JP2000288496A

JP2000288496A - クリーニング装置

Info

Publication number: JP2000288496A
Application number: JP11101867A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Yao; 昌幸八尾; Hiroshi Imachi; 弘井町; Yoshito Hayakawa; 義人早川; Hironori Hara; 裕紀原; Masami Kubota; 昌実久保田
Original assignee: Kubota Corp
Current assignee: Kubota Corp
Priority date: 1999-04-08
Filing date: 1999-04-08
Publication date: 2000-10-17

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザ系の劣化によるメンテナンスの頻度を
低減し、アルミニウム及びガラスのような損傷し易い材
料であっても効率的な欠陥除去が可能であり、除去可能
な欠陥を残すことが少ないクリーニング装置を提供す
る。【解決手段】欠陥検出用のレーザダイオード（ＬＤ）
８から出射されるレーザビームと、欠陥除去用のエキシ
マレーザ２から出射されるレーザビームとをハードディ
スク基板Ｓの表面に対して傾斜して入射する一方、欠陥
除去用のパルス状のレーザビームを１箇所当り１〜数パ
ルスの割合でハードディスク基板Ｓの表面に照射した後
で、欠陥の検出を行ない、最初の照射で除去できないよ
うな欠陥を、欠陥除去用のレーザビームを再照射するこ
とによって除去する構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体，半
導体，及び液晶表示器等の対象物の表面を光学的にクリ
ーニングするクリーニング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、コンピュータのハードディスク
装置を構成する磁気記録ディスクは、アルミニウム又は
ガラス等を主材とし、これを用いて円盤状に形成してハ
ードディスク基板を得、得られたハードディスク基板の
表面をＮｉＰで被覆し、被覆後の表面をテクスチャ研磨
し、研磨屑を超音波洗浄又は水洗浄した後で、磁性材料
をスパッタリングすることによって作製される。

【０００３】このようなハードディスク基板は、その磁
性材料による被覆前の工程において、その表面の欠陥を
検査され、欠陥が除去可能であればクリーニング（除
去）される。

【０００４】このような欠陥の検出及び除去を行うクリ
ーニング装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光源からパルス状の
レーザビームをハードディスク基板の全面に均一に照射
し、これによるハードディスク基板の表面での反射光に
基づいて欠陥の有無及び位置等を検出し、ＫｒＦエキシ
マレーザ光源からパルス状のレーザビームをハードディ
スク基板の欠陥検出位置に数１０〜１００パルス程度照
射することにより、欠陥を除去するようになっており、
これは、例えば特開平１０−２１６６６４号公報に開示
されているようなものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した如
き従来のクリーニング装置においては、欠陥の除去に高
出力を要するためにエキシマレーザ光源のような高出力
の紫外光パルスレーザ光源が用いられるが、レーザ光源
自体が高価であることに加えて、照射パルス数に応じて
励起ガス及び内蔵された光学部品が徐々に劣化してその
出力が低下していく。従って、励起ガス及び光学部品の
定期的な交換、光学部品の再調整等のメンテナンスが不
可欠である。

【０００６】このような事情から、欠陥除去における歩
留りを高めるために、単位時間当たりの照射パルス数、
即ちパルス繰り返し周波数を大きくすると、これに伴っ
て前述した如きメンテナンスに掛かるコストが増大する
とともに、メンテナンスの際に生産が中断することが頻
繁となる問題があった。

【０００７】また、前述したアルミニウム及びガラスの
ような材料は、従来から主としてクリーニング対象とさ
れていたシリコンウェハ等の半導体材料と比べて、照射
される欠陥除去用のレーザビームが比較的低い照射密度
であっても損傷を生じ易く、これに応じた照射密度のレ
ーザビームを照射しても十分な欠陥除去結果を得ること
ができないという問題があり、結果として前述したよう
なコスト等を犠牲にしても実質的な歩留り向上を期待で
きなかった。

【０００８】さらに、従来のクリーニング装置において
は、欠陥が検出された位置に対してのみ数１０〜１００
パルス程度の欠陥除去用のレーザビームを照射するた
め、検出精度が比較的低い場合には、除去されない欠陥
が発生する虞があった。

【０００９】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、欠陥検出用及び欠陥除去用の光源からハードデ
ィスク基板のような試料の表面に対して傾斜して各ビー
ムを入射する一方、欠陥除去用の光源が、パルス状のビ
ームを１箇所当り１〜数パルスの割合で照射した後で、
欠陥の検出を行ない、最初の照射で除去できないような
欠陥に対して欠陥除去用のビームを再照射することによ
り、メンテナンスの頻度を低減し、アルミニウム及びガ
ラスのような損傷し易い材料であっても効率的な欠陥除
去が可能であり、欠陥除去用の光源で除去可能な欠陥が
残る可能性を小さくすることができるクリーニング装置
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１発明に係るクリーニ
ング装置は、クリーニング対象となる試料（Ｓ）表面に
光ビームを照射し、前記試料（Ｓ）表面での反射光に基
づいて前記試料（Ｓ）表面の欠陥（Ｃ）を検出し、検出
結果に基づいて前記欠陥（Ｃ）にエネルギビームを照射
することにより、前記欠陥（Ｃ）を除去するクリーニン
グ装置において、前記光ビーム及び／又はエネルギビー
ムの出射源（２〜４，７，８）は、前記試料（Ｓ）表面
に対して傾斜して前記光ビーム及び／又はエネルギビー
ムを入射し、前記エネルギビームの出射源（２〜４，
７）は、１箇所当り第１パルス数の割合でパルス状の前
記エネルギビームを照射し、照射した後で検出された欠
陥（Ｃ）の位置に１箇所当り第２パルス数の割合で前記
エネルギビームを再照射すべくなしてあることを特徴と
する。

【００１１】第２発明に係るクリーニング装置は、クリ
ーニング対象となる試料（Ｓ）表面に光ビームを照射
し、前記試料（Ｓ）表面での反射光に基づいて前記試料
（Ｓ）表面の欠陥（Ｃ）を検出し、検出結果に基づいて
前記欠陥（Ｃ）にエネルギビームを照射することによ
り、前記欠陥（Ｃ）を除去するクリーニング装置におい
て、前記試料（Ｓ）表面に対して傾斜して前記光ビーム
及び／又はエネルギビームを入射する出射源（２〜４，
７，８）と、前記エネルギビームの出射源（２〜４，
７）に、１箇所当り第１パルス数の割合でパルス状の前
記エネルギビームを照射させる照射制御手段（１）とを
備え、前記エネルギビームの出射源（２〜４，７）は、
照射した後で検出された欠陥（Ｃ）の位置に１箇所当り
第２パルス数の割合で前記エネルギビームを再照射すべ
くなしてあることを特徴とする。

