JP2000293812A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トラック幅を高精度に狭く形成する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体２にそれぞれ形成さ
れた金属磁性膜４を、これら磁気コア半体２の突合せ面
２ａから下方に切り欠いて形成する。これにより、磁気
ヘッド１のトラック幅Ｔｗを、金属磁性薄膜を切り欠か
ずに作製した場合のトラック幅Ｔｗ₀と比較して幅狭に
形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属磁性薄膜によ
り磁路を形成してなる磁気ヘッド及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドは、例えばビデオテープレコ
ーダ（ＶＴＲ）等の磁気記録再生装置に搭載されて、磁
気記録媒体に対して情報信号の記録及び／又は再生（以
下、記録再生という。）を行うものである。磁気ヘッド
としては、メタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘ
ッドや積層型磁気ヘッド等の各種が提案され、実用化さ
れている。

【０００３】磁気ヘッドは、高記録密度化やデジタル化
に対応するために、より高周波帯域で良好な電磁変換特
性を示すことができるものが望まれている。また、ＶＴ
Ｒ用の磁気ヘッドとしては、装置の小型化・高性能化に
対応するために、小さなドラムに複数個搭載する必要か
ら、小型化されることが望まれている。

【０００４】上述したＭＩＧ型磁気ヘッドは、インピー
ダンスが大きいために、高周波帯域での使用に適さな
い。また、積層型磁気ヘッドは、高記録密度化に伴うト
ラック幅の減少に伴い、磁路を構成する金属磁性薄膜の
膜厚を減少させる必要があるために、再生効率が減少し
てしまう上に、ヘッドの小型化にも限界がある。

【０００５】そこで、高周波帯域でも良好な電磁変換特
性を示すことができる磁気ヘッドとして、例えば特開平
６−２５９７１７号公報「磁気ヘッド及びその製造方
法」に記載されているように、薄膜形成工程で作製して
磁気コアの磁路を短くすることによりインピーダンスを
小さくした、いわゆるバルク薄膜型磁気ヘッドが提案さ
れている。

【０００６】このバルク薄膜型磁気ヘッドは、非磁性基
板上に金属磁性薄膜が形成されてなる一対の磁気コア半
体が、非磁性膜を介して金属磁性薄膜同士を接合一体化
されてなる。これにより、バルク薄膜型磁気ヘッドで
は、これら金属磁性薄膜が磁気コアを構成するととも
に、非磁性膜によって磁気ギャップが形成される。そし
て、バルク薄膜型磁気ヘッドは、一対の磁気コア半体の
うち、少なくとも一方の磁気コア半体の接合面にコイル
形成用凹部が形成され、このコイル形成用凹部に薄膜コ
イルが形成されてなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、磁気
記録の分野においては、磁気信号の高記録密度化がより
一層進められている。そのため、磁気ヘッドは、高記録
密度化に対応して、微細な磁気信号を正確に記録再生す
ることが益々求められてきており、磁気ギャップのトラ
ック幅を高精度に狭く形成されることが要求されてい
る。

【０００８】従来のバルク薄膜型磁気ヘッドでは、磁気
ギャップのトラック幅を狭く形成するために、一対の磁
気コア半体の接合面で露出する金属磁性薄膜に対して、
機械的な研削加工を施していた。しかしながら、この機
械的な研削加工による手法では、トラック幅を１３μｍ
程度とすることが限界であった。

【０００９】また、バルク薄膜型磁気ヘッドの製造工程
では、一般に、基板材上に多数の磁気ヘッドをマトリク
ス状に形成し、薄膜形成技術を用いて大量の磁気ヘッド
を一度に加工・製造することによって生産効率を向上さ
せている。しかしながら、上述したような機械的な研削
加工では、各磁気ヘッドに対して個別に加工処理を施す
必要があることから、これら大量の磁気ヘッドに対する
加工時間が増大してしまうといった問題があった。ま
た、各磁気ヘッドに対して均一な研削加工を施すことが
困難であり、トラック幅を高精度に狭く形成された磁気
ヘッドを効率よく製造することが困難であるといった問
題があった。

【００１０】そこで、本発明は、トラック幅を高精度に
狭く形成されたことにより、高記録密度化に対応した磁
気ヘッドを提供することを目的とする。また、本発明
は、トラック幅を高精度に狭く形成するとともに、優れ
た生産効率を有する磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ヘッド
は、基板上に金属磁性薄膜が斜めに成膜されるととも
に、薄膜コイルが形成された凹部を有し、非磁性材料に
より突合せ面が平坦化されてなる一対の磁気コア半体を
備える。また、これら一対の磁気コア半体は、上記金属
磁性薄膜の前部突合せ面同士が非磁性薄膜を介して対向
するように突き合わされて磁気ギャップを形成する。さ
らに、上記金属磁性薄膜のうち少なくとも一方は、上記
突合せ面に露出するトラック幅方向の両側部のうち少な
くとも一方側を、上記突合せ面から下方に切り欠かれて
形成されてなる。

【００１２】以上のように構成された磁気ヘッドは、少
なくとも一方の金属磁性薄膜が突合せ面でトラック幅方
向に切り欠かれて形成されていることによって、磁気ギ
ャップのトラック方向の幅を狭く形成されてなる。これ
により、磁気ヘッドは、高記録密度化に対応して、微細
な磁気信号を正確に記録再生することが可能となる。

【００１３】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に金属磁性薄膜を斜めに成膜するとともに、
薄膜コイルを形成し、非磁性材料によりより突合せ面を
平坦化してなる一対の磁気コア半体を、上記金属磁性薄
膜の前部突合せ面同士が非磁性薄膜を介して対向するよ
うに突き合わせて磁気ギャップを形成する磁気ヘッドの
製造方法である。そして、レジスト形成工程と、エッチ
ング工程とを経ることによって、上記金属磁性薄膜を上
記突合せ面でトラック幅方向に幅狭に形成する。レジス
ト形成工程では、上記一対の磁気コア半体のうち少なく
とも一方に対して、上記突合せ面に露出する上記金属磁
性薄膜上に、この金属磁性薄膜よりも幅狭にレジスト膜
を形成する。エッチング工程では、上記金属磁性薄膜に
対して、上記レジスト膜の幅でエッチング処理を施す。

