JP2000277563A

JP2000277563A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2000277563A
Application number: JP11080823A
Authority: JP
Inventors: Naoki Fujita; 直樹藤田; Fujihiko Inomata; 藤彦猪又
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1999-03-25
Filing date: 1999-03-25
Publication date: 2000-10-06

Abstract

(57)【要約】【課題】パッケージを薄型化する。【解決手段】ＦＬＰトランジスタはペレット１０と、
３本のインナリード３７、３８、３９と、ペレット１０
およびインナリード群を樹脂封止した樹脂封止体４９と
を備えている。ペレット１０のコレクタ用電極パッド１
１、ベース用電極パッド１２、エミッタ用電極パッド１
３はコレクタ用インナリード３７にバンプから形成され
た接続端子４４、４５、４６によってフェイスダウンボ
ンディングされている。ベース用電極パッド１２、エミ
ッタ用電極パッド１３は金膜４２、４３に一端がボンデ
ィングされたワイヤ４７、４８によってベース用インナ
リード３７、エミッタ用インナリード３８に電気的に接
続されている。【効果】ワイヤはペレットの上ではなくインナリード
の上同士に橋絡された状態になるため、ワイヤのフープ
高さを維持しつつワイヤの全高を低くでき、パッケージ
を薄型化できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、電子回路要素が作り込まれた半導体ペレットのイン
ナリードとの接続技術に関し、例えば、表面実装形の樹
脂封止パッケージを備えたトランジスタに利用して有効
なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】表面実装が可能なトランジスタのパッケ
ージとして、フラット・リード・パッケージ（以下、Ｆ
ＬＰという。）がある。すなわち、ＦＬＰを備えたトラ
ンジスタは、トランジスタ素子を作り込まれた半導体ペ
レットが中央のインナリードにフェイスアップにボンデ
ィングされており、半導体ペレットのベース電極および
エミッタ電極が両脇のインナリードにワイヤボンディン
グによって電気的に接続されており、各インナリードに
それぞれ連結されたアウタリードの下面が半導体ペレッ
ト、インナリード群およびワイヤ群を樹脂封止した樹脂
封止体の下面に一致して露出されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】携帯電話や携帯形電子
端末等の進展に伴って、半導体集積回路装置（ＩＣ）の
パッケージに限らず、ディスクリート製品のパッケージ
の薄型化小型化が要求されており、前記したトランジス
タのＦＬＰも例外ではない。しかしながら、前記したＦ
ＬＰにおいては、半導体ペレットの電極とインナリード
との間に橋絡されるワイヤのフープ高さによって短距離
化、低フープ化が技術的に制約されるため、パッケージ
の薄型化に限界がある。

【０００４】本発明の目的は、ワイヤのフープ高さによ
る制約を解消することができる半導体装置を提供するこ
とにある。

【０００５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００７】すなわち、電子回路要素が作り込まれた半
導体ペレットがインナリードにフェイスダウンにボンデ
ィングされており、前記半導体ペレットの電極が前記イ
ンナリードと他のインナリードとの間に橋絡されたワイ
ヤによって電気的に接続されていることを特徴とする。

【０００８】前記した手段によれば、ワイヤが半導体ペ
レットの上ではなくインナリードの上同士に橋絡されて
いるため、ワイヤのフープ高さを維持しつつワイヤの全
高（インナリードからフープ頂点までの高さ）を低くす
ることができる。したがって、パッケージを薄型化する
ことができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
トランジスタを示しており、（ａ）は平面断面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図、（ｃ）は
（ａ）のｃ−ｃ線に沿う正面断面図である。図２は本発
明の他の実施形態であるトランジスタの製造方法におけ
るペレットボンディング工程前を示す斜視図である。図
３は同じくワイヤボンディング後を示す斜視図である。

