JP2000286055A

JP2000286055A - Ｅｌ素子

Info

Publication number: JP2000286055A
Application number: JP11094978A
Authority: JP
Inventors: Daigo Aoki; 木大吾青
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-04-01
Filing date: 1999-04-01
Publication date: 2000-10-13
Anticipated expiration: 2019-04-01
Also published as: JP4395215B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のＥＬ素子に比べ、低い駆動電圧によっ
て高い輝度が得られるＥＬ素子を提供する。【解決手段】陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間
にＥＬ層とを有してなる、ＥＬ素子であって、前記ＥＬ
層と前記陽極との間に、正孔注入層を有してなり、前記
正孔注入層が、イオン化ポテンシャルが５．５０ｅＶ以
下の物質と、イオン化ポテンシャルが５．６０ｅＶ以上
の物質とを少なくとも含有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレーなど
に用いられるＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素
子）に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＥＬ素子の構造は、対向する２つの電極
の間に、少なくとも有機の蛍光物質や電荷輸送剤を含む
発光層、さらに場合によっては正孔輸送層、電子輸送層
等を単層あるいは多層に積層した構造を有している。こ
の両電極間に電圧を印加すると、正孔および電子が、陽
極、陰極からそれぞれ発光層に注入し、これらが再結合
することにより、蛍光性物質が励起され、この励起子が
失活する際の蛍光によって、ＥＬ素子が発光する。

【０００３】有機ＥＬ素子は単純な素子構造で発光表示
が可能であり、軽量で、低価格のディスプレイが容易に
作製できることが大きな特徴であり、近年、ディスプレ
イへの応用が盛んに研究されている。特に、動画を表示
するディスプレイの開発は盛んである。

【０００４】このような有機ＥＬ素子においては、発光
効率を高めるために電極からの正孔注入効率を改善する
正孔注入層が設ける技術が知られている。この場合、一
般に、正孔注入層に用いる材料としてイオン化ポテンシ
ャルが、電極の仕事関数よりも大きく、ＥＬ層の一部で
ある正孔輸送層に用いる材料のイオン化ポテンシャルよ
りも小さいものを選択し、これによって、電極から有機
層への注入障壁を緩和して正孔注入効率を高めている。
しかしながら、この技術においては、電極／正孔輸送層
間の正孔の注入障壁が、電極／正孔注入層と正孔注入層
／正孔輸送層の二つの界面に分割されるだけであり、電
極から注入する正孔が正孔輸送層へ注入されるまでに乗
り越えなければならない障壁は事実上変わらないため、
注入効率の向上は、不十分であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電極
からの正孔（ホール）の注入障壁を小さくすることによ
って、従来のＥＬ素子に比べて駆動電圧が低くかつ発光
効率が高いＥＬ素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、正孔注入層
にイオン化ポテンシャルが５．５０ｅＶ以下の化合物と
イオン化ポテンシャルが、５．６０ｅＶ以上の化合物を
組み合わせて加えることにより、電極から正孔輸送層へ
の正孔の注入障壁が著しく低下し、ＥＬ層の発光効率を
向上させることができることを見出し本発明を完成させ
た。

【０００７】したがって、本発明のＥＬ素子は、陽極
と、陰極と、前記陽極と陰極との間にＥＬ層とを有して
なる、ＥＬ素子であって、前記ＥＬ層と前記陽極との間
に、正孔注入層を有してなり、前記正孔注入層が、イオ
ン化ポテンシャルが５．５０ｅＶ以下の物質と、イオン
化ポテンシャルが５．６０ｅＶ以上の物質とを少なくと
も含有することを特徴とするものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【０００９】ＥＬ素子の構造図１に、本発明のＥＬ素子の一例の素子の断面図を示
す。図中１は、ガラス基材、２はアノード電極、３は正
孔注入層、４は有機ＥＬ層、２′はカソード電極であ
る。

