JP2000284468A - マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 - Google Patents
マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法Info
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- JP2000284468A JP2000284468A JP9352199A JP9352199A JP2000284468A JP 2000284468 A JP2000284468 A JP 2000284468A JP 9352199 A JP9352199 A JP 9352199A JP 9352199 A JP9352199 A JP 9352199A JP 2000284468 A JP2000284468 A JP 2000284468A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 付着物やゴミ等によるマスク表面の汚染を防
ぎ、洗浄の回数を減少または無くして、マスクの長寿命
化を図る。 【解決手段】 所望のパターンを基板上に露光するため
に用いられるマスクにおいて、該マスクの被転写体側表
面に光触媒を付着させ、被転写体側表面の反対側にペリ
クルを設ける。
ぎ、洗浄の回数を減少または無くして、マスクの長寿命
化を図る。 【解決手段】 所望のパターンを基板上に露光するため
に用いられるマスクにおいて、該マスクの被転写体側表
面に光触媒を付着させ、被転写体側表面の反対側にペリ
クルを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板などの
基板上に所望のパターンを形成するために使用されるマ
スク構造体、このマスク構造体を用いて上記のパターン
を形成する露光方法および露光装置、このマスク構造体
を用いて作製された半導体デバイス、ならび半導体デバ
イス製造方法に関する。
基板上に所望のパターンを形成するために使用されるマ
スク構造体、このマスク構造体を用いて上記のパターン
を形成する露光方法および露光装置、このマスク構造体
を用いて作製された半導体デバイス、ならび半導体デバ
イス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路などの半導体デバイスや
マイクロマシン、薄膜磁気ヘッドなど、微細なパターン
が形成されたデバイスの製造では、マスクを介して被転
写体である基板上に光（可視光または紫外線）やＸ線な
どを照射することによってその基板上に所望のパターン
を形成することが一般的である。例えば、半導体集積回
路の場合であれば、所望の回路パターンに対応したマス
クを用意し、レジストが表面に形成された半導体基板に
対してこのマスクを用意し、レジストが表面に形成され
た半導体基板に対してこのマスクを介して光やＸ線を照
射し、レジストを選択的に露光してレジストに回路パタ
ーンを転写し、その後、エッチング工程や成膜工程を経
ることにより、半導体基板に所望の回路が形成されるこ
とになる。以下、半導体集積回路の製造の場合を例に挙
げて、上述したような微細なパターンを有するデバイス
の形成について説明する。
マイクロマシン、薄膜磁気ヘッドなど、微細なパターン
が形成されたデバイスの製造では、マスクを介して被転
写体である基板上に光（可視光または紫外線）やＸ線な
どを照射することによってその基板上に所望のパターン
を形成することが一般的である。例えば、半導体集積回
路の場合であれば、所望の回路パターンに対応したマス
クを用意し、レジストが表面に形成された半導体基板に
対してこのマスクを用意し、レジストが表面に形成され
た半導体基板に対してこのマスクを介して光やＸ線を照
射し、レジストを選択的に露光してレジストに回路パタ
ーンを転写し、その後、エッチング工程や成膜工程を経
ることにより、半導体基板に所望の回路が形成されるこ
とになる。以下、半導体集積回路の製造の場合を例に挙
げて、上述したような微細なパターンを有するデバイス
の形成について説明する。
【０００３】近年、半導体集積回路の高密度高速化に伴
い、集積回路のパターン線幅が縮小され、半導体製造方
法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、焼き付け装置（露光装置）として、ＫｒＦレーザー
（２４８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（１９３ｎｍ）、Ｘ線
領域（０．２〜１５ｎｍ）など、従来よりも短い波長の
露光光源を利用したステッパが開発されつつある。ま
た、被転写体に所望のパターンを転写する際に用いるレ
ジストにも、酸触媒を用いた化学増幅型のレジストが用
いられるようになってきた。
い、集積回路のパターン線幅が縮小され、半導体製造方
法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、焼き付け装置（露光装置）として、ＫｒＦレーザー
（２４８ｎｍ）、ＡｒＦレーザー（１９３ｎｍ）、Ｘ線
領域（０．２〜１５ｎｍ）など、従来よりも短い波長の
露光光源を利用したステッパが開発されつつある。ま
た、被転写体に所望のパターンを転写する際に用いるレ
ジストにも、酸触媒を用いた化学増幅型のレジストが用
いられるようになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】所望のパターンの線幅
が微細になるにつれ、ゴミ等に対する防塵対策は非常に
難しくなってきた。通常のゴミに対するサイズや数の制
限が厳しくなるのはもちろん、化学物質に対するプロセ
スの敏感度も高まってきており、半導体集積回路の作製
が行なわれるクリーンルームでは、その化学的汚染が問
題となってきた。これらは、レジストの分解生成物質、
レジストの現像、洗浄等、プロセス中に発生する放散物
質、接着剤、壁材などの設備に起因する揮発性物質など
である。
が微細になるにつれ、ゴミ等に対する防塵対策は非常に
難しくなってきた。通常のゴミに対するサイズや数の制
限が厳しくなるのはもちろん、化学物質に対するプロセ
スの敏感度も高まってきており、半導体集積回路の作製
が行なわれるクリーンルームでは、その化学的汚染が問
題となってきた。これらは、レジストの分解生成物質、
レジストの現像、洗浄等、プロセス中に発生する放散物
質、接着剤、壁材などの設備に起因する揮発性物質など
である。
【０００５】このような化学的な環境下で、遠紫外光や
Ｘ線などの短い波長の光による露光を長時間行なうと、
