JP2000292938A - レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスク - Google Patents
レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスクInfo
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特にハロゲン化アルキルスチレン系レジスト
を使用する場合に問題となる現像時の膨潤を抑制可能
な、レジストパターン現像液とレジストパターン形成方
法を提供する。 【解決手段】 使用するハロゲン化アルキルスチレン系
レジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とさ
れる溶媒との混合物を現像液とする。良溶媒としては溶
解性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上１
１（ｃａｌ／ｃｍ 3 ）1/2 未満のものを、また貧溶媒と
しては溶解性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）
1/2 未満又は１１（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上のものを
使用することができる。
を使用する場合に問題となる現像時の膨潤を抑制可能
な、レジストパターン現像液とレジストパターン形成方
法を提供する。 【解決手段】 使用するハロゲン化アルキルスチレン系
レジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とさ
れる溶媒との混合物を現像液とする。良溶媒としては溶
解性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上１
１（ｃａｌ／ｃｍ 3 ）1/2 未満のものを、また貧溶媒と
しては溶解性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）
1/2 未満又は１１（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上のものを
使用することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製品やプラ
ズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）などにおける各デバイスパターンを形成するのに
用いられる各種マスク、レチクルを含めたフォトマスク
に関する。より詳しく言えば、本発明は、そのようなフ
ォトマスクを製造するのに有用なレジストパターン現像
液とレジストパターン形成方法に関し、また、それらを
使用して製造されたフォトマスク製品に関する。
ズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）などにおける各デバイスパターンを形成するのに
用いられる各種マスク、レチクルを含めたフォトマスク
に関する。より詳しく言えば、本発明は、そのようなフ
ォトマスクを製造するのに有用なレジストパターン現像
液とレジストパターン形成方法に関し、また、それらを
使用して製造されたフォトマスク製品に関する。
【０００２】半導体装置を始めとして、ＰＤＰ、ＬＣＤ
等の製造においてはそれらのデバイスパターンの形成用
に各種のマスクやレチクルが使用されている。マスクと
は、露光装置でのパターンの形成に必要なパターン原画
や位置合わせマークを形成した基板のことであり、そし
てレチクルとは、集積回路（ＩＣ）の製造で用いられ
る、ＩＣチップ１個分のパターンを形成したマスクであ
って、そのパターンをステッパやフォトリピータにより
転写するのに用いられるもののことである。ここでは、
これらのマスクとレチクルを総称して、フォトマスクと
称することにするが、下記の説明は、簡潔のために、主
にマスクに関してなされる。
等の製造においてはそれらのデバイスパターンの形成用
に各種のマスクやレチクルが使用されている。マスクと
は、露光装置でのパターンの形成に必要なパターン原画
や位置合わせマークを形成した基板のことであり、そし
てレチクルとは、集積回路（ＩＣ）の製造で用いられ
る、ＩＣチップ１個分のパターンを形成したマスクであ
って、そのパターンをステッパやフォトリピータにより
転写するのに用いられるもののことである。ここでは、
これらのマスクとレチクルを総称して、フォトマスクと
称することにするが、下記の説明は、簡潔のために、主
にマスクに関してなされる。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置や、ＰＤＰ、ＬＣＤ等の表示
装置の製造では、様々なパターン形成工程が行われ、そ
のために各種のマスクが使用されている。これらのマス
クは、一般に、石英ガラス等の透明基板上にクロム等の
遮光膜を形成し、この遮光膜をレジストを用いたリソグ
ラフィ法（レジストの塗布、露光、現像によるレジスト
マスクパターンの形成と、このマスクパターンを利用し
た下層のエッチング、レジスト膜の剥離工程を経て、所
望の最終パターンを形成する手法）でパターン化して、
所定のマスクパターンとすることで製造されている。例
えば、レジストとしては微細パターンの形成に適した電
子線ネガ型レジストが用いられ、そしてそれにより形成
したレジスト膜のうちのマスクパターンとして残したい
部分をマスクパターンデータに従って電子線露光装置で
露光後に、レジスト樹脂に対して良溶媒（レジスト樹脂
の溶解性が高い溶媒）とされる溶媒を使用した現像を行
って、最終的なマスクパターンを形成しない部分のレジ
ストを除去し、残ったレジストパターンをマスクとして
エッチングにより遮光膜のパターン化がなされている。
このように、架橋型ネガレジストを用いてマスクパター
ンを形成する場合には、電子線照射により分子間に架橋
反応を起こし、照射部分のレジストを現像で除去されな
い状態とすることで、最終的なマスクパターン形成用の
ネガ型のレジストパターンを形成している。
装置の製造では、様々なパターン形成工程が行われ、そ
のために各種のマスクが使用されている。これらのマス
クは、一般に、石英ガラス等の透明基板上にクロム等の
遮光膜を形成し、この遮光膜をレジストを用いたリソグ
ラフィ法（レジストの塗布、露光、現像によるレジスト
マスクパターンの形成と、このマスクパターンを利用し
た下層のエッチング、レジスト膜の剥離工程を経て、所