【００１０】図１に示す有機ＥＬ層４は、単層でもよい
が、正孔輸送層、発光層、または、電子注入層等を組み
合せて、多層構造にしてもよい。

【００１１】正孔注入層正孔注入層は、アノード電極とＥＬ層との間に設けら
れ、電極からの正孔の注入を促進させる層である。本発
明の正孔注入層は、イオン化ポテンシャルが５．５０ｅ
Ｖ以下の物質と、イオン化ポテンシャルが５．６０ｅＶ
以上の物質を含み、好ましくはこれらがそれぞれ正孔輸
送材料と電荷発生材料である。本発明の正孔注入層に
は、必要に応じて、バインダー樹脂、電子受容性物質、
光導電性の分光感度をシフトさせるための増感色素、そ
の他、光安定化剤、酸化防止剤等を混合してもよい。ま
た、正孔注入層が、光導電性を有することが好ましい。

【００１２】正孔の注入障壁が低下する機構は明らかで
はないが、正孔注入層において、イオン化ポテンシャル
が５．５０ｅＶ以下の化合物とイオン化ポテンシャル
が、５．６０ｅＶ以上の化合物を混合すると、これらの
化合物の間で電子的な相互作用が生じ正孔の注入障壁が
低下すると考えられる。このような相互作用としては、
例えば、電荷移動錯体等の形成による導電性の低下、あ
るいは、電極界面近傍で空間電荷をトラップすることに
よる界面障壁の低下などが考えられる。

【００１３】本発明の正孔注入層に用いるイオン化ポテ
ンシャルが５．５０ｅＶ以下の物質としては特に限定さ
れるものではないが、好ましくは正孔輸送性材料であ
る。具体的には例えば、オキサジアゾール系、オキサゾ
ール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニル
メタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、
芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾ
ール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフ
ェニルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、
スチルベン二量体等の物質が挙げられる。

【００１４】また、正孔輸送剤のうちπ共役系高分子と
しては、ポリアセチレン、ポリジアセチレリン、ポリ
（Ｐ−フェニレン）、ポリ（Ｐ−フェニレンスルフィ
ド）、ポリ（Ｐ−フェニレンオキシド）、ポリ（１，６
−ヘプタジイン）、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）、
ポリ（２，５チエニレン）、ポリ（２，５−ピロー
ル）、ポリ（ｍ−フェニレンスルフィド）、ポリ（４，
４′−ビフェニレン）等が挙げられる。

【００１５】また、正孔輸送剤のうち、電荷移動高分子
錯体としては、ポリスチレン・ＡｇＣｌ０₄、ポリビニ
ルナフタレン・ＴＣＮＥ、ポリビニルナフタレン・Ｐ−
ＣＡ、ポリフェニルナフタレン・ＤＤＱ、ポリビニルメ
シチレン・ＴＣＮＥ、ポリナフアセチレン・ＴＣＮＥ、
ポリビニルアンスラセン・Ｂｒ₂、ポリビニルアンセラ
セン・Ｉ₂、ポリビヌルアンセラセン・ＴＮＢ、ポリジ
メチルアミノスチレン・ＣＡ、ポリビニルイミダゾール
・ＣＱ、ポリＰ−フェニレンＩ₂・ポリ−１−ビニルピ
リジン・Ｉ₂、ポリ−４−ビニルピリジン・Ｉ₂、ポリ−
Ｐ−１−フェニレン・Ｉ₂、ポリビニルピリジウム・Ｔ
ＣＮＱ等が挙げられる。また、低分子電荷移動錯体とし
ては、ＴＣＮＱ−ＴＴＦ等が、金属錯体高分子として
は、ポリ銅フタロシアニン等が挙げられる。

【００１６】電荷輸送性物質としてはイオン化ポテンシ
ャルの小さい材料が好ましく、特にブタジエン系、エナ
ミン系、ヒドラゾン系、トリフェニルアミン系、が好ま
しい。

【００１７】本発明の正孔注入層に用いるイオン化ポテ
ンシャルが５．６０ｅＶ以上の物質としては特に限定さ
れるものではないが、好ましくは電荷発生材料である。
具体的には、特にａ−Ｓｅ系材料、ａ−Ｓｉ系材料、ポ
リビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリ−Ｎ−エチレン
性不飽和基置換フェノチアジン類、ポリビニルピレン、
ピリリウム系染料、チアピリリウム系染料、アズレニウ
ム系染料、アズレニウム塩、シアニン系染料、スクワリ
リウム塩系染料、フタロシアニン顔料、ペリレン顔料、
ピラントロン系顔料、多環キノン系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料、ピロール系顔料、アゾ顔料、
アンサンスロン系顔料等が挙げられる。顔料系の電荷発
生材料は、樹脂との分散膜として用いることができる。
特に、イオン化ポテンシャルの大きいアゾ顔料系の電荷
発生剤が好ましい。