マスク表面の汚染、すなわち付着物の発生により、マス
クにおける光の透過率、反射率、散乱などが変化する。
特にレジストとして化学増幅型のレジストを用いると、
酸発生剤もしくは酸、および分解物質が露光中または露
光後に蒸発し、マスクの汚染を加速する。
Ｘ線などの短い波長の光による露光を長時間行なうと、
マスク表面の汚染、すなわち付着物の発生により、マス
クにおける光の透過率、反射率、散乱などが変化する。
特にレジストとして化学増幅型のレジストを用いると、
酸発生剤もしくは酸、および分解物質が露光中または露
光後に蒸発し、マスクの汚染を加速する。
【０００６】図１１に化学増幅型レジストの１つの反応
例を示す。溶解阻止剤としてレジスト中に含まれるｔ−
Ｂｏｃ（ｔｅｒｔｉａｒｙ−ｂｕｔｏｘｙ ｃａｒｂｏ
ｎｙｌ）基が分解して揮発性のブテンを生じる。
例を示す。溶解阻止剤としてレジスト中に含まれるｔ−
Ｂｏｃ（ｔｅｒｔｉａｒｙ−ｂｕｔｏｘｙ ｃａｒｂｏ
ｎｙｌ）基が分解して揮発性のブテンを生じる。
【０００７】更にＸ線の投影露光では被転写物とマスク
が数１０μｍ以下のギャップで露光されるため、マスク
の汚染は重大な問題である。これらの付着物は、形状や
組成が一様でなく環境によりある傾向がみられるもの
の、はっきりしたことは不明である。このことは推測す
れば、単純な光化学反応ではなく、分解、再結合、多次
反応、堆積、結晶化等が複雑に作用しているものと考え
られる。このような付着物が発生した場合、洗浄で除去
することが考えられるが、特にＸ線マスクなどにおいて
は、吸収体の形状が高アスペクトであることから洗浄は
非常に難しく、洗浄では取り切れないゴミも発生する。
また、支持膜が薄膜であるため、強度が弱く、洗浄の回
数を減少させる必要性もでてきた。
が数１０μｍ以下のギャップで露光されるため、マスク
の汚染は重大な問題である。これらの付着物は、形状や
組成が一様でなく環境によりある傾向がみられるもの
の、はっきりしたことは不明である。このことは推測す
れば、単純な光化学反応ではなく、分解、再結合、多次
反応、堆積、結晶化等が複雑に作用しているものと考え
られる。このような付着物が発生した場合、洗浄で除去
することが考えられるが、特にＸ線マスクなどにおいて
は、吸収体の形状が高アスペクトであることから洗浄は
非常に難しく、洗浄では取り切れないゴミも発生する。
また、支持膜が薄膜であるため、強度が弱く、洗浄の回
数を減少させる必要性もでてきた。
【０００８】本発明の目的は、マスク表面への汚染の付
着および堆積を防いでマスクの洗浄回数を減らしあるい
は洗浄そのものを不要とし、マスクの長寿命化を達成で
きるマスク構造体を提供するとともに、このようなマス
ク構造体を用いた露光方法、露光装置、半導体デバイス
および半導体デバイス製造方法を提供することにある。
着および堆積を防いでマスクの洗浄回数を減らしあるい
は洗浄そのものを不要とし、マスクの長寿命化を達成で
きるマスク構造体を提供するとともに、このようなマス
ク構造体を用いた露光方法、露光装置、半導体デバイス
および半導体デバイス製造方法を提供することにある。
【０００９】
【問題を解決するための手段】本発明者らは、マスク表
面への付着防止および堆積防止の対策として試行錯誤し
て検討した結果、光触媒の薄膜をマスク表面（被転写体
側）に形成し、マスク表面の反対側にペリクルを設ける
ことにより、上記問題点は解決されることを見出した。
光触媒の代表的なものとして酸化チタンがあげられる。
その成膜方法としては、蒸着法やアルキルチタネートな
どのチタン化合物をあらかじめコートした後、加熱によ
り加水分解により形成する方法、チタンを酸化させるこ
とにより酸化チタンを形成する方法が適用できる。
面への付着防止および堆積防止の対策として試行錯誤し
て検討した結果、光触媒の薄膜をマスク表面（被転写体
側）に形成し、マスク表面の反対側にペリクルを設ける
ことにより、上記問題点は解決されることを見出した。
光触媒の代表的なものとして酸化チタンがあげられる。
その成膜方法としては、蒸着法やアルキルチタネートな
どのチタン化合物をあらかじめコートした後、加熱によ
り加水分解により形成する方法、チタンを酸化させるこ
とにより酸化チタンを形成する方法が適用できる。
【００１０】
【作用】光触媒は、紫外線やＸ線等の短波長の光の照射
によって触媒として機能し、各種の物質を化学的に分解
する作用がある。更に光半導体としての効果を発揮し、
光の照射によって導電状態となり、帯電防止作用を呈し
てこれによる汚染物の付着防止作用も示すようになる。
によって触媒として機能し、各種の物質を化学的に分解
する作用がある。更に光半導体としての効果を発揮し、
光の照射によって導電状態となり、帯電防止作用を呈し
てこれによる汚染物の付着防止作用も示すようになる。
【００１１】即ち、光触媒の分解作用および、帯電防止
作用により、マスク表面（被転写体側）の汚染を防ぎ、
マスク表面の反対側にペリクルを設けることにより、マ
スクの洗浄の回数を減少または無くすることができ、マ
スクの長寿命化を図ることができる。
作用により、マスク表面（被転写体側）の汚染を防ぎ、
マスク表面の反対側にペリクルを設けることにより、マ
スクの洗浄の回数を減少または無くすることができ、マ
スクの長寿命化を図ることができる。
【００１２】更には、本発明のマスク構造体を用いた露
光により被転写体に所望のパターンを転写することを特
徴とする露光方法および露光装置により、マスク汚染の
影響を受けることなく、高精度な焼き付けの量産が可能
となる。また、本発明のマスク構造体を用いた露光によ
り加工基板上に所望のパターンを転写し、これを加工、
形成することにより、高性能半導体デバイスの量産が可
能となる。
光により被転写体に所望のパターンを転写することを特
徴とする露光方法および露光装置により、マスク汚染の
影響を受けることなく、高精度な焼き付けの量産が可能
となる。また、本発明のマスク構造体を用いた露光によ
り加工基板上に所望のパターンを転写し、これを加工、
形成することにより、高性能半導体デバイスの量産が可
能となる。
【００１３】
【実施例】次に、図面を参照しながら、実施例を挙げて
本発明を更に具体的に説明する。 ［実施例１］図１は、本発明の第１の実施例に係るＸ線
マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構造体は、
０．６２５ｍｍ厚のＳｉからなる保持枠１と、Ｘ線透過
性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜された２．０μｍ厚
のＳｉＣからなり、支持膜２上には抵抗加熱蒸着または
ＥＢ蒸着にて光触媒として酸化チタン６の薄膜が２００
