JP2000292295A - 密閉容器の内部圧力検出用センサ - Google Patents
密閉容器の内部圧力検出用センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造でかつ安定した特性を得ることが
できる。 【解決手段】 密閉容器の内部圧力変化をひずみで表わ
す底面部に形成されるセンサ１１は、非磁性体板である
基板２１に磁歪を有する薄膜磁性体層３１を、更に絶縁
層４１を介して導電体からなる平面状のコイル５１を基
板２１の中央部に形成して、コイル５１の両端に入出力
端子６１、７１を有している。基板２１が変形した場
合、磁歪を有する薄膜磁性体層３１の透磁率が変化する
ために生じるコイル５１のインダクタンスの変化は、発
生したひずみの大きさに対応するので、発生したひずみ
の大きさを発振周波数の変化により検出することができ
る。特に底面部が中心点を有する形状で、底面部に形成
される基板の形状も円形または正多角形で、中心点を一
致させる場合、コイルが薄膜磁性体層の異方性に従っ
て、螺旋状またはミアンダーライン形状をもって環状を
なすことが好ましい。
できる。 【解決手段】 密閉容器の内部圧力変化をひずみで表わ
す底面部に形成されるセンサ１１は、非磁性体板である
基板２１に磁歪を有する薄膜磁性体層３１を、更に絶縁
層４１を介して導電体からなる平面状のコイル５１を基
板２１の中央部に形成して、コイル５１の両端に入出力
端子６１、７１を有している。基板２１が変形した場
合、磁歪を有する薄膜磁性体層３１の透磁率が変化する
ために生じるコイル５１のインダクタンスの変化は、発
生したひずみの大きさに対応するので、発生したひずみ
の大きさを発振周波数の変化により検出することができ
る。特に底面部が中心点を有する形状で、底面部に形成
される基板の形状も円形または正多角形で、中心点を一
致させる場合、コイルが薄膜磁性体層の異方性に従っ
て、螺旋状またはミアンダーライン形状をもって環状を
なすことが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、密閉容器における
ほぼ平面をなす底面部に形成してこの底面部のひずみに
より密閉容器の内部圧力変化を検出する密閉容器の内部
圧力検出用センサに関し、特に、簡単な構造でかつ安定
した特性が得られる密閉容器の内部圧力検出用センサに
関する。
ほぼ平面をなす底面部に形成してこの底面部のひずみに
より密閉容器の内部圧力変化を検出する密閉容器の内部
圧力検出用センサに関し、特に、簡単な構造でかつ安定
した特性が得られる密閉容器の内部圧力検出用センサに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の密閉容器の内部圧力検出
用センサでは、底部面の変形を検出する手段としてひず
みにより抵抗値が変化するいわゆるひずみゲージが知ら
れている。
用センサでは、底部面の変形を検出する手段としてひず
みにより抵抗値が変化するいわゆるひずみゲージが知ら
れている。
【０００３】図４は、密閉容器１に内部圧力検出用のセ
ンサ１０を装着した一例を示す構造図である。また、図
５は図４におけるセンサ１０として用いるひずみゲージ
１１０の一例を示す斜視図である。
ンサ１０を装着した一例を示す構造図である。また、図
５は図４におけるセンサ１０として用いるひずみゲージ
１１０の一例を示す斜視図である。
【０００４】図４および図５に示されるように、円筒状
の密閉容器１が有する板状の上底部２の中央部に、圧力
検出用センサとしてひずみゲージ１１０が接着されてい
る。ひずみゲージ１１０は鉄ニッケル系合金による線状
導電体１３０の薄膜パターンで上底部２の表面に平面状
に形成されている。
の密閉容器１が有する板状の上底部２の中央部に、圧力
検出用センサとしてひずみゲージ１１０が接着されてい
る。ひずみゲージ１１０は鉄ニッケル系合金による線状
導電体１３０の薄膜パターンで上底部２の表面に平面状
に形成されている。
【０００５】ここで、ひずみゲージ１１０により密閉容
器１の内部圧力を検出する原理について説明する。ここ
で、密閉容器１の上底部２にひずみゲージ１１０が接着
され、上底部２の板厚は密閉容器１の下底部３および側
面４それぞれの板厚と比較して、機能上満足できる安全
な範囲で多少薄い板厚であるものとする。
器１の内部圧力を検出する原理について説明する。ここ
で、密閉容器１の上底部２にひずみゲージ１１０が接着
され、上底部２の板厚は密閉容器１の下底部３および側
