JP2000285432A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚さ５μｍ以下の芳香族ポリアミドフィルム
を用いた場合にも、良好な電磁変換特性と耐久性とを両
立する。 【解決手段】 厚さ５．０μｍ以下の芳香族ポリアミド
フィルムからなる非磁性支持体上に金属磁性薄膜からな
る磁性層が設けられてなる磁気記録媒体である。非磁性
支持体の少なくとも片面に水溶性高分子と平均粒径が５
〜２００ｎｍの微細粒子を主体とする厚さ１００ｎｍ以
下の連続被膜を形成する。微細粒子によって微細表面突
起が形成されており、その頻度が５００万〜５０００万
個／ｍｍ²、高さが１０〜５０ｎｍ、連続被膜の厚さｔ
と前記微細粒子の平均粒径ｄとの比ｔ／ｄが、０．１〜
４の範囲にある。非磁性支持体の縦方向のヤング率は、
１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、幅方向のヤング率は１３０
０ｋｇ／ｍｍ² 以上である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、金属磁性薄膜を用
いた磁気記録媒体に関し、特に長時間記録用のビデオテ
ープ、あるいは大容量のテープストリーマとして用いて
好適な磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、金属磁性薄膜型磁気記録媒体用の
支持体としては、その材料強度や寸法安定性等の特性が
比較的優れていること等から、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムが主として用いられている。特にホームビ
デオカセットテープ、例えば８ミリテープ等には厚さ７
〜１０μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィルム
が、またテープストリーマー等においては厚さ５〜７μ
ｍ程度のものが使用されている。

【０００３】一方、近年、ビデオカセットテープの中で
も特にデジタルビデオカセット（ＤＶＣ）テープなどで
は、ビデオカセットの小型化が進み、より一層の長時間
記録化が望まれている。また、テープストリーマーの分
野に於いても、例えば、いわゆるＤ８やＤＤＳと呼ばれ
るデータカートリッジでは、さらなる大容量化が望まれ
ている。

【０００４】磁気記録媒体の長時間記録化や大容量化を
達成するためにはベースフィルムの薄膜化が必要となる
が、薄膜化により磁気記録媒体のステイフネスの低下や
スキュー特性の悪化が問題となってくる。

【０００５】スティフネスやスキュー特性を満足させる
ためには、ベースフィルムの高強度で低熱収縮というよ
うに、相反する特性を同時に満たすことが必要となって
くる。このためポリエチレンテレフタレートフィルムで
は再延伸などの手法により、より強度を高めかつ、エー
ジング等により熱収縮を減らすなどの措置がとられてい
る。しかしながら、最近ではより一層の薄膜化が進む中
でポリエチレンテレフタレートの強度では限界にきてお
り、次世代の高密度磁気記録媒体用ベースフィルムとし
て、高強度かつ熱収縮の少ない芳香族ポリアミドフィル
ムが注目されるようになってきている。

【０００６】さらに、長時間記録化や大容量化が進むに
つれて、磁気記録媒体に要求される特性も厳しくなって
くる。電磁変換特性にはさらなる向上が求められ、エラ
ーレートに対する要求もより一層厳しくなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような面から考え
ると、ベースフィルムの表面は平滑で突起などが存在し
ない鏡面であることが好ましい。しかしながら、そのよ
うなベースフィルム上に形成された蒸着膜はそのままベ
ースフィルムの鏡面性を保つので、蒸着面の走行性は悪
く、擦り傷が発生したり、蒸着膜の粉落ちによりエラー
レートが多発することになる。

【０００８】本発明は、こうした従来の実情に鑑みてな
されたものであり、厚さ５μｍ以下の芳香族ポリアミド
フィルムを用いた場合に、良好な電磁変換特性と走行性
とを兼ね備えた、金属磁性薄膜からなる磁性層を有する
磁気記録媒体を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる問題
点を解決するために以下の如き手段を採用するものであ
る。

【００１０】すなわち、本発明は、非磁性支持体上に金
属磁性薄膜からなる磁性層が設けられてなる磁気記録媒
体において、前記非磁性支持体が厚さ５．０μｍ以下の
芳香族ポリアミドフィルムであり、前記非磁性支持体の
少なくとも片面に水溶性高分子と平均粒径が５〜２００
ｎｍの微細粒子を主体とする厚さ１００ｎｍ以下の連続
被膜が形成されていることを特徴とするものである。

