JP2000281485A - 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ネック部から把持手段への単結晶の荷重移動
の際の速度制御を不要とし、かつ種結晶と径大部の下方
のくびれを共にワイヤ方式で引き上げる場合に引き上げ
装置の高さが大きくなることを防止する。 【解決手段】 主ドラム８は種結晶１４が先端に取り付
けられる主ワイヤ７を昇降させるために主モータ９によ
り回転する。副ドラム２７ａ，２７ｂは主ドラム８と同
軸に配置され、単結晶２のくびれ２ｃを係止して支持す
るくびれ係止部３０が先端に取り付けられる副ワイヤ２
０ａ、２０ｂを昇降させるために主モータ９により主ド
ラム８と一体で、又は副モータ２１により主ドラム８と
独立して選択的に回転する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、引き上げＣＺ（Cz
ochralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結
晶を製造するための単結晶引き上げ装置及び単結晶引き
上げ方法に関し、特に径大部を係止して単結晶を引き上
げる機構及びそれを用いた方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、引き上げＣＺ法による単結晶製
造装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減
圧して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チ
ャンバ内の下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加
熱して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬
し、種結晶と石英ルツボを回転、上下移動させながら種
結晶を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出
した円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端
が突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわ
ゆるインゴット）を成長させるように構成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような装置におい
て、種結晶を支持して単結晶の垂直軸の回りを回転させ
ながら垂直方向に引き上げる機構としては、ワイヤによ
る方式とシャフトによる方式が知られている。シャフト
方式は単結晶を引き上げるにつれてシャフトが上方に移
動するので、装置の高さが大きくなるという問題点があ
り、また、そのためクリーンルームが大きくなり、コス
ト高となる。これに対し、ワイヤ方式は単結晶を引き上
げるにつれてワイヤをドラムにより巻き取ることができ
るので、装置の高さが大きくならない。

【０００４】また、近年では、単結晶が大口径化してそ
の分、重量も重くなり、種結晶を引き上げるのみではダ
ッシュネック部がその重量に耐えきれないので、ダッシ
ュネック部の下に「径大部（径拡大部）」を形成してそ
の下に「径小部」を形成することにより「環状のくび
れ」を形成し、この「環状のくびれ」を別の係止部材
（以下、くびれ係止部材）で係止して引き上げる方式が
知られている。そして、くびれ係止部材を引き上げる機
構も同様に、ワイヤ方式の方が装置の高さが大きくなら
ない。

【０００５】しかしながら、種結晶と径大部の下方のく
びれを共にワイヤ方式で引き上げる機構において２つの
ドラムを上下方向に配置するとその分、装置の高さが大
きくなるという問題点がある。また、ワイヤを巻き取る
ドラムは、単結晶を引き上げ方向に相当する垂直軸を中
心に回転させるために同様に回転するので、ドラム表面
にワイヤを巻き付ける形でワイヤをその軸方向に巻き取
ると、鉛直方向につり下げられているワイヤの水平方向
の垂下位置が移動してしまい、引き上げ方向が鉛直方向
ではなくなってしまうので、これを防止しなければなな
らない。

【０００６】なお、他の従来例として、特開平５−２７
０９７４号公報、特開平５−２７０９７５号公報、特開
平５−３０１７９３号公報に示されるものがあるが、こ
れらの技術では、種結晶の引き上げ機構と把持装置の引
き上げ機構は異なる駆動源からなるが、これらをどのよ
うに同期運転するかの開示あるいは示唆がない。