望の最終パターンを形成する手法）でパターン化して、
所定のマスクパターンとすることで製造されている。例
えば、レジストとしては微細パターンの形成に適した電
子線ネガ型レジストが用いられ、そしてそれにより形成
したレジスト膜のうちのマスクパターンとして残したい
部分をマスクパターンデータに従って電子線露光装置で
露光後に、レジスト樹脂に対して良溶媒（レジスト樹脂
の溶解性が高い溶媒）とされる溶媒を使用した現像を行
って、最終的なマスクパターンを形成しない部分のレジ
ストを除去し、残ったレジストパターンをマスクとして
エッチングにより遮光膜のパターン化がなされている。
このように、架橋型ネガレジストを用いてマスクパター
ンを形成する場合には、電子線照射により分子間に架橋
反応を起こし、照射部分のレジストを現像で除去されな
い状態とすることで、最終的なマスクパターン形成用の
ネガ型のレジストパターンを形成している。
【０００４】電子線ネガ型レジストとして用いられるも
のに、ハロゲン化アルキルスチレン系レジストがあり、
その代表的なものに、クロロメチルスチレンとクロロス
チレンとの共重合体を基剤樹脂としたレジストがある。
このクロロメチルスチレンとクロロスチレンとの共重合
体レジストの場合、現像液としては、エチルセロソル
ブ、酢酸イソアミル、メチルイソブチルケトンなどの有
機溶剤が単独で用いられ、あるいはこれらの混合液が用
いられている。
のに、ハロゲン化アルキルスチレン系レジストがあり、
その代表的なものに、クロロメチルスチレンとクロロス
チレンとの共重合体を基剤樹脂としたレジストがある。
このクロロメチルスチレンとクロロスチレンとの共重合
体レジストの場合、現像液としては、エチルセロソル
ブ、酢酸イソアミル、メチルイソブチルケトンなどの有
機溶剤が単独で用いられ、あるいはこれらの混合液が用
いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年のマスクパターン
の形成は、高密度、微細化が著しく、これまで以上に高
精度化と高品質が求められている。
の形成は、高密度、微細化が著しく、これまで以上に高
精度化と高品質が求められている。
【０００６】最終的なマスクパターンの形成に先立つレ
ジストパターンの形成において使用する現像液には、前
述のようにレジスト樹脂に対して良溶媒とされるものが
使用されている。良溶媒の場合、レジスト樹脂への吸収
性がよく、従ってレジストの溶解性が高くなる。
ジストパターンの形成において使用する現像液には、前
述のようにレジスト樹脂に対して良溶媒とされるものが
使用されている。良溶媒の場合、レジスト樹脂への吸収
性がよく、従ってレジストの溶解性が高くなる。
【０００７】ところが、その吸収性のよさが、形成した
レジストパターンの膨潤という現象を発生させる原因と
なっている。ネガレジストの樹脂は、露光後の現像工程
において、露光された部分の樹脂が架橋反応を起こして
いるため、レジストが溶解されず、それによりネガ型レ
ジストパターンを形成する。この現像工程の際、レジス
トパターンを構成する溶解しない部分のレジスト樹脂
は、現像液を吸収し体積が増加する、一般的に膨潤と呼
ばれる現象を起こす。こうして膨潤したレジストパター
ンは、レジスト樹脂の分子粒径の均一性が悪化する。そ
の結果、部分的にレジストパターンの線幅が膨れて、そ
れを用いて形成したフォトマスクの最終的なマスクパタ
ーンの形状が悪化したり、寸法精度が悪化する原因とな
っている。
レジストパターンの膨潤という現象を発生させる原因と
なっている。ネガレジストの樹脂は、露光後の現像工程
において、露光された部分の樹脂が架橋反応を起こして
いるため、レジストが溶解されず、それによりネガ型レ
ジストパターンを形成する。この現像工程の際、レジス
トパターンを構成する溶解しない部分のレジスト樹脂
は、現像液を吸収し体積が増加する、一般的に膨潤と呼
ばれる現象を起こす。こうして膨潤したレジストパター
ンは、レジスト樹脂の分子粒径の均一性が悪化する。そ
の結果、部分的にレジストパターンの線幅が膨れて、そ
れを用いて形成したフォトマスクの最終的なマスクパタ
ーンの形状が悪化したり、寸法精度が悪化する原因とな
っている。
【０００８】よって、これまで以上に高精度化と高品質
が求められマスクパターンの形成のためには、現像時の
レジストの膨潤を抑える必要がある。
が求められマスクパターンの形成のためには、現像時の
レジストの膨潤を抑える必要がある。
【０００９】そこで、本発明は、特にハロゲン化アルキ
ルスチレン系レジストを使用する場合に問題となる現像
時の膨潤を抑制可能な、レジストパターン現像液とレジ
ストパターン形成方法の提供、及びそれらを利用して形
成した、パターン形状が良好で寸法精度に優れたフォト
マスクの提供を目的とするものである。
ルスチレン系レジストを使用する場合に問題となる現像
時の膨潤を抑制可能な、レジストパターン現像液とレジ
ストパターン形成方法の提供、及びそれらを利用して形
成した、パターン形状が良好で寸法精度に優れたフォト
マスクの提供を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストパター
ン現像液は、使用するハロゲン化アルキルスチレン系レ
ジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とされ
る溶媒との混合物であることを特徴とする。
ン現像液は、使用するハロゲン化アルキルスチレン系レ
ジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とされ
る溶媒との混合物であることを特徴とする。
【００１１】本発明のレジストパターン形成方法は、透
明基板上に形成した遮光膜を覆ってハロゲン化アルキル
スチレン系レジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光
及び現像によりパターン化して所定のレジストパターン
を形成する方法であって、レジスト膜の現像液として、
当該ハロゲン化アルキルスチレン系レジスト樹脂に対し
て良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とされる溶媒との混合物
を使用することを特徴とする。
明基板上に形成した遮光膜を覆ってハロゲン化アルキル
スチレン系レジスト膜を形成し、このレジスト膜を露光
及び現像によりパターン化して所定のレジストパターン
を形成する方法であって、レジスト膜の現像液として、
当該ハロゲン化アルキルスチレン系レジスト樹脂に対し