【００１８】また、より好ましくはイオン化ポテンシャ
ルが、５．５０ｅＶ以上の電荷発生材料として光導電性
材料を用いることにより、ＥＬ層が発光した光を利用し
てさらに、電極からの正孔の注入障壁を低下させること
ができる。さらに、正孔注入層に光導電性を持たせた場
合、増感色素を添加することによって分光感度をシフト
させることができる。

【００１９】本発明の正孔注入層に用いることのできる
増感色素としては、ビクトリアブルー、クリスタルバイ
オレッド、ブリリアントグリーン、マラカイトグリー
ン、ローダミン、メチレンブルー、ピリリウム塩、ベン
ゾピリリウム塩、トリメチンベンゾピリリウム塩、トリ
アリルカルボニウム塩等がある。

【００２０】正孔注入層の膜厚は、０．００１〜１０μ
ｍ、好ましくは、０．０１〜１μｍとするとよい。膜厚
がこれより薄いと膜形成が困難であり、また、厚いと電
極から正孔の注入が起こらなくなる。

【００２１】正孔注入層に、電荷発生材料と正孔輸送材
料を混合する場合、電荷発生材料１ｍｏｌに対して０．
０１〜１０００ｍｏｌで好ましくは０．１〜１０ｍｏｌ
混合するとよい。バインダー樹脂を混合する場合は、電
荷発生剤１重量部に対して０．１〜１０重量部で好まし
くは、０．２〜１重量部がよい。

【００２２】ＥＬ層ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層は、発光層のみの
単層でもよいが、正孔輸送層、電子輸送層等を組合せ
て、多層構成にしてもよい。また、発光波長を調整した
り、発光効率を向上させる等の目的で、これらの各層に
適当な材料をドーピングすることもできる。ＥＬ層の各
層に用いる材料は、無機材料でも有機材料であることも
できるが、典型的には、発光層は有機層とする。形成方
法は、蒸着、スパッタ等の真空成膜法で成膜しても、塗
布液にして塗布して成膜してもよい。

【００２３】（発光層）本発明において発光層は、例え
ばアルミキノリウム錯体で発光機能と電子輸送機能を兼
ねていることができるが、蛍光を発する材料であれば特
に限定されない。使用する発光材料としては、例えば以
下のものが挙げられる。

【００２４】＜色素系＞シクロペンタジエン誘導体、テ
トラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘
導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導
体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン
誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジ
ン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴ
チオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサ
ジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー。

【００２５】＜金属錯体系＞アルミキノリノール錯体、
ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾー
ル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜
鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体、
等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅ
ｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾ
ール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベ
ンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体。

【００２６】＜高分子系＞ポリパラフェニレンビニレン
誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘
導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリ
ビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体。

【００２７】＜ドーピング材料＞発光層中に発光効率の
向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピングを行
うことができる。このドーピング材料としては例えば、
ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キ
ナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン
誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリ
ン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンが挙げられ
る。

【００２８】（電荷輸送層）ＥＬ素子の好ましい構成要
素である電荷輸送層には正孔輸送層、および／または電
子輸送層が含まれる。これらは、例えば特願平９−１５
５２８４号明細書に記載のものように、ＥＬ素子に一般
に用いられるものであれば特に限定されない。

【００２９】（電荷注入層）ＥＬ素子の構成要素である
電荷注入層には正孔注入層および／または電子注入層が
含まれる。このうち、正孔注入層は、別項目として前記
したように、本発明において特徴的な必須の層である。
電子注入層は好ましく用いられる層であって、例えば特
願平９−１５５２８４号明細書に記載のものように、Ｅ
Ｌ素子に一般に用いられるものであれば特に限定されな
い。

