JP2000292821A - 単一光子発生装置 - Google Patents
単一光子発生装置Info
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Abstract
発生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源、アイ
ドラー光子の光子の入射を検出する光子検出器、クロッ
ク発生器、そのクロックによって規定される一定時間内
に特定の回数を下回る回数のみゲート装置を開閉するた
めの信号を生成するゲート装置制御部、ゲート装置制御
部からの信号に応じて開閉するゲート装置を備えた。
Description
報を載せることで盗聴者の発見を可能にする伝送システ
ムである量子暗号通信システムなどに用いる光源に関す
るものである。
つに情報を載せることで、量子力学的な原理により盗聴
者の発見を可能にする。しかし、もし同じ情報を2つ以
上の光子に載せてしまえば、盗聴者によってそれらの光
子の一部を利用され、盗聴者の存在を検出できない可能
性がある。このように、理想的には最大でも1つの光子
しか含まないパルスを利用する必要がある。このような
パルスとしては、1パルスあたりの光子の平均数μを約
0.1になるように、レーザー光源からの光を減衰器に
よって減衰することが一般に行われている。このように
することで、2つ以上の光子がパルス中に含まれる確率
を減少できるが、しかしパルス中に1つの光子が含まれ
ている確率も0.1程度に減少することになる。つま
り、μ=0.1の場合、10回に1度程度しか、実際に
伝送が行われないことになる。
例として、特表平8−505019号公報の、「量子暗
号を使用したキー分配システムおよび方法」に記載され
ているものについて、図9を用いて説明する。図9にお
いて、9は非線型光学結晶5をポンプするためのポンプ
光を発生するレーザーである。非線型光学結晶11で
は、ポンプ光の光子一つが確率的に2つの光子に発生す
るパラメトリック蛍光対が発生する。そのうちの一つの
光子(ここでは、アイドラー光子と呼ぶ)は、光検出器
およびゲートコントロール装置49により検出され、検
出した場合はもう一方の光子(シグナル光子と呼ぶ)が
通過するようにゲート装置4を開く。
おいては、次のような問題があった。
応時間内に光子対が2つ発生していた場合には、ゲート
操作によって、2つのシグナル光子が射出され、パルス
内に2つの光子が存在する場合がある、という欠陥があ
った。
内部での光子発生のタイミングを制御することはできな
かった。
子を検出していないにもかかわらずパルスを出力するい
わゆる「ダークカウントパルス」を発生した場合、射出
光子が存在しないような空の光パルスを出力することに
なり、効率が悪かった。
ためになされたもので、パルス内にただ1つの光子を発
生させることを目的とする。
る空の光パルスの発生を低減させることを目的とする。
定のタイミングで発生させることを目的とする。
発生装置は、シグナル光子とアイドラー光子からなる発
生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源と、アイ
ドラー光子の光子の入射を検出する光子検出器と、クロ
ック発生器と、そのクロックによって規定される一定時
間内に特定の回数を下回る回数のみゲート装置を開閉す
るための信号を生成するゲート装置制御部、ゲート装置
制御部からの信号に応じて開閉するゲート装置を備えた
ものである。
なる発生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源
と、アイドラー光子の光子の入射を検出する光子検出器
と、クロック発生器と、そのクロックによって規定され
る一定時間内の最初の光子検出器からの信号に対しての
みゲート装置を開閉するための信号を生成するゲート装
置制御部と、ゲート装置制御部からの信号に応じて開閉
するゲート装置を備えたものである。
として、ポンプ光と、非線型光学媒質の光学軸のなす角
度が、そのチューニングカーブがある特定の単一波長a