て良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とされる溶媒との混合物
を使用することを特徴とする。
【００１２】本発明のフォトマスクは、透明基板とその
上の所定パターンの遮光膜とを含み、この遮光膜のパタ
ーンが、ハロゲン化アルキルスチレン系樹脂を基剤樹脂
とするレジストを、当該レジスト樹脂に対して良溶媒と
される溶媒と貧溶媒とされる溶媒との混合物である現像
液を使用してパターン化することを含むフォトリソグラ
フィ法で形成されていることを特徴とする。
上の所定パターンの遮光膜とを含み、この遮光膜のパタ
ーンが、ハロゲン化アルキルスチレン系樹脂を基剤樹脂
とするレジストを、当該レジスト樹脂に対して良溶媒と
される溶媒と貧溶媒とされる溶媒との混合物である現像
液を使用してパターン化することを含むフォトリソグラ
フィ法で形成されていることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、マスクの最終的なマス
クパターンの形成に先立つレジスト膜のパターン化に用
いる現像液として、使用するレジスト樹脂に対して良溶
媒とされる溶媒と貧溶媒とされる溶媒との混合物である
ものを提供するものであり、現像液の溶媒による膨潤の
ために、形成したレジストパターンの形状の悪化や寸法
精度の悪化が問題となりやすいハロゲン化アルキルスチ
レン系レジストの現像に特に有用な現像液を提供するも
のである。ここで、「良溶媒」というのは、それを単独
で用いた場合にレジスト樹脂を十分溶解し、現像液とし
て使用可能である溶媒のことであり、「貧溶媒」という
のは、それを単独に用いた場合にレジスト樹脂を十分に
溶解することができず、現像液として使用するのに適さ
ない溶媒のことである。また、本発明にあっては良溶媒
として２種類以上の溶媒を使用しても、貧溶媒として２
種類以上のものを使用しても差し支えない。
クパターンの形成に先立つレジスト膜のパターン化に用
いる現像液として、使用するレジスト樹脂に対して良溶
媒とされる溶媒と貧溶媒とされる溶媒との混合物である
ものを提供するものであり、現像液の溶媒による膨潤の
ために、形成したレジストパターンの形状の悪化や寸法
精度の悪化が問題となりやすいハロゲン化アルキルスチ
レン系レジストの現像に特に有用な現像液を提供するも
のである。ここで、「良溶媒」というのは、それを単独
で用いた場合にレジスト樹脂を十分溶解し、現像液とし
て使用可能である溶媒のことであり、「貧溶媒」という
のは、それを単独に用いた場合にレジスト樹脂を十分に
溶解することができず、現像液として使用するのに適さ
ない溶媒のことである。また、本発明にあっては良溶媒
として２種類以上の溶媒を使用しても、貧溶媒として２
種類以上のものを使用しても差し支えない。
【００１４】ある溶媒が、使用するレジスト樹脂に対し
て良溶媒であるか貧溶媒であるかは、その溶媒に対する
レジスト樹脂の溶解性を調べることで実験的に簡単に決
定することができる。その一方、溶解性パラメーターを
使用すれば、特定の溶媒に対するレジスト樹脂の溶解性
の良否を判定することが可能であり、溶解性パラメータ
ー値がレジスト樹脂のそれ（本発明におけるハロゲン化
アルキルスチレン系レジストで用いられるスチレン樹脂
では９．０（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）に近い溶媒ほど、
レジスト樹脂を溶解しやすい。発明者らは、ハロゲン化
アルキルスチレン系レジスト樹脂について言えば、溶解
性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3）1/2 以上１１
（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 未満の溶媒は良溶媒、８（ｃａ
ｌ／ｃｍ 3 ）1/2 未満又は１１（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2
以上の溶媒は貧溶媒とみなすことができることをつきと
めた。従って、例えば、エチルセロソルブ（溶解性パラ
メーター１０．７（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）、酢酸イソ
アミル（同８．９（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）、メチルイ
ソブチルケトン（同８．５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2）な
どは、ハロゲン化アルキルスチレン系レジスト樹脂に対
して良溶媒であり、溶解性パラメーターが１１（ｃａｌ
／ｃｍ3 ）1/2 以上であるアルコール類等は貧溶媒と見
なすことができる。貧溶媒とされるアルコール類の代表
例は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）（溶解性パラ
メーター１１．５（ｃａｌ／ｃｍ3 ） 1/2 ）であり、こ
のほかにも例えばメタノール（同１４．５（ｃａｌ／ｃ
ｍ3 ） 1/2 ）、エタノール（同１２．７（ｃａｌ／ｃｍ
3 ）1/2 ）などを使用してもよい。また、貧溶媒とし
て、脂肪族である、ｎ−ヘキサン（同７．３（ｃａｌ／
ｃｍ3 ）1/2 ）、ｎ−ヘプタン（同７．５（ｃａｌ／ｃ
ｍ3 ）1/2 ）、エーテルである、ジエチルエーテル（同
７．４（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）、ジブチルエーテル
（同７．８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）等を用いてもよ
い。ここで、溶解性パラメーターとは、溶媒のモル蒸発
熱をモル体積で割って得られる商を１／２乗した値のこ
とであり、一般に、上記のように（ｃａｌ／ｃｍ3 ）
1/2 を単位として表される。以下の記載においては、簡
単のためにこの単位を表示せずに、この単位で表される
溶解性パラメーターの数値のみを示すことにする。
て良溶媒であるか貧溶媒であるかは、その溶媒に対する
レジスト樹脂の溶解性を調べることで実験的に簡単に決
定することができる。その一方、溶解性パラメーターを
使用すれば、特定の溶媒に対するレジスト樹脂の溶解性
の良否を判定することが可能であり、溶解性パラメータ
ー値がレジスト樹脂のそれ（本発明におけるハロゲン化
アルキルスチレン系レジストで用いられるスチレン樹脂
では９．０（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）に近い溶媒ほど、
