JP2000277473A - シリコンウエーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエーハの洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェーハの加工により生じるピット
等の微小欠陥のサイズを低減させる。シリコンウエーハ
表面の微小領域における面荒れを抑制する。 【解決手段】 シリコンウェーハを酸化する工程とこの
酸化したシリコンウエーハを還元する工程を繰返し行
う。シリコンウエーハの酸化を溶存オゾン水溶液に浸漬
することにより行う。シリコンウエーハの還元をフッ酸
又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しくは有機
酸塩の混合液に浸漬することにより行う。
等の微小欠陥のサイズを低減させる。シリコンウエーハ
表面の微小領域における面荒れを抑制する。 【解決手段】 シリコンウェーハを酸化する工程とこの
酸化したシリコンウエーハを還元する工程を繰返し行
う。シリコンウエーハの酸化を溶存オゾン水溶液に浸漬
することにより行う。シリコンウエーハの還元をフッ酸
又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しくは有機
酸塩の混合液に浸漬することにより行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハの
表面を洗浄する方法に関するものである。
表面を洗浄する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハの表面には、その製造
の加工中に金属不純物や粒径が１μｍ以下の微粒子、有
機物等が付着し、かつピット等の欠陥が形成される。半
導体デバイスの高集積化、高機能化に伴って、シリコン
ウエーハの表面がこれらの金属不純物や微粒子、有機物
で汚染されておらず、かつ欠陥がないことが益々要求さ
れ、そのためのシリコンウエーハの洗浄技術は半導体デ
バイス技術全体の中で極めて重要なものとなってきてい
る。従来のシリコンウエーハの洗浄方法として、過酸化
水素と水酸化アンモニウムの混合液であるＳＣ−１洗浄
液と、過酸化水素と塩酸の混合液であるＳＣ−２洗浄液
を用いたＲＣＡ洗浄法が知られている。ＳＣ−１洗浄液
はパーティクルの除去に効果的であり、ＳＣ−２洗浄液
は金属の除去に効果的であることが知られている。
の加工中に金属不純物や粒径が１μｍ以下の微粒子、有
機物等が付着し、かつピット等の欠陥が形成される。半
導体デバイスの高集積化、高機能化に伴って、シリコン
ウエーハの表面がこれらの金属不純物や微粒子、有機物
で汚染されておらず、かつ欠陥がないことが益々要求さ
れ、そのためのシリコンウエーハの洗浄技術は半導体デ
バイス技術全体の中で極めて重要なものとなってきてい
る。従来のシリコンウエーハの洗浄方法として、過酸化
水素と水酸化アンモニウムの混合液であるＳＣ−１洗浄
液と、過酸化水素と塩酸の混合液であるＳＣ−２洗浄液
を用いたＲＣＡ洗浄法が知られている。ＳＣ−１洗浄液
はパーティクルの除去に効果的であり、ＳＣ−２洗浄液
は金属の除去に効果的であることが知られている。
【０００３】このＲＣＡ洗浄法では、先ずシリコンウエ
ーハをＳＣ−１洗浄液に浸漬して、この洗浄液の酸化性
及び還元性の性質によりウェーハから微粒子及び有機物
を除去する。即ち、このＳＣ−１洗浄液中では酸化と還
元の両反応が同時に行われ、アンモニアによる還元と過
酸化水素による酸化が同一槽で競合して起こり、同時に
水酸化アンモニウム溶液のエッチング作用によって微粒
子及び有機物をウェーハ表面から離脱させることにより
除去する。またシリコンウエーハの加工により生じた機
械的な微小欠陥を除去する。次いでシリコンウエーハを
フッ酸水溶液に浸漬して基板表面の自然酸化膜を除去し
た後、このシリコンウエーハをＳＣ−２洗浄液に浸漬し
て、ＳＣ−１洗浄液で不溶のアルカリイオンや金属不純
物を除去する。このため、ＲＣＡ洗浄は水酸化アンモニ
ウム溶液のエッチング作用により清浄化された基板表面
を酸性溶液の洗浄によって再清浄化することになる。
ーハをＳＣ−１洗浄液に浸漬して、この洗浄液の酸化性
及び還元性の性質によりウェーハから微粒子及び有機物
を除去する。即ち、このＳＣ−１洗浄液中では酸化と還
元の両反応が同時に行われ、アンモニアによる還元と過
酸化水素による酸化が同一槽で競合して起こり、同時に
水酸化アンモニウム溶液のエッチング作用によって微粒
子及び有機物をウェーハ表面から離脱させることにより
除去する。またシリコンウエーハの加工により生じた機
械的な微小欠陥を除去する。次いでシリコンウエーハを
フッ酸水溶液に浸漬して基板表面の自然酸化膜を除去し
た後、このシリコンウエーハをＳＣ−２洗浄液に浸漬し
て、ＳＣ−１洗浄液で不溶のアルカリイオンや金属不純
物を除去する。このため、ＲＣＡ洗浄は水酸化アンモニ
ウム溶液のエッチング作用により清浄化された基板表面
を酸性溶液の洗浄によって再清浄化することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＳＣ−１