【００１１】本発明にかかる磁気記録媒体は、上記構成
を有することにより、長時間記録化や大容量化が達成さ
れる。

【００１２】さらに、連続被膜の厚さや連続被膜中の微
細粒子の平均粒径、添加量を制御することにより、磁気
記録媒体の電磁変換特性および走行耐久性に関して良好
な特性が確保される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
について、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１４】本発明を適用した磁気記録媒体は、図１に
示すように、非磁性支持基体１Ａ上に連続被膜１Ｂが形
成され、当該連続被膜１Ｂの表面上に金属磁性薄膜から
なる磁性層２が形成されてなるものである。

【００１５】そして、非磁性支持基体１Ａ上の連続被膜
１Ｂは、厚さが１００ｎｍ以下であり、平均粒径５〜２
００ｎｍの微細粒子Ｃによって微細表面突起が形成され
ている。

【００１６】この微細表面突起の頻度は、５００万〜５
０００万個／ｍｍ² の範囲にあることが好ましく、高さ
が１０〜５０ｎｍであり、連続被膜１Ｂの厚さｔと、微
細粒子Ｃの平均粒径ｄとの比ｔ／ｄが、０．１〜４の範
囲にあることが好ましい。

【００１７】また、非磁性支持基体１Ａの縦方向のヤン
グ率を１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、及び幅方向のヤング
率を１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上にすることにより、磁気
ヘッドとの当たりを良好にすることができる。

【００１８】連続被膜１Ｂの厚さは１００ｎｍ以下であ
り、１０〜５０ｎｍの範囲がより好ましい。連続被膜１
Ｂの厚さが１００ｎｍを超えると、表面粗さが粗くな
り、ノイズの増加や電磁変換特性の低下を引き起こす。

【００１９】微細粒子Ｃの平均粒径は５〜２００ｎｍの
範囲であり、１０〜５０ｎｍの範囲がより好ましい。微
細粒子Ｃの平均粒径が５ｎｍ未満であると、磁気記録媒
体の走行性が悪化し、擦り傷の発生や蒸着膜の粉落ち等
により良好な電磁変換特性が得られなくなり、エラーレ
ートが多発することになる。また、微細粒子Ｃの平均粒
径が２００ｎｍを超えると、磁気ヘッドとのスペーシン
グが増加し、電磁変換特性が低下する。

【００２０】先にも述べたように、連続被膜１Ｂの表面
の微細表面突起の頻度は、５００万〜５０００万個／ｍ
ｍ² の範囲で形成され、８００万〜２０００万個／ｍｍ
² の範囲がより好ましい。連続被膜１Ｂの表面突起が８
００万個／ｍｍ² 未満であると、磁気記録媒体の走行性
が悪化し、擦り傷の発生や蒸着膜の粉落ち等により良好
な電磁変換特性が得られなくなり、エラーレートが多発
することになる。また、連続被膜１Ｂの表面の表面突起
が５０００万個／ｍｍ² を超えると、ヘッドとのスペー
シングが増加し、電磁変換特性が低下する。

【００２１】また、連続被膜１Ｂの表面の表面突起の高
さは１０〜５０ｎｍの範囲で形成され、１０〜４０ｎｍ
の範囲がより好ましい。連続被膜１Ｂの表面突起の高さ
が１０ｎｍ未満になると、磁気記録媒体の走行性が悪化
する。また、連続被膜１Ｂの表面突起の高さが５０ｎｍ
を超えると、磁気ヘッドとのスペーシングが増加し、電
磁変換特性が低下するため好ましくない。

【００２２】さらに、連続被膜１Ｂの厚さｔと、微細粒
子Ｃの平均粒径ｄとの比ｔ／ｄであるが、０．１〜４．
０の範囲にあることが好ましく、１．０〜３．０の範囲
にあることがより好ましい。連続被膜１Ｂの厚さｔと、
微細粒子Ｃの平均粒径ｄとの比ｔ／ｄが１．０未満であ
ると、微細粒子Ｃの脱落により、エラーレートが多発し
たり、走行性が悪化することになる。また、ｔ／ｄが
４．０を超えると、微細粒子Ｃによる微細表面突起の高
さが不十分になり、磁気記録媒体の走行性が悪化する。