【０００７】さらに、特開平９−２８９３号公報では、
種結晶の引き上げ機構と把持装置の引き上げ機構は異な
る駆動源からなり、これらは同期運転あるいは独立して
運転される旨の開示があるが、同期運転の場合その制御
工程が複雑であり、制御に要する装置も複雑かつ高コス
トである。さらに、特公平７−５１５号公報では、把持
装置を単結晶のくびれに係合させるための上下動機構が
種結晶の引き上げ機構を形成するシャフトに設けられ、
係合後は種結晶の引き上げ機構の制御のみで把持装置を
も種結晶と同期して引き上げる構成が開示されてはいる
が、係合部を停止させるための有効な手段についての開
示や示唆がなく、実現性に乏しいと言わざるを得ない。
また、特公平７−５１５号公報の技術では、単結晶の引
き上げ機構がシャフトを有するため、引き上げ装置の高
さが高くなってしまうという問題がある。さらに、同公
報の技術では把持装置の昇降機構、すなわち金属同士が
接触する機械駆動部が、高温の引き上げチャンバ内にあ
るため、耐熱対策が困難であったり、高温下において機
械的機構が十分に機能しないことがあるという不具合が
あり、また、昇降機構の機械的接触部分で発生したパー
ティクルの影響により単結晶の有転位化を招くおそれが
ある。

【０００８】上述の特開平９−２８９３号公報での種結
晶の引き上げ速度と把持機構の引き上げ速度の同期制御
は、種結晶の引き上げ用ワイヤを巻き取るワイヤドラム
と把持手段が連結された引き上げドライブの２つの引き
上げ速度を相互に調整することで実現しているものであ
り、制御機構と制御プロセスが複雑で装置の設計、製造
のコストが高くまた保守を容易に行うことが困難である
という問題がある。

【０００９】本発明は上記従来の問題点に鑑み、単結晶
の荷重がネック部から把持手段へ移行する際の速度制御
が不要で、単結晶の引き上げに際し、結晶の自重をネッ
ク部からくびれなどの把持位置にスムーズかつソフトに
移動させることができ、また、高温下の影響及びパーテ
ィクル混入の問題を回避し、かつ種結晶と径大部の下方
のくびれを共にワイヤ方式で引き上げる場合に装置の高
さが大きくなることを防止することができる単結晶引き
上げ装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、種結晶を引き上げるためのドラムと径大部
の下方のくびれを引き上げるためのドラムを単結晶引き
上げチャンバの外部に同軸に配置して、一体又は独立し
て選択的に回転可能に構成したものである。

【００１１】すなわち本発明によれば、種結晶が先端に
取り付けられる第１のワイヤをチャンバ内のルツボに対
して昇降させるために第１のモータにより回転可能な第
１のドラムと、前記第１のドラムと同軸に配置され、単
結晶の下方のくびれを係止して支持する係止部材が先端
に取り付けられる第２のワイヤを昇降させるために前記
第１のモータにより前記第１のドラムと一体で、さらに
第２のモータにより前記第１のドラムと独立して回転可
能な第２のドラムとを、有し、前記第１のドラムと前記
第２のドラムが前記ルツボ及び前記単結晶を格納するチ
ャンバの外部に位置するよう構成された単結晶引き上げ
装置が提供される。

【００１２】また、本発明によれば種結晶が先端に取り
付けられる第１のワイヤをチャンバ内のルツボに対して
昇降させるために第１のモータにより回転可能な第１の
ドラムと、前記第１のドラムと同軸に配置され、単結晶
の下方のくびれを係止して支持する係止部材が先端に取
り付けられる第２のワイヤを昇降させるために前記第１
のモータにより前記第１のドラムと一体で、さらに第２
のモータにより前記第１のドラムと独立して回転可能な
第２のドラムとを、有し、前記第１のドラムと前記第２
のドラムが前記ルツボ及び前記単結晶を格納するチャン
バの外部に位置するよう構成された単結晶引き上げ装置
による単結晶引き上げ方法であって、前記第１のモータ
により前記第１のドラムを回転させて種結晶を上昇させ
るとともに、前記種結晶に単結晶を成長させてくびれが
形成されるまで前記第２のモータを停止させた状態で前
記第１のモータにより前記第２のドラムを回転させて前
記係止部材を上昇させるステップと、次いで前記第２の
モータにより前記第２のドラムを回転させて前記係止部
材を前記径大部の下まで下降させるステップと、次いで
前記第２のモータにより前記第２のドラムを回転させて
前記係止部材を前記径大部に当接するまで上昇させるス
テップと、次いで前記第２のモータを停止させた状態で
前記第１のモータにより前記第２のドラムを回転させて
前記係止部材を上昇させるステップとを、有する単結晶
引き上げ方法が提供される。

