JP2000285668A - 磁気メモリデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小さな動作磁界で、かつ隣接セルへの影響を
低減させて情報の記録再生を行うことができる磁気メモ
リデバイスを得る。 【解決手段】 マトリックス状に配列された磁気メモリ
素子１と、情報の記録再生のため磁気メモリ素子１に磁
界を印加する磁界印加手段２と、選択した磁気メモリ素
子１に対してのみ磁界印加手段２からの磁界によって動
作可能となるように該磁気メモリ素子１を加熱する素子
加熱手段３とを備えることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を用
いた磁気メモリ素子をマトリックス状に配列した磁気メ
モリデバイスに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度性、速応性、不揮発性を備
えた固体記録素子として、磁気抵抗効果を利用したラン
ダム・アクセス・メモリが注目されている。このような
磁気メモリ素子によれば、磁性層の磁化の方向によって
情報を記録することができ、記録情報を半永久的に保持
する不揮発性メモリとすることができる。このため、例
えば携帯端末やカードの情報記録素子等の各種の記録素
子としての利用が期待されている。特に、巨大磁気抵抗
効果（ＧＭＲ）を用いた磁気メモリ素子は、ＧＭＲの高
出力特性を利用することができ、高速読み出しが可能で
あるため期待されている。

【０００３】このようなＧＭＲを用いた磁気メモリ素子
の具体的なセル構造として、例えば特開平９−９１９５
１号公報に、書き込み線及び読み出し線などを配置した
集積素子構造が開示されている。この集積素子構造にお
いては、各メモリセルをマトリックス状に配置し、横方
向には読み出し線で直列に接続すると共に、縦方向には
各セルの上に共通の書き込み線を配置している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メモリ
セルの集積度が高まるにつれて、情報を記録する際に書
き込み線から発生する磁界が他の隣接セルに漏洩し、誤
動作等が発生するという問題が生じる。また、メモリ素
子の動作速度を高める等の観点から、小さな動作磁界で
メモリ素子への情報の記録再生を行うことが望まれてい
る。

【０００５】本発明の目的は、小さな動作磁界で、かつ
隣接セルへの影響を低減させて情報の記録再生を行うこ
とができる磁気メモリデバイスを提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気メモリデバ
イスは、マトリックス状に配列された磁気メモリ素子
と、情報の記録再生のため磁気メモリ素子に磁界を印加
する磁界印加手段と、磁気メモリ素子のうち、選択した
磁気メモリ素子に対してのみ磁界印加手段からの磁界に
よって動作可能となるように該磁気メモリ素子を加熱す
る素子加熱手段とを備えることを特徴としている。

【０００７】本発明の磁気メモリ素子には、磁気抵抗効
果を用いて情報の記録再生が行われる。従って、磁気メ
モリ素子は、磁気抵抗効果膜を有している。磁気抵抗効
果膜としては、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を示すもの
であることが好ましい。このような磁気抵抗効果膜とし
ては、保磁力差型、スピンバルブ型、人工格子型の各種
磁気抵抗効果膜を挙げることができる。これらの中で
も、絶縁層を介して一対の強磁性層を設けたトンネル型
巨大磁気抵抗効果膜を用いたものが、高い出力特性を得
ることができ、高速読み出しが可能であるため好まし
い。このようなトンネル型巨大磁気抵抗効果膜の中で
も、特に強磁性層が垂直に磁化された強磁性層であるこ
とが好ましい。従って、２つの垂直磁化層とこれに挟ま
れた絶縁層とを有するトンネル型巨大磁気抵抗効果膜が
好ましい。