ｎｍの厚さに形成されている。酸化チタン６としては、
結晶形がアナターゼ型となるよう成膜条件が調整され
る。図１のマスク構造体は、更に、スパッタにより形成
されたＴａからなるＸ線吸収体３、陽極接合にて保持枠
１と接着されているパイレックスからなる補強体４で構
成されている。
本発明を更に具体的に説明する。 ［実施例１］図１は、本発明の第１の実施例に係るＸ線
マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構造体は、
０．６２５ｍｍ厚のＳｉからなる保持枠１と、Ｘ線透過
性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜された２．０μｍ厚
のＳｉＣからなり、支持膜２上には抵抗加熱蒸着または
ＥＢ蒸着にて光触媒として酸化チタン６の薄膜が２００
ｎｍの厚さに形成されている。酸化チタン６としては、
結晶形がアナターゼ型となるよう成膜条件が調整され
る。図１のマスク構造体は、更に、スパッタにより形成
されたＴａからなるＸ線吸収体３、陽極接合にて保持枠
１と接着されているパイレックスからなる補強体４で構
成されている。
【００１４】補強体４の側面に枠体７に貼られたペリク
ル８が支持膜２との間隔が５ｍｍとなるよう着脱容易な
粘着剤１０にて装着されている。枠体７はＡｌからな
り、圧力調整用の穴９が開けられている。穴９にはゴミ
の侵入を防ぐフィルター（不図示）が取り付けられてい
る。ペリクル８は０．８μｍ厚のポリイミドからなる。
ル８が支持膜２との間隔が５ｍｍとなるよう着脱容易な
粘着剤１０にて装着されている。枠体７はＡｌからな
り、圧力調整用の穴９が開けられている。穴９にはゴミ
の侵入を防ぐフィルター（不図示）が取り付けられてい
る。ペリクル８は０．８μｍ厚のポリイミドからなる。
【００１５】上記のようにマスク表面（被転写体側）に
酸化チタン６の薄膜を形成し、その光触媒作用により付
着物を分解させる。その作用を詳しく述べると、酸化チ
タンが光のエネルギーを吸収することにより電子と正孔
を生成し、酸化還元作用により付着物を分解する。その
ため、本実施例では酸化チタン表面の付着物が分解され
るのはもちろん、酸化チタンから発生した電子は導電体
であるＸ線吸収体に伝わり還元作用により吸収体表面に
着いた付着物も分解できる。これは、一度発生した電子
と正孔の再結合を防ぐこともでき効率のアップにもつな
がる。
酸化チタン６の薄膜を形成し、その光触媒作用により付
着物を分解させる。その作用を詳しく述べると、酸化チ
タンが光のエネルギーを吸収することにより電子と正孔
を生成し、酸化還元作用により付着物を分解する。その
ため、本実施例では酸化チタン表面の付着物が分解され
るのはもちろん、酸化チタンから発生した電子は導電体
であるＸ線吸収体に伝わり還元作用により吸収体表面に
着いた付着物も分解できる。これは、一度発生した電子
と正孔の再結合を防ぐこともでき効率のアップにもつな
がる。
【００１６】更に、マスク表面の反対側にペリクル８を
設け、マスクに直接ゴミ等の付着を起こることを防ぐこ
とにより、マスクの洗浄回数を減らしあるいは洗浄その
ものを不要とし、マスクの長寿命化を達成できる。
設け、マスクに直接ゴミ等の付着を起こることを防ぐこ
とにより、マスクの洗浄回数を減らしあるいは洗浄その
ものを不要とし、マスクの長寿命化を達成できる。
【００１７】また、酸化チタンは、Ｘ線露光時に光触媒
として作用するのはもちろん、被転写体（ウェハ）に影
響のない範囲で紫外線、真空紫外線、Ｘ線のいずれかの
補助光を水銀ランプ、ブラックライト、レーザー、レー
ザープラズマＸ線などを用いてあてることにより光触媒
として分解作用を起こさせる。また、保存中にマスクカ
セット内で補助光を当てることもできる。また、酸化チ
タンは通常の部屋の明り（螢光灯等）でも作用を継続さ
せることもできる。更に、酸化チタンが露光や補助光の
照射により導電状態となることにより、マスク上へのゴ
ミ等の付着も防止できる。
として作用するのはもちろん、被転写体（ウェハ）に影
響のない範囲で紫外線、真空紫外線、Ｘ線のいずれかの
補助光を水銀ランプ、ブラックライト、レーザー、レー
ザープラズマＸ線などを用いてあてることにより光触媒
として分解作用を起こさせる。また、保存中にマスクカ
セット内で補助光を当てることもできる。また、酸化チ
タンは通常の部屋の明り（螢光灯等）でも作用を継続さ
せることもできる。更に、酸化チタンが露光や補助光の
照射により導電状態となることにより、マスク上へのゴ
ミ等の付着も防止できる。
【００１８】上記のような酸化チタンの分解作用およ
び、帯電防止作用とペリクルを併用することにより、被
転写物とマスクが数１０μｍ以下のギャップで露光され
るＸ線露光の量産に対応したＸ線マスク構造体を供給す
ることができた。
び、帯電防止作用とペリクルを併用することにより、被
転写物とマスクが数１０μｍ以下のギャップで露光され
るＸ線露光の量産に対応したＸ線マスク構造体を供給す
ることができた。
【００１９】［実施例２］図２は、本発明の第２の実施
例に係るＸ線マスク構造体の断面図である。図２のＸ線
マスク構造体は、２ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ
線透過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＣ（ダ
イヤモンド）２．０μｍ、ＷからなるＸ線吸収体３、お
よび陽極接合にて保持枠１と接着されているパイレック
スガラスからなる補強体４で構成されている。ペリクル
８には導電性ポリマーであり、耐放射線ポリマーである
ポリフェニレンサルファイドを用いた。
例に係るＸ線マスク構造体の断面図である。図２のＸ線
マスク構造体は、２ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ
線透過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＣ（ダ
イヤモンド）２．０μｍ、ＷからなるＸ線吸収体３、お
よび陽極接合にて保持枠１と接着されているパイレック
スガラスからなる補強体４で構成されている。ペリクル
８には導電性ポリマーであり、耐放射線ポリマーである
ポリフェニレンサルファイドを用いた。
【００２０】光触媒である酸化チタン６はマスクの周辺
部（露光領域外）のみにアルキルチタネートを塗布、焼
成することにより１０００ｎｍ形成した。被転写体（ウ
ェハ）に影響のない範囲で紫外線、真空紫外線、Ｘ線の
いずれかの補助光を水銀ランプ、ブラックライト、レー
ザー、レーザープラズマＸ線などを用いて当てることに
より光触媒として分解作用を起こさせる。また、保存中
