JP2000292513A

JP2000292513A - 磁気センサ

Info

Publication number: JP2000292513A
Application number: JP11098805A
Authority: JP
Inventors: Masanaga Nishikawa; 雅永西川; Tamotsu Minamitani; 保南谷; Tomoharu Sato; 友春佐藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-04-06
Filing date: 1999-04-06
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】特別なノイズ処理回路を設けなくても、誤動
作しない磁気センサを得る。【解決手段】磁気センサは、磁気抵抗素子１２、磁気
抵抗素子１２にバイアス磁界を印加する磁石等にて構成
されている。磁気抵抗素子１２は、基板２２と、この基
板２２の上面２２ａに設けた感磁部２３と、基板２２の
両端部に設けた端子電極２４ａ，２４ｂとからなる。感
磁部２３は、所定の磁気抵抗値を得るため蛇行形状の磁
気抵抗パターン２６にて構成され、点線で示すように長
方形の領域を有している。この磁気抵抗素子１２は、検
出対象物の通過方向Ｋに対して、感磁部２３の長手方向
が平行になるように配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気センサに関
し、具体的には磁性インクで印刷された文字、記号、パ
ターン等を検出したり、磁性体歯車の歯をカウントして
モータの回転速度を検出したり、あるいは、鋼球を検出
する際に使用される磁気センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の磁気センサは、例えば図１５に
示すような磁気抵抗素子１を有している。磁気抵抗素子
１は、基板２と、この基板２の上面２ａ（以下検知面２
ａとする）に設けた感磁部３と、基板２の両端部に設け
た端子電極４ａ，４ｂとからなる。感磁部３は、蛇行形
状の磁気抵抗パターン７にて構成され、図１５中におい
て点線で示すように長方形の領域を有している。そし
て、従来の磁気抵抗素子１は、検出対象物の通過方向Ｋ
に対して、感磁部３の長手方向が直交するように配置さ
れていた。これは、検出対象物の左右のブレに対して、
より確実な検知能力を持たせるためである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、検出対象物
の通過速度が速くなってくると、検出対象物が感磁部３
の前を通過する時間が短くなる。ところが、従来の磁気
抵抗素子１は、感磁部３の短辺方向が検出対象物の通過
方向Ｋに一致しているため、磁気センサからの出力波形
の幅が極めて狭くなり、通過信号による波形とノイズ
（例えば、衝撃等によるノイズや電源からのノイズ）に
よる瞬時波形との区別がつきにくくなる。この結果、磁
気センサが誤動作するおそれがあった。このため、信号
ラインにノイズが乗らないようにノイズカット回路を別
に設ける必要があり、信号処理回路が複雑になるという
不具合があった。

【０００４】そこで、本発明の目的は、特別なノイズ処
理回路を設けなくても、誤動作しない磁気センサを提供
することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段及び作用】以上の目的を達
成するため、本発明に係る磁気センサは、磁気抵抗素子
と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加する磁石と
を備え、前記磁気抵抗素子の感磁部の長手方向を、検出
対象物の通過方向に対して略平行に配置している。

【０００６】以上の構成により、検出対象物の通過方向
と磁気抵抗素子の感磁部の長手方向とが略同一方向とな
り、検知対象物が感磁部を通過する時間が長くなる。従
って、磁気センサからの出力波形の幅が従来より広くな
り、通過信号による波形とノイズによる瞬時波形との区
別がつき易くなる。

【０００７】また、磁気抵抗素子の感磁部の短辺方向の
長さを、略球形状の検出対象物の直径より短くすること
により、検出対象物が通過する際、感磁部の短辺方向の
全体に渡って磁束が集中する。従って、感磁部全体の磁
気抵抗変化率つまり感度が大きくなる。

【０００８】また、本発明に係る磁気センサは、磁気抵
抗素子が磁性体基板と該磁性体基板上に設けた感磁部と
を有し、磁性体基板の形状が感磁部の略相似形であるこ
とを特徴とする。磁気抵抗素子に磁性体基板を使用する
と、磁石のバイアス磁界が磁性体基板に集中するため、
感度が向上する。さらに、磁性体基板の形状と感磁部の
形状とが略相似形であるため、感磁部に印加されるバイ
アス磁界の強度が均一になり易い。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気センサの
実施形態について添付図面を参照して説明する。