【００１３】

【発明の実施の形態】＜第１の実施形態＞以下、図面を
参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明
に係る単結晶引き上げ装置の第１の実施形態の要部を示
す構成図、図２は図１の線Ａ−Ａ’から見た副モータス
ライド機構を示す側面断面図、図３は図１の単結晶引き
上げ装置の引き上げ動作を示す説明図である。

【００１４】図１において、略円筒形の結晶格納チャン
バ１内には、図示省略されているが原料が収容された石
英ルツボが配置され、石英ルツボの回りにはヒータが配
置され、ヒータの回りには断熱材などが配置されてい
る。結晶格納チャンバ１の上方であり、かつ結晶格納チ
ャンバ１の外部には、半導体結晶（単結晶）２を引き上
げる機構を収納するためのハウジング３が配置され、こ
のハウジング３はその下方に形成されたプーリ室３ａが
結晶回転テーブル４と、結晶回転用のモータ５とベルト
６により垂直軸のまわりを、すなわち引き上げ方向を中
心として回転可能に構成されている。

【００１５】ハウジング３内には、種結晶昇降用の主ワ
イヤ７を巻き取るための主ドラム８が水平な軸２２の回
りを回転可能なように配置されている。この場合、主ド
ラム８は主モータ９、主モータ連結ロッド１０、主モー
タ連結ギヤ１１ａ、主ドラム回転ギヤ１１ｂにより軸
（副ドラム連結ロッド）２２を中心に回転可能に、ま
た、回転時に主ワイヤ７の水平方向の垂下位置が常に一
定になるように、主ドラム送り機構１２により水平方向
に移動可能に支持されている。主ワイヤ７の先端は結晶
ホルダ１３を介して種結晶１４が取り付けられて結晶格
納チャンバ１内に吊り下げられている。

【００１６】主ドラム８の内部は中空で形成され、その
内壁には後述するくびれ係止部３０を昇降させるための
一対の副ワイヤ２０ａ、２０ｂを巻き取るための副モー
タ２１が主ドラム８と共に回転可能に、また、図２に詳
しく示すように副モータケーシング２１ａと、ケーシン
グ支持台２１ｂと、副モータスライドガイド２１ｃと副
モータスライドレール２１ｄにより水平方向（軸方向）
に移動可能に配置されている。すなわち、副モータ２１
は主ドラム８の内部空間に設けられていて、水平方向に
は移動可能であるが、その回転方向については主ドラム
８に固定されている。副モータ２１の軸は後述する２つ
の副ドラム２７ａ、２７ｂを連結する副ドラム連結ロッ
ド２２で構成され、また、副モータ２１は非通電時には
ブレーキ機構により副ドラム連結ロッド２２が副モータ
ケーシング２１ａに対して回転しないように構成されて
いる。また、副ドラム連結ロッド２２はその両端が主ド
ラム８の外であってハウジング３内に突出するように構
成されている。

【００１７】副ドラム連結ロッド２２には主ドラム８内
において副ドラム送りギヤ２３が固定（すなわち副ドラ
ム連結ロッド２２と共に回転可能に配置）され、副ドラ
ム送りギヤ２３は回転時に副ワイヤ２０ａ、２０ｂの水
平方向の垂下位置が常に一定になるように、主ドラム８
の内壁に設けられた副ドラム送り機構２４により水平方
向に移動可能に支持されている。副モータ２１の配線２
５は、回転時にねじれないようにスリップリング２６を
介してハウジング３外に取り出される。

