JP2000286612A

JP2000286612A - 高周波用サーキュレータおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2000286612A
Application number: JP9330099A
Authority: JP
Inventors: Osamu Myoga; 修冥加; Mitsuru Furuya; 充古谷; Yoshitsugu Okada; 芳嗣岡田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2000-10-13
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JP3230673B2

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程やＭＩＣの組み立て工程で外部から
かかる応力により高周波用サーキュレータに割れやカケ
が発生することを防止する。【解決手段】ＧＮＤ層４と、フェライト２と、絶縁層
６−１と、ＳＩＧ回路３とからなるサーキュレータ積層
体８が絶縁基板１の上に積層されて、高周波用サーキュ
レータが構成されている。この高周波用サーキュレー
タでは伝達する電磁波の周波数を高くするほど、ＳＩＧ
回路３−１とＧＮＤ層４−１との間隔を狭くする必要が
あり、フェライト２の強度が弱くなる。そこで、外力に
より加わる応力を絶縁基板１により緩和させることによ
り、薄い層状に形成されたフェライト２に割れやカケが
発生することを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高周波、特にミリ波
以上の周波数帯で使用されるサーキュレータおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波数帯域で使用される非可逆回路素
子として、層状に形成されたマイクロストリップ型サー
キュレータがある。従来の高周波用のマイクロストリッ
プ型サーキュレータ（特願平１０−２３７４２７、特願
平１１−００３４６４）の平面図および横断面図を図
８、９に示す。図８において、絶縁層２１の中央部に
は、円板状のフェライト２２が組み込まれている。この
フェライト２２が組み込まれた絶縁層２１の一方の面に
ＧＮＤ層２４が形成され、他方の面にＳＩＧ回路２３が
形成されている。ＳＩＧ回路２３は、フェライト２２の
上の円形部と、この円形部から放射状に形成された３つ
の線路部とを有している。この線路部はマイクロストリ
ップライン型の信号の伝達経路を形成しており、円形部
はフェライト２２の磁性による非可逆回路を形成してい
る。非可逆特性を得るために、フェライト２２には磁界
が発生させられている。図９は、ＧＮＤ層２４とＳＩＧ
回路２３の間を単層のフェライト２２のみにより構成し
た例を示している。この高周波用のマイクロストリップ
型サーキュレータでは、フェライト２２は厚さ０．１ｍ
ｍ程度の板状のものが使用される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この高周波用のマイク
ロストリップ型サーキュレータは、高周波数帯域の信号
を伝達するため、マイクロストリップラインを形成する
ＳＩＧ回路とＧＮＤとの間隔を、比較的低周波数の周波
数帯域で使用されるものに比べて狭くする必要がある。
したがって、ＳＩＧ回路とＧＮＤの間のフェライト板の
厚さを薄くする必要がある。フェライト板の厚さが０．
１ｍｍ程度であるとフェライト板の強度が弱くなり、サ
ーキュレータの作製工程やこのサーキュレータを搭載す
るＭＩＣ（マイクロ波集積回路）モジュールの組立て工
程でしばしばフェライト板に割れが発生する。このよう
に、従来のサーキュレータには、頻繁に割れあるいはカ
ケが起きていた。

【０００４】そこで本発明の目的は、サーキュレータの
製造工程およびサーキュレータを搭載するＭＩＣモジュ
ールの組立て工程で割れやカケが発生しない強度を持っ
た高周波用サーキュレータとその製造方法を提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明による高周波用サーキュレータは、円板状の
フェライトと、該円板状フェライトを囲むように形成さ
れた絶縁層と、前記円板状フェライトと絶縁層とが形成
する層の一方の面に形成されたＧＮＤ（グランド）層
と、他方の面に形成されたＳＩＧ（信号）回路とからな
るサーキュレータ積層体を有する高周波用サーキュレー
タにおいて、前記サーキュレータ積層体がＧＮＤ層を最
下層として積層されて形成される絶縁基板を有すること
を特徴とする。

【０００６】これによって、外力により高周波用サーキ
ュレータにかかる応力を絶縁基板によって吸収させるこ
とができる。このため、絶縁基板上に配された円板状フ
ェライトにかかる応力を低減させることができる。

