JP2000293816A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁束の通過を妨げることなく、誘導型磁気変
換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流損失を減
少させて、高周波特性を改善する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘ
ッドとを備えている。記録ヘッドは、記録ギャップ層１
２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層お
よび上部磁極層１３と、これらの間に絶縁された状態で
配設された薄膜コイル１０とを有している。上部磁極層
１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃ
と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層
２１，２２とによって構成されている。抵抗層２１，２
２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極
部分１３Ａとの連結部の近傍の部分および下部磁極層と
の連結部の近傍の部分を除いた一部の領域に配置されて
いる。また、抵抗層２１，２２は、それぞれ、分割され
た複数の領域に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異
方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto-r
esistive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大
磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto-resistive）
と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素
子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲ
ヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭ
Ｒヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１
ギガビット／（インチ）²を超える再生ヘッドとして利
用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。

【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。

【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、パターン幅、特に、スロー
トハイト（Throat Height：TH）がある。スロートハイ
トは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する
部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部ま
での長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のため
には、スロートハイトの縮小化が望まれている。このス
ロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量
によって制御される。

【０００５】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリ
ング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭
くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があ
り、これを達成するために半導体加工技術が利用されて
いる。

【０００６】このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上
のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。

【０００７】ここで、図１６ないし図２２を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１６ないし図２１において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０００８】この製造方法では、まず、図１６に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。

【０００９】次に、図１７に示したように、下部シール
ド層１０３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎ
ｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シール
ドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギ
ャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成
するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次
に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子１０５を形成すべき位
置に選択的にフォトレジストパターンを形成する。この
とき、リフトオフを容易に行うことができるような形
状、例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを
形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとし
て、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチング
して、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０
５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次
に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、同じフォト
レジストパターンをマスクとして、ＭＲ素子１０５に電
気的に接続される一対の電極層１０６を形成する。

【００１０】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。

【００１１】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。次に、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばア
ルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの
厚みに形成する。

【００１２】次に、図１８に示したように、磁路形成の
ために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングし
て、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極
部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド
用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材料のパーマロイ
（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極チップ１１
０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き、同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９
ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１
１９を形成する。

【００１３】次に、図１９に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図１９（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。この
トリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生す
る磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止する
ことができる。

【００１４】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の
研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機
械研磨）が用いられる。この平坦化により、上部磁極チ
ップ１１０および磁性層１１９の表面が露出する。

【００１５】次に、図２０に示したように、平坦化され
た絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導
型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成
する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、
フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成す
る。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にする
ために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト
層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成す
る。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４
上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形
成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦に
するために所定の温度で熱処理する。

【００１６】次に、図２１に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。図２２は、この薄膜磁気ヘッドの平面図である。な
お、この図では、オーバーコート層１１７を省略してい
る。

【００１７】図２１において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。また、
Ｐ２Ｗは、磁極幅、すなわち記録トラック幅を表してい
る。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロ
ートハイトやＭＲハイト等の他に、図２１においてθで
示したようなエイペックスアングル（Apex Angle）が
ある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層
１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコイル部
分（以下、エイペックス部と言う。）における磁極側の
側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面とのなす角
度をいう。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】近年、コンピュータ等
に使用されるハードディスク装置の面記録密度の向上に
伴って、薄膜磁気ヘッドにおける記録再生情報の周波数
が高くなってきている。記録情報の周波数が高くなる
と、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層におけ
る渦電流損失が大きくなる。それに伴い、記録ギャップ
層を介して対向する磁極部分より発生される記録磁界の
強度の低下や、コイルに供給される記録電流に対する記
録磁界の遅延の増加や、記録磁界の立ち上がりの時間勾
配の低下等の問題が発生する。これらの問題は、具体的
には、例えば、非線形トランジションシフト（Non-line
ar Transition Shift；ＮＬＴＳ）の増加として現れ
る。

【００１９】従来、磁性層における渦電流損失を減少さ
せ、薄膜磁気ヘッドの高周波特性を向上させる技術とし
て、例えば、特開平６−１３９５２１号公報や特開昭６
０−３５３１５号公報には、誘導型磁気変換素子の磁路
を形成する磁性層を、軟磁性層と絶縁層とを交互に積層
した構造とした技術が示されている。

【００２０】しかしながら、この技術では、磁性層全体
を上述の積層構造にしているため、磁束の通過領域が狭
くなり、磁束の通過が妨げられて、磁性層を通過する磁
束の量が低下するという問題点がある。