【００１２】第３発明に係るクリーニング装置は、第１
又は第２発明のクリーニング装置において、検出された
前記欠陥（Ｃ）の前記エネルギビームによる除去の可否
を判別する判別手段（１）を更に備え、前記エネルギビ
ームの出射源（２〜４，７）は、前記判別手段（１）に
よって除去が可能であると判別された欠陥（Ｃ）に前記
エネルギビームを照射する一方、前記判別手段（１）に
よって除去が不可能であると判別された欠陥（Ｃ）の量
が所定の閾値を超える場合に、前記試料（Ｓ）に前記エ
ネルギビームを照射しないようになしてあることを特徴
とする。

【００１３】第４発明に係るクリーニング装置は、第１
〜第３発明のクリーニング装置において、前記試料
（Ｓ）を回転する回転手段（Ｍ）を更に備え、少なくと
も何れかの前記出射源（２〜４，７，８）は、前記回転
手段（Ｍ）による前記試料（Ｓ）の回転の接線方向に沿
って入射すべくなしてあることを特徴とする。

【００１４】第１及び第２発明に係るクリーニング装置
によれば、クリーニング対象となる試料表面に光ビーム
を照射し、試料表面での反射光に基づいて試料表面に存
在する欠陥を検出し、検出結果に基づいて欠陥にエネル
ギビームを照射することにより、欠陥を除去する構成の
クリーニング装置において、光ビーム及び／又はエネル
ギビームの出射源が、試料表面に対して傾斜して光ビー
ム及び／又はエネルギビームを入射する構成としたの
で、光ビーム及び／又はエネルギビームを試料表面に略
直角に入射するのに比べて、照射面積が増大するととも
に、照射密度が減少するので、短時間で欠陥検出及び欠
陥除去を行なうことができるばかりでなく、特にエネル
ギビームによる損傷閾値が低いアルミニウム又はガラス
等を主材とする試料に対して、試料表面を損傷すること
なく、欠陥除去を達成することができる。

【００１５】また、エネルギビームの出射源は、１箇所
当り第１パルス数の割合でパルス状のエネルギビームを
照射し、照射した後で検出された欠陥の位置に、再び１
箇所当り第２パルス数の割合でエネルギビームを照射す
る構成としたので、例えば、試料全体に対して１箇所当
り１〜数パルスの割合でエネルギビームを照射して粗除
去し、欠陥検査を行なった後で、欠陥が検出された位置
にエネルギビームを再照射して微除去することができ、
可及的に少ないパルス数で欠陥除去を行なうことによっ
て、試料表面の損傷を抑制することが可能であるばかり
でなく、欠陥除去用のエネルギビームで除去可能な欠陥
が残る可能性を可及的に小さくすることができる。

【００１６】なお、エネルギビームの再照射は、例えば
後述する実施の形態にも示す如く、１パルス照射した後
で、検査し、また１パルス照射した後で検査すること
を、欠陥が除去されるまで繰り返してもよく、また、一
度に１０〜１００パルス照射する構成としてもよい。何
れにせよ、第１パルス数として可及的に少ないパルス数
を設定することにより、再照射に要する時間を軽減する
ことができる。

【００１７】第３発明に係るクリーニング装置によれ
ば、検出された欠陥が欠陥除去用のエネルギビームによ
って除去が可能であるか否かを判別し、除去が可能であ
ると判別された欠陥にエネルギビームを照射する一方、
除去が不可能であると判別された欠陥の量が所定の閾値
を超える場合には、試料に欠陥除去用のエネルギビーム
を照射しないようにする構成としたので、対象となる試
料表面に欠陥が存在しても、欠陥除去用のエネルギビー
ムで除去可能と判断された欠陥のみにエネルギビームを
照射するため、欠陥除去に掛かるコストを低減すること
ができる。

【００１８】また、対象となる試料表面に欠陥が存在し
ても、該欠陥の量が過大で、例えばハードディスク基板
の如き試料が製品となった際に利用可能な記憶容量が十
分に確保できずに、破棄対象となる場合には、無駄とな
る欠陥除去用のエネルギビームの照射を行なわないた
め、欠陥除去に掛かるコストを低減することができる。

【００１９】第４発明に係るクリーニング装置によれ
ば、試料を回転させ、少なくとも何れかの出射源が回転
の接線方向に沿って試料へ入射するように構成したの
で、例えば、試料としてテクスチャ研磨後のハードディ
スク基板を用いた場合には、同心円状に形成されたテク
スチャ（研磨溝）の形成方向に沿って入射することとな
り、テクスチャに遮蔽されて照射され得ない領域が発生
することがなく、効率的な照射を実現することができ
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。

【００２１】実施の形態１．図１は、本発明に係るクリ
ーニング装置の構成を示すブロック図である。図１にお
いて、Ｓはクリーニング対象としてのアルミニウム製の
ハードディスク基板である。本実施の形態におけるハー
ドディスク基板Ｓは、磁性材料によるスパッタリング前
の工程のものであり、その表面は、ＮｉＰ膜がコーティ
ングされた後で、テクスチャ研磨してある状態のものと
して以下説明する。なお、本発明においてはクリーニン
グ対象としてのハードディスク基板Ｓは、上述した状態
から、テクスチャ研磨によって発生した研磨屑を超音波
エアー洗浄又は水洗浄した後又は洗浄前のものであって
もよい。

【００２２】本発明に係るクリーニング装置は、パーソ
ナルコンピュータ（以下、単にＰＣと称す）１、エキシ
マレーザ２、バリアブルアッテネータ３、２つの光学系
４，７、２つの移動ステージ５，６、レーザダイオード
（以後、単にＬＤと称す）８、欠陥検出部９、吸引部１
０、エネルギメータ１１、及びスピンドルモータＭ等か
ら構成されている。

【００２３】ＰＣ１は、汎用のパーソナルコンピュータ
であり、これに接続された各部を制御するためのソフト
ウェアがインストールされている。

【００２４】スピンドルモータＭは、その出力軸を上方
へ向け、その先端部にアーバを介してハードディスク基
板Ｓを水平に取り付けられるようになっており、ＰＣ１
によりその回転速度を制御され、ハードディスク基板Ｓ
の中心を回転軸として約５０〜約２０，０００ｒｐｍで
回転する。なお、最大回転速度は、可及的に高速である
方がスループットの観点からは有利であるが、レーザビ
ームの照射位置を制御するために、エキシマレーザ２の
後述するパルス繰り返し周波数以下であることが望まし
い。また、スピンドルモータＭは、図示しないロータリ
ーエンコーダを内蔵し、回転位置情報を検出してＰＣ１
へ与える。