【００１４】以上のような磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜形成技術であるレジスト工程及びエッチング工
程によって、磁気ギャップのトラック幅方向の幅を高精
度に狭く形成することができる。また、これにより、例
えば基板上に多数の磁気ヘッドが形成する場合にも一度
に加工を施すことができ、短時間で多数の磁気ヘッドに
対して加工を施すことができる。したがって、高記録密
度化に対応して微細な磁気信号を正確に記録再生するこ
とが可能な磁気ヘッドを効率よく生産することができ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、図
１及び図２に示すような磁気ヘッド１について説明する
こととする。

【００１６】本発明を適用した磁気ヘッド１は、金属拡
散接合により接合された一対の磁気コア半体２から構成
されている。一対の磁気コア半体２は、ＭｎＯ−ＮｉＯ
系の非磁性材料からなる非磁性基板３と、この非磁性基
板３の傾斜面３ａ上に形成された金属磁性薄膜４と、こ
の非磁性基板３上に金属磁性薄膜４を覆うように形成さ
れた低融点ガラス５とからそれぞれ形成されている。ま
た、一対の磁気コア半体２は、少なくとも一方に、励磁
用及び／又は誘導起電圧検出用の薄膜コイル６が形成さ
れてなる。

【００１７】磁気ヘッド１においては、一対の磁気コア
半体２が非磁性薄膜７を介して接合された状態で、金属
磁性薄膜４が、図２に示すように、磁気コア８を形成す
る。なお、図２においては、薄膜コイル６を図示してい
ない。磁気ヘッド１は、図２中矢印Ａで示す方向に磁気
記録媒体が摺動することにより、磁気記録媒体に記録さ
れた信号磁界を再生し、又は信号磁界を磁気記録媒体に
記録する。

【００１８】また、この磁気ヘッド１は、磁気記録媒体
との当たり状態を調節するために、磁気記録媒体の摺動
面９が、図２中矢印Ａで示した磁気記録媒体の摺動方向
と平行に、円弧状に形成される。また、この磁気ヘッド
１は、磁気記録媒体との接触面積を調節するために、当
たり幅規制溝１０が形成されている。この当たり幅規制
溝１０は、磁気記録媒体の摺動方向Ａと平行に、磁気ヘ
ッド１の両側面に形成されている。

【００１９】この磁気ヘッド１において、金属磁性薄膜
４は、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）等の軟磁性
を示す材料により形成されている。金属磁性薄膜４は、
非磁性基板３上に所定の角度を以て斜めに形成された傾
斜面３ａ上に形成されている。このため、磁気コア８
は、金属磁性薄膜４が形成された一対の磁気コア半体２
が非磁性薄膜７を介して接合されると、図２に示すよう
に、磁気記録媒体の摺動方向Ａに対して斜めに配される
こととなる。

【００２０】また、この金属磁性薄膜４は、磁気コア半
体２の接合される面側の端面の略中央部が凹部４ａとさ
れている。このため、金属磁性薄膜４は、磁気コア半体
２の接合面２ａで、凹部４ａに充填された低融点ガラス
５によって分断されて露出する前部突合せ面１１と後部
突合せ面１２とを有することとなる。そして、一対の磁
気コア半体２の前部突合せ面１１同士は、非磁性薄膜７
を介して突き合わされてフロントギャップ１３を構成す
る。また、一対の磁気コア半体２の後部突合せ面１２同
士は、非磁性薄膜７を介して突き合わされてバックギャ
ップ１４を構成する。

【００２１】また、金属磁性薄膜４には、接合面２ａ
に、後部突合せ面１２を略中心とした薄膜コイル７が内
部に形成されたコイル形成用凹部１５を有する。このコ
イル形成用凹部１５には、後部突合せ面１２の近傍にコ
イル接続用端子１６が形成されている。薄膜コイル６
は、コイル形成用凹部１５内に形成されて、中心側の端
部がコイル接続用端子１６に接続されている。

【００２２】コイル接続用端子１６は、一対の磁気コア
半体２の接合面２ａと同一面を構成するようにそれぞれ
高さを調節して形成されている。そして、磁気ヘッド１
においては、一対の磁気コア半体２が接合されると、一
対のコイル接続用端子１６も接合されることとなる。こ
れにより、この磁気ヘッド１においては、一対の磁気コ
ア半体２が接合されると、一対の薄膜コイル６が電気的
に接続されることとなる。

【００２３】また、薄膜コイル６の外周側の端部は、磁
気記録媒体の摺動面９とは反対側へ導出されている。一
対の磁気コア半体２には、この薄膜コイル６が導出され
た部位に、外部接続用端子１７がそれぞれ形成されてい
る。そして、薄膜コイル６の外周側の端部は、それぞれ
この外部接続用端子１７に接続されている。

【００２４】これら外部接続用端子１７は、磁気ヘッド
１の側面に露出することによって、外部と薄膜コイル６
とを電気的に接続する機能を有している。また、これら
一対の外部接続用端子１７は、短絡が生じないように、
一対の磁気コア半体２を接合した際に互いに接触しない
位置にそれぞれ形成されている。

【００２５】ところで、磁気ヘッド１においては、図３
に示すように、フロントギャップ１３の摺動面からの深
さであるデプスＢが、ヘッド特性を決定する重要な要素
の一つとされている。磁気ヘッド１は、このデプスＢを
正確且つ容易に読み取るために、フロントギャップ１３
のデプス零位置１３ａを決めるデプスマーカーとしての
溝部１８が形成されている。

【００２６】溝部１８は、一対の磁気コア半体２の接合
面２ａ上で、金属磁性薄膜４の凹部４ａのフロントギャ
ップ１３側の頂部に位置して形成されている。また、溝
部１８は、その両端部を磁気ヘッド１の両側面に臨むよ
うに形成され、摺動面９に対して平行に形成されてい
る。したがって、溝部１８は、一対の磁気コア半体２に
おいて、前部突合せ面１１の摺動面９と反対側の端部を
切り欠くように形成されている。そのため、溝部１８の
摺動面９側の側縁１８ａは、フロントギャップ１３のデ
プス零位置１３ａに必ず一致することになる。言い換え
ると、この磁気ヘッド１では、摺動面９から溝部１８の
側縁１８ａまでの距離がデプスＢの長さとなる。