【００２１】また、特開平６−１３９５２１号公報に
は、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層を、記
録ギャップ層に垂直な方向に沿うように軟磁性層と絶縁
層とを交互に配置した構造とした技術も示されている。

【００２２】しかしながら、磁性層をこのような構造と
すると、磁性層の磁化（磁歪）の方向を一定にしにくく
なり、効率よく磁束を通過させることが難しくなるとい
う問題点がある。

【００２３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁束の通過を妨げることなく、誘導
型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層における渦電流
損失を減少させて、高周波特性を改善できるようにした
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の薄膜磁気
ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する
側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極
部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１
および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の
間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された
状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換
素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、第１および第２
の磁性層は、それぞれ、薄膜コイルに対向する領域を含
む領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク
部分を有し、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部
分は、複数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層
の間に配置され、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵
抗層とを有し、抵抗層は、ヨーク部分のうち、磁極部分
との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を
除いた一部の領域に配置されているものである。

【００２５】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を
備え、第１および第２の磁性層は、それぞれ、薄膜コイ
ルに対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部
分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、第１の磁性層を形成する工程と、第１
の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ
層の上に第２の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層
と第２の磁性層の間に配置されるように薄膜コイルを形
成する工程とを含み、第１の磁性層を形成する工程と第
２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、複数の
磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置さ
れ、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有す
るヨーク部分を形成すると共に、抵抗層を、ヨーク部分
のうち、磁極部分との連結部の近傍および他の磁性層と
の連結部の近傍を除いた一部の領域に配置するものであ
る。

【００２６】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク
部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形
成されると共に、抵抗層が、ヨーク部分のうち、磁極部
分との連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍
を除いた一部の領域に配置される。これにより、磁束の
通過が妨げられることなく、磁性層における渦電流損失
が減少する。

【００２７】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、抵抗層は、例えば、分割された複
数の領域に配置される。

【００２８】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、抵抗層は、例えば絶縁材料によっ
て形成される。この場合、絶縁材料は、例えば無機材料
よりなる。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、例えば、抵抗層は、無機材料よりなる層を反
応性イオンエッチングによって選択的にエッチングする
ことによって所定のパターンに形成される。

【００２９】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、例えば、第１の磁性層は、薄膜コ
イルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分
と、この第１の部分における薄膜コイル側の面に接続さ
れ、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、薄膜コイ
ルの少なくとも一部は、第１の磁性層の第２の部分の側
方に配置され、第２の磁性層のヨーク部分は、複数の磁
性材料層と抵抗層とを有する。

【００３０】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体
に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
うに配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１
および第２のシールド層とを備えていてもよい。この場
合、第２のシールド層は、第１の磁性層を兼ねていても
よい。

【００３１】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、磁気的
に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギ
ャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性
層と、この第１および第２の磁性層の間に、この第１お
よび第２の磁性層に対して絶縁された状態で配設された
薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備えた薄膜
磁気ヘッドであって、第１および第２の磁性層は、それ
ぞれ、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置され
ると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有し、少な
くとも一方の磁性層におけるヨーク部分は、複数の磁性
材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、
磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有し、抵
抗層は、分割された複数の領域に配置されているもので
ある。

【００３２】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を
備え、第１および第２の磁性層は、それぞれ、薄膜コイ
ルに対向する領域を含む領域に配置されると共に磁極部
分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、第１の磁性層を形成する工程と、第１
の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ
層の上に第２の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層
と第２の磁性層の間に配置されるように薄膜コイルを形
成する工程とを含み、第１の磁性層を形成する工程と第
２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、複数の
磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置さ
れ、磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有す
るヨーク部分を形成すると共に、抵抗層を、分割された
複数の領域に配置するものである。

【００３３】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク
部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形
成されると共に、抵抗層が、分割された複数の領域に配
置される。これにより、磁束の通過が妨げられることな
く、磁性層における渦電流損失が減少する。

【００３４】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、抵抗層は、例えば絶縁材料によっ
て形成される。この場合、絶縁材料は、例えば無機材料
よりなる。また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、例えば、抵抗層は、無機材料よりなる層を反
応性イオンエッチングによって選択的にエッチングする
ことによって所定のパターンに形成される。

【００３５】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、例えば、第１の磁性層は、薄膜コ
イルに対向する領域を含む領域に配置された第１の部分
と、この第１の部分における薄膜コイル側の面に接続さ
れ、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、薄膜コイ
ルの少なくとも一部は、第１の磁性層の第２の部分の側
方に配置され、第２の磁性層のヨーク部分は、複数の磁
性材料層と抵抗層とを有する。