面４それぞれの板厚と比較して、機能上満足できる安全
な範囲で多少薄い板厚であるものとする。
【０００６】密閉容器１の内部圧力が通常状態から増加
した場合、密閉容器１の上下底部２，３および側面４が
膨らむように変形し、他方、内部圧力が通常の状態から
減少した場合には密閉容器１の上下底部２，３および側
面４がへこむように変形する。
した場合、密閉容器１の上下底部２，３および側面４が
膨らむように変形し、他方、内部圧力が通常の状態から
減少した場合には密閉容器１の上下底部２，３および側
面４がへこむように変形する。
【０００７】この変形は、薄めの板厚を有する上底部２
に集中する。ひずみゲージ１１０が薄膜パターンで形成
される線状導電体１３０の平面に対して線状導電体１３
０の長さ方向、すなわち平行線を接続して形成されてい
る場合には平行な方向に歪が加わった際に、線状導電体
１３０の抵抗値が変化する。密閉容器１の内部圧力が変
化した場合、まず上底部２が変形し、次いで上底部２に
接着されているひずみゲージ１１０が同様に変形する。
この結果、ひずみゲージ１１０の入出力端子１４０、１
５０間の電気抵抗が変化するので、この電気抵抗の変化
を入出力端子１４０、１５０から取り出すことにより密
閉容器１の内部圧力の変化が検出されている。
に集中する。ひずみゲージ１１０が薄膜パターンで形成
される線状導電体１３０の平面に対して線状導電体１３
０の長さ方向、すなわち平行線を接続して形成されてい
る場合には平行な方向に歪が加わった際に、線状導電体
１３０の抵抗値が変化する。密閉容器１の内部圧力が変
化した場合、まず上底部２が変形し、次いで上底部２に
接着されているひずみゲージ１１０が同様に変形する。
この結果、ひずみゲージ１１０の入出力端子１４０、１
５０間の電気抵抗が変化するので、この電気抵抗の変化
を入出力端子１４０、１５０から取り出すことにより密
閉容器１の内部圧力の変化が検出されている。
【０００８】このようなひずみゲージ１１０は、ポリイ
ミドなどの薄い基板１２０の面上に蒸着などの手段によ
り、ひずみにより抵抗値が変化する金属薄膜を線状導電
体１３０として形成しており、かつ薄い基板１２０がひ
ずみを検出する場所に接着剤を用いて接着されている。
ミドなどの薄い基板１２０の面上に蒸着などの手段によ
り、ひずみにより抵抗値が変化する金属薄膜を線状導電
体１３０として形成しており、かつ薄い基板１２０がひ
ずみを検出する場所に接着剤を用いて接着されている。
【０００９】また、密閉容器で対向する面の変形を検出
する別のひずみ検出手段として、対向する面の少なくと
も一方で変形を検出する材質および形状を有する金属板
を配置し、金属板の変形に伴なう対向金属板の間隔の変
化を二つの電極間における静電容量の変化として検出す
るものがある。
する別のひずみ検出手段として、対向する面の少なくと
も一方で変形を検出する材質および形状を有する金属板
を配置し、金属板の変形に伴なう対向金属板の間隔の変
化を二つの電極間における静電容量の変化として検出す
るものがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の密閉容
器における内部圧力検出用センサのうち前者のひずみゲ
ージによるものでは、ひずみを検出しようとする薄い板
に接着剤を用いてひずみゲージを接着する必要があるの
で、接着位置または接着層の厚みにおけるばらつきのた
め検出特性が変化し、接着の都度、特性を確認する必要
があるという問題点がある。
器における内部圧力検出用センサのうち前者のひずみゲ
ージによるものでは、ひずみを検出しようとする薄い板
に接着剤を用いてひずみゲージを接着する必要があるの
で、接着位置または接着層の厚みにおけるばらつきのた
め検出特性が変化し、接着の都度、特性を確認する必要
があるという問題点がある。
【００１１】また、対向する金属板を用いる場合には両
者の位置関係を高精度で維持する必要があるので、構造
的に複雑になるという問題点がある。
者の位置関係を高精度で維持する必要があるので、構造
的に複雑になるという問題点がある。
【００１２】本発明の課題は、このような問題点を解決
して、簡単な構造でかつ安定した特性が得られる密閉容
器の内部圧力検出用センサを提供することである。
して、簡単な構造でかつ安定した特性が得られる密閉容
器の内部圧力検出用センサを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による密閉容器の
