JP2000286197A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100325793 Arabidopsis thaliana BCA2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000783705 Myxoma virus (strain Uriarra) Envelope protein A28 homolog Proteins 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 昇温特性と温度制御性の両立を図る。
【解決手段】 基板を加熱するヒータユニット１の加熱
領域４が、基板の加熱部位に応じて複数の加熱ゾーン
５、６に分割され、該各加熱ゾーン毎に、独立して出力
調節可能なヒータが装備されている熱処理装置におい
て、前記同一の加熱ゾーン５、６内のヒータとして、急
速加熱のための高出力ヒータ３Ａ、３Ｂと、微少温度制
御のための低出力ヒータ２Ａ、２Ｂとをそれぞれ一緒に
装備し、個別に温度制御できるようにした。
領域４が、基板の加熱部位に応じて複数の加熱ゾーン
５、６に分割され、該各加熱ゾーン毎に、独立して出力
調節可能なヒータが装備されている熱処理装置におい
て、前記同一の加熱ゾーン５、６内のヒータとして、急
速加熱のための高出力ヒータ３Ａ、３Ｂと、微少温度制
御のための低出力ヒータ２Ａ、２Ｂとをそれぞれ一緒に
装備し、個別に温度制御できるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板やガラ
ス基板などを加熱して成膜または熱処理するための熱処
理装置に関する。
ス基板などを加熱して成膜または熱処理するための熱処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置として、例えばＣＶＤ装置
は、反応容器内に加熱源となるヒータユニットを備えて
おり、そのヒータユニットの上面に半導体ウェーハなど
の基板を保持した状態で、反応容器１内に反応ガスを流
し、ヒータユニットで基板を加熱することにより、基板
に対して成膜を施すようになっている。
は、反応容器内に加熱源となるヒータユニットを備えて
おり、そのヒータユニットの上面に半導体ウェーハなど
の基板を保持した状態で、反応容器１内に反応ガスを流
し、ヒータユニットで基板を加熱することにより、基板
に対して成膜を施すようになっている。
【０００３】図３は前記ヒータユニット１１の概略構成
を示し、図４（ａ）、（ｂ）は該ヒータユニット１１の
加熱領域１４の平面と断面を示している。
を示し、図４（ａ）、（ｂ）は該ヒータユニット１１の
加熱領域１４の平面と断面を示している。
【０００４】ヒータユニット１１は、上面に基板Ｗを載
せることのできる円盤状の発熱板１２を有しており、そ
の内部に抵抗加熱式のヒータ１３を装備している。ヒー
タ１３を装備することで、発熱板１２の面内には、基板
Ｗの大きさに対応した円形の加熱領域１４が形成されて
いる。
せることのできる円盤状の発熱板１２を有しており、そ
の内部に抵抗加熱式のヒータ１３を装備している。ヒー
タ１３を装備することで、発熱板１２の面内には、基板
Ｗの大きさに対応した円形の加熱領域１４が形成されて
いる。
【０００５】この場合の加熱領域１４は、中心部のＡゾ
ーン１５と、その周辺部のＢゾーンの２つの加熱ゾーン
に領域分けされている。ヒータ１３は、各ゾーン１５、
１６毎に独立して温度制御できるように装備され、Ａゾ
ーン１５にはＡゾーンヒータ１３Ａ、ＢゾーンにはＢゾ
ーンヒータ１３Ｂがそれぞれ装備されている。また、Ａ
ゾーン１５とＢゾーン１６には、各ヒータ１３Ａ、１３
Ｂの温度を検出する温度センサとして、Ａゾーンヒータ
用熱電対１７ＡとＢゾーンヒータ用熱電対１７Ｂが装備
されている。
ーン１５と、その周辺部のＢゾーンの２つの加熱ゾーン
に領域分けされている。ヒータ１３は、各ゾーン１５、
１６毎に独立して温度制御できるように装備され、Ａゾ
ーン１５にはＡゾーンヒータ１３Ａ、ＢゾーンにはＢゾ
ーンヒータ１３Ｂがそれぞれ装備されている。また、Ａ
ゾーン１５とＢゾーン１６には、各ヒータ１３Ａ、１３
Ｂの温度を検出する温度センサとして、Ａゾーンヒータ
用熱電対１７ＡとＢゾーンヒータ用熱電対１７Ｂが装備
されている。
【０００６】図５は温度制御系の構成を示している。温
度制御系としては、各ゾーン毎にＡゾーン制御系とＢゾ