【００３６】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体
に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
うに配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１
および第２のシールド層とを備えていてもよい。この場
合、第２のシールド層は、第１の磁性層を兼ねていても
よい。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図１２を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図７において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。

【００３８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば
４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研
磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化処理する。

【００３９】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウム
をスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャッ
プ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の
上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成した
ＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成す
る。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、
あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気
抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができ
る。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子
５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの
厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およ
びＭＲ素子５の上に、絶縁層としての上部シールドギャ
ップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜
４，７内に埋設する。

【００４０】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）の第１の部分８ａを、約１．０〜２．０μ
ｍの厚みで、選択的に形成する。下部磁極層の第１の部
分８ａは、下部磁極層のうち、後述する薄膜コイルに対
向する領域を含む領域に配置される部分である。

【００４１】次に、図３に示したように、下部磁極層の
第１の部分８ａの上に、下部磁極層の第２の部分８ｂお
よび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに
形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層の磁極部分を
形成し、第１の部分８ａの薄膜コイル側の面に接続され
る。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと後述する上部
磁極層とを接続するための部分である。本実施の形態に
おいて、第２の部分８ｂのエアベアリング面とは反対側
（図において右側）の端部の位置は、磁極部分のエアベ
アリング面とは反対側の端部の位置であるスロートハイ
トゼロ位置となる。

【００４２】下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の
部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０
重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、め
っき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタに
よって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材
料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いても
よい。

【００４３】次に、図４に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍ
の厚みに形成する。

【００４４】次に、フレームめっき法によって、例えば
銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１０を、例えば約１．０
〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図中、符号１０
ａは、薄膜コイル１０と後述する電極用パッドとを接続
するための導電層が接続される接続部を示している。

【００４５】次に、図５に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層
の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出するま
で、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図５では、薄膜コイル１０は露出していないが、
薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。薄膜コイ
ル１０が露出するようにした場合には、薄膜コイル１０
および絶縁層１１の上に他の絶縁層を形成する。

【００４６】次に、図６に示したように、露出した下部
磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃと絶縁層
１１の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、
例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャ
ップ層１２に使用する絶縁材料としては、一般的に、ア
ルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シ
リコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ）等がある。

【００４７】次に、磁路形成のために、下部磁極層の第
３の部分８ｃの上の部分において、記録ギャップ層１２
を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成す
る。

【００４８】次に、記録ギャップ層１２の上に、以下の
手順で上部磁極層１３を形成する。すなわち、まず、記
録ギャップ層１２の上に、磁性材料よりなる第１の磁性
材料層１３ａを、例えば約０．５〜１．５μｍの厚み
で、所定のパターンに形成する。次に、第１の磁性材料
層１３ａの上に、第１の磁性材料層１３ａよりも電気抵
抗の大きい第１の抵抗層２１を、例えば数十〜数百ｎｍ
の厚みで、所定のパターンに形成する。図８は、上部磁
極層１３の第１の磁性材料層１３ａと第１の抵抗層２１
とを示す平面図である。次に、第１の抵抗層２１の上
に、第１の磁性材料層１３ａと同じ磁性材料よりなる第
２の磁性材料層１３ｂを、例えば約０．５〜１．５μｍ
の厚みで、所定のパターンに形成する。次に、第２の磁
性材料層１３ｂの上に、第２の磁性材料層１３ｂよりも
電気抵抗の大きい第２の抵抗層２２を、例えば数十〜数
百ｎｍの厚みで、第１の磁性材料層１３ａと同じパター
ンに形成する。図９は、上部磁極層１３の第２の磁性材
料層１３ｂと第２の抵抗層２２とを示す平面図である。
次に、第２の抵抗層２２の上に、第１の磁性材料層１３
ａと同じ磁性材料よりなる第３の磁性材料層１３ｃを、
例えば約０．５〜１．５μｍの厚みで、第１の磁性材料
層１３ａと同じパターンに形成する。

【００４９】磁性材料層１３ａ〜１３ｃは、ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁
束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：
５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。
この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ
系アモルファス材等を用いてもよい。

【００５０】抵抗層２１，２２は、例えば、アルミナ、
窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒
化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等
の無機絶縁材料によって形成される。また、抵抗層２
１，２２は、例えば、スパッタによって上記無機絶縁材
料よりなる膜を形成した後、この膜を例えば反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）によって選択的にエッチングす
ることによって、所定のパターンに形成される。