にマスクカセット内で補助光を当てることもできる。ま
た、酸化チタンは通常の部屋の明り（螢光灯等）でも光
触媒としての作用を継続させることもできる。露光領域
外に形成することにより、酸化チタンの吸収によるＸ線
の減衰および酸化チタンのＸ線による変化が心配される
ことなく膜厚は反応に必要充分な量をつけることができ
る。本実施例では酸化チタン表面の付着物が分解される
のはもちろん、酸化チタンから発生した電子は導電体で
あるＸ線透過膜と吸収体に伝わり還元作用により透過膜
や吸収体表面についた付着物も分解できる。これは、一
度発生した電子と正孔の再結合を防ぐこともでき効率の
アップにもつながる。このように、本実施例では透過膜
に導電体であるＣ（ダイヤモンド）を用いたが、透過膜
の導電性が不十分な場合、Ｘ線の透過率等に与える影響
の少ない厚さの導電膜を形成することが好ましい。数ｎ
ｍ以下の厚さの貴金属（Ａｕ、Ｐｔなど）またはＩＴＯ
などの金属酸化物を形成してもよい。マスク表面の被転
写体側に形成した酸化チタンの分解作用および帯電防止
作用と、マスク表面の反対側にペリクルを設けることに
より、マスクの汚染を防ぎ、マスクの洗浄の回数を減少
または無くすることもでき、マスクの長寿命化を測るこ
とができ、量産に対応したＸ線マスク構造体を供給する
ことができた。
部（露光領域外）のみにアルキルチタネートを塗布、焼
成することにより１０００ｎｍ形成した。被転写体（ウ
ェハ）に影響のない範囲で紫外線、真空紫外線、Ｘ線の
いずれかの補助光を水銀ランプ、ブラックライト、レー
ザー、レーザープラズマＸ線などを用いて当てることに
より光触媒として分解作用を起こさせる。また、保存中
にマスクカセット内で補助光を当てることもできる。ま
た、酸化チタンは通常の部屋の明り（螢光灯等）でも光
触媒としての作用を継続させることもできる。露光領域
外に形成することにより、酸化チタンの吸収によるＸ線
の減衰および酸化チタンのＸ線による変化が心配される
ことなく膜厚は反応に必要充分な量をつけることができ
る。本実施例では酸化チタン表面の付着物が分解される
のはもちろん、酸化チタンから発生した電子は導電体で
あるＸ線透過膜と吸収体に伝わり還元作用により透過膜
や吸収体表面についた付着物も分解できる。これは、一
度発生した電子と正孔の再結合を防ぐこともでき効率の
アップにもつながる。このように、本実施例では透過膜
に導電体であるＣ（ダイヤモンド）を用いたが、透過膜
の導電性が不十分な場合、Ｘ線の透過率等に与える影響
の少ない厚さの導電膜を形成することが好ましい。数ｎ
ｍ以下の厚さの貴金属（Ａｕ、Ｐｔなど）またはＩＴＯ
などの金属酸化物を形成してもよい。マスク表面の被転
写体側に形成した酸化チタンの分解作用および帯電防止
作用と、マスク表面の反対側にペリクルを設けることに
より、マスクの汚染を防ぎ、マスクの洗浄の回数を減少
または無くすることもでき、マスクの長寿命化を測るこ
とができ、量産に対応したＸ線マスク構造体を供給する
ことができた。
【００２１】［実施例３］図３は、本発明の第３の実施
例に係るＸ線マスク構造体の断面図である。図３のＸ線
マスク構造体は、１ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ
線透過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＳｉＣ
２．０μｍ、スパッタにより形成されたＴａからなるＸ
線吸収体３、および陽極接合にて保持枠１と接着されて
いるパイレックスからなる補強体４で構成されている。
Ｘ線吸収体３のパターン形成後に蒸着またはスパッタに
て光触媒として酸化チタン６が２００ｎｍの厚さに形成
されている。ペリクル８としては、実施例１、２で用い
た有機膜でも支持膜２と同じ材料であるＳｉＣを用いて
も構わない。
例に係るＸ線マスク構造体の断面図である。図３のＸ線
マスク構造体は、１ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ
線透過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＳｉＣ
２．０μｍ、スパッタにより形成されたＴａからなるＸ
線吸収体３、および陽極接合にて保持枠１と接着されて
いるパイレックスからなる補強体４で構成されている。
Ｘ線吸収体３のパターン形成後に蒸着またはスパッタに
て光触媒として酸化チタン６が２００ｎｍの厚さに形成
されている。ペリクル８としては、実施例１、２で用い
た有機膜でも支持膜２と同じ材料であるＳｉＣを用いて
も構わない。
【００２２】酸化チタンの分解作用および、帯電防止作
用と、マスク表面の反対側にペリクルを設けることによ
り、マスクの汚染を防ぎ、マスクの洗浄の回数を減少ま
たはなくすることもでき、マスクの長寿命化をはかるこ
とができ、量産に対応したＸ線マスク構造体を供給する
ことができた。
用と、マスク表面の反対側にペリクルを設けることによ
り、マスクの汚染を防ぎ、マスクの洗浄の回数を減少ま
たはなくすることもでき、マスクの長寿命化をはかるこ
とができ、量産に対応したＸ線マスク構造体を供給する
ことができた。
【００２３】［実施例４］図４は本発明の第４の実施例
に係るＸ線マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構
造体としては、２ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ線
透過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＳｉN
２．０μｍ、スパッタにより形成されたＷＸ線吸収体
３、および接着剤５にて保持枠１と接着されているＳｉ
Ｃからなる補強体４で構成されているが、吸収体３であ
るＷの支持膜との密着性向上のためにＴｉ膜６’を用い
ている。Ｗをパターンニング後、ＴｉをＯ2 プラズマに
さらすことにより酸化して、光触媒として酸化チタン６
を１００ｎｍ形成する。酸化の手段としては熱酸化や酸
素イオンの打ち込み等を用いてもよい。密着性向上膜Ｔ
ｉの剥離工程を酸化工程に変えるのみで膜の形成ができ
るので、プロセスの簡便化を図ることができる。ペリク
ル８としては、有機膜でも支持膜２と同じ材料であるＳ
ｉＮを用いても構わない。
に係るＸ線マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構
造体としては、２ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ線
透過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＳｉN
２．０μｍ、スパッタにより形成されたＷＸ線吸収体
３、および接着剤５にて保持枠１と接着されているＳｉ
Ｃからなる補強体４で構成されているが、吸収体３であ
るＷの支持膜との密着性向上のためにＴｉ膜６’を用い
ている。Ｗをパターンニング後、ＴｉをＯ2 プラズマに
さらすことにより酸化して、光触媒として酸化チタン６
を１００ｎｍ形成する。酸化の手段としては熱酸化や酸
素イオンの打ち込み等を用いてもよい。密着性向上膜Ｔ
ｉの剥離工程を酸化工程に変えるのみで膜の形成ができ
るので、プロセスの簡便化を図ることができる。ペリク
ル８としては、有機膜でも支持膜２と同じ材料であるＳ
ｉＮを用いても構わない。
【００２４】酸化チタンの分解作用および帯電防止作用
と、マスク表面の反対側にペリクルを設けることによ
り、マスクの汚染を防ぎ、マスクの洗浄の回数を減少ま
たは無くすることができ、マスクの長寿命化を図ること
ができ、量産に対応したＸ線マスク構造体を供給するこ
とができた。
と、マスク表面の反対側にペリクルを設けることによ
り、マスクの汚染を防ぎ、マスクの洗浄の回数を減少ま
たは無くすることができ、マスクの長寿命化を図ること
ができ、量産に対応したＸ線マスク構造体を供給するこ
とができた。
【００２５】［実施例５］図５は本発明の第５の実施例
に係るＸ線マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構
造体としては実施例３と同じ構成で作られるが、光触媒
である酸化チタン６のスパッタによる成膜の際にメッシ
ュを用いるなどして方向性を持たせる。すると、吸収体
３の側面に酸化チタン膜が形成されないので、吸収体の
線幅制御が容易になる。
に係るＸ線マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構
造体としては実施例３と同じ構成で作られるが、光触媒
である酸化チタン６のスパッタによる成膜の際にメッシ
ュを用いるなどして方向性を持たせる。すると、吸収体
３の側面に酸化チタン膜が形成されないので、吸収体の
線幅制御が容易になる。
【００２６】［実施例６］図６は本発明の第６の実施例
に係るＸ線マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構
造体としては５ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ線透
過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＳｉＮ、
２．０μｍ（導電膜としてＰｔが数ｎｍ形成されてい
る）、およびめっきにより形成されたＡｕからなるＸ線
吸収体３で構成されている。本実施例では補強体４は用
いていない。そのため、ペリクルは保持枠１に直接接着
されている。吸収体３を形成する際に用いたレジストを
剥離する前に光触媒である酸化チタン６を形成し、レジ
ストを剥離することにより、露光領域内では吸収体２上
のみに形成する。また、実施例２と同様に周辺部（露光
領域外）にも形成しておく。酸化チタンの吸収によるＸ
線の減衰によるコントラストの低下を防ぐことができ
る。
に係るＸ線マスク構造体の断面図である。Ｘ線マスク構
造体としては５ｍｍｔのＳｉからなる保持枠１、Ｘ線透
過性の支持膜２となるＣＶＤにて成膜されたＳｉＮ、
２．０μｍ（導電膜としてＰｔが数ｎｍ形成されてい
る）、およびめっきにより形成されたＡｕからなるＸ線
吸収体３で構成されている。本実施例では補強体４は用
いていない。そのため、ペリクルは保持枠１に直接接着
されている。吸収体３を形成する際に用いたレジストを
剥離する前に光触媒である酸化チタン６を形成し、レジ
ストを剥離することにより、露光領域内では吸収体２上
のみに形成する。また、実施例２と同様に周辺部（露光
領域外）にも形成しておく。酸化チタンの吸収によるＸ
線の減衰によるコントラストの低下を防ぐことができ
る。
【００２７】［実施例７］次に上記実施例１〜６で説明
したマスクを用いた微小デバイス（半導体装置、薄膜磁
気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用Ｘ線露光装置の
実施例を説明する。
したマスクを用いた微小デバイス（半導体装置、薄膜磁
気ヘッド、マイクロマシンなど）製造用Ｘ線露光装置の
実施例を説明する。
【００２８】図７は、本発明に係るＸ線マスクを用いた
露光装置の要部概略図であり、図８はこのＸ線露光装置
を上から見た図である。このＸ線露光装置は、シンクロ
トロン放射（ＳＲ）光をＸ線光源として使用するもので
ある。
露光装置の要部概略図であり、図８はこのＸ線露光装置
を上から見た図である。このＸ線露光装置は、シンクロ
トロン放射（ＳＲ）光をＸ線光源として使用するもので
ある。
【００２９】同図において、ＡはＳＲ放射源（蓄積リン
グ）であり、ＳＲ放射源Ａから放射されたシートビーム
形状のシンクロトロン放射光Ｂは、横方向に光強度が均
一のビームに広がり、縦方向には殆ど拡がりを持たない
シートビーム状をしている。この放射光Ｂを、シリンド
リカルミラーＣで反射させて縦方向に拡大させ、これに
より断面が略四角でビームとして、これにより四角い露
光領域を得るようにしている。拡大された放射光Ｂはシ
ャッタＤによって照射領域内での露光量が均一となるよ
うに調整し、シャッタＤを経た放射光ＢはＸ線マスクＥ
に導かれる。Ｘ線マスクＥは実施例１〜６の方法によっ
て製造されたものである。Ｘ線マスクＥはマスクステー
ジＧに吸着され、ウェハＦと対向する位置に保持されて
いる。なお、図７、８にはペリクルは表示されていな
い。
グ）であり、ＳＲ放射源Ａから放射されたシートビーム
形状のシンクロトロン放射光Ｂは、横方向に光強度が均
一のビームに広がり、縦方向には殆ど拡がりを持たない
シートビーム状をしている。この放射光Ｂを、シリンド
リカルミラーＣで反射させて縦方向に拡大させ、これに
より断面が略四角でビームとして、これにより四角い露
光領域を得るようにしている。拡大された放射光Ｂはシ
ャッタＤによって照射領域内での露光量が均一となるよ
うに調整し、シャッタＤを経た放射光ＢはＸ線マスクＥ
に導かれる。Ｘ線マスクＥは実施例１〜６の方法によっ
て製造されたものである。Ｘ線マスクＥはマスクステー
ジＧに吸着され、ウェハＦと対向する位置に保持されて
いる。なお、図７、８にはペリクルは表示されていな
い。
【００３０】Ｆは被露光体であるウェハである。ウェハ
ＦはウェハチャックＨに保持されている。ウェハチャッ
クＨはウェハステージＩに搭載されている。ウェハステ
ージＩを移動させウェハＦを位置決めしている。
ＦはウェハチャックＨに保持されている。ウェハチャッ
