JP2000277363A - 静電容量分圧形電圧変成器 - Google Patents
静電容量分圧形電圧変成器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
- H01B17/005—Insulators structurally associated with built-in electrical equipment
Landscapes
- Transformers For Measuring Instruments (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スペースを増加せずに静電容量分圧形電圧変
成器を構成する。 【解決手段】 導体２の外側に内部半導体層３，主絶縁
層４，外部半導体層５を有するパワーケーブル又は絶縁
母線の外側に静電容量分圧用メタル層６，補助絶縁層
７，接地メタル層８と必要に応じ保護層９を設け、メタ
ル層６に絶縁線１０を接続して分圧電圧引出タップＴを
設けると共にメタル層５に接地線１1を接続して接地タ
ップＥを設けて静電容量分圧形電圧変成器１を構成す
る。タップＴとＥ間から低電圧が得られるように主絶縁
層４による容量Ｃ1より補助絶縁層７による容量Ｃ2が十
分大きくなるように絶縁層７の厚みなどを選択する。
成器を構成する。 【解決手段】 導体２の外側に内部半導体層３，主絶縁
層４，外部半導体層５を有するパワーケーブル又は絶縁
母線の外側に静電容量分圧用メタル層６，補助絶縁層
７，接地メタル層８と必要に応じ保護層９を設け、メタ
ル層６に絶縁線１０を接続して分圧電圧引出タップＴを
設けると共にメタル層５に接地線１1を接続して接地タ
ップＥを設けて静電容量分圧形電圧変成器１を構成す
る。タップＴとＥ間から低電圧が得られるように主絶縁
層４による容量Ｃ1より補助絶縁層７による容量Ｃ2が十
分大きくなるように絶縁層７の厚みなどを選択する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、パワーケーブル
又は絶縁母線を利用した静電容量分圧形電圧変成器に関
するものである。
又は絶縁母線を利用した静電容量分圧形電圧変成器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電圧変成器（ＶＴ）には変成器構成の誘
導形ＶＴと直列キャパシタ構成の静電容量分圧形ＶＴが
ある（図７）。誘導形ＶＴと静電容量分圧形ＶＴの使用
区分は使用されるライン電圧（システム電圧）によりほ
ぼ以下のように区分される。
導形ＶＴと直列キャパシタ構成の静電容量分圧形ＶＴが
ある（図７）。誘導形ＶＴと静電容量分圧形ＶＴの使用
区分は使用されるライン電圧（システム電圧）によりほ
ぼ以下のように区分される。
【０００３】オープン形変電所と発電所の場合、３６ｋ
Ｖまでは誘導形ＶＴが使用され、７２．５ｋＶ以上では
静電容量分圧形ＶＴが使用されている。また、ＧＩＳ形
の変電所と発電所の場合、２４５ｋＶまでは誘導形ＶＴ
が使用され、３００ｋＶ以上では静電容量分圧形ＶＴが
使用されている。
Ｖまでは誘導形ＶＴが使用され、７２．５ｋＶ以上では
静電容量分圧形ＶＴが使用されている。また、ＧＩＳ形
の変電所と発電所の場合、２４５ｋＶまでは誘導形ＶＴ
が使用され、３００ｋＶ以上では静電容量分圧形ＶＴが
使用されている。
【０００４】上記誘導形ＶＴと静電容量分圧形ＶＴの使
用区分の境は電圧によって厳格に決められている訳では
なく、同一仕様でどちらが安いかという経済的理由が主
な要因である。一般には電圧が高くなるに従い静電容量
分圧形ＶＴが経済的に有利となる。
用区分の境は電圧によって厳格に決められている訳では
なく、同一仕様でどちらが安いかという経済的理由が主
な要因である。一般には電圧が高くなるに従い静電容量
分圧形ＶＴが経済的に有利となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】誘導形ＶＴ（図７
（ａ））に直流耐圧試験や直流絶縁試験のように直流電
圧を印加するとき周波数を０にすると誘導形ＶＴはリア
クタンス（ＬO）によりインピーダンス（ωＬO）を発生
させているためにインピーダンスが０となってしまう。
この誘導形ＶＴをラインから切り離して試験をしないと
本当の絶縁チェックができないことになる。そのため断
路装置あるいは引出装置が必要となる。
（ａ））に直流耐圧試験や直流絶縁試験のように直流電
圧を印加するとき周波数を０にすると誘導形ＶＴはリア