【００２７】したがって、磁気ヘッド１においては、摺
動面９から溝部１８の側縁１８ａまでの距離を側面から
確認しながら摺動面９を研磨することにより、フロント
ギャップ１３のデプスＢを高精度に調節することができ
る。そのため、磁気ヘッド１は、フロントギャップ１３
のデプスＢが小さくなるように摺動面９に対して研磨加
工を施すことにより、ヘッド効率を向上させることがで
きる。

【００２８】なお、本実施の形態において、溝部１８
は、摺動面９側の側縁１８ａと前部突合せ面１１の摺動
面９と反対側の端部との距離が１５μｍ以下であること
が望ましく、さらには７μｍ以下であることが望まし
い。この距離が１５μｍを超える場合は、溝部１８によ
って切り欠かれる前部突合せ面１１の長さが増加するた
めに、コア効率にあまり寄与しない部分であるフロント
ギャップ１３の下側部分で、磁気コア８の堆積が増加し
てしまう。このためインダクタンス当たりのコア効率が
劣化してしまう虞がある。

【００２９】また、溝部１８は、基板２１側への深さが
２〜１５μｍであることが望ましく、さらには５〜１０
μｍであることが望ましい。磁気ヘッド１は、溝部１８
の深さが２μｍ未満である場合には、この溝部１８にお
ける磁束のリークの影響により、コア効率が劣化してし
まう虞がある。また、磁気ヘッド１は、溝部１８の深さ
が１５μｍを超えた場合には、この溝部１８によって磁
気コア８が切り欠かれることによって、コア効率が劣化
してしまう虞がある。

【００３０】また、磁気ヘッド１においては、図４に示
すように、フロントギャップ１３における磁気記録媒体
の摺動方向Ａに対して垂直な方向の幅がトラック幅Ｔｗ
とされている。言い換えると、一対の磁気コア半体２に
形成された金属磁性薄膜４同士は、これら磁気コア半体
２の突合せ面２ａで対向するように突き合わされてお
り、フロントギャップ１３を構成する前部突合せ面１１
における、磁気記録媒体の摺動方向Ａに対して垂直な方
向の幅がトラック幅Ｔｗとされている。なお、図４は、
磁気ヘッド１を磁気記録媒体の摺動面９側からみたフロ
ントギャップ１３近傍の要部拡大図である。

【００３１】また、金属磁性薄膜４は、磁気コア半体２
の突合せ面２ａに露出するトラック幅Ｔｗ方向の両側部
を、この突合せ面２ａから下方に切り欠かれて形成され
ている。これにより、磁気ヘッド１のトラック幅Ｔｗ
は、金属磁性薄膜４を切り欠かずに形成した場合のトラ
ック幅Ｔｗ₀と比較して、幅狭に形成されている。した
がって、磁気ヘッド１は、高記録密度化に対応して、微
細な磁気信号を正確に記録再生することが可能となる。

【００３２】磁気ヘッド１では、上述したように金属磁
性薄膜４を切り欠いて構成された切欠部１９に、非磁性
絶縁材料が充填されている。これにより、摺動面９を摺
動する磁気記録媒体が、切欠部１９のエッジで傷ついて
しまうことを防止することができる。切欠部１９を充填
する非磁性絶縁材料としては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃，Ｓｉ
Ｏ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂等の酸化物、Ｃｒ，
Ｐｒ，Ａｕ，Ａｇ等の金属等を用いることができる。

【００３３】なお、図４においては、一対の磁気コア半
体２に形成された金属磁性薄膜４が、互いに異なる幅を
有して突き合わされている場合を示している。この場合
に、磁気ヘッド１においては、幅狭に形成された方の金
属磁性薄膜４における、磁気記録媒体の摺動方向Ａに対
して垂直な方向の幅がトラック幅Ｔｗとなる。

【００３４】磁気ヘッド１では、一対の磁気コア半体２
に形成された金属磁性薄膜４が同一の幅を有するように
形成されて、段差なく突き合わされていることが望まし
い。これにより、記録再生特性を向上させることができ
る。しかしながら、同一の幅を有する金属磁性薄膜４を
正確に位置合わせを行って接合するのは困難であり、僅
かでもズレが生じた場合に、そのズレの分だけトラック
幅が減少してしまう。

【００３５】したがって、磁気ヘッド１では、図４に示
すように、互いに僅かに異なる幅を有する金属磁性薄膜
４を突き合わせてフロントギャップ１３を構成すること
により、確実に所望のトラック幅Ｔｗを得ることができ
る。

【００３６】また、磁気ヘッド１においては、一対の磁
気コア半体２に形成された金属磁性薄膜４のうち、一方
のみを上述したように切り欠いて形成してもよい。これ
により、一対の磁気コア半体２の位置合わせをさらに容
易とすることができる。また、本実施の形態では、金属
磁性薄膜４のトラック幅Ｔｗ方向の両側部が切り欠かれ
ているとしたが、どちらか一方の側部だけを切り欠かれ
ているとしてもよい。

【００３７】なお、この磁気ヘッド１において、非磁性
基板３は、ＭｎＯ−ＮｉＯ系の非磁性材料からなるとし
たが、本発明はこのような構成に限定されるものではな
い。非磁性基板３は、チタン酸カルシウム、チタン酸バ
リウム、酸化ジルコニウム（ジルコニア）、アルミナ、
アルミナチタンカーバイド、ＳｉＯ₂、Ｚｎフェライ
ト、結晶化ガラス又は高硬度ガラス等からなるものであ
ってもよい。