ーン制御系が独立して設けられている。Ａゾーン制御系
は、Ａゾーンヒータ１３Ａと、Ａゾーンヒータ用熱電対
１７Ａと、該Ａゾーンヒータ用熱電対１７Ａの検出信号
に応じてＡゾーンヒータ１３Ａの出力制御を行う温度調
節ユニット２０Ａとからなる。
度制御系としては、各ゾーン毎にＡゾーン制御系とＢゾ
ーン制御系が独立して設けられている。Ａゾーン制御系
は、Ａゾーンヒータ１３Ａと、Ａゾーンヒータ用熱電対
１７Ａと、該Ａゾーンヒータ用熱電対１７Ａの検出信号
に応じてＡゾーンヒータ１３Ａの出力制御を行う温度調
節ユニット２０Ａとからなる。
【０００７】同様に、Ｂゾーン制御系は、Ｂゾーンヒー
タ１３Ｂと、Ｂゾーンヒータ用熱電対１７Ｂと、該Ｂゾ
ーンヒータ用熱電対１７Ｂの検出信号に応じてＢゾーン
ヒータ１３Ｂの出力制御を行う温度調節ユニット２０Ｂ
とからなる。
タ１３Ｂと、Ｂゾーンヒータ用熱電対１７Ｂと、該Ｂゾ
ーンヒータ用熱電対１７Ｂの検出信号に応じてＢゾーン
ヒータ１３Ｂの出力制御を行う温度調節ユニット２０Ｂ
とからなる。
【０００８】従って、上記の構成のヒータユニット１１
を備えることで、各ゾーン１５、１６毎に独立した温度
制御が可能となり、基板Ｗの中心部と周辺部の温度の均
一化を図ることができる。
を備えることで、各ゾーン１５、１６毎に独立した温度
制御が可能となり、基板Ｗの中心部と周辺部の温度の均
一化を図ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低温で基板
の処理を行う場合には、低出力のヒータが必要とされる
が、各ゾーンに低出力ヒータだけを装備したのでは、目
標温度に到達するまでに時間がかかる。つまり昇温特性
が悪くなる。一方、低出力ヒータの代わりに高出力ヒー
タだけを装備したのでは、昇温特性は良くなるが、所定
の処理温度を維持するための温度制御性が悪くなってし
まう。
の処理を行う場合には、低出力のヒータが必要とされる
が、各ゾーンに低出力ヒータだけを装備したのでは、目
標温度に到達するまでに時間がかかる。つまり昇温特性
が悪くなる。一方、低出力ヒータの代わりに高出力ヒー
タだけを装備したのでは、昇温特性は良くなるが、所定
の処理温度を維持するための温度制御性が悪くなってし
まう。
【００１０】本発明は、上記従来の事情を考慮し、昇温
特性と温度制御性の両立を図ることのできる熱処理装置
を提供することを目的とする。
特性と温度制御性の両立を図ることのできる熱処理装置
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理物を加
熱するヒータユニットの加熱領域が、被処理物の加熱部
位に応じて複数の加熱ゾーンに分割され、該各加熱ゾー
ン毎に、独立して出力調節可能なヒータが装備されてい
る熱処理装置において、前記同一の加熱ゾーン内のヒー
タとして、急速加熱のための高出力ヒータと、微少温度
制御のための低出力ヒータとをそれぞれ装備したもので
ある。
熱するヒータユニットの加熱領域が、被処理物の加熱部
位に応じて複数の加熱ゾーンに分割され、該各加熱ゾー
ン毎に、独立して出力調節可能なヒータが装備されてい
る熱処理装置において、前記同一の加熱ゾーン内のヒー
タとして、急速加熱のための高出力ヒータと、微少温度
制御のための低出力ヒータとをそれぞれ装備したもので
ある。
【００１２】この発明の熱処理装置では、昇温時は高出
力ヒータを用いることで急速加熱を行うことができるの
で、昇温特性を良好にすることができる。また、所定の
温度領域に達したら、低出力ヒータの出力を調節するこ
とで、所定の管理温度を容易に維持することができるの
で、良好な温度制御特性を確保することができる。ここ
では特に、各ゾーン毎に高出力ヒータと低出力ヒータを
備えているので、各ゾーン毎に、昇温特性と温度制御特
性を個別に管理することができる。
力ヒータを用いることで急速加熱を行うことができるの
で、昇温特性を良好にすることができる。また、所定の
温度領域に達したら、低出力ヒータの出力を調節するこ
とで、所定の管理温度を容易に維持することができるの
で、良好な温度制御特性を確保することができる。ここ
では特に、各ゾーン毎に高出力ヒータと低出力ヒータを
備えているので、各ゾーン毎に、昇温特性と温度制御特
性を個別に管理することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は実施形態の熱処理装置に装備
されているヒータユニット１の加熱領域４の平面と断面
を示している。ヒータユニット１の全体構成は、図３に