【０００８】図１は、本発明の磁気メモリデバイスを説
明するための概略構成図である。磁気メモリ素子１の近
傍には、情報の記録再生のための磁界を磁気メモリ素子
１に印加するための磁界印加手段２が設けられている。
また、磁気メモリ素子１の近傍には、磁界印加手段２か
らの磁界によって磁気メモリ素子１が動作可能となるよ
うに磁気メモリ素子１の保磁力を低減するため磁気メモ
リ素子１を加熱する素子加熱手段３が設けられている。
素子加熱手段３によって所定の温度に高められた磁気メ
モリ素子１は、磁界印加手段２からの磁界により情報の
記録再生が行われる。磁気メモリ素子１の磁気抵抗効果
膜は、例えば、一対の強磁性層の間に非磁性層を設けた
積層構造を有する磁気抵抗効果膜によって構成される。

【０００９】図３は、このような磁気メモリ素子中にお
ける記録層及び再生層の保磁力と温度との関係を示す図
である。図３に示すように、温度が高くなるにつれて、
記録層の保磁力及び再生層の保磁力が低減している。従
って、記録層及び再生層の温度を高めることにより、記
録層及び再生層の保磁力を低減することができ、より小
さな動作磁界で動作可能となることがわかる。例えば、
室温Ｔｃにおいて、動作磁界範囲Ａで動作可能な記録層
は、動作温度Ｔｏｐに昇温することにより、より小さな
動作磁界範囲Ｂで動作可能となる。従って、小さな動作
磁界で情報の記録を行うことができる。同様に、再生層
も室温Ｔｃから動作温度Ｔｏｐに昇温することにより、
より小さな動作磁界で再生を行うことができるようにな
る。

【００１０】図２は、本発明の磁気メモリデバイスを説
明するための概略構成図である。上述のように、本発明
によれば、小さな動作磁界で情報の記録再生を行うこと
ができる。本発明によれば、さらに磁気メモリ素子を選
択的に加熱することにより、選択した磁気メモリ素子に
対してのみ磁界印加手段からの磁界によって動作可能と
することができる。図２に示すように、素子選択手段４
によって選択した磁気メモリ素子１の近傍に設けられて
いる素子加熱手段３を発熱させ、選択した磁気メモリ素
子１を加熱する。選択した磁気メモリ素子１において
は、上記のように記録層及び再生層の温度が上昇し、磁
界印加手段２からのより小さな動作磁界で情報の記録ま
たは再生を行うことができる。選択した磁気メモリ素子
１に隣接する磁気メモリ素子においては、その近傍の素
子加熱手段による加熱がなされていないため、同程度の
磁界強度であっても動作せず、情報の記録または再生が
なされることがない。

【００１１】以上のように、本発明によれば、素子加熱
手段で選択的に磁気メモリ素子を加熱することにより、
選択した磁気メモリ素子に対してのみ磁界印加手段から
の磁界によって情報の記録再生を行うことができる。

【００１２】本発明における磁界印加手段は、磁気メモ
リ素子に情報の記録再生のための磁界を印加することが
できるものであればよく、例えば、マトリックス状に配
列された磁気メモリ素子の縦方向または横方向に各磁気
メモリ素子に対して共通のワード線を配置し、このワー
ド線に電流を流すことにより磁界印加手段としてもよ
い。

【００１３】本発明における素子加熱手段は、選択した
磁気メモリ素子に対してのみ磁界印加手段からの磁界に
よって動作可能となるように該磁気メモリ素子を加熱す
ることができる手段であればよい。

【００１４】本発明に従う一般的な構成においては、磁
界印加手段によって磁界が印加される磁界印加領域が、
素子加熱手段によって加熱される加熱領域よりも広くな
る。言い換えれば、素子加熱手段によって加熱される加
熱領域は、磁界印加手段によって磁界が印加される領域
よりも狭く限定されるように構成される。

【００１５】本発明に従う好ましい実施形態の１つにお
いては、第１の加熱電流線と第２の加熱電流線が互いに
直交するように磁気メモリ素子のマトリックスに沿って
配置され、第１の加熱電流線と第２の加熱電流線が各磁
気メモリ素子上で交差するように設けられており、第１
の加熱電流線と第２の加熱電流線の交差部において、第
１の加熱電流線と第２の加熱電流線に挟まれるように抵
抗発熱層が設けられている。選択した磁気メモリ素子を
加熱するためには、該磁気メモリ素子上で交差する第１
の加熱電流線と第２の加熱電流線の間で電流を流し、こ
れらの間に挟まれる抵抗発熱層において発熱させ、該磁
気メモリ素子を加熱することができる。従って、このよ
うな実施形態においては、第１の加熱電流線及び第２の
加熱電流線とこれらの間に挟まれる抵抗発熱層により素
子加熱手段が構成される。