【００１８】副ドラム連結ロッド２２の両端には、それ
ぞれ副ワイヤ２０ａ、２０ｂを巻き取るための副ドラム
２７ａ、２７ｂが取り付けられている。副ワイヤ２０
ａ、２０ｂの先端は、それぞれ副ワイヤ位置決めプーリ
２８ａ、２８ｂ、結晶重量検出機構（ロードセルユニッ
ト）２９ａ、２９ｂを介して結晶格納チャンバ１内に吊
り下げられている。以上の構成により、副モータ２１の
回転軸と副ドラム２７ａ、２７ｂの回転軸が回転力を伝
達可能な態様で、かつ副ドラム２７ａ、２７ｂの軸方向
に移動可能な態様で連結されていることになる。また、
副ドラム２７ａ、２７ｂの回転軸が回転力を伝達可能な
態様で、かつ副ドラム２７ａ、２７ｂの軸方向に移動可
能な態様で連結されていることになる。

【００１９】また、主ドラム８と副ドラム２７ａ、２７
ｂのそれぞれのワイヤ溝が軸に対して同一方向に傾斜し
ていて、かつ主ドラム８と副ドラム２７ａ、２７ｂのワ
イヤの巻き取り方向が同一である。また、主ドラム８と
副ドラム２７ａ、２７ｂのそれぞれのワイヤ巻き取り径
が同一に設定されているので、結晶の引き上げ速度と後
述する把持手段の上昇速度が一致することとなる。また
主ドラム８のワイヤと副ドラムのワイヤの一方又は双方
の垂下位置を規制する手段が設けられていて、垂下位置
を規制する手段に主ドラム８又は副ドラム２７ａ、２７
ｂにかかる単結晶重量を検出する重量検出手段を設ける
ことができる。また、主ドラム８と副ドラム２７ａ、２
７ｂの一方又は双方又はこれらのドラムの回転軸の一方
又は双方に主ドラム８又は副ドラム２７ａ、２７ｂにか
かる単結晶重量を検出する重量検出手段を設けることが
できる。

【００２０】副ワイヤ２０ａ、２０ｂの先端には把持手
段としてのくびれ係止部３０が取り付けられ、くびれ係
止部３０には２以上の係止爪３１ａ、３１ｂが設けられ
ている。係止爪３１ａ、３１ｂは回転自在に構成され、
また、水平な係止状態より下には回転しないようにスト
ッパ３２ａ、３２ｂにより支持されている。ここで、半
導体結晶２を製造する場合には、種結晶１４の下にダッ
シュネック部２ａを形成し、ダッシュネック部２ａの下
に径大部２ｂを形成し、径大部２ｂの下にくびれ２ｃを
形成する。ここでは径大部２ｂの下方の部分、すなわち
径が細くなっていく部分を便宜上、くびれ２ｃと呼んで
いる。係止爪３１ａ、３１ｂを径大部２ｂの上から下降
させると、係止爪３１ａ、３１ｂが径大部２ｂに当接し
て上方向に開き、次いで係止爪３１ａ、３１ｂが径大部
２ｂを乗り越えるとストッパ３２ａ、３２ｂにより水平
状態に支持されてくびれ２ｃ及びその上方の径大部２ｂ
の下端を支持可能になる。

【００２１】次に図３を参照して引き上げ動作を説明す
る。まず、図３（ａ）に示すように種結晶１４及びくび
れ係止部３０を半導体結晶２の原料である融液２’の上
方に待機させた状態から主モータ９を下降方向に回転
（副モータ２１は停止）させると、主ドラム８が下降方
向に回転して主ワイヤ７が下降し、また、このとき主ワ
イヤ７の水平方向の垂下位置が常に一定になるように水
平方向（右方向）に移動する。さらに、副モータ２１は
非通電時には副ドラム連結ロッド２２が副モータケーシ
ング２１ａに対して回転しないので、副モータ２１及び
副モータケーシング２１ａが主ドラム８と共に回転して
副ワイヤ２０ａ、２０ｂを下降させ、また、このとき副
ワイヤ２０ａ、２０ｂの水平方向の垂下位置が常に一定
になるように水平方向（右方向）に移動する。したがっ
て、種結晶１４及び、くびれ係止部３０が同じ速度で下
降する。そして、図３（ｂ）に示すように種結晶１４が
融液２’に浸漬すると主モータ９を停止（副モータ２１
も停止）させる。