【００３８】また、この磁気ヘッド１において、金属磁
性薄膜４は、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）等の
軟磁性を示す材料により成膜されるとしたが、本発明は
このような構成に限定されるものではない。金属磁性薄
膜４は、例えば、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ａｌ合
金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ合金、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ合金、Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｇｅ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の結晶質合金か
らなるものであってもよい。あるいは、金属磁性薄膜４
は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちの１以上の元素とＰ，Ｃ，
Ｂ，Ｓｉのうちの１以上の元素とからなる合金、又はこ
れを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ等を含んだ合
金等に代表されるメタル−メタロイド系アモルファス合
金や、Ｃｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移金属と希土類元素を主
成分とするメタル−メタル系アモルファス合金等の非晶
質合金からなるようなものであってもよい。さらに、金
属磁性薄膜４は、窒化系軟磁性合金又は炭化系軟磁性合
金等であってもよい。

【００３９】さらに、金属磁性薄膜４は、単一層からな
る金属磁性薄膜により構成されてもよいが、非磁性薄膜
層と磁性薄膜層とを交互に積層した構成にすることが望
ましい。このことにより、磁気ヘッド１は、より高周波
領域において、感度が高いものとすることができる。

【００４０】また、この磁気ヘッド１においては、溝部
１８を一対の磁気コア半体２のそれぞれに形成したが、
このような構成に限定されるものではない。溝部１８
は、一対の磁気コア半体２のうちの少なくとも一方に形
成されていればよい。

【００４１】さらに、溝部１８には、非磁性材料が充填
されていることが望ましい。磁気ヘッド１は、溝部１８
を空隙のまま形成されると、ヘッド使用時の摩耗等によ
りフロントギャップ１３のデプスＢがすり減って、溝部
１８が摺動面９に表出してしまう。このとき、摺動面９
に溝部１８の鋭利なエッジが形成されてしまい、摺動面
９を摺動する磁気記録媒体を傷つけてしまう。磁気ヘッ
ド１は、溝部１８に非磁性材料が充填されていることに
よって、このように磁気記録媒体を傷つけてしまうこと
を防止することができる。

【００４２】この溝部１８に充填する非磁性材料として
は、溝部１８と低融点ガラス５との境界を識別可能とす
るために、低融点ガラス５とは異なる材料を用いるのが
望ましい。具体的には、上述した切欠部１９を充填する
非磁性材料と同様な材料を用いることができる。

【００４３】また、本実施の形態においては、一対の磁
気コア半体２にそれぞれ形成される溝部１８の断面を半
円形状としたが、例えば多角形状としてもよい。

【００４４】以上のように構成された磁気ヘッド１は、
磁気記録媒体に記録された磁気信号を再生する際に、磁
気記録媒体からの信号磁界がフロントギャップ１３の周
辺に印加される。そして、印加される信号磁界の方向が
変化することによって、磁気コア８に流れる磁束の方向
が変化する。その結果、磁気ヘッド１では、電磁誘導が
生じ、薄膜コイル６に信号磁界に応じた電流が流れる。
磁気ヘッド１は、この薄膜コイル６に生じた電流を、外
部接続用端子１７を介して検出することによって、磁気
記録媒体からの信号磁界を読み取る。

【００４５】また、この磁気ヘッド１を用いて磁気記録
媒体に磁気信号を記録する際には、記録信号に応じた電
流を、外部接続用端子１７を介して薄膜コイル６に供給
する。これにより、薄膜コイル６から発生する磁界によ
って、記録信号に応じた磁束が磁気コア８に流れ、磁気
コア８のフロントギャップ１３を挟んで漏れ磁界が生じ
る。磁気ヘッド１は、この漏れ磁界を磁気記録媒体に印
加することにより、磁気信号を記録する。

【００４６】つぎに、本発明に係る磁気ヘッドの製造方
法について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下
では、上述した磁気ヘッド１を製造する際の製造方法を
説明することとする。

【００４７】磁気ヘッド１を製造する際には、先ず、複
数個の磁気コア半体２を複数列に連ねて同一基板上に作
製する。次に、この基板を、複数個の磁気コア半体２が
形成された列毎に切り離して磁気コア半体ブロックを作
製する。次に、磁気コア半体ブロックを、金属拡散結合
によって接合一体化することで磁気ヘッドブロックを作
製する。そして、この磁気ヘッドブロックを個々の磁気
ヘッド１に切り離すことによって磁気ヘッド１が完成す
る。以下では、これら工程について順を追って説明す
る。

【００４８】先ず、図５に示すように、略平板状の基板
２１を用意する。この基板２１は、磁気ヘッド１の非磁
性基板３となるものであり、例えば、ＭｎＯ−ＮｉＯ等
の非磁性材料からなる。この基板２１は、例えば、厚み
が約２ｍｍとされ、長さ及び幅が約３０ｍｍとされる。

【００４９】次に、図６に示すように、上述した基板２
１の一主面２１ａに対して、砥石等により、例えば４５
゜の角度を有するように、複数の磁気コア形成溝２４を
互いに平行に形成する。これにより、基板２１には、こ
の第１の溝加工で形成された磁気コア形成溝２４によっ
て、複数の傾斜面２１ｂが形成されることとなる。

【００５０】なお、ここで形成される傾斜面２１ｂは、
円弧状や多角形状であってもよい。また、傾斜面２１ｂ
は、基板２１の主面に対して、２５〜６０゜程度の傾斜
角を有することが望ましいが、疑似ギャップ防止やトラ
ック幅精度を考慮すると、３５〜５０゜程度の傾斜角を
有することがより望ましい。また、本実施の形態におい
ては、磁気コア形成溝２４の深さを１３０μｍとし、幅
を１５０μｍとした。

【００５１】次に、図７に示すように、傾斜面２１ｂが
形成された基板２１上の全面に対して、金属磁性薄膜２
７を成膜する。この成膜工程においては、金属磁性薄膜
２７を、非磁性層を介して３層の金属磁性材料が積層さ
れてなるように成膜する。金属磁性薄膜２７は、例え
ば、マグネトロンスパッタリング法、ＭＢＥ（Molecula
r Beam Epitaxy）法、蒸着法等のＰＶＤ（Physical Vap
or Deposition）法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposi
tion）法によって成膜する。