に対応する直線に接するような角度に設定された非線型
光学結晶を設けたものである。
として、ポンプ光と、非線型光学媒質の光学軸のなす角
度が、そのチューニングカーブがある特定の波長a、b
に対応する直線に接するような角度に設定された非線型
光学結晶を備えたものである。
として、導波路型の非線型光学媒質を備えることを備え
たものである。
として、擬似位相整合型非線型光学媒質を備えたもので
ある。
ート装置として複数のシャッターを備えたものである。
を、その光子の射出を制御するゲート装置に到達させる
光ファイバーを備えたものである。
子の入射を光子検出器によって検出し、クロック発生器
からのクロックによって規定される一定時間内に特定の
回数を下回る回数のみシグナル光子の射出を制御するゲ
ート装置を開閉する。
検出器によって検出し、クロック発生器からのクロック
によって規定される一定時間内の最初の光子検出器から
の信号に対してのみシグナル光子の射出を制御するゲー
ト装置を開閉する。
させ、非線型光学媒質によって発生する発生時刻に相関
をもつ光子対をアイドラ光子とシグナル光子として用い
る。
の設置に当たり、ポンプ光と、非線型光学媒質の光学軸
のなす角度を、そのチューニングカーブがある特定の単
一波長aに対応する直線に接するような角度に設定す
る。
の設置に当たり、ポンプ光と、非線型光学媒質の光学軸
のなす角度が、そのチューニングカーブがある特定の波
長a、bに対応する直線に接するような角度に設定す
る。
質に入射する。
学媒質に入射する。
ッターからなるゲート装置によって制御する。
を、光ファイバーを用いてその光子の射出を制御するゲ
ート装置に到達させる。
一実施の形態の全体構成図である。図1において、1は
発生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源、2は
アイドラー光子5を検出する光子検出器、3は光子検出
器から発生するシグナルパルスを微分する微分回路、8
は微分回路3からの信号およびクロック発生部7からの
制御クロックに対応してゲート装置4を制御するゲート
装置制御部である。
す。この実施の形態では、クロック内の特定のタイミン
グで、単一光子のみが含まれるような光パルスを効率よ
く発生させるものである。
は非線型光学媒質11をポンプするポンプ光10の光源
である。非線型光学媒質11では、ダウンコンバージョ
ンによってポンプ光10の波長λの2倍の波長2λをも
つアイドラー光子5とシグナル光子6が発生する。本実
施の形態では、ポンプ光源9として351.1nmの波
長をもつアルゴンレーザーを用いている。このとき、ア
イドラー光子5とシグナル光子6は、互いに発生する光
子のエネルギーの和が、351.1nmの波長の光子の
エネルギーに等しい対、つまりそれぞれ702.2nm
の波長の光子としてそれぞれ発生する。
生装置」に詳しく記載されているように、非線形光学媒
質11の光学軸を、ポンプ光10に対してある特定の角
度に設定することにより、発生するアイドラ光子5とシ
グナル光子6を、ビーム状に、かつ、高効率で発生させ
ることが可能である。図3に、β−Barium−Bo
ron−Oxcide(BBO)結晶の光学軸が、ポン
プ光に対して50.4度の角度に設定されている場合の
チューニングカーブを示す。図3において、横軸は発生
している光子の波長を、縦軸は、ポンプ光の入射方向に
対する光子の出射方向を示している。図に見られるよう
に2つのチューニングカーブが波長702.2nmに対
応する直線に接している。この条件においては、それぞ
れ波長702.2nmの蛍光対がそれぞれプラス3度と
マイナス3度の方向にビーム状に射出される。このよう
な非線型光学媒質を用いることにより、ポンプ光の入射
パワーに対して効率よく光子対を発生し、結果として同
等のレートで単一光子を発生する場合に、装置の消費電
力を低く押さえることができている。
集光され、波長λの光子を選択的に透過するフィルタ1
7を通して光子数検出器2に集光される。
光子検出器2として、SEIKO EG&G社製のSP
CM−AQを用いた。この光子検出器は、受光素子とし