内部圧力検出用センサは、密閉容器におけるほぼ平面を
なす底面部に形成してこの底面部のひずみにより密閉容
器の内部圧力変化を検出するものであって、底面部に形
成される非磁性体板と、この非磁性体板のほぼ中央部に
形成されこの非磁性体板のひずみをインダクタンスの変
化により検出するインダクタとを有している。
内部圧力検出用センサは、密閉容器におけるほぼ平面を
なす底面部に形成してこの底面部のひずみにより密閉容
器の内部圧力変化を検出するものであって、底面部に形
成される非磁性体板と、この非磁性体板のほぼ中央部に
形成されこの非磁性体板のひずみをインダクタンスの変
化により検出するインダクタとを有している。
【００１４】この構成により、底面部のひずみがインダ
クタンスの変化に変換されるので、インダクタを発振回
路の素子として組み込むことにより、ひずみの大きさを
発振周波数の変化に容易に変換することができる。
クタンスの変化に変換されるので、インダクタを発振回
路の素子として組み込むことにより、ひずみの大きさを
発振周波数の変化に容易に変換することができる。
【００１５】好ましくは、非磁性体板の形状は円形およ
び正多角形のうちの一つであり、インダクタは非磁性体
板のほぼ中央部に形成された磁歪を有する薄膜磁性体層
の表面に絶縁層を介して少なくとも一つのコイルを形成
した構成を有していることである。
び正多角形のうちの一つであり、インダクタは非磁性体
板のほぼ中央部に形成された磁歪を有する薄膜磁性体層
の表面に絶縁層を介して少なくとも一つのコイルを形成
した構成を有していることである。
【００１６】このコイルの具体的構成は、薄膜磁性体層
の異方性に従って、非磁性体板のほぼ中央部に位置する
螺旋状の線状導電体、または、非磁性体板のほぼ中央部
に位置するミアンダー（蛇行）ライン形状をもって環状
をなす線状導電体であることが好ましい。この構成によ
り、底面部の変形に伴なう薄膜磁性体層の変形を効率よ
く検出することができる。
の異方性に従って、非磁性体板のほぼ中央部に位置する
螺旋状の線状導電体、または、非磁性体板のほぼ中央部
に位置するミアンダー（蛇行）ライン形状をもって環状
をなす線状導電体であることが好ましい。この構成によ
り、底面部の変形に伴なう薄膜磁性体層の変形を効率よ
く検出することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１８】図１は本発明によるセンサの実施の一形態
を示す平面図および断面図である。
を示す平面図および断面図である。
【００１９】図示される密閉容器の内部圧力検出用のセ
ンサ１１は、図４に示される密閉容器１の上面部２に形
成されるセンサ１０であるものとする。
ンサ１１は、図４に示される密閉容器１の上面部２に形
成されるセンサ１０であるものとする。
【００２０】従って、センサ１１は、図４に示されるセ
ンサ１０と同様、平行面をなす上底部２および下底部３
を有する筒状の密閉容器１で多少薄めの板厚を有し底面
部となる上底部２を底面部としてこの底面部の表面に形
成され、密閉容器１の内部圧力変化を、上底部２のひず
みにより検出している。
ンサ１０と同様、平行面をなす上底部２および下底部３
を有する筒状の密閉容器１で多少薄めの板厚を有し底面
部となる上底部２を底面部としてこの底面部の表面に形
成され、密閉容器１の内部圧力変化を、上底部２のひず
みにより検出している。
【００２１】図１に示されるセンサ１１は、金属材料に
よる非磁性体板である長方形の基板２１の主平面に磁歪
を有する金属材料による薄膜磁性体層３１を形成し、更
に絶縁層４１を介して導電体からなるミアンダーライン
状のコイル５１を基板２１の中央部に長方形に形成し
て、コイル５１の両端に外部との入出力端子６１、７１
を有している。
よる非磁性体板である長方形の基板２１の主平面に磁歪
を有する金属材料による薄膜磁性体層３１を形成し、更
に絶縁層４１を介して導電体からなるミアンダーライン
状のコイル５１を基板２１の中央部に長方形に形成し
て、コイル５１の両端に外部との入出力端子６１、７１
を有している。
【００２２】この構成において、基板２１に外力が作用
して基板２１が変形した場合、磁歪を有する薄膜磁性体
層３１の透磁率が変化し、コイル５１のインダクタンス
が変化する。このインダクタンスの変化は発生したひず
みの大きさに対応する。従って、インダクタンスの変化
から、発生したひずみの大きさを検出することができ
る。コイル５１をＬ（インダクタンス）素子としてＬＣ