レジスト樹脂を溶解しやすい。発明者らは、ハロゲン化
アルキルスチレン系レジスト樹脂について言えば、溶解
性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3）1/2 以上１１
（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 未満の溶媒は良溶媒、８（ｃａ
ｌ／ｃｍ 3 ）1/2 未満又は１１（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2
以上の溶媒は貧溶媒とみなすことができることをつきと
めた。従って、例えば、エチルセロソルブ（溶解性パラ
メーター１０．７（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）、酢酸イソ
アミル（同８．９（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）、メチルイ
ソブチルケトン（同８．５（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2）な
どは、ハロゲン化アルキルスチレン系レジスト樹脂に対
して良溶媒であり、溶解性パラメーターが１１（ｃａｌ
／ｃｍ3 ）1/2 以上であるアルコール類等は貧溶媒と見
なすことができる。貧溶媒とされるアルコール類の代表
例は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）（溶解性パラ
メーター１１．５（ｃａｌ／ｃｍ3 ） 1/2 ）であり、こ
のほかにも例えばメタノール（同１４．５（ｃａｌ／ｃ
ｍ3 ） 1/2 ）、エタノール（同１２．７（ｃａｌ／ｃｍ
3 ）1/2 ）などを使用してもよい。また、貧溶媒とし
て、脂肪族である、ｎ−ヘキサン（同７．３（ｃａｌ／
ｃｍ3 ）1/2 ）、ｎ−ヘプタン（同７．５（ｃａｌ／ｃ
ｍ3 ）1/2 ）、エーテルである、ジエチルエーテル（同
７．４（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）、ジブチルエーテル
（同７．８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 ）等を用いてもよ
い。ここで、溶解性パラメーターとは、溶媒のモル蒸発
熱をモル体積で割って得られる商を１／２乗した値のこ
とであり、一般に、上記のように（ｃａｌ／ｃｍ3 ）
1/2 を単位として表される。以下の記載においては、簡
単のためにこの単位を表示せずに、この単位で表される
溶解性パラメーターの数値のみを示すことにする。
【００１５】本発明の現像液での現像の対象となるレジ
ストは、ハロゲン化アルキルスチレン系樹脂を基剤と
し、電子線での露光によりネガ型レジストパターンを形
成するのに使用されるレジストである。ハロゲン化アル
キルスチレン系レジストの代表例を挙げると、クロロメ
チルスチレンとクロロスチレンとの共重合樹脂を基剤と
するもの（日本ゼオン社製の電子線ネガレジストの「Ｚ
ＥＮ」）などの環化ゴム系レジストである。このように
ハロゲンとして塩素を使用した樹脂のほかに、ヨウ素や
臭素を使用したものも知られており、本発明はそのよう
なものを基剤とするレジストにも適用可能である。
ストは、ハロゲン化アルキルスチレン系樹脂を基剤と
し、電子線での露光によりネガ型レジストパターンを形
成するのに使用されるレジストである。ハロゲン化アル
キルスチレン系レジストの代表例を挙げると、クロロメ
チルスチレンとクロロスチレンとの共重合樹脂を基剤と
するもの（日本ゼオン社製の電子線ネガレジストの「Ｚ
ＥＮ」）などの環化ゴム系レジストである。このように
ハロゲンとして塩素を使用した樹脂のほかに、ヨウ素や
臭素を使用したものも知られており、本発明はそのよう
なものを基剤とするレジストにも適用可能である。
【００１６】これらの環化ゴム系レジストの現像をそれ
らに対する良溶媒だけで行うと、先に説明したように、
レジストパターンを構成する溶解しない部分のレジスト
樹脂は現像液を吸収して体積が増加し、一般に膨潤と呼
ばれる現象を引き起こす。膨潤したレジストパターン
は、レジスト樹脂の分子粒径の均一性が悪化して、結果
として部分的にパターンの線幅が膨れて形状が悪化し、
また寸法精度が悪化するに至る。
らに対する良溶媒だけで行うと、先に説明したように、
レジストパターンを構成する溶解しない部分のレジスト
樹脂は現像液を吸収して体積が増加し、一般に膨潤と呼
ばれる現象を引き起こす。膨潤したレジストパターン
は、レジスト樹脂の分子粒径の均一性が悪化して、結果
として部分的にパターンの線幅が膨れて形状が悪化し、
また寸法精度が悪化するに至る。
【００１７】これらの環化ゴム系レジストに対して、Ｉ
ＰＡなどに代表されるアルコール類等は貧溶媒であり、
しかも極性が高いことから、レジスト樹脂に対して樹脂
の凝縮作用を及ぼす。極性は、分子の電気的偏りにより
発生するものであり、アルコールなどの極性溶媒と呼ば
れるものはこの電気的偏りが大きくなっていることか
ら、極性が高くなっている。このような極性溶媒は、フ
ォトマスク作製のためのレジストパターンの形成に用い
られる上述の「ＺＥＮ」等のレジスト樹脂の分子に比べ
て極性が高過ぎるため、レジスト樹脂と混合した場合
に、溶媒分子どうしで引きつけ合って存在する方が安定
であり、そのためレジスト樹脂への吸収が少なくなっ
て、レジスト樹脂の膨潤を阻害する働きをするものと考
えられる。従って、本発明に従いレジストに対する良溶
媒に貧溶媒を混入することによって、レジストに対して
十分な現像作用と膨潤抑制作用（樹脂の凝縮作用）を生
じさせることができる。また、逆に極性がレジスト分子
のそれより低い溶媒も、同様に貧溶媒として作用し、膨
潤を抑制させることができる。
ＰＡなどに代表されるアルコール類等は貧溶媒であり、
しかも極性が高いことから、レジスト樹脂に対して樹脂
の凝縮作用を及ぼす。極性は、分子の電気的偏りにより
発生するものであり、アルコールなどの極性溶媒と呼ば
れるものはこの電気的偏りが大きくなっていることか
ら、極性が高くなっている。このような極性溶媒は、フ
ォトマスク作製のためのレジストパターンの形成に用い
られる上述の「ＺＥＮ」等のレジスト樹脂の分子に比べ
て極性が高過ぎるため、レジスト樹脂と混合した場合
に、溶媒分子どうしで引きつけ合って存在する方が安定
であり、そのためレジスト樹脂への吸収が少なくなっ
て、レジスト樹脂の膨潤を阻害する働きをするものと考
えられる。従って、本発明に従いレジストに対する良溶