【００５２】また、金属磁性薄膜２７は、複数の金属磁
性層を有するものに限定されず、単層の金属磁性層から
なるような構成であってもよいが、より高周波帯域で高
い感度を得るために、金属磁性層を複数に分断した積層
構造であることが望ましい。これにより、金属磁性薄膜
２７は、渦電流損失が低減されて、より高周波帯域で高
い感度を得ることができる。

【００５３】本実施の形態において、金属磁性薄膜２７
は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）４μｍとアル
ミナ０．１５μｍとを交互に積層し、３層のＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金層を有する構成とした。また、金属磁性薄膜
２７を複数層からなるように成膜する場合、非磁性層と
しては、アルミナ、ＳｉＯ₂及びＳｉＯ等の材料が単独
で又は混合して用いられる。この非磁性層の膜厚は、隣
接して配される金属磁性層間の絶縁をとれる程度とす
る。

【００５４】次に、図８に示すように、金属磁性薄膜２
７が形成された面に対して磁気コア形成溝２４と略直交
する方向に第２の溝加工を施す。この第２の溝加工で
は、所定の大きさの磁気コア８を分離するために形成す
る分離溝２８と、この分離溝２８により分離された各磁
気コア８に薄膜コイル６を形成するための巻線溝２９と
を形成する。

【００５５】また、このとき、傾斜面２１ｂ以外の部分
に形成された金属磁性薄膜２７、すなわち、磁気コア形
成溝２４の底部に形成された金属磁性薄膜２７を研削加
工により除去する。

【００５６】ここで、分離溝２８は、磁気コア８を基板
２１上で前後方向に磁気的に分離して各磁気コア８を形
成し、各磁気コア８に平時路を構成するための溝であ
る。また、この分離溝２８は、図８の例示では２本形成
されているが、形成される磁気コア半体２の列の数だけ
設ける必要がある。また、この分離溝２８は、前後方向
に並んで配される各磁気コア８を磁気的に分離するため
に、金属磁性薄膜２７を完全に切断する程度の深さを有
するように形成される必要がある。具体的には、分離溝
２８は、磁気コア形成溝２４の底辺から１５０μｍの深
さ、すなわち、基板２１の主面２１ａから２８０μｍの
深さとした。

【００５７】一方、巻線溝２９は、上述した磁気ヘッド
１において、磁気コア８における凹部５ａを金属磁性薄
膜２７に対して形成するものである。したがって、巻線
溝２９は、前部突合せ面１１と後部突合せ面１２とを有
する磁気コア８を形成し、コイル形成用凹部１５を形成
するために、金属磁性薄膜２７を切断しない程度の深さ
で形成する必要がある。このため、巻線溝２９の表面に
は、金属磁性薄膜２７の断面が露出することとなる。

【００５８】また、この巻線溝２９は、その形状が前部
突合せ面１１及び後部突合せ面１２の長さに応じて決定
されるが、本実施の形態においては、幅を約１４０μｍ
として、前部突合せ面１１の長さが３０μｍとなり、後
部突合せ面１２の長さが８５μｍとなるように形成し
た。なお、巻線溝２９は、金属磁性薄膜２７を切断する
ことのない程度の深さでよいが、深すぎると磁路長が長
くなって磁束伝達の効率が低下する虞がある。また、巻
線溝２９の深さは、後述する工程で形成される薄膜コイ
ル６の厚みに依存するが、本実施の形態では２０μｍと
した。

【００５９】さらに、巻線溝２９は、その形状が限定さ
れるものではないが、本実施の形態では、前部突合せ面
１１側の側面を４５゜の角度を有する傾斜面２９ａとし
た。これにより、磁気コア８は、摺動面９に磁束が集中
する構造となり、磁気ヘッド１の感度を向上させること
ができる。

【００６０】次に、図９に示すように、磁気コア形成溝
２４、分離溝２８及び巻線溝２９が形成された基板２１
の主面２１ａに対して溶融した低融点ガラス３０を充填
する。その後、低融点ガラス３０を冷却固化させ、固化
した低融点ガラス３０の表面に対して平坦化処理を施
す。

【００６１】低融点ガラス３０は、金属磁性薄膜２７が
良好な軟磁気特性を示す熱温度での粘性が、１０²〜１
０⁶Ｐａ・ｓであることが望ましく、さらには１０³〜１
０⁵Ｐａ・ｓであることが望ましい。これにより、基板
２１に溶融した低融点ガラス３０を充填する際に、金属
磁性薄膜２７が軟磁気特性を失ってしまうことを防止す
ることができる。

【００６２】また、低融点ガラス３０に対して平坦化処
理を施す際には、基板２１を露出させる幅を薄膜コイル
６の最内周の幅よりも狭くすることが望ましい。これに
より、後の工程でエッチング処理を施す際に、基板２１
と低融点ガラス３０とのエッチングレートが異なること
による段差の発生を防止することができる。

【００６３】次に、図１０に示すように、固化した低融
点ガラス３０に対して砥石等を用いて研削加工を施すこ
とにより、端子溝３１を形成する。この端子溝３１は、
上述した分離溝２８の直上に位置するように形成する。
また、本実施の形態では、端子溝３１の幅及び深さを１
００μｍとした。そして、この端子溝３１内にＣｕ等の
良導体を鍍金法等によって充填する。その後、再び平坦
化処理を行う。この端子溝３１に充填されたＣｕ等の良
導体は、上述した磁気ヘッド１における外部接続用端子
１７となるものである。

【００６４】次に、図１１に示すように、金属磁性薄膜
２７が露出する低融点ガラス３０上に、レジスト膜３２
を成膜する。なお、図１１（ａ）は基板２１の低融点ガ
ラス３０側からみた平面図であり、図１１（ｂ）は図１
１（ａ）のＣ−Ｃ線での断面図である。また、レジスト
膜３２は、後述するエッチング工程で、金属磁性薄膜２
７の前部突合せ面１１を細く整形するために成膜するも
のである。

【００６５】レジスト膜３２は、低融点ガラス３０上の
全面に成膜した後、パターニングを施して、この低融点
ガラス３０から露出する各金属磁性薄膜２７の近傍で一
対の開口部３２ａを有するように形成する。また、レジ
スト膜３２は、これら一対の開口部３２ａを隔てる橋状
部３２ｂが、金属磁性薄膜２７の前部突合せ面１１上に
位置するように形成する。すなわち、一対の開口部３２
は、金属磁性薄膜２７の前部突合せ面１１の両側縁部を
開口する位置に形成する。