【００２５】なお、スピンドルモータＭの回転制御方式
は、ＣＬＶ（Constant Linear Velocity）制御又はＣＡ
Ｖ（Constant Angular Velocity ）制御とすることがで
きるが、ＣＡＶ制御では、前述した如くに、エキシマレ
ーザ２のパルス繰り返し周波数とスピンドルモータＭの
回転周波数とを一致させ易く、特定の欠陥を狙ってレー
ザビームを照射する場合に好適であり、また、ＣＬＶ制
御では、一定のパルス繰り返し周波数で照射し易く、ハ
ードディスク基板Ｓの表面に均一にレーザビームを照射
する場合に好適である。

【００２６】エキシマレーザ２は、クリーニング用に用
いられる波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ発振器
を備えてなり、ＰＣ１により発振のＯＮ／ＯＦＦ及びパ
ルス繰り返し周波数を切り替えられる。また、エキシマ
レーザ２は、それが備える制御装置により、ガス寿命等
に起因するレーザ密度の低下を印加電圧で補償し、常に
一定のレーザ密度で照射するようになっている。なお、
エキシマレーザ２としては、そのレーザ密度が比較的高
く、例えば電圧制御で３００〜７００ｍＪの範囲で可変
のものであり、パルス繰り返し周波数が４００Ｈｚのよ
うに高いものが望ましい。

【００２７】なお、本発明に係るクリーニング装置にお
いては、ＫｒＦエキシマレーザ発振器の他にも、ＸｅＣ
ｌエキシマレーザ発振器（波長：３０８ｎｍ），ＡｒＦ
エキシマレーザ発振器（波長：１９３ｎｍ）等のエキシ
マレーザ発振器，又は固体レーザ発振器，半導体レーザ
発振器等の他のレーザ発振器を用いることも可能であ
る。

【００２８】バリアブルアッテネータ３は、ＰＣ１によ
りその透過率を０〜１００％に可変とされ、エキシマレ
ーザ２から照射されたレーザビームを単位照射面積当た
りのレーザ強度（レーザ密度）を一定とするように調整
する。なお、バリアブルアッテネータ３は、エキシマレ
ーザ２のエネルギ効率の観点から透過率を７０〜１００
％の範囲で用いることが望ましい。

【００２９】光学系４は、ミラー、ビーム整形器等の光
学部材から構成され、バリアブルアッテネータ３を透過
したレーザビームを矩形ビームに整形し、整形されたレ
ーザビームを偏向して、移動ステージ５上に搭載された
いま１つの光学系７へ与える。

【００３０】なお、光学系４を透過したレーザビーム
は、そのプロファイルが均一なコリメート光となるよう
にすることが望ましく、また、後述するいま１つの光学
系７を介してハードディスク基板Ｓの上面に照射される
矩形のレーザビームがその長手方向をハードディスク基
板Ｓの半径方向に一致させることが望ましい。

【００３１】２つの移動ステージ５，６は、ハードディ
スク基板Ｓの上方に設けられており、ＰＣ１に制御され
て、その図示しないステージ部分をハードディスク基板
Ｓの半径方向に夫々移動させるようになっているととも
に、各移動位置情報をＰＣ１へ与える。

【００３２】一方の移動ステージ５のステージ部分に
は、前述した光学系４から偏向されたレーザビームをハ
ードディスク基板Ｓの上面に所定の角度で入射するよう
に更に偏向する光学系７が搭載されている。この光学系
７は、後で詳述する如くに、ハードディスク基板Ｓの円
周方向に沿って傾斜してレーザビームを前記上面に入射
するようになっている。なお、光学系７から直接的にレ
ーザビームをハードディスク基板Ｓの上面に照射する代
わりに、ハードディスク基板Ｓに対して固定とされたミ
ラーで更に反射させてから、ハードディスク基板Ｓに照
射する構成としてもよい。

【００３３】エネルギメータ１１は、欠陥除去後のハー
ドディスク基板Ｓを交換する際に、ハードディスク基板
ＳがスピンドルモータＭのアーバに取り付けられていな
いような状態で、照射されるレーザビームを図１の破線
で示した如くに受け、このレーザビームのレーザ密度を
検出し、これをＰＣ１へ与える。

【００３４】ＰＣ１は、基本的には予め設定された目標
値に基づいてエキシマレーザ２への印加電圧をレーザ密
度一定制御することによって粗調整しているが、このエ
ネルギメータ１１から与えられるレーザ密度の実測値を
フィードバック信号としてバリアブルアッテネータ３を
微調整するようになっている。

【００３５】このような調整は、前述した如く、エキシ
マレーザ２ではレーザビームの照射に伴ってその励起ガ
ス及び光学部材等が劣化し、レーザ密度が徐々に低下す
るために必要なものであり、また、これら粗調整及び微
調整における各制御入力量を比較することにより、バリ
アブルアッテネータ３、光学系４、及び光学系７の劣化
を検出することも可能である。

【００３６】また、微調整用のフィードバック信号を検
出するエネルギメータ１１の検出は、エキシマレーザ２
の励起ガス及び光学部材等の劣化が比較的に緩やかなス
ピードで生じるため、前述した如くにハードディスク基
板Ｓの交換時程度の頻度でよい。

【００３７】吸引部１０は、除去された欠陥等を吸引除
去する装置である。本発明に係わるクリーニング装置又
はハードディスク基板Ｓを含む部分のみをクリーンルー
ムに配置する場合には、そのエア供給源にＨＥＰＡ（Hi
gh Efficiency ParticulateAir ）フィルタを設けるこ
とにより、高度に清浄な環境を得ることができる。な
お、ＨＥＰＡフィルタは、グラスウールを主材として構
成されたガスフィルタであり、慣性、拡散、及び衝突の
３原理を用いて粒子を補集する機能を有している。

【００３８】また、本発明に係るクリーニング装置は、
ハードディスク基板Ｓの表面欠陥を検出する機能も有し
ており、これを主としていま１つの移動ステージ６の図
示しないステージ部分に搭載されたＬＤ８及び欠陥検出
部９により行なっている。

【００３９】ＬＤ８は、赤色、（青）紫色等の半導体レ
ーザから構成され、ＰＣ１により制御されてハードディ
スク基板Ｓの上面に均一光を照射する線光源又は面光源
である。照射光は、レーザビームと同様に傾斜してハー
ドディスク基板Ｓの上面に入射されるとともに、この傾
斜方向をハードディスク基板Ｓの円周方向に沿わせてあ
って、これにより、テクスチャ（研磨溝）による拡散光
の発生を抑制するようになっている。なお、ＬＤ８に
は、波長が短いものを用いることが望ましい。

【００４０】欠陥検出部９は、光電子倍増管、Ａ／Ｄ変
換器等を備えてなり、ＬＤ８からハードディスク基板Ｓ
の上面における反射光の光軸上に設けられている。欠陥
検出部９は、ハードディスク基板Ｓの上面での反射光を
受光して光電変換し、変換したアナログ信号をＡ／Ｄ変
換した受光量としてのディジタル信号をＰＣ１へ与えて
いる。なお、欠陥検出部９は、ハードディスク基板Ｓの
上面における凹凸での散乱光、及び前記上面における欠
陥での散乱光を受光するような構成とすることも可能で
ある。