【００１６】

【発明の実施の形態】図４は、本発明に従う磁気メモリ
デバイスの一実施例を示す平面図である。図４に示すよ
うに、複数の磁気メモリ素子１０は、マトリックス状に
配置されている。マトリックス状に配置された各磁気メ
モリ素子１０の上には、横方向に読み出しビット線２０
が設けられている。読み出しビット線２０は、横方向に
配列した各磁気メモリ素子１０に共通の読み出しビット
線として設けられている。

【００１７】各磁気メモリ素子１０の下方には、縦方向
に延びるワード線２１が設けられている。ワード線２１
は、縦方向に配列した各磁気メモリ素子１０に共通のワ
ード線として設けられている。ワード線２１の下方に
は、抵抗発熱層２２が設けられている。抵抗発熱層２２
の下方には、読み出しビット線２０と同じ横方向に加熱
ビット線２３が設けられている。加熱ビット線２３は、
横方向に配列した各磁気メモリ素子１０に対し共通の加
熱ビット線となるように設けられている。

【００１８】読み出しビット線２０、ワード線２１、及
び加熱ビット線２３は、本実施例ではＡｌから形成され
ている。また、抵抗発熱層２２は、ＳｉＮから形成され
ている。

【００１９】図５は、図４に示す磁気メモリ素子１０の
１つを拡大して示す模式的斜視図である。磁気メモリ素
子１０は、図５に示すように、記録層１１の上に絶縁層
１２を介して再生層１３を積層した磁気抵抗効果膜から
形成されている。再生層１３の保磁力は、記録層１１の
保磁力よりも小さな保磁力となるように設定されてい
る。従って、ここで用いられている磁気抵抗効果膜は保
磁力差型の磁気抵抗効果膜である。本実施例において、
記録層１１はＣｏから形成されており、絶縁層１２はＡ
ｌ₂ Ｏ₃ から形成されており、再生層１３はＮｉＦｅか
ら形成されている。記録層１１、絶縁層１２、及び再生
層１３からなる磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化は、ワー
ド線２１と読み出しビット線２０の間を流れるセンス電
流の抵抗変化から検出することができる。

【００２０】また、記録層１１及び再生層１３の磁化方
向を制御するための磁界は、ワード線２１に電流を流す
ことにより発生させることができる。従って、本実施例
では、ワード線２１が磁界印加手段となる。

【００２１】また、磁気メモリ素子１０を加熱するに
は、ワード線２１と加熱ビット線２３の間に電流を流
す。これによりワード線２１と加熱ビット線２３の交差
部分でこれらに挟まれている抵抗発熱層２２の部分が発
熱し、これによってその上に位置する磁気メモリ素子１
０を加熱することができる。従って、本実施例では、ワ
ード線２１、抵抗発熱層２２、及び加熱ビット線２３か
ら素子加熱手段が構成されている。

【００２２】選択した磁気メモリ素子に対して加熱する
には、該磁気メモリ素子を通るワード線２１と加熱ビッ
ト線２３の間で電流を流し、ワード線２１と加熱ビット
線２３の交差部分における抵抗発熱層２２を発熱させる
ことによって該磁気メモリ素子１０を加熱することがで
きる。

