JP2000286332A - ドライエッチング用静電チャック装置及び載置台 - Google Patents
ドライエッチング用静電チャック装置及び載置台Info
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- JP2000286332A JP2000286332A JP9291199A JP9291199A JP2000286332A JP 2000286332 A JP2000286332 A JP 2000286332A JP 9291199 A JP9291199 A JP 9291199A JP 9291199 A JP9291199 A JP 9291199A JP 2000286332 A JP2000286332 A JP 2000286332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダウンフロー型のエッチング及びリアクティ
ブイオンエッチングの両方に共用できる静電チャック装
置及び載置台を提供する。 【解決手段】 導電性膜２５を両面から挟み込む一対の
絶縁性膜２７を有するチャック本体１６が載置台４に接
着剤で貼着されている。チャック本体１６の表面はフッ
素系樹脂より成る保護膜２８で被覆されており、保護膜
２８の周縁部２８ａは載置台４の側周面４ｂ側に湾曲し
てチャック本体１６と載置台４との間の接着剤の露出部
２６を被覆している。保護膜２８の周縁端部２８ｃは載
置台４に接着剤で貼着されており、保護膜２８と載置台
４との間の接着剤の露出部３０は保護リング２９で被覆
されている。保護膜２８の表面の平坦部２８ｂは被処理
物Ｗを載置する載置面を形成し、載置面２８ｂの外径は
被処理物Ｗの外径よりも小さい。
ブイオンエッチングの両方に共用できる静電チャック装
置及び載置台を提供する。 【解決手段】 導電性膜２５を両面から挟み込む一対の
絶縁性膜２７を有するチャック本体１６が載置台４に接
着剤で貼着されている。チャック本体１６の表面はフッ
素系樹脂より成る保護膜２８で被覆されており、保護膜
２８の周縁部２８ａは載置台４の側周面４ｂ側に湾曲し
てチャック本体１６と載置台４との間の接着剤の露出部
２６を被覆している。保護膜２８の周縁端部２８ｃは載
置台４に接着剤で貼着されており、保護膜２８と載置台
４との間の接着剤の露出部３０は保護リング２９で被覆
されている。保護膜２８の表面の平坦部２８ｂは被処理
物Ｗを載置する載置面を形成し、載置面２８ｂの外径は
被処理物Ｗの外径よりも小さい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置のエッチング室の内部においてウエハ等の被処理物
を吸着保持するための静電チャック装置及びこの装置を
備えた載置台に関する。
装置のエッチング室の内部においてウエハ等の被処理物
を吸着保持するための静電チャック装置及びこの装置を
備えた載置台に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造工程において使用さ
れるドライエッチング装置としては、シリコンウエハ等
の半導体基板（被処理物）上に各種の膜を堆積した後に
おいて、酸素ガス、ＣＦ4ガス等のガスプラズマを利用
して生成した中性活性なラジカル（活性種）を半導体基
板上に導き、このラジカルによって前記膜に等方性エッ
チングを行うダウンフロー型エッチング装置が知られて
いる。
れるドライエッチング装置としては、シリコンウエハ等
の半導体基板（被処理物）上に各種の膜を堆積した後に
おいて、酸素ガス、ＣＦ4ガス等のガスプラズマを利用
して生成した中性活性なラジカル（活性種）を半導体基
板上に導き、このラジカルによって前記膜に等方性エッ
チングを行うダウンフロー型エッチング装置が知られて
いる。
【０００３】また、他のドライエッチング装置として
は、シリコンウエハ等の半導体基板上に各種の膜を堆積
した後において、塩素等のハロゲン系元素を含むガスを
半導体基板の上方で高周波によってプラズマ化し、主と
してイオンによって前記膜に異方性エッチングを行うリ
アクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置が知られて
いる。
は、シリコンウエハ等の半導体基板上に各種の膜を堆積
した後において、塩素等のハロゲン系元素を含むガスを
半導体基板の上方で高周波によってプラズマ化し、主と
してイオンによって前記膜に異方性エッチングを行うリ
アクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置が知られて
いる。
【０００４】さらに、一台の装置において、ラジカル又