てアバランシェフォトダイオード(APD)をアクティ
ブクエンチングのガイガーモードで駆動したものであ
る。APDは、ある一定電圧(ブレークダウン電圧)以
上の電圧を印可すると、単一の光子が入射しただけで
も、それにより誘起された内部キャリアが印加電圧によ
って加速され他のキャリアを励起する過程が終わること
なく繰り返されるブレークダウン状態になる。このまま
では次の光子の入射を検出することができない。クエン
チングとは、光子の入射によってブレークダウン状態の
発生を検出した場合、APDへの印加電圧をブレークダ
ウン電圧以下に下げてブレークダウン状態を終了させ、
次の光子の入射を検出できるようにすることである。電
圧供給部分に、単に直列抵抗などの受動素子を挿入して
そのような効果を持たせた場合をパッシブクエンチング
と呼び、増幅器等を用いてそのような制御を能動的に行
う場合をアクティブクエンチングと呼ぶ。SPCM−A
Qでは、光子が入射してから次の光子が検出できるよう
になるまでの時間である検出器の不感時間(dead
time)は100ns程度、出力パルス幅は9ns程
度である。もちろん、パッシブクエンチングの光子検出
器を用いることも可能である。
子検出器2に入射した場合の、ゲート装置4の制御のた
めの、微分回路3、クロック発生部7、およびゲート装
置制御部8の動作について、図4を用いて説明する。図
4において、18はクロック発生部から出力されるクロ
ックパルス、19はアイドラ光子5の光子検出器2への
入射時刻を示すグラフ、20は検出器2から出力される
シグナルパルスの様子を示すグラフ、21は微分回路か
らの出力信号を示すグラフ、22はゲート装置制御部か
らの出力信号等を示すグラフである。
クパルスが立ち上がってから一定時間τの間に、光子が
1つだけ含まれるような光パルスを出力し、それ以外の
時間は光子を出力しないような動作が実現されている。
確率が十分高くなるように設定する。つまり、アイドラ
光子の発生光子数を毎秒N個とした場合、N>1/τと
なるように設定する。
子の入射に伴い、20に見られるようなシグナルパルス
列が検出器2から出力される。たとえば光子の入射が時
刻23に起こった場合、それに応じて検出器2からはパ
ルス25が出力されるが、その直後の時刻24に入射し
た光子に対しては、パルスは発生しない。発生したパル
ス25は、微分回路を経て26のような微分信号に変換
される。ゲート装置制御部をトリガする信号としては、
光子検出器からの出力パルス25を直接用いることも可
能ではあるが、このような微分信号26をトリガとして
用いることにより、シグナルパルス25の形状の揺らぎ
による光子検出時刻の揺らぎを抑えることができる。
18の立ち上がり後、最初の微分信号26のトリガのみ
に応じて、短い時間δだけゲート装置4を開放する制御
信号27が生成される。アイドラー光子5に対応したシ
グナル光子6のゲート装置4での透過時刻は、グラフ2
2で点線および実線の棒で示されている。アイドラ光子
5によるシグナルパルス20は、電子回路の信号処理時
間だけ遅れているので、シグナル光子6も遅延手段によ
って同じ時間だけ遅延させるが、図4ではこれを省略し
て示している。ゲート装置4では、シグナル光子28は
透過できるが、ゲート装置の開放時間δを短くすること
により、引き続くシグナル光子29、およびそのクロッ
ク内のその他のシグナル光子の射出を抑制することがで
きる。次のクロックでは、同様にシグナル光子30が射
出される。
て集光され、波長2λの光子を選択的に透過するフィル
タ16を通しながら、光ファイバ10へと集光される。
14は、光ファイバ12へシグナル光6を効率的に入射
するための、微動装置である。
置4へ伝達するのに、図4を用いて説明したような信号
処理に要する時間だけ必要となるように設定される。も
ちろん、その時間の微調整は、光ファイバ12の長さの
調整でも、またゲート装置制御部8等に設けられた信号
遅延器によっても可能である。
が立ち上がってから一定時間τの間に、光子が1つだけ
含まれるような光パルスを出力し、それ以外の時間は光