【００２２】次に主モータ９を上昇方向に回転（副モー
タ２１は停止）させると、上記の構成により図３（ｃ）
に示すように種結晶１４及び、くびれ係止部３０が上昇
する。そして、上昇速度を制御することにより引き上げ
て種結晶１４の下にダッシュネック部２ａを形成し、ダ
ッシュネック部２ａの下に径大部２ｂを形成し、径大部
２ｂの下にくびれ２ｃを形成する。なお、図３（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び最終行程までは、主モータ
９を常に上昇方向に回転させるので特に説明しない。ま
た、図２（ａ）〜（ｆ）及び最終行程までは、ハウジン
グ３は結晶回転用モータ５により垂直軸の回りを常に回
転している。

【００２３】次に図３（ｄ）に示すように副モータ２１
に通電して副ドラム連結ロッド２２、副ドラム２７ａ、
２７ｂを下降方向に回転させると副ワイヤ２０ａ、２０
ｂ、くびれ係止部３０が下降する。そして、くびれ係止
部３０が徐々に下降して係止爪３１ａ、３１ｂが上昇中
の径大部２ｂにより上方向に開き、次いで係止爪３１
ａ、３１ｂが径大部２ｂを乗り越えてストッパ３２ａ、
３２ｂにより水平状態に支持される。そして、係止爪３
１ａ、３１ｂがくびれ２ｃより下に下降すると、図３
（ｅ）に示すように係止爪３１ａ、３１ｂを上昇させ、
次いでくびれ２ｃに当接したことを結晶重量検出機構２
９ａ、２９ｂが検出すると上昇を停止させる。そして、
この状態で主モータ９を上昇方向に回転（副モータ２１
は停止）させると、図３（ｆ）に示すように径大部２ｂ
の下方のくびれ２ｃが係止爪３１ａ、３１ｂにより支持
されて半導体結晶２が上昇する。

【００２４】＜第２の実施形態＞図４は第２の実施形態
の要部を示す構成図、図５は図４の線Ｂ−Ｂ’から見た
副モータスライド機構を示す側面断面図である。上記の
第１の実施形態では副モータケーシング２１ａが主ドラ
ム８内において水平方向に移動可能に構成されている
が、この第２の実施形態では図５に詳しく示すように、
副モータケーシング２１ａが副モータ支持台２１ｂを介
して主ドラム８の内壁に固定されている。そして、副ド
ラム連結ロッド２２が水平方向に移動可能に構成するた
めに、副モータケーシング２１ａは副モータ回転軸２１
ｅを介して副ドラム連結ロッド２２に連結され、また、
副モータ回転軸２１ｅと副ドラム連結ロッド２２の間が
回転方向に拘束されるが、水平方向に拘束されないよう
に、副モータ回転軸２１ｅと副ドラム連結ロッド２２に
それぞれスライド溝２１ｅ−１、スライドレール２２−
１が形成されている。

【００２５】またこの第２の実施形態では、係止爪３１
ａ、３１ｂを上昇させてくびれ２ｃに当接したことを検
出するための結晶重量検出機構２９ａ、２９ｂが省略さ
れ、代わりに主モータ９の軸にトルクセンサユニット９
ａが設けられている。このような構成によれば、図３
（ｄ）に示すように係止爪３１ａ、３１ｂがくびれ２ｃ
より下に下降した後、図３（ｅ）に示すように係止爪３
１ａ、３１ｂを上昇させてくびれ２ｃに当接すると、主
ワイヤ７側の負荷が減少してトルクが減少するのでこれ
をトルクセンサユニット９ａにより検出して副モータ２
１を停止させる。なお、トルクセンサユニット９ａを主
モータ９側の代わりに副モータ２１側に設けて、副ワイ
ヤ２０側のトルク増加を検出するようにしてもよい。