【００２３】このように、本発明を適用した磁気記録媒
体は、非磁性支持基体１Ａ上に水溶性高分子と微細粒子
主体の連続被膜１Ｂを形成し、連続被膜１Ｂの厚みと微
細粒子Ｃの平均粒径、連続被膜１Ｂ表面の微細表面突起
の高さ、頻度、連続被膜１Ｂの厚さｔと微細粒子の平均
粒径ｄとの比ｔ／ｄを上述した範囲に制御することによ
り、優れた走行耐久性と電磁変換特性を確保することが
できる。

【００２４】ここで、上記の特性は以下に示す方法によ
り測定したものである。

【００２５】イ．表面突起頻度 ５００万〜５０００万個／ｍｍ² の範囲で形成された連
続被膜１Ｂの表面突起の頻度は、走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて測定したものであり、日本電子社製の超高
分解能コールドＦＥ−ＳＥＭ「Ｓ−９００」（商品名）
を用いて、加速電圧２０ｋＶ、倍率３万倍以上にてカウ
ントし、１ｍｍ² 当たりの個数に換算した。

【００２６】ロ．表面突起高さ デジタル・インスツルメンツ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓ
ｔｒｕｍｅｎｔｓ）社製の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を
用いて、スキャンサイズ５μｍ×５μｍ、サンプリング
数４００ポイント、スキャンレート４．３４Ｈｚの各条
件にて測定を行い、突起１０個の高さをそれぞれ測定
し、１０個の平均値を算出してそれを突起高さとした。

【００２７】ハ．連続被膜１Ｂの厚さ 微細表面突起の頻度と水溶性高分子の添加量から、計算
により求めた。

【００２８】ニ．ヤング率 温度２５℃、相対湿度５５％下で、テンシロン型の引張
り試験機を使用して測定した。

【００２９】本発明において、非磁性支持基体１Ａに用
いる芳香族ポリアミドフィルムとして、特に好ましいの
は、下記の化１において化学式（Ｉ）、または化学式
（ＩＩ）、あるいはこれらの共重合体を有したポリアミ
ド樹脂を用いて成膜したものである。

【００３０】

【化１】

【００３１】なお、この芳香族ポリアミドには約２０重
量％以下の量であれば上記の成分以外のポリマーが共重
合またはフレンドされていてもよい。

【００３２】これらの重合体からフィルムを製造する場
合には、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルスルホアミ
ド、γ−ブチロラクトン、テトラメチル尿素、ジオキサ
ン等、またはこれらの混合溶媒、あるいはこれらに重合
原液の中和生成物として塩化リチウム、塩化カルシウ
ム、炭酸リチウム、硝酸リチウム等の無機塩を添加した
溶媒が使用される。

【００３３】このような成膜用溶媒を使用して、ｐ−フ
ェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェ
ニレンジアミン、２−二トロ−ｐ−フェニレンジアミ
ン、２−クロル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−
ジアミノビフェニル、３，３’−クロルベンジン等の芳
香族ジアミンおよびテレフタル酸クロライド、２−クロ
ルテレフタル酸クロライド、テレフタル酸ヒドラジド、
ｐ−アミノ安息香酸ヒドラジド、ｐ−アミノ安息香酸ク
ロライド等の芳香族ジカルボン酸類の重合あるいは結合
によって得た芳香族ポリアミド樹脂を溶液成形等の手法
により芳香族ポリアミドフィルムを得る。

【００３４】以上のようにして得られた芳香族ポリアミ
ドフィルムを長さ方向および幅方向に延伸し、縦方向の
ヤング率を１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、幅方向のヤング
率を１３００ｋｇ／ｍｍ² 以上となるようにし、厚さが
２．０〜５．０μｍの非磁性支持基体とする。非磁性支
持基体は、厚みと強度をこの程度にすることにより、磁
気記録媒体の厚みを薄くして、長時間記録化に対応させ
ることができる。

【００３５】また、上記非磁性支持基体の金属磁性薄膜
によって磁性層が形成される面には、非磁性支持基体上
に、水溶性高分子と微細粒子を主体とする連続被膜を設
けることにより、高さ１０〜５０ｎｍの表面突起が５０
０〜５０００万個／ｍｍ² 形成されるようにする。

【００３６】上記微細粒子としては、例えば、シリカ、
炭酸カルシウム、二酸化チタン、アルミナ、カオリン、
タルク、グラファイト、長石、二酸化モリブデン、カー
ボンブラック、硝酸バリウム等の無機質系粒子、ポリス
チレン、ポリメチルメタクリレート、メチルメタクリレ
ート共重合体、メチルメタクリレート共重合体の架橋
体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニリデンフル
オライド、ポリアクリロニトリル、ベンゾグアナミン樹
脂等の如き有機質系粒子等が挙げられるが、真球状粒子
を得やすいコロイダルシリカ、架橋高分子による粒子を
用いることが好ましい。