はイオンのいずれかを、主たるエッチング種として適宜
選択できるドライエッチング装置もある。
はイオンのいずれかを、主たるエッチング種として適宜
選択できるドライエッチング装置もある。
【０００５】上述した従来のドライエッチング装置にお
いては、通常、真空雰囲気下にあるエッチング室内の載
置台に被処理物が載置され、載置台からの熱伝達によっ
て被処理物の温度が制御される。載置台の上面には被処
理物を固定するための静電チャック装置が設けられてお
り、この静電チャック装置に直流電圧を印加することに
よって被処理物が静電吸着され、さらに、被処理物の裏
面にガスを導入することで熱伝達の効率を向上させるこ
とでき、被処理物の温度制御手段として有効である。
いては、通常、真空雰囲気下にあるエッチング室内の載
置台に被処理物が載置され、載置台からの熱伝達によっ
て被処理物の温度が制御される。載置台の上面には被処
理物を固定するための静電チャック装置が設けられてお
り、この静電チャック装置に直流電圧を印加することに
よって被処理物が静電吸着され、さらに、被処理物の裏
面にガスを導入することで熱伝達の効率を向上させるこ
とでき、被処理物の温度制御手段として有効である。
【０００６】また、従来のドライエッチング装置におい
ては、静電チャック装置の腐食を防止するために、静電
チャック装置の最も表面側（被処理物を載置する側）を
フッ素系樹脂より成る保護膜で被覆するようにしてい
る。
ては、静電チャック装置の腐食を防止するために、静電
チャック装置の最も表面側（被処理物を載置する側）を
フッ素系樹脂より成る保護膜で被覆するようにしてい
る。
【０００７】さらに、被処理物の全面にわたって良好な
温度制御を行うために、静電チャック装置の載置面の外
径を被処理物の外径よりも大きくして、被処理物の周縁
部における温度制御を行いやすくしている。
温度制御を行うために、静電チャック装置の載置面の外
径を被処理物の外径よりも大きくして、被処理物の周縁
部における温度制御を行いやすくしている。
【０００８】ここで、ダウンフロー型エッチング装置に
おいてはラジカルがエッチング種であるため、静電チャ
ック装置に対して物理的なエッチングは起こらない。し
たがって、前記の如く静電チャック装置の載置面を被処
理物の外径よりも大きくして、載置面の一部が被処理物
の外側にはみ出している場合であっても、物理的なエッ
チングによってこのはみ出し部分が腐食することはな
い。
おいてはラジカルがエッチング種であるため、静電チャ
ック装置に対して物理的なエッチングは起こらない。し
たがって、前記の如く静電チャック装置の載置面を被処
理物の外径よりも大きくして、載置面の一部が被処理物
の外側にはみ出している場合であっても、物理的なエッ
チングによってこのはみ出し部分が腐食することはな
い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、リアクティ
ブイオンエッチング装置の場合には、主たるエッチング
種はイオンであるため、静電チャック装置の載置面の一
部が被処理物の外側にはみ出していると、このはみ出し
部分がエッチングによって腐食されてしまう。このた
め、上述した従来の静電チャック装置をリアクティブイ
オンエッチング装置で使用すると、エッチングによって
フッ素系樹脂製の保護膜が腐食され、寿命が短縮されて
静電チャック装置の早期の交換を余儀なくされるという
問題があった。
ブイオンエッチング装置の場合には、主たるエッチング
種はイオンであるため、静電チャック装置の載置面の一
部が被処理物の外側にはみ出していると、このはみ出し
部分がエッチングによって腐食されてしまう。このた
め、上述した従来の静電チャック装置をリアクティブイ
オンエッチング装置で使用すると、エッチングによって
フッ素系樹脂製の保護膜が腐食され、寿命が短縮されて
静電チャック装置の早期の交換を余儀なくされるという
問題があった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、ダウンフロー型
のエッチング及びリアクティブイオンエッチングの両方
に共用できる静電チャック装置及びこの装置を備えた載
置台を提供することにある。
のエッチング及びリアクティブイオンエッチングの両方
に共用できる静電チャック装置及びこの装置を備えた載
置台を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ドライエッチ
ング処理される被処理物を静電気力によって吸着保持す
るために、エッチング室の内部の載置台に設けられる静
電チャック装置において、前記被処理物を吸着する際に
電圧が印加される導電性膜と、この導電性膜を両面から
挟み込む一対の絶縁性膜と、を有するチャック本体を備