【００１０】［第１実施形態、図１〜図６参照］第１実
施形態は、磁性インクで印刷された文字、記号、パター
ン等を検出する磁気センサを例にして説明する。

【００１１】図１は磁気センサ１１の外観を示し、図２
は磁気センサ１１の構成を示している。磁気センサ１１
は、磁気抵抗素子１２、磁気抵抗素子１２にバイアス磁
界を印加する磁石１３、部品１２，１３を搭載するため
の支持部材である回路基板１４及び非磁性保護ケース１
６等にて構成されている。

【００１２】図３に示すように、磁気抵抗素子１２は、
基板２２と、この基板２２の上面２２ａ（以下、検知面
２２ａとする）に設けた感磁部２３と、基板２２の両端
部に設けた端子電極２４ａ，２４ｂとからなる。感磁部
２３は、所定の磁気抵抗値を得るため蛇行形状の磁気抵
抗パターン２６にて構成され、図３中において点線で示
すように長方形の領域を有している。そして、この磁気
抵抗素子１２は、検出対象物の通過方向Ｋに対して、感
磁部２３の長手方向が平行になるように配置されてい
る。

【００１３】基板２２は絶縁体基板上に蒸着等でＩｎＳ
ｂ膜等を形成したものや、ＩｎＳｂ等の単結晶半導体基
板、あるいは別に成膜した半導体薄膜や単結晶基板を絶
縁基板上に接着剤で貼り付けた複合基板としたもの等が
用いられる。ここに、基板２２として磁性体基板を使用
し、該磁性体基板２２上に感磁部２３を設けることによ
り、磁石１３のバイアス磁界が磁性体基板２２に集中し
て感度が向上する。さらに、磁性体基板２２の形状と感
磁部２３の形状とを略相似形に設定しており、感磁部２
３に印加されるバイアス磁界の強度が均一になり易く、
安定した検出が可能になる。検知面２２ａに対向する下
面２２ｂが、磁気抵抗素子１２の実装面とされる。磁気
抵抗素子１２は、磁界が強くなるにつれて抵抗値が大き
くなる。磁気抵抗パターン２６は、そのセグメントの幅
Ｗと長さＬの比Ｗ／Ｌを大きくして高感度なものにして
いる。

【００１４】図２に示すように、磁気抵抗素子１２は、
接着剤等により回路基板１４上に水平に固着される。回
路基板１４としては、ガラス繊維を含んだエポキシやポ
リイミド樹脂基板、紙エポキシ基板、アルミナ基板等が
用いられる。一方、リード端子１８は、回路基板１４に
設けた貫通穴１４ａに挿通されている。リード端子１８
の頭部と磁気抵抗素子１２の端子電極２４ａ，２４ｂと
は、ワイヤ１７（あるいはリードフレーム）を介して電
気的に接続されている。

【００１５】回路基板１４の磁気抵抗素子１２実装面と
は反対側の面には、磁石１３が接着剤を利用して搭載さ
れる。この磁石１３は永久磁石であってもよいし、電磁
石であってもよい。磁石１３は回路基板１４を挟んで磁
気抵抗素子１２に対向している。部品１２，１３，１８
を搭載した回路基板１４は、非磁性保護ケース１６内に
充填材１５と共に収納される。充填材１５には、耐湿性
に優れかつ機械的強度が比較的高いエポキシ樹脂等が使
用される。非磁性保護ケース１６は、ベリリウム銅、燐
青銅、黄銅、洋白、非磁性ステンレス、アルミニウム、
セラミック、樹脂等の非磁性材料からなる。なお、検知
感度を高めるために、磁気抵抗素子１２が、回路基板１
４を挟まないで、磁石１３上に直接実装される場合もあ
る。

【００１６】次に、以上の構成からなる磁気センサ１１
の作用効果について説明する。図４は、磁気センサ１１
を用いた電気回路図である。磁気センサ１１は、抵抗３
４に直列に接続されている。磁気センサ１１と抵抗３４
の中継線は、増幅用トランジスタ３３のベースに接続さ
れ、磁気センサ１１の他端はトランジスタ３３のエミッ
タに接続され、抵抗３４の他端はトランジスタ３３のコ
レクタに接続されている。この回路は、抵抗３４の一端
とトランジスタ３３のコレクタが端子３５に接続され、
磁気センサ１１の一端とトランジスタ３３のエミッタが
端子３６に接続されている、２線式出力結線回路となっ
ている。