【００１０】本実施形態に係るＦＬＰを備えたトランジ
スタ（以下、トランジスタという）は、バイポーラトラ
ンジスタ素子が作り込まれ小形の平板形状に形成された
半導体ペレット（以下、ペレットという。）１０と、ト
ランジスタを電気的に外部に引き出すための３本のイン
ナリード３７、３８、３９と、ペレット１０およびイン
ナリード群を樹脂封止した樹脂封止体４９とを備えてい
る。ペレット１０はコレクタ用インナリード３７におい
て、アクティブ・エリア側主面（以下、上面とする。）
のコレクタ用電極パッド１１、ベース用電極パッド１
２、エミッタ用電極パッド１３にバンプから形成された
接続端子４４、４５、４６によってフェイスダウンボン
ディングされ、ベース用電極パッド１２、エミッタ用電
極パッド１３は金膜４２、４３にボンディングされたワ
イヤ４７、４８を介してベース用インナリード３８、エ
ミッタ用インナリード３９に電気的に接続されている。

【００１１】以下、本発明の一実施形態であるトランジ
スタの製造方法を説明する。この説明により、前記トラ
ンジスタ１についての構成の詳細が明らかにされる。

【００１２】このトランジスタの製造方法においては、
図２に示されているペレット１０および多連リードフレ
ーム３０が使用される。ペレット１０は半導体装置の製
造工程における所謂前工程においてウエハ状態にてバイ
ポーラトランジスタ素子を適宜作り込まれた後に、小さ
い正方形の薄板形状に分断（ダイシング）されることに
より製作されたものである。ペレット１０のアクティブ
・エリア側主面にはコレクタ用電極パッド１１、ベース
用電極パッド１２およびエミッタ用電極パッド１３が形
成され、コレクタ用電極パッド１１、ベース用電極パッ
ド１２およびエミッタ用電極パッド１３にはコレクタ用
バンプ１４、ベース用バンプ１５およびエミッタ用バン
プ１６がそれぞれ突設されている。これらバンプ１４、
１５、１６は金（Ａｕ）からなるスタッドバンプによっ
てそれぞれ形成されている。すなわち、ネイルヘッド式
ワイヤボンディング装置によってバンプに金線の先端の
ボールが第一ボンディングされた後に、ボールが金線と
の付け根において引き千切られてスタッドバンプは形成
される。

【００１３】図２に示されている多連リードフレーム３
０は、銅合金等の導電性が良好な材料からなる薄板が用
いられて打抜きプレス加工により一体成形されている。
多連リードフレーム３０は単位リードフレーム３１が一
方向に一列に並べられて形成されている。但し、以下の
説明および図面では一単位のみが示されている。単位リ
ードフレーム３１は外枠３２を一対備えており、両外枠
３２、３２は所定の間隔で平行になるように配されて一
連にそれぞれ延設されている。隣合う単位リードフレー
ム３１、３１間には一対のセクション枠３３が両外枠３
２、３２の間に互いに平行に配されて一体的に架設され
ており、これら外枠、セクション枠によって形成される
略長方形の枠体（フレーム）内に単位リードフレーム３
１が構成されている。

【００１４】各単位リードフレーム３１において、一方
の外枠３２の中央部にはコレクタ用アウタリード３４が
直角に突設されており、他方の外枠３２の両端部（以
下、左端部および右端部とする。）にはベース用アウタ
リード３５およびエミッタ用アウタリード３６がそれぞ
れ直角に突設されている。コレクタ用アウタリード３４
の先端部にはコレクタ用インナリード３７が形成されて
おり、ベース用アウタリード３５およびエミッタ用アウ
タリード３６の各先端部にはベース用インナリード３８
およびエミッタ用インナリード３９がそれぞれ形成され
ている。コレクタ用インナリード３７はペレット１０の
平面形状よりも大きい略正方形の板形状に形成されてお
り、コレクタ用インナリード３７の左右にそれぞれ配置
されたベース用インナリード３８およびエミッタ用イン
ナリード３９は長方形の板形状に形成されている。コレ
クタ用インナリード３７、ベース用インナリード３８お
よびエミッタ用インナリード３９は中間部をそれぞれク
ランク形状に形成されることにより、コレクタ用アウタ
リード３４、ベース用アウタリード３５およびエミッタ
用アウタリード３６の平面よりも持ち上げられた状態に
なっている。