クＨはウェハステージＩに搭載されている。ウェハステ
ージＩを移動させウェハＦを位置決めしている。
【００３１】アライメントユニットＪは、マスクＥとウ
ェハＦの各々に設けた位置決め用のアライメントマーク
を検出する光学系と、両者のズレを演算する演算部とを
有している。本発明のＸ線マスクＥを用いることによ
り、高精度な位置合わせを行なうことができる。
ェハＦの各々に設けた位置決め用のアライメントマーク
を検出する光学系と、両者のズレを演算する演算部とを
有している。本発明のＸ線マスクＥを用いることによ
り、高精度な位置合わせを行なうことができる。
【００３２】本発明のマスクＥとウェハＦのアライメン
ト後、Ｘ線マスクＥに形成されているパターンを、ステ
ップ＆リピート方式やスキャニング方式などによってウ
ェハＦ上に露光転写する。マスクステージＧに近接して
紫外線、真空紫外線、Ｘ線のいずれかの補助光源Ｋが設
けられており、ウェハＦに影響にのない範囲でＸ線マス
クＥに対して補助光源Ｋからの補助光を照射できるよう
になっている。補助光源Ｋとしては、具体的には水銀ラ
ンプ、ブラックライト、レーザー、またはレーザープラ
ズマＸ線などが用いられる。
ト後、Ｘ線マスクＥに形成されているパターンを、ステ
ップ＆リピート方式やスキャニング方式などによってウ
ェハＦ上に露光転写する。マスクステージＧに近接して
紫外線、真空紫外線、Ｘ線のいずれかの補助光源Ｋが設
けられており、ウェハＦに影響にのない範囲でＸ線マス
クＥに対して補助光源Ｋからの補助光を照射できるよう
になっている。補助光源Ｋとしては、具体的には水銀ラ
ンプ、ブラックライト、レーザー、またはレーザープラ
ズマＸ線などが用いられる。
【００３３】このようにＸ線露光装置を構成することに
より、ＳＲ光Ｂによる露光時（露光領域に光触媒として
酸化チタンが形成されている場合）や補助光の照射時
に、マスク表面（被転写体側）の光触媒である酸化チタ
ンの作用による分解作用や帯電防止作用が促進され、反
対側に設けられたペリクルとともに、マスクへのゴミの
付着を防止することができる。
より、ＳＲ光Ｂによる露光時（露光領域に光触媒として
酸化チタンが形成されている場合）や補助光の照射時
に、マスク表面（被転写体側）の光触媒である酸化チタ
ンの作用による分解作用や帯電防止作用が促進され、反
対側に設けられたペリクルとともに、マスクへのゴミの
付着を防止することができる。
【００３４】更に、このＸ線露光装置では図８に示すよ
うに、マスクカセット室Ｌにも補助光源Ｋが設置されて
いる。Ｘ線マスクＥの保存中にも光触媒である酸化チタ
ンによる付着物の分解作用を起こさせることができ、分
解生成物はマスクカセット室Ｌの排気口Ｍから回収する
こともできる。このＸ線露光装置により、量産に対応し
た高精度なＸ線露光を行なうことができた。
うに、マスクカセット室Ｌにも補助光源Ｋが設置されて
いる。Ｘ線マスクＥの保存中にも光触媒である酸化チタ
ンによる付着物の分解作用を起こさせることができ、分
解生成物はマスクカセット室Ｌの排気口Ｍから回収する
こともできる。このＸ線露光装置により、量産に対応し
た高精度なＸ線露光を行なうことができた。
【００３５】［実施例８］次に前述した露光装置を利用
した半導体デバイス（半導体素子）の製造方法の実施例
を説明する。図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。本実施例において、ステップ１
（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したＸ線マスクを実施例１〜６の方法を用いて
製作する。一方、ステップ３（ウェハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウ
ェハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマスク
とウェハを用いてＸ線リソグラフィー技術によってウェ
ハ上に実際の回路を形成する。
した半導体デバイス（半導体素子）の製造方法の実施例
を説明する。図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。本実施例において、ステップ１
（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したＸ線マスクを実施例１〜６の方法を用いて
製作する。一方、ステップ３（ウェハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウ
ェハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマスク
とウェハを用いてＸ線リソグラフィー技術によってウェ
ハ上に実際の回路を形成する。
【００３６】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって製作されたウェハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって製作されたウェハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００３７】ステップ６（検査）ではステップ５で製作
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３８】図１０は上記ステップ４のウェハプロセス
の詳細なフローチャートである。まず、ステップ１１
（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１２
（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステッ
プ１３（電極形成）ではウェハ上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに化学増幅型のレジストを塗布する。
の詳細なフローチャートである。まず、ステップ１１
（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１２
（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステッ
プ１３（電極形成）ではウェハ上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハ
にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）で
はウェハに化学増幅型のレジストを塗布する。
【００３９】ステップ１６（露光）では実施例７で説明