【００５１】このように、本実施の形態における上部磁
極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３
ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗
層２１，２２とによって構成される。この上部磁極層１
３の特徴については、後で詳しく説明する。

【００５２】次に、上部磁極層１３をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的に
エッチングし、更に、例えばアルゴンイオンミリングに
よって、下部磁極層の第２の部分８ｂを選択的に約０．
３〜０．６μｍ程度エッチングして、図６（ｂ）に示し
たようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、
狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる
実効トラック幅の増加を防止することができる。

【００５３】次に、図７に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４
０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上
に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スラ
イダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッド
のエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドが完成する。図１０は、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバ
ーコート層１７を省略している。なお、図１０におい
て、符号８Ｂは、トリム構造とするため下部磁極層の第
２の部分８ｂがエッチングされている部分を表してい
る。

【００５４】本実施の形態では、第１の部分８ａ、第２
の部分８ｂおよび第３の部分８ｃよりなる下部磁極層
が、本発明における第１の磁性層に対応し、磁性材料層
１３ａ〜１３ｃおよび抵抗層２１，２２よりなる上部磁
極層１３が、本発明における第２の磁性層に対応する。
また、下部シールド層３は、本発明における第１のシー
ルド層に対応する。また、下部磁極層は、上部シールド
層を兼ねているので、本発明における第２のシールド層
にも対応する。

【００５５】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向す
る側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れ、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３
および上部シールド層（下部磁極層）とを有している。

【００５６】記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記
録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層１２を介し
て互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも
１つの層からなる下部磁極層および上部磁極層１３と、
この下部磁極層および上部磁極層１３の間に、これらに
対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを
有している。下部磁極層と上部磁極層１３は、それぞ
れ、薄膜コイル１０に対向する領域を含む領域に配置さ
れると共に磁極部分に連結されたヨーク部分を有してい
る。

【００５７】本実施の形態では、下部磁極層は、薄膜コ
イル１０に対向する領域を含む領域に配置された第１の
部分８ａと、この第１の部分８ａにおける薄膜コイル１
０側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分８
ｂとを有し、薄膜コイル１０は、下部磁極層の第２の部
分８ｂの側方に配置されている。

【００５８】ここで、本実施の形態における上部磁極層
１３の特徴について説明する。図７ないし図９に示した
ように、上部磁極層１３は、磁極部分１３Ａと、薄膜コ
イル１０に対向する領域を含む領域に配置されると共に
磁極部分１３Ａに連結されたヨーク部分１３Ｂとを有し
ている。図７に示したように、磁極部分１３Ａとヨーク
部分１３Ｂと連結部の位置は、スロートハイトゼロ位置
またはその近傍の位置になっている。図８および図９に
示したように、磁極部分１３Ａは、狭い一定の幅を有し
ている。この磁極部分１３Ａの幅が記録ヘッドのトラッ
ク幅を規定する。ヨーク部分１３Ｂは、磁極部分１３Ａ
との連結部の近傍の部分２３では、磁極部分１３Ａより
も大きい一定の幅を有し、その部分２３よりもエアベア
リング面とは反対側（図における右側）の部分では、エ
アベアリング面から遠ざかるにつれて幅が大きくなり、
やがて一定の幅を有するような形状になっている。

【００５９】上部磁極層１３は、積層された複数の磁性
材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の
間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されて
いる。図８および図９に示したように、抵抗層２１，２
２は、上部磁極層１３のヨーク部分１３Ｂのうち、磁極
部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２３および他の磁性
層すなわち下部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除
いた一部の領域に配置されている。

【００６０】また、抵抗層２１，２２は、それぞれ、分
割された複数の領域に配置されている。本実施の形態で
は、特に、抵抗層２１，２２は、それぞれ、ストライプ
状に形成されている。また、本実施の形態では、図８と
図９を比較すると分かるように、抵抗層２１の各部分と
抵抗層２２の各部分は、ほぼ互い違いになるように配置
されている。なお、抵抗層２１の各部分と抵抗層２２の
各部分が、上から見て同じ位置に配置されていてもよ
い。

【００６１】なお、図６（ａ）および図７（ａ）は、図
８および図９におけるＡ−Ａ´線で切断した断面を表し
ている。

【００６２】本実施の形態によれば、上部磁極層１３
を、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣
接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，
２２とで構成したので、上部磁極層１３における渦電流
損失を減少させることができる。