【００１５】コレクタ用インナリード３７の一主面（以
下、上面とする。）におけるコレクタ用バンプ１４に対
向する位置には、導電膜であるコレクタ用金膜４１が被
着されている。コレクタ用インナリード３７の上面にお
けるベース用バンプ１５およびエミッタ用バンプ１６を
含む領域には、絶縁性接着剤等からなる絶縁膜４０が敷
設されており、絶縁膜４０のベース用バンプ１５および
エミッタ用バンプ１６にそれぞれ対向する位置には、導
電膜であるベース用金膜４２およびエミッタ用金膜４３
がそれぞれ形成されている。ベース用金膜４２およびエ
ミッタ用金膜４３はベース用バンプ１５およびエミッタ
用バンプ１６に対向する位置からコレクタ用アウタリー
ド３４と反対側の端辺までそれぞれ延長されている。

【００１６】コレクタ用バンプ１４、ベース用バンプ１
５およびエミッタ用バンプ１６が突設されたペレット１
０は、単位リードフレーム３１のコレクタ用インナリー
ド３７に図２に示されているように対向されてフェイス
ダウンボンディングされる。この際、多連リードフレー
ム３０はペレットボンディング装置によって一方向に歩
進送りされ、ボンディングステージにおいて単位リード
フレーム３１毎にペレット１０がフェイスダウンボンデ
ィングされる。すなわち、ボンディングステージにおい
て、ペレット１０はコレクタ用インナリード３７にコレ
クタ用バンプ１４がコレクタ用金膜４１に、ベース用バ
ンプ１５がベース用金膜４２に、エミッタ用バンプ１６
がエミッタ用金膜４３にそれぞれ整合するように対向さ
れ、ボンディング工具により熱圧着される。

【００１７】コレクタ用バンプ１４がコレクタ用金膜４
１に熱圧着されると、金−金結合層が形成されるため、
コレクタ用電極パッド１１はコレクタ用バンプ１４によ
って形成されたコレクタ用接続端子４４によってコレク
タ用インナリード３７に機械的かつ電気的に接続された
状態になる。ベース用バンプ１５がベース用金膜４２に
熱圧着されると、ベース用金膜４２は絶縁膜４０の上に
形成されているため、ベース用電極パッド１２はベース
用バンプ１５によって形成されたベース用接続端子４５
によってコレクタ用インナリード３７に機械的に接続さ
れた状態になる。エミッタ用バンプ１６がエミッタ用金
膜４３に熱圧着されると、エミッタ用金膜４３は絶縁膜
４０の上に形成されているため、エミッタ用電極パッド
１３はエミッタ用バンプ１６によって形成されたエミッ
タ用接続端子４６によってコレクタ用インナリード３７
に機械的に接続された状態になる。

【００１８】以上のようにしてペレット１０がフェイス
ダウンボンディングされたコレクタ用インナリード３７
と両脇のベース用インナリード３８およびエミッタ用イ
ンナリード３９との間には、ワイヤボンディング工程に
おいて、ベース用ワイヤ４７、エミッタ用ワイヤ４８が
図３に示されているように橋絡される。すなわち、ベー
ス用ワイヤ４７の両端部はコレクタ用インナリード３７
上のベース用金膜４２の前側端部と、ベース用インナリ
ード３８の中間部にそれぞれボンディングされる。エミ
ッタ用ワイヤ４８の両端部はコレクタ用インナリード３
７上のエミッタ用金膜４３の前側端部と、エミッタ用イ
ンナリード３９の中間部にそれぞれボンディングされ
る。

【００１９】この状態において、ペレット１０のコレク
タ用電極パッド１１はコレクタ用接続端子４４、コレク
タ用金膜４１およびコレクタ用インナリード３７を介し
てコレクタ用アウタリード３４に電気的に接続されてい
る。ベース用電極パッド１２はベース用接続端子４５、
ベース用金膜４２、ベース用ワイヤ４７およびベース用
インナリード３８を介してベース用アウタリード３５に
電気的に接続されている。エミッタ用電極パッド１３は
エミッタ用接続端子４６、エミッタ用金膜４３、エミッ
タ用ワイヤ４８およびエミッタ用インナリード３９を介
してエミッタ用アウタリード３６に電気的に接続されて
いる。