え、前記チャック本体は前記載置台に接着剤によって貼
着されており、前記チャック本体の表面はフッ素系樹脂
より成る保護膜によって被覆されており、前記保護膜の
周縁部は前記載置台の側周面側に湾曲して前記チャック
本体と前記載置台との間の前記接着剤の露出部を被覆し
ており、前記保護膜の周縁端部は前記載置台に接着剤に
よって貼着されており、前記保護膜と前記載置台との間
の前記接着剤の露出部は保護リングによって被覆されて
おり、前記保護膜の表面の平坦部は前記被処理物を載置
する載置面を形成し、前記載置面の外径は前記被処理物
の外径よりも小さな値に設定されていることを特徴とす
る。
ング処理される被処理物を静電気力によって吸着保持す
るために、エッチング室の内部の載置台に設けられる静
電チャック装置において、前記被処理物を吸着する際に
電圧が印加される導電性膜と、この導電性膜を両面から
挟み込む一対の絶縁性膜と、を有するチャック本体を備
え、前記チャック本体は前記載置台に接着剤によって貼
着されており、前記チャック本体の表面はフッ素系樹脂
より成る保護膜によって被覆されており、前記保護膜の
周縁部は前記載置台の側周面側に湾曲して前記チャック
本体と前記載置台との間の前記接着剤の露出部を被覆し
ており、前記保護膜の周縁端部は前記載置台に接着剤に
よって貼着されており、前記保護膜と前記載置台との間
の前記接着剤の露出部は保護リングによって被覆されて
おり、前記保護膜の表面の平坦部は前記被処理物を載置
する載置面を形成し、前記載置面の外径は前記被処理物
の外径よりも小さな値に設定されていることを特徴とす
る。
【００１２】なお、本明細書中において「エッチング」
という用語は、酸化膜、シリコン、アルミ等の薄膜のエ
ッチングを含むと共に、レジストを除去するためのアッ
シングをも含むものとして用いている。
という用語は、酸化膜、シリコン、アルミ等の薄膜のエ
ッチングを含むと共に、レジストを除去するためのアッ
シングをも含むものとして用いている。
【００１３】また、前記フッ素系樹脂は、四フッ化樹脂
又は三フッ化樹脂であることが望ましい。
又は三フッ化樹脂であることが望ましい。
【００１４】本発明による載置台は、上述したドライエ
ッチング用静電チャック装置を備え、前記チャック本体
が前記接着剤によって表面に貼着されていることを特徴
とする。
ッチング用静電チャック装置を備え、前記チャック本体
が前記接着剤によって表面に貼着されていることを特徴
とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
静電チャック装置及び載置台について図１及び図２を参
照して説明する。なお、以下では、本実施形態による静
電チャック装置をダウンフロー型のケミカルドライエッ
チング装置（ＣＤＥ装置）に組み込んだ場合について説
明するが、本実施形態による静電チャック装置は、以下
の説明で明らかになるように、リアクティブイオンエッ
チング装置にも支障なく適用することができるものであ
る。
静電チャック装置及び載置台について図１及び図２を参
照して説明する。なお、以下では、本実施形態による静
電チャック装置をダウンフロー型のケミカルドライエッ
チング装置（ＣＤＥ装置）に組み込んだ場合について説
明するが、本実施形態による静電チャック装置は、以下
の説明で明らかになるように、リアクティブイオンエッ
チング装置にも支障なく適用することができるものであ
る。
【００１６】図１において符号１はＣＤＥ装置の真空容
器を示し、この真空容器１の内部にエッチング室２が形
成されており、真空容器１の底部には、シリコンウエハ
である被処理物Ｗの温度を制御するための水冷ジャケッ
ト３が気密に固定されている。
器を示し、この真空容器１の内部にエッチング室２が形
成されており、真空容器１の底部には、シリコンウエハ
である被処理物Ｗの温度を制御するための水冷ジャケッ
ト３が気密に固定されている。
【００１７】水冷ジャケット３の上部には、被処理物Ｗ
を載置するためのアルミニウム金属製の載置台４が設け
られており、この載置台４には静電チャック装置５が組
み込まれている。水冷ジャケット３の内部には温度制御
機構の一部を構成する媒体通路６が形成されており、温
度調整された冷却水等の媒体Ｍが媒体配管７、８を通し
て媒体通路６の内部に導入され、排出されている。
を載置するためのアルミニウム金属製の載置台４が設け
られており、この載置台４には静電チャック装置５が組
み込まれている。水冷ジャケット３の内部には温度制御
機構の一部を構成する媒体通路６が形成されており、温
度調整された冷却水等の媒体Ｍが媒体配管７、８を通し
て媒体通路６の内部に導入され、排出されている。
【００１８】載置台４の外周部には複数の取付孔５１が