【００２６】＜第３の実施形態＞図６は第３の実施形態
の要部を示す構成図、図７は図６の線Ｃ−Ｃ’から見た
副モータスライド機構を示す側面断面図である。副モー
タ２１は主ドラム８の外側において同軸に固定され、ま
た、非通電時には副ドラム連結ロッド２２が副モータ２
１に対して回転しないように構成されている。副ドラム
２７は副ドラム送り機構４１により回転時にハウジング
３に対して水平方向に移動可能に構成され、また、図７
に詳しく示すように副ドラム２７と副ドラム連結ロッド
２２の間が回転方向に拘束されるが、水平方向に拘束さ
れないように、副ドラム２７と副ドラム連結ロッド２２
にそれぞれスライド溝２７−１、スライドレール２２−
１（副ドラムスライド機構４２）が形成されている。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、種
結晶を引き上げるためのドラムと径大部又はくびれを引
き上げるためのドラムを単結晶引き上げチャンバの外部
に同軸に配置して、一体又は独立して選択的に回転可能
に構成したので、ネック部から把持手段への単結晶の荷
重移動の際の速度制御が不要であり、かつ種結晶と径大
部又はくびれを共にワイヤ方式で引き上げる場合に装置
の高さが大きくなることを効果的に防止することがで
き、また、高温下の影響及びパーティクル混入の問題を
回避し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る単結晶引き上げ装置の第１の実施
形態の要部を示す構成図である。

【図２】図１の線Ａ−Ａ’から見た副モータスライド機
構を示す側面断面図である。

【図３】図１の単結晶引き上げ装置の引き上げ動作を示
す説明図である。

【図４】第２の実施形態の要部を示す構成図である。

【図５】図４の線Ｂ−Ｂ’から見た副モータスライド機
構を示す側面断面図である。

【図６】第３の実施形態の要部を示す構成図である。

【図７】図６の線Ｃ−Ｃ’から見た副モータスライド機
構を示す側面断面図である。

【符号の説明】

２ 半導体結晶（単結晶） ２ａ ダッシュネック部 ２ｂ 径大部 ２ｃ くびれ ７ 主ワイヤ（第１のワイヤ） ８ 主ドラム（第１のドラム） ９ 主モータ（第１のモータ） １２ 主ドラム送り機構 １４ 種結晶 ２０ａ，２０ｂ 副ワイヤ（第２のワイヤ） ２１ 副モータ（第２のモータ） ２２ 副ドラム連結ロッド（副モータ軸） ２３ 副ドラム送りギヤ ２７，２７ａ，２７ｂ 副ドラム（第２のドラム） ２９ａ，２９ｂ 結晶重量検出機構（ロードセルユニッ
ト） ３０ くびれ係止部