【００３０】絶縁層本発明において好ましく用いられる絶縁層は、ＥＬをパ
ターニングしたときの画素間の導通を避けるために設け
られるものである。絶縁層を形成する材料としては、例
えばポリイミドなどの絶縁性の高分子が挙げられる。

【００３１】電極電極層は、アノード電極とカソード電極のどちらか一方
が、透明または、半透明であり、アノード電極として
は、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材
料が好ましく、好ましくは４．６０ｅＶ以上とする。逆
にカソード電極としては、電子が注入し易いように仕事
関数の大きい導電性材料が好ましい。また、複数の材料
を混合させてもよい。いずれの電極も、抵抗はできるだ
け小さいものが好ましく、一般には、金属材料が用いら
れるが、有機物あるいは無機化合物を用いてもよい。

【００３２】一般に、電極層は、蒸着、スパッタ、ＣＶ
Ｄ等、真空中で成膜するが、導電性高分子、導電性有機
化合物等を水や溶剤に溶解あるいは分散させて、塗布に
より成膜してもよい。

【００３３】アノード電極の材料としては、例えばＩＴ
Ｏ、酸化インジウム、金、ポリアニリン、酸化錫が挙げ
られ、このうち透明で仕事関数の大きいＩＴＯが好まし
い。またカソード電極の材料としては、例えばマグネシ
ウム合金（ＭｇＡｇ他）、アルミニウム合金（ＡｌＬ
ｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ他）、金属カルシウムが挙げら
れる。

【００３４】陰極バッファー材料、電子注入層本発明に好ましく用いることのできる陰極バッファー材
料あるいは電子注入層は、陰極からの電子の注入を促進
させる材料であれば特に限定されない。このような材料
としては、例えばアルミリチウム、フッ化リチウム、ス
トロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウ
ム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化
バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カ
ルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンス
ルホン酸ナトリウムが挙げられる。

【００３５】

【実施例】正孔注入層における陽極からの正孔の注入効
果を調べるため、ＩＴＯ電極／正孔注入層／正孔輸送層
／金電極の順番に構成した素子（本発明のＥＬ素子の一
部分に相当する）を作製し、Ｉ−Ｖ特性を調べた。以
下、参考例、参考比較例により説明する。

【００３６】（イオン化ポテンシャル、仕事関数の測
定）電極の仕事関数、電荷発生材料および正孔輸送材料
のイオン化ポテンシャルは、大気下光電子分析による表
面分析装置（ＡＣ−１：理研計器製）を用いて測定し
た。照射光量は、１０〜１０００ｎＷで測定した。光導
電性材料（電荷発生材料）ＣＧ１〜ＣＧ１０の構造を以
下に示し、イオン化ポテンシャルを表１に示した。、ま
た、正孔輸送材料ＣＴ１〜ＣＴ２１の構造を以下に示
し、イオン化ポテンシャルを表２に示した。さらに、金
属材料（電極材料）の仕事関数を表３に示した。

【００３７】

【化１】

【００３８】

【化２】

【００３９】

【表１】

【００４０】

【化３】

【００４１】

【化４】

【００４２】

【化５】

【００４３】

【化６】

【００４４】

【化７】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】（試料の作製）正孔注入層の塗布液として、表１に示し
た光導電性材料（電荷発生材料）３重量部、ポリビニル
ホルマール樹脂１重量部、１，４−ジオキサン９８重量
部および、シクロヘキサノン９８重量部を混合し、混合
機により充分に混練し、顔料分散液とした。電荷発生材
料と等しいモル数の表２に示した正孔輸送材料を１，４
−ジキオサン９８重量部およびシクロヘキサノン９８重
量部との混合溶媒、または適切な溶剤に溶解させ、先の
顔料分散液に、電荷発生材料１ｍｏｌに対して正孔輸送
材料が１ｍｏｌになるように混合した。

【００４７】洗浄した電極基板上に、正孔注入層の塗布
液をスピンナーを用いて乾燥膜厚が１μｍになるように
塗布し、クリーンオーブン中で８０℃で、３０分乾燥し
た後、測定用に上部電極として、４ｍｍ角のサイズの金
を５０ｎｍの膜厚で真空蒸着により成膜した。