【０００７】さらに本発明による高周波用サーキュレー
タは、前記ＳＩＧ回路が、前記円板状フェライトの上に
形成された円形部と、該円形部から放射状に伸びる線路
部とを有し、前記絶縁層の該線路部が形成された面の該
線路部を挟む２つの点と前記ＧＮＤ層とを電気的に接続
させるＧＮＤビアが該線路部の各端部に設けられている
ことを特徴とする。

【０００８】これによって、高周波用サーキュレータと
外部回路とを容易に接続させることができる。すなわ
ち、ＳＩＧ回路の線路部の端部と外部回路のＳＩＧ回路
端子との間およびＧＮＤビアの端部と外部回路のＧＮＤ
端子との間をワイヤボンディングなどによって電気的に
接続させることにより、高周波用サーキュレータと外部
回路との間にコプレーナ型の信号の伝達経路を形成させ
ることができる。

【０００９】また、前記絶縁基板の前記サーキュレータ
積層体が設けられた面の反対側の面と前記ＳＩＧ回路を
電気的に接続するＳＩＧビアと、前記絶縁基板の前記サ
ーキュレータ積層体が設けられた面の反対側の面の、前
記ＳＩＧビアを挟む２つの点と前記ＧＮＤ層とを電気的
に接続するＧＮＤビアとを設けることによっても高周波
用サーキュレータと外部回路との間を容易に接続するこ
とができる。

【００１０】この場合には、ＳＩＧビアの端部と外部回
路のＳＩＧ回路端子との間およびＧＮＤビアの端部と外
部回路のＧＮＤ端子との間をワイヤボンディングなどに
よって電気的に接続することにより、高周波用サーキュ
レータと外部回路との間にコプレーナ型の信号の伝達経
路を形成することができる。

【００１１】さらに、高周波用サーキュレータと外部回
路とを電気的に接続するバンプ（突起電極）を前記ＧＮ
Ｄビアおよび前記ＳＩＧビアの端部に形成することによ
り、高周波用サーキュレータと外部回路とをバンプ接続
することができる。バンプ接続することにより、ワイヤ
ボンディングなどにより接続する場合よりも接続部の電
気的な損失を低減することができる。

【００１２】さらに、前記フェライトと前記ＧＮＤ層と
の間に介在する接着層を設けることにより、フェライト
の下面の強度を強くすることができる。このため、外力
による応力が高周波用サーキュレータに加わった際に、
フェライトの部分が変形することを抑止することがで
き、フェライトに加わる応力をさらに低減させることが
できる。

【００１３】接着層はフェライトの下面の全面を覆って
いればどのような形状でも良いが、接着層を円板状フェ
ライトの直径より僅かに大きい円板状の形状とすれば、
接着層によるフェライトにかかる応力の低減効果は充分
に得られる。

【００１４】さらに、前記接着層を導電性材料で構成す
ると、ＧＮＤ層とＳＩＧ回路の間隔を決める際、接着層
を考慮する必要がなく、設計が容易になる。すなわち、
接着層がＧＮＤの機能を果たすため、ＧＮＤとＳＩＧ回
路の間隔は接着層を除いた円板状フェライトや絶縁層の
みで決まる。

【００１５】また、前記接着層を絶縁性材料で構成する
と、ＳＩＧ回路とＧＮＤ層のショートを防止することが
できる。すなわち、製作工程で絶縁層と円板状フェライ
トとの隙間に導電物が入り込んでも、ＳＩＧ回路とＧＮ
Ｄ層との間の接着層が導電物の侵入を防ぐため、両者が
電気的に接続することを防止させることができる。ただ
し、この場合には、ＧＮＤとＳＩＧ回路との間隔を決め
る際に、接着層の厚さ、形状、誘電率を考慮する必要が
ある。

【００１６】さらに、前記円板状フェライトを硬磁性フ
ェライトで構成することにより、高周波用サーキュレー
タの製作工程が終了した後に磁界をかけてフェライトを
永久磁石とすることができる。このため、不可逆特性を
得るために外部に磁界発生機構を設ける必要がなく、構
成を簡単にすることができる。