【００４１】本発明に係るクリーニング装置は以上の如
き構成としてあり、前述した如く、光学系７を介してハ
ードディスク基板Ｓに照射されるレーザビームと、ＬＤ
８からハードディスク基板Ｓに照射されるレーザビーム
とは、夫々ハードディスク基板Ｓの上面にその円周方向
に沿って入射されるように構成されており、これについ
て次に説明する。

【００４２】図２は、レーザビームをハードディスク基
板Ｓへ傾斜して入射する際の作用を説明するための説明
図であり、図２（ａ）には、比較対象として破線で示す
レーザビームをハードディスク基板Ｓの上面に対して直
角に入射した状態を示し、図２（ｂ）には、本発明に係
るクリーニング装置の如くに、同じく破線で示すレーザ
ビームをハードディスク基板Ｓの上面に対して傾斜して
入射した状態を夫々示している。

【００４３】図２（ａ）に示す如く、例えばハードディ
スク基板Ｓの上面に付着した欠陥Ｃに対して所定幅Ａ₁
を有するレーザビームを欠陥Ｃの全体を含むように照射
した場合を想定する。なお、図２における欠陥Ｃは説明
の便宜上球形のように図示してあるが、実際には様々な
形状をしている。この場合には、ハードディスク基板Ｓ
へのレーザビームの照射領域の大きさはＡ₁となり、欠
陥Ｃへの照射領域の大きさはＡ₂となる。

【００４４】これに対して、図２（ｂ）においては、図
２（ａ）と同様のハードディスク基板Ｓと、欠陥Ｃとを
示してあるが、レーザビームをハードディスク基板Ｓに
対して傾斜して入射しているため、図２（ａ）の状態と
比べてハードディスク基板Ｓへの照射領域Ａ₁が大きく
なる。

【００４５】このため、前記レーザビームが欠陥検出用
である場合には、同一の幅に整形されたレーザビームで
あっても、より大きな照射領域Ａ₁が得られるため、単
位時間当りの照射領域が増大して短時間で１枚のハード
ディスク基板Ｓの検査を完了することができるようにな
る。

【００４６】一方、前記レーザビームが欠陥除去用であ
る場合にも、上述と同様の原理にて除去に要する時間を
低減することができる。また、図２（ｂ）に示す如く、
欠陥Ｃへの照射領域Ａ₂は、前述した図２（ａ）と同じ
大きさの直接照射領域Ａ₂₁と、欠陥Ｃの手前側にてハー
ドディスク基板Ｓの上面で反射し、欠陥Ｃの下部から側
部に亘って照射されるレーザビームに相当する間接照射
領域Ａ₂₂とを足し合わせた大きさとなり、欠陥Ｃに照射
されるレーザビームの割合が増大し、結果として除去能
力が向上する。

【００４７】これは、例えば、レーザビームの密度を、
この反射したレーザビームによって欠陥Ｃを除去するの
に十分な大きさに設定した場合、実際にこの欠陥Ｃを含
めてハードディスク基板Ｓに照射されるレーザ密度をこ
れよりも小さくすることができ、これによって損傷閾値
が小さいアルミニウム製又はガラス製のハードディスク
基板Ｓの上面を損傷することなく効果的な欠陥除去を達
成することができるようになる。

【００４８】図３は、欠陥除去用のレーザビームをハー
ドディスク基板Ｓの円周方向に沿って入射する際の作用
を説明するための説明図であり、図３（ａ）には、比較
対象として破線で示すレーザビームをハードディスク基
板Ｓの半径方向に沿って入射した状態を示し、図３
（ｂ）には、本発明に係るクリーニング装置の如くに、
同じく破線で示すレーザビームをハードディスク基板Ｓ
の円周方向に沿って入射した状態を夫々示している。

【００４９】図３（ａ）に示す如く、テクスチャ研磨後
のハードディスク基板Ｓの上面には、略同心円状のテク
スチャ（研磨溝）Ｔが形成されており、例えば、このテ
クスチャＴの間にある欠陥Ｃに、図２（ｂ）の如くにハ
ードディスク基板Ｓに対して傾斜してレーザビームを入
射した場合には、照射領域Ａ₂は、このレーザビームの
光源側にあるテクスチャＴに遮蔽されて非常に小さくな
り、遮蔽されてレーザビームが照射されない欠陥Ｃの部
分は除去されない虞がある。

【００５０】これに対して、図３（ｂ）に示す如く、ハ
ードディスク基板Ｓの円周方向に沿ってレーザビームを
入射する場合には、このレーザビームがテクスチャＴの
形成方向に沿って入射されることとなり、テクスチャＴ
に遮蔽されることなく欠陥Ｃの全体にレーザビームを照
射できるようになる。

【００５１】このように、本発明に係るクリーニング装
置では、クリーニング対象となるハードディスク基板Ｓ
が損傷閾値の小さいアルミニウム製又はガラス製であっ
ても、これを損傷させることなく欠陥除去を達成するこ
とができるばかりでなく、特にテクスチャ研磨後のハー
ドディスク基板Ｓに対して効果的な欠陥除去を達成する
ことができるのである。さらに、本発明に係るクリーニ
ング装置では、より効果的に欠陥除去を実行するため
に、ＰＣ１が欠陥検出及び欠陥除去を制御するようにな
っており、次にこれを説明する。

【００５２】図４及び図５は、本発明に係る実施の形態
１のクリーニング装置における欠陥の検出及び除去に伴
うＰＣ１の処理内容を示すフローチャートである。ま
ず、２つの移動ステージ５，６の夫々に対して移動指示
を出力し、夫々を欠陥検出及び欠陥除去のための初期位
置へ移動させる（ステップ１０１）。初期位置への移動
を完了するのに伴って、エキシマレーザ２をＯＮすると
ともに、移動ステージ５に対してハードディスク基板Ｓ
の全域に亘って１箇所当り１〜２パルス照射するように
照射指示を出力する（ステップ１０２）。これに伴っ
て、移動ステージ５は、スピンドルモータＭにより検出
された回転速度及びハードディスク基板Ｓにおける半径
方向の照射位置等に基づいてレーザビームを照射する。

【００５３】このように、ハードディスク基板Ｓの全域
に亘って１箇所当り１〜２パルスのレーザビームを照射
するのは、例えば前述した如くに、このハードディスク
基板Ｓが超音波エアー洗浄又は水洗浄される前のもので
ある場合に、ハードディスク基板Ｓの表面に付着したテ
クスチャ研磨の研磨屑等を粗除去するためであり、後述
する再照射に要するレーザビームの照射量を軽減するこ
とができる。