洗浄液中では、巨視的に見た場合、シリコンウエーハ表
面において酸化反応と還元反応が同時に起る。従って、
シリコンウェーハの酸化は反応律速で行われ、洗浄前の
表面形状が洗浄後もそのまま維持される。即ち、洗浄に
よって初期表面形状を改善することができない。またＳ
Ｃ−１洗浄液を微視的に見た場合、洗浄液の組成は一定
でないため、酸化優位な箇所と還元優位な箇所が生じ、
微小領域における面荒れが発生する。
洗浄液中では、巨視的に見た場合、シリコンウエーハ表
面において酸化反応と還元反応が同時に起る。従って、
シリコンウェーハの酸化は反応律速で行われ、洗浄前の
表面形状が洗浄後もそのまま維持される。即ち、洗浄に
よって初期表面形状を改善することができない。またＳ
Ｃ−１洗浄液を微視的に見た場合、洗浄液の組成は一定
でないため、酸化優位な箇所と還元優位な箇所が生じ、
微小領域における面荒れが発生する。
【０００５】本発明の目的は、シリコンウェーハの加工
により生じるピット等の微小欠陥のサイズを低減させる
ことができ、シリコンウエーハ表面の微小領域における
面荒れを抑制できるシリコンウエーハの洗浄方法を提供
することにある。
により生じるピット等の微小欠陥のサイズを低減させる
ことができ、シリコンウエーハ表面の微小領域における
面荒れを抑制できるシリコンウエーハの洗浄方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
シリコンウェーハを酸化する工程とこの酸化したシリコ
ンウエーハを還元する工程とを含むシリコンウエーハの
洗浄方法である。請求項２に係る発明は、請求項１に係
る発明であって、シリコンウェーハの酸化とシリコンウ
エーハの還元が繰返し行われる洗浄方法である。請求項
３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、
シリコンウエーハの酸化が溶存オゾン水溶液に浸漬する
ことにより行われる洗浄方法である。請求項４に係る発
明は、請求項１又は２に係る発明であって、シリコンウ
エーハの還元がフッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含
む有機酸若しくは有機酸塩の混合液に浸漬することによ
り行われる洗浄方法である。
シリコンウェーハを酸化する工程とこの酸化したシリコ
ンウエーハを還元する工程とを含むシリコンウエーハの
洗浄方法である。請求項２に係る発明は、請求項１に係
る発明であって、シリコンウェーハの酸化とシリコンウ
エーハの還元が繰返し行われる洗浄方法である。請求項
３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、
シリコンウエーハの酸化が溶存オゾン水溶液に浸漬する
ことにより行われる洗浄方法である。請求項４に係る発
明は、請求項１又は２に係る発明であって、シリコンウ
エーハの還元がフッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含
む有機酸若しくは有機酸塩の混合液に浸漬することによ
り行われる洗浄方法である。
【０００７】請求項５に係る発明は、請求項４に係る発
明であって、フッ酸の濃度が０．００５〜０．２５重量
％である洗浄方法である。請求項６に係る発明は、請求
項４又は５に係る発明であって、有機酸若しくは有機酸
塩の濃度が０．０００１重量％以上である洗浄方法であ
る。請求項７に係る発明は、請求項４ないし６いずれか
に係る発明であって、有機酸若しくは有機酸塩がクエン
酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリ
チル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、酪酸、
吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、安息香
酸、アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リンゴ酸、フ
タル酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフマル酸から
なる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸又はその
塩である洗浄方法である。
明であって、フッ酸の濃度が０．００５〜０．２５重量
％である洗浄方法である。請求項６に係る発明は、請求
項４又は５に係る発明であって、有機酸若しくは有機酸
塩の濃度が０．０００１重量％以上である洗浄方法であ
る。請求項７に係る発明は、請求項４ないし６いずれか
に係る発明であって、有機酸若しくは有機酸塩がクエン
酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリ
チル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、酪酸、
吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、安息香