【００６３】ところで、上部磁極層１３のヨーク部分１
３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連結部の近傍の部分２
３および他の磁性層すなわち下部磁極層との連結部の近
傍の部分２４は、ヨーク部分１３Ｂの他の部分に比べ
て、元々、磁束の通過領域が狭い。そのため、これらの
部分２３，２４に抵抗層が存在すると、抵抗層によって
磁束の通過が妨げられる。これに対し、本実施の形態で
は、抵抗層２１，２２は、上部磁極層１３のヨーク部分
１３Ｂのうち、上記の部分２３，２４を除いた一部の領
域に配置されているので、磁束の通過を妨げることな
く、上部磁極層１３における渦電流損失を減少させるこ
とができる。

【００６４】また、抵抗層が上部磁極層の全体にわたっ
て形成されていると、磁束の通過領域が狭くなり、磁束
の通過が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、
抵抗層２１，２２は、分割された複数の領域に配置され
ているので、抵抗層が上部磁極層の全体にわたって形成
されている場合に比べて、磁束の通過領域が広くなり、
磁束の通過を妨げることなく、上部磁極層１３における
渦電流損失を減少させることができる。

【００６５】このように、本実施の形態によれば、上部
磁極層１３における渦電流損失を減少させることができ
ることから、薄膜磁気ヘッドにおける高周波特性を改善
でき、例えば非線形トランジションシフトを小さくする
ことが可能となる。

【００６６】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１０を、下部磁極層の第１の部分８ａの上であって、第
２の部分８ｂの側方に配置し、薄膜コイル１０を覆う絶
縁層１１の上面を平坦化したので、上部磁極層１３を平
坦な面の上に形成することができる。従って、本実施の
形態によれば、積層構造を有する上部磁極層１３の形成
が容易になる。また、本実施の形態によれば、上部磁極
層１３の磁極部分１３Ａを、例えばハーフミクロン寸法
やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記
録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。

【００６７】また、本実施の形態では、記録ヘッドのト
ラック幅を規定する上部磁極層１３の磁極部分１３Ａが
スロートハイトを規定するのではなく、下部磁極層の第
２の部分８ｂがスロートハイトを規定する。従って、本
実施の形態によれば、トラック幅が小さくなっても、ス
ロートハイトを精度よく、均一に規定することが可能と
なる。

【００６８】更に、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１０を、平坦な面の上に形成することができるので、薄
膜コイル１０を微細に形成することが可能になる。これ
により、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。

【００６９】また、本実施の形態では、図１０に示した
ように、上部磁極層１３は、スロートハイトゼロ位置Ｔ
Ｈ０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０
とは反対側（図における右側）の部分では、例えば３μ
ｍ以上の一定の幅を有し、スロートハイトゼロ位置ＴＨ
０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０側
の部分では、ハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸
法の一定の幅を有している。そのため、上部磁極層１３
を通過する磁束は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０また
はその近傍の位置よりもエアベアリング面３０とは反対
側の部分では飽和せず、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０
またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０側の
部分で飽和する。これにより、非線形トランジションシ
フトやオーバーライト特性を向上させることができる。

【００７０】図１１は、上部磁極層の抵抗層のパターン
の他の例を示す平面図である。この例では、抵抗層２１
（図８）の代りに抵抗層３１が設けられている。この抵
抗層３１は、ストライプ状ではなく、島状に分割された
複数の領域に配置されている。また、この例では、抵抗
層２２（図９）の代りに、抵抗層３１と同様のパターン
の抵抗層を設けてもよいし、抵抗層３１の各部分に対し
てほぼ互い違いになるように配置される複数の部分を有
するパターンの抵抗層を設けてもよい。

【００７１】図１２は、上部磁極層の抵抗層のパターン
の更に他の例を示す平面図である。この例では、抵抗層
２１（図８）の代りに抵抗層３２が設けられている。こ
の抵抗層３２は、分割された複数の領域に配置されてお
らず、ヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａとの連
結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下部磁
極層との連結部の近傍の部分２４を除くほぼ全域に配置
されている。また、この例では、抵抗層２２（図９）の
代りに、抵抗層３２と同様のパターンの抵抗層を設けて
もよいし、抵抗層３２とは異なるパターンの抵抗層を設
けてもよい。

【００７２】図１２に示した例では、抵抗層が分割され
た複数の領域に配置される場合の効果は得られないが、
抵抗層が、ヨーク部分１３Ｂのうち、磁極部分１３Ａと
の連結部の近傍の部分２３および他の磁性層すなわち下
部磁極層との連結部の近傍の部分２４を除いた一部の領
域に配置されることによる効果が得られる。

