JP2000281802A - 熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents

熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導体装置

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thermal conductivity
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diamagnetic
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Masayuki Hida
雅之 飛田
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Polymatech Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電気製品に使用される半導体素子や電源、光源
などの部品から発生する熱を効果的に放散させる熱伝導
性成形体およびその製造方法ならびに放熱特性に優れる
半導体装置 【解決手段】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材を高分子中に一定方向に配向した熱伝導性成形体、
前記反磁性充填材を含有する高分子組成物に磁場を与
え、組成物中の反磁性充填材を一定方向に配向させて固
化させる熱伝導性成形体の製造方法、および半導体素子
と伝熱部材間に、前記熱伝導性成形体を介在させたこと
を特徴とする半導体

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】本発明は高い熱伝導性が要求
される熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導
体装置に関する。さらに詳しくは、電気製品に使用され
る半導体素子や電源、光源などの部品から発生する熱を
効果的に放散させる熱伝導性成形体およびその製造方法
ならびに放熱性に優れる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発熱する半導体素子や電子部
品と放熱させる伝熱部材との伝熱を目的にシリコーンゴ
ム等の柔軟なシート状の熱伝導性成形体が使用されてい
る。これらの熱伝導性成形体には、熱伝導性を高めるた
めに、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケルなどの熱伝
導率の大きい金属や合金、化合物、あるいは酸化アルミ
ニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素、窒化ホウ素、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素などのセラ
ミックス製の粉末状の充填剤、カーボンブラックやダイ
ヤモンドなどの粉粒体形状や繊維形状の熱伝導性充填剤
が配合されている。
【０００３】熱伝導性充填材としてグラファイト化炭素
繊維をシリコーンゴムなどに配合したシート状の熱伝導
性成形体は公知である。また、特開平９−２８３９５５
号公報によれば、平均アスペクト比が３未満のグラファ
イト化炭素繊維をシリコーンゴムなどのマトリックス中
に分散した放熱シートが提案されている。この発明で
は、通常のグラファイト化炭素繊維は異方性があるので
グラファイト化炭素繊維のアスペクト比を小さく特定す
ることによってその繊維方向をランダム方向に分散さ
せ、厚み方向と面方向で熱伝導率の異方性が生じる欠点
を解消している。
【０００４】しかしながら、この方法によって異方性は
少なくなるけれども、厚み方向の熱伝導性が不足してい
た。また、原料として用いるアスペクト比が３未満のグ
ラファイト化炭素繊維を安価で製造することは必ずしも
容易ではなかった。
【０００５】一方、特公昭５０−２９９３９号公報は、
グラファイトウィスカーや炭素繊維の反磁性の異方性を
利用して磁場配向させる繊維強化複合体の製法である。
この方法は、剛性の大きな複合体の引張強度や弾性率を
向上させること、すなわち機械的高強度化を目的とした
ものである。
【０００６】また、強磁性体と高分子材料からなる高分
子複合材料を磁場雰囲気で加熱成形する製造方法および
シート状の成形品は公知である。たとえば、特開昭４９
−５１５９３号公報には、導電性磁性体粉末と絶縁材料
の混合物を流動状態で外部磁場を加えながら硬化させる
基本的製法が開示されている。特開昭５３−５３７９６
号公報によれば、磁性線状体をシートの厚み方向に磁場
配向させる製法で異方導電性シートを得ている。特公平
４−７４８０４号公報は、特定粒径の導電性強磁性体粒
子と絶縁性高分子弾性体を主成分とする未硬化複合体を
