JP2000292482A - 半導体装置のバーインテスト装置 - Google Patents

半導体装置のバーインテスト装置

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JP2000292482A
JP2000292482A JP11097225A JP9722599A JP2000292482A JP 2000292482 A JP2000292482 A JP 2000292482A JP 11097225 A JP11097225 A JP 11097225A JP 9722599 A JP9722599 A JP 9722599A JP 2000292482 A JP2000292482 A JP 2000292482A
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JP
Japan
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burn
test
semiconductor device
under test
dynamic
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JP11097225A
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Toshio Sudo
敏雄 須藤
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイナミックなバーインテスト(BT)を行
うBT装置の構造の複雑化を防止するとともに、BTの
予備作業を不要とすることが可能なBT装置を提供す
る。 【解決手段】 被試験LSIがセットされるBT炉2
と、少なくとも被試験LSIに電力を供給する電圧源3
やクロック発生器4を備えており、BT炉2は内部に複
数枚のBT板5がセット可能とされ、各BT板5には、
それぞれ被試験LSI6,7と、被試験LSI6,7に
対して駆動信号を供給する記憶素子(マスクROM)8
とが搭載される。BT板5はそれぞれ電圧源3やクロッ
ク発生器4からの信号を受けて記憶素子8から出力され
る駆動信号により各被試験LSI6,7を駆動し、ダイ
ナミックBTを実行する。安価なBT装置、例えばスタ
ティックBT装置を使用してダイナミックBTを行うこ
とが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は被試験半導体装置
(LSI)の信頼性試験を行うためのバーインテスト
(BT)装置に関し、特に被試験LSIをダイナミック
に動作させて試験を行うためダイナミックBT装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】被試験LSIをバーインテストする場合
に、ダイナミックBTは被試験LSIをダイナミックに
動作させて試験を行うため、被試験LSIの内部電位を
固定して行うスタティックBTよりも、より実際に近い
信頼性が得られる点で有効的な試験である。しかしなが
ら、ダイナミックBTを行うためには、ダイナミックB
T装置内にセットした被試験LSIをダイナミック動作
させるための回路装置を設ける必要があり、ダイナミッ
クBT装置が高価なものになる。特に、被試験LSIに
対して電力を供給する電源や、クロック信号等の駆動信
号を入出力するための駆動回路をダイナミックBT装置
に装備する必要があるとともに、これらの電源や駆動回
路を被試験LSIがセットされる炉内に対して電気接続
するための配線構造が必要であり、これらがダイナミッ
クBT装置の構造を複雑化する要因になっている。ま
た、ダイナミックBT装置は、被試験LSIに対して種
々の駆動信号パターンを入力する必要があるが、そのた
めに駆動回路にはパターン発生容量の大きなパターン発
生器を設ける必要があり、ダイナミックBT装置の構造
を複雑化する別の要因ともなっている。
【0003】従来、ダイナミックBT装置における駆動
回路のパターン発生器を縮小すべく、ないしはダイナミ
ックBT装置の構造の簡易化を図るべく、例えば、実開
平2−70246号公報では、ダイナミックBT装置に
PROMとクロック発生器を設け、BT装置の炉内にセ
ットされた被試験LSIが、クロック発生器からのクロ
ックに基づいてPROMから動作命令を読み出しながら
動作を行い、ダイナミックBTを行う技術が提案されて
いる。また、これに近い技術として、他に特許第260
5858号の技術があり、パターンメモリによりデータ
を発生し、被試験LSIに動作命令を供給している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の改
善されたダイナミックBT装置では、被試験LSIに供
給する駆動信号のパターン発生器をメモリ素子やクロッ
ク発生器等で構成し、BT装置の炉内にセットした被試