示した例とほぼ同じであるので、ここでは説明を省略す
る。
基づいて説明する。図１は実施形態の熱処理装置に装備
されているヒータユニット１の加熱領域４の平面と断面
を示している。ヒータユニット１の全体構成は、図３に
示した例とほぼ同じであるので、ここでは説明を省略す
る。
【００１４】このヒータユニット１の円形の加熱領域４
は、前記と同様に、中心部のＡゾーン５と周辺部のＢゾ
ーン６に領域分けされている。そして、同一ゾーン５、
６内のヒータとして、急速加熱のための高出力ヒータ３
Ａ、３Ｂと、微少温度制御のための低出力ヒータ２Ａ、
２Ｂとがそれぞれ装備されている。
は、前記と同様に、中心部のＡゾーン５と周辺部のＢゾ
ーン６に領域分けされている。そして、同一ゾーン５、
６内のヒータとして、急速加熱のための高出力ヒータ３
Ａ、３Ｂと、微少温度制御のための低出力ヒータ２Ａ、
２Ｂとがそれぞれ装備されている。
【００１５】即ち、Ａゾーン５にはＡゾーン高出力ヒー
タ３ＡとＡゾーン低出力ヒータ２Ａとが一緒に装備さ
れ、ＢゾーンにはＢゾーン高出力ヒータ３ＢとＢゾーン
低出力ヒータ２Ｂとが一緒装備されている。
タ３ＡとＡゾーン低出力ヒータ２Ａとが一緒に装備さ
れ、ＢゾーンにはＢゾーン高出力ヒータ３ＢとＢゾーン
低出力ヒータ２Ｂとが一緒装備されている。
【００１６】ここでは加熱面に近い側（上面側）が制御
用の低出力領域とされ、ここに低出力ヒータ２Ａ、２Ｂ
が配置されている。また、遠い側（下面側）が急速加熱
用の高出力領域とされ、ここに高出力ヒータ３Ａ、３Ｂ
が配置されている。これは、微妙な温度制御を行うため
には、加熱面に近い側に低出力ヒータ２Ａ、２Ｂが配置
されていた方が、熱伝導上において具合が良いからであ
る。ただし、各ゾーン５、６内における高出力ヒータ３
Ａ、３Ｂと低出力ヒータ２Ａ、２Ｂの配置は任意に行っ
てよい。
用の低出力領域とされ、ここに低出力ヒータ２Ａ、２Ｂ
が配置されている。また、遠い側（下面側）が急速加熱
用の高出力領域とされ、ここに高出力ヒータ３Ａ、３Ｂ
が配置されている。これは、微妙な温度制御を行うため
には、加熱面に近い側に低出力ヒータ２Ａ、２Ｂが配置
されていた方が、熱伝導上において具合が良いからであ
る。ただし、各ゾーン５、６内における高出力ヒータ３
Ａ、３Ｂと低出力ヒータ２Ａ、２Ｂの配置は任意に行っ
てよい。
【００１７】図２はヒータユニット１の温度制御系の構
成を示している。各ゾーン５、６には、各ヒータ２Ａ、
３Ａ、２Ｂ、３Ｂの温度を検出する温度センサとして、
それぞれＡゾーン低出力ヒータ用熱電対７Ａ、Ａゾーン
高出力ヒータ用熱電対８Ａ、Ｂゾーン低出力ヒータ用熱
電対７Ｂ、Ｂゾーン高出力ヒータ用熱電対８Ｂが装備さ
れている。
成を示している。各ゾーン５、６には、各ヒータ２Ａ、
３Ａ、２Ｂ、３Ｂの温度を検出する温度センサとして、
それぞれＡゾーン低出力ヒータ用熱電対７Ａ、Ａゾーン
高出力ヒータ用熱電対８Ａ、Ｂゾーン低出力ヒータ用熱
電対７Ｂ、Ｂゾーン高出力ヒータ用熱電対８Ｂが装備さ
れている。
【００１８】温度制御系としては、各ゾーン毎にＡゾー
ン制御系とＢゾーン制御系が独立して設けられ、さらに
個別に微少温度制御用の系統と急速加熱温度制御用の系
統が独立に設けられている。
ン制御系とＢゾーン制御系が独立して設けられ、さらに
個別に微少温度制御用の系統と急速加熱温度制御用の系
統が独立に設けられている。
【００１９】微少温度制御のためのＡゾーン制御系は、
Ａゾーン低出力ヒータ２Ａと、Ａゾーン低出力ヒータ用
熱電対７Ａと、該Ａゾーン低出力ヒータ用熱電対７Ａの
検出信号に応じてＡゾーン低出力ヒータ２Ａの出力制御
を行う温度調節ユニット９Ａとから構成されている。
Ａゾーン低出力ヒータ２Ａと、Ａゾーン低出力ヒータ用
熱電対７Ａと、該Ａゾーン低出力ヒータ用熱電対７Ａの
検出信号に応じてＡゾーン低出力ヒータ２Ａの出力制御
を行う温度調節ユニット９Ａとから構成されている。
【００２０】急速加熱温度制御のためのＡゾーン制御系
は、Ａゾーン高出力ヒータ３Ａと、Ａゾーン高出力ヒー
タ用熱電対８Ａと、該Ａゾーン高出力ヒータ用熱電対８
Ａの検出信号に応じてＡゾーン高出力ヒータ３Ａの出力
制御を行う温度調節ユニット１０Ａとから構成されてい
る。
は、Ａゾーン高出力ヒータ３Ａと、Ａゾーン高出力ヒー
タ用熱電対８Ａと、該Ａゾーン高出力ヒータ用熱電対８
Ａの検出信号に応じてＡゾーン高出力ヒータ３Ａの出力
制御を行う温度調節ユニット１０Ａとから構成されてい
る。
【００２１】同様に、微少温度制御のためのＢゾーン制