【００１７】また、前記円板状フェライトを軟磁性フェ
ライトで構成することにより、フェライトの加工が容易
になる。すなわち、フェライトが磁界を持った状態では
内部応力が発生しているため、フェライトを数十μｍの
薄い板状に加工することは困難である。そこで、フェラ
イトを軟磁性フェライトで構成すると、磁界が無い状態
で容易に加工することができる。ただし、この場合には
フェライトの上面に永久磁石等の磁界発生機構を設ける
必要がある。

【００１８】また、絶縁基板へサーキューレータ積層体
を形成した後に、各層を構成する材料の熱変形などによ
り絶縁基板に反りが発生することがある。この場合に
は、絶縁基板のサーキュレータ積層体を積層した面の反
対側の面に補強用絶縁層を形成することにより、このよ
うな反りを低減することができる。

【００１９】本発明による高周波用サーキュレータの製
造方法は、円板状のフェライトと、円板状フェライトを
囲むように形成された絶縁層と、円板状フェライトと絶
縁層とが形成する層の一方の面に形成されたＧＮＤ層
と、他方の面に形成されたＳＩＧ回路とからなるサーキ
ュレータ積層体を有する高周波用サーキュレータの製造
方法において、サーキュレータ積層体を、ＧＮＤ層を最
下層として絶縁基板上に積層する工程を有することを特
徴とする。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図１〜７の図面を参照して
本発明の実施形態について説明する。図１に示すよう
に、本発明による高周波用サーキュレータは、組み立て
工程において割れやカケが起こらない強度が得られる厚
さの絶縁基板１の上にＧＮＤ層４−１、接着層５、フェ
ライト２、絶縁層６−１、ＳＩＧ回路３−１が形成され
ている。

【００２１】円板状のフェライト２は接着層５上の中央
部に配されており、この廻りに絶縁層６−１が形成され
ている。ＳＩＧ回路３−１はフェライト２の上の円形部
と、この円形部から放射状に伸びる３つの線路部を有し
ている。円形部はフェライト２の磁性による非可逆回路
を形成しており、線路部はマイクロストリップライン型
の信号伝達経路を形成している。この線路部の端部が外
部装置との入出力部となる。この線路部が形成された面
上で線路部を挟む２つの点とＧＮＤ層とを電気的に接続
するＧＮＤビア４−２が線路部の各端部に配されてい
る。各ビアはこの線路部形成面上に露出している。

【００２２】この構成により、フェライト２及び絶縁層
６−１の厚さが０．０５ｍｍ程度であっても、絶縁基板
１の強度によってフェライト２に割れやカケが発生する
ことを防ぐことが出来る。

【００２３】絶縁基板１がＧＮＤ層４−１の下に配置さ
れている構成では、ＧＮＤ層４−１が外部に露出してい
ないため、ＧＮＤを如何にして外部に取り出すか問題と
なる。しかし、本実施形態では前記のようにＧＮＤビア
４−２を配置することにより、ＧＮＤビア４−２を介し
て外部装置とＧＮＤ層４−１とをワイヤボンディングな
どにより容易に電気的に接続することができる。

【００２４】また、図２のように絶縁基板１のサーキュ
レータ積層体７が設けられた面の反対側の面とＳＩＧ回
路３−１を電気的に接続させるＳＩＧビア３−２と、絶
縁基板１のサーキュレータ積層体７が設けられた面の反
対側の面の、ＳＩＧビア３−２を挟む２つの点とＧＮＤ
層４−１とを電気的に接続させるＧＮＤビア４−２とを
設けることによって、高周波用サーキュレータと外部装
置とを電気的に接続させることもできる。

【００２５】本実施形態による高周波用サーキュレータ
は、マイクロストリップ型の信号伝達経路などの層状の
構造を有し、高周波信号の増幅などの信号処理を行うＭ
ＩＣモジュールに組み込まれて使用される。