験LSIに駆動信号パターンを給することで、BT装置
の構成の簡易化を図っている。しかしながら、この技術
では、バーインテストされる被試験LSIが1種類の場
合には有効であるが、異なる種類の被試験LSIを同時
にバーインテストしようとしたときには、各被試験LS
Iのそれぞれに固有のパターンの駆動信号を供給するた
めに、各被試験LSIにそれぞれ対応したパターン発生
器を用意する必要があり、BT装置の構造が複雑化して
しまう。また、試験する複数の被試験LSIの種類や組
み合わせが変わるごとに、パターン発生器をこれに追従
して異なる種類や組み合わせのものに変更する必要があ
り、ダイナミックBTの予備作業が煩雑なものとなる。
【0005】本発明の目的は、BT装置の構造の複雑化
を防止するとともに、BTの予備作業を煩雑化を防止す
ることが可能なBT装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のBT装置は、被
試験半導体装置がセットされるBT炉と、少なくとも前
記被試験LSIに電力を供給する電源とを備えており、
前記BT炉は内部に1枚以上のBT板がセット可能とさ
れ、各BT板には、それぞれ被試験LSIと、前記被試
験LSIに対して駆動信号を供給する記憶素子とが搭載
され、前記BT板は電源からの電力供給を受けてそれぞ
れの記憶素子から出力される前記駆動信号によりそれぞ
れの被試験LSIを駆動することを特徴とする。ここ
で、前記BT板の記憶素子は、アドレスが入力されたと
きに当該アドレスに対応するデータを駆動信号として出
力するROMで構成される。また、前記BT板に対して
クロック信号を供給するクロック発生器を備える構成と
する。あるいは、前記記憶素子は、クロック信号を発生
する機能を有する構成とする。
【0007】本発明のBT装置では、BT板にROM等
の記憶素子を備えており、その記憶素子から被試験LS
Iを動作させる信号を供給してダイナミックBTを行う
ことが可能であり、安価なBT装置、例えばスタティッ
クBT装置を使用してダイナミックBTを行うことがで
きる。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態のブ
ロック構成図である。BT装置1はBT炉2を有してお
り、BT炉2内に被試験LSI6,7がセットされる。
前記BT炉2には図には現れないが温度調整装置が設け
られており、前記被試験LSI6,7を高温状態に加熱
し、あるいは低温状態に冷却し、BTを実行可能とされ
ている。また、前記BT炉2内にセットされる被試験L
SI6,7は、BT板5に搭載されており、このBT板
5ごとBT炉2に対してセット、リセットできるように
構成されている。さらに、前記BT装置1は、前記BT
炉2内にセットされた前記BT板5に対して電力を供給
する電圧源3と、クロック信号を供給するクロック発生
器4が備えられる。前記BT板5には図外の装着端子が
設けられており、この装着端子を介して前記電圧源3と
クロック発生器4が前記BT板5に電気接続される。こ
こで、前記BT板5には前記した2つの被試験LSI
6,7と、前記被試験LSI6,7に対してBTを行う
際に駆動するためのパターン化した駆動信号を発生する
ためのマスクROM8が実装されている。
【0009】このBT装置1では、BT炉2内にセット
されたBT板5上の被試験LSI6,7及びマスクRO
M8には電圧源3及びクロック発生器4からそれぞれ電
源電圧とクロック信号がBT板5の装着端子を通して供
給される。マスクROM8はクロック発生器4からのク
ロック信号を入力する毎にアドレスが変化して、それに
対応した駆動信号が発生する。これにより、被試験LS
I6,7はマスクROM8からのパターン化された出力
信号とクロック発生器4からのクロック信号を入力して
内部動作を行い、ダイナミックBTが実現できる。
【0010】ここで、前記実施形態では、BT炉2内に
1枚のBT板5がセットされた場合を示しているが、B
T炉2内には複数枚のBT板5をセットすることが可能
である。そして、各BT板5には、それぞれ任意の被試
験LSIと、当該被試験LSIをダイナミックBTする
際に必要な駆動信号を発生するマスクROMを搭載して
おく。したがって、BT炉2にセットされた複数枚のB
T板5では、BT時には、それぞれ共用の電圧源3とク
ロック発生器4の各信号を受けてそれぞれのマスクRO
Mから個別の駆動信号が出力され、各BT板5の被試験
LSIはそれぞれ個別の駆動信号に基づいてBTが実現
されることになる。これにより、BT装置には、被試験
LSIの種類にかかわらず共用の電圧源3とクロック発
生器4を設けておくだけで、種々の被試験LSIのダイ
ナミックBTが実現できるため、BT装置の構造の複雑
化が防止でき、かつBTに際しての予備作業も不要とな
る。例えば、BT装置1が安価なスタティックのBT装
置であっても、被試験LSI6,7に対してダイナミッ