【００７３】［第２の実施の形態］次に、図１３および
図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１３において、（ａ）はエアベアリング面に垂直
な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に
平行な断面を示している。図１４は、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図では、オーバ
ーコート層は省略している。

【００７４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２
層の薄膜コイルを設けた例である。なお、本実施の形態
では、符号１０は、薄膜コイルの第１層部分を表す。本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録
ギャップ層１２を形成する工程までは、第１の実施の形
態と同様である。本実施の形態では、次に、記録ギャッ
プ層１２の上に、上部磁極層の磁極部分を形成する磁極
部分層４１を１．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共
に、下部磁極層の第３の部分８ｃの上に形成されたコン
タクトホールの位置に、磁性層４２を１．０〜３．０μ
ｍの厚みに形成する。磁性層４２は、後述する上部磁極
層のヨーク部分層と下部磁極層とを接続するための部分
である。なお、磁性層４２は、下部磁極層の第３の部分
８ｃよりも大きくなっている。本実施の形態では、上部
磁極層の磁極部分層４１の長さは、下部磁極層の第２の
部分８ｂの長さ以上に形成される。

【００７５】上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層
４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４
５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法
によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料である
ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって
形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であ
るＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。

【００７６】次に、上部磁極層の磁極部分層４１をマス
クとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１
２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチ
ングには、例えば、ＢＣｌ₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、
ＣＦ₄，ＳＦ₆等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例え
ばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層の第２
の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチ
ングして、図１３（ｂ）に示したようなトリム構造とす
る。

【００７７】次に、記録ギャップ層１２の上のコイル形
成領域に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を、約
０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。

【００７８】次に、フレームめっき法によって、例えば
銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例
えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。なお、図
中、符号１５ａは、薄膜コイルの第１層部分１０の接続
部１０ａと接続される接続部を示している。

【００７９】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１６を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層４１およ
び磁性層４２が露出するまで、絶縁層１６を研磨して、
表面を平坦化処理する。

【００８０】次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分
層４１および磁性層４２と絶縁層１６の上に、上部磁極
層のヨーク部分を形成するヨーク部分層４３を形成す
る。このヨーク部分層４３は、積層された複数の磁性材
料層４３ａ〜４３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間
に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されてい
る。ヨーク部分層４３の形成方法は、第１の実施の形態
における上部磁極層１３の形成方法と同様である。ま
た、抵抗層２１，２２のパターンも第１の実施の形態と
同様である。

【００８１】本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部
分層４３の記録媒体に対向する側（エアベアリング面
側）の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面
から離れた位置（図において右側）に配置されている。

【００８２】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成
する。

【００８３】本実施の形態では、磁極部分層４１、磁性
層４２およびヨーク部分層４３よりなる上部磁極層が、
本発明における第２の磁性層に対応する。

【００８４】本実施の形態によれば、上部磁極層の磁極
部分層４１を平坦な面の上に形成することができるの
で、磁極部分層４１を、例えばハーフミクロン寸法やク
ォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘ
ッドのトラック幅の縮小が可能となる。

【００８５】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第２層部分１５を、上部磁極層の磁極部分層４１の側
方に配置したので、上部磁極層のヨーク部分層４３を、
平坦な面の上に形成することができる。そのため、本実
施の形態によれば、積層構造を有するヨーク部分層４３
の形成が容易になる。また、本実施の形態によれば、ヨ
ーク部分層４３を微細に形成可能となり、いわゆるサイ
ドライトの発生を防止することが可能となる。

【００８６】また、本実施の形態では、上部磁極層のヨ
ーク部分層４３のエアベアリング面側の端面を、薄膜磁
気ヘッドのエアベアリング面から離れた位置に配置して
いる。そのため、スロートハイトが小さい場合でも、上
部磁極層のヨーク部分層４３がエアベアリング面に露出
することがなく、その結果、いわゆるサイドライトの発
生を防止することができる。

【００８７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００８８】［第３の実施の形態］次に、図１５を参照
して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１５は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。この図
では、オーバーコート層は省略している。

【００８９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、下
部磁極層の第２の部分８ｂを、薄膜コイルの第１層部分
１０の周囲を囲うように形成したものである。下部磁極
層の第２の部分８ｂをこのような形状とすることによ
り、絶縁層１１の平坦化処理が容易になる。

【００９０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。なお、
第１の実施の形態における下部磁極層の第２の部分８ｂ
を、本実施の形態のような形状に形成してもよい。