発振回路に組み込むことにより、ひずみの大きさを容易
に発振周波数の変化に変換することができる。
して基板２１が変形した場合、磁歪を有する薄膜磁性体
層３１の透磁率が変化し、コイル５１のインダクタンス
が変化する。このインダクタンスの変化は発生したひず
みの大きさに対応する。従って、インダクタンスの変化
から、発生したひずみの大きさを検出することができ
る。コイル５１をＬ（インダクタンス）素子としてＬＣ
発振回路に組み込むことにより、ひずみの大きさを容易
に発振周波数の変化に変換することができる。
【００２３】長方形のミアンダーライン状のコイル５１
は、図１に示されるように、並列に配置される多数の線
状導電体それぞれの両端を交互に接続して形成されてい
る。ミアンダーライン状のコイル５１が形成された基板
２１を、コイル５１となる線状導電体の長さ方向と直角
な方向すなわち並列配置方向に屈曲させた場合と、線状
導電体の長さ方向と平行な方向に屈曲させた場合とにお
けるインダクタンスの変化は、磁歪を有する薄膜磁性体
の異方性を含む材料特性によっても異なるが、上述した
ような図１に示されるコイル５１の形状では、一つの軸
方向の変形に対しては感度のよいセンサとして働くが、
これと直行する軸方向の変形に対しては感度が格段と悪
くなる。
は、図１に示されるように、並列に配置される多数の線
状導電体それぞれの両端を交互に接続して形成されてい
る。ミアンダーライン状のコイル５１が形成された基板
２１を、コイル５１となる線状導電体の長さ方向と直角
な方向すなわち並列配置方向に屈曲させた場合と、線状
導電体の長さ方向と平行な方向に屈曲させた場合とにお
けるインダクタンスの変化は、磁歪を有する薄膜磁性体
の異方性を含む材料特性によっても異なるが、上述した
ような図１に示されるコイル５１の形状では、一つの軸
方向の変形に対しては感度のよいセンサとして働くが、
これと直行する軸方向の変形に対しては感度が格段と悪
くなる。
【００２４】従って、周辺が固定された状態で変形する
板材の変形ひずみを検出するためには、そのひずみ分布
に合致したコイル形状にする必要がある。
板材の変形ひずみを検出するためには、そのひずみ分布
に合致したコイル形状にする必要がある。
【００２５】筒状の密閉容器の横断面形状が正方形また
は円形の場合、板状の底面部はその中央部のひずみが最
大値を示し、そのひずみの方向は中心点から放射状であ
りその大きさはほぼ同心円状の等高線で表されるひずみ
分布を示す。従って、このようなひずみ分布に基づく変
形をインダクタンスの変化として効率よく検出するため
には、このひずみ分布と使用した磁歪材料の異方性と
が、ひずみの方向と平行な方向の透磁率の変化が大きい
か、またはひずみの方向と直角な方向の透磁率の変化が
大きいかによって、コイルの導電体の方向とひずみの方
向とを一致させる必要がある。
は円形の場合、板状の底面部はその中央部のひずみが最
大値を示し、そのひずみの方向は中心点から放射状であ
りその大きさはほぼ同心円状の等高線で表されるひずみ
分布を示す。従って、このようなひずみ分布に基づく変
形をインダクタンスの変化として効率よく検出するため
には、このひずみ分布と使用した磁歪材料の異方性と
が、ひずみの方向と平行な方向の透磁率の変化が大きい
か、またはひずみの方向と直角な方向の透磁率の変化が
大きいかによって、コイルの導電体の方向とひずみの方
向とを一致させる必要がある。
【００２６】このことは、ひずみの方向と平行な方向の
透磁率が大きい場合すなわち透磁率の変化が底板部の中
心に対して放射状である場合には同心円状のコイルが適
している一方、ひずみの方向と直角な方向の透磁率が大
きい場合すなわち透磁率の変化が底板部の中心に対して
同心円状である場合にはミアンダーライン形状のコイル
を環状に形成したものが適していることを示している。
透磁率が大きい場合すなわち透磁率の変化が底板部の中
心に対して放射状である場合には同心円状のコイルが適
している一方、ひずみの方向と直角な方向の透磁率が大
きい場合すなわち透磁率の変化が底板部の中心に対して
同心円状である場合にはミアンダーライン形状のコイル
を環状に形成したものが適していることを示している。
【００２７】次に、図２を参照して同心円状のコイルを
使用したセンサについて説明する。
使用したセンサについて説明する。
【００２８】図２に示されるセンサ１２は、金属材料に
よる非磁性体板である円形の基板２２の主平面に磁歪を
有する金属材料による薄膜磁性体層３２を形成し、更に