酸、アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リンゴ酸、フ
タル酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフマル酸から
なる群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸又はその
塩である洗浄方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態の洗
浄方法は、図１に示すようにシリコンウェーハを酸化す
る工程１１とこの酸化したシリコンウエーハを還元する
工程１２とを含む。酸化工程と還元工程を分離すること
により、先ず酸化工程でシリコンウエーハ表面に酸化種
が効果的に拡散してウェーハ表面に酸化膜が均一に形成
される。次いで還元工程でこの酸化膜が除去される。こ
れによりピット等の微小欠陥のサイズを低減させる効果
が生じ、またシリコンウエーハ表面の微小領域における
面荒れを抑制できる効果も生じる。上記洗浄方法におい
て、シリコンウェーハの酸化とシリコンウエーハの還元
を繰返し行うことが好ましい。ここで、酸化したシリコ
ンウェーハを直ちに還元してもよいが、酸化したシリコ
ンウェーハを酸化・還元作用の小さい液、例えば超純水
に浸漬した後、還元してもよい。特に酸化と還元を繰返
す場合には、酸化工程と還元工程の間、及び還元工程と
酸化工程の間にシリコンウェーハを酸化・還元作用の小
さい液に浸漬する工程をそれぞれ設けることが好まし
い。シリコンウエーハの酸化は、溶存オゾン水溶液に浸
漬することにより行われ、シリコンウエーハの還元は、
フッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しく
は有機酸塩の混合液に浸漬することにより行われること
が好ましい。
浄方法は、図１に示すようにシリコンウェーハを酸化す
る工程１１とこの酸化したシリコンウエーハを還元する
工程１２とを含む。酸化工程と還元工程を分離すること
により、先ず酸化工程でシリコンウエーハ表面に酸化種
が効果的に拡散してウェーハ表面に酸化膜が均一に形成
される。次いで還元工程でこの酸化膜が除去される。こ
れによりピット等の微小欠陥のサイズを低減させる効果
が生じ、またシリコンウエーハ表面の微小領域における
面荒れを抑制できる効果も生じる。上記洗浄方法におい
て、シリコンウェーハの酸化とシリコンウエーハの還元
を繰返し行うことが好ましい。ここで、酸化したシリコ
ンウェーハを直ちに還元してもよいが、酸化したシリコ
ンウェーハを酸化・還元作用の小さい液、例えば超純水
に浸漬した後、還元してもよい。特に酸化と還元を繰返
す場合には、酸化工程と還元工程の間、及び還元工程と
酸化工程の間にシリコンウェーハを酸化・還元作用の小
さい液に浸漬する工程をそれぞれ設けることが好まし
い。シリコンウエーハの酸化は、溶存オゾン水溶液に浸
漬することにより行われ、シリコンウエーハの還元は、
フッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しく
は有機酸塩の混合液に浸漬することにより行われること
が好ましい。
【０００９】酸化工程１１で使用される溶存オゾン水溶
液のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上であることが好まし
い。０．５ｐｐｍ未満であるとウェーハ表面に親水性の
酸化膜を形成することが困難となり、またウェーハ表面
に付着していた有機酸や有機物の分解除去作用が低下す
る。純水へのオゾンの溶解限界は約２５ｐｐｍであるた
め、溶存オゾン水溶液のオゾン濃度は２〜２５ｐｐｍが
より好ましい。還元工程１２で使用されるフッ酸の濃度
は０．００５〜０．２５重量％である。特に０．００５
〜０．１０重量％が好ましく、０．０５〜０．１０重量
％が更に好ましい。０．００５重量％未満では、シリコ
ンウエーハ表面の酸化膜が溶解しにくく、また０．２５
重量％を超えると、この液が強酸となり液中の有機酸の
解離が抑制され、その錯化作用が低下するとともに、微
粒子の表面電位が０に近くなり、またウェーハ表面の酸
化膜が完全に除去されるので、微粒子がウェーハ表面に
再付着するようになる。
液のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上であることが好まし
い。０．５ｐｐｍ未満であるとウェーハ表面に親水性の
酸化膜を形成することが困難となり、またウェーハ表面
に付着していた有機酸や有機物の分解除去作用が低下す
る。純水へのオゾンの溶解限界は約２５ｐｐｍであるた
め、溶存オゾン水溶液のオゾン濃度は２〜２５ｐｐｍが
より好ましい。還元工程１２で使用されるフッ酸の濃度
は０．００５〜０．２５重量％である。特に０．００５
〜０．１０重量％が好ましく、０．０５〜０．１０重量
％が更に好ましい。０．００５重量％未満では、シリコ
ンウエーハ表面の酸化膜が溶解しにくく、また０．２５
重量％を超えると、この液が強酸となり液中の有機酸の
解離が抑制され、その錯化作用が低下するとともに、微