【００２６】そこで、図１のサーキュレータのＳＩＧ回
路３−１とＧＮＤビア１１の入出力端子部７を、ＭＩＣ
モジュールの入出力端子部８とワイヤボンディング１０
により電気的に接続する具体例を図３に示している。こ
の例では、図１のサーキュレータとの接続を行うため、
図１のサーキュレータの入出力端子部８と同様の構造で
ある入出力端子部９を持つＭＩＣモジュールを用いた。
ただしこの際、ＳＩＧ回路３−１とＧＮＤビア１１のワ
イヤボンディング箇所はメッキ等でＡｕ膜を形成する必
要がある。図５において、ＳＩＧ回路３−１の線路部の
端部とＭＩＣモジュールのＳＩＧ回路端子との間および
ＧＮＤビア４−２の端部とＭＩＣモジュールのＧＮＤ端
子との間をワイヤボンディング１０などによって電気的
に接続させることにより、高周波用サーキュレータとＭ
ＩＣモジュールとの間にコプレーナ型の信号の伝達経路
が形成されている。

【００２７】また、図４のように、ＧＮＤビア４−２上
にＧＮＤバンプ１２を形成させ、ＳＩＧ回路３の端部に
ＳＩＧバンプ１１を形成させてサーキュレータ入出力端
子部８とし、ＭＩＣモジュールにＧＮＤ端子４−３とＳ
ＩＧ端子３−３とを有するＭＩＣモジュール入出力端子
部９を形成させて、高周波用サーキュレータとＭＩＣモ
ジュールとを対向させて配置し、バンプを介して電気的
に接続させることもできる。この場合にも、高周波用サ
ーキュレータとＭＩＣモジュールの間には、コプレーナ
型の信号の伝達経路が形成されている。このように、バ
ンプを介して電気的に接続させることにより、ワイヤボ
ンディング１０により接続する場合よりも接合面の面積
を大きくすることができ、接続部の電気的な損失を低く
することができる。

【００２８】同様に図２に示した高周波用サーキュレー
タのＳＩＧビア３−２上にＳＩＧバンプ１１が形成さ
れ、ＧＮＤビア４−２上にＧＮＤバンプ１２が形成され
て、高周波用サーキュレータがＭＩＣモジュールと電気
的に接続された具体例の模式図を図５に示す。この構成
では、ＭＩＣモジュールに高周波用サーキュレータが
搭載された状態でＳＩＧ回路３−１の形成面が外部に面
している。したがって、ＭＩＣモジュールに高周波用サ
ーキュレータが搭載された後にＳＩＧ回路３−１を微調
整することができる。

【００２９】本実施形態の構成は、絶縁基板１としてア
ルミナ、ガラスセラミックあるいはＡｌＮが使用され
る。グランド層４−１としては、Ｃｕ膜、Ｃｒ膜、Ｃｕ
／Ｃｒ膜などがメッキ等により形成される。

【００３０】接着層５は別部材として形成されたフェラ
イト２を固定するために必要なものである。したがっ
て、接着層５は図１に示すようにグランド層４の全面に
形成しても良いし、図６に示すように円板状フェライト
２の直径より僅かに大きいサイズの円形状に形成しても
構わない。いずれの場合でも、接着層５を形成すること
により、フェライト２の下面の強度を強くすることがで
きる。このため、外力による応力が高周波用サーキュレ
ータに加わった際に、フェライト２の部分が変形するこ
とを接着層５により抑止することができる。これによっ
て、フェライト２に加わる応力を接着層５により緩和す
ることができる。

【００３１】接着層５として使用される材料は、絶縁性
材料でも導電性材料でも構わない。接着層５の材料とし
て導電性材料を使用した場合には、接着層５がＧＮＤの
機能を果たすため、ＧＮＤとＳＩＧ回路３−１との間隔
は接着層５を除いた円板状フェライト２や絶縁層６−１
のみで決まる。このため、ＧＮＤ層４−１とＳＩＧ回路
３の間隔を決める際、接着層５の厚さを考慮する必要が
ない。

【００３２】また、接着層５の材料として絶縁性材料を
使用した場合には、製作工程で絶縁層６−１と円板状フ
ェライト２との隙間に導電物が入り込んでも、ＳＩＧ回
路３とＧＮＤ層４−１との間の接着層２が導電物の侵入
を防ぐため、両者が電気的に接続することを防止するこ
とができる。ただし、この場合には、ＧＮＤ層４−１と
ＳＩＧ回路３との間隔を決める際に、接着層２の厚さ、
形状、誘電率を考慮する必要がある。