クBTを実行することも可能である。
【0011】図2は本発明の第の2実施形態のブロック
構成図である。図1と等価な部分には同一符号を付して
ある。この第3の実施形態では、BT板5に搭載したマ
スクROM9は内部にクロック発生器も含んだ構成と
し、その一方で、BT装置は、クロック発生器を省略し
ている。前記マスクROM9は、第1の実施形態と同様
に、個別のパターンの駆動信号を出力することが可能で
あるとともに、個別のタイミング(周期)でのクロック
信号を発生して出力することが可能とされている。
【0012】この第2の実施形態では、BT板5に搭載
されたマスクROM9は、電圧源3からの電源電圧の供
給を受けて自動的にアドレスを変え、それに対応した出
力と、また必要があれば自身で発生するクロック信号を
被試験LSI6,7に供給する。この結果、第1の実施
形態と同様に被試験LSI6,7のダイナミックBTを
行うことができる。この実施形態においても、BT炉2
内には、複数枚のBT板5をセットして各BT板5の被
試験LSIに対するBTが可能であるため、各BT板5
にそれぞれの被試験LSI6,7を駆動するための駆動
信号を発生するマスクROM9を搭載しておくことで、
異なる種類の被試験LSIのBTを同時進行して行うこ
とが可能である。この場合でも、BT装置1は、共用の
電圧源3を備えるのみでよく、例えば、スタチックBT
装置の構成でも被試験LSIのダイナミックBTを実行
することが可能である。
【0013】なお、前記実施形態では、BT板に搭載す
るROMとしてマスクROMを用いているが、EPRO
M、EEPROM等の書込、消去可能なROMを用いる
ことも可能であり、特にBE板に搭載されているこれら
のROMに対して、被試験LSIに対応した駆動信号を
発生し得るようにROMにプログラムを書き込むことが
可能な構成としてもよい。特に、本発明の被試験LSI
として、ゲートアレイ、スタンダードアレイ等のランダ
ムロジックLSIをBTする場合には、ROMからはテ
ストパターンを出力して被試験LSIに供給することに
なるため、ROMのパターンを任意に変更できるように
することが好ましい。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、BT板に
ROM等の記憶素子を備えており、その記憶素子から被
試験LSIを動作させる信号を供給してダイナミックB
Tを行うことが可能となる。したがって、被試験LSI
の種類が多い場合でも、BT装置に各被試験LSIに対
応した複数種類の回路装置を備える必要性がなく、BT
装置を安価なBT装置として構成できるとともに、例え
ばスタティックBT装置を使用してダイナミックBTを
行うことも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のBT装置の第1の実施形態のブロック
構成図である。
【図2】本発明のBT装置の第2の実施形態のブロック
構成図である。
【符号の説明】 1 BT装置 2 BT炉 3 電圧源 4 クロック発生器 5 BT板 6,7 被試験LSI 8 マスクROM 9 マスクROM(クロック内蔵)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被試験半導体装置がセットされるバーイ
    ンテスト炉と、少なくとも前記被試験半導体装置に電力
    を供給する電源とを備え、前記バーインテスト炉内にセ
    ットされた前記被試験半導体装置に所要の駆動信号を供
    給して動作させながらダイナミックバーインテストを行
    うことが可能なバーインテスト装置において、前記バー
    インテスト炉内には1枚以上のバーインテスト板がセッ
    ト可能とされ、前記バーインテスト板には、それぞれ被
    試験半導体装置と、前記被試験半導体装置に対して駆動
    信号を供給する記憶素子とが搭載され、前記バーインテ
    スト板は前記電源からの電力供給を受けてそれぞれの記
    憶素子から出力される前記駆動信号によりそれぞれの被
    試験半導体装置を駆動することを特徴とする半導体装置
    のバーインテスト装置。
  2. 【請求項2】 前記バーインテスト板の記憶素子は、ア
    ドレスが入力されたときに当該アドレスに対応するデー
    タを駆動信号として出力するROMで構成される請求項
    1に記載の半導体装置のバーインテスト装置
  3. 【請求項3】 前記バーインテスト板に対してクロック
    信号を供給するクロック発生器を備える請求項1または
    2に記載の半導体装置のバーインテスト装置。
  4. 【請求項4】 前記記憶素子は、クロック信号を発生す
    る機能を有する請求項1または2に記載の半導体装置の
    バーインテスト装置。
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