磁場処理して架橋させた特定硬度、特定厚さの異方性導
電性ゴムシートである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来の
磁場を応用した製造方法によって得られる成形体は、い
ずれも熱伝導率の向上を目的としたものではなく、用途
においても、高強度複合体や異方性導電性部品あるいは
感圧導電性部品が主体であった。すなわち、厚み方向や
面内方向などの任意の方向に良好な熱伝導特性を有する
熱伝導性成形体が開発されないために、半導体素子など
の電子部品からの多大な発熱によって、電気化学的なマ
イグレーションが加速されたり、配線やパッド部の腐食
が促進されたり、発生する熱応力によって構成材料にク
ラックが生じたり、破壊したり、構成材料の接合部の界
面が剥離して電子部品の信頼性や寿命を損なう様々なト
ラブルが発生していた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決する目的で、電気製品に使用される半導体素子や電
源、光源などの部品から発生する熱を効果的に放散させ
る熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに放熱特性
に優れる半導体装置を提供するものである。すなわち、
本発明は、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填
材が高分子中に一定方向に配向されてなることを特徴と
する熱伝導性成形体である。
【０００９】さらに、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の
反磁性充填材を含有する高分子組成物に磁場を与え、組
成物中の反磁性充填材を一定方向に配向させて固化させ
ることを特徴とする熱伝導性成形体の製造方法である。
さらにもうひとつの発明は、半導体素子と伝熱部材間
に、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材が高
分子中に一定方向に配向されてなる熱伝導性成形体を介
在させたことを特徴とする半導体装置である。
【００１０】反磁性充填材とは、比磁化率が負である、
すなわち磁場を加えると磁場と反対方向に磁化される磁
性を有する充填材を意味する。具体的にはビスマス、
銅、金、銀、水銀、石英およびこれらの合金や化合物、
水、グラファイト、炭素繊維、塩類、多数の有機化合物
などが存在する。金属のなかではビスマスの反磁性が最
大であることが知られているけれども、ビスマスの熱伝
導率は２０Ｗ／ｍ・Ｋ未満なので本発明で使用する反磁
性充填材としては好ましくない。水や塩類、有機化合物
も適さない。
【００１１】反磁性充填材の反磁性は、強磁性体の磁性
と比較すると非常に弱いけれども、本発明の熱伝導性成
形体ならびに半導体装置では、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上の反磁性充填材が高分子中に一定方向に配向して
なることを特徴とする。熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
の反磁性充填材としては、特に銅、金、銀、水銀、グラ
ファイトが好適である。なかでも、少なくとも一定方向
の熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性を有するグ
ラファイトを用いると特に熱伝導率の大きい優れた熱伝
導性成形体および放熱特性に優れる半導体装置を得るこ
とができる。
【００１１】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材は、高分子マトリックスに多量に充填して一定方向
に配向させると熱伝導性成形体中に配向した高い熱伝導
率の反磁性充填材の配向方向の熱伝導率が大きくなる。
けれども、実際には多量に充填すると組成物の粘度が高
くなりすぎたり混入した気泡が除去しにくいなどの不具
合を生じる場合がある。組成物の粘度が増加するにとも
なって反磁性充填材が配向しにくくなる。
【００１２】従って、使用する反磁性充填材および高分
子マトリックスや配合剤の種類、目的とする最終製品の
特性によって任意に決定することができるけれども、熱
伝導性成形体中の反磁性充填材の濃度は、５〜８０体積
％が好ましい。５体積％よりも少ないと熱伝導率が小さ
く、８０体積％を越える高濃度に充填するのは非常に困
難である。さらに好ましくは１０〜６０体積％、さらに
好ましくは１５〜５０体積％の範囲が実用的である。
【００１３】反磁性体として使用するグラファイトの結
晶構造は六方晶系であり、結晶方位に依存して磁化率が
大きくなる。基底面（ｃ面）の法線方向をｃ軸、それに
垂直にａ軸、ｂ軸をとると、常温での磁化率は結晶方位