【００９１】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形
態では、上部磁極層のヨーク部分のみを、複数の磁性材
料層の間に抵抗層を配置した構造としたが、下部磁極層
のヨーク部分も同様の構造としてもよい。

【００９２】また、上記各実施の形態では、下部磁極層
によってスロートハイトを規定するようにしたが、上部
磁極層によってスロートハイトを規定するようにしても
よい。

【００９３】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

【００９４】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。

【００９５】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし７の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１４ない
し２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、少なくとも一方の磁性層におけるヨーク部分
を、複数の磁性材料層と抵抗層とを有するように形成す
ると共に、抵抗層を、ヨーク部分のうち、磁極部分との
連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除い
た一部の領域に配置したので、磁束の通過を妨げること
なく、誘導型磁気変換素子の磁路を形成する磁性層にお
ける渦電流損失を減少させて、高周波特性を改善するこ
とができるという効果を奏する。

【００９６】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、抵抗層が、分割された複数の領域に配置されるの
で、更に、磁束の通過領域が広くなり、磁性層における
渦電流損失をより減少させることが可能になるという効
果を奏する。

【００９７】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層が、薄膜コイルに対向する領域を含む
領域に配置された第１の部分と、この第１の部分におけ
る薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第
２の部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部が、第
１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２の磁性
層のヨーク部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有す
るようにしたので、更に、積層構造を有する第２の磁性
層のヨーク部分の形成が容易になるという効果を奏す
る。

【００９８】また、請求項８ないし１３のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項２２ないし２８のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、少な
くとも一方の磁性層におけるヨーク部分を、複数の磁性
材料層と抵抗層とを有するように形成すると共に、抵抗
層を、分割された複数の領域に配置したので、磁束の通
過を妨げることなく、誘導型磁気変換素子の磁路を形成
する磁性層における渦電流損失を減少させて、高周波特
性を改善することができるという効果を奏する。

【００９９】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層が、薄膜コイルに対向する領域を含む
領域に配置された第１の部分と、この第１の部分におけ
る薄膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成する第
２の部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部が、第
１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２の磁性
層のヨーク部分が、複数の磁性材料層と抵抗層とを有す
るようにしたので、更に、積層構造を有する第２の磁性
層のヨーク部分の形成が容易になるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける上部磁極層の第１の磁性材料層と第１の抵抗
層とを示す平面図である。

【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける上部磁極層の第２の磁性材料層と第２の抵抗
層とを示す平面図である。

【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける上部磁極層の抵抗層のパターンの他の例を
示す平面図である。

【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける上部磁極層の抵抗層のパターンの更に他の
例を示す平面図である。

【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２２】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８ａ…下部磁極層の第１の部分、８ｂ…下部磁極
層の第２の部分、９…絶縁膜、１０…薄膜コイル、１１
…絶縁層、１２…記録ギャップ層、１３…上部磁極層、
１３ａ〜１３ｃ…磁性材料層、２１，２２…抵抗層、１
７…オーバーコート層。