媒に貧溶媒を混入することによって、レジストに対して
十分な現像作用と膨潤抑制作用（樹脂の凝縮作用）を生
じさせることができる。また、逆に極性がレジスト分子
のそれより低い溶媒も、同様に貧溶媒として作用し、膨
潤を抑制させることができる。
【００１８】とは言え、貧溶媒の添加量が適性でない
と、現像残が発生するなどの問題が生じるので、現像液
の溶解性を損なわないように貧溶媒の添加量を最適化す
ることが重要である。貧溶媒の添加量の決定は、特定の
良溶媒と貧溶媒の組み合わせについて実験等により簡単
に行うことができる。
と、現像残が発生するなどの問題が生じるので、現像液
の溶解性を損なわないように貧溶媒の添加量を最適化す
ることが重要である。貧溶媒の添加量の決定は、特定の
良溶媒と貧溶媒の組み合わせについて実験等により簡単
に行うことができる。
【００１９】貧溶媒の添加量を決定する方法の一例とし
て、レーリー散乱による動的光散乱測定を利用して、現
像液に溶解後のレジスト樹脂の分子粒径を測定する方法
を挙げることができる。レーリー散乱による動的光散乱
測定では、試料溶液に溶解している粒子にレーザー光の
ような単色光を照射し、レーリー散乱により散乱された
各粒子からの散乱光が示す中心振動数のシフトを測定
し、こうして得られた粒径分布の解析（ヒストグラム
法）から、散乱強度を求め、粒子１個当たりの重量や分
布中の総粒子数を得ることができる。本発明について
は、良溶媒と貧溶媒を所定の混合比で混合した混合現像
液に所定のレジスト樹脂を溶解させ、溶液中のレジスト
樹脂に単色光を照射してその散乱光を調べることによ
り、溶液中のレジスト樹脂の分子粒径を測定し、これを
良溶媒単独の現像液に溶解させて測定したレジスト樹脂
の分子粒径と比較することで、現像液によるレジスト樹
脂の膨潤度を判定することができる。より具体的に言う
と、良溶媒単独の現像液中におけるレジスト樹脂の分子
粒径よりも、混合現像液中におけるレジスト樹脂の分子
粒径の方が有意に小さくなれば、現像液による膨潤は抑
制されるものとみなすことができる。
て、レーリー散乱による動的光散乱測定を利用して、現
像液に溶解後のレジスト樹脂の分子粒径を測定する方法
を挙げることができる。レーリー散乱による動的光散乱
測定では、試料溶液に溶解している粒子にレーザー光の
ような単色光を照射し、レーリー散乱により散乱された
各粒子からの散乱光が示す中心振動数のシフトを測定
し、こうして得られた粒径分布の解析（ヒストグラム
法）から、散乱強度を求め、粒子１個当たりの重量や分
布中の総粒子数を得ることができる。本発明について
は、良溶媒と貧溶媒を所定の混合比で混合した混合現像
液に所定のレジスト樹脂を溶解させ、溶液中のレジスト
樹脂に単色光を照射してその散乱光を調べることによ
り、溶液中のレジスト樹脂の分子粒径を測定し、これを
良溶媒単独の現像液に溶解させて測定したレジスト樹脂
の分子粒径と比較することで、現像液によるレジスト樹
脂の膨潤度を判定することができる。より具体的に言う
と、良溶媒単独の現像液中におけるレジスト樹脂の分子
粒径よりも、混合現像液中におけるレジスト樹脂の分子
粒径の方が有意に小さくなれば、現像液による膨潤は抑
制されるものとみなすことができる。
【００２０】本発明のレジストパターン現像液は、レジ
ストパターンの形成を例示する以下の説明から明らかな
ように、通常の現像液と同様に使用することができる。
ストパターンの形成を例示する以下の説明から明らかな
ように、通常の現像液と同様に使用することができる。
【００２１】本発明の現像液を用いてレジストパターン
を形成するには、まず、図１（Ａ）に示したように、例
えば、石英ガラス製の透明基板１１上にスパッタ法で成
膜したクロム層１２の上に、スピンコート等の適当な方
法でレジスト膜１３を形成する。次いで、レジスト膜１
３に所定のパターンで電子線を照射して露光を行い、そ
して本発明の現像液を使用して現像を行って、図１
（Ｂ）に示したようにレジストパターン１４を形成す
る。
を形成するには、まず、図１（Ａ）に示したように、例
えば、石英ガラス製の透明基板１１上にスパッタ法で成
膜したクロム層１２の上に、スピンコート等の適当な方
法でレジスト膜１３を形成する。次いで、レジスト膜１
３に所定のパターンで電子線を照射して露光を行い、そ
して本発明の現像液を使用して現像を行って、図１
（Ｂ）に示したようにレジストパターン１４を形成す
る。
【００２２】続いて、図１（Ｃ）に示したように、この
レジストパターン１４を使って下層のクロム膜１２をエ
ッチングし、そして適当な剥離液を使用してレジストを
除去することにより、図１（Ｄ）に示したように所定の
マスクパターン１５を備えたマスク製品１６を完成する
ことができる。
レジストパターン１４を使って下層のクロム膜１２をエ
ッチングし、そして適当な剥離液を使用してレジストを
除去することにより、図１（Ｄ）に示したように所定の
マスクパターン１５を備えたマスク製品１６を完成する
ことができる。
【００２３】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に説明する。
言うまでもなく、これらの実施例はいささかなりとも本
発明を限定するものではない。
言うまでもなく、これらの実施例はいささかなりとも本
発明を限定するものではない。
【００２４】〔実施例１〕電子線ネガレジスト「ＺＥ
Ｎ」（日本ゼオン社製）のクロロメチルスチレン−クロ
ロスチレン共重合体レジスト樹脂（分子量１８５，００
０）を、下記に掲げる現像液に溶解させた溶液を調製し
た。これらの溶液は、レジスト樹脂０．００５ｇを溶媒
（現像液）４．９９５ｇに溶解して調製した。単独溶媒
を現像液とする場合は、ろ過して洗浄済みの瓶へ移し、
混合溶媒の現像液の場合は、所定の組成比率で混合後、
ろ過して洗浄済みの瓶へ移した。瓶へ移した現像液は、
レジスト樹脂の溶解促進のため、ミックスローターで１
〜２時間程度振動させた。続いて、０．２μｍフィルタ
ーを使って溶液をろ過し、動的光散乱法測定装置用のセ
ルに試料を入れた。
Ｎ」（日本ゼオン社製）のクロロメチルスチレン−クロ
ロスチレン共重合体レジスト樹脂（分子量１８５，００
０）を、下記に掲げる現像液に溶解させた溶液を調製し
た。これらの溶液は、レジスト樹脂０．００５ｇを溶媒
（現像液）４．９９５ｇに溶解して調製した。単独溶媒
を現像液とする場合は、ろ過して洗浄済みの瓶へ移し、
混合溶媒の現像液の場合は、所定の組成比率で混合後、
ろ過して洗浄済みの瓶へ移した。瓶へ移した現像液は、
レジスト樹脂の溶解促進のため、ミックスローターで１
〜２時間程度振動させた。続いて、０．２μｍフィルタ