【００２０】以上のようにしてペレットボンディングさ
れワイヤボンディングされた多連リードフレーム３０に
は、樹脂封止体４９が樹脂封止体成形工程においてトラ
ンスファ成形装置によって図１に示されているように成
形される。樹脂封止体４９内部にはペレット１０、３本
のインナリード３７、３８、３９が樹脂封止された状態
になっており、三本のアウタリード３４、３５、３６の
下面は樹脂封止体４９の下面に面一になった状態で露出
している。

【００２１】以上のようにして樹脂封止体４９を成形さ
れた多連リードフレーム３０は、リードフレーム切断工
程において、外枠３２、セクション枠３３を切り落とさ
れる。これにより、図１に示されているトランジスタが
製造されたことになる。

【００２２】前記実施形態によれば、次の効果が得られ
る。

【００２３】1) ペレットをインナリードにフェイスダ
ウンにボンディングし、ペレットの電極をインナリード
と他のインナリードとの間に橋絡されたワイヤによって
電気的に接続することにより、ワイヤはペレットの上で
はなくインナリードの上同士に橋絡された状態になるた
め、ワイヤのフープ高さを維持しつつワイヤの全高（イ
ンナリードからフープ頂点までの高さ）を低くすること
ができる。

【００２４】2) ワイヤの全高を低くすることにより、
樹脂封止体の全高を低くすることができるため、パッケ
ージを薄型化することができる。

【００２５】図４は本発明の実施形態２であるトランジ
スタを示しており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）の
ｃ−ｃ線に沿う正面断面図である。図５はそのトランジ
スタの製造方法におけるペレットボンディング工程前を
示す斜視図である。

【００２６】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
ペレット１０がコレクタ用インナリード３７、ベース用
インナリード３８およびエミッタ用インナリード３９間
にフェイスダウンにボンディングされており、コレクタ
用電極パッド１１、ベース用電極パッド１２およびエミ
ッタ用電極パッド１３がコレクタ用接続端子４４、ベー
ス用接続端子４５およびエミッタ用接続端子４６によっ
てコレクタ用インナリード３７、ベース用インナリード
３８およびエミッタ用インナリード３９にそれぞれ機械
的かつ電気的に接続されている点である。

【００２７】本実施形態によれば、ワイヤボンディング
工程を省略することができるため、前記実施形態の効果
に加えて、生産性を高めることができる。

【００２８】図６は本発明の実施形態３であるトランジ
スタを示しており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）の
ｃ−ｃ線に沿う正面断面図である。図７はそのトランジ
スタの製造方法におけるペレットボンディング工程前を
示す斜視図である。

【００２９】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
ペレット１０がコレクタ用インナリード３７、ベース用
インナリード３８およびエミッタ用インナリード３９間
にテープ・オートメイテッド・ボンディング（以下、Ｔ
ＡＢという。）されて機械的かつ電気的に接続されてい
る点である。

【００３０】本実施形態のトランジスタの製造方法にお
いては、ＴＡＢを実施するためのテープキャリアが使用
される。図７に示されているように、テープキャリアの
テープの一部によって形成されたサポートリング２０の
一主面（以下、下面とする。）にはテープキャリアの三
本のリード２１、２２、２３がＴ字形状に配置されて固
定されており、三本のリード２１、２２、２３のインナ
部間にはペレット１０がＴＡＢ法における所謂インナリ
ードボンディングを実施されて機械的かつ電気的に接続
されている。すなわち、三本のリード２１、２２、２３
のインナ部の上面にはペレット１０のコレクタ用電極パ
ッド１１、ベース用電極パッド１２およびエミッタ用電
極パッド１３がコレクタ用接続端子４４、ベース用接続
端子４５およびエミッタ用接続端子４６によって機械的
かつ電気的に接続されている。