形成されており、取付孔５１に挿入された取付ボルト５
０によって載置台４が水冷ジャケット３の上面に固設さ
れている。
形成されており、取付孔５１に挿入された取付ボルト５
０によって載置台４が水冷ジャケット３の上面に固設さ
れている。
【００１９】真空容器１の天板９を貫通するようにして
プロセスガス導入管１０が取り付けられており、このプ
ロセスガス導入管１０の先端部は、エッチング室２内に
設けられたガス分散板１１に接続されている。このガス
分散板１１はシャワー状のノズルを形成しており、この
シャワー状のノズルによって、プロセスガス導入管１０
を介してエッチング室２の内部に導入されたプロセスガ
スＧが被処理物Ｗの表面全体にわたって均一に供給され
る。
プロセスガス導入管１０が取り付けられており、このプ
ロセスガス導入管１０の先端部は、エッチング室２内に
設けられたガス分散板１１に接続されている。このガス
分散板１１はシャワー状のノズルを形成しており、この
シャワー状のノズルによって、プロセスガス導入管１０
を介してエッチング室２の内部に導入されたプロセスガ
スＧが被処理物Ｗの表面全体にわたって均一に供給され
る。
【００２０】プロセスガス導入管１０の途中には石英管
１２が設けられており、この石英管１２を取り囲むよう
にしてプラズマ発生装置１３が設けられている。そし
て、石英管１２の内部に供給されたプロセスガスＧに対
してプラズマ発生装置１３からマイクロ波が印加され
る。すると、石英管１２の内部でグロー放電が生じてプ
ラズマが生成され、プロセスガスＧが活性化される。こ
こで、プロセスガスＧとしては例えば、ＣＦ4及びＯ2を
含む混合ガスを使用することができる。
１２が設けられており、この石英管１２を取り囲むよう
にしてプラズマ発生装置１３が設けられている。そし
て、石英管１２の内部に供給されたプロセスガスＧに対
してプラズマ発生装置１３からマイクロ波が印加され
る。すると、石英管１２の内部でグロー放電が生じてプ
ラズマが生成され、プロセスガスＧが活性化される。こ
こで、プロセスガスＧとしては例えば、ＣＦ4及びＯ2を
含む混合ガスを使用することができる。
【００２１】活性化されたプロセスガスはプロセスガス
導入管１０を通してエッチング室２内に導入され、ガス
分散板１１を介して被処理物Ｗの表面の全体に均一に供
給される。すると、プロセスガス中の中性ラジカル（中
性活性種）によって被処理物Ｗの表面の薄膜がエッチン
グ処理される。ここで、エッチング室２は排気管１４を
介して真空ポンプ（図示せず）によって真空排気されて
おり、エッチング室２の内部の圧力は圧力計１５によっ
て計測されている。
導入管１０を通してエッチング室２内に導入され、ガス
分散板１１を介して被処理物Ｗの表面の全体に均一に供
給される。すると、プロセスガス中の中性ラジカル（中
性活性種）によって被処理物Ｗの表面の薄膜がエッチン
グ処理される。ここで、エッチング室２は排気管１４を
介して真空ポンプ（図示せず）によって真空排気されて
おり、エッチング室２の内部の圧力は圧力計１５によっ
て計測されている。
【００２２】また、図１に示したようにこのＣＤＥ装置
は、被処理物Ｗの裏面側に冷却ガスを供給するための冷
却ガス供給機構１９を備えており、この冷却ガス供給機
構１９は、載置台４及び静電チャック装置５を貫通して
被処理物Ｗの下方に開口している冷却ガス導入管２０を
有している。この冷却ガス導入管２０の途中には圧力計
２１及びガス流量コントロールバルブ２２が設けられて
いる。
は、被処理物Ｗの裏面側に冷却ガスを供給するための冷
却ガス供給機構１９を備えており、この冷却ガス供給機
構１９は、載置台４及び静電チャック装置５を貫通して
被処理物Ｗの下方に開口している冷却ガス導入管２０を
有している。この冷却ガス導入管２０の途中には圧力計
２１及びガス流量コントロールバルブ２２が設けられて
いる。
【００２３】また、ガス流量コントロールバルブ２２よ
りも下流側の冷却ガス導入管２０の途中から排出配管２
３が分岐しており、この排出配管２３の途中には可変バ
ルブ２４が設けられている。そして、通常、圧力計２１
の計測値をフィードバックしてガス流量コントロールバ
ルブ２２の開度が自動的に調整され、１０００Ｐａ前後
の圧力に維持される。
りも下流側の冷却ガス導入管２０の途中から排出配管２
３が分岐しており、この排出配管２３の途中には可変バ
ルブ２４が設けられている。そして、通常、圧力計２１
の計測値をフィードバックしてガス流量コントロールバ
ルブ２２の開度が自動的に調整され、１０００Ｐａ前後
の圧力に維持される。
【００２４】図２は、載置台４に設けられた静電チャッ
ク装置５を拡大して示した縦断面図である。静電チャッ
ク装置５は、金属薄膜製の導電性膜２５と、この導電性