クタンス（ＬO）によりインピーダンス（ωＬO）を発生
させているためにインピーダンスが０となってしまう。
この誘導形ＶＴをラインから切り離して試験をしないと
本当の絶縁チェックができないことになる。そのため断
路装置あるいは引出装置が必要となる。
【０００６】また、間違って誘導形ＶＴをラインに接続
したまま試験したとき、インピーダンス０により短絡電
流が流れ誘導形ＶＴを破壊させる可能性があるため、電
圧が３．６ｋＶ以下のラインでは誘導形ＶＴの１次側に
パワーフューズを取り付ける場合が多い。
したまま試験したとき、インピーダンス０により短絡電
流が流れ誘導形ＶＴを破壊させる可能性があるため、電
圧が３．６ｋＶ以下のラインでは誘導形ＶＴの１次側に
パワーフューズを取り付ける場合が多い。
【０００７】一方、静電容量分圧形ＶＴ（図７（ｂ））
の場合は、このような問題がないことから静電容量分圧
形ＶＴ単体とその付属装置を含めた上での経済的比較を
すれば、静電容量分圧形ＶＴの使用範囲の拡大が期待さ
れる。
の場合は、このような問題がないことから静電容量分圧
形ＶＴ単体とその付属装置を含めた上での経済的比較を
すれば、静電容量分圧形ＶＴの使用範囲の拡大が期待さ
れる。
【０００８】また最近のデジタルリレー／メータの普及
に伴いＶＴの２次負荷は極端に減少している。電圧３６
ｋＶ以下のＶＴは従来２００ＶＡであった負荷が現在３
０ＶＡになっている。また、電圧７２．５ｋＶ以上のＶ
Ｔは従来５００ＶＡであったものが現在５０ＶＡになっ
ている。将来は更にもう少し減少する可能性がある。
に伴いＶＴの２次負荷は極端に減少している。電圧３６
ｋＶ以下のＶＴは従来２００ＶＡであった負荷が現在３
０ＶＡになっている。また、電圧７２．５ｋＶ以上のＶ
Ｔは従来５００ＶＡであったものが現在５０ＶＡになっ
ている。将来は更にもう少し減少する可能性がある。
【０００９】また、ガス絶縁開閉装置（ＧＩＳ）では誘
導形ＶＴが使用されることが多いが、スペースを増加さ
せずに電圧検出ができることになれば、又はＳＦ６ガス
を使用しないで電圧検出できることになれば、それらは
静電容量分圧形ＶＴとなる可能性が大であり、静電容量
分圧形ＶＴの製作限界を更に拡げる可能性がある。
導形ＶＴが使用されることが多いが、スペースを増加さ
せずに電圧検出ができることになれば、又はＳＦ６ガス
を使用しないで電圧検出できることになれば、それらは
静電容量分圧形ＶＴとなる可能性が大であり、静電容量
分圧形ＶＴの製作限界を更に拡げる可能性がある。
【００１０】この発明は、上記課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、設置スペースを必
要としないパワーケーブル又は絶縁母線を利用した静電
容量分圧形電圧検出器を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、設置スペースを必
要としないパワーケーブル又は絶縁母線を利用した静電
容量分圧形電圧検出器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の静電容量分圧
形電圧検出器は、導体の上に内部半導体層、主絶縁層、
外部半導体層が施されたパワーケーブル又は絶縁母線の
外部半導体層の上に静電容量分圧用メタル層を施し、そ
の上に補助絶縁層を介して接地メタル層を設け、静電容
量分圧用メタル層と接地メタル層との間から静電容量分
圧電圧を引き出したことを特徴とする。
形電圧検出器は、導体の上に内部半導体層、主絶縁層、
外部半導体層が施されたパワーケーブル又は絶縁母線の
外部半導体層の上に静電容量分圧用メタル層を施し、そ
の上に補助絶縁層を介して接地メタル層を設け、静電容
量分圧用メタル層と接地メタル層との間から静電容量分
圧電圧を引き出したことを特徴とする。
【００１２】この静電容量分圧形電圧検出器はその一端
を封じきり、他端側をコネクタを介してガス絶縁開閉装
置内部の回路導体に接続して使用することができる。
を封じきり、他端側をコネクタを介してガス絶縁開閉装
置内部の回路導体に接続して使用することができる。
【００１３】または、静電容量分圧形電圧検出器をパワ
ーケーブル又は絶縁母線の少なくとも一方に設けてその
導体をガス絶縁装置内の回路導体に接続して使用する。
ーケーブル又は絶縁母線の少なくとも一方に設けてその
導体をガス絶縁装置内の回路導体に接続して使用する。
【００１４】または、接続用母線である円柱状の内部導
体と、この内部導体と同電位である１または複数の円筒