【００３１】ペレット１０がインナリードボンディング
された図７に示されているＴＡＢ組立体２４は、単位リ
ードフレーム３１のコレクタ用インナリード３７、ベー
ス用インナリード３８およびエミッタ用インナリード３
９にＴＡＢ法における所謂アウタリードボンディングを
実装されて機械的かつ電気的に接続される。すなわち、
コレクタ用接続端子４４によってコレクタ用電極パッド
１１が電気的に接続されたリード２１のアウタ部の下面
はコレクタ用インナリード３７にアウタリードボンディ
ングされ、ベース用接続端子４５によってベース用電極
パッド１２が電気的に接続されたリード２２のアウタ部
の下面はベース用インナリード３８にアウタリードボン
ディングされ、エミッタ用接続端子４６によってエミッ
タ用電極パッド１３が電気的に接続されたリード２３の
アウタ部の下面はエミッタ用インナリード３９にアウタ
リードボンディングされる。なお、アウタリードボンデ
ィングは所謂スポット溶接によって実施することもでき
るし、リフロー半田付けによっても実施することができ
る。

【００３２】本実施形態によれば、ペレットの上面にワ
イヤが張られないので、前記実施形態と同様の効果が得
られる。

【００３３】図８は本発明の実施形態３であるトランジ
スタを示しており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）の
ｃ−ｃ線に沿う正面断面図である。図９はそのトランジ
スタの製造方法におけるペレットボンディング工程前を
示す斜視図である。

【００３４】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
ペレット１０が配線基板２５にフェイスダウンにボンデ
ィングされており、配線基板２５にコレクタ用インナリ
ード３７、ベース用インナリード３８およびエミッタ用
インナリード３９が機械的かつ電気的に接続されている
点である。

【００３５】すなわち、本実施形態のトランジスタの製
造方法においては、図９に示されている配線基板２５が
使用される。図９に示されているように、配線基板２５
はセラミック等の絶縁基板によって略正方形の板形状に
形成された本体２６を備えており、本体２６の一主面
（以下、上面とする。）にはコレクタ用電気配線２７、
ベース用電気配線２８およびエミッタ用電気配線２９が
各側面にかけてそれぞれ形成されている。配線基板２５
は単位リードフレーム３１のコレクタ用インナリード３
７、ベース用インナリード３８およびエミッタ用インナ
リード３９間に挿入されて、その側面において、コレク
タ用電気配線２７、ベース用電気配線２８およびエミッ
タ用電気配線２９がコレクタ用インナリード３７、ベー
ス用インナリード３８およびエミッタ用インナリード３
９にそれぞれ機械的かつ電気的に接続される。なお、各
電気配線の各インナリードへの接続はリフロー半田付け
等によって実施することができる。

【００３６】そして、配線基板２５のコレクタ用電気配
線２７、ベース用電気配線２８およびエミッタ用電気配
線２９の上面にはペレット１０のコレクタ用電極パッド
１１、ベース用電極パッド１２およびエミッタ用電極パ
ッド１３がコレクタ用接続端子４４、ベース用接続端子
４５およびエミッタ用接続端子４６によって図８に示さ
れているように機械的かつ電気的に接続される。

【００３７】本実施形態によれば、ペレットの上面にワ
イヤが張られないので、前記実施形態と同様の効果が得
られる。

【００３８】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００３９】例えば、バンプはペレット側に配設するに
限らず、インナリードやテープキャリアのリードおよび
配線基板側に配設してもよい。

【００４０】また、バンプは金線を使用したスタッドバ
ンプによって形成するに限らず、半田等の導電性を有す
る材料を使用したスタッドバンプや、金めっき加工によ
って形成してもよい。

【００４１】接続端子はバンプによる金−金結合によっ
て形成するに限らず、金−錫等の共晶結合によって形成
してもよいし、半田材料を使用したＣＣＢ結合等によっ
て形成してもよい。さらには、異方導電接着剤を使用し
てバンプを接着することにより、形成してもよい。

【００４２】前記実施形態１において、ペレットはコレ
クタ用インナリードにフェイスダウンボンディングする
に限らず、エミッタ用インナリードまたはベース用イン
ナリードにフェイスダウンボンディングしてもよい。

【００４３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるバイポ
ーラトランジスタに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）や、パワートランジスタ、トランジスタアレ
ー、半導体集積回路装置（ＩＣ）等の半導体装置全般に
適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４５】インナリードの下面からペレットの上面ま
での寸法を小さく抑制することができるため、パッケー
ジを薄型化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるトランジスタを示し
ており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ
線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
正面断面図である。