ーを使って溶液をろ過し、動的光散乱法測定装置用のセ
ルに試料を入れた。
【００２５】・現像液Ａ エチルセロソルブ（溶解性パラメーター１０．７）と酢
酸イソアミル（同８．９）の重量比８：２の混合液。こ
れは良溶媒どうしの混合現像液であり、ＺＥＮ用現像液
として市販されている従来の現像液である。 ・現像液Ｂ 良溶媒であるメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）（溶
解性パラメーター８．５）単独の現像液。 ・現像液Ｃ〜Ｆ 良溶媒であるＭＩＢＫと貧溶媒であるイソプロピルアル
コール（ＩＰＡ）（溶解性パラメーター１１．５）の、
それぞれ重量比９：１、８：２、７．５：２．５、及び
７：３の混合現像液。
酸イソアミル（同８．９）の重量比８：２の混合液。こ
れは良溶媒どうしの混合現像液であり、ＺＥＮ用現像液
として市販されている従来の現像液である。 ・現像液Ｂ 良溶媒であるメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）（溶
解性パラメーター８．５）単独の現像液。 ・現像液Ｃ〜Ｆ 良溶媒であるＭＩＢＫと貧溶媒であるイソプロピルアル
コール（ＩＰＡ）（溶解性パラメーター１１．５）の、
それぞれ重量比９：１、８：２、７．５：２．５、及び
７：３の混合現像液。
【００２６】用意した動的光散乱法測定装置用試料を使
用して、現像液とレジストの膨潤度合いの関係を数値的
に定量化するために、現像液に溶解したレジスト樹脂に
大塚電子社製ＤＬＳ−７００によりＨｅ−Ｎｅレーザー
光を当てて生じるレーリー散乱の観測から、溶解レジス
ト樹脂の分子粒径を測定した。
用して、現像液とレジストの膨潤度合いの関係を数値的
に定量化するために、現像液に溶解したレジスト樹脂に
大塚電子社製ＤＬＳ−７００によりＨｅ−Ｎｅレーザー
光を当てて生じるレーリー散乱の観測から、溶解レジス
ト樹脂の分子粒径を測定した。
【００２７】そのために、まず試料を装置にセット後、
計算により求めた試料の粘度、屈折率を装置に入力し
た。試料の現像液が混合物の場合、現像液の各物性値に
組成比率をかけて合計した数値を使用した。試料溶液に
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光を照射して、溶液中のレジスト樹
脂粒子からのレ−リー散乱光を調べ、得られた粒径分布
の解析（ヒストグラム法）から散乱強度分布を測定し
て、粒子１個当たりの重量と分布中の総分子数を知り、
それから溶解樹脂の分子粒径を求めた。結果を表１に示
す。
計算により求めた試料の粘度、屈折率を装置に入力し
た。試料の現像液が混合物の場合、現像液の各物性値に
組成比率をかけて合計した数値を使用した。試料溶液に
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光を照射して、溶液中のレジスト樹
脂粒子からのレ−リー散乱光を調べ、得られた粒径分布
の解析（ヒストグラム法）から散乱強度分布を測定し
て、粒子１個当たりの重量と分布中の総分子数を知り、
それから溶解樹脂の分子粒径を求めた。結果を表１に示
す。
【００２８】
【表１】
【００２９】現像液ＡとＢは、良溶媒のみを使用してい
るため、レジスト樹脂への吸収性がよく、レジスト樹脂
の溶解性が高い。従来のＺＥＮ現像液である現像液Ａを
使用した場合には、上述のとおりに膨潤によるパターン
の悪化が見られることから、溶解した樹脂分子粒径が表
１に示した１８ｎｍ以上となると膨潤を抑えることがで
きないことが分かる。同様に、ＭＩＢＫの現像液Ｂを使
用した場合には、溶解した樹脂分子粒径が表１に示した
２１．９ｎｍ以上になると、やはり膨潤を抑えることが
できないとみなされる。
るため、レジスト樹脂への吸収性がよく、レジスト樹脂
の溶解性が高い。従来のＺＥＮ現像液である現像液Ａを
使用した場合には、上述のとおりに膨潤によるパターン
の悪化が見られることから、溶解した樹脂分子粒径が表
１に示した１８ｎｍ以上となると膨潤を抑えることがで
きないことが分かる。同様に、ＭＩＢＫの現像液Ｂを使
用した場合には、溶解した樹脂分子粒径が表１に示した
２１．９ｎｍ以上になると、やはり膨潤を抑えることが
できないとみなされる。
【００３０】良溶媒のＭＩＢＫに極性の高い貧溶媒のＩ
ＰＡを９：１の比で混合した現像液Ｃでは、良溶媒の比
率が高いため、溶解樹脂粒径の大きさに有意の作用を及
ぼす効果は得られない。その一方、貧溶媒の混合比率を
高めた現像液ＤとＥでは、良溶媒のＭＩＢＫを単独で用
いた現像液Ｂに比べて、溶解樹脂の分子粒径が明らかに
小さくなっており、ＩＰＡの添加が樹脂の膨潤抑制と凝
縮に対して効果的に作用するとみなすことができる。し
かしながら、ＩＰＡ添加量を更に増やした現像液Ｆで
は、貧溶媒であるＩＰＡの添加量が多過ぎて樹脂が溶解
しきれず、分子粒径を測定することができなかった。
ＰＡを９：１の比で混合した現像液Ｃでは、良溶媒の比
率が高いため、溶解樹脂粒径の大きさに有意の作用を及
ぼす効果は得られない。その一方、貧溶媒の混合比率を
高めた現像液ＤとＥでは、良溶媒のＭＩＢＫを単独で用
いた現像液Ｂに比べて、溶解樹脂の分子粒径が明らかに
小さくなっており、ＩＰＡの添加が樹脂の膨潤抑制と凝
縮に対して効果的に作用するとみなすことができる。し
かしながら、ＩＰＡ添加量を更に増やした現像液Ｆで
は、貧溶媒であるＩＰＡの添加量が多過ぎて樹脂が溶解
しきれず、分子粒径を測定することができなかった。
【００３１】このように、良溶媒に貧溶媒を添加するこ
とで樹脂の体積増加（膨潤）を抑えることができるが、
使用する溶媒に応じて、貧溶媒が効果的に作用する組成
比や、樹脂が溶解しきれなくなる貧溶媒の限界の添加量
などを調べ、実際に使用する混合組成比を最適化するこ
とが重要である。
とで樹脂の体積増加（膨潤）を抑えることができるが、
使用する溶媒に応じて、貧溶媒が効果的に作用する組成
比や、樹脂が溶解しきれなくなる貧溶媒の限界の添加量
などを調べ、実際に使用する混合組成比を最適化するこ
とが重要である。
【００３２】〔実施例２〕実施例１に示した現像液Ｂ
（溶解性パラメーター８．５の良溶媒であるＭＩＢＫの
みからなる現像液）と、現像液Ｄ（良溶媒のＭＩＢＫと
溶解性パラメーター１１．５の貧溶媒であるＩＰＡとの
容積比８：２の混合現像液）とを使用して、日本ゼオン
社製電子線ネガレジスト「ＺＥＮ」の０．５μｍライン
・アンド・スペースパターンの現像を評価した。
（溶解性パラメーター８．５の良溶媒であるＭＩＢＫの
みからなる現像液）と、現像液Ｄ（良溶媒のＭＩＢＫと
溶解性パラメーター１１．５の貧溶媒であるＩＰＡとの