状の外部導体を同心配置し、内部導体と外側の外部導体
の間又は内部導体と外側の外部導体および各外部導体の
間にそれぞれ円筒状の接地メタル層を同心配置すると共
に、最も外側の外部導体の外側に円筒状の接地メタル層
を同心配置し、さらに、内部導体と外部導体と接地メタ
ル層との間に、それぞれ静電容量分圧用メタル層を配置
し、内部導体と外部導体をリード線で接続すると共に、
各静電容量分圧用メタル層同志、各接地メタル層同志を
それぞれリード線で接続してなることを特徴とする。
体と、この内部導体と同電位である１または複数の円筒
状の外部導体を同心配置し、内部導体と外側の外部導体
の間又は内部導体と外側の外部導体および各外部導体の
間にそれぞれ円筒状の接地メタル層を同心配置すると共
に、最も外側の外部導体の外側に円筒状の接地メタル層
を同心配置し、さらに、内部導体と外部導体と接地メタ
ル層との間に、それぞれ静電容量分圧用メタル層を配置
し、内部導体と外部導体をリード線で接続すると共に、
各静電容量分圧用メタル層同志、各接地メタル層同志を
それぞれリード線で接続してなることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１にパワーケーブル又は絶縁母線を利用した静電容量
分圧形電圧変成器（以下ＣＶＴという）の断面構造を示
す。
分圧形電圧変成器（以下ＣＶＴという）の断面構造を示
す。
【００１６】ＣＶＴ１は、パワーケーブル又は絶縁母線
として導体２の上に電界，電位緩和用の内部半導体層
３，主絶縁層４，電界，電位緩和用の外部半導体層５を
有するものを利用し、外部半導体層５の上に、静電容量
分圧用メタル層６，補助絶縁層７，接地メタル層８と必
要に応じ最外側層として保護層９を設け、分圧用メタル
層６から絶縁線１０で分圧タップＴを引き出し、接地メ
タル層８から導線１１で接地タップＥを引き出した構成
となっている。なお、保護層９は機械的なストレス除去
や耐候性，熱放散向上等を考慮して設ける。
として導体２の上に電界，電位緩和用の内部半導体層
３，主絶縁層４，電界，電位緩和用の外部半導体層５を
有するものを利用し、外部半導体層５の上に、静電容量
分圧用メタル層６，補助絶縁層７，接地メタル層８と必
要に応じ最外側層として保護層９を設け、分圧用メタル
層６から絶縁線１０で分圧タップＴを引き出し、接地メ
タル層８から導線１１で接地タップＥを引き出した構成
となっている。なお、保護層９は機械的なストレス除去
や耐候性，熱放散向上等を考慮して設ける。
【００１７】上記補助絶縁層７は、該層に掛る交流電圧
が低圧レベルとなるように、主絶縁層４のキャバシタン
スＣ1との比を考慮したキャバシタンスＣ2が得られるよ
うに材料及び厚みを選択する。
が低圧レベルとなるように、主絶縁層４のキャバシタン
スＣ1との比を考慮したキャバシタンスＣ2が得られるよ
うに材料及び厚みを選択する。
【００１８】また、静電容量分圧用メタル層６は、ある
程度の電流を流せるように考慮し、ケーブル接続点のど
ちらか一方に静電容量分圧用メタル層６より絶縁線１０
で分圧電圧タップＴを引き出し、接地メタル層８からは
従来通り導線１１で接地タップＥを引き出す。
程度の電流を流せるように考慮し、ケーブル接続点のど
ちらか一方に静電容量分圧用メタル層６より絶縁線１０
で分圧電圧タップＴを引き出し、接地メタル層８からは
従来通り導線１１で接地タップＥを引き出す。
【００１９】上記静電容量分圧用キャバシタンスＣ1，
Ｃ2については、ケーブル又は絶縁母線の長さにより変
化するがＣ1／Ｃ2の比が一定であるため、電圧別にＣ1
の必要最低限の静電容量を決めておく。ケーブルサイズ
が決まれば、あとはケーブルの最短長さを算出し、その
長さ以上で自由に適用する。
Ｃ2については、ケーブル又は絶縁母線の長さにより変
化するがＣ1／Ｃ2の比が一定であるため、電圧別にＣ1
の必要最低限の静電容量を決めておく。ケーブルサイズ
が決まれば、あとはケーブルの最短長さを算出し、その
長さ以上で自由に適用する。
【００２０】図２に示すように上記構成のＣＶＴ１を３
台（１R，１Y，１B）三相器としてスター接続し、接地
タップＥを中性点として接地する。更に、三相分のタッ
プＴ R，ＴY，ＴBを取り出し、タップＴR，ＴY，ＴBより
低圧絶縁ケイブル（又は低圧シールド線）２１にて三相
低圧ＶＴ箱２２に引き込み、その箱内の５脚の鉄心２４
を用いた三相低圧ＶＴ２５の１次巻線２６にそれぞれチ
ョークコイル２３を介して接続する。ＶＴ２５の１次巻
線２６／２次巻線２７／３次巻線２８の結線はスター／