【００２３】図６及び図７は、図５に示す磁気メモリ素
子に情報を記録する際の動作を説明するための断面図で
ある。図６を参照して、非磁性の支持基板２４の上には
磁気メモリ素子のマトリックスの横方向に延びる加熱ビ
ット線２３が設けられており、加熱ビット線２３の上に
は、抵抗発熱層２２が設けられている。抵抗発熱層２２
の上には、磁気メモリ素子のマトリックスの縦方向に延
びるワード線２１が設けられている。ワード線２１の上
には、磁気メモリ素子１０の磁気抵抗効果膜を構成する
記録層１１、絶縁層１２及び再生層１３が積層されてい
る。再生層１３の上には、磁気メモリ素子のマトリック
スの横方向に延びる読み出しビット線２０が設けられて
いる。磁気メモリ素子１０と、隣接する磁気メモリ素子
との間には絶縁層２５及び２６が設けられている。絶縁
層２５及び２６は電気的な絶縁性が得られるものである
と共に、熱的な絶縁性が得られるものであることが好ま
しい。図６は、記録層１１に、“←”の方向に磁化方向
を制御して情報を記録するときの状態を示している。

【００２４】まず、記録層１１の保磁力を小さくし、小
さな動作磁界で磁化方向を設定可能にするため、記録層
１１を加熱する。選択した磁気メモリ素子１０を通るワ
ード線２１と、選択した磁気メモリ素子１０を通る加熱
ビット線２３を選択し、これらの間に電流を流すことに
より、ワード線２１と加熱ビット線２３の交差部分にお
ける抵抗発熱層２２を発熱させる。抵抗発熱層２２から
発生した熱は、記録層１１に伝達し、記録層１１が加熱
され、その保磁力が低下する。この状態で、ワード線２
１に図面奥側から手前に向かう方向に電流を流すことに
より、ワード線２１の周囲に磁界Ａを発生させる。この
磁界Ａが記録層１１に印加されることにより、記録層１
１の磁化方向は、“←”の方向に設定される。これによ
り、記録層１１に情報が記録される。

【００２５】選択した磁気メモリ素子１０に隣接するセ
ル（磁気メモリ素子）においては、その記録層が積極的
には加熱されていないので、動作磁界が低減しておら
ず、選択したメモリ素子１０内のワード線２１から発生
する磁界Ａの影響を受けることがない。従って、隣接セ
ルでは、磁化方向が維持され、記録されている情報が保
たれる。従って、隣接セルに影響を与えることなく、選
択した磁気メモリ素子のみに情報を記録することができ
る。

【００２６】図６に示す実施例では、再生層１３の磁化
方向も、記録層１１と同様の方向に設定されているが、
記録層１１への記録に際しては、再生層１３の磁化方向
は特に関係しないので、記録の際に再生層１３の磁化方
向が変化してもよいし変化しなくともよい。なお、記録
層１１への記録の際に、再生層１３の磁化方向が変化す
るか否かは、再生層１３が加熱される程度及びその温度
における保磁力と磁界Ａの強度に依存している。

【００２７】図７に示すように、記録層１１の磁化方向
を“→”の方向に設定するには、上記と同様にして、ワ
ード線２１と加熱ビット線２３の間に電流を流し、それ
らの交差部分における抵抗発熱層２２を発熱させ、これ
によって記録層１１を加熱した後、ワード線２１に図面
手前側から奥側に向かう電流を流す。この電流により磁
界Ｂが発生し、この磁界Ｂによって記録層１１の磁化方
向が“→”の方向に設定される。上記と同様に、選択し
た磁気メモリ素子１０の記録層１１のみが磁界Ｂによっ
て磁化方向が変化するように加熱され保磁力が小さくな
っているので、選択した磁気メモリ素子１０の記録層１
１のみが磁界Ｂによって記録される。従って、隣接セル
の記録層に影響を与えることなく、選択した磁気メモリ
素子のみに情報を記録することができる。

【００２８】図８及び図９は、磁気メモリ素子１０に記
録した情報を再生するときの動作を説明するための断面
図である。図８及び図９は、図７に示すように、記録層
１１に“→”の磁化方向を設定して記録したときの情報
を再生するときの状態を示している。