子を出力しないような単一光子源を実現した。
8、シグナルパルス25、制御信号27や微分信号26
を外部へ出力することは大変に有用である。クロック信
号18は、量子暗号通信システムの全システムを制御す
る信号として使用することができる。また、クロック発
生部7を外部から供給されるクロックによりまかなう、
もしくは同期させることも可能である。
の受信者は、シグナルパルス25や微分信号26を用い
てゲート装置4の開放時間δを短かくすることにより、
信号光子をその他のノイズ信号から分離して受信するこ
とが可能になる。
感時間以下とすることによりクロック開始から1つ目の
光子のみを透過させたが、時間τでの設定に、クロック
18でセットされ、出力パルス数があらかじめ設定した
数Nに達したときにリセットされるプリセットカウンタ
を用いれば、クロック内でN個の光子を出力するように
することも可能である。この場合、一定時間にN個の光
子が含まれるような状態を生成することができる。
W光)を、ポンプ光10として用いたが、パルス光をポ
ンプ光として用いることも可能である。また、非線型光
学媒質11の前後にポンプ光を反射する鏡を設置しキャ
ビティを構成することにより、より効率的にアイドラ光
子5およびシグナル光子6を発生させることももちろん
可能である。
エンチング制御のAPDを用いたが、一定時間だけブレ
ークダウンを越える電圧をAPDに印加することも可能
である。この場合の制御の様子を図5を用いて説明す
る。図5において、31はAPDに加えられる印加電圧
の時間変化を示すグラフ、32はAPDからのシグナル
パルスを示すグラフ、33は微分回路3から出力される
微分信号を示すグラフである。
ングについて説明した部分で述べたように、APDにブ
レークダウン電圧よりも高い電圧が印加された場合、一
光子の入射に対して無限大の増倍率をもち、APDの出
力は飽和したブレークダウン状態になる。この実施の形
態では、このAPDへの印加電圧を、クロック18に応
じて制御する。
時間τ程度の間だけ、印加電圧をブレークダウン電圧よ
り高い状態(34)にする。その間、光子が入射すると
同時にAPDはブレークダウン状態になり出力は飽和
し、その状態は印加電圧がブレークダウン電圧より低く
なるまで持続する。このため、APDからは35のよう
な出力パルスが得られる。その微分信号36の立ち上が
りによりゲート装置制御部8をトリガし、単一光子を切
り出すことが可能になる。
いる場合、その不感時間やパルス長さはクエンチングに
使用する回路による制限から、短くすることは困難であ
り、1クロック時間が検出器の不感時間やパルス長さ程
度が限界であったが、この方法では、それよりも短いク
ロック時間を実現することが可能である。
702.2nmであったが、この波長は適切な非線型光
学媒質を選択することにより任意に変えることができ
る。たとえば、光ファイバーを用いた通信に一般に用い
られている、1550nm付近、1310nm付近、ま
た800nm付近の波長を発生させることも可能であ
る。
生方法は、波長が等しく角度の広がりの小さい光子対ビ
ームを得るのに適した方法であるが、別の目的に対して
は、BBO結晶の光学軸方向を変えることにより、波長
の異なる光子対を得ることもできる。この場合には、図
3の2つのチューニングカーブはそれぞれ異なる波長に
対応する直線に接する。この場合にも、光子の取り出し
方向は、図3に示したチューニングカーブの放物線の頂
点に相当する角度で取り出す。この条件によれば、一般
に円錐状に広がる光子が一本のビームにまとまり、分布
密度の高い光子ビームが得られる。
しては、図2において、ポンプ光源7として半導体励起
Yagレーザーのアップコンバージョンレーザーを用い
て532nmのポンプ光8を発生させ、シグナル光子6
として1310nmの光子を、アイドラー光子5として
896nmの光子を発生させる装置がある。このとき、
特願平9ー353078の「光子ビーム発生装置」に詳
しく記載されているように、非線型光学媒質の光学軸の
なす角度を、そのチューニングカーブがそれぞれ131