【００６６】また、このレジスト膜３２において、橋状
部３２ｂの後部突合せ面１２側の端部である第１の付け
根部３２ｃは、後述するエッチング工程で照射されるイ
オンビームが集中し、エッチングが進むにつれてレジス
トパターンが細く変形してしまう。そのため、レジスト
膜３２は、第１の付け根部３２ｃが前部突合せ面１１の
後部突合せ面１２側の端部１１ａよりもさらに後部突合
せ面１１側の位置に形成されることが望ましい。これに
より、後述するエッチング工程で、金属磁性薄膜２７を
高精度にエッチングすることができる。

【００６７】なお、このレジスト膜３２において、橋状
部３２ｂの後部突合せ面１２と反対側、すなわち摺動面
９となる側の端部である第２の付け根部３２ｄは、図１
１（ａ）に示すように、金属磁性薄膜２７の前部突合せ
面１１上に形成されていてもよい。この第２の付け根部
３２ｄでも、上述と同様にレジストパターンが変形し
て、エッチング精度が劣化してしまうが、後の工程で基
板２１を切断する際に、前部突合せ面１１の摺動面９側
が不要となるからである。

【００６８】レジスト膜３２は、例えばフォトリソグラ
フィー技術を用いて、上述したような形状のレジストパ
ターンで形成することができる。また、レジスト膜３２
に用いるレジスト材料としては、ポジ型又はネガ型のど
ちらであってもよい。

【００６９】なお、本実施の形態において、レジスト膜
３２は、後述するエッチング工程でエッチングされてし
まう厚さを考慮すると、１３μｍ以上の厚さで形成する
ことが望ましい。また、上述した橋状部３２ｂでの幅精
度を考慮すると、１４〜１５μｍ程度の厚さで形成する
ことがさらに望ましい。また、橋状部３２ｂは、低融点
ガラス３０から露出する基板２１及び金属磁性薄膜２７
の境界部から、金属磁性薄膜２７側に１０〜１６μｍシ
フトした位置を中心として形成されていることが望まし
い。

【００７０】次に、レジスト膜３２が形成された基板２
１に対してエッチング処理を施す。このエッチング工程
では、レジスト膜３２の橋状部３２ｂと略同等の幅で、
金属磁性薄膜２７の両側縁部を基板２１の厚み方向に切
り欠くことを目的としている。これにより、金属磁性薄
膜２７は、図１２に示すように、前部突合せ面１１から
基板２１方向に略垂直に切り欠かれた側壁部２７ａを有
するようになる。また、低融点ガラス３０は、エッチン
グされて凹部３０ａを有するようになる。

【００７１】これにより、最終的に完成する磁気ヘッド
１は、トラック幅Ｔｗが幅狭に形成されることとなり、
磁気記録媒体の高記録密度化に対応して、微細な磁気信
号を正確に記録再生することが可能となる。具体的に
は、磁気ヘッド１のトラック幅Ｔｗを４．０±０．２μ
ｍ程度まで高精度に形成することができる。したがっ
て、磁気ヘッド１は、従来の機械的な研削加工による手
法で作製された１３μｍ程度のトラック幅を有する磁気
ヘッドと比較して、より微細な磁気信号を正確且つ安定
して記録再生することが可能となる。

【００７２】このエッチング工程では、例えばＡｒ，Ｋ
ｒ，Ｘｅ，Ｈｅ等の不活性ガスイオンを用いたイオンエ
ッチング法を用いることが望ましい。イオンエッチング
法によれば、直進性に優れたイオンビームによって、金
属磁性薄膜２７を、レジスト膜３２の橋状部３２ｂの投
影形状を高精度に保って基板２１の厚み方向にエッチン
グすることができる。すなわち、金属磁性薄膜２７の側
壁部２７ａが、基板２１の厚み方向に略垂直となるよう
に高精度にエッチングすることができる。

【００７３】このとき、イオンビームの基板２１への入
射角度は、２５〜３５゜程度とすることが望ましい。こ
れにより、レジスト膜３２の橋状部３２ｂ及び金属磁性
薄膜２７の側壁部２７ａへのバリの再付着レートと、こ
のバリ自体がエッチングされるエッチングレートとをほ
ぼ等しくすることができ、橋状部３２ｂ及び金属磁性薄
膜２７の側壁部２７ａの形状が崩れてしまうことがな
い。また、同様な理由から、このエッチング工程で用い
るイオンエッチング装置は、イオンビームの進行角度誤
差が３％以内程度であることが望ましい。

【００７４】次に、図１３に示すように、低融点ガラス
３０の凹部３０ａ内に、非磁性材料３３を充填する。こ
の凹部３０ａは、磁気ヘッド１における切欠部１９に相
当するものである。したがって、凹部３０ａに非磁性材
料３３を充填することによって、上述したように、摺動
面９を摺動する磁気記録媒体が、切欠部１９のエッジで
傷ついてしまうことを防止することができる。

【００７５】この非磁性材料３３としては、例えば、Ａ
ｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂等の酸
化物、Ｃｒ，Ｐｒ，Ａｕ，Ａｇ等の金属等を用いること
ができる。また、非磁性材料３３は、スパッタリング法
や鍍金法といった各種ＰＶＤ法を用いて、凹部３０ａ内
に充填すればよい。

【００７６】次に、凹部３０ａ内に非磁性材料３３が充
填された低融点ガラス３０の主面に対して、鏡面研磨加
工を施して平坦化を行う。これにより、図１３に示すよ
うに、低融点ガラス３０の主面から金属磁性薄膜２７が
幅狭に露出することとなる。なお、上述した凹部３０ａ
は、基板２１全体のサイズと比べて非常に微細に形成さ
れているために、以下で示す図面においては図１２で示
す構造を省略して図示することとする。

【００７７】次に、図１４に示すように、低融点ガラス
３０に対してエッチング加工を施すことによりコイル形
成用凹部１５と溝部１８とを形成するとともに、このコ
イル形成用凹部１５内に薄膜コイル６を形成する。