【００２９】記録層１１に記録された情報を再生する際
には、ワード線２１と読み出しビット線２０の間にセン
ス電流を流し、磁気メモリ素子１０の抵抗値の変化を読
み取ることにより検出する。本実施例では、絶縁層１２
を介して強磁性層である記録層１１及び再生層１３を積
層したトンネル型磁気抵抗効果膜を用いているので、磁
気抵抗効果膜の厚み方向にセンス電流を流すように構成
されている。

【００３０】図８に示すように、まずワード線２１に図
面手前側から奥側に流れる電流を流す。これにより磁界
Ｃが発生する。ワード線２１に流す電流は、これによっ
て発生する磁界Ｃが相対的に保磁力の大きな記録層１１
の磁化方向は変化させず、相対的に保磁力の小さな再生
層１３の磁化方向のみを変化し得るような磁界強度とな
るようにその電流量が設定される。再生層１３の磁化方
向はもともと“→”の方向であるので、その磁化方向が
維持される。

【００３１】次に、図９に示すように、ワード線２１を
流れる電流の方向を逆方向にし、図面奥側から手前側に
電流を流す。これにより、磁界Ｄが発生し、この磁界Ｄ
により、再生層１３の磁化方向のみが反転し、“←”の
方向に設定される。従って、記録層１１の磁化方向と再
生層１３の磁化方向が逆方向となり、磁気抵抗効果膜の
抵抗が増加する。図８に示す状態から図９に示す状態に
再生層の磁化方向を変化させることにより、磁気メモリ
素子１０の磁気抵抗値が増加するので、この抵抗値の変
化を検出することにより、記録層１１の磁化方向を知る
ことができ、記録層１１に記録された情報を再生するこ
とができる。

【００３２】上記の再生方法では、再生前に素子加熱手
段によって磁気メモリ素子を加熱していない。これは、
ワード線２１及び読み出しビット線２０を選択すること
により、その交差部分の磁気メモリ素子の磁気抵抗値の
変化を選択して検出することができるので、隣接セルの
影響を受けることがないからである。しかしながら、選
択した磁気メモリ素子における再生層の磁化方向のみを
変化させる必要がある場合には、素子加熱手段を用いて
再生層を加熱し、再生層の保磁力を小さくし、動作磁界
を低下させて磁界を印加させてもよい。

【００３３】図１０及び図１１は、本発明に従う他の実
施例の磁気メモリデバイスを記録する際の動作を説明す
るための断面図である。本実施例においては、図４に示
す実施例と同様に、磁気メモリ素子３０がマトリックス
状に配列されている。本実施例では、磁気メモリ素子３
０の磁気抵抗効果膜の強磁性層が、垂直磁化膜である点
において上記実施例と異なっている。

【００３４】図１０及び図１１を参照して、非磁性の支
持基板４４の上にはマトリックスの横方向に延びる加熱
ビット線４３が設けられており、加熱ビット線４３の上
には抵抗発熱層４２が設けられている。抵抗発熱層４２
の上にはマトリックスの縦方向に延びる第１の読み出し
ビット線４１が設けられている。第１の読み出しビット
線４１の上には磁気メモリ素子が設けられており、磁気
メモリ素子は、記録層３１、絶縁層３２、及び再生層３
３を積層することにより構成されている。記録層３１及
び再生層３３は垂直方向に磁化される強磁性層が形成さ
れている。再生層３３の上には、マトリックスの横方向
に延びる第２の読み出しビット線４０が設けられてい
る。

【００３５】磁気メモリ素子３０と隣接セルの間には、
絶縁層４５及び４６が設けられている。絶縁層４５及び
４６は、電気的に隣接セルと絶縁すると共に、熱的にも
隣接セルと絶縁するものであることが好ましい。絶縁層
４６の側方には、記録層３１及び再生層３３に磁界を印
加するためのワード線５０が設けられている。本実施例
では、記録層３１及び再生層３３が垂直方向に磁化され
る強磁性層であるので、このようにワード線５０が磁気
メモリ素子３０の側方に設けられている。