【００４８】（Ｉ−Ｖ測定による正孔注入電流の測定）
図２に上記測定用試料を測定する電流測定装置を示す。
図中２１は、ガラス基板、２２はＩＴＯ電極、２２′は
金電極、２３は、正孔注入層、２５は、正孔輸送層、２
６は、ソースメーター（２４００型：キーエンス社
製）、２７は、パソコンである。この電流測定装置にお
いて、測定用試料のＩＴＯ電極を＋、金電極を−として
両電極間に２０Ｖの直流電圧を印加して電流を測定し
た。

【００４９】（参考例１）図３に電荷発生材料としてＣ
Ｇ２を用い、正孔輸送材料として異なるイオン化ポテン
シャルを有するＣＴ１〜ＣＴ２１を用いて観測された注
入電流の値を示した。また、正孔輸送材料を混合しない
場合も同様に示した。

【００５０】これより正孔輸送材料のイオン化ポテンシ
ャルが５．５０ｅＶ以下で正孔注入電流が増大した。こ
の結果はＣＧ２と正孔輸送材料の混合比を変化させても
同様であった。正孔輸送材料を混合しない場合は注入電
流密度は１０^-7Ａ／ｃｍ²以下となり、５．５０ｅＶ以
上の正孔輸送材料を組み合せた場合と同様であった。

【００５１】（参考例２）図４に正孔輸送材料としてＣ
Ｔ６を用い、電荷発生材料として異なるイオン化ポテン
シャルを有するＣＧ１〜ＣＧ１０を用いて観測された注
入電流の値を示した。また、電荷発生材料を混合しない
場合も同様に示した。

【００５２】これより電荷発生材料のイオン化ポテンシ
ャルが５．６０ｅＶ以上で、正孔注入電流が増大した。
これは、ＣＴ６と正孔輸送材料の混合比を変化させても
同様の結果が得られた。電荷発生材料を混合しない場合
は、注入電流密度は１０^-7Ａ／ｃｍ²以下となり、５．
６０ｅＶ以下の電荷発生材料を組み合せた場合と同じで
あった。

【００５３】（参考例３）図５に電荷発生材料としてＣ
Ｇ２と正孔輸送材料としてＣＴ６を組み合せた正孔注入
層において、電極を変化させた場合の電極の仕事関数に
対して、観測された注入電流の値を示した。電極の仕事
関数が４．６２ｅＶ以上で、正孔注入電流が増大した。

【００５４】以下、さらに本発明のＥＬ素子の実施例を
説明する。

【００５５】（実施例１）ＩＴＯ電極上に、電荷発生材
料ＣＧ１〜ＣＧ１０のそれぞれに対して、正孔輸送材料
ＣＴ１〜ＣＴ２１のそれぞれを組み合せ、正孔注入層を
形成した。正孔注入層を５０ｎｍの膜厚にすること以外
は、参考例と同様に成膜し、次いで、正孔輸送層とし
て、下記構造の正孔輸送剤（Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙ
１［１，１′−ｂｉｐｈｅｎｙ１］−４，４′−ｄｉａ
ｍｉｎｅ）を１×１０^-6ｔｏｒｒの真空度で５ｎｍ／秒
の速度で蒸着し、６０ｎｍの膜厚に積層した。

【００５６】

【化８】続いて、この正孔輸送層上に、発光層として、下記構造
のトリス（８キノリノレート）アルミニウムを１×１０
^-6ｔｏｒｒの真空度で５ｎｍ／秒の速度で蒸着し、６０
ｎｍの膜厚に積層した。

【００５７】

【化９】さらに、発光層上に、カソード電極として、ＭｇＡｇ
（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を１×１０^-6ｔｏｒｒの真空
度で５ｎｍ／秒の速度、０．１６ｃｍ²の面積で、１０
０ｎｍの膜厚で積層し、本発明のＥＬ素子を得た。

【００５８】（発光特性の評価）得られたＥＬ素子の発
光特性を評価するために、図６に示す発光測定装置を構
成した。図中、６１は、ガラス基板、６２は、アノード
電極、６３は、導電性メモリ層、６５は、正孔輸送層、
６６は、発光層、６２′は、カソード電極、６７は、ソ
ースメータ（ケースレー社製２４００）、６９は、輝度
計（ミノルタ社製ＢＭ−８）、６８は、パソコンであ
る。この測定装置において、上記で作製したそれぞれの
有機ＥＬ素子のアノード電極を＋、カソード電極を−と
して、両電極間に直流電圧を印加し、このときの発光輝
度を輝度計で測定した。