【００５４】全域への照射完了に伴って、移動ステージ
６及びＬＤ８へ欠陥検査指示を出力して欠陥検査を開始
し（ステップ１０３）、これに応じて欠陥検出部９が検
出した信号に基づいてハードディスク基板Ｓの上面にお
ける欠陥の有無及び大きさを判別する（ステップ１０
４）。また、欠陥検出部９の検出信号を、判別結果及び
移動ステージ６からの検出位置を含め、ハードディスク
基板Ｓの上面位置に対応してマッピングし、これを欠陥
分布として内蔵メモリに記憶する（ステップ１０５）。

【００５５】なお、ステップ１０３における欠陥検査
を、ステップ１０２の完了を待たずに並列処理する構成
としてもよく、この場合には、スループットを大幅に向
上することができることは云うまでもない。

【００５６】欠陥検出部９によりハードディスク基板Ｓ
の全域に亘る欠陥検出の完了に伴って、前記内蔵メモリ
を参照し、前記欠陥分布から欠陥数ＮＤを計数し（ステ
ップ１０６）、予め用意された除去不可能な欠陥用カウ
ンタＮＵと、再照射を行なう欠陥用カウンタＮＲとの夫
々に欠陥数ＮＤを代入する（ステップ１０７）。

【００５７】次に、カウンタＮＲに基づいて、本処理が
開始去れるとともにリセットされるタイマの時間を勘案
して、この１枚のハードディスク基板Ｓのクリーニング
に要する時間が所定時間を超えるか否かを判定し（ステ
ップ１０８）、超えない場合には、再照射すべき欠陥が
なく、再照射が完了したことを確認すべく、カウンタＮ
Ｒ＝０であるか否かを判定する（ステップ１０９）。

【００５８】カウンタＮＲ＝０でない場合には、再照射
すべき欠陥が未だ残っており、再照射が完了していない
と判断し、１箇所当りの照射パルス数を示す照射パルス
カウンタＰＮをリセットしておく（ステップ１１０）。
そして、移動ステージ５に対して欠陥検出位置に基づい
た移動指示を出力し、欠陥検出位置へ移動させる（ステ
ップ１１１）。欠陥検出位置への移動を完了するのに伴
って、エキシマレーザ２をこの欠陥検出位置に１パルス
照射すべくＯＮする（ステップ１１２）。

【００５９】そして、移動ステージ６及びＬＤ８に対し
て欠陥検出位置に基づいた欠陥検査指示を出力し、ステ
ップ１１２で照射した位置の欠陥検査を開始する（ステ
ップ１１３）。これに応じて欠陥検出部９が検出した信
号に基づいて欠陥検出位置の欠陥が除去できたか否かを
判定する（ステップ１１４）。除去できなかった場合に
は、照射パルスカウンタＰＮに１を加え（ステップ１１
５）、１を加えた後の照射パルスカウンタＰＮが最大照
射パルス数ＰＭを超えているか否かを判定し（ステップ
１１６）、超えていない場合には、ハードディスク基板
Ｓを損傷させずに欠陥除去用のレーザビームを未だ照射
可能であると判断し、ステップ１１２からの処理を繰り
返す。

【００６０】一方、ステップ１１４で除去できた場合に
は、除去不可能な欠陥用カウンタＮＵから１を差し引く
（ステップ１１７）。この後で、又はステップ１１６で
照射パルスカウンタＰＮが最大照射パルス数ＰＭを超え
ている場合には、再照射を行なう欠陥用カウンタＮＲか
ら１を差し引き（ステップ１１８）、次の位置の欠陥を
除去すべくステップ１０８からの処理を繰り返す（ステ
ップ１１９）。

【００６１】また、ステップ１０８で再照射に要する時
間が所定時間を超える場合、又はステップ１０９で再照
射を行なう欠陥用カウンタＮＲ＝０である場合には、再
照射すべき欠陥がもう無くなり、再照射が完了している
と判断するとともに、除去不可能な欠陥用カウンタＮＵ
が最終的に所定の閾値を超えるか否かを判定し（ステッ
プ１２０）、超える場合には、最終的に得られるハード
ディスク基板Ｓの記憶領域が製品として十分な大きさを
確保できないと判断し、このハードディスク基板Ｓを破
棄するように各部を動作させるか、オペレータに促し
（ステップ１２１）、次に処理するハードディスク基板
Ｓと交換する等した後で本処理を繰り返す。

【００６２】そして、ステップ１２１の後で、又はステ
ップ１２０で除去不可能な欠陥用カウンタＮＵが最終的
に所定の閾値を超えない場合には、最終的に得られるハ
ードディスク基板Ｓの記憶領域が製品として十分な大き
さを確保できると判断し、これを良品とし、次に処理す
るハードディスク基板Ｓと交換する等した後で本処理を
繰り返す。

【００６３】なお、ステップ１２０においては、最終的
に得られるハードディスク基板Ｓの記憶領域が製品とし
て十分な大きさを確保できないことを判定するためのも
のであるが、より詳細な判定をするために、例えば、ス
テップ１０７で振り分けた除去不可能な欠陥用カウンタ
ＮＵを、０．５μｍ未満の欠陥である場合にはＮＵ₁、
０．５μｍ以上、１μｍ未満の欠陥である場合にはＮＵ
₂、１μｍを以上、５μｍ未満の欠陥である場合にはＮ
Ｕ₃、５μｍ以上の欠陥である場合にはＮＵ₄の４つに
更に振り分け、これらＮＵ₁〜ＮＵ₄に夫々設定された
閾値と比較し、これによってハードディスク基板Ｓを破
棄する等の判定を行なうように構成してもよい。

【００６４】また、本実施の形態においては、ＰＣ１が
ハードディスク基板Ｓで反射したレーザビームの光量に
基づいて欠陥の有無（及び大きさ）を判別する構成とし
たが、エキシマレーザ２が有する蛍光反射性を利用し、
反射光をスペクトル分析することにより、欠陥の有無
（及び大きさ）だけでなく、その種類，材質等を検出す
ることができるようにしてもよい。

【００６５】実施の形態２．図６及び図７は、本発明に
係る実施の形態２のクリーニング装置における欠陥の検
出及び除去に伴うＰＣ１の処理内容を示すフローチャー
トである。本実施の形態においては、実施の形態１と同
様の装置構成を有し、主としてその欠陥の検出及び除去
の処理手順が異なるだけであり、その他の構成及び作用
は実施の形態１と同様であって、重複する部分には同一
の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。

【００６６】まず、２つの移動ステージ５，６の夫々に
対して移動指示を出力し、夫々を欠陥検出及び欠陥除去
のための初期位置へ移動させる（ステップ２０１）。初
期位置への移動を完了するのに伴って、エキシマレーザ
２をＯＮするとともに、移動ステージ５に対してハード
ディスク基板Ｓの全域に亘って１箇所当り１〜２パルス
照射するように照射指示を出力する（ステップ２０
２）。