容積比８：２の混合現像液）とを使用して、日本ゼオン
社製電子線ネガレジスト「ＺＥＮ」の０．５μｍライン
・アンド・スペースパターンの現像を評価した。
【００３３】基板のクロム膜上に形成した厚さ０．３μ
ｍのレジスト膜のパターニングを、電子線露光量４．８
μＣ／ｃｍ3 、加速電圧３０ｋＶの露光条件、及び現像
時間５０秒で行った結果を、図２（現像液Ｂ）及び図３
（現像液Ｄ）の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で示
す。
ｍのレジスト膜のパターニングを、電子線露光量４．８
μＣ／ｃｍ3 、加速電圧３０ｋＶの露光条件、及び現像
時間５０秒で行った結果を、図２（現像液Ｂ）及び図３
（現像液Ｄ）の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真で示
す。
【００３４】図２のＭＩＢＫ現像液の場合には、形成し
たレジストパターンの膨潤による形状の不鮮明さが認め
られ、また右端のパターン（これは近接効果のためにそ
の左側の３本より露光量が少なくなっている）の膨潤に
起因するうねりを生じた形状が認められる。これに対
し、図３の混合現像液の場合には、膨潤が抑えられて現
像パターンが鮮明になっていること、且つ右端パターン
にうねりが認められないことが分かる。
たレジストパターンの膨潤による形状の不鮮明さが認め
られ、また右端のパターン（これは近接効果のためにそ
の左側の３本より露光量が少なくなっている）の膨潤に
起因するうねりを生じた形状が認められる。これに対
し、図３の混合現像液の場合には、膨潤が抑えられて現
像パターンが鮮明になっていること、且つ右端パターン
にうねりが認められないことが分かる。
【００３５】〔実施例３〕良溶媒である酢酸エチル（溶
解性パラメーター９．１）のみからなる現像液と、酢酸
エチルに貧溶媒のＩＰＡを容積比８：２で混合した現像
液とを使用して、実施例２と同様の評価を行った。
解性パラメーター９．１）のみからなる現像液と、酢酸
エチルに貧溶媒のＩＰＡを容積比８：２で混合した現像
液とを使用して、実施例２と同様の評価を行った。
【００３６】図４に現像パターンのＳＥＭ写真を示した
酢酸エチル現像液の場合には、現像液による膨潤のため
隣どうしの形成パターンがくっついてしまい、解像でき
ていないことが分かる。一方、図５にＳＥＭ写真を示し
た混合現像液の場合には、膨潤が抑制されてパターンの
解像がなされていることが認められる。
酢酸エチル現像液の場合には、現像液による膨潤のため
隣どうしの形成パターンがくっついてしまい、解像でき
ていないことが分かる。一方、図５にＳＥＭ写真を示し
た混合現像液の場合には、膨潤が抑制されてパターンの
解像がなされていることが認められる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、フォトマスクのマ
スクパターンを形成するに際し、レジストパターンの形
成に使用するレジスト樹脂に対する良溶媒と貧溶媒の混
合現像液を使用することで、レジスト樹脂の現像液によ
る膨潤を抑えることができ、それにより微細なマスクパ
ターンを寸法精度よく形成することが可能となった。従
って、本発明によれば、微細マスクパターンを備えた高
品質のフォトマスクの提供が可能になる。
スクパターンを形成するに際し、レジストパターンの形
成に使用するレジスト樹脂に対する良溶媒と貧溶媒の混
合現像液を使用することで、レジスト樹脂の現像液によ
る膨潤を抑えることができ、それにより微細なマスクパ
ターンを寸法精度よく形成することが可能となった。従
って、本発明によれば、微細マスクパターンを備えた高
品質のフォトマスクの提供が可能になる。
【図１】本発明のレジストパターン現像液を使用してフ
ォトマスクを製造する工程を説明する図である。
ォトマスクを製造する工程を説明する図である。
【図２】実施例２における良溶媒現像液による形成レジ
ストパターンの走査型電子顕微鏡写真である。
ストパターンの走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】実施例２における良溶媒と貧溶媒との混合現像
液による形成レジストパターンの走査型電子顕微鏡写真
である。
液による形成レジストパターンの走査型電子顕微鏡写真
である。
【図４】実施例３における良溶媒現像液による形成レジ
ストパターンの走査型電子顕微鏡写真である。
ストパターンの走査型電子顕微鏡写真である。
【図５】実施例３における良溶媒と貧溶媒との混合現像
液による形成レジストパターンの走査型電子顕微鏡写真
である。
液による形成レジストパターンの走査型電子顕微鏡写真
である。
１１…透明基板 １２…クロム層 １３…レジスト膜 １４…レジストパターン １５…マスクパターン １６…マスク製品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 慶二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 BA06 CA12 GA04 GA06 HA13 LA03 5F046 BA00 LA00
Claims (5)
- 【請求項１】 使用するハロゲン化アルキルスチレン系
レジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とさ
れる溶媒との混合物であることを特徴とするレジストパ
ターン現像液。 - 【請求項２】 前記良溶媒として溶解性パラメーター値
が８（ｃａｌ／ｃｍ 3 ）1/2 以上１１（ｃａｌ／ｃ
ｍ3 ）1/2 未満のものを使用し、前記貧溶媒として溶解
性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 未満又は
１１（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上のものを使用する、請
求項１記載の現像液。 - 【請求項３】 透明基板上に形成した遮光膜を覆ってハ
ロゲン化アルキルスチレン系レジスト膜を形成し、この
レジスト膜を露光及び現像によりパターン化して所定の
レジストパターンを形成する方法であって、レジスト膜
の現像液として、当該ハロゲン化アルキルスチレン系レ
ジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とされ
る溶媒との混合物を使用することを特徴とする、レジス
トパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記良溶媒として溶解性パラメーター値