スター／オープンデルタであり、スター中性点は接地さ
れる。
台（１R，１Y，１B）三相器としてスター接続し、接地
タップＥを中性点として接地する。更に、三相分のタッ
プＴ R，ＴY，ＴBを取り出し、タップＴR，ＴY，ＴBより
低圧絶縁ケイブル（又は低圧シールド線）２１にて三相
低圧ＶＴ箱２２に引き込み、その箱内の５脚の鉄心２４
を用いた三相低圧ＶＴ２５の１次巻線２６にそれぞれチ
ョークコイル２３を介して接続する。ＶＴ２５の１次巻
線２６／２次巻線２７／３次巻線２８の結線はスター／
スター／オープンデルタであり、スター中性点は接地さ
れる。
【００２１】低圧ＶＴ箱２２はＣＶＴに直に取り付ける
必要がなく、ＣＶＴ１と少し離れた場所、例えば低圧盤
内又はＧＩＳのタンクの外に取り付ける。端子箱２９か
ら出力されるＶＴ２５の２次巻線２７及び３次巻線２８
の出力はディジタルリレー／メータに入力する。
必要がなく、ＣＶＴ１と少し離れた場所、例えば低圧盤
内又はＧＩＳのタンクの外に取り付ける。端子箱２９か
ら出力されるＶＴ２５の２次巻線２７及び３次巻線２８
の出力はディジタルリレー／メータに入力する。
【００２２】上記ＣＶＴ（図１）の実施例について説明
する。
する。
【００２３】実施例１ 図３について、断面構造図１と同様に構成されるＣＶＴ
１の１端を，導体２（２2）の端部を各層部材３〜８で
包むように封じきり、他端から導体２2が突出した状態
でＣＶＴ１を保護層９で覆う。一方、ガス絶縁開閉器等
の機器容器３１に上記ＣＶＴ１接続用の導体２1を有す
るブッシング３２を設けると共に、機器容器３１の内部
導体３３にＣＶＴ１を接続用のコネクタ３４を設け、ブ
ッシング側導体２1をコネクタ３４に接続して置く。ま
た、ブッシング側導体２1とＣＶＴ１側導体２1が接続可
能なようにコネクタ２3を設ける。
１の１端を，導体２（２2）の端部を各層部材３〜８で
包むように封じきり、他端から導体２2が突出した状態
でＣＶＴ１を保護層９で覆う。一方、ガス絶縁開閉器等
の機器容器３１に上記ＣＶＴ１接続用の導体２1を有す
るブッシング３２を設けると共に、機器容器３１の内部
導体３３にＣＶＴ１を接続用のコネクタ３４を設け、ブ
ッシング側導体２1をコネクタ３４に接続して置く。ま
た、ブッシング側導体２1とＣＶＴ１側導体２1が接続可
能なようにコネクタ２3を設ける。
【００２４】しかして、ＣＶＴ１をブッシング３２に嵌
入することで、ＣＶＴ側導体２2をブッシング側導体２1
を介してガス絶縁開閉器等の内部導体３３に接続するこ
とができる。なお、電圧分圧タップＴ及び接地タップＥ
はＣＶＴ１よりＧＩＳの外側に引き出す。また、ブッシ
ング３２と機器容器３１との間及びブッシング３２とＣ
ＶＴ１との間は気密にすると共に、ＣＶＴ１がブッシン
グ３２から抜けないようにする。
入することで、ＣＶＴ側導体２2をブッシング側導体２1
を介してガス絶縁開閉器等の内部導体３３に接続するこ
とができる。なお、電圧分圧タップＴ及び接地タップＥ
はＣＶＴ１よりＧＩＳの外側に引き出す。また、ブッシ
ング３２と機器容器３１との間及びブッシング３２とＣ
ＶＴ１との間は気密にすると共に、ＣＶＴ１がブッシン
グ３２から抜けないようにする。
【００２５】実施例２ 図４について、機器４１と接続するパワーケーブル１1
又は機器４１，４１間を接続する絶縁母線１2を上記図
１に示すと同様にＣＶＴに形成し、ケーブルコネクタ４
２を取り付け、片側のコネクタ４２からタップＴ及び接
地Ｅ（図示省略）を引き出す。パワーケーブル１1はケ
ーブルの仕事を、絶縁母線１2は母線の仕事をしながら
ＣＶＴとして機能する。上記ＣＶＴ１のタップＴや接地
タップＥは常に１対と考え、両側のコネクタのどちらか
片側から引き出す。
又は機器４１，４１間を接続する絶縁母線１2を上記図
１に示すと同様にＣＶＴに形成し、ケーブルコネクタ４
２を取り付け、片側のコネクタ４２からタップＴ及び接
地Ｅ（図示省略）を引き出す。パワーケーブル１1はケ
ーブルの仕事を、絶縁母線１2は母線の仕事をしながら
ＣＶＴとして機能する。上記ＣＶＴ１のタップＴや接地
タップＥは常に１対と考え、両側のコネクタのどちらか
片側から引き出す。
【００２６】なお、図１の構成で主絶縁層４と補助絶縁
層７の絶縁材料を熱可塑性材料で構成すればパワーケー
ブルと同様な曲がり易いＣＶＴとなり、熱硬化性材料
で、構成すれば、エポキシ成形品のような曲がりにくい
機械的強度の大きいＣＶＴが得られる。これを使いわけ
て使用する。
層７の絶縁材料を熱可塑性材料で構成すればパワーケー