【００３７】一方、水溶性高分子とは、水に溶解する
か、または必要に応じて界面活性剤などの添加により懸
濁液または乳化液となる高分子を意味し、このような高
分子をさらに架橋などによって高分子量化したものも含
まれる。これらの水溶性高分子としては、例えば、澱
粉、メチルセルロースやヒドロキシエチルセルロースな
どのセルロース誘導体、アルギン酸、アラビアゴム、ゼ
ラチン、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリアクリルアミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、
ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン
シリコーン樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エ
ーテル系樹脂、エポキシ樹脂、エステル系樹脂等が挙げ
られる。

【００３８】上記シリコーン樹脂としては、シロキサン
の置換基が主としてメチル基よりなるポリオルガノシロ
キサンを主成分とし、メチル基以外には水酸基、α−メ
チルスチレン基、オキシアルキレン基、不飽和基、クロ
ロフェニル基、トリフルオロプロピル基、エポキシ基、
ビニル基、カルボン酸基、フェニル基、アミノ基、シア
ノエチル基、α−オレフィン基、水酸基、メルカプト
基、ハロゲン化アルキル基等が置換基として一部導入さ
れたものを用いることもできる。これらは末端にエポキ
シ基、アミノ基、水酸基、その他官能性末端基を有する
ものが好ましい。

【００３９】上記オルガノポリシロキサンは、水性媒体
中に乳化もしくは水溶化させるか、シランもしくはシロ
キサンの乳化重合によって得られる水性エマルジョン
等、公知の製造方法によって水性化が可能である。

【００４０】本発明に用いる水性高分子には必要に応じ
て硬化剤を加えることができる。

【００４１】ウレタン系樹脂としては、主要な成分が、
ポリイソシアネート、ポリオール、鎖長延長剤、架橋剤
などからなる水性ウレタン樹脂を使用することができ
る。水性化するにあたっては、ポリイソシアネート、ポ
リオールおよび鎖長延長剤に親水性基を導入したものを
用いるのが一般的手法である。また、ポリウレタンの未
反応イソシアネート基と、親水性基を有する化合物とを
反応させても良い。

【００４２】エーテル系樹脂としては、ポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチ
レングリコール、エチレンオキサイドとプロピレンオキ
サイドとの共重合体、エチレンオキサイドとテトラヒド
ロフランとの共重合体などを挙げることができる。

【００４３】エステル系樹脂としては、テレフタル酸、
イソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸およびこれらのエ
ステル形成性誘導体や、アジピン酸、アゼライン酸、セ
バシン酸などの脂肪族カルボン酸およびこれらのエステ
ル形成性誘導体と、エチレングリコール、プロピレング
リコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シクロヘ
キサンジメタノール、ジエチレングリコール、ポリエチ
レングリコールなどのジオールとの反応物を使用でき
る。水性化するにあたっては、スルホン酸基を有する化
合物を上記の成分と共に共重合するのが良く知られた方
法であり、スルホイソフタル酸、スルホテレフタル酸、
４−スルホナフタレン−２，７−ジカルボン酸およびこ
れらのエステル形成性誘導体などのアルカリ金属塩また
はアルカリ土類金属塩などがよく使われる。

【００４４】また、テープの走行を安定にする目的で、
非磁性支持基体１Ａ中に、不活性粒子や非磁性支持基体
の原料となる芳香族ポリアミド樹脂と同種のものであっ
て、上述した溶液成形の際に溶媒に溶けない有機物を添
加してもよい。該粒子の平均粒径は２０〜３００ｎｍで
あり、該粒子によって形成される表面突起の頻度は１〜
１００万個／ｍｍ² の範囲が好ましい。

【００４５】また、ここでは非磁性支持基体１は単層の
フィルムであるが、フィルム製膜時やテープ製造工程時
のハンドリングを良好にする目的で、裏面の表面性を粗
くした２層あるいは３層構造以上の複合化フィルムであ
ってもよい。

【００４６】磁気記録媒体の磁性層２を形成する金属磁
性薄膜としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ等を主体と
する金属磁性薄膜、またはそれらの合金を主体とする金
属磁性薄膜が使用される。