によって約７０倍の差異がある。この反磁性磁化率の異
方性を利用して高分子中にグラファイトを一定方向に配
向することができる。
【００１４】グラファイトの形状や大きさなどについて
は特定するものではない。原料についてはピッチ系やメ
ソフェーズピッチ系を主原料として溶融紡糸、不融化、
炭化などの処理工程後に２０００〜３０００℃あるいは
３０００℃を越える高温で熱処理したグラファイト構造
の発達した炭素繊維の方が繊維長さ方向の熱伝導率が大
きくて好ましい。さらに気相成長法によって得られるグ
ラファイト化した炭素繊維や、膨張性黒鉛やポリイミド
などの高分子フィルムなどを２４００℃以上の高温で熱
処理して得られる公知のグラファイトフィルムあるいは
グラファイトフィルムを粉砕した粉粒体形状のグラファ
イト、球状やウィスカー形状のグラファイトなどが使用
できる。
【００１５】使用するグラファイトの熱伝導率は、少な
くとも１方向の熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
ことが好ましい。２００Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、得ら
れる熱伝導性成形体の放熱特性が劣るので好ましくな
い。グラファイト化炭素繊維の場合は、通常は繊維長さ
方向の熱伝導率の方が大きくて垂直方向の熱伝導率はそ
の数１０分の１と小さい。繊維長さ方向の熱伝導率は２
００Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好適で、好ましくは４００Ｗ／ｍ
・Ｋ以上、さらに好ましくは８００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であ
る。
【００１６】グラファイト化炭素繊維の場合の平均直径
としては５〜２０μｍ、平均長さは５〜８００μｍの範
囲が高分子マトリックスへ容易に充填でき、得られる熱
伝導性成形品の熱伝導率が大きくなるので好ましい。平
均直径が５μｍよりも小さい場合や、平均長さが８００
μｍよりも長い場合は、高分子マトリックスに高濃度で
配合することが困難になる。また、平均直径が２０μｍ
を越えるグラファイト化炭素繊維は、その生産性が低下
するので好ましくない。平均長さが５μｍよりも短いと
かさ比重が小さくなり、生産性をはじめ製造工程中の取
扱い性や作業性に問題が生じることがあり好ましくな
い。なお、これらのグラファイトは、あらかじめ電解酸
化などによる公知の酸化処理を施して差し支えない。
【００１７】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
填材を配向させるマトリックスとなる高分子の種類は特
に限定するものではない。目的とする熱伝導性成形体の
硬さや熱伝導率、機械的強度、耐熱性、電気的特性、耐
久性、信頼性などの要求性能に応じて熱可塑性樹脂、熱
可塑性エラストマー、熱硬化性樹脂、架橋ゴムなどを選
択できる。反磁性充填材を高濃度で充填する場合に使用
する高分子は、液状あるいは溶融状態での粘度が低い方
が好ましい。
【００１８】熱可塑性樹脂や熱可塑性エラストマーとし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンプロピ
レン共重合体などのエチレンαオレフィン共重合体、ポ
リメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリフッ
化ビニリデンやポリテトラフルオロエチレン等のフッ素
樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレ
ン、ポリアクリロニトリル、スチレンアクリロニトリル
共重合体、ＡＢＳ樹脂、ポリフェニレンエーテルおよび
変性ＰＰＥ樹脂、脂肪族および芳香族ポリアミド類、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸および
そのメチルエステルなどのポリメタクリル酸エステル
類、ポリアクリル酸類、ポリカーボネート、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホ
ン、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルケトン、ポリ
ケトン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、アイオノマー
等の熱可塑性樹脂、スチレンブタジエンまたはスチレン
イソプレンブロック共重合体とその水添ポリマーおよび
スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑
性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、
ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系
熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラスト
マー等の熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
【００１９】熱硬化性樹脂や架橋ゴムとしては、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ベンゾ
シクロブテン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ウ
レタン樹脂、熱硬化型ポリフェニレンエーテルおよび変
性ＰＰＥ樹脂、天然ゴム、ブタジエンゴム、イソプレン
ゴム、スチレンブタジエン共重合ゴム、ニトリルゴム、
水添ニトリルゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピ
レンゴム、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリ
エチレン、ブチルゴムおよびハロゲン化ブチルゴム、フ
ッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等の架橋ゴム
等が挙げられる。なかでも、シリコーンゴム、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ベンゾシ
クロブテン樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル
樹脂より選ばれる少なくとも１種、特にシリコーンゴ
ム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂より選ばれる少なく
とも１種を用いることが信頼性の観点から好ましい。
【００２０】さらに、これらの原料樹脂は反磁性充填材
を混合する際には液状または溶融状態で低粘度の方が分
散混合しやすいので好ましい。誘電率、誘電正接が小さ
くて高周波領域での周波数特性を要求される用途には、
フッ素樹脂や熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂や変
性ＰＰＥ樹脂、ポリオレフィン系樹脂を使用すると良
い。さらに、これらの樹脂から選択される複数の樹脂か
らなるポリマーアロイを使用しても差し支えない。ま
た、架橋方法については熱硬化性に限定せず、光硬化
性、湿気硬化性などの公知の架橋方法による樹脂を使用
することができる。
【００２１】本発明の熱伝導性成形体に、さらに他の熱
伝導性充填剤として熱伝導率が大きい酸化アルミニウム
や窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、炭化ケイ
素、水酸化アルミニウムなどの金属酸化物、金属窒化
物、金属炭化物、金属水酸化物などの金属や合金からな
る球状、粉状、繊維状、針状、鱗片状、ウィスカー状な
どの少量の充填剤を併用しても差し支えない。
【００２２】反磁性充填材の表面処理を目的として、反
磁性充填材の表面を公知のカップリング剤やサイジング
剤で処理することによってマトリックスの高分子との濡
れ性や充填性を向上させたり界面の剥離強度を改良する
ことが可能である。さらに、本発明の熱伝導性成形品の
原料組成物には、粉末形状や繊維形状の金属やセラミッ
クス、具体的には、銀、銅、金、酸化アルミニウム、酸
化マグネシウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などや
金属被覆樹脂などの従来の熱伝導性成形品に使用されて
いる充填剤などを併用することも可能である。また、組
成物の粘度を低下させるためには、揮発性の有機溶剤や
反応性可塑剤を添加すると効果的である。
【００２３】固化させた熱伝導性成形体の硬度について
は、使用する用途に応じて決定すれば良いけれども、使
用時の応力緩和性と追随性に関しては柔軟な低硬度ほど
有利である。具体的な硬度としては、ショア−Ａ硬度で
９０以下、好ましくは６０以下の低硬度品が好適であ
る。さらに図４のような凹凸のある複数の半導体素子な
どの電子部品と伝熱部材間に介在させて使用する際に
は、アスカーＣ硬度が３０以下のゲル状の低硬度品が望
ましい。
【００２４】高分子中に熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
の反磁性充填材を一定方向に配向させる方法としては、
流動場あるいはせん断場を利用する方法、磁場を利用す
る方法、電場を利用する方法などが挙げられる。いずれ
の方法によても熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性
充填材を一定方向に配向させることができる。けれど