【００３６】加熱ビット線４３、第１の読み出しビット
線４１、第２の読み出しビット線４０、及びワード線５
０は、Ａｌなどから形成することができる。絶縁層３
２、４５及び４６は、Ａｌ₂ Ｏ₃ などから形成すること
ができる。記録層３１はＣｏＰｔなどから形成すること
ができ、再生層３３はＧｄＣｏなどから形成することが
できる。

【００３７】図１０及び図１１は、以上のようにして構
成される磁気メモリ素子に情報を記録するときの動作を
示しており、記録に際しては、まず、選択した磁気メモ
リ素子３０の記録層３１を加熱するため、該選択した磁
気メモリ素子３０を通る第１の読み出しビット線４１
と、該選択した磁気メモリ素子３０を通る加熱ビット線
４３の間に電流を流す。これにより、第１の読み出しビ
ット線４１と加熱ビット線３３の交差部分における抵抗
発熱層４２が発熱し、この熱が記録層３１に伝達され、
記録層３１が加熱される。加熱されることにより、保磁
力が低下した記録層３１に対して、ワード線５０に図面
奥側から手前側に向かって電流を流すことにより発生し
た磁界Ｅを印加する。この磁界Ｅにより、記録層３１の
磁化方向が“↑”の方向に設定される。本実施例では、
再生層３３の磁化方向も同時に“↑”の方向に設定され
ている。

【００３８】記録層３１の磁化方向を“↓”の方向に設
定するには、図１１に示すように、第１の読み出しビッ
ト線４１と加熱ビット線４３の間に電流を流し、交差部
分の抵抗発熱層４２において発熱させ、これによって記
録層３１を加熱した状態で、ワード線５０に図面手前側
から奥側に向かう電流を流し、磁界Ｆを発生させ、この
磁界Ｆによって記録層３１の磁化方向を“↓”の方向に
設定する。以上のように、記録層３１の磁化方向を
“↑”の方向に設定するか“↓”の方向に設定するかに
よって、情報の“０”または“１”を記録することがで
きる。

【００３９】図１２及び図１３は、記録された情報を再
生するときの動作を説明するための断面図である。図１
２及び図１３においては、図１１に示すように記録層３
１の磁化方向を“↓”の方向に設定して記録したときの
再生方法を示している。

【００４０】図１２に示すように、ワード線５０に図面
手前側から奥側に流れる電流を流し、磁界Ｇを発生させ
る。この際、記録層３１の磁化方向は磁界Ｇによって変
化を受けることがなく、再生層３３の磁化方向のみが磁
界Ｇによって制御されるように、ワード線５０を流れる
電流量を調整する。このようにして発生した磁界Ｇによ
って、再生層３３の磁化方向を“↓”の方向に設定す
る。

【００４１】次に、図１３に示すように、ワード線５０
に逆方向の電流を流し、逆方向の磁界Ｈを発生させる。
この磁界Ｈも、再生層３３の磁化方向のみを制御できる
ような磁界強度に設定する。磁界Ｈによって、再生層３
３の磁化方向が反転し、“↑”の方向に設定される。従
って、再生層３３の磁化方向と記録層３１の磁化方向が
逆方向となり、磁気メモリ素子３０の磁気抵抗が増加す
る。

【００４２】第１の読み出しビット線４１と第２の読み
出しビット線４０の間にセンス電流を流しておくことに
より、図１２の状態から図１３の状態になったときの抵
抗値の変化を検出することができる。すなわち、本実施
例では、図１２に示す状態から図１３に示す状態になる
ことによって磁気抵抗値が増加するので、抵抗値の増加
を検出することができる。これによって、記録層３１の
磁化方向が“↓”の方向であることが検出されるので、
記録層３１に記録された情報を再生することができる。

【００４３】図１２及び図１３に示す再生動作では、再
生層３３を加熱せずに再生しているが、上述のように、
必要に応じて素子加熱手段を用いて再生層３３を加熱し
て再生してもよい。