【００４７】この金属磁性薄膜からなる磁性層２の厚み
は、０．０５〜０．２μｍが好ましく、０．１〜０．２
μｍがより好ましい、すなわち、磁性層２の厚みを薄く
すると、自己減磁損失等を少なくするとともに、上述し
たように非磁性支持基体の薄さに加えて磁気記録媒体の
全厚を薄くすることができ、磁気記録媒体の全長は長く
なることから、長時間記録化や大容量化が達成される。

【００４８】この金属磁性薄膜の形成手段としては、真
空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ非磁性支持基体上
に堆積させる真空蒸着法等が広く使用されている。この
他にも、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプ
レーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気でグロ
ー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでターゲット表
面の原子をたたき出すスパッタリング法等、いわゆるＰ
ＶＤ技術を使用しても良い。

【００４９】さらに、この金属磁性薄膜においては、非
磁性支持基体との付着強度改善、あるいは強磁性薄膜自
体の耐食性、耐磨耗性の改善の目的で、成膜を酸素ガス
支配的となる雰囲気下で行なうと良い。

【００５０】なお、非磁性支持基体１Ａの磁性層２が形
成される面とは反対側の面には、走行性の向上および耐
久性を高める目的で、バックコート層を設けても良い。
バックコート層には、従来公知の材料を用いることがで
き、例えば、カーボン、炭酸カルシウムなどの非磁性顔
料をポリウレタン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等
の結合剤に分散させたものを用いることができる。

【００５１】さらに、金属磁性薄膜からなる磁性層２の
表面には、磁気記録媒体の耐久性や耐候性を高める目的
で、硬質炭素膜を設けても良い。硬質炭素膜は、スパッ
タリング法や化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、膜厚
がスペーシングやテープ特性に影響を与えない６〜１０
ｎｍ程度に形成されるのが好ましい。さらに、潤滑剤を
存在せしめることにより、磁性材料の粒子状突起の形状
に基づく走行性を高めることも可能である。

【００５２】また、磁気記録媒体の表面、裏面、並びに
それらの近傍、或いは磁性層２内（強磁性金属薄膜内の
空隙）、非磁性支持基体１Ａと磁性層２との界面、非磁
性支持基体１内等に公知の手段により防錆剤、帯電防止
剤等の各種添加剤を必要に応じて存在させてもよい。

【００５３】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明するが、本発明がこれら実施例に限定されるものでな
いことは言うまでもない。

【００５４】実施例１ 先ず、非磁性支持基体を以下のように作製した。

【００５５】脱水したｎ−メチルピロリドンに、０．９
ｍｏｌ比に相当する２−クロル−ｐ−フェニレンジアミ
ンと０．１ｍｏｌ比に相当する４，４’−ジアミノフェ
ニルスルホンとを撹拌溶解させて冷却し、この中へ０．
７ｍｏｌ比に相当するテレフタル酸クロライドを添加し
て、約２時間撹拌した。その後、十分精製した水酸化カ
ルシウムを添加、撹拌して、芳香族ポリアミド溶液を得
た。

【００５６】この芳香族ポリアミド溶液を表面研磨した
金属ドラム上へ３０℃で均一に流延し、１２０℃の雰囲
気で約１０分間乾燥し、芳香族ポリアミドフィルムとし
た。

【００５７】このフィルムをドラムから剥離し、３０℃
の水槽中に連続的に約３０分間浸漬しながら、長さ方向
に１．１倍に延伸した。さらにこのフィルムをテンター
に導入して３２０℃で幅方向に１．３倍に延伸して、縦
方向のヤング率が１０００ｋｇ／ｍｍ² 、幅方向のヤン
グ率が１３００ｋｇ／ｍｍ² 、厚さ４μｍの非磁性支持
基体を得た。

【００５８】この非磁性支持基体の表面に、粒径２０ｎ
ｍのＳｉＯ₂ を０．００５部含有する塗液を、１ｍ² 当
たり４．５ｇ塗布して乾燥させることにより、高分子被
膜を形成した。

【００５９】次にこのようにして作製された非磁性支持
体に対して、連続巻き取り式蒸着装置を用いて、連続斜
め蒸着法により磁性層を形成した。

【００６０】この連続巻き取り式蒸着装置は、内部が１
０^-3Ｐａ程度の真空状態とされた真空室内に、冷却キャ
ンに対向して金属磁性薄膜用の蒸着源（Ｃｏ）を収納す
るルツボが配置されてなる。