絶縁層４２を介して線状導電体からなる螺旋状のコイル
５２を基板２２の中央部に形成して、コイル５２の両端
に外部との入出力端子６２、７２を有している。
よる非磁性体板である円形の基板２２の主平面に磁歪を
有する金属材料による薄膜磁性体層３２を形成し、更に
絶縁層４２を介して線状導電体からなる螺旋状のコイル
５２を基板２２の中央部に形成して、コイル５２の両端
に外部との入出力端子６２、７２を有している。
【００２９】また、コイル５２の内側の端部には内部端
子８２が設けられ、コイル５２には上面を覆って形成さ
れる絶縁層９２が形成されている。入出力端子６２、７
２は絶縁層９２の上部に位置し、内部端子８２は絶縁層
９２の上面を通って入出力端子７２に接続している。
子８２が設けられ、コイル５２には上面を覆って形成さ
れる絶縁層９２が形成されている。入出力端子６２、７
２は絶縁層９２の上部に位置し、内部端子８２は絶縁層
９２の上面を通って入出力端子７２に接続している。
【００３０】この構成のセンサ１２を底面部上に中心点
を一致させて形成し、底面部に外力が作用して基板２２
が変形した場合、磁歪を有する薄膜磁性体層３２の透磁
率が変化してコイル５２のインダクタンスが変化する。
この螺旋状のコイル５２におけるインダクタンスの変化
により、筒形の密閉容器内における圧力の変化により生
じる密閉容器の底面部における基板２２の変形を効率よ
く検出することができる。
を一致させて形成し、底面部に外力が作用して基板２２
が変形した場合、磁歪を有する薄膜磁性体層３２の透磁
率が変化してコイル５２のインダクタンスが変化する。
この螺旋状のコイル５２におけるインダクタンスの変化
により、筒形の密閉容器内における圧力の変化により生
じる密閉容器の底面部における基板２２の変形を効率よ
く検出することができる。
【００３１】次に、図３を参照してミアンダーライン形
状のコイルを環状に形成して使用したセンサについて説
明する。
状のコイルを環状に形成して使用したセンサについて説
明する。
【００３２】図３に示されるセンサ１３は、金属材料に
よる非磁性体板である円形の基板２３の主平面に磁歪を
有する金属材料による薄膜磁性体層３３を形成し、更に
絶縁層４３を介して線状導電体からなるミアンダーライ
ン形状のコイル５３を環状に、基板２３の中央部に中心
点を一致させて形成し、コイル５３の両端に外部との入
出力端子６３、７３を有している。
よる非磁性体板である円形の基板２３の主平面に磁歪を
有する金属材料による薄膜磁性体層３３を形成し、更に
絶縁層４３を介して線状導電体からなるミアンダーライ
ン形状のコイル５３を環状に、基板２３の中央部に中心
点を一致させて形成し、コイル５３の両端に外部との入
出力端子６３、７３を有している。
【００３３】この構成のセンサ１３を底面部上に中心点
を一致させて形成し、底面部に外力が作用して基板２３
が変形した場合、磁歪を有する薄膜磁性体層３３の透磁
率が変化してコイル５３のインダクタンスが変化する。
このミアンダーライン形状により環状に形成されたコイ
ル５３におけるインダクタンスの変化により、筒形の密
閉容器内における圧力の変化により生じる密閉容器の底
面部における基板２３の変形を効率よく検出することが
できる。
を一致させて形成し、底面部に外力が作用して基板２３
が変形した場合、磁歪を有する薄膜磁性体層３３の透磁
率が変化してコイル５３のインダクタンスが変化する。
このミアンダーライン形状により環状に形成されたコイ
ル５３におけるインダクタンスの変化により、筒形の密
閉容器内における圧力の変化により生じる密閉容器の底
面部における基板２３の変形を効率よく検出することが
できる。
【００３４】上記説明では、非磁性体板による基板の形
状を長方形および円形としたが、多角形であってもよ
い。しかし、効率よく変形を検出するため、密閉容器の
底面部が中心点を有する形状であり、センサの基板の形
状も円形または正方形を含む正多角形が望ましい。
状を長方形および円形としたが、多角形であってもよ
い。しかし、効率よく変形を検出するため、密閉容器の
底面部が中心点を有する形状であり、センサの基板の形
状も円形または正方形を含む正多角形が望ましい。
【００３５】また、上記説明では密閉容器を円筒形とし
たが、内部の圧力に従って変形する板材部分が備わる形
状であれば、いかなる形状でも本発明が適用できること
は明らかである。
たが、内部の圧力に従って変形する板材部分が備わる形
状であれば、いかなる形状でも本発明が適用できること