膜２５をその全面にわたって両面から挟み込む一対の絶
縁性膜２７と、を有するチャック本体１６を備えてい
る。絶縁性膜２７は、ポリイミド樹脂フィルム等の高分
子有機材料で構成されている。チャック本体１６は、接
着剤によって載置台４の表面４ａに接着されている。
ク装置５を拡大して示した縦断面図である。静電チャッ
ク装置５は、金属薄膜製の導電性膜２５と、この導電性
膜２５をその全面にわたって両面から挟み込む一対の絶
縁性膜２７と、を有するチャック本体１６を備えてい
る。絶縁性膜２７は、ポリイミド樹脂フィルム等の高分
子有機材料で構成されている。チャック本体１６は、接
着剤によって載置台４の表面４ａに接着されている。
【００２５】また、チャック本体１６の表面には接着剤
によってフッ素系樹脂より成る保護膜２８が貼着されて
おり、チャック本体１６の全面が保護膜２８で被覆され
ている。保護膜２８の周縁部２８ａは載置台４の側周面
４ｂの側に湾曲して、載置台４の周縁位置において露出
している接着剤の露出部２６を被覆している。保護膜２
８を形成するフッ素系樹脂としては、四フッ化樹脂又は
三フッ化樹脂が好ましく、例えば、ポリ四フッ化エチレ
ン（ＰＴＦＥ）フィルムによって保護膜２８を形成する
ことができる。
によってフッ素系樹脂より成る保護膜２８が貼着されて
おり、チャック本体１６の全面が保護膜２８で被覆され
ている。保護膜２８の周縁部２８ａは載置台４の側周面
４ｂの側に湾曲して、載置台４の周縁位置において露出
している接着剤の露出部２６を被覆している。保護膜２
８を形成するフッ素系樹脂としては、四フッ化樹脂又は
三フッ化樹脂が好ましく、例えば、ポリ四フッ化エチレ
ン（ＰＴＦＥ）フィルムによって保護膜２８を形成する
ことができる。
【００２６】保護膜２８の周縁端部２８ｃは、環状部材
より成る保護リング２９によって載置台４との間に挟み
込まれ、保護膜２８を載置台４に固定するための接着剤
の露出部３０は保護リング２９によって覆われている。
これによって、保護膜２８と載置台４との間の接着剤が
その外周端部においてエッチングされることを防止して
いる。
より成る保護リング２９によって載置台４との間に挟み
込まれ、保護膜２８を載置台４に固定するための接着剤
の露出部３０は保護リング２９によって覆われている。
これによって、保護膜２８と載置台４との間の接着剤が
その外周端部においてエッチングされることを防止して
いる。
【００２７】また、保護リング２９は、保護膜２８で覆
われていない部分の載置台４の表面の全体を覆ってお
り、これによって、載置台４自体に高周波が印加される
ＲＩＥにおいても、載置台４の表面がエッチングされる
ことを防止できる。なお、保護リング２９は、載置台４
の上に単に載置されているだけであり、特に固定はされ
ていない。
われていない部分の載置台４の表面の全体を覆ってお
り、これによって、載置台４自体に高周波が印加される
ＲＩＥにおいても、載置台４の表面がエッチングされる
ことを防止できる。なお、保護リング２９は、載置台４
の上に単に載置されているだけであり、特に固定はされ
ていない。
【００２８】そして、本実施形態による静電チャック装
置においては、保護膜２８の表面の平坦部２８ｂは被処
理物Ｗを載置する載置面を形成しており、この載置面２
８ｂの外径は被処理物Ｗの外径よりも小さな値に設定さ
れている。つまり、被処理物Ｗの周縁部は載置面２８ｂ
の外縁を超えて外側にはみ出している。
置においては、保護膜２８の表面の平坦部２８ｂは被処
理物Ｗを載置する載置面を形成しており、この載置面２
８ｂの外径は被処理物Ｗの外径よりも小さな値に設定さ
れている。つまり、被処理物Ｗの周縁部は載置面２８ｂ
の外縁を超えて外側にはみ出している。
【００２９】導電性膜２５には図１に示した直流電源４
３が接続されており、この直流電源４３によって導電性
膜２５に電圧を印加するようになっている。そして、導
電性膜２５に電圧が印加されると、静電気力によって載
置台４に被処理物Ｗが吸着固定される。また、導電性膜
２５と直流電源４３との間に電流計４４を設けることに
よって、導電性膜２５に流れる電流を観測することが可
能であり、これによって被処理物Ｗの有無を検知するこ
とができる。
３が接続されており、この直流電源４３によって導電性
膜２５に電圧を印加するようになっている。そして、導
電性膜２５に電圧が印加されると、静電気力によって載
置台４に被処理物Ｗが吸着固定される。また、導電性膜
２５と直流電源４３との間に電流計４４を設けることに
よって、導電性膜２５に流れる電流を観測することが可
能であり、これによって被処理物Ｗの有無を検知するこ
とができる。
【００３０】以上述べたように本実施形態による静電チ