0nmと896nmで接するような角度に設定し、光子
対の発生効率を高めている。また、このようにアイドラ
ー光子の波長を可視光の波長に近い近赤外域に設定する
ことにより、光子数検出器2の量子効率が高い状態で光
子数の検出が可能になっている。
の伝送損失の小さい1310nm付近の光子を、クロッ
クパルスが立ち上ってから一定時間τ以内に2光子が密
集して存在しないようにして発生させることが可能にな
った。また、本実施の形態においては、結晶の角度を上
記のように設定することにより効率よく光子対を発生さ
せることが可能になり、また、アイドラー光子の光子数
の高い検出効率を維持することが可能になっており、結
果として装置の消費電力を減少することができた。
形態において、9は導波路型非線型光学媒質38をポン
プするポンプ光源、37はポンプ光をファイバー中を導
波させる光ファイバ、39は導波路型非線型光学媒質3
8から発生した蛍光対とポンプ光とを分別する導波路型
フィルタ、40はポンプ光の射出口、41は蛍光対を2
つの分岐に分別する導波路型フィルタである。
対は導波路型非線型光学媒質38において発生する。蛍
光対は、それぞれ縦、横の偏光を持っており、偏光ビー
ムスプリッターとして動作する導波路型フィルタ41に
おいて、そのうちの一方の偏光をもつものが光子数検出
器2へ、もう一方が光ファイバ12へと伝達される。
ことが可能になり、また、光学的アライメントが不要に
なった。
媒質38として、疑似位相整合型非線型光学媒質を用い
る。日本物理学会講演概要集第53巻第2号第2分冊3
41ページの佐中らによる「光導波路型非線型素子によ
る2光子相関現象I」によって述べられているように、
擬似位相整合型の導波路型非線型媒質では、使用するポ
ンプ光と発生する光子が平行に発生するような条件を満
たすような非線型性を、擬似位相整合により得ることが
可能になる。
任意に選択することが可能になった。
ンプ光源9としては、パルス光源およびCW光源を用い
るこが可能である。また、導波型非線型光学媒質38の
前後にポンプ光を反射する鏡を設置しキャビティを構成
することにより、より効率的にアイドラ光子およびシグ
ナル光子を発生させることももちろん可能である。
にシャッターを2つ備えたものを図7に示す。図7にお
いて、10はシグナル光子のゲート装置への到達時刻を
遅延させるための光ファイバ、43、45は電気光学素
子、42、44、46は偏光板、47はノットゲート、
48は遅延器、8はコントロール装置である。このと
き、偏光板44および46は、偏光板42を通過した光
の偏光に対して最大の透過率を持ち、それと直交する偏
光をもつ光は透過しないように設定する。また、電気光
学素子43と45は、与えられる制御信号の論理が1で
あれば偏光を90度回転し、0であれば偏光を回転しな
いものとする。偏光板の対と、それらに挟まれた偏光を
回転させる電気光学素子によって、シャッターを構成す
ることが可能であるが、この実施の形態においては偏光
板44が、それら2つのシャッターで共用されている形
である。
いる間のみ開の状態を保ち、それ以外の間は閉であるこ
とが望ましい。しかし、その応答時間の短さが特徴であ
る電気光学素子でも、単体では、そのゲート時間はその
電気光学素子の繰り返し応答時間によって規定される時
間以下には設定できなかった。この実施の形態は、ゲー
ト装置を2つ備えることにより、ゲート装置の繰り返し
応答時間より短時間でのゲート操作を実現した。
明する。図8において、横軸は時間を表す。一番上のグ
ラフは、ゲート操作部に目標とする光子数の状態が到達
している確率を、グラフAは、図7のA点での信号を、
グラフBは同様に図7のB点での信号の状態を表す。A
はコントロール装置からの制御信号そのものと考えてよ
い。電気光学素子45は偏光子44、46との組み合わ
せにより論理0が入力されているときは光子を透過さ
せ、また論理1が入力されているときは光子を遮蔽す
る。
の組み合わせにより同様に働く。
ように、コントロール装置からの制御信号は常時は1に
設定する。この場合、電気光学素子45によって、ゲー
