等を導通するス
ルーホール導体である。何れも、絶縁基板２６の表面に
形成された導体膜２６と共に所要の回路を構成する。7 and 8, reference numeral 33 denotes a conductor film serving as a circuit pattern formed between the insulating layers 32 of the insulating substrate 31. Also, in FIG.
Is a through-hole conductor that conducts through the conductor films 26 and 33 between the insulating layers 32. In any case, a required circuit is formed together with the conductor film 26 formed on the surface of the insulating substrate 26.
【００３９】このような抵抗器においても、抵抗膜１３
に発生した熱が、前記伝熱層３７を介して拡散し、速や
かに絶縁基板３１の広い範囲に伝熱することにより、抵
抗器内に発生した熱が放熱され、抵抗膜１３の温度上昇
を抑えることができる。この点は、前述の例と同じであ
る。In such a resistor, the resistance film 13
The heat generated in the resistor diffuses through the heat transfer layer 37 and is quickly transferred to a wide area of the insulating substrate 31, so that the heat generated in the resistor is radiated and the temperature of the resistor film 13 rises. Can be suppressed. This is the same as the above-mentioned example.
【００４０】なお、以上の例では、枕電極１２、１２、
外部電極１６、１６、伝熱層１７，１７にＡｇを使用
し、抵抗膜にＲｕＯ2 を使用した。また、絶縁基板１１
を形成する絶縁材料に特定のものを例示したが、本発明
はこれらに限られるものではない。例えば、伝熱層１
７、１７は、熱伝導が良好な膜であれば、その他の金属
材料等も適宜使用することが出来ることは言うまでもな
い。In the above example, the pillow electrodes 12, 12,
Ag was used for the external electrodes 16 and 16 and the heat transfer layers 17 and 17, and RuO 2 was used for the resistance film. Also, the insulating substrate 11
Although specific examples are given as insulating materials for forming the above, the present invention is not limited to these. For example, heat transfer layer 1
It is needless to say that other metal materials and the like can be appropriately used for the films 7 and 17 as long as the films have good heat conductivity.
【００４１】また、前述の実施例では、抵抗膜１３に発
生する熱を伝熱層１７、１７を介して放熱させるものを
例示しているが、本発明はこれに限らず、集積回路等の
電子部品から発生する熱を放熱する場合の基板について
も、本発明の伝熱層１７、１７を有する絶縁基板を適用
することができることは言うまでもない。In the above-described embodiment, the heat generated in the resistive film 13 is radiated through the heat transfer layers 17, 17, but the present invention is not limited to this. It goes without saying that an insulating substrate having the heat transfer layers 17 of the present invention can be applied to a substrate in the case of radiating heat generated from an electronic component.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上説明した通り、本発明による絶縁基
板とこれを使用した抵抗器では、抵抗膜１３に電流を通
電することにより抵抗膜１３に発生する熱が、伝熱層１
７、２７、３７を介して速やかに絶縁基板１１、２１、
３１の広い範囲に伝熱し、放熱させることができる。さ
らに、チップ抵抗器の場合は、前記抵抗膜１３に発生す
る熱を伝熱層１７、１７を介して外部電極１６、１６に
伝熱し、この外部電極１６、１６からこれにランド電極
を介して回路基板へと伝達することができるので、抵抗
器内に発生した熱を速やかに回路基板へと放熱し、抵抗
膜１３の温度上昇を抑えることができる。これにより、
過負荷特性に優れた抵抗器を得ることができる。As described above, in the insulating substrate according to the present invention and the resistor using the same, the heat generated in the resistive film 13 by applying a current to the resistive film 13 is generated by the heat transfer layer 1.
7, 27, 37, the insulating substrates 11, 21,
The heat can be transferred to a wide range of 31 and dissipated. Further, in the case of a chip resistor, the heat generated in the resistance film 13 is transferred to the external electrodes 16 and 16 via the heat transfer layers 17 and 17 and is transferred from the external electrodes 16 and 16 to the external electrodes 16 and 16 via the land electrodes. Since the heat can be transmitted to the circuit board, the heat generated in the resistor can be quickly radiated to the circuit board, and the temperature rise of the resistance film 13 can be suppressed. This allows
A resistor excellent in overload characteristics can be obtained.