【００６１】上記冷却キャンは、−２０℃に冷却され、
所定の方向に回転している。そして、非磁性支持基体
は、送り速度５０ｍ／分で供給ロールから繰り出され、
冷却キャンの周面に沿って移行し、巻き取りロールに巻
き取られるようになっている。なお、供給ロールと冷却
キャンとの間には、ガイドローラーが配置され、冷却キ
ャンと巻き取りロールの間には、ガイドローラーが配置
され、非磁性支持基体が所定のテンションをもって供給
ロールから冷却キャン、および冷却キャンから巻き取り
ロールの間を円滑に走行できるようになっている。

【００６２】また、上記蒸着源に対しては、電子ビーム
発生源から電子ビームが加速照射される。電子ビームが
加速照射された蒸着源は、加熱蒸発し、冷却キャンの周
面に沿って走行する非磁性支持基体上に付着（蒸着）す
る。このとき、蒸着源と冷却キャンとの間には、シャッ
タを位置調整可能なように取り付けた防着板が配置され
てなることから、非磁性支持基体には、蒸着粒子が所定
の角度で入射するようになっている。したがって、非磁
性支持基体の表面には、磁性粒子が非磁性支持基体の表
面に対して斜めに配向して磁性層が形成される。ここ
で、磁性層の膜厚は、１８０ｎｍとした。

【００６３】さらに、このような金属磁性薄膜の蒸着に
際しては、図示しない酸素ガス導入口から非磁性支持体
の表面に流量２Ｌ／分で酸素ガスが供給され、金属磁性
薄膜の磁気特性、耐久性および耐候性の向上が図られて
いる。

【００６４】次に、磁性層上に、スパッタ法により硬質
炭素膜を形成した。スパッタ条件は、真空度をＡｒガス
雰囲気中０．８Ｐａとし、テープ送り速度を５ｍ／分、
硬質炭素膜の膜厚を５ｎｍとした。

【００６５】次に、この硬質炭素膜に対して、有機物防
錆剤０．１重量％溶液をグラビアロールを使用した塗布
機にて塗布し、１００℃のドライヤーで乾燥させた。そ
の後に、潤滑剤としてパーフルオロポリエーテル誘導体
よりなる有機物を主体とした０．５重量％溶液を同様に
グラビアロールにて塗布乾燥させ、これをトップコート
層とした。

【００６６】次に、非磁性支持基体の裏面に、カーボン
を主体とし、結合剤として塩化ビニル系樹脂を使用した
バックコート層（厚さ０．５μｍ）を形成した。

【００６７】このようにして得られた磁気記録媒体原反
を８ｍｍ幅に裁断して、サンプルテープを作製した。

【００６８】実施例２〜５ 実施例２〜５は、基本構成を実施例１と同じくし、高分
子被膜に含有させるＳｉＯ₂ の粒径および添加量を調整
して、表面突起の高さや密度などを実施例１と異ならせ
たものである。

【００６９】実施例６ 実施例６は、非磁性支持基体製膜時の延伸条件を変更し
て、縦方向のヤング率が１２００ｋｇ／ｍｍ² 、幅方向
のヤング率が１６００ｋｇ／ｍｍ² となるようにし、実
施例１と同様の条件で磁気記録媒体を作製したものであ
る。

【００７０】実施例７ 実施例７は、非磁性支持基体中に粒径１００ｎｍのＳｉ
Ｏ₂ を添加し、表面に５万個／ｍｍ² の突起を形成さ
せ、実施例１と同様の条件で磁気記録媒体を作製したも
のである。

【００７１】実施例８〜１２ 実施例８〜１２は、基本構成を実施例１と同じくし、高
分子被膜に含有させるＳｉＯ₂ の粒径を２０ｎｍとし、
表面突起が１５００万個／ｍｍ² となるように添加量を
調整して、連続被膜の厚さを実施例１と異ならせたもの
である。

【００７２】比較例１〜５ 比較例１〜５は、基本構成を実施例１と同じくし、高分
子被膜に含有させるＳｉＯ₂ の粒径および添加量を調整
して、表面突起の高さや密度などを実施例１と異ならせ
たものである。