【００６７】全域への照射完了に伴って、移動ステージ
６及びＬＤ８へ欠陥検査指示を出力して欠陥検査を開始
し（ステップ２０３）、これに応じて欠陥検出部９が検
出した信号に基づいてハードディスク基板Ｓの上面にお
ける欠陥の有無及び大きさを判別する（ステップ２０
４）。また、欠陥検出部９の検出信号を、判別結果及び
移動ステージ６からの検出位置を含め、ハードディスク
基板Ｓの上面位置に対応してマッピングし、これを欠陥
分布として内蔵メモリに記憶する（ステップ２０５）。

【００６８】なお、ステップ２０３における欠陥検査
を、ステップ２０２の完了を待たずに並列処理する構成
としてもよく、この場合には、スループットを大幅に向
上することができることは云うまでもない。

【００６９】欠陥検出部９によりハードディスク基板Ｓ
の全域に亘る欠陥検出の完了に伴って、前記内蔵メモリ
を参照し、前記欠陥分布から除去の可否に応じて欠陥を
分別（フィルタリング）し（ステップ２０６）、フィル
タリング結果に基づいて、除去不可能な欠陥の数をＮＤ
₁とし、除去可能な欠陥の数をＮＤ₂として夫々計数す
る（ステップ２０７）。

【００７０】そして、実施の形態１の如き除去不可能な
欠陥用カウンタＮＵをＮＤ₁＋ＮＤ ₂としておき（ステ
ップ２０８）、除去不可能な欠陥の数ＮＤ₁が所定の閾
値を超えるか否かを判定し（ステップ２０９）、超えな
い場合には、実施の形態１の如き再照射を行なう欠陥用
カウンタＮＲを除去可能な欠陥の数ＮＤ₂とする（ステ
ップ２１０）。一方、ステップ２０９で、除去不可能な
欠陥の数ＮＤ₁が所定の閾値を超える場合には、再照射
を行なう欠陥用カウンタＮＲをリセットする（ステップ
２１１）。

【００７１】ステップ２１０又は２１１の後で、カウン
タＮＲに基づいて、本処理が開始されるとともにリセッ
トされるタイマの時間を勘案して、この１枚のハードデ
ィスク基板Ｓのクリーニングに要する時間が所定時間を
超えるか否かを判定し（ステップ２１２）、超えない場
合には、再照射すべき欠陥がなく、再照射が完了してこ
とを確認すべく、カウンタＮＲ＝０であるか否かを判定
する（ステップ２１３）。

【００７２】カウンタＮＲ＝０でない場合には、再照射
すべき欠陥が未だ残っており、再照射が完了していない
と判断し、１箇所当たりの照射パルス数を示す照射パル
スカウンタＰＮをリセットしておく（ステップ２１
４）。そして、移動ステージ５に対して欠陥検出位置に
基づいた移動指示を出力し、欠陥検出位置へ移動させる
（ステップ２１５）。欠陥検出位置への移動を完了する
のに伴って、エキシマレーザ２をこの欠陥検出位置に１
パルス照射すべくＯＮする（ステップ２１６）。

【００７３】そして、移動ステージ６及びＬＤ８に対し
て欠陥検出位置に基づいた欠陥検査指示を出力し、ステ
ップ２１６で照射した位置の欠陥検査を開始する（ステ
ップ２１７）。これに応じて欠陥検出部９が検出した信
号に基づいて欠陥検出位置の欠陥が除去できたか否かを
判定する（ステップ２１８）。除去できなかった場合に
は、照射パルスカウンタＰＮに１を加え（ステップ２１
９）、１を加えた後の照射パルスカウンタＰＮが最大照
射パルス数ＰＭを超えているか否かを判定し（ステップ
２２０）、超えていない場合には、ハードディスク基板
Ｓを損傷させずに欠陥除去用のレーザビームを未だ照射
可能であると判断し、ステップ２１６からの処理を繰り
返す。

【００７４】一方、ステップ２１８で除去できた場合に
は、除去不可能な欠陥用カウンタＮＵから１を差し引く
（ステップ２２１）。この後で、又はステップ２２０で
照射パルスカウンタＰＮが最大照射パルス数ＰＭを超え
ている場合には、再照射を行なう欠陥用カウンタＮＲか
ら１を差し引き（ステップ２２２）、次の位置の欠陥を
除去すべくステップ２１２からの処理を繰り返す（ステ
ップ２２３）。

【００７５】また、ステップ２１２で再照射に要する時
間が所定時間を超える場合、又はステップ２１３で再照
射を行なう欠陥用カウンタＮＲ＝０である場合には、再
照射すべき欠陥がもう無くなり、再照射が完了している
と判断するとともに、除去不可能な欠陥用カウンタＮＵ
が最終的に所定の閾値を超えるか否かを判定し（ステッ
プ２２４）、超える場合には、最終的に得られるハード
ディスク基板Ｓの記憶領域が製品として十分な大きさを
確保できないと判断し、このハードディスク基板Ｓを破
棄するように各部を動作させるか、オペレータに促し
（ステップ２２５）、次に処理するハードディスク基板
Ｓと交換する等した後で本処理を繰り返す。

【００７６】そして、ステップ２２５の後で、又はステ
ップ２２４で除去不可能な欠陥用カウンタＮＵが最終的
に所定の閾値を超えない場合には、最終的に得られるハ
ードディスク基板Ｓの記憶領域が製品として十分な大き
さを確保できると判断し、これを良品とし、次に処理す
るハードディスク基板Ｓと交換する等した後で本処理を
繰り返す。

【００７７】実施の形態３．図８及び図９は、本発明に
係る実施の形態３のクリーニング装置における欠陥の検
出及び除去に伴うＰＣ１の処理内容を示すフローチャー
トである。本実施の形態においては、実施の形態１と同
様の装置構成を有し、主としてその欠陥の検出及び除去
の処理手順が異なるだけであり、その他の構成及び作用
は実施の形態１と同様であって、重複する部分には同一
の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。

【００７８】まず、２つの移動ステージ５，６の夫々に
対して移動指示を出力し、夫々を欠陥検出及び欠陥除去
のための初期位置へ移動させる（ステップ３０１）。初
期位置への移動を完了するのに伴って、移動ステージ６
及びＬＤ８へ欠陥検査指示を出力して欠陥検査を開始し
（ステップ３０２）、これに応じて欠陥検出部９が検出
した信号に基づいてハードディスク基板Ｓの上面におけ
る欠陥の有無及び大きさを判別する（ステップ３０
３）。また、欠陥検出部９の検出信号を、判別結果及び
移動ステージ６からの検出位置を含め、ハードディスク
基板Ｓの上面位置に対応してマッピングし、これを欠陥
分布として内蔵メモリに記憶する（ステップ３０４）。