は明らかである。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、密
閉容器におけるほぼ平面をなす底面部に形成され基板と
なる非磁性体板と、この非磁性体板のほぼ中央部に形成
されこの非磁性体板のひずみをインダクタンスの変化に
より検出するインダクタとを有している密閉容器の内部
圧力検出用センサが得られる。
閉容器におけるほぼ平面をなす底面部に形成され基板と
なる非磁性体板と、この非磁性体板のほぼ中央部に形成
されこの非磁性体板のひずみをインダクタンスの変化に
より検出するインダクタとを有している密閉容器の内部
圧力検出用センサが得られる。
【００３７】この構成により、底面部のひずみがインダ
クタンスの変化に変換されるので、インダクタを発振回
路の素子として組み込むことにより、ひずみの大きさを
発振周波数の変化に容易に変換することができる。従っ
て、ひずみを簡単な構造で詳細にかつ安定して検出でき
るという効果が得られる。
クタンスの変化に変換されるので、インダクタを発振回
路の素子として組み込むことにより、ひずみの大きさを
発振周波数の変化に容易に変換することができる。従っ
て、ひずみを簡単な構造で詳細にかつ安定して検出でき
るという効果が得られる。
【００３８】また、本発明により、非磁性体板の形状が
円形および正多角形のうちの一つであり、インダクタは
非磁性体板のほぼ中央部に形成された磁歪を有する薄膜
磁性体層の表面に絶縁層を介して少なくとも一つのコイ
ルを形成した構成を有し、かつ、コイルが、薄膜磁性体
層の異方性に従って、非磁性体板のほぼ中央部に位置す
る螺旋状の線状導電体、または、非磁性体板のほぼ中央
部に位置するミアンダーライン形状をもって環状をなす
線状導電体であるセンサを得ることができる。
円形および正多角形のうちの一つであり、インダクタは
非磁性体板のほぼ中央部に形成された磁歪を有する薄膜
磁性体層の表面に絶縁層を介して少なくとも一つのコイ
ルを形成した構成を有し、かつ、コイルが、薄膜磁性体
層の異方性に従って、非磁性体板のほぼ中央部に位置す
る螺旋状の線状導電体、または、非磁性体板のほぼ中央
部に位置するミアンダーライン形状をもって環状をなす
線状導電体であるセンサを得ることができる。
【００３９】この結果、特に密閉容器の底面部が中心点
を有する形状であり、かつ底面部に貼着されるセンサの
基板の形状も円形または正方形を含む正多角形で、中心
点を一致させる場合、底面部の変形に伴なう薄膜磁性体
層の変形を効率よく検出できるという効果が得られる。
を有する形状であり、かつ底面部に貼着されるセンサの
基板の形状も円形または正方形を含む正多角形で、中心
点を一致させる場合、底面部の変形に伴なう薄膜磁性体
層の変形を効率よく検出できるという効果が得られる。
【図１】（Ａ）は本発明の実施の一形態を示す平面図、
（Ｂ）は（Ａ）の断面図である。
（Ｂ）は（Ａ）の断面図である。
【図２】（Ａ）は図１とは別の実施の一形態を示す平面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（Ａ）は図１、２とは別の実施の一形態を示す
平面図、（Ｂ）は（Ａ）の断面図である。
平面図、（Ｂ）は（Ａ）の断面図である。
【図４】センサを形成する密閉容器の一形態を示す斜視
図である。
図である。
【図５】従来の一例を示す斜視図である。
１ 密閉容器 ２ 上底部 １０、１１、１２、１３ センサ ２１、２２、２３ 基板（非磁性体板） ３１、３２、３３ 薄膜磁性体層 ４１、４２、４３、９２ 絶縁層 ５１、５２、５３ コイル ６１、６２、６３、７１、７２、７３ 入出力端子 ８２ 内部端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若生 直樹 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 Ｆターム(参考） 2F055 AA11 BB20 CC14 EE21 EE29 FF43 GG11 2F063 AA25 AA42 BA19 DA02 GA03 GA56 5E049 AA01 AA09 AC05 BA16
Claims (5)
- 【請求項１】 密閉容器におけるほぼ平面をなす底面部
に形成してこの底面部のひずみにより前記密閉容器の内
部圧力変化を検出する密閉容器の内部圧力検出用センサ
において、前記底面部に形成される非磁性体板と、この
非磁性体板のほぼ中央部に形成されこの非磁性体板のひ