【図２】本発明の一実施形態であるトランジスタの製造
方法におけるペレットボンディング工程前を示す斜視図
である。

【図３】同じくワイヤボンディング後を示す斜視図であ
る。

【図４】本発明の実施形態２であるトランジスタを示し
ており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ
線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
正面断面図である。

【図５】そのトランジスタの製造方法におけるペレット
ボンディング工程前を示す斜視図である。

【図６】本発明の実施形態３であるトランジスタを示し
ており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ
線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
正面断面図である。

【図７】そのトランジスタの製造方法におけるペレット
ボンディング工程前を示す斜視図である。

【図８】本発明の実施形態３であるトランジスタを示し
ており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ
線に沿う側面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う
正面断面図である。

【図９】そのトランジスタの製造方法におけるペレット
ボンディング工程前を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…トランジスタ（半導体装置）、１０…ペレット、１
１…コレクタ用電極パッド、１２…ベース用電極パッ
ド、１３…エミッタ用電極パッド、１４…コレクタ用バ
ンプ、１５…ベース用バンプ、１６…エミッタ用バン
プ、２０…サポートリング、２１、２２、２３…リー
ド、２４…ＴＡＢ組立体、２５…配線基板、２６…本
体、２７…コレクタ用電気配線、２８…ベース用電気配
線、２９…エミッタ用電気配線、３０…多連リードフレ
ーム、３１…単位リードフレーム、３２…外枠、３３…
セクション枠、３４…コレクタ用アウタリード、３５…
ベース用アウタリード、３６…エミッタ用アウタリー
ド、３７…コレクタ用インナリード、３８…ベース用イ
ンナリード、３９…エミッタ用インナリード、４０…絶
縁膜、４１…コレクタ用金膜（導電膜）、４２…ベース
用金膜（導電膜）、４３…エミッタ用金膜（導電膜）、
４４…コレクタ用接続端子、４５…ベース用接続端子、
４６…エミッタ用接続端子、４７…ベース用ワイヤ、４
８…エミッタ用ワイヤ、４９…樹脂封止体。

フロントページの続き (72)発明者猪又藤彦東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業本部内Ｆターム(参考） 5F044 MM02 MM22 NN07 NN14 NN22 RR19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子回路要素が作り込まれた半導体ペレ
ットがインナリードにフェイスダウンにボンディングさ
れており、前記半導体ペレットの電極が前記インナリー
ドと他のインナリードとの間に橋絡されたワイヤによっ
て電気的に接続されていることを特徴とする半導体装
置。
【請求項２】前記半導体ペレットがバンプによって形
成された複数個の接続端子によって前記インナリードに
ボンディングされていることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。
【請求項３】前記接続端子のうち少なくとも一個が前
記インナリードに電気的に接続されていることを特徴と
する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】前記インナリードに絶縁膜が形成され、
この絶縁膜の上に導電膜が形成されており、この導電膜
に前記接続端子が機械的かつ電気的に接続され、この導
電膜に前記ワイヤがボンディングされていることを特徴
とする請求項１、２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】前記半導体ペレットおよび前記インナリ
ードが樹脂封止体によって樹脂封止されており、前記イ
ンナリードに連結したアウタリードの一主面が前記樹脂
封止体の一主面に一致されていることを特徴とする請求
項１、２、３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】電子回路要素が作り込まれた半導体ペレ
ットが複数本のインナリード間にフェイスダウンにボン
ディングされて、各インナリードに機械的かつ電気的に
接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】前記半導体ペレットがバンプによって形
成された複数個の接続端子によって前記各インナリード
にそれぞれ機械的かつ電気的に接続されていることを特
徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】電子回路要素が作り込まれた半導体ペレ
ットが複数本のインナリード間にテープ・オートメイテ
ィッド・ボンディングされており、各インナリードに電
気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】電子回路要素が作り込まれた半導体ペレ
ットが配線基板にフェイスダウンにボンディングされて
おり、前記配線基板に複数本のインナリードが機械的か
つ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装
置。
【請求項１０】前記半導体ペレットがバンプによって
形成された複数個の接続端子によって前記配線基板の電
気配線にボンディングされていることを特徴とする請求
項９に記載の半導体装置。