【００７３】比較例６ 比較例６は、実施例７の非磁性支持体において高分子被
膜を設けず、他は同様の条件で磁気記録媒体を作製した
ものである。

【００７４】比較例７ 比較例７は、非磁性支持基体製膜時の延伸条件を変更し
て、縦方向のヤング率が４００ｋｇ／ｍｍ² 、幅方向の
ヤング率が６００ｋｇ／ｍｍ² となるようにし、他は実
施例１と同様の条件で磁気記録媒体を作製したものであ
る。

【００７５】比較例８ 比較例８は、非磁性支持基体中に粒径１００ｎｍのＳｉ
Ｏ₂ を添加し、表面に５万個／ｍｍ² の突起を形成させ
た実施例７において、非磁性支持基体製膜時の延伸条件
を変更して、縦方向のヤング率が４００ｋｇ／ｍｍ² 、
幅方向のヤング率が６００ｋｇ／ｍｍ² となるように
し、他は同様の条件で磁気記録媒体を作製したものであ
る。

【００７６】評価 １．テープ特性 本実施例における磁気記録媒体の特性評価は、ソニー株
式会社製のＡＩＴドライブＳＤＸ−Ｓ３００Ｃ（商品
名）を改造したものを用いて行った。記録は相対速度１
０．０４ｍ／秒、最短記録波長０．３５μｍで行った。

【００７７】２．耐久性 実施例１〜１２、比較例１〜８のサンプルテープについ
て、テープ長１０ｃｍに記録と再生を繰り返し行い、出
力が得られなくなるまでの回数をカウントした。５００
０回以上を許容とした。

【００７８】３．エラーレート データ用磁気テープでは、表面の削れ等による電磁変換
特性の低下等はエラーレートとして検出される。そこ
で、これらのサンプルテープについてエラーレートの評
価を行った。ブロックエラーレートの数は１０^-2以下を
許容とした。

【００７９】４．摩擦特性 ガイドピン［ステンレス（ＳＵＳ）：０．２Ｓ］に対し
て、初期と１０００回繰り返し摺動させた後の摩擦係数
を調べた。常温常湿（２５℃、５５％）下の環境で、荷
重１０ｇ、摺動速度５ｍｍ／ｓｅｃの条件により測定し
た。１０００パス後の摩擦係数が０．４以下を許容とし
た。

【００８０】各実施例及び比較例の設計を表１及び表２
に、各実施例及び比較例の評価結果を表３及び表４にそ
れぞれ示す。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【００８３】

【表３】

【００８４】

【表４】

【００８５】表３及び表４の結果から、非磁性支持体が
厚さ５．０μｍ以下のフィルムで、縦方向のヤング率が
１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、幅方向のヤング率が１３０
０ｋｇ／ｍｍ² 以上であり、磁性層を形成する面の微細
表面突起が、平均粒径が５〜２００ｎｍの微細粒子によ
って形成され、この表面突起は少なくとも、頻度が５０
０万〜５０００万個／ｍｍ² の範囲にあり、高さが１０
〜５０ｎｍであり、連続被膜の厚さｔと微細粒子の平均
粒径ｄとの比ｔ／ｄが、０．１〜４の範囲にあることを
満たす実施例１〜７においては、いずれも優れた電磁変
換特性、走行耐久性等を得ることができた。

【００８６】実施例７は、非磁性支持基体中に平均粒径
が１００ｎｍのＳｉＯ₂ 粒子を添加し、該粒子により１
ｍｍ² あたり５万個の突起を非磁性支持体上に形成させ
たものであるが、各設定が適切な範囲内にあるので、電
磁変換特性や走行耐久性等の特性に優れていることがわ
かる。

【００８７】実施例８〜１２は、連続被膜中の微細粒子
の粒径を２０ｎｍ、表面突起の頻度を１ｍｍ² あたり１
５００万個と固定し、連続被膜の厚さを変えたものであ
るが、各設定が適切な範囲内にあるので、電磁変換特性
や走行耐久性等の特性に優れていることがわかる。

【００８８】一方、比較例１においては、連続被膜の厚
さと微細表面突起の頻度およびｔ／ｄは適切な範囲内に
あるが、微細粒子の平均粒径が小さいため、突起高さが
不十分となり、耐久性、摩擦について良好な結果が得ら
れていない。更に初期のエラーレートは比較的良好であ
るが、１０００パス後には削れが顕著になり、増加して
いる。