ャック装置５及びこの装置を備えた載置台４によれば、
チャック本体１６はフッ素系樹脂より成る保護膜２８で
被覆されているので、被処理物Ｗに対してダウンフロー
型のエッチングによる処理を行なった場合でも、チャッ
ク本体１６の絶縁性膜２７がエッチングにより腐食する
ことがなく、また、静電チャック装置５の載置面２８ｂ
の外径は被処理物Ｗの外径よりも小さな値に設定されて
いるので、被処理物Ｗに対してリアクティブイオンエッ
チングによる処理を行なった場合でも、保護膜２８がエ
ッチングにより腐食することがない。
ャック装置５及びこの装置を備えた載置台４によれば、
チャック本体１６はフッ素系樹脂より成る保護膜２８で
被覆されているので、被処理物Ｗに対してダウンフロー
型のエッチングによる処理を行なった場合でも、チャッ
ク本体１６の絶縁性膜２７がエッチングにより腐食する
ことがなく、また、静電チャック装置５の載置面２８ｂ
の外径は被処理物Ｗの外径よりも小さな値に設定されて
いるので、被処理物Ｗに対してリアクティブイオンエッ
チングによる処理を行なった場合でも、保護膜２８がエ
ッチングにより腐食することがない。
【００３１】このように本実施形態による静電チャック
装置５及びこの装置を備えた載置台４は、ダウンフロー
型のエッチング及びリアクティブイオンエッチングのい
ずれにおいてもエッチングによる腐食を受けることがな
く、静電チャック装置５の短寿命化を招くことなく両方
のエッチングに共用することができる。
装置５及びこの装置を備えた載置台４は、ダウンフロー
型のエッチング及びリアクティブイオンエッチングのい
ずれにおいてもエッチングによる腐食を受けることがな
く、静電チャック装置５の短寿命化を招くことなく両方
のエッチングに共用することができる。
【００３２】また、本実施形態による静電チャック装置
５及びこの装置を備えた載置台４によれば、チャック本
体１６を載置台４に接着するための接着剤の露出部２６
は保護膜２８の周縁部２８ａで覆われており、さらに、
保護膜２８を載置台４に接着するための接着剤の露出部
３０は保護リング２９で覆われているので、接着剤のエ
ッチングによるチャック本体１６又は保護膜２８の剥が
れや、パーティクルの発生を防止することができる。
５及びこの装置を備えた載置台４によれば、チャック本
体１６を載置台４に接着するための接着剤の露出部２６
は保護膜２８の周縁部２８ａで覆われており、さらに、
保護膜２８を載置台４に接着するための接着剤の露出部
３０は保護リング２９で覆われているので、接着剤のエ
ッチングによるチャック本体１６又は保護膜２８の剥が
れや、パーティクルの発生を防止することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように本発明による静電チャ
ック装置及びこの装置を備えた載置台によれば、チャッ
ク本体の表面をフッ素系樹脂より成る保護膜で被覆し、
この保護膜の周縁部によってチャック本体と載置台の表
面との間の接着剤の露出部を被覆し、保護膜の周縁端部
と載置台との間の接着剤の露出部を保護リングで被覆す
ると共に、被処理物を載置する載置面の外径を被処理物
の外径よりも小さな値に設定したので、ダウンフロー型
のエッチング及びリアクティブイオンエッチングのいず
れにおいてもエッチングによる腐食を受けることがな
く、静電チャック装置の短寿命化を招くことなく両方の
エッチングに共用することができる。
ック装置及びこの装置を備えた載置台によれば、チャッ
ク本体の表面をフッ素系樹脂より成る保護膜で被覆し、
この保護膜の周縁部によってチャック本体と載置台の表
面との間の接着剤の露出部を被覆し、保護膜の周縁端部
と載置台との間の接着剤の露出部を保護リングで被覆す
ると共に、被処理物を載置する載置面の外径を被処理物
の外径よりも小さな値に設定したので、ダウンフロー型
のエッチング及びリアクティブイオンエッチングのいず
れにおいてもエッチングによる腐食を受けることがな
く、静電チャック装置の短寿命化を招くことなく両方の
エッチングに共用することができる。
【図１】本発明の実施形態による静電チャック装置が組
み込まれたＣＤＥ装置の概略構成を示した縦断面図。
み込まれたＣＤＥ装置の概略構成を示した縦断面図。
【図２】本発明の実施形態による静電チャック装置を載
置台に設置した状態を拡大して示した縦断面図。
置台に設置した状態を拡大して示した縦断面図。
１ 真空容器 ２ エッチング室 ４ 載置台 ４ａ 載置台の表面 ４ｂ 載置台の側周面 ５ 静電チャック装置 １６ チャック本体 ２５ 導電性膜 ２６、３０ 露出部 ２７ 絶縁性膜 ２８ 保護膜 ２８ａ 保護膜の周縁部 ２８ｂ 保護膜の表面の平坦部（載置面） ２８ｃ 保護膜の周縁端部 ２９ 保護リング Ｗ 被処理物