も、本発明では反磁性体の磁化率の異方性を利用し、磁
場を利用して配向させる方法が好ましい。本発明の製造
方法によって様々なマトリックス高分子を使用して簡便
に製造することができる。
【００２５】本発明の熱伝導性成形体の製造方法は、反
磁性充填材を含有する高分子組成物に磁場を与え、組成
物中の反磁性充填材を一定方向に配向させて固化させる
ことを特徴とする。外部から磁場を与え、組成物中の反
磁性充填材を磁力線に沿って十分に配向させることによ
って、配向した反磁性充填材の熱伝導性を生かして成形
した熱伝導性成形体の同方向の熱伝導率を著しく向上さ
せることができる。熱伝導性成形体の厚み方向に反磁性
充填材を立てるように揃えて配向させるには、厚み方向
に永久磁石や電磁石のＮ極とＳ極を対向させ磁力線の向
きが所望の反磁性充填材の配向方向に対応するように設
置する。
【００２６】一方、熱伝導性成形体の面内の縦方向と横
方向あるいは縦横の水平方向に一定方向の熱伝導性を向
上させる場合には、厚み方向に対して垂直の方向に磁石
のＮ極とＳ極を対向させれば反磁性充填材を面内の方向
に揃えて配向させることができる。あるいは、磁石のＮ
極とＮ極、またはＳ極とＳ極を厚み方向に対向させても
反磁性充填材を面内方向に揃えることができる。すなわ
ち、任意の方向に熱伝導性の異方性を付与させることが
可能になる。また、磁石については必ずしも両側に対向
させる必要はなく、片側のみに配置した磁石によっても
原料組成物中の反磁性充填材を配向させることが可能で
ある。
【００２７】外部磁場として使用する磁場発生手段とし
ては永久磁石でも電磁石でもコイルでも差し支えないけ
れども、磁束密度としては０.０５テスラ〜３０テスラ
の範囲が実用的な反磁性充填材の配向が達成できる。ま
た、本発明では磁性としては非常に弱い反磁性を利用す
るものであるので、より高磁場を用いて、反磁性充填材
を十分に配向させてから、熱硬化反応や冷却させてマト
リックスの高分子を固化させる必要がある。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の熱伝導性成形体は、熱伝
導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材を含有する高
分子組成物に外部磁場を与え、組成物中の反磁性充填材
を一定方向に配向させてから固化させることによって製
造することができる。混合分散するときには、減圧ある
いは加圧して混入した気泡を除去する工程を加えること
が好ましい。
【００２９】反磁性充填材としてグラファイトを用いる
と、得られる熱伝導性成形体は電気伝導性になる場合が
ある。電気絶縁性が要求される用途の場合には、先に述
べたように反磁性充填材の最表面にさらに電気絶縁性被
覆層を製膜した反磁性充填材を使用すれば良い。あるい
は、熱伝導性成形体の少なくとも片面にポリイミドやシ
リコーン、ポリベンゾシクロブテン、ポリブタジエンな
どの高分子系の電気絶縁性層、あるいは酸化ケイ素や窒
化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化
ケイ素などのセラミックス系の電気絶縁性層を積層させ
た構造にしても電気絶縁性を要求される用途に適用でき
る。その際に形成する高分子系の電気絶縁層について
は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化アルミ
ニウム、炭化ケイ素などの熱伝導率が大きい充填剤を含
有させた高熱伝導率の電気絶縁層が好ましい。
【００３０】発熱する半導体素子２、６と伝熱部材４、
プリント基板１、ヒートシンク５、筐体７などの間に、
本発明のシート状の熱伝導性成形体３を介在させて図１
〜図４に例示する本発明の放熱性に優れる半導体装置を
製造することができる。伝熱部材としては、通常の放熱
器や冷却器、ヒートシンク、ヒートスプレッダー、ダイ
パッド、プリント基板、冷却ファン、ヒートパイプ、筐
体などが挙げられる。
【００３１】
【実施例１】反磁性充填材として繊維長さ方向の熱伝導
率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋの短繊維状のグラファイト（株
式会社ペトカ製 メルブロンミルド：直径９μｍ、長さ
１００μｍ）２５体積％と、付加型の液状シリコーンゴ
ム原料７５体積％を混合分散し真空脱泡した組成物を調
製した。アルミニウム製の厚み０.５ｍｍ、縦２０ｍ
ｍ、横２０ｍｍの板状の金型内に調製した組成物ａを充
填し図５（１）〜図５（２）、図５（３）に示すように
厚み方向に磁束密度０.５テスラのＮ極とＳ極が対向す
る磁場雰囲気でグラファイトを十分に配向させた後に加
熱硬化させ、ショアＡ−硬度２０の柔軟なシート状の熱
伝導性成形体を得た。得られたシート状の熱伝導性成形
体の厚み方向および面内方向の熱伝導率はそれぞれ３.