【００１７】予め、端子３５に、センサ電源によって直
流電圧Ｖｃを印加し、抵抗３４に直流電流を流してお
く。検出対象物が磁気センサ１１の前を通過していない
とき、磁石１３によるバイアス磁場は磁気抵抗素子１２
へ集中しておらず、磁気抵抗素子１２の抵抗に変化はな
く、その抵抗値は低い。従って、トランジスタ３３のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖ_BEは小さく、トランジスタ３３
の動作点に達しない。図５に示すように、トランジスタ
３３は遮断領域であるため、トランジスタ３３はＯＦＦ
状態のままであり、この電気回路の出力電流Ｉは下降し
ている。

【００１８】次に、検出対象物が矢印Ｋの方向からきて
磁気センサ１１の前を通過しているとき、磁石１３によ
るバイアス磁場は磁気抵抗素子１２へ集中するので、磁
気抵抗素子１２の抵抗値は高くなる。従って、トランジ
スタ３３のベース・エミッタ間電圧Ｖ_BEは大きくなり、
図５に示すようにトランジスタ３３は能動領域に到達す
るため、トランジスタ３３はＯＮ状態となる。これによ
り、トランジスタ３３のコレクタ電流Ｉｃが増大し、電
気回路の出力電流Ｉが上昇する。

【００１９】検出対象物が磁気センサ１１の前を通過し
て離反すると、磁石１３によるバイアス磁場は磁気抵抗
素子１２への集中がなくなり、磁気抵抗素子１２の抵抗
値は元の低い値となる。従って、トランジスタ３３のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖ_BEは小さくなり、トランジスタ
３３はＯＦＦ状態となり、電気回路の出力電流Ｉは下降
する。こうして、図６に示すようなパルス状の出力電流
波形が得られ、この出力電流波形のパルス数をカウント
することによって、無接触で検出対象物の通過を検出す
ることができる。

【００２０】ここに、磁気抵抗素子１２の感磁部２３の
長手方向と検出対象物の通過方向Ｋとが平行であるの
で、検出対象物が感磁部２３の前を通過する時間が長く
なる。従って、図１５で示したように短辺方向が検出対
象物の通過方向に一致している磁気抵抗素子１を有した
従来の磁気センサと比較して、本第１実施形態の磁気セ
ンサ１１の方が、電気回路の出力電流波形の幅が広くな
り、通過信号による波形とノイズによる瞬時波形との区
別がつき易くなる。

【００２１】具体的には、感磁部２３の長辺方向の長さ
をＤ、短辺方向の長さをｄとし、従来の磁気センサを用
いた電気回路の出力電流波形の幅をｔ、本第１実施形態
の磁気センサ１１を用いた電気回路の出力電流波形の幅
をＴとすると、以下の関係式が成立する。Ｔ＝ｔ×（Ｄ／ｄ）

【００２２】この結果、特別なノイズ処理回路を設けな
くても誤動作しない磁気センサ１１を得ることができ
る。

【００２３】［第２実施形態、図７〜図１０参照］第２
実施形態は、パチンコ玉等の鋼球検出センサを例にして
説明する。

【００２４】図７及び図８に示すように、鋼球検出セン
サ４１は、磁気抵抗素子４２、増幅用トランジスタ４
４、部品４２、４４を搭載するための回路基板４５、磁
気抵抗素子４２にバイアス磁界を印加する磁石５４及び
非磁性保護ケース４８にて構成されている。

【００２５】図９に示すように、磁気抵抗素子４２は、
基板５５と、この基板５５の上面５５ａ（以下、検知面
５５ａとする）に設けた感磁部５６とを備えている。さ
らに、この磁気抵抗素子４２は、同一基板５５上に固定
抵抗４３も設けている。これにより、部品点数を抑える
ことができ、実装コストも低減できる。