【００５９】表４に、正孔注入層として、電荷発生材料
ＣＧ１〜ＣＧ１０のそれぞれに対して、正孔輸送層ＣＴ
１〜ＣＴ２１のそれぞれを組み合せた素子において、５
Ｖの直流電圧を印加したときの発光特性を示した。ここ
で、１０００ｃｄ／ｍ²以上の発光が確認できたものを
Ａ、５００〜１０００ｃｄ／ｍ²の発光が確認できたも
のをＢ、１００〜５００ｃｄ／ｍ²の発光が確認できた
ものをＣ、１００ｃｄ／ｍ²未満の発光しか確認できな
かったものをＤとした。正孔注入層を設けなかった素子
は、１０００ｃｄ／ｍ²以下の発光であり、Ｂであっ
た。

【００６０】

【表４】

【００６１】

【発明の効果】本発明によって、従来のＥＬ素子に比
べ、低い駆動電圧によって高い輝度が得られるＥＬ素子
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＥＬ素子の一例の断面図である。

【図２】本発明の参考例を用いた電流測定装置の説明図
である。

【図３】電荷発生材料としてＣＧ２を用い、正孔輸送材
料として異なるイオン化ポテンシャルを有するＣＴ１〜
ＣＴ２１を用いて観測された注入電流の値を示すグラフ
である。

【図４】正孔輸送材料としてＣＴ６を用い、電荷発生材
料として異なるイオン化ポテンシャルを有するＣＧ１〜
ＣＧ１０を用いて観測された注入電流値を示すグラフで
ある。

【図５】電極の仕事関数に対して、観測された注入電流
の値を示すグラフである。

【図６】本発明のＥＬ素子の実施例に用いた発光測定装
置の説明図である。

【符号の説明】１ガラス基材２アノード電極２′ カソード電極３正孔注入層４有機ＥＬ層２１ガラス基板２２ＩＴＯ電極２２′金電極２３正孔注入層２５正孔輸送層２６ソースメーター（２４００型：キーエンス社製）２７パソコン６１ガラス基板６２アノード電極６２′カソード電極６３導電性メモリ層６５正孔輸送層６６発光層６７ソースメータ（ケースレー社製２４００）６８パソコン６９輝度計（ミノルタ社製ＢＭ−８）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間に
ＥＬ層とを有してなる、ＥＬ素子であって、前記ＥＬ層と前記陽極との間に、正孔注入層を有してな
り、前記正孔注入層が、イオン化ポテンシャルが５．５０ｅ
Ｖ以下の物質と、イオン化ポテンシャルが５．６０ｅＶ
以上の物質とを少なくとも含有することを特徴とする、
ＥＬ素子。
【請求項２】前記陽極の仕事関数が、４．６０ｅＶ以上
である、請求項１記載のＥＬ素子。
【請求項３】前記イオン化ポテンシャル５．５０ｅＶ以
下の物質が、正孔輸送材料であり、前記イオン化ポテン
シャル５．６０ｅＶ以上の物質が、電荷発生材料であ
る、請求項１または２に記載のＥＬ素子。
【請求項４】前記ＥＬ層が単層である、請求項１〜３の
いずれか１項に記載のＥＬ素子。
【請求項５】前記ＥＬ層が、発光層と、少なくともさら
に電荷輸送層、電荷注入層、正孔輸送層および絶縁層か
ら選ばれる一つ以上の層を有するものである、請求項１
〜３のいずれか１項に記載のＥＬ素子。
【請求項６】前記正孔注入層が、光導電性を有するもの
である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＥＬ素
子。
【請求項７】前記正孔注入層が、バインダー樹脂中に、
イオン化ポテンシャル５．５０ｅＶ以下の正孔輸送材料
と、イオン化ポテンシャル５．６０ｅＶ以上の電荷発生
材料が分散したものである、請求項３に記載のＥＬ素
子。