【００３３】円板状フェライト２は、軟磁性フェライト
でも硬磁性フェライトでもかまわない。フェライト２と
して軟磁性フェライトが使用される場合は、サーキュレ
ータとして動作させるためにサーキュレータの上方に永
久磁石を配置する必要がある。一方、フェライト２とし
て硬磁性フェライトが使用される場合は、それ自体を永
久磁石とすることができるため、前記永久磁石は不要で
ある。

【００３４】本実施形態による高周波用サーキュレータ
は、厚さ０．５ｍｍ程度の絶縁基板が使用される場合に
は、片面にサーキュレータ積層体７を形成しても絶縁基
板１に反りが生じることはない。しかし、絶縁基板１の
厚さが０．２ｍｍ程度以下であると目視で確認できる程
度に反りが発生する。この場合には、図７に示すように
絶縁基板１のサーキュレータ積層体７が構成された面の
反対側の面に補強用絶縁層６−２を形成することで反り
を小さくすることが出来る。

【００３５】次に本実施形態による高周波用サーキュレ
ータの製造方法を説明する。

【００３６】最初に絶縁基板１の上にＧＮＤ層４−１を
メッキ等により形成する。次に接着層５をＧＮＤ層４−
１の上に形成し、円板状フェライト２を接着して配置す
る。次にフェライト２の厚さ以上の厚さの絶縁層６−１
を形成する。この際、絶縁層６−１および接着層５は、
ＧＮＤビア４−２およびＳＩＧビア３−２を形成させる
ための穴が形成されるようにマスクなどを用いてパター
ニングする。または、接着層５および絶縁層６−１を形
成した後に穴開け加工によって穴を形成しても良い。次
にフェライト２の上面と絶縁層６−１の上面とが同一平
面を形成するように絶縁層６−１を加工する。このよう
にしてフェライト２と絶縁層６−１とによって形成され
た平面上に、円形導体部が円板状フェライト２の上に配
置されるようにＳＩＧ回路３−１を形成する。この際、
ビア用に形成された穴に導電材料を充填するなどしてビ
アを形成する。

【００３７】絶縁基板１にＧＮＤビア４−２およびＳＩ
Ｇビア３−２を形成する場合には、予めビア用の穴（ビ
アホール）を形成させた絶縁基板１を用いてもよい。ビ
アホールはセラミックグリーンシート法によって容易に
形成することができる。

【００３８】フェライト２は予め数十μｍの厚さの円板
状に加工されたものが用いられる。フェライト２として
硬磁性フェライトが使用される場合は、フェライト２が
磁化された状態では磁気により材料に内部応力が発生し
ている。このため、フェライト２を薄く切断すると内部
応力によりフェライト２が破壊されてしまう。そこでこ
の場合には、フェライト２を消磁した状態で数十μｍの
厚さに切断し、製造の全ての工程が終了した後に着磁さ
せる。フェライト２として軟磁性フェライトが使用され
る場合は、磁気が無い状態で容易に加工することができ
る。

【００３９】以下に本実施形態に従って作製したサーキ
ュレータの例について説明する。

【００４０】表１に作製した各種サーキュレータの構成
の組み合わせを示す。○印は各番号で示されたサーキュ
レータに下記の構成が採用されていることを示してい
る。

【００４１】

【表１】構成条件１：接着層５をＧＮＤ層４の全面に形成した。構成条件２：接着層５をフェライト２の直径より僅かに
大きい円形状に形成した。構成条件３：ＳＩＧ回路３−１の形成面に入出力端子部
７を形成した。構成条件４：絶縁基板１のサーキュレータを形成した面
の反対側の面に入出力端子部７を形成した。構成条件５：接着層５を絶縁性材料により構成した。構成条件６：接着層５を導電性材料により構成した。構成条件７：フェライト２を軟磁性フェライトにより構
成した。構成条件８：フェライト２を硬磁性フェライトにより構
成した。構成条件９：補強用絶縁層６−２を形成した。