６Ｗ／ｍ・Ｋ、０.８Ｗ／ｍ・Ｋであった。熱伝導性成
形体のグラファイトは図７のように厚み方向に揃って配
向していた。
【００３２】
【実施例２】実施例１と同様の組成物ａを調製し、アル
ミニウム製の厚み０.５ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍ
の板状の金型内に充填し図６（１）〜図６（２）、図６
（３）に示すように厚みに対して垂直方向に磁石のＮ極
とＳ極が対向する磁束密度０.５テスラの磁場雰囲気で
グラファイトを十分に配向させた後に加熱硬化させ、シ
ョアＡ−硬度１８の柔軟なシート状の熱伝導性成形体を
得た。得られた柔軟なシート状の熱伝導性成形体の厚み
方向および面内方向の熱伝導率はそれぞれ１.０Ｗ／ｍ
・Ｋ、３.４Ｗ／ｍ・Ｋであった。熱伝導性成形体のグ
ラファイトは図８のように面内方向に揃って配向してい
た。
【００３３】
【実施例３】実施例１と同様に、反磁性充填材として繊
維長さ方向の熱伝導率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋの短繊維状
のグラファイト（株式会社ペトカ製 メルブロンミル
ド：直径９μｍ、長さ１００μｍ）２０体積％と、熱硬
化型１液性エポキシ樹脂（スリーボンド製 ＴＢ２２８
０Ｃ）８０体積％を混合分散し真空脱泡した組成物を調
製し、アルミニウム製の厚み０.５ｍｍ、縦２０ｍｍ、
横２０ｍｍの板状の金型内に充填し、厚み方向あるいは
その垂直方向に磁石のＮ極とＳ極が対向する表２の磁場
でグラファイトを十分に配向させた後に加熱硬化させ
た。得られた硬質のシート状の熱伝導性成形体の厚み方
向および面内方向の熱伝導率はそれぞれ３.２Ｗ／ｍ・
Ｋ、０.６Ｗ／ｍ・Ｋであった。熱伝導性成形体のグラ
ファイトは図７のように厚み方向に揃って配向してい
た。
【００３４】
【実施例４】反磁性充填材として熱伝導率が３９８Ｗ／
ｍ・Ｋの銅の短線（直径５０μｍ、長さ２００μｍ）２
０体積％と、熱硬化型１液性エポキシ樹脂（スリーボン
ド製ＴＢ２２８０Ｃ）８０体積％を混合分散し真空脱泡
した組成物を調製し、アルミニウム製の厚み０.５ｍ
ｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの板状の金型内に充填し、
厚み方向に磁束密度１.５テスラのＮ極とＳ極が対向す
る磁場雰囲気で銅の短線を十分に配向させた後に加熱硬
化させた。得られた硬質のシート状の熱伝導性成形体の
厚み方向および面内方向の熱伝導率はそれぞれ２.４Ｗ
／ｍ・Ｋ、０.４Ｗ／ｍ・Ｋであった。熱伝導性成形体
中の銅の短線は図７のように厚み方向に揃って配向して
いた。
【００３５】
【比較例１】反磁性充填材として繊維長さ方向の熱伝導
率が７Ｗ／ｍ・Ｋの炭素繊維（三菱レイヨン株式会社製
パイロフィルＴＲ：直径７μｍ、長さ１００μｍ）２
５体積％と、付加型の液状シリコーンゴム原料７５体積
％を混合分散し真空脱泡した組成物を調製した。アルミ
ニウム製の厚み０.５ｍｍ、縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの
板状の金型内に調製した組成物を充填し図５―１〜図５
―２、図５−３に示すように厚み方向に磁束密度０.５
テスラのＮ極とＳ極が対向する磁場雰囲気で加熱硬化さ
せ、ショアＡ−硬度２０の柔軟なシート状の成形体を得
た。得られたシート状成形体の厚み方向および面内方向
の熱伝導率はそれぞれ０.２Ｗ／ｍ・Ｋ、０.２Ｗ／ｍ・
Ｋであった。シート中のグラファイトは図７のように厚
み方向に揃って配向していた。
【００３６】
【比較例２】反磁性充填材として繊維長さ方向の熱伝導
率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋの短繊維状のグラファイト（株
式会社ペトカ製 メルブロンミルド：直径９μｍ、長さ
１００μｍ）２０体積％と、付加型の液状シリコーンゴ
ム原料８０体積％を混合分散し真空脱泡した組成物を調