粒子の表面電位が０に近くなり、またウェーハ表面の酸
化膜が完全に除去されるので、微粒子がウェーハ表面に
再付着するようになる。
【００１０】還元工程１２で使用される液中の有機酸若
しくは有機酸塩の種類及びその濃度は、除去しようとす
る金属不純物の種類に応じて決められる。液中の有機酸
若しくは有機酸塩の濃度は０．０００１重量％以上であ
る。好ましくは０．００３〜１０重量％である。０．０
００１重量％未満ではウェーハ表面から遊離した金属不
純物イオンの錯化作用が十分でない不具合がある。還元
工程１２で用いられる有機酸若しくは有機酸塩として
は、クエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒
石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン
酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル
酸、安息香酸、アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リ
ンゴ酸、フタル酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフ
マル酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機
酸又はその塩が挙げられる。上記列挙した有機酸若しく
は有機酸塩はウェーハを汚染する不純物の金属イオンの
錯化作用がある。
しくは有機酸塩の種類及びその濃度は、除去しようとす
る金属不純物の種類に応じて決められる。液中の有機酸
若しくは有機酸塩の濃度は０．０００１重量％以上であ
る。好ましくは０．００３〜１０重量％である。０．０
００１重量％未満ではウェーハ表面から遊離した金属不
純物イオンの錯化作用が十分でない不具合がある。還元
工程１２で用いられる有機酸若しくは有機酸塩として
は、クエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒
石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン
酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル
酸、安息香酸、アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リ
ンゴ酸、フタル酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフ
マル酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上の有機
酸又はその塩が挙げられる。上記列挙した有機酸若しく
は有機酸塩はウェーハを汚染する不純物の金属イオンの
錯化作用がある。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞通常の研磨工程を経た未洗浄のシリコンウ
エーハを下記の条件にて洗浄処理した。工程１１とし
て、上記シリコンウエーハを溶存オゾン水溶液（オゾン
濃度：５ｐｐｍ）に浸漬し、室温で５分間処理した。次
いで工程１２として、上記工程１１で処理されたシリコ
ンウエーハを室温の希フッ酸（フッ酸濃度：０．１％）
に４分間浸漬した。この工程１１と工程１２からなる洗
浄工程を１サイクルとして、このサイクルを７回、１４
回及び２１回それぞれ繰返した。
る。 ＜実施例１＞通常の研磨工程を経た未洗浄のシリコンウ
エーハを下記の条件にて洗浄処理した。工程１１とし
て、上記シリコンウエーハを溶存オゾン水溶液（オゾン
濃度：５ｐｐｍ）に浸漬し、室温で５分間処理した。次
いで工程１２として、上記工程１１で処理されたシリコ
ンウエーハを室温の希フッ酸（フッ酸濃度：０．１％）
に４分間浸漬した。この工程１１と工程１２からなる洗
浄工程を１サイクルとして、このサイクルを７回、１４
回及び２１回それぞれ繰返した。
【００１２】＜実施例２＞通常の研磨工程を経た未洗浄
のシリコンウエーハを下記の条件にて洗浄処理した。工
程１１として、上記シリコンウエーハを溶存オゾン水溶
液（オゾン濃度：５ｐｐｍ）に浸漬し、室温で５分間処
理した。次いで工程１２として、上記工程１１で処理さ
れたシリコンウエーハを希フッ酸（フッ酸濃度：０．１
％）とクエン酸（クエン酸濃度：０．６３ｇ／純水１０
００ｃｃ）の混合液に室温で４分間浸漬した。この工程
１１と工程１２からなる洗浄工程を１サイクルとして、
このサイクルを７回、１４回及び２１回それぞれ繰返し
た。
のシリコンウエーハを下記の条件にて洗浄処理した。工
程１１として、上記シリコンウエーハを溶存オゾン水溶
液（オゾン濃度：５ｐｐｍ）に浸漬し、室温で５分間処
理した。次いで工程１２として、上記工程１１で処理さ
れたシリコンウエーハを希フッ酸（フッ酸濃度：０．１
％）とクエン酸（クエン酸濃度：０．６３ｇ／純水１０
００ｃｃ）の混合液に室温で４分間浸漬した。この工程
１１と工程１２からなる洗浄工程を１サイクルとして、
このサイクルを７回、１４回及び２１回それぞれ繰返し