ブルと同様な曲がり易いＣＶＴとなり、熱硬化性材料
で、構成すれば、エポキシ成形品のような曲がりにくい
機械的強度の大きいＣＶＴが得られる。これを使いわけ
て使用する。
【００２７】実施の形態２ 図５、図６に実施の形態２にかかるＣＶＴの構成を示
す。このＣＶＴ１は、大電流通電可能なＧＩＳ接続用母
線である円柱状内部導体２の上に図１の場合と同様に、
内部半導体層３、主絶縁層４、外部半導体層５、静電容
量分圧用メタル層６、補助絶縁層７、円筒状接地メタル
層８を順次設ける。その上に補助絶縁層６１、静電容量
分圧用メタル層６２、半導体層６３、外部主絶縁層６
４、半導体層６５、円筒状の箔からなる外部導体６６を
順次設ける。更にその上に半導体層６７、外部主絶縁層
６８、半導体層６９、静電容量分圧用メタル層７０、補
助絶縁層７１、接地メタル層７２、保護層７３を順次設
ける。
す。このＣＶＴ１は、大電流通電可能なＧＩＳ接続用母
線である円柱状内部導体２の上に図１の場合と同様に、
内部半導体層３、主絶縁層４、外部半導体層５、静電容
量分圧用メタル層６、補助絶縁層７、円筒状接地メタル
層８を順次設ける。その上に補助絶縁層６１、静電容量
分圧用メタル層６２、半導体層６３、外部主絶縁層６
４、半導体層６５、円筒状の箔からなる外部導体６６を
順次設ける。更にその上に半導体層６７、外部主絶縁層
６８、半導体層６９、静電容量分圧用メタル層７０、補
助絶縁層７１、接地メタル層７２、保護層７３を順次設
ける。
【００２８】内部導体２と外部導体６６を絶縁電線７４
で接続して外部導体６６を内部導体２と同電位とする。
また、静電容量分圧用メタル層６，６２，７０を絶縁電
線７５で接続してタップＴとし、接地メタル層８と７２
を絶縁電線７６で接続して接地端子Ｅとする。
で接続して外部導体６６を内部導体２と同電位とする。
また、静電容量分圧用メタル層６，６２，７０を絶縁電
線７５で接続してタップＴとし、接地メタル層８と７２
を絶縁電線７６で接続して接地端子Ｅとする。
【００２９】内部導体２と静電容量分圧用メタル層６間
の静電容量をＣ1、このメタル層６と接地メタル層間の
静電容量をＣ2、このメタル層と静電容量分圧用メタル
層６２間の静電容量をＣ2′、このメタル層６２と外部
導体６６間の静電容量をＣ1′、この導体６６と静電容
量分圧用メタル層７０間の静電容量をＣ1″、このメタ
ル層７０と接地メタル層７２間の静電容量をＣ2″とす
ると、内部導体２とタップＴ間の静電容量はＣ1＋Ｃ1′
＋Ｃ1″、タップＴと接地タップＥ間の静電容量はＣ2＋
Ｃ2′＋Ｃ2″となる。そのため静電容量の大きなＣＶＴ
が構成される。
の静電容量をＣ1、このメタル層６と接地メタル層間の
静電容量をＣ2、このメタル層と静電容量分圧用メタル
層６２間の静電容量をＣ2′、このメタル層６２と外部
導体６６間の静電容量をＣ1′、この導体６６と静電容
量分圧用メタル層７０間の静電容量をＣ1″、このメタ
ル層７０と接地メタル層７２間の静電容量をＣ2″とす
ると、内部導体２とタップＴ間の静電容量はＣ1＋Ｃ1′
＋Ｃ1″、タップＴと接地タップＥ間の静電容量はＣ2＋
Ｃ2′＋Ｃ2″となる。そのため静電容量の大きなＣＶＴ
が構成される。
【００３０】静電容量分圧用メタル層６，６２，７０が
同じ電圧を分担するように、即ち、Ｃ1＝Ｃ1′＝
Ｃ1″、Ｃ2＝Ｃ2′＝Ｃ2″、となるように絶縁層の厚
み、誘電率等を設計する。
同じ電圧を分担するように、即ち、Ｃ1＝Ｃ1′＝
Ｃ1″、Ｃ2＝Ｃ2′＝Ｃ2″、となるように絶縁層の厚
み、誘電率等を設計する。
【００３１】ブッシング３２は図３の場合と同様にブッ
シング側導体２1を備え、機器容器３１に取付けられて
いる。このブッシング側導体２1の下端にはコネクタ２3
が設けられている。ＣＶＴ側導体２2の先端はコネクタ
２3を介してブッシング側導体２1と接続可能となってお
り、ＣＶＴ１をブッシング３２へ挿入するとＣＶＴ側導
体２2はブッシング側導体２1に接続され、ＣＶＴ１の内
部導体２により負荷等へ大電流を供給可能となると共
に、タップＴから分圧電圧が出力される。
シング側導体２1を備え、機器容器３１に取付けられて
いる。このブッシング側導体２1の下端にはコネクタ２3
が設けられている。ＣＶＴ側導体２2の先端はコネクタ
２3を介してブッシング側導体２1と接続可能となってお
り、ＣＶＴ１をブッシング３２へ挿入するとＣＶＴ側導
体２2はブッシング側導体２1に接続され、ＣＶＴ１の内
部導体２により負荷等へ大電流を供給可能となると共
に、タップＴから分圧電圧が出力される。