【図１】本発明の一実施形態による抵抗器を示す縦断側
面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional side view showing a resistor according to an embodiment of the present invention.
【図２】同実施態様による抵抗器の一部を示す要部拡大
縦断側面図である。FIG. 2 is an enlarged vertical sectional side view showing a part of the resistor according to the embodiment.
【図３】同実施態様による抵抗器の他部を示す要部拡大
縦断側面図である。FIG. 3 is an enlarged vertical sectional side view showing a main part of another part of the resistor according to the embodiment.
【図４】同実施態様による抵抗器を示す一部切り欠いら
平面図である。FIG. 4 is a partially cutaway plan view showing the resistor according to the same embodiment.
【図５】本発明の他の実施形態による抵抗器を示す縦断
側面図である。FIG. 5 is a vertical sectional side view showing a resistor according to another embodiment of the present invention.
【図６】同実施態様による抵抗器の一部を示す要部拡大
縦断側面図である。FIG. 6 is an enlarged vertical sectional side view showing a part of the resistor according to the embodiment.
【図７】本発明のさらに他の実施形態による抵抗器を示
す縦断側面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a resistor according to still another embodiment of the present invention.
【図８】同実施態様による抵抗器の一部を示す要部拡大
縦断側面図である。FIG. 8 is an enlarged vertical sectional side view showing a part of the resistor according to the embodiment.
【図９】従来例である抵抗器を示す縦断側面図である。FIG. 9 is a vertical sectional side view showing a conventional resistor.
１１ 絶縁基板 １３ 抵抗膜 １６ 外部電極 １７ 伝熱層 １８ 伝熱層の分離部 １９ 絶縁層 ２１ 絶縁基板 ２７ 伝熱層 ３１ 絶縁基板 ３２ 絶縁層 ３７ 伝熱層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Insulating substrate 13 Resistance film 16 External electrode 17 Heat transfer layer 18 Separation part of heat transfer layer 19 Insulation layer 21 Insulation substrate 27 Heat transfer layer 31 Insulation substrate 32 Insulation layer 37 Heat transfer layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川村 敬三 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 天野 崇 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 5E028 AA10 BA03 BB01 CA02 DA04 GA01 5E033 BE01 BE04 BH02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Keizo Kawamura, Inventor Taiyo Electric Power Co., 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo (72) Inventor Takashi Amano 6-16-20, Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo F-term (for reference) in Denki Co., Ltd. 5E028 AA10 BA03 BB01 CA02 DA04 GA01 5E033 BE01 BE04 BH02
Claims (14)
（２１）、（３１）を備え、絶縁基板（１１）、（２
１）、（３１）に、前記熱発生源に近接して対向するよ
うに前記絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）より熱
伝導良好な伝熱層（１７）、（２７）、（３７）を設け
たことを特徴とする伝熱層を有する絶縁基板。An insulating substrate (11) having a heat source,
(21), (31), the insulating substrate (11), (2
Heat transfer layers (17), (27), which have better heat conductivity than the insulating substrates (11), (21), (31) so as to face 1) and (31) in close proximity to the heat generating source. An insulating substrate having a heat transfer layer provided with (37).
なることを特徴とする請求項１に記載の伝熱層を有する
絶縁基板。2. The insulating substrate according to claim 1, wherein the insulating substrate has a chip shape.
を構成する基板状のものからなることを特徴とする請求
項１に記載の伝熱層を有する絶縁基板。3. The insulating substrate having a heat transfer layer according to claim 1, wherein the insulating substrates (21) and (31) are formed in a substrate shape constituting a circuit board.