御系は、Ｂゾーン低出力ヒータ２Ｂと、Ｂゾーン低出力
ヒータ用熱電対７Ｂと、該Ｂゾーン低出力ヒータ用熱電
対７Ｂの検出信号に応じてＢゾーン低出力ヒータ２Ｂの
出力制御を行う温度調節ユニット９Ｂとから構成されて
いる。
御系は、Ｂゾーン低出力ヒータ２Ｂと、Ｂゾーン低出力
ヒータ用熱電対７Ｂと、該Ｂゾーン低出力ヒータ用熱電
対７Ｂの検出信号に応じてＢゾーン低出力ヒータ２Ｂの
出力制御を行う温度調節ユニット９Ｂとから構成されて
いる。
【００２２】急速加熱温度制御のためのＢゾーン制御系
は、Ｂゾーン高出力ヒータ３Ｂと、Ｂゾーン高出力ヒー
タ用熱電対８Ｂと、該Ｂゾーン高出力ヒータ用熱電対８
Ｂの検出信号に応じてＢゾーン高出力ヒータ３Ｂの出力
制御を行う温度調節ユニット１０Ｂとから構成されてい
る。
は、Ｂゾーン高出力ヒータ３Ｂと、Ｂゾーン高出力ヒー
タ用熱電対８Ｂと、該Ｂゾーン高出力ヒータ用熱電対８
Ｂの検出信号に応じてＢゾーン高出力ヒータ３Ｂの出力
制御を行う温度調節ユニット１０Ｂとから構成されてい
る。
【００２３】このような構成のヒータユニット１を用い
て処理を行う場合、目的の温度に達するまでは、高出力
ヒータ３Ａ、３Ｂを駆動して基板を急速加熱する。この
際、併せて低出力ヒータ２Ａ、２Ｂを駆動することも可
能である。そして、目的の温度に到達したら、高出力ヒ
ータ３Ａ、３Ｂの出力を止め、低出力ヒータ２Ａ、２Ｂ
のみの駆動に切り替えて、微少温度制御を実行する。こ
れを繰り返すことで、次々に基板の処理を行う。
て処理を行う場合、目的の温度に達するまでは、高出力
ヒータ３Ａ、３Ｂを駆動して基板を急速加熱する。この
際、併せて低出力ヒータ２Ａ、２Ｂを駆動することも可
能である。そして、目的の温度に到達したら、高出力ヒ
ータ３Ａ、３Ｂの出力を止め、低出力ヒータ２Ａ、２Ｂ
のみの駆動に切り替えて、微少温度制御を実行する。こ
れを繰り返すことで、次々に基板の処理を行う。
【００２４】従って、高出力ヒータ３Ａ、３Ｂの加熱に
より昇温特性を向上させることができるし、低出力ヒー
タ２Ａ、２Ｂの加熱により温度制御特性を向上させるこ
とができる。ここでは特に、各ゾーン５、６毎に高出力
ヒータ３Ａ、３Ｂと低出力ヒータ２Ａ、２Ｂを装備した
ことにより、各ゾーン５、６毎に昇温特性と温度制御特
性を個別に管理することができるようになる。
より昇温特性を向上させることができるし、低出力ヒー
タ２Ａ、２Ｂの加熱により温度制御特性を向上させるこ
とができる。ここでは特に、各ゾーン５、６毎に高出力
ヒータ３Ａ、３Ｂと低出力ヒータ２Ａ、２Ｂを装備した
ことにより、各ゾーン５、６毎に昇温特性と温度制御特
性を個別に管理することができるようになる。
【００２５】なお、上記実施形態では、加熱領域４をＡ
ゾーン５とＢゾーン６の２つの加熱ゾーンに分割した場
合を示したが、領域分けの数はそれに限定されないし、
どのように領域分けを行うかについても特に限定されな
い。
ゾーン５とＢゾーン６の２つの加熱ゾーンに分割した場
合を示したが、領域分けの数はそれに限定されないし、
どのように領域分けを行うかについても特に限定されな
い。
【００２６】また、上記実施形態では、各ヒータ毎に熱
電対７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂを設けた場合を示したが、
各ゾーン毎に一つずつ熱電対を設けるだけでもよい。た
とえば、低出力ヒータ用の熱電対７Ａ、７Ｂで、高出力
ヒータ用の熱電対８Ａ、８Ｂを兼ねることもできる。
電対７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂを設けた場合を示したが、
各ゾーン毎に一つずつ熱電対を設けるだけでもよい。た
とえば、低出力ヒータ用の熱電対７Ａ、７Ｂで、高出力
ヒータ用の熱電対８Ａ、８Ｂを兼ねることもできる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
の効果を奏する。 （１）ヒータユニットによる昇温特性の向上が図れる。 （２）ヒータユニットよる低温での精密な温度調整が可
能となる。 （３）役割分担したヒータを用いることで、消費電力の
低減が可能となる。
の効果を奏する。 （１）ヒータユニットによる昇温特性の向上が図れる。 （２）ヒータユニットよる低温での精密な温度調整が可
能となる。 （３）役割分担したヒータを用いることで、消費電力の
低減が可能となる。
【図１】本発明の実施形態の熱処理装置におけるヒータ