【００３２】実施の形態２によれば、ＧＩＳ接続用母線
が静電容量の比較的大きいＣＶＴが得られる。そして、
この母線の外側に低圧用貫通形変流器又は低圧用分割形
変流器を配置すれば、一体形計器用変圧変流器を兼ねる
母線となる。
が静電容量の比較的大きいＣＶＴが得られる。そして、
この母線の外側に低圧用貫通形変流器又は低圧用分割形
変流器を配置すれば、一体形計器用変圧変流器を兼ねる
母線となる。
【００３３】実施の形態２は外部導体が１つの例である
が、外部導体を同心的に複数設け、各外部導体間にそれ
ぞれ接地メタル層を設け、それぞれの外部導体と接地メ
タル層間に、半導体層、主絶縁層、半導体層、静電容量
分圧用メタル層、補助絶縁層を設け、内部導体と複数の
外部導体を電線７４で接続すると共に、各静電容量分圧
用メタル層及び各接地メタル層をそれぞれ電線７５及び
７６で接続することにより、更に静電容量の大きいＣＶ
Ｔを得ることができる。
が、外部導体を同心的に複数設け、各外部導体間にそれ
ぞれ接地メタル層を設け、それぞれの外部導体と接地メ
タル層間に、半導体層、主絶縁層、半導体層、静電容量
分圧用メタル層、補助絶縁層を設け、内部導体と複数の
外部導体を電線７４で接続すると共に、各静電容量分圧
用メタル層及び各接地メタル層をそれぞれ電線７５及び
７６で接続することにより、更に静電容量の大きいＣＶ
Ｔを得ることができる。
【００３４】
【発明の効果】この発明の静電容量分圧形変成器は、上
述のとおり構成されているので、以下に記載する効果を
奏する。 （１）パワーケーブル又は絶縁母線を利用して構成でき
る。 （２）外部は接地されているため充電部露出が無く安全
で相間絶縁距離不要である。 （３）ケーブルコネクタで接続するため脱着が可能で断
路器を兼ねることもできる。 （４）ガス絶縁開閉装置の共通母線に適用することがで
きる。その場合、ＳＦ６ガスを使用していないこと、又
は外部取り付けとなることからＳＦ６ガス量を低減させ
る耐環境形となる。
述のとおり構成されているので、以下に記載する効果を
奏する。 （１）パワーケーブル又は絶縁母線を利用して構成でき
る。 （２）外部は接地されているため充電部露出が無く安全
で相間絶縁距離不要である。 （３）ケーブルコネクタで接続するため脱着が可能で断
路器を兼ねることもできる。 （４）ガス絶縁開閉装置の共通母線に適用することがで
きる。その場合、ＳＦ６ガスを使用していないこと、又
は外部取り付けとなることからＳＦ６ガス量を低減させ
る耐環境形となる。
【図１】実施の形態１にかかる静電容量分圧形電圧変成
器の要部構造を示す横断面図。
器の要部構造を示す横断面図。
【図２】同静電容量分圧形電圧変成器と低圧電圧変成器
の接続回路図。
の接続回路図。
【図３】実施例１にかかる静電容量分圧形電圧変成器の
構造を示す縦断面図。
構造を示す縦断面図。
【図４】実施例２にかかる機器接続例を示す側面図。
【図５】実施の形態２にかかる静電容量分圧形電圧変成
器の要部構造を示す横断面図。
器の要部構造を示す横断面図。
【図６】同、静電容量分圧形変成器の構造を示す縦断面
図。
図。
【図７】従来誘導型電圧変成器と静電容量分圧形電圧変
成器の構成説明図。
成器の構成説明図。
１…パワーケーブル又は絶縁母線を利用した静電容量分
圧形電圧変成器（ＣＶＴ） ２…導体 ３…内部半導電層 ４…主絶縁層 ５…外部半導電層 ６…静電容量分圧用メタル層 ７…補助絶縁層 ８…接地メタル層 ９…保護層 １０…タップ引出絶縁線（リード線） １１…接地タップ引出導線 ２２…低圧電圧変成器箱 ２３…チョークコイル ３１…ガス絶縁開閉装置等の機器容器 ３４…コネクタ ４１…ガス絶縁開閉装置等の機器 ４２…ケーブルコネクタ ６１…補助絶縁層 ６２…静電容量分圧用メタル層 ６３…半導体層 ６４…外部主絶縁層 ６５…半導体層 ６６…外部導体 ６７…半導体層 ６８…外部主絶縁層 ６９…半導体層 ７０…静電容量分圧用メタル層 ７１…補助絶縁層 ７２…接地メタル層 ７３…保護層 ７４…絶縁電線 ７５，７６…タップ引出絶縁線（リード線） Ｃ1…導体と静電容量分圧用メタル層との間の容量 Ｃ2…静電容量分圧用メタル層と接地メタル層間の容量 Ｔ…静電容量分圧タップ。