【００４４】上記実施例では、保磁力差型磁気抵抗効果
膜を用いた磁気メモリ素子について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、スピンバルブ型等の
他の磁気抵抗効果膜にも適用されるものである。また、
強磁性層の間に絶縁層を設けたトンネル型巨大磁気抵抗
効果膜を例にして説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、小さな動作磁界で、か
つ隣接セルへの影響を低減させて情報の記録再生を行う
ことができる。従って、磁気メモリ素子の高集積化を図
ることができ、記録容量の大きな不揮発性の固体メモリ
デバイスとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気メモリデバイスを説明するための
概略構成図。

【図２】本発明の磁気メモリデバイスを説明するための
概略構成図。

【図３】磁気メモリ素子中における記録層及び再生層の
保磁力と温度との関係を示す図。

【図４】本発明に従う磁気メモリデバイスの一実施例を
示す平面図。

【図５】図４に示す磁気メモリ素子の１つを拡大して示
す模式的斜視図。

【図６】図５に示す磁気メモリ素子に情報を記録する際
の動作を説明するための断面図。

【図７】図５に示す磁気メモリ素子に情報を記録する際
の動作を説明するための断面図。

【図８】図５に示す磁気メモリ素子に記録した情報を再
生するときの動作を説明するための断面図。

【図９】図５に示す磁気メモリ素子に記録した情報を再
生するときの動作を説明するための断面図。

【図１０】本発明に従う他の実施例の磁気メモリデバイ
スに記録する際の動作を説明するための断面図。

【図１１】本発明に従う他の実施例の磁気メモリデバイ
スに記録する際の動作を説明するための断面図。

【図１２】図１１に示す磁気メモリ素子に記録された情
報を再生するときの動作を説明するための断面図。

【図１３】図１１に示す磁気メモリ素子に記録された情
報を再生するときの動作を説明するための断面図。

【符号の説明】

１…磁気メモリ素子 ２…磁界印加手段 ３…素子加熱手段 ４…素子選択手段 １０…磁気メモリ素子 １１…記録層 １２…絶縁層 １３…再生層 ２０…読み出しビット線 ２１…ワード線 ２２…抵抗発熱層 ２３…加熱ビット線 ２４…支持基板 ２５，２６…絶縁層 ３０…磁気メモリ素子 ３１…記録層 ３２…絶縁層 ３３…再生層 ４０…第２の読み出しビット線 ４１…第１の読み出しビット線 ４２…抵抗発熱層 ４３…加熱ビット線 ４４…支持基板 ４５，４６…絶縁層 ５０…ワード線

フロントページの続き (72)発明者 加藤 剛志 愛知県名古屋市千種区不老町名古屋大学内 (72)発明者 ▼高▲木 直之 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 田沼 俊雄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 鷲見 聡 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリックス状に配列された磁気メモリ
   素子と、 情報の記録再生のため前記磁気メモリ素子に磁界を印加
   する磁界印加手段と、前記磁気メモリ素子のうち、選択
   した磁気メモリ素子に対してのみ前記磁界印加手段から
   の磁界によって動作可能となるように該磁気メモリ素子
   を加熱する素子加熱手段とを備える磁気メモリデバイ
   ス。
2. 【請求項２】 前記磁気メモリ素子がトンネル型巨大磁
   気抵抗効果膜を有する素子である請求項１に記載の磁気
   メモリデバイス。
3. 【請求項３】 前記トンネル型巨大磁気抵抗効果膜が、
   ２つの垂直磁化層とこれらに挟まれた絶縁層とを有する
   請求項２に記載の磁気メモリデバイス。
4. 【請求項４】 前記素子加熱手段が、前記磁気メモリ素
   子のマトリックスに沿って配置され、各磁気メモリ素子
   上で交差するように延びる第１の加熱電流線及び第２の
   加熱電流線と、該第１の加熱電流線と第２の加熱電流線
   の交差部でこれらに挟まれるように設けられる抵抗発熱
   層とを備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気
   メモリデバイス。
5. 【請求項５】 前記磁界印加手段による磁界印加領域が
   前記素子加熱手段による加熱領域よりも広いことを特徴
   とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気メモリ
   デバイス。