【００８９】また、比較例２においては、微細粒子の平
均粒径と微細突起の頻度は適切な範囲内にあるが、連続
被膜が厚いため突起高さが不十分となり、耐久性および
摩擦が劣っている。更に表面粗さも粗くなっているた
め、エラーレートに関しても良好な結果を得ることがで
きていない。

【００９０】比較例３は、突起頻度が少なすぎるため耐
久性および摩擦特性が劣っている。また、初期のエラー
レートは優れているが、１０００パス後には削れが顕著
になり増加している。

【００９１】比較例４においては、微細粒子の平均粒径
に対する連続被膜の厚さが薄いことから、微細粒子が脱
落しやすいため、耐久性、摩擦およびエラーレートに対
して良好な結果を得ることができていない。

【００９２】比較例５のように、微細粒子の平均粒径が
大きい場合、表面が粗くなりエラーレートは初期から劣
っている。更に、微細粒子の脱落も顕著になるため、耐
久性に対しても良好な結果を得ることができない。

【００９３】比較例６は微細表面突起が設けられていな
いため、耐久桂が極端に劣り、摩擦も高い。さらに、エ
ラーレートの増加も著しい。

【００９４】比較例７は、縦方向のヤング率を４００ｋ
ｇ／ｍｍ² 、幅方向のヤング率を６００ｋｇ／ｍｍ² に
したこと以外は、基本構成を実施例１と同じくしている
が、ヤング率が小さすぎるため、磁気ヘッドとの当たり
が不十分となり、耐久性、エラーレートに対して良好な
結果を得ることができない。

【００９５】比較例８は、縦方向のヤング率を４００ｋ
ｇ／ｍｍ² 、幅方向のヤング率を６００ｋｇ／ｍｍ² に
したこと以外は基本構成を実施例７と同じくしている。
比較例７と同様、縦方向、幅方向のヤング率が小さすぎ
るため、磁気ヘッドとの当たりが不十分となり、耐久
性、エラーレートに対して良好な結果を得ることができ
ない。

【００９６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る磁気記録媒体によれば、良好な電磁変換特性と
耐久性とを両立させることができ、エラーレートに対す
る要求を満足することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す要
部概略断面図である。

【符号の説明】

１Ａ 非磁性支持基体、１Ｂ 連続被膜、２ 磁性層
（金属磁性薄膜）、Ｃ 微細粒子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｄ 7/12 Ｃ０９Ｄ 7/12 Ｚ 201/00 201/00 Ｇ１１Ｂ 5/73 Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧ // Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧ Ｇ１１Ｂ 5/704 Ｃ０８Ｌ 77:00 Ｆターム(参考） 4F071 AA56 AF20Y AH14 BB08 BC01 4F100 AA20H AA37 AB01A AB15 AK01C AK15 AK17 AK47B AK54 BA03 BA05 BA07 BA10A BA10B CA14 CA23C DD07C DE01C DE01H EH66 GB41 JB09C JG06A JG10 JK07A JL00 JM02A YY00A YY00B YY00C YY00H 4J038 BA051 BA111 BA171 BA181 CC032 CD031 CD112 CD122 CE021 CG001 CG111 CG142 CG162 CG171 CH032 CK031 DA172 DB001 DD001 DF001 DF011 DL031 HA026 HA216 HA286 HA336 HA446 HA456 HA526 NA01 NA22 PB11 PC08 5D006 BB01 CB01 CB03 CB05 CB06 CB07 CB08 FA02 FA09

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜からなる
   磁性層が設けられてなる磁気記録媒体において、 前記非磁性支持体が厚さ５．０μｍ以下の芳香族ポリア
   ミドフィルムであり、前記非磁性支持体の少なくとも片
   面に水溶性高分子と平均粒径が５〜２００ｎｍの微細粒
   子を主体とする厚さ１００ｎｍ以下の連続被膜が形成さ
   れていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記微細粒子によって微細表面突起が形
   成されており、少なくともその頻度が５００万〜５００
   ０万個／ｍｍ² の範囲にあり、且つ高さが１０〜５０ｎ
   ｍであり、 前記連続被膜の厚さｔと前記微細粒子の平均粒径ｄとの
   比ｔ／ｄが、０．１〜４の範囲にあることを特徴とする
   請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記非磁性支持体の縦方向のヤング率が
   １０００ｋｇ／ｍｍ²以上であり、幅方向のヤング率が
   １３００ｋｇ／ｍｍ² 以上であることを特徴とする請求
   項２記載の磁気記録媒体。