【００４２】フェライト２の直径は０．６ｍｍ、厚さは
０．０５ｍｍとした。ＳＩＧ回路３の円形導体部の直径
は０．５６ｍｍ、マイクロストリップラインの幅は０．
１３ｍｍとした。軟磁性フェライトにはＮｉ−Ｚｎ系フ
ェライトを使用した。硬磁性フェライトにはＳｒ系フェ
ライトを使用した。

【００４３】番号１，２のサーキュレータは、接着層５
をＧＮＤ層４の全面に形成し、ＳＩＧ回路３−１の形
成面に入出力端子部７を形成し、接着層５の材料に絶縁
性材料を用いたものと導電性材料を用いたものである。
番号３，４のサーキュレータは、絶縁基板１のサーキュ
レータを形成した面の反対側の面に入出力端子部７を形
成し、番号１，２のサーキュレータと同様に接着層５の
材料をそれぞれ変えたものである。番号５〜８のサーキ
ュレータは、接着層５をフェライト２の直径より僅かに
大きい円形状に形成し、番号１〜４のサーキュレータと
同様に、入出力端子部７の形成面および接着層５の形状
をそれぞれ変えたものである。

【００４４】番号１〜８のサーキュレータはフェライト
２として硬磁性フェライトを用いたものであるのに対し
て、番号９のサーキュレータは、軟磁性フェライトを用
い、不可逆特性を得るためにフェライト２の上方に永久
磁石を配したものである。この番号９のサーキュレータ
の接着層５の構成および入出力端子の形成面は、番号１
のサーキュレータと同様にした。

【００４５】各番号のサーキュレータの不可逆回路特性
を確認するため、各番号のサーキュレータについて３つ
のマイクロストリップラインの内の１つのマイクロスト
リップライン端に終端抵抗を取り付け、アイソレータと
した状態で測定を行った。

【００４６】その結果、軟磁性フェライトを用いた番号
９のサーキュレータの場合は４０〜５０ＧＨｚの周波数
範囲でアイソレータとしての特性が得られた。また、硬
磁性フェライトを用いた番号１〜８のサーキュレータの
場合は７０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの周波数範囲でアイソレ
ータとしての特性が得られた。

【００４７】なお、番号１〜９のサーキュレータでは、
絶縁層６−１の厚さをもっと薄くすると絶縁基板１に反
りが発生するおそれがあるが、番号１０のサーキュレー
タでは、補強用絶縁層６−２を形成した結果、反りが発
生することは無かった。

【００４８】番号１〜１０のサーキュレータは、いずれ
の場合もその製造工程やサーキュレータが搭載されるＭ
ＩＣモジュールの組立て工程で基板に割れやカケが発生
することは無かった。

【００４９】また、高周波用サーキュレータとＭＩＣと
をバンプにより接続させた場合には、両者をワイヤボン
ディング１０により接続させた場合よりも損失が０．２
dB低くなった。

【００５０】

【発明の効果】本発明による高周波用サーキュレータ
は、サーキュレータ製造工程およびサーキュレータが搭
載されるＭＩＣモジュールの組立て工程でサーキュレー
タに割れやカケが起こることを防止できる。従って部品
としての不良発生率を低減することができる。このこと
から、本発明は高周波用サーキュレータおよび高周波用
サーキュレータを含む工業製品の生産ラインの信頼性を
高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態の高周波用サーキュレー
タの模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図で
ある。

【図２】本発明による実施形態の変形例の高周波用サー
キュレータの模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
断面図、（ｃ）は底面図である。

【図３】図１の高周波用サーキュレータとＭＩＣモジュ
ールとをワイヤボンディングにより接続した状態を示し
た模式図である。

【図４】図１の高周波用サーキュレータとＭＩＣモジュ
ールとをバンプにより接続した状態を示した模式図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５】図２の高周波用サーキュレータとＭＩＣモジュ
ールとをバンプにより接続した状態を示した模式図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図６】本発明による実施形態の他の変形例の高周波用
サーキュレータの模式図である。