と、この絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）上に形
成された抵抗膜（１３）と、この抵抗膜（１３）の両端
に電気的に導通するよう形成された導体とを有する抵抗
器において、絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）
に、前記抵抗膜（１３）に近接して対向するように前記
絶縁基板（１１）、（２１）、（３１）より熱伝導良好
な伝熱層（１７）、（２７）、（３７）を設けたことを
特徴とする抵抗器。4. An insulating substrate (11), (21), (31).
And a resistance film (13) formed on the insulating substrates (11), (21) and (31), and a conductor formed to be electrically connected to both ends of the resistance film (13). In the resistor, an insulating substrate (11), (21), (31)
In addition, heat transfer layers (17), (27) and (37) having better heat conduction than the insulating substrates (11), (21) and (31) are provided so as to be close to and opposed to the resistance film (13). A resistor characterized by being provided.
なることを特徴とする請求項４に記載の抵抗器。5. The resistor according to claim 4, wherein the insulating substrate is formed in a chip shape.
るよう形成された導体は、チップ状の絶縁基板（１１）
の両端に形成された外部電極（１６）、（１６）である
ことを特徴とする請求項５に記載の抵抗器。6. A conductor formed at both ends of the resistive film (13) so as to be electrically conductive is formed on a chip-shaped insulating substrate (11).
6. The resistor according to claim 5, wherein the external electrodes are formed at both ends of the resistor.
（１６）、（１６）と導通していることをことを特徴と
する請求項６に記載の抵抗器。7. The resistor according to claim 6, wherein the heat transfer layers (17), (17) are electrically connected to the external electrodes (16), (16).
を構成する基板状のものからなることを特徴とする請求
項４に記載の抵抗器。8. The resistor according to claim 4, wherein the insulating substrates (21) and (31) are formed of a substrate that forms a circuit board.
２）、（３２）…が積層された多層回路基板であること
を特徴とする請求項８に記載の抵抗器。9. An insulating substrate (31) comprising a plurality of insulating layers (3).
The resistor according to claim 8, wherein 2), (32), ... are laminated circuit boards.
（２７）、（３７）との間に絶縁層（１９）、（３２）
が介在されていることを特徴とする請求項４〜９の何れ
かに記載の抵抗器。10. A resistance film (13) and a heat transfer layer (17),
Insulating layers (19) and (32) between (27) and (37)
The resistor according to any one of claims 4 to 9, wherein a resistor is interposed.
（２７）との間に介在された絶縁層（１９）は、絶縁基
板（１１）、（２１）とは別に形成された絶縁層である
ことを特徴とする請求項１０に記載の抵抗器。11. A resistance film (13) and a heat transfer layer (17),
The resistor according to claim 10, wherein the insulating layer (19) interposed between the resistor (27) and the insulating substrate (11) is an insulating layer formed separately from the insulating substrates (11) and (21).
間に介在された絶縁層（３２）は、絶縁基板（３１）を
構成する表面側の絶縁層であることを特徴とする請求項
１０に記載の抵抗器。12. An insulating layer (32) interposed between a resistive film (13) and a heat transfer layer (37) is a surface-side insulating layer constituting an insulating substrate (31). The resistor according to claim 10.
（２７）、（３７）とは、距離（ｄ）を介して近接して
配置されていることを特徴とする請求項４〜１２の何れ
かに記載の抵抗器。13. A resistance film (13) and a heat transfer layer (17),
The resistor according to any one of claims 4 to 12, wherein (27) and (37) are arranged close to each other via a distance (d).
分離された一対の層からなり、伝熱層（１７）、（２
７）を分離する分離部（１８）は、抵抗膜（１３）のほ
ぼ中央部に対応した位置からずれて形成されていること
を特徴とする請求項４〜１４の何れかに記載の抵抗器。14. The heat transfer layers (17) and (27) are composed of a pair of layers separated from each other, and the heat transfer layers (17) and (2)
The resistor according to any one of claims 4 to 14, wherein the separating portion (18) for separating (7) is formed so as to be shifted from a position corresponding to a substantially central portion of the resistive film (13). .
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-
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