た。
【００１３】＜比較例１＞従来のＲＣＡ洗浄法を比較例
１の洗浄法として採用した。即ち、実施例１と同様に通
常の研磨工程を経た未洗浄のシリコンウエーハをＳＣ−
１洗浄液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：
１：０．５の混合液）に浸漬し、８０℃で５分間、１０
分間及び１５分間それぞれ処理した。
１の洗浄法として採用した。即ち、実施例１と同様に通
常の研磨工程を経た未洗浄のシリコンウエーハをＳＣ−
１洗浄液（Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2(30%)：ＮＨ4ＯＨ(29%)＝５：
１：０．５の混合液）に浸漬し、８０℃で５分間、１０
分間及び１５分間それぞれ処理した。
【００１４】＜比較試験と評価＞ (a) 平均表面粗さ 実施例１、実施例２及び比較例１のそれぞれ洗浄した後
のシリコンウェーハの平均表面粗さ（Ｒａ）を原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した。その結果を図２に
示す。図２から明らかなように、実施例１及び実施例２
の場合には、洗浄サイクルが７回、１４回及び２１回と
繰返されてもＲａは０．１２ｎｍ程度であり、大きな変
化は見られなかった。これに対して比較例１の場合に
は、シリコンウエーハはＳＣ−１洗浄液で５分間洗浄さ
れることによりＲａは約０．１２ｎｍから０．１４５ｎ
ｍ程度まで増加し、さらに１０分間及び１５分間洗浄さ
れることによりＲａは約０．１７ｎｍ程度まで増加し
た。このことから、実施例１〜２の洗浄方法は比較例１
の洗浄方法に比べてシリコンウエーハ表面の微小領域に
おける面荒れを抑制する能力が高いことが判る。
のシリコンウェーハの平均表面粗さ（Ｒａ）を原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した。その結果を図２に
示す。図２から明らかなように、実施例１及び実施例２
の場合には、洗浄サイクルが７回、１４回及び２１回と
繰返されてもＲａは０．１２ｎｍ程度であり、大きな変
化は見られなかった。これに対して比較例１の場合に
は、シリコンウエーハはＳＣ−１洗浄液で５分間洗浄さ
れることによりＲａは約０．１２ｎｍから０．１４５ｎ
ｍ程度まで増加し、さらに１０分間及び１５分間洗浄さ
れることによりＲａは約０．１７ｎｍ程度まで増加し
た。このことから、実施例１〜２の洗浄方法は比較例１
の洗浄方法に比べてシリコンウエーハ表面の微小領域に
おける面荒れを抑制する能力が高いことが判る。
【００１５】(b) 微小欠陥（Light Point Defect）の変
化量 実施例１、実施例２及び比較例１のそれぞれのシリコン
ウエーハの所定領域における洗浄前後の微小欠陥をパー
ティクルカウンターを用いて微小欠陥のサイズ毎に測定
した。洗浄前の微小欠陥の数をＮ0とし、洗浄後の微小
欠陥をＮ1として、微小欠陥の変化量△Ｎ＝Ｎ1−Ｎ0を
求めた。その結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に、実施例１及び実施例２の場合には、０．１７μｍ以
上の大きな微小欠陥は増加しないのに対し、比較例１で
は、０．１７μｍ以上の大きな微小欠陥も増加した。こ
のことから、実施例１〜２の洗浄方法は比較例１の洗浄
方法に比べて、ピット等の微小欠陥のサイズ増大を抑制
する能力が高いことが判る。
化量 実施例１、実施例２及び比較例１のそれぞれのシリコン
ウエーハの所定領域における洗浄前後の微小欠陥をパー
ティクルカウンターを用いて微小欠陥のサイズ毎に測定
した。洗浄前の微小欠陥の数をＮ0とし、洗浄後の微小
欠陥をＮ1として、微小欠陥の変化量△Ｎ＝Ｎ1−Ｎ0を
求めた。その結果を図３に示す。図３から明らかなよう
に、実施例１及び実施例２の場合には、０．１７μｍ以
上の大きな微小欠陥は増加しないのに対し、比較例１で
は、０．１７μｍ以上の大きな微小欠陥も増加した。こ
のことから、実施例１〜２の洗浄方法は比較例１の洗浄
方法に比べて、ピット等の微小欠陥のサイズ増大を抑制
する能力が高いことが判る。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の洗浄方法で
は、シリコンウェーハを酸化した後、還元する工程を繰
返すことにより、シリコンウェーハの加工により生じる
ピット等の微小欠陥のサイズ増大を抑制することがで
き、またシリコンウエーハ表面の微小領域における面荒
れを抑制できる。
は、シリコンウェーハを酸化した後、還元する工程を繰
返すことにより、シリコンウェーハの加工により生じる
ピット等の微小欠陥のサイズ増大を抑制することがで
き、またシリコンウエーハ表面の微小領域における面荒
れを抑制できる。
【図１】本発明の実施の形態の洗浄工程を示す図。
【図２】実施例１、実施例２及び比較例１の洗浄後のシ
リコンウェーハ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）を示す図。
リコンウェーハ表面の平均表面粗さ（Ｒａ）を示す図。
【図３】実施例１、実施例２及び比較例１の洗浄後のシ