ト装置としては光子を透過させない。このとき、電気光
学素子43には、ノットゲート47によって論理0が入
力されており、光子を透過させる。
ト操作部に到達すると予測される直前の時刻T1に電気
光学素子45が開になるように、出力の論理を1から0
に変化させる。このとき、遅延器48の働きにより、電
気光学素子43は論理0のままである。このとき、光子
はゲート装置を透過可能になっている。この状態は遅延
器によって設定された時間の間継続する。その遅延の
後、T2において電気光学素子への論理が1にフリップ
し、電気光学素子43によって構成されるシャッターを
光子は透過できなくなる。時刻T3で、制御信号は再び
0から1へと変化し、電気光学素子45は閉の状態に遷
移し、T4で初期状態に戻る。
だけゲート装置を開くことが可能になり、必要な光子の
みを選択的に射出することが可能になった。
用いてシャッターを構成したが、もちろんその他のシャ
ッターを用いることもできる。たとえば、光光スイッチ
を用いれば、より高速なシャッター動作を実現できる。
また、音響光学素子を用いた場合、その繰り返し速度よ
り高速なシャッターを安価に構築できる。機械式シャッ
ターを用いることも可能である。
発生装置は、シグナル光子とアイドラー光子からなる発
生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源、アイド
ラー光子の光子の入射を検出する光子検出器、クロック
発生器、そのクロックによって規定される一定時間内に
特定の回数を下回る回数のみゲート装置を開閉するため
の信号を生成するゲート装置制御部、ゲート装置制御部
からの信号に応じて開閉するゲート装置を備えているの
で、クロックパルスが立上ってから一定時間内に特定の
数を下回る数の光子を発生することができる。
生装置は、シグナル光子とアイドラー光子からなる発生
時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源、アイドラ
ー光子の光子の入射を検出する光子検出器、クロック発
生器、そのクロックによって規定される一定時間内の最
初の光子検出器からの信号に対してのみゲート装置を開
閉するための信号を生成するゲート装置制御部、ゲート
装置制御部からの信号に応じて開閉するゲート装置を備
えているので、クロックパルスが立上ってから一定時間
内に1個のみの光子を発生することができる。
生装置は、第1、第2のいずれかの構成において、前記
光子対源として、ポンプ光光源と、前記ポンプ光が入射
する非線型光学媒質を備えているので、クロックパルス
が立上ってから一定時間内に特定の数を下回る数の光子
または1個のみの光子を効率よく発生させることができ
る。
生装置は、第3の構成において、前記ポンプ光が入射す
る非線型光学媒質として、ポンプ光と、非線型光学媒質
の光学軸のなす角度が、そのチューニングカーブがある
特定の単一波長aに対応する直線に接するような角度に
設定された非線型光学結晶を備えているので、特定の単
一波長の光子対を効率よく発生させることができる。
生装置は、第3の構成において、前記ポンプ光が入射す
る非線型光学媒質として、ポンプ光と、非線型光学媒質
の光学軸のなす角度が、そのチューニングカーブがある
特定の波長a、bに対応する直線に接するような角度に
設定された非線型光学結晶を備えているので、特定の2
つの波長の光子対を効率よく発生することができる。
生装置は、第3の構成において、前記ポンプ光が入射す
る非線型光学媒質として、導波路型の非線型光学媒質を
備えているので、光学的な調整が不要な小型の単一光子
発生装置が実現できる。
生装置は、第3〜6のいずれかの構成において、前記ポ
ンプ光が入射する非線型光学媒質として、擬似位相整合
型非線型光学媒質を備えているので、ポンプ光と平行な
方向に光子対を発生させることができる。
生装置は、第1〜7のいずれかの構成において、前記シ
グナル光子の射出を制御するゲート装置として、シャッ
ターを複数備えているので、シャッターの開閉時間より
短かい時間で開閉するゲートを実現できる。
生装置は、第1〜8のいずれかの構成において、前記光