【００７９】次いで、エキシマレーザ２をＯＮするとと
もに、移動ステージ５に対してハードディスク基板Ｓの
全域に亘って１箇所当り１〜２パルス照射するように照
射指示を出力し（ステップ３０５）、その後で、移動ス
テージ６及びＬＤ８へ欠陥検査指示を出力して再欠陥検
査を開始する（ステップ３０６）。

【００８０】なお、ステップ３０５における欠陥除去を
ステップ３０２の完了を待たずに並列処理する構成とし
てもよく、この場合には、スループットを大幅に向上す
ることができることは云うまでもない。

【００８１】そして、欠陥検出部９によりハードディス
ク基板Ｓの全域に亘る欠陥検出の完了に伴って、前記内
蔵メモリを参照し、前回マッピングされた欠陥分布にお
ける各検出信号と、今回マッピングされた欠陥分布にお
ける各検出信号との比較を行ない（ステップ３０７）、
比較結果に基づいて、検出信号が変化しないもの（除去
不可能な欠陥）の数をＮＤ₁とし、検出信号が変化した
もの（除去可能な欠陥）の数をＮＤ₂として夫々計数す
る（ステップ３０８）。

【００８２】実施の形態１の如き除去不可能な欠陥用カ
ウンタＮＵをＮＤ₁＋ＮＤ₂としておき（ステップ３０
９）、除去不可能な欠陥の数ＮＤ₁が所定の閾値を超え
るか否かを判定し（ステップ３１０）、超えない場合に
は、実施の形態１の如き再照射を行なう欠陥用カウンタ
ＮＲを除去可能な欠陥の数ＮＤ₂とする（ステップ３１
１）。一方、ステップ３１０で、除去不可能な欠陥の数
ＮＤ₁が所定の閾値を超える場合には、再照射を行なう
欠陥用カウンタＮＲをリセットする（ステップ３１
２）。

【００８３】ステップ３１１又は３１２の後で、カウン
タＮＲに基づいて、本処理が開始されるとともにリセッ
トされるタイマの時間を勘案して、この１枚のハードデ
ィスク基板Ｓのクリーニングに要する時間が所定時間を
超えるか否かを判定し（ステップ３１３）、超えない場
合には、再照射すべき欠陥がなく、再照射が完了してこ
とを確認すべく、カウンタＮＲ＝０であるか否かを判定
する（ステップ３１４）。

【００８４】カウンタＮＲ＝０でない場合には、再照射
すべき欠陥が未だ残っており、再照射が完了していない
と判断し、１箇所当りの照射パルス数を示す照射パルス
カウンタＰＮをリセットしておく（ステップ３１５）。
そして、移動ステージ５に対して欠陥検出位置に基づい
た移動指示を出力し、欠陥検出位置へ移動させる（ステ
ップ３１６）。欠陥検出位置への移動を完了するのに伴
って、エキシマレーザ２をこの欠陥検出位置に１パルス
照射すべくＯＮする（ステップ３１７）。

【００８５】そして、移動ステージ６及びＬＤ８に対し
て欠陥検出位置に基づいた欠陥検査指示を出力し、ステ
ップ３１７で照射した位置の欠陥検査を開始する（ステ
ップ３１８）。これに応じて欠陥検出部９が検出した信
号に基づいて欠陥検出位置の欠陥が除去できたか否かを
判定する（ステップ３１９）。除去できなかった場合に
は、照射パルスカウンタＰＮに１を加え（ステップ３２
０）、１を加えた後の照射パルスカウンタＰＮが最大照
射パルス数ＰＭを超えているか否かを判定し（ステップ
３２１）、超えていない場合には、ハードディスク基板
Ｓを損傷させずに欠陥除去用のレーザビームを未だ照射
可能であると判断し、ステップ３１７からの処理を繰り
返す。

【００８６】一方、ステップ３１９で除去できた場合に
は、除去不可能な欠陥用カウンタＮＵから１を差し引く
（ステップ３２２）。この後で、又はステップ３２１で
照射パルスカウンタＰＮが最大照射パルス数ＰＭを超え
ている場合には、再照射を行なう欠陥用カウンタＮＲか
ら１を差し引き（ステップ３２３）、次の位置の欠陥を
除去すべくステップ３１３からの処理を繰り返す（ステ
ップ３２４）。

【００８７】また、ステップ３１３で再照射に要する時
間が所定時間を超える場合、又はステップ３１４で再照
射を行なう欠陥用カウンタＮＲ＝０である場合には、再
照射すべき欠陥がもうなくなり、再照射が完了している
と判断するとともに、除去不可能な欠陥用カウンタＮＵ
が最終的に所定の閾値を超えるか否かを判定し（ステッ
プ３２５）、超える場合には、最終的に得られるハード
ディスク基板Ｓの記憶領域が製品として十分な大きさを
確保できないと判断し、このハードディスク基板Ｓを破
棄するように各部を動作させるか、オペレータに促し
（ステップ３２６）、次に処理するハードディスク基板
Ｓと交換する等した後で本処理を繰り返す。

【００８８】そして、ステップ３２６の後で、又はステ
ップ３２５で除去不可能な欠陥用カウンタＮＵが最終的
に所定の閾値を超えない場合には、最終的に得られるハ
ードディスク基板Ｓの記憶領域が製品として十分な大き
さを確保できると判断し、これを良品とし、次に処理す
るハードディスク基板Ｓと交換する等した後で本処理を
繰り返す。

【００８９】なお、特許請求の範囲の項に図面との対照
を便利にするための参照符号を付してあるが、これによ
って本発明は添付図面の構成に限定されるものではな
い。

【００９０】

【発明の効果】以上詳述した如く本発明に係るクリーニ
ング装置においては、クリーニング対象となる試料表面
に光ビームを照射し、試料表面での反射光に基づいて試
料表面に存在する欠陥を検出し、検出結果に基づいて欠
陥にエネルギビームを照射することにより、欠陥を除去
する構成のクリーニング装置において、光ビーム及び／
又はエネルギビームの出射源が、試料表面に対して傾斜
して光ビーム及び／又はエネルギビームを入射する構成
としたので、光ビーム及び／又はエネルギビームを試料
表面に略直角に入射するのに比べて、照射面積が増大す
るとともに、照射密度が減少するので、短時間で欠陥検
出及び欠陥除去を行なうことができるばかりでなく、特
にエネルギビームによる損傷閾値が低いアルミニウム又
はガラス等を主材とする試料に対して、試料表面を損傷
することなく、欠陥除去を達成することができる。