製した。アルミニウム製の厚み０.５ｍｍ、縦２０ｍ
ｍ、横２０ｍｍの板状の金型内に調製した組成物を充填
し、磁場を与えずに加熱硬化させ、ショアＡ−硬度１２
の柔軟なシート状の熱伝導性成形体を得た。得られたシ
ート状成形体の厚み方向および面内方向の熱伝導率はそ
れぞれ０.２Ｗ／ｍ・Ｋ、０.３Ｗ／ｍ・Ｋであった。シ
ート中のグラファイトは図９のようにランダムに分散し
ていた。
【００３】
【比較例３７】実施例３と同様に、反磁性充填材として
繊維長さ方向の熱伝導率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋの短繊維
状のグラファイト（株式会社ペトカ製 メルブロンミル
ド：直径９μｍ、長さ１００μｍ）１５体積％と、熱硬
化型１液性エポキシ樹脂（スリーボンド製 ＴＢ２２８
０Ｃ）８５体積％を混合分散し真空脱泡した組成物を調
製し、アルミニウム製の厚み０.５ｍｍ、縦２０ｍｍ、
横２０ｍｍの板状の金型内に充填し、磁場を与えずに加
熱硬化させた。得られた硬質のシート状成形体の厚み方
向および面内方向の熱伝導率はそれぞれ０.３Ｗ／ｍ・
Ｋ、０.４Ｗ／ｍ・Ｋであった。シート中のグラファイ
トは図９のようにランダムに分散していた。
【００３８】図４に記すプリント基板１に実装した高さ
が異なる複数の半導体素子６と伝熱部材となる筐体７の
間に本発明の実施例１と同様で厚みが２ｍｍのシート状
の熱伝導性成形体３を配置して半導体装置を組み立て
た。通電１０分後の熱抵抗値を測定した結果、０.２５
℃／Ｗであった。同様に、比較例１と同様で厚みが２ｍ
ｍのシート状の熱伝導性成形体を配置して半導体装置を
組み立てた。通電１０分後の熱抵抗値を測定した結果、
０.４７℃／Ｗであった。
【００３９】
【発明の効果】比較例１は反磁性充填材として熱伝導率
が２０Ｗ／ｍ・Ｋ未満の炭素繊維をシリコーンゴム中で
磁場配向させた成形体であり、柔軟性はあるけれども熱
伝導率は小さい。比較例２と比較例３は、反磁性充填材
として熱伝導率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋの短繊維状のグラ
ファイトを用いた成形体であるが、磁場を与えずに成形
しているので熱伝導率が小さい。
【００４０】本発明の実施例１および実施例２の熱伝導
成形体は、反磁性充填材として熱伝導率が１０００Ｗ／
ｍ・Ｋの短繊維状のグラファイトを用いてシリコーンゴ
ム中で磁場雰囲気で十分に配向させた熱伝導成形体であ
り、柔軟性があり厚み方向または面内方向の熱伝導率が
大きい。実施例３は、高分子がエポキシ樹脂の例、実施
例４は反磁性充填材として銅の短線を利用した例であ
る。
【００４１】以上のように、本発明の熱伝導性成形体の
製造方法によって熱伝導性が優れる熱伝導性成形体を容
易に製造することができる。なかでも、厚み方向に特定
の熱伝導率の反磁性体を配向させたシート状の熱伝導性
成形体を使用した半導体装置は熱抵抗が小さくて放熱特
性が非常に良好である。従って、発熱量が大きい半導体
素子とヒートシンクや筐体などの放熱器との間隙、ある
いは半導体素子とプリント基板やダイパッドとの間隙に
介在させ、放熱特性に優れる有用な半導体装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシート状の熱伝導性成形体を使用した
半導体装置の例（ボールグリッドアレイ型半導体パッケ
ージ２と放熱器４の間隙に配置）
【図２】本発明のシート状の熱伝導性成形体を使用した
半導体装置の例（チップサイズ半導体パッケージ２とプ
リント基板１の間隙に配置）
【図３】本発明のシート状の熱伝導性成形体を使用した
半導体装置の例（ピングリッドアレイ型半導体パッケー
ジ２とヒートシンク５の間隙に配置）
【図４】本発明のシート状の熱伝導性成形体を使用した
半導体装置の例（発熱する複数の半導体素子６と筐体７
の間隙に配置）
【図５】本発明の熱伝導性成形体の製造方法の例を示す