【００７８】コイル形成用凹部１５は、後部突合せ面１
２を略中心とする略矩形形状として、後部突合せ面１２
及びコイル接続用端子１６を除く部分に対してエッチン
グ加工を施すことにより形成する。また、このコイル形
成用凹部１５は、その一端から端子溝３１に達する溝１
５ａを有している。

【００７９】また、溝部１８は、前部突合せ面１１の磁
気記録媒体の摺動面９と反対側の端部を切り欠くよう
に、この前部突合せ面１１に対して垂直な方向に形成す
る。また、溝部１８は、一対の磁気コア半体２が磁気ヘ
ッド１に分離された際に、摺動面９に対して略平行に形
成されて磁気ヘッド１の両側面に臨むように形成する。

【００８０】また、溝部１８には、非磁性材料を充填す
ることが望ましい。これにより、上述したように、フロ
ントギャップ１３のデプスＢがすり減った場合に形成さ
れる鋭利なエッジで磁気記録媒体を傷つけてしまうこと
を防止することができる。また、溝部１８に充填する非
磁性材料としては、上述した非磁性材料３３と同様な材
料を用いることができる。

【００８１】なお、本実施の形態では、後の工程で接合
する一対の磁気コア半体２の両方に溝部１８をそれぞれ
形成したが、溝部１８は、一対の磁気コア半体２のどち
らか一方に形成してもよい。

【００８２】次に、図１５に示すように、基板２１の主
面に並列して臨む前部突合せ面を横切るように角状の溝
であるサイド溝３４を形成する。その後、磁気コア半体
２が平行に複数列形成された基板２１を、それぞれ一列
毎となるように切断して磁気コア半体ブロック３５を形
成する。

【００８３】このサイド溝３４は、研削加工により形成
され、例えば、深さを５０μｍ、幅を４００μｍとされ
る。このサイド溝３４が形成されると、このサイド溝３
４の側面に前部突合せ面１１の一部が露出することとな
る。このサイド溝３４は、後述するように、一対の磁気
コア半体ブロック３５を突き合わせる際に、位置決めの
指標として前部突合せ面１１の上端部を露出させるため
に形成される。

【００８４】そして、このサイド溝３４が形成された
後、基板２１の主面に対して鏡面研磨加工を施して平坦
化を行う。このとき、保護膜によって覆われた前部突合
せ面１１及び後部突合せ面１２等を外方へと露出させ
る。

【００８５】次に、図１６に示すように、一対の磁気コ
ア半体ブロック３５を正確に位置決めして金属拡散接合
を行う。このとき、一対の磁気コア半体ブロック３５
は、接合部にＡｕのパターニングを施し、サイド溝３４
から臨む前部突合せ面１１の上端部同士を対向させるこ
とによって、正確に位置決めする。そして、突き合わせ
た一対の磁気コア半体ブロック３５に対して所定の温度
及び圧力を印加することにより、金属拡散接合を行い、
磁気ヘッドブロック３６を作製する。

【００８６】なお、本実施の形態では、Ａｕのパターニ
ングを施して金属拡散接合を行ったが、例えば、接着剤
や水ガラス等を用いて一対の磁気コア半体ブロック３５
同士を接合してもよい。

【００８７】次に、図１７に示すように、磁気ヘッドブ
ロック３６を個々の磁気ヘッド１に切断分離する。

【００８８】このとき、先ず、磁気ヘッドブロック３６
は、デプスマーカーとしての溝部１８を基準として、磁
気記録媒体が摺動する摺動面９となる表面を露出するた
めに、長手方向に切断加工を施す。そして、露出した表
面が円筒形を呈するように円筒切削加工を施すことで、
この表面が摺動面となる。その後、磁気ヘッドブロック
３６に対して、当たり幅規制溝１０を研削加工する。当
たり幅規制溝１０は、磁気ヘッド３６から分離される個
々の磁気ヘッド１の摺動面９の両側面に相当する部位に
形成する。

【００８９】そして、磁気ヘッドブロック３６を、図１
７中Ｄ−Ｄ線で示す部分で切断することにより、個々の
磁気ヘッド１に分離する。これにより、磁気ヘッド１が
完成する。

【００９０】上述したように、本発明に係る磁気ヘッド
の製造方法によれば、レジスト工程及びエッチング工程
によって、磁気ギャップのトラック幅方向の幅を高精度
に形成することができる。また、これらレジスト工程及
びエッチング工程は薄膜形成技術であることから、基板
上に多数の磁気ヘッドを形成する場合にも、これら磁気
ヘッドに対して一度に加工を施すことができ、生産効率
を向上することができる。

【００９１】なお、上述したように、一対の磁気コア半
体ブロック３５を接合する際には、それぞれの磁気コア
半体ブロック３５に形成された金属磁性薄膜２７の前部
突合せ面１１を略同一の幅としておき、高精度に位置あ
わせを行って接合することが望ましい。これにより、高
記録密度化に対応して記録再生特性が優れた磁気ヘッド
１を製造することができる。ただし、この場合には、磁
気ヘッド１のトラック幅Ｔｗの精度が、一対の磁気コア
半体ブロック３５の位置合わせの精度に依存してしま
う。すなわり、接合位置に少しでもズレが生じると、ト
ラック幅Ｔｗが減少してしまう。

【００９２】そこで、これら一対の磁気コア半体ブロッ
ク３５を接合する際には、それぞれの磁気コア半体ブロ
ック３５に形成された金属磁性薄膜２７の前部突合せ面
１１を、僅かに異なる幅で形成しておいてもよい。磁気
ヘッド１では、幅狭に形成された方の前部突合せ面１１
が実効トラック幅Ｔｗとなることから、前部突合せ面１
１同士を僅かに異なる幅で形成しておくことにより、位
置合わせが容易とすることができるとともに、所望のト
ラック幅Ｔｗを確実に得ることができる。一対の磁気コ
ア半体ブロック３５を接合する際には、接合精度が１μ
ｍ程度であれば容易であることから、それぞれの前部突
合せ面１１の幅の差は１〜２μｍとすることが望まし
い。