リコンウェーハの微小欠陥の変化量（△Ｎ）を示す図。
リコンウェーハの微小欠陥の変化量（△Ｎ）を示す図。
１１ シリコンウエーハの酸化工程 １２ シリコンウエーハの還元工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 剛 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社シリコン研究センタ ー内 (72)発明者 高田 涼子 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社シリコン研究センタ ー内 (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社シリコン研究センタ ー内 Ｆターム(参考） 5F043 AA02 BB27 DD30 GG10
Claims (7)
- 【請求項１】 シリコンウェーハを酸化する工程と前記
酸化したシリコンウエーハを還元する工程とを含むシリ
コンウエーハの洗浄方法。 - 【請求項２】 シリコンウェーハの酸化と前記シリコン
ウエーハの還元が繰返し行われる請求項１記載の洗浄方
法 - 【請求項３】 シリコンウエーハの酸化が溶存オゾン水
溶液に浸漬することにより行われる請求項１又は２記載
の洗浄方法。 - 【請求項４】 シリコンウエーハの還元がフッ酸又はフ
ッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しくは有機酸塩の
混合液に浸漬することにより行われる請求項１又は２記
載の洗浄方法。 - 【請求項５】 フッ酸の濃度が０．００５〜０．２５重
量％である請求項４記載の洗浄方法。 - 【請求項６】 有機酸若しくは有機酸塩の濃度が０．０
００１重量％以上である請求項４又は５記載の洗浄方
法。 - 【請求項７】 有機酸若しくは有機酸塩がクエン酸、コ
ハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル
酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、安息香酸、
アクリル酸、アジピン酸、マロン酸、リンゴ酸、フタル
酸、グリコール酸、テレフタル酸及びフマル酸からなる
群より選ばれた１種又は２種以上の有機酸又はその塩で
ある請求項４ないし６いずれか記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078993A JP2000277473A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11078993A JP2000277473A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277473A true JP2000277473A (ja) | 2000-10-06 |
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ID=13677432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078993A Pending JP2000277473A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | シリコンウエーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277473A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329691A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| WO2004093172A1 (ja) * | 2003-04-16 | 2004-10-28 | Sekisui Chemical Co. Ltd. | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
| JP2007150167A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法 |
| WO2007129555A1 (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | 半導体基板の製造方法、ソーラー用半導体基板及びエッチング液 |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP11078993A patent/JP2000277473A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4795430B2 (ja) * | 2006-05-02 | 2011-10-19 | 三益半導体工業株式会社 | 半導体基板の製造方法及びエッチング液 |
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