Claims (3)
- 【請求項１】ドライエッチング処理される被処理物を静
電気力によって吸着保持するために、エッチング室の内
部の載置台に設けられる静電チャック装置において、 前記被処理物を吸着する際に電圧が印加される導電性膜
と、この導電性膜を両面から挟み込む一対の絶縁性膜
と、を有するチャック本体を備え、 前記チャック本体は前記載置台に接着剤によって貼着さ
れており、前記チャック本体の表面はフッ素系樹脂より
成る保護膜によって被覆されており、前記保護膜の周縁
部は前記載置台の側周面側に湾曲して前記チャック本体
と前記載置台との間の前記接着剤の露出部を被覆してお
り、前記保護膜の周縁端部は前記載置台に接着剤によっ
て貼着されており、前記保護膜と前記載置台との間の前
記接着剤の露出部は保護リングによって被覆されてお
り、前記保護膜の表面の平坦部は前記被処理物を載置す
る載置面を形成し、前記載置面の外径は前記被処理物の
外径よりも小さな値に設定されていることを特徴とする
ドライエッチング用静電チャック装置。 - 【請求項２】前記フッ素系樹脂は、四フッ化樹脂又は三
フッ化樹脂であることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング用静電チャック装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載のドライエッ
チング用静電チャック装置を備え、前記チャック本体が
前記接着剤によって表面に貼着されている、被処理物を
載置するための載置台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9291199A JP2000286332A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | ドライエッチング用静電チャック装置及び載置台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9291199A JP2000286332A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | ドライエッチング用静電チャック装置及び載置台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286332A true JP2000286332A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14067677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9291199A Pending JP2000286332A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | ドライエッチング用静電チャック装置及び載置台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286332A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693790B2 (en) | 2001-04-12 | 2004-02-17 | Komatsu, Ltd. | Static electricity chuck apparatus and semiconductor producing apparatus provided with the static electricity chuck apparatus |
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| JP2011108816A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の基板載置台 |
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| JP2020107881A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、及び、基板処理装置 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP9291199A patent/JP2000286332A/ja active Pending
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070622 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071106 |