【００２６】感磁部５６は、所定の磁気抵抗値を得るた
め蛇行形状の磁気抵抗パターン５７にて構成され、図９
中において点線で示すように長方形の領域を有してい
る。そして、この磁気抵抗素子４２は、鋼球６５の通過
方向Ｋに対して、感磁部５６の長手方向が平行になるよ
うに配置されている。磁気抵抗パターン５７は、そのセ
グメントの幅Ｗと長さＬの比Ｗ／Ｌを大きくして高感度
なものにしている。

【００２７】さらに、本第２実施形態では、感磁部５６
の短辺方向の長さを、鋼球６５の直径より短く設定して
いる。これにより、鋼球６５が感磁部５６の前を通過す
る際、感磁部５６の短辺方向の全体に渡って、磁石５４
のバイアス磁界が効率良く集中する。従って、感磁部５
６全体の磁気抵抗変化率つまり感度を大きくすることが
できる。また、磁気抵抗素子４２のサイズも小さくでき
る。仮に、感磁部５６の短辺方向の長さを鋼球６５の直
径より長くすると、感磁部５６の短辺方向の縁端部でバ
イアス磁界がかなり弱くなり、感磁部５６全体としての
感度が比較的小さくなる。

【００２８】磁気抵抗素子４２は、たとえばＩｎＳｂ，
ＩｎＡｓ，ＧａＡｓ等の化合物半導体を蒸着法やスパッ
タリング法等で基板５５上に薄膜状に設けた後、この化
合物半導体薄膜の表面にＡｌ等のメタル膜を蒸着法やス
パッタリング法等の方法で所定のピッチにて形成したも
のである。あるいは、磁気抵抗パターン５７は、ＩｎＳ
ｂ等の単結晶半導体基板５５の表面にＡｌ等のメタル膜
を所定のピッチで形成したものであってもよい。また、
半導体薄膜は、上記のように基板５５上に直接形成した
り、単結晶半導体基板をそのまま用いてもよいし、別に
成膜した半導体薄膜や単結晶半導体基板をガラス、アル
ミナ、フェライト等の基板５５上に接着剤で貼り付けた
複合基板としたものであってもよい。

【００２９】ここに、基板５５として磁性体基板を使用
し、該磁性体基板５５上に感磁部５６を設けることによ
り、磁石５４のバイアス磁界が磁性体基板５５に集中し
て感度が向上する。さらに、磁性体基板５５の形状と感
磁部５６の形状とを略相似形に設定しており、感磁部５
６に印加されるバイアス磁界の強度が均一になり易く、
安定した検出が可能になる。

【００３０】固定抵抗４３は、基板５５上に形成された
ＩｎＳｂ等の半導体薄膜やＩｎＳｂ等の単結晶半導体基
板や、Ａｌ、ニクロム等の金属薄膜やメタルグレーズ等
の厚膜を蛇行状にライン形成したものである。磁気抵抗
パターン５７の一方の端部は出力電極６２に接続され、
他方の端部は中継電極６４に接続されている。固定抵抗
４３の一方の端部は出力電極６３に接続され、他方の端
部は中継電極６４に接続されている。

【００３１】また、基板５５がフェライト等の磁性体か
らなる場合、磁石５４のバイアス磁界は、基板５５のエ
ッジ部で高くなる（図９に示した磁束密度分布図を参
照）。従って、図９に示すように、感磁部５６を基板５
５の縁部に配置することによって、感度をさらに向上さ
せている。なお、図１０に示す磁気抵抗素子４２Ａのよ
うに、感磁部５６を基板５５の中央部に配置すると、磁
石５４のバイアス磁界は若干低いけれども安定している
ので（図１０に示した磁束密度分布図を参照）、安定し
た感度が得られる。

【００３２】磁気抵抗素子４２は、検知面５５ａを実装
面とし、出力電極６２，６３と回路基板４５の回路パタ
ーン（図示せず）とを、直接半田付けしたり、導電性接
着剤等で接合することによって、回路基板４５上に実装
される。