【００９３】また、上述したエッチング工程では、金属
磁性薄膜２７の両側縁部を切り欠くとしたが、低融点ガ
ラス３０から基板２１とともに露出する金属磁性薄膜２
７の基板２１側の側縁部、あるいは基板２１と反対側の
側縁部だけを切り欠くとしてもよい。また、エッチング
工程では、一般にレジスト膜３２も僅かずつエッチング
されてしまうことから、金属磁性薄膜２７の前部突合せ
面１１のトラック幅Ｔｗ方向の幅と、前部突合せ面１１
から基板２１方向に略垂直に切り欠かれた側壁部２７ａ
の高さとの間には、トレードオフの関係がある。したが
って、所望の幅及び高さを得るために、レジスト膜３２
の橋状部３２ｂの幅及び高さを調整したり、レジスト膜
３２として用いるレジスト材料を適宜選択することが望
ましい。

【００９４】また、エッチング工程によって形成された
金属磁性薄膜２７の側壁部２７ａは、その後の平坦化工
程等で徐々に高さが削られてしまう。したがって、この
エッチング工程では、この側壁部２７ａの高さが５μｍ
以上となるように金属磁性薄膜２７を切り欠くことが望
ましい。

【００９５】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る磁
気ヘッドは、一対の磁気コア半体にそれぞれ形成された
金属磁性薄膜のうち少なくとも一方の金属磁性薄膜が、
突合せ面でトラック幅方向に切り欠かれて形成されてな
る。これにより、磁気ギャップのトラック幅方向の幅を
形成されてなる。したがって、本発明に係る磁気ヘッド
は、高記録密度化に対応して、微細な磁気信号を正確に
記録再生することが可能となる。

【００９６】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
によれば、薄膜形成技術であるレジスト形成工程及びエ
ッチング工程によって、磁気ギャップのトラック幅方向
の幅を高精度に狭く形成することができる。これによ
り、例えば基板材上に形成された多数の磁気ヘッドに対
しても一度に加工を施すことができ、短時間で多数の磁
気ヘッドに対して加工を施すことができる。したがっ
て、高記録密度化に対応して微細な磁気信号を正確に記
録再生することが可能な磁気ヘッドを効率よく生産する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドを示す分解斜視図であ
る。

【図２】同磁気ヘッドの磁気コア及びその近傍を示す要
部拡大斜視図である。

【図３】同磁気ヘッドのデプスを示す要部拡大側面図で
ある。

【図４】同磁気ヘッドの磁気ギャップを示す要部拡大平
面図である。

【図５】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であり、基板を示す斜視図である。

【図６】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、基板上に磁気コア形成溝を形成した状態を示す斜
視図である。

【図７】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、金属磁性薄膜を成膜した状態を示す斜視図であ
る。

【図８】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、分離溝及び巻線溝を形成した状態を示す斜視図で
ある。

【図９】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図で
あり、低融点ガラスを充填した状態を示す斜視図であ
る。

【図１０】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、基板上に端子溝を形成した状態を示す斜視図で
ある。

【図１１】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、図１１（ａ）はレジスト膜を成膜した状態を示
す平面図であり、図１１（ｂ）は断面図である。

【図１２】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、金属磁性薄膜に対してエッチングを施した状態
を示す断面図である。

【図１３】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、エッチングによって形成された凹部に非磁性材
料を充填した状態を示す断面図である。

【図１４】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、薄膜コイルを形成した状態を示す斜視図であ
る。

【図１５】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、基板を磁気コア半体ブロックに切断分離した状
態を示す斜視図である。

【図１６】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、一対の磁気コア半体ブロックを接合する途中の
状態を示す斜視図である。

【図１７】同磁気ヘッドの製造方法を説明するための図
であり、磁気ヘッドブロックを示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 磁気ヘッド、２ 磁気コア半体、３ 基板、４ 金
属磁性薄膜、５ 低融点ガラス、７ 非磁性薄膜、１９
切欠部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門馬 由香 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 鈴木 浩二 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D093 AA01 BB04 BB05 BB18 BD01 BD08 EA02 FA18 FA26 HA16 HA18 JA01 5D111 AA19 AA22 BB12 BB18 BB37 BB48 FF04 GG16 HH16 JJ07 JJ08 KK01

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に金属磁性薄膜が斜めに成膜され
   るとともに、薄膜コイルが形成された凹部を有し、非磁
   性材料により突合せ面が平坦化されてなる一対の磁気コ
   ア半体を備え、上記金属磁性薄膜の前部突合せ面同士が
   非磁性薄膜を介して対向するように突き合わされて磁気
   ギャップが形成された磁気ヘッドであって、 上記金属磁性薄膜のうち少なくとも一方は、上記突合せ
   面に露出するトラック幅方向の両側部のうち少なくとも
   一方側を、上記突合せ面から下方に切り欠かれて形成さ
   れていることを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 基板上に金属磁性薄膜を斜めに成膜する
   とともに薄膜コイルを形成し、非磁性材料により突合せ
   面を平坦化してなる一対の磁気コア半体を、上記金属磁
   性薄膜の前部突合せ面同士が非磁性薄膜を介して対向す
   るように突き合わせて磁気ギャップを形成する磁気ヘッ
   ドの製造方法であって、 上記一対の磁気コア半体のうち少なくとも一方に対し
   て、上記突合せ面に露出する上記金属磁性薄膜上に、こ
   の金属磁性薄膜よりも幅狭にレジスト膜を形成するレジ
   スト形成工程と、 上記金属磁性薄膜に対して、上記レジスト膜の幅でエッ
   チング処理を施すエッチング工程とを経ることによっ
   て、上記金属磁性薄膜を上記突合せ面でトラック幅方向
   に幅狭に形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
   法。
3. 【請求項３】 上記エッチング工程では、イオンエッチ
   ング法を用いてエッチング処理を施すことを特徴とする
   請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 上記エッチング工程では、イオンビーム
   の入射角を２５゜以上且つ３５゜以下とすることを特徴
   とする請求項３記載の磁気ヘッドの製造方法。