図
【図６】本発明の熱伝導性成形体の他の製造方法の例を
示す図
【図７】本発明の熱伝導性成形体中の反磁性充填材の配
向状態を示す概観図（厚み方向に反磁性充填材が配向）
【図８】本発明の熱伝導性成形体中の反磁性充填材の配
向状態を示す概観図（面方向に反磁性充填材が配向）
【図９】従来の充填材を含む成形体中の充填材の分散状
態を示す概観図
【符号の説明】
１ プリント基板 ２ 半導体素子 ３ 熱伝導性成形体 ４ 放熱器 ５ ヒートシンク ６ 半導体素子 ７ 筐体 ８ 金型 ９ 磁石 １０ 熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材 １１ 従来の充填材 １２ 従来の充填材を含む熱伝導性成形体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/373 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｍ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
    填材が、高分子中に一定方向に配向されてなることを特
    徴とする熱伝導性成形体
  2. 【請求項２】熱伝導性成形体中の反磁性充填材の濃度
    が、５〜８０体積％である請求項１に記載の熱伝導性成
    形体
  3. 【請求項３】反磁性充填材が、少なくとも１方向の熱伝
    導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のグラファイトである請求
    項１あるいは２に記載の熱伝導性成形体
  4. 【請求項４】高分子が、シリコーンゴム、エポキシ樹
    脂、ポリイミド樹脂より選ばれる少なくとも１種である
    請求項１、２あるいは３に記載の熱伝導性成形体
  5. 【請求項５】熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充
    填材を含有する高分子組成物に磁場を与え、組成物中の
    反磁性充填材を一定方向に配向させて固化させることを
    特徴とする熱伝導性成形体の製造方法
  6. 【請求項６】熱伝導性成形体中の反磁性充填材の濃度
    が、５〜８０体積％である請求項５に記載の熱伝導性成
    形体の製造方法
  7. 【請求項７】反磁性充填材が、少なくとも１方向の熱伝
    導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のグラファイトである請求
    項５あるいは６に記載の熱伝導性成形体の製造方法
  8. 【請求項８】高分子がシリコーンゴム、エポキシ樹脂、
    ポリイミド樹脂より選ばれる少なくとも１種である請求
    項５、６あるいは７に記載の熱伝導性成形体
  9. 【請求項９】半導体素子と伝熱部材間に、熱伝導率が２
    ０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の反磁性充填材が高分子中に一定方向
    に配向されてなる熱伝導性成形体を介在させたことを特
    徴とする半導体装置
  10. 【請求項１０】熱伝導性成形体中の反磁性充填材の濃度
    が、５〜８０体積％である請求項９に記載の半導体装置
  11. 【請求項１１】反磁性充填材が、少なくとも一定方向の
    熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のグラファイトである
    請求項９あるいは１０に記載の半導体装置
  12. 【請求項１２】高分子が、シリコーンゴム、エポキシ樹
    脂、ポリイミド樹脂より選ばれる少なくとも１種である
    請求項９、１０あるいは１１に記載の半導体装置 【０００１】
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