【００３３】非磁性保護ケース４８は、鋼球６５の直径
より若干大きい径を有する検出穴４９と、回路基板４５
等を収容するための部品収容部５１とを有している。検
出穴４９は多角形の他に、円形、楕円形等任意である。
検出穴４９の磁気抵抗素子４２配置側には、検出穴４９
の軸方向に延在した開口部４９ａが設けられている。検
出穴４９と部品収容部５１の境界部分には、回路基板４
５を挿入するためのガイド用凹部５２が設けられてい
る。部品収容部５１の検出穴４９側とは反対の側には段
差部５３が形成され、この段差部５３に設けた凹部５３
ａに磁石５４が嵌め込まれている。

【００３４】部品４２，４４を搭載した回路基板４５
は、その両端部をガイド用凹部５２に挿入することによ
り、検出穴４９の軸方向（言い換えると、鋼球６５の通
過方向Ｋ）に対して平行になるように、検出穴４９に接
して配置される。回路基板４５の磁気抵抗素子４２を実
装した面とは反対側の面は検出穴４９の開口部４９ａに
露出し、検出穴４９の内壁部の一部として兼用される。
磁気抵抗素子４２は回路基板４５と磁石５４の間に配置
され、磁気抵抗素子４２の感磁部５６の長手方向は、検
出穴４９の軸方向に対して平行である。磁石５４は、磁
気抵抗素子４２に対向している。さらに、回路基板４５
の回路パターンには、電気信号取出し用リード端子４６
ａ，４６ｂが電気的に接続されている。

【００３５】以上の構成からなる鋼球検出センサ４１
は、前記第１実施形態の磁気センサ１１と同様の作用効
果を奏することができる。さらに、この鋼球センサ４１
は、固定抵抗４３や増幅用トランジスタ４４を内蔵し、
図４に示した電気回路を有しているので、全体として鋼
球検出センサ装置を小型化できる。

【００３６】［第３実施形態、図１１〜図１４参照］第
３実施形態の磁気センサは、磁気抵抗素子を２個備えた
ものについて説明する。この磁気センサは温度特性の略
等しい磁気抵抗素子を２個用いることにより、出力信号
の温度変化を小さくすることができる。

【００３７】図１１に示すように、磁気センサ７１は、
２個の磁気抵抗素子１２Ａ，１２Ｂ、磁気抵抗素子１２
Ａ，１２Ｂにバイアス磁界を印加する磁石７３、部品１
２Ａ，１２Ｂ，７３を搭載するための回路基板７４及び
非磁性保護ケース７６等にて構成されている。磁気抵抗
素子１２Ａ，１２Ｂは、図３に示した磁気抵抗素子１２
と同様のものであり、詳細な説明は省略する。なお、図
１１において、リード端子は省略されている。

【００３８】図１２に示すように、磁気抵抗素子１２
Ａ，１２Ｂは所定の間隔で並べられると共に、検出対象
物の通過方向Ｋに対して感磁部２３の長手方向が平行に
なるように配置されている。図１３は、磁気センサ７１
の電気回路図である。この回路において、磁気抵抗素子
１２Ａ，１２Ｂの抵抗値をそれぞれＲ₁，Ｒ₂、電源用リ
ード端子８５に入力される電圧をＶｄとすると、出力用
リード端子８６とグランド用リード端子８７との間に発
生する出力電圧Ｖｏは以下の（１）式にて表示される。Ｖｏ＝｛Ｒ₁／（Ｒ₁＋Ｒ₂）｝×Ｖｄ…（１）

【００３９】検出対象物が、磁気抵抗素子１２Ａ，１２
Ｂから離れた位置にあるときは、両素子１２Ａ，１２Ｂ
にバイアスする磁石７３の磁場は等しい。従って、両素
子１２Ａ，１２Ｂの抵抗値はＲ₁＝Ｒ₂＝Ｒ₀となり、前
記（１）式より出力電圧Ｖｏ₁は以下の（２）式とな
る。Ｖｏ₁＝［（１＋Ｐ）Ｒ₀／｛（１＋Ｐ）Ｒ₀＋（１＋Ｐ）Ｒ₀｝］×Ｖｄ＝Ｖｄ／２…（２）（ただし、Ｐは感度）