したＸ線露光装置によってマスクの回路パターンをウェ
ハに焼付け露光する。ウェハをローディングしてウェハ
をマスクと対向させ、アライメントユニットで両者のズ
レを検出して、ウェハステージを駆動して両者の位置合
わせを行なう。両者が合致したならば露光を行なう。露
光終了後、ウェハは次のショットへステップ移動し、ア
ライメント以下の動作を繰り返す。
したＸ線露光装置によってマスクの回路パターンをウェ
ハに焼付け露光する。ウェハをローディングしてウェハ
をマスクと対向させ、アライメントユニットで両者のズ
レを検出して、ウェハステージを駆動して両者の位置合
わせを行なう。両者が合致したならば露光を行なう。露
光終了後、ウェハは次のショットへステップ移動し、ア
ライメント以下の動作を繰り返す。
【００４０】ステップ１７（現像）では露光したウェハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像し
たレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスの量産に対応することが出
来る。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像し
たレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスの量産に対応することが出
来る。
【００４１】以上、本発明の実施形態について、Ｘ線露
光により半導体デバイスを製造する場合を中心にして説
明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
光触媒が機能する波長領域の光の使用を前提とするもの
であれば、Ｘ線以外の光（紫外線、真空紫外線）を露光
光または補助光に用いることを前提とした露光方法、露
光装置およびマスク構造体も、本発明の範疇に含まれる
ものである。すなわち、エキシマレーザーなどの光源か
らの紫外線や真空紫外線を用いた露光、透過型または反
射型のＸ線露光、ＥＢ（電子ビーム）やＩＢ（イオンビ
ーム）を用いた露光も含まれるものである。また、光触
媒の具体例として酸化チタンを挙げたが、他の光触媒、
例えばＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、ＳｎＯ2 、ＺｒＯ
2 などの金属酸化物や、ＳｒＴｉＯ3 、ＫＴａＯ3 、Ｎ
ｉ−Ｋ4 Ｎｂ6 Ｏ17などの複合金属酸化物、ＣｄＳ、Ｚ
ｎＳなどの金属硫化物、ＣｄＳｅ、ＧａＰ、ＣｄＴｅ、
ＭｏＳｅ2 、ＷＳｅ2 などの金属カルコゲナイドを用い
てもかまわない。
光により半導体デバイスを製造する場合を中心にして説
明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
光触媒が機能する波長領域の光の使用を前提とするもの
であれば、Ｘ線以外の光（紫外線、真空紫外線）を露光
光または補助光に用いることを前提とした露光方法、露
光装置およびマスク構造体も、本発明の範疇に含まれる
ものである。すなわち、エキシマレーザーなどの光源か
らの紫外線や真空紫外線を用いた露光、透過型または反
射型のＸ線露光、ＥＢ（電子ビーム）やＩＢ（イオンビ
ーム）を用いた露光も含まれるものである。また、光触
媒の具体例として酸化チタンを挙げたが、他の光触媒、
例えばＺｎＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、ＳｎＯ2 、ＺｒＯ
2 などの金属酸化物や、ＳｒＴｉＯ3 、ＫＴａＯ3 、Ｎ
ｉ−Ｋ4 Ｎｂ6 Ｏ17などの複合金属酸化物、ＣｄＳ、Ｚ
ｎＳなどの金属硫化物、ＣｄＳｅ、ＧａＰ、ＣｄＴｅ、
ＭｏＳｅ2 、ＷＳｅ2 などの金属カルコゲナイドを用い
てもかまわない。
【００４２】
【発明の効果】以上の様に、光触媒をマスク表面（被転
写体側）に有しマスク表面の反対側にペリクルを形成す
ることにより、光触媒による分解作用、および導電化に
よる帯電防止作用とペリクルにより、マスク表面の汚染
を防ぎ、洗浄の回数を減少または無くすることができ、
マスクの長寿命化を図ることができる。
写体側）に有しマスク表面の反対側にペリクルを形成す
ることにより、光触媒による分解作用、および導電化に
よる帯電防止作用とペリクルにより、マスク表面の汚染
を防ぎ、洗浄の回数を減少または無くすることができ、
マスクの長寿命化を図ることができる。
【００４３】更には、本発明のマスク構造体を用いた露
光により被転写体にパターンを転写することを特徴とす
る露光方法および、露光装置により、高精度な焼き付け
の量産が可能となる。また、本発明のマスク構造体を用
いた露光により加工基板上にパターンを転写し、これを
加工、形成することにより、高性能半導体デバイスの量
産が可能となる。
光により被転写体にパターンを転写することを特徴とす
る露光方法および、露光装置により、高精度な焼き付け
の量産が可能となる。また、本発明のマスク構造体を用
いた露光により加工基板上にパターンを転写し、これを
加工、形成することにより、高性能半導体デバイスの量
産が可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係るマスク構造体の
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施例に係るマスク構造体の
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の第３の実施例に係るマスク構造体の
断面図である。
断面図である。
【図４】 本発明の第４の実施例に係るマスク構造体の
断面図である。
断面図である。
【図５】 本発明の第５の実施例に係るマスク構造体の
断面図である。
断面図である。
【図６】 本発明の第６の実施例に係るマスク構造体の
断面図である。
断面図である。
【図７】 本発明のマスク構造体を用いる露光装置の概
略図である。
略図である。
【図８】 図７の露光装置を上から見た図である。
【図９】 本発明のマスク構造体を用いる露光装置で作
製する半導体デバイスの製造フローである。
製する半導体デバイスの製造フローである。
【図１０】 図９におけるウェハプロセスの詳細なフロ
ーである。
ーである。
【図１１】 化学増幅型レジストの反応例を示す説明図
である。
である。
１：保持枠、２：支持膜（Ｘ線透過膜）、３：Ｘ線吸収
体、４：補強体、５：接着剤、６：光触媒（酸化チタ
ン）、７：枠体ペリクル、８：ペリクル、９：穴、１
０：粘着剤、Ａ：ＳＲ放射源、Ｂ：シンクロトロン放射
光、Ｃ：凸面ミラー、Ｄ：シャッタ、Ｅ：Ｘ線マスク、
Ｆ：ウェハ、Ｇ：マスクステージ、Ｈ：ウェハチャッ
ク、Ｉ：ウェハステージ、Ｊ：アライメントユニット、