子対から発生したシグナル光子を、その光子の射出を制
御するゲート装置に到達させる光ファイバーを備えてい
るので、ゲートの開閉時刻とゲートへのシグナル光子の
到達時刻を一致させることができる。
る。
角度の関係を示す図である。
めの図である。
めの図である。
る。
置部の構成図である。
置部の動作を説明するための図である。
ート装置、5 アイドラー光子、6 シグナル光子、7
クロック発生部、8 ゲート装置制御部、9 ポンプ
光光源、10 ポンプ光、11 非線型光学媒質、1
2,13,37 光ファイバ、14 微動装置、15
レンズ、16,17,39,41 フィルタ、18 ク
ロックパルス、19 アイドラ光子の検出器への入射時
刻、20,32 シグナルパルス、21 微分回路から
の出力信号、22 ゲート装置制御部からの出力信号、
23,24 アイドラ光子入射時刻、25 パルス、2
6,33,36 微分信号、27 制御信号、28,2
9,30 シグナル光子ゲート通過時刻、31 印加電
圧の時間変化、34 ブレークダウン電圧より高い状
態、35 APD出力信号、38 導波路型非線型光学
媒質、40 ポンプ光射出口、42,44,46 偏光
板、43,45 電気光学素子、47 ノットゲート、
48 遅延器、49 光検出器およびゲートコントロー
ル装置。
Claims (9)
- 【請求項1】 シグナル光子とアイドラー光子からなる
発生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源、アイ
ドラー光子の光子の入射を検出する光子検出器、クロッ
ク発生器、そのクロックによって規定される一定時間内
に特定の回数を下回る回数のみゲート装置を開閉するた
めの信号を生成するゲート装置制御部、ゲート装置制御
部からの信号に応じて開閉するゲート装置を備えること
を特徴とする単一光子発生装置。 - 【請求項2】 シグナル光子とアイドラー光子からなる
発生時刻に相関をもつ光子対を発生する光子対源、アイ
ドラー光子の光子の入射を検出する光子検出器、クロッ
ク発生器、そのクロックによって規定される一定時間内
の最初の光子検出器からの信号に対してのみゲート装置
を開閉するための信号を生成するゲート装置制御部、ゲ
ート装置制御部からの信号に応じて開閉するゲート装置
を備えることを特徴とする単一光子発生装置。 - 【請求項3】 前記光子対源として、ポンプ光光源と、
前記ポンプ光が入射する非線型光学媒質を備えることを
特徴とする、請求項1または2記載の単一光子発生装
置。 - 【請求項4】 前記ポンプ光が入射する非線型光学媒質
として、ポンプ光と、非線型光学媒質の光学軸のなす角
度が、そのチューニングカーブがある特定の単一波長a
に対応する直線に接するような角度に設定された非線型
光学結晶を備えることを特徴とする、請求項3記載の単
一光子発生装置。 - 【請求項5】 前記ポンプ光が入射する非線型光学媒質
として、ポンプ光と、非線型光学媒質の光学軸のなす角
度が、そのチューニングカーブがある特定の波長a、b
に対応する直線に接するような角度に設定された非線型
光学結晶を備えることを特徴とする、請求項3記載の単
一光子発生装置。 - 【請求項6】 前記ポンプ光が入射する非線型光学媒質
として、導波路型の非線型光学媒質を備えることを特徴
とする、請求項3記載の単一光子発生装置。 - 【請求項7】 前記ポンプ光が入射する非線型光学媒質
として、擬似位相整合型非線型光学媒質を備えることを
特徴とする、請求項3から6のいずれかに記載の単一光
子発生装置。 - 【請求項8】 前記シグナル光子の射出を制御するゲー
ト装置として、シャッターを複数備えることを特徴とす
る、請求項1から7のいずれかに記載の単一光子発生装
置。 - 【請求項9】 前記光子対から発生したシグナル光子
を、その光子の射出を制御するゲート装置に到達させる
光ファイバーを備えることを特徴とする、請求項1から
8のいずれかに記載の単一光子発生装置。
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