【００４０】検出対象物が矢印Ｋの方向から磁気抵抗素
子１２Ａ，１２Ｂに近づくと、まず、最初に検出対象物
に対向する磁気抵抗素子１２Ａへの磁場集中が起きるの
で、その素子１２Ａの抵抗値が大きくなり、素子１２Ｂ
の抵抗値が小さくなる。検出対象物が移動するに従っ
て、検出対象物が対向する磁気抵抗素子は、素子１２Ａ
から素子１２Ｂへと順次変わるので、出力用リード端子
８６の出力信号は図１４に示すように、一つの谷と一つ
の山の連続した信号波形となる。

【００４１】以上の構成からなる磁気センサ７１は、前
記第１実施形態の磁気センサ１１と同様の作用効果を奏
することができる。

【００４２】［他の実施形態］なお、本発明に係る磁気
センサは前記実施形態に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、磁
気抵抗素子は半導体磁気抵抗素子や強磁性薄膜を用いて
構成してもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、磁気抵抗素子の感磁部の長手方向を、検出対象
物の通過方向に対して略平行に配置したので、磁気セン
サの磁気検知距離が長くなる。従って、磁気センサから
の出力波形の幅が従来より広くなり、通過信号による波
形とノイズによる瞬時波形との区別がつき易くなる。こ
の結果、通過信号による波形の処理を正確に行なうこと
ができ、特別なノイズ処理回路を設けなくても、誤動作
しない磁気センサを得ることができる。

【００４４】また、磁気抵抗素子の感磁部の短辺方向の
長さを、略球形状の検出対象物の直径より短くすること
により、検出対象物が通過する際、感磁部の短辺方向の
全体に渡って磁束を集中させることができ、感磁部全体
としての感度を大きくすることができる。また、磁気抵
抗素子のサイズも小さくできる。

【００４５】また、磁気抵抗素子に磁性体基板を使用す
ることにより、磁石のバイアス磁界が磁性体基板に集中
し、磁気抵抗素子の感度を向上させることができる。さ
らに、磁性体基板の形状と感磁部の形状とを略相似形に
設定することにより、感磁部に印加されるバイアス磁界
の強度を均一にし易くなり、安定した検出が可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気センサの第１実施形態を示す
外観斜視図。

【図２】図１に示した磁気センサの断面図。

【図３】図２に示した磁気抵抗素子の配置と検出対象物
の通過方向との関係を示す斜視図。

【図４】図１に示した磁気センサを用いた電気回路図。

【図５】増幅用トランジスタの電流−電圧特性を示すグ
ラフ。

【図６】図４に示した電気回路の出力信号波形を示すグ
ラフ。

【図７】本発明に係る磁気センサの第２実施形態を示す
平面図。

【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面図。

【図９】図７に示した磁気抵抗素子の配置と検出対象物
の通過方向との関係を示す斜視図。

【図１０】図９に示した磁気抵抗素子の変形例を示す斜
視図。

【図１１】本発明に係る磁気センサの第３実施形態を示
す断面図。

【図１２】図１１に示した磁気抵抗素子の配置と検出対
象物の通過方向との関係を示す説明図。

【図１３】図１１に示した磁気センサの電気回路図。

【図１４】図１１に示した磁気センサの出力信号波形を
示すグラフ。

【図１５】従来の磁気抵抗素子の配置と検出対象物の通
過方向との関係を示す斜視図。

【符号の説明】

１１，７１…磁気センサ１２，１２Ａ，１２Ｂ…磁気抵抗素子１３，７３…磁石２３…感磁部４１…鋼球センサ４２，４２Ａ…磁気抵抗素子５４…磁石５６…感磁部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤友春京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 2F063 AA02 AA35 CA08 DA05 EA02 EA03 GA52 2G017 AA00 AB07 AC09 AD55 AD59 AD61 AD65 BA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加する磁石とを備
え、前記磁気抵抗素子の感磁部の長手方向を、検出対象物の
通過方向に対して略平行に配置したこと、を特徴とする磁気センサ。
【請求項２】前記磁気抵抗素子の感磁部の短辺方向の
長さが、略球形状の前記検出対象物の直径より短いこと
を特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】前記磁気抵抗素子が磁性体基板と該磁性
体基板上に設けた前記感磁部とを有し、前記磁性体基板
の形状が前記感磁部の略相似形であることを特徴とする
請求項１記載の磁気センサ。