【図７】本発明による実施形態の他の変形例の高周波用
サーキュレータの模式図である。

【図８】従来例の高周波用サーキュレータの模式図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図９】他の従来例の高周波用サーキュレータの模式図
である。

【符号の説明】

１絶縁基板２、２２フェライト３−１、２３−１ＳＩＧ回路３−２ＳＩＧビア３−３ＳＩＧ端子４−１、２４−１ＧＮＤ層４−２ＧＮＤビア４−３ＧＮＤ端子５接着層６−１、２１絶縁層６−２補強用絶縁層７サーキュレータ積層体８サーキュレータ入出力端子部９ＭＩＣモジュール入出力端子部１０ワイヤボンディング１１ＳＩＧバンプ１２ＧＮＤバンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡田芳嗣東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内Ｆターム(参考） 5J013 GA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円板状のフェライトと、該円板状フェライ
トを囲むように形成された絶縁層と、前記円板状フェラ
イトと絶縁層とが形成する層の一方の面に形成されたＧ
ＮＤ（グランド）層と、他方の面に形成されたＳＩＧ
（信号）回路とからなるサーキュレータ積層体を有する
高周波用サーキュレータにおいて、前記サーキュレータ
積層体がＧＮＤ層を最下層として積層されて形成される
絶縁基板を有する高周波用サーキュレータ。
【請求項２】前記ＳＩＧ回路が、前記円板状フェライト
の上に形成された円形部と、該円形部から放射状に伸び
る線路部とを有し、前記絶縁層の該線路部が形成された面の該線路部を挟む
２つの点と前記ＧＮＤ層とを電気的に接続させるＧＮＤ
ビアが、該線路部の各端部に設けられている請求項１に
記載の高周波用サーキュレータ。
【請求項３】前記絶縁基板の前記サーキュレータ積層体
が設けられた面の反対側の面と前記ＳＩＧ回路とを電気
的に接続するＳＩＧビアと、前記絶縁基板の前記サーキ
ュレータ積層体が設けられた面の反対側の面の、前記Ｓ
ＩＧビアを挟む２つの点と前記ＧＮＤ層とを電気的に接
続するＧＮＤビアとを有する請求項１に記載の高周波用
サーキュレータ。
【請求項４】前記ＧＮＤビアおよび前記ＳＩＧビアの端
部に形成された、高周波用サーキュレータと外部の装置
とを電気的に接続させるバンプを有する請求項２または
３のいずれか１項に記載の高周波用サーキュレータ。
【請求項５】前記フェライトと前記ＧＮＤ層との間に介
在する接着層を有する請求項１から４のいずれか１項に
記載の高周波用サーキュレータ。
【請求項６】前記接着層が前記円板状フェライトの直径
より僅かに大きい円板状の形状である請求項５に記載の
高周波用サーキュレータ。
【請求項７】前記接着層が導電性材料からなる請求項１
から６のいずれか１項に記載の高周波用サーキュレー
タ。
【請求項８】前記接着層が絶縁性材料からなる請求項１
から６のいずれか１項に記載の高周波用サーキュレー
タ。
【請求項９】前記円板状フェライトが硬磁性フェライト
からなる請求項１から８のいずれか１項に記載の高周波
用サーキュレータ。
【請求項１０】前記円板状フェライトを軟磁性フェライ
トからなる請求項１から８のいずれか１項に記載の高周
波用サーキュレータ。
【請求項１１】前記絶縁基板の前記サーキュレータ積層
体を積層した面の反対側の面に補強用絶縁層を有する請
求項１から１０のいずれか１項に記載の高周波用サーキ
ュレータ。
【請求項１２】円板状のフェライトと、該円板状フェラ
イトを囲むように形成された絶縁層と、前記円板状フェ
ライトと絶縁層とが形成する層の一方の面に形成された
ＧＮＤ層と、他方の面に形成されたＳＩＧ回路とからな
るサーキュレータ積層体を有する高周波用サーキュレー
タの製造方法において、前記サーキュレータ積層体を、
ＧＮＤ層を最下層として絶縁基板上に積層する工程を有
する高周波用サーキュレータの製造方法。