圧形電圧変成器（ＣＶＴ） ２…導体 ３…内部半導電層 ４…主絶縁層 ５…外部半導電層 ６…静電容量分圧用メタル層 ７…補助絶縁層 ８…接地メタル層 ９…保護層 １０…タップ引出絶縁線（リード線） １１…接地タップ引出導線 ２２…低圧電圧変成器箱 ２３…チョークコイル ３１…ガス絶縁開閉装置等の機器容器 ３４…コネクタ ４１…ガス絶縁開閉装置等の機器 ４２…ケーブルコネクタ ６１…補助絶縁層 ６２…静電容量分圧用メタル層 ６３…半導体層 ６４…外部主絶縁層 ６５…半導体層 ６６…外部導体 ６７…半導体層 ６８…外部主絶縁層 ６９…半導体層 ７０…静電容量分圧用メタル層 ７１…補助絶縁層 ７２…接地メタル層 ７３…保護層 ７４…絶縁電線 ７５，７６…タップ引出絶縁線（リード線） Ｃ1…導体と静電容量分圧用メタル層との間の容量 Ｃ2…静電容量分圧用メタル層と接地メタル層間の容量 Ｔ…静電容量分圧タップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜井 貴志 東京都品川区大崎２丁目１番17号 株式会 社明電舎内 Ｆターム(参考） 5E081 AA03 BB04 CC22 DD15 EE11 GG05 5G017 BB19
Claims (5)
- 【請求項１】 導体の上に内部半導体層、主絶縁層、外
部半導体層が施されたパワーケーブル又は絶縁母線の外
部半導体層の上に静電容量分圧用メタル層を施し、その
上に補助絶縁層を介して接地メタル層を設け、静電容量
分圧用メタル層と接地メタル層との間から静電容量分圧
電圧を引き出したことを特徴とする静電容量分圧形電圧
変成器。 - 【請求項２】 請求項１記載の静電容量分圧形電圧変成
器の一端側を封じきり、他端側をガス絶縁開閉装置内部
の回路導体に接続したことを特徴とする静電容量分圧形
電圧変成器。 - 【請求項３】 請求項１記載の静電容量分圧形電圧変成
器をパワーケーブル又は絶縁母線の少なくとも一方に設
けてその導体をガス絶縁開閉装置内の回路導体に接続し
たことを特徴とする静電容量分圧形電圧変成器。 - 【請求項４】 接続用母線である円柱状の内部導体と、
この内部導体と同電位である円筒状の外部導体を同心配
置し、 内部導体と外側の外部導体の間および外部導体の外側に
円筒状の接地メタル層を同心配置し、 さらに、内部導体と外部導体と接地メタル層との間に、
それぞれ静電容量分圧用メタル層を配置し、 内部導体と外部導体をリード線で接続すると共に、各静
電容量分圧用メタル層同志、各接地メタル層同志をそれ
ぞれリード線で接続してなることを特徴とする静電容量
分圧形電圧変成器。 - 【請求項５】 接続用母線である円柱状の内部導体と、
この内部導体と同電位である複数の円筒状の外部導体を
同心配置し、 内部導体と外側の外部導体の間および各外部導体の間に
それぞれ円筒状の接地メタル層を同心配置すると共に、
最も外側の外部導体の外側に円筒状の接地メタル層を同
心配置し、 さらに、内部導体と外部導体と接地メタル層との間に、
それぞれ静電容量分圧用メタル層を配置し、 内部導体と外部導体をリード線で接続すると共に、各静
電容量分圧用メタル層同志、各接地メタル層同志をそれ
ぞれリード線で接続してなることを特徴とする静電容量
分圧形電圧変成器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11302117A JP2000277363A (ja) | 1999-01-22 | 1999-10-25 | 静電容量分圧形電圧変成器 |
| EP20000101081 EP1022749B1 (en) | 1999-01-22 | 2000-01-20 | Electrostatic capacitive divided-voltage transformer |
| DE2000630496 DE60030496T2 (de) | 1999-01-22 | 2000-01-20 | Elektrostatischer kapazitiver Spannungsteiler |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-13760 | 1999-01-22 | ||
| JP1376099 | 1999-01-22 | ||
| JP11302117A JP2000277363A (ja) | 1999-01-22 | 1999-10-25 | 静電容量分圧形電圧変成器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277363A true JP2000277363A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=26349604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11302117A Pending JP2000277363A (ja) | 1999-01-22 | 1999-10-25 | 静電容量分圧形電圧変成器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1022749B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000277363A (ja) |