Ｋ：補助光源、Ｌ：マスクカセット室、Ｍ：排気口。
体、４：補強体、５：接着剤、６：光触媒（酸化チタ
ン）、７：枠体ペリクル、８：ペリクル、９：穴、１
０：粘着剤、Ａ：ＳＲ放射源、Ｂ：シンクロトロン放射
光、Ｃ：凸面ミラー、Ｄ：シャッタ、Ｅ：Ｘ線マスク、
Ｆ：ウェハ、Ｇ：マスクステージ、Ｈ：ウェハチャッ
ク、Ｉ：ウェハステージ、Ｊ：アライメントユニット、
Ｋ：補助光源、Ｌ：マスクカセット室、Ｍ：排気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小倉 真哉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA10 BB30 BC24 BC26 BC39 5F046 AA25 CB17 DA29 GA04 GA20 GD03 GD04 GD20
Claims (14)
- 【請求項１】 所望のパターンを基板上に露光するため
に用いられるマスクにおいて、該マスクの被転写体側表
面に光触媒を有し、該マスクの被転写体側表面の反対側
にペリクルを設けたことを特徴とするマスク構造体。 - 【請求項２】 前記マスクが透過型のマスクである請求
項１に記載のマスク構造体。 - 【請求項３】 前記マスクの、露光に用いられる光が照
射される部分以外の部分に光触媒を設けたことを特徴と
する請求項１に記載のマスク構造体。 - 【請求項４】 Ｘ線を用いた露光に使用される請求項１
〜３のいずれか１つに記載のマスク構造体。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれか１つに記載のマ
スク構造体を用い、露光により被転写体に所望のパター
ンを転写することを特徴とする露光方法。 - 【請求項６】 露光により被転写体に所望のパターンを
転写する際に、化学増幅型のレジストを用いることを特
徴とする請求項５に記載の露光方法。 - 【請求項７】 用いる露光光がＸ線である請求項５また
は６に記載の露光方法。 - 【請求項８】 露光により被転写体に所望のパターンを
転写する露光装置において、請求項１〜３のいずれか１
つに記載のマスク構造体を用いたことを特徴とする露光
装置。 - 【請求項９】 被転写体に影響のない範囲で補助光を前
記マスク構造体に照射する補助光源をさらに有する請求
項８に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 被転写体に露光を行なわないときに前
記マスク構造体を保管するマスクカセット室と、被転写
体に影響を与えない範囲で補助光をマスクカセット室内
の前記マスク構造体に照射する補助光源とをさらに有す
る請求項８または９に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記補助光源が紫外線、真空紫外線、
Ｘ線から選ばれることを特徴とする請求項９または１０
に記載の露光装置。 - 【請求項１２】 用いる露光光がＸ線である請求項８〜
１１に記載の露光装置。 - 【請求項１３】 半導体デバイスにおいて、請求項１〜
３のいずれか１つに記載のマスク構造体を用い、露光に
より被転写体に所望のパターンを転写し、これを加工、
形成して作製されたことを特徴とする半導体デバイス。 - 【請求項１４】 露光により被転写体に所望のパターン
を転写し、これを加工、形成することにより半導体デバ
イスを作製する半導体デバイス製造方法において、前記
露光に際して請求項１〜３のいずれか１つに記載のマス
ク構造体を用いることを特徴とする半導体デバイス製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9352199A JP2000284468A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9352199A JP2000284468A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000284468A true JP2000284468A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14084639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9352199A Pending JP2000284468A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000284468A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246011A3 (en) * | 2001-03-29 | 2003-11-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of producing a pattern and photomask used in the same |
| EP1333323A3 (en) * | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
| WO2009041388A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Hoya Corporation | マスクブランク及び転写用マスク |
| WO2014188710A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置 |
| WO2023149056A1 (ja) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | 日本軽金属株式会社 | 光学部材及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP9352199A patent/JP2000284468A/ja active Pending
Cited By (19)
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| US6800405B2 (en) | 2001-03-29 | 2004-10-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of producing pattern-formed structure and photomask used in the same |
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