ユニットの加熱領域を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）図のＩｂ−Ｉｂ断面図である。
ユニットの加熱領域を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）図のＩｂ−Ｉｂ断面図である。
【図２】前記ヒータユニットの温度制御系を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の熱処理装置におけるヒータユニットの概
略構成を示す側断面図である。
略構成を示す側断面図である。
【図４】従来の熱処理装置におけるヒータユニットの加
熱領域を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）図のＩＶｂ−ＩＶｂ断面図である。
熱領域を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）図のＩＶｂ−ＩＶｂ断面図である。
【図５】図４のヒータユニットの温度制御系を示す図で
ある。
ある。
１ ヒータユニット ４ 加熱領域 ５ Ａゾーン（加熱ゾーン） ６ Ｂゾーン（加熱ゾーン） ２Ａ Ａゾーン低出力ヒータ ２Ｂ Ｂゾーン低出力ヒータ ３Ａ Ａゾーン高出力ヒータ ３Ｂ Ｂゾーン高出力ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２７Ｄ 19/00 Ｆ２７Ｄ 19/00 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ Ｆターム(参考） 4K050 AA02 BA17 CD08 EA07 4K056 AA09 BB06 CA18 FA02 FA13 4K063 AA05 AA12 BA12 CA06 FA02 FA15 FA29 5F031 CA02 HA37 MA28 MA30 5F045 BB08 DP02 EK22 EK28 EM02 GB05 GB15
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理物を加熱するヒータユニットの加
熱領域が、被処理物の加熱部位に応じて複数の加熱ゾー
ンに分割され、該各加熱ゾーン毎に、独立して出力調節
可能なヒータが装備されている熱処理装置において、 前記同一の加熱ゾーン内のヒータとして、急速加熱のた
めの高出力ヒータと、微少温度制御のための低出力ヒー
タとが、それぞれ装備されていることを特徴とする熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8878899A JP2000286197A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8878899A JP2000286197A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286197A true JP2000286197A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13952590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8878899A Pending JP2000286197A (ja) | 1999-03-30 | 1999-03-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003224078A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2018125342A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
1999
- 1999-03-30 JP JP8878899A patent/JP2000286197A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003224078A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2018125342A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
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