| DE (1) | DE60030496T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102928639A (zh) * | 2011-08-07 | 2013-02-13 | 江苏思源赫兹互感器有限公司 | 电子式电容分压器 |
| JP2014508951A (ja) * | 2011-03-25 | 2014-04-10 | イアンディス | 高電圧測定システム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709048B (zh) * | 2011-09-09 | 2013-09-11 | 上海良治电器技术有限公司 | 一种用于x光机高压线圈的绕制新工艺 |
| FR3025029B1 (fr) * | 2014-08-21 | 2016-08-05 | Nexans | Dispositif de mesure sans contact d'une tension electrique dans un cable de reseau electrique moyenne ou haute tension |
| CN107808711A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-03-16 | 国网湖南省电力有限公司 | 一种变压器综合试验专用测试电缆 |
| CN116298706A (zh) * | 2022-09-08 | 2023-06-23 | 中电新源(廊坊)电气集团有限公司 | 低压三相三角形接线系统及交流低压系统的绝缘监测方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4466047A (en) * | 1981-08-06 | 1984-08-14 | Avocat Jean P | Capacitor for medium-range voltage capacitive dividers |
| DE3917862A1 (de) * | 1989-06-01 | 1990-12-06 | Asea Brown Boveri | Anordnung zur spannungsversorgung einer anzeigevorrichtung fuer die anzeige einer anliegenden netzspannung bei einer mittelspannungs-schaltanlage |
-
1999
- 1999-10-25 JP JP11302117A patent/JP2000277363A/ja active Pending
-
2000
- 2000-01-20 DE DE2000630496 patent/DE60030496T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-20 EP EP20000101081 patent/EP1022749B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014508951A (ja) * | 2011-03-25 | 2014-04-10 | イアンディス | 高電圧測定システム |
| CN102928639A (zh) * | 2011-08-07 | 2013-02-13 | 江苏思源赫兹互感器有限公司 | 电子式电容分压器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60030496T2 (de) | 2007-02-01 |
| EP1022749B1 (en) | 2006-09-06 |
| DE60030496D1 (de) | 2006-10-19 |
| EP1022749A1 (en) | 2000-07-26 |
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