【００９１】また、エネルギビームの出射源は、１箇所
当り第１パルス数の割合でパルス状のエネルギビームを
照射し、照射した後で検出された欠陥の位置に、再び１
箇所当り第２パルス数の割合でエネルギビームを照射す
る構成としたので、例えば、試料全体に対して１箇所当
り１〜数パルスの割合でエネルギビームを照射して粗除
去し、欠陥検査を行なった後で、欠陥が検出された位置
にエネルギビームを再照射して微除去することができ、
可及的に少ないパルス数で欠陥除去を行なうことによっ
て、試料表面の損傷を抑制することが可能であるばかり
でなく、欠陥除去用のエネルギビームで除去可能な欠陥
が残る可能性を可及的に小さくすることができる。

【００９２】また、検出された欠陥が欠陥除去用のエネ
ルギビームによって除去が可能であるか否かを判別し、
除去が可能であると判別された欠陥にエネルギビームを
照射する一方、除去が不可能であると判別された欠陥の
量が所定の閾値を超える場合には、試料に欠陥除去用の
エネルギビームを照射しないようにする構成としたの
で、対象となる試料表面に欠陥が存在しても、欠陥除去
用のエネルギビームで除去可能と判断された欠陥のみに
エネルギビームを照射するため、欠陥除去に掛かるコス
トを低減することができる。

【００９３】また、対象となる試料表面に欠陥が存在し
ても、該欠陥の量が過大で、例えばハードディスク基板
の如き試料が製品となった際に利用可能な記憶容量が十
分に確保できずに、破棄対象となる場合には、無駄とな
る欠陥除去用のエネルギビームの照射を行なわないた
め、欠陥除去に掛かるコストを低減することができる。

【００９４】さらに、試料を回転させ、少なくとも何れ
かの出射源が回転の接線方向に沿って試料へ入射するよ
うに構成したので、例えば、試料としてテクスチャ研磨
後のハードディスク基板を用いた場合には、同心円状に
形成されたテクスチャ（研磨溝）の形成方向に沿って入
射することとなり、テクスチャに遮蔽されて照射され得
ない領域が発生することがなく、効率的な照射を実現す
ることができる等、本発明は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るクリーニング装置の構成を示すブ
ロック図である。

【図２】レーザビームをハードディスク基板へ傾斜して
入射する際の作用を説明するための説明図である。

【図３】欠陥除去用のレーザビームをハードディスク基
板の円周方向に沿って入射する際の作用を説明するため
の説明図である。

【図４】本発明に係る実施の形態１のクリーニング装置
における欠陥の検出及び除去に伴うパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）の処理内容を示すフローチャートである。

【図５】本発明に係る実施の形態１のクリーニング装置
における欠陥の検出及び除去に伴うパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）の処理内容を示すフローチャートである。

【図６】本発明に係る実施の形態２のクリーニング装置
における欠陥の検出及び除去に伴うパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）の処理内容を示すフローチャートである。

【図７】本発明に係る実施の形態２のクリーニング装置
における欠陥の検出及び除去に伴うパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）の処理内容を示すフローチャートである。

【図８】本発明に係る実施の形態３のクリーニング装置
における欠陥の検出及び除去に伴うパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）の処理内容を示すフローチャートである。

【図９】本発明に係る実施の形態３のクリーニング装置
における欠陥の検出及び除去に伴うパーソナルコンピュ
ータ（ＰＣ）の処理内容を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１パーソナルコンピュータ（ＰＣ）２エキシマレーザ３バリアブルアッテネータ４光学系７光学系８レーザダイオード（ＬＤ）９欠陥検出部Ｃ欠陥ＭスピンドルモータＳハードディスク基板

フロントページの続き (72)発明者早川義人兵庫県伊丹市奥畑５丁目10番地株式会社クボタ電子技術センター伊丹分室内 (72)発明者原裕紀兵庫県伊丹市奥畑５丁目10番地株式会社クボタ電子技術センター伊丹分室内 (72)発明者久保田昌実兵庫県伊丹市奥畑５丁目10番地株式会社クボタ電子技術センター伊丹分室内Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AA03 AB42 BC01 CA00 CD42 CD43 5D112 AA02 AA24 GA19 JJ05 5F004 AA09 AA14 AA16 BB03 BB31 CA08 CB09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】クリーニング対象となる試料（Ｓ）表面
に光ビームを照射し、前記試料（Ｓ）表面での反射光に
基づいて前記試料（Ｓ）表面の欠陥（Ｃ）を検出し、検
出結果に基づいて前記欠陥（Ｃ）にエネルギビームを照
射することにより、前記欠陥（Ｃ）を除去するクリーニ
ング装置において、前記光ビーム及び／又はエネルギビームの出射源（２〜
４，７，８）は、前記試料（Ｓ）表面に対して傾斜して
前記光ビーム及び／又はエネルギビームを入射し、前記
エネルギビームの出射源（２〜４，７）は、１箇所当り
第１パルス数の割合でパルス状の前記エネルギビームを
照射し、照射した後で検出された欠陥（Ｃ）の位置に１
箇所当り第２パルス数の割合で前記エネルギビームを再
照射すべくなしてあることを特徴とするクリーニング装
置。
【請求項２】クリーニング対象となる試料（Ｓ）表面
に光ビームを照射し、前記試料（Ｓ）表面での反射光に
基づいて前記試料（Ｓ）表面の欠陥（Ｃ）を検出し、検
出結果に基づいて前記欠陥（Ｃ）にエネルギビームを照
射することにより、前記欠陥（Ｃ）を除去するクリーニ
ング装置において、前記試料（Ｓ）表面に対して傾斜して前記光ビーム及び
／又はエネルギビームを入射する出射源（２〜４，７，
８）と、前記エネルギビームの出射源（２〜４，７）
に、１箇所当り第１パルス数の割合でパルス状の前記エ
ネルギビームを照射させる照射制御手段（１）とを備
え、前記エネルギビームの出射源（２〜４，７）は、照
射した後で検出された欠陥（Ｃ）の位置に１箇所当り第
２パルス数の割合で前記エネルギビームを再照射すべく
なしてあることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項３】検出された前記欠陥（Ｃ）の前記エネル
ギビームによる除去の可否を判別する判別手段（１）を
更に備え、前記エネルギビームの出射源（２〜４，７）
は、前記判別手段（１）によって除去が可能であると判
別された欠陥（Ｃ）に前記エネルギビームを照射する一
方、前記判別手段（１）によって除去が不可能であると
判別された欠陥（Ｃ）の量が所定の閾値を超える場合
に、前記試料（Ｓ）に前記エネルギビームを照射しない
ようになしてある請求項１又は２記載のクリーニング装
置。
【請求項４】前記試料（Ｓ）を回転する回転手段
（Ｍ）を更に備え、少なくとも何れかの前記出射源（２
〜４，７，８）は、前記回転手段（Ｍ）による前記試料
（Ｓ）の回転の接線方向に沿って入射すべくなしてある
請求項１乃至３の何れかに記載のクリーニング装置。