ずみをインダクタンスの変化により検出するインダクタ
とを有することを特徴とする密閉容器の内部圧力検出用
センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、非磁性体板の形状
は、円形および正多角形のうちの一つであることを特徴
とする密閉容器の内部圧力検出用センサ。 - 【請求項３】 請求項１において、インダクタは、前記
非磁性体板のほぼ中央部に形成された磁歪を有する薄膜
磁性体層の表面に絶縁層を介して少なくとも一つのコイ
ルを形成した構成を有することを特徴とする密閉容器の
内部圧力検出用センサ。 - 【請求項４】 請求項３において、コイルは前記非磁性
体板のほぼ中央部に位置する螺旋状の線状導電体である
ことを特徴とする密閉容器の内部圧力検出用センサ。 - 【請求項５】 請求項３において、コイルは前記非磁性
体板のほぼ中央部に位置するミアンダー（蛇行）ライン
形状をもって環状をなす線状導電体であることを特徴と
する密閉容器の内部圧力検出用センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097265A JP2000292295A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097265A JP2000292295A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292295A true JP2000292295A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14187717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11097265A Withdrawn JP2000292295A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | 密閉容器の内部圧力検出用センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000292295A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100347517C (zh) * | 2004-06-18 | 2007-11-07 | 株式会社百利达 | 应变仪 |
| JP2009529126A (ja) * | 2006-03-07 | 2009-08-13 | アストリウム・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | エンジン内部の圧力などを計測するための高温用圧力センサ・エレメント、その製造方法、及びエンジンの部品 |
| JP2010509603A (ja) * | 2006-11-14 | 2010-03-25 | コンセジョ スペリオール デ インベスティガショネス シエンティフィカス | 有機センサーデバイスおよびその用途 |
| JP2013516255A (ja) * | 2010-01-05 | 2013-05-13 | センシメッド エスアー | 眼圧監視装置 |
| CN107526046A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-12-29 | 上海交通大学 | 一种平面电感型磁传感器 |
| CN115452204A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-09 | 华能广西清洁能源有限公司 | 一种基于逆磁致伸缩效应的力传感测量方法 |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP11097265A patent/JP2000292295A/ja not_active Withdrawn
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| CN107526046B (zh) * | 2017-07-18 | 2020-07-14 | 上海交通大学 | 一种平面电感型磁传感器 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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