が８（ｃａｌ／ｃｍ 3 ）1/2 以上１１（ｃａｌ／ｃ
ｍ3 ）1/2 未満のものを使用し、前記貧溶媒として溶解
性パラメーター値が８（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 未満又は
１１（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 以上のものを使用する、請
求項３記載の方法。 - 【請求項５】 透明基板とその上の所定パターンの遮光
膜とを含み、この遮光膜のパターンが、ハロゲン化アル
キルスチレン系樹脂を基剤樹脂とするレジストを、当該
レジスト樹脂に対して良溶媒とされる溶媒と貧溶媒とさ
れる溶媒との混合物である現像液を使用してパターン化
することを含むフォトリソグラフィ法で形成されている
ことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11102591A JP2000292938A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスク |
| US09/526,295 US6551749B1 (en) | 1999-04-09 | 2000-03-15 | Developer and method for forming resist pattern and photomask produced by use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11102591A JP2000292938A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292938A true JP2000292938A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14331488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11102591A Pending JP2000292938A (ja) | 1999-04-09 | 1999-04-09 | レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6551749B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000292938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011048354A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | リソグラフィー用共重合体の評価方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101117987B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2012-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4178403A (en) * | 1977-08-04 | 1979-12-11 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Mask blank and mask |
| JPS55155353A (en) | 1979-05-22 | 1980-12-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Developer composition |
| DE3027941A1 (de) * | 1980-07-23 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von reliefstrukturen aus doppellackschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen, wobei zur strukturierung hochenergetische strahlung verwendet wird |
| JPS58192036A (ja) | 1982-05-04 | 1983-11-09 | Nec Corp | レジストの現像液 |
| JPS592043A (ja) | 1982-06-29 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | フオトレジストの現像方法 |
| US4609615A (en) * | 1983-03-31 | 1986-09-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound |
| US4665009A (en) * | 1984-07-10 | 1987-05-12 | Hughes Aircraft Company | Method of developing radiation sensitive negative resists |
| JPS61151535A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | レジスト用現像液 |
| US5045220A (en) * | 1987-06-03 | 1991-09-03 | Chevron Research Company | Increasing the viscosity of CO2 solutions |
-
1999
- 1999-04-09 JP JP11102591A patent/JP2000292938A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-15 US US09/526,295 patent/US6551749B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011048354A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | リソグラフィー用共重合体の評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6551749B1 (en) | 2003-04-22 |
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