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 種結晶が先端に取り付けられる第１のワ
   イヤをチャンバ内のルツボに対して昇降させるために第
   １のモータにより回転可能な第１のドラムと、 前記第１のドラムと同軸に配置され、単結晶の下方のく
   びれを係止して支持する係止部材が先端に取り付けられ
   る第２のワイヤを昇降させるために前記第１のモータに
   より前記第１のドラムと一体で、さらに第２のモータに
   より前記第１のドラムと独立して回転可能な第２のドラ
   ムとを、 有し、前記第１のドラムと前記第２のドラムが前記ルツ
   ボ及び前記単結晶を格納するチャンバの外部に位置する
   よう構成された単結晶引き上げ装置。
2. 【請求項２】 前記第２のモータが前記第１のドラムの
   内部空間に設けられていることを特徴とする請求項１記
   載の単結晶引き上げ装置。
3. 【請求項３】 前記第１のドラムと前記第２のドラムが
   前記第１のワイヤを中心として回転する手段に取り付け
   られていることを特徴とする請求項１又は２記載の単結
   晶引き上げ装置。
4. 【請求項４】 前記第１のドラム、前記第１のモータ、
   前記第２のドラム、前記第２のモータが前記チャンバの
   外部のハウジング内に配置されていることを特徴とする
   請求項１ないし３のいずれか１つに記載の単結晶引き上
   げ装置。
5. 【請求項５】 前記第１、第２のドラムは、回転時に前
   記第１、第２のワイヤの水平方向の垂下位置が常に一定
   になるように水平方向に移動可能であることを特徴とす
   る請求項１ないし４のいずれか１つに記載の単結晶引き
   上げ装置。
6. 【請求項６】 前記第２のモータが前記第１のドラム内
   において回転方向に固定されるとともに軸方向に移動可
   能に配置され、前記第２のモータの非通電時に前記第２
   のドラムに連結された回転軸と前記第２のモータの間が
   固定されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
   か１つに記載の単結晶引き上げ装置。
7. 【請求項７】 前記第２のモータが、その軸方向に移動
   可能なガイドレールを介して前記第１のドラムに固定さ
   れていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか
   １つに記載の単結晶引き上げ装置。
8. 【請求項８】 前記第２のモータの回転軸と前記第２の
   ドラムの回転軸が回転力を伝達可能であり、かつ前記第
   ２のドラムの軸方向に移動可能な態様で連結されている
   ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記
   載の単結晶引き上げ装置。
9. 【請求項９】 前記第２のドラムと前記第２のドラムの
   回転軸が回転力を伝達可能であり、かつ前記第２のドラ
   ムの軸方向に移動可能な態様で連結されていることを特
   徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の単結
   晶引き上げ装置。
10. 【請求項１０】 前記第１のドラムと前記第２のドラム
    のそれぞれのワイヤ溝が軸に対して同一方向に傾斜して
    いて、かつ前記第１のドラムと前記第２のドラムのワイ
    ヤの巻き取り方向が同一であることを特徴とする請求項
    １ないし９のいずれか１つに記載の単結晶引き上げ装
    置。
11. 【請求項１１】 前記第１のドラムと前記第２のドラム
    のそれぞれのワイヤ巻き取り径が同一であることを特徴
    とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の単結
    晶引き上げ装置。
12. 【請求項１２】 前記第１のドラムのワイヤと前記第２
    のドラムのワイヤの一方又は双方の垂下位置を規制する
    手段が設けられていることを特徴とする請求項１ないし
    １１のいずれか１つに記載の単結晶引き上げ装置。
13. 【請求項１３】 前記垂下位置を規制する手段に前記第
    １のドラム又は前記第２のドラムにかかる単結晶重量を
    検出する重量検出手段が設けられていることを特徴とす
    る請求項１２記載の単結晶引き上げ装置。
14. 【請求項１４】 前記第１のドラムと前記第２のドラム
    の一方又は双方又はこれらのドラムの回転軸の一方又は
    双方に前記第１のドラム又は前記第２のドラムにかかる
    単結晶重量を検出する重量検出手段が設けられているこ
    とを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１つに記
    載の単結晶引き上げ装置。
15. 【請求項１５】 種結晶が先端に取り付けられる第１の
    ワイヤをチャンバ内のルツボに対して昇降させるために
    第１のモータにより回転可能な第１のドラムと、 前記第１のドラムと同軸に配置され、単結晶の下方のく
    びれを係止して支持する係止部材が先端に取り付けられ
    る第２のワイヤを昇降させるために前記第１のモータに
    より前記第１のドラムと一体で、さらに第２のモータに
    より前記第１のドラムと独立して回転可能な第２のドラ
    ムとを、 有し、前記第１のドラムと前記第２のドラムが前記ルツ
    ボ及び前記単結晶を格納するチャンバの外部に位置する
    よう構成された単結晶引き上げ装置による単結晶引き上
    げ方法であって、 前記第１のモータにより前記第１のドラムを回転させて
    種結晶を上昇させるとともに、前記種結晶に単結晶を成
    長させてくびれが形成されるまで前記第２のモータを停
    止させた状態で前記第１のモータにより前記第２のドラ
    ムを回転させて前記係止部材を上昇させるステップと、 次いで前記第２のモータにより前記第２のドラムを回転
    させて前記係止部材を前記径大部の下まで下降させるス
    テップと、 次いで前記第２のモータにより前記第２のドラムを回転
    させて前記係止部材を前記径大部に当接するまで上昇さ
    せるステップと、 次いで前記第２のモータを停止させた状態で前記第１の
    モータにより前記第２のドラムを回転させて前記係止部
    材を上昇させるステップとを、 有する単結晶引き上げ方法。