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
   する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する
   磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる
   第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性
   層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁さ
   れた状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気
   変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１および第２の磁性層は、それぞれ、前記薄膜コ
   イルに対向する領域を含む領域に配置されると共に前記
   磁極部分に連結されたヨーク部分を有し、 少なくとも一方の磁性層における前記ヨーク部分は、複
   数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配
   置され、前記磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層
   とを有し、 前記抵抗層は、前記ヨーク部分のうち、前記磁極部分と
   の連結部の近傍および他の磁性層との連結部の近傍を除
   いた一部の領域に配置されていることを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記抵抗層は、分割された複数の領域に
   配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記抵抗層は、絶縁材料によって形成さ
   れていることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜
   磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記絶縁材料は、無機材料よりなること
   を特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルに
   対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、こ
   の第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続さ
   れ、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層
   の第２の部分の側方に配置され、 前記第２の磁性層のヨーク部分は、前記複数の磁性材料
   層と前記抵抗層とを有することを特徴とする請求項１な
   いし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向
   する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
   に配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第
   １および第２のシールド層とを備えたことを特徴とする
   請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記第２のシールド層は、前記第１の磁
   性層を兼ねていることを特徴とする請求項６記載の薄膜
   磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
   する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する
   磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる
   第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性
   層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁さ
   れた状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気
   変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１および第２の磁性層は、それぞれ、前記薄膜コ
   イルに対向する領域を含む領域に配置されると共に前記
   磁極部分に連結されたヨーク部分を有し、 少なくとも一方の磁性層における前記ヨーク部分は、複
   数の磁性材料層と、隣接する２つの磁性材料層の間に配
   置され、前記磁性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層
   とを有し、 前記抵抗層は、分割された複数の領域に配置されている
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 前記抵抗層は、絶縁材料によって形成さ
   れていることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
10. 【請求項１０】 前記絶縁材料は、無機材料よりなるこ
    とを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 前記第１の磁性層は、前記薄膜コイル
    に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、
    この第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続さ
    れ、磁極部分を形成する第２の部分とを有し、 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層
    の第２の部分の側方に配置され、 前記第２の磁性層のヨーク部分は、前記複数の磁性材料
    層と前記抵抗層とを有することを特徴とする請求項８な
    いし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための
    第１および第２のシールド層とを備えたことを特徴とす
    る請求項８ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
13. 【請求項１３】 前記第２のシールド層は、前記第１の
    磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項１２記載の
    薄膜磁気ヘッド。
14. 【請求項１４】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対
    向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向す
    る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
    る第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁
    性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁
    された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁
    気変換素子を備え、 前記第１および第２の磁性層は、それぞれ、前記薄膜コ
    イルに対向する領域を含む領域に配置されると共に前記
    磁極部分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の間に配置される
    ように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、 前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を
    形成する工程の少なくとも一方は、複数の磁性材料層
    と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、前記磁
    性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有するヨー
    ク部分を形成すると共に、前記抵抗層を、前記ヨーク部
    分のうち、前記磁極部分との連結部の近傍および他の磁
    性層との連結部の近傍を除いた一部の領域に配置するこ
    とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
15. 【請求項１５】 前記第１の磁性層を形成する工程と前
    記第２の磁性層を形成する工程の少なくとも一方は、前
    記抵抗層を、分割された複数の領域に配置することを特
    徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記抵抗層は、絶縁材料によって形成
    されることを特徴とする請求項１４または１５記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記絶縁材料は、無機材料よりなるこ
    とを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
18. 【請求項１８】 前記抵抗層は、前記無機材料よりなる
    層を反応性イオンエッチングによって選択的にエッチン
    グすることによって所定のパターンに形成されることを
    特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
19. 【請求項１９】 前記第１の磁性層を形成する工程は、
    前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された
    第１の部分と、この第１の部分における前記薄膜コイル
    側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを
    有する第１の磁性層を形成し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を、前記第１の磁性層の第２の部分の側方
    に配置されるように形成し、 前記第２の磁性層を形成する工程は、前記第２の磁性層
    のヨーク部分を、前記複数の磁性材料層と前記抵抗層と
    を有するように形成することを特徴とする請求項１４な
    いし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
20. 【請求項２０】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための
    第１および第２のシールド層とを形成する工程を含むこ
    とを特徴とする請求項１４ないし１９のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
21. 【請求項２１】 前記第２のシールド層は、前記第１の
    磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項２０記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
22. 【請求項２２】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対
    向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向す
    る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
    る第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁
    性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁
    された状態で配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁
    気変換素子を備え、 前記第１および第２の磁性層は、それぞれ、前記薄膜コ
    イルに対向する領域を含む領域に配置されると共に前記
    磁極部分に連結されたヨーク部分を有する薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の間に配置される
    ように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、 前記第１の磁性層を形成する工程と前記第２の磁性層を
    形成する工程の少なくとも一方は、複数の磁性材料層
    と、隣接する２つの磁性材料層の間に配置され、前記磁
    性材料層よりも電気抵抗の大きい抵抗層とを有するヨー
    ク部分を形成すると共に、前記抵抗層を、分割された複
    数の領域に配置することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
23. 【請求項２３】 前記抵抗層は、絶縁材料によって形成
    されることを特徴とする請求項２２記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
24. 【請求項２４】 前記絶縁材料は、無機材料よりなるこ
    とを特徴とする請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
25. 【請求項２５】 前記抵抗層は、前記無機材料よりなる
    層を反応性イオンエッチングによって選択的にエッチン
    グすることによって所定のパターンに形成されることを
    特徴とする請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
26. 【請求項２６】 前記第１の磁性層を形成する工程は、
    前記薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置された
    第１の部分と、この第１の部分における前記薄膜コイル
    側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを
    有する第１の磁性層を形成し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
    なくとも一部を、前記第１の磁性層の第２の部分の側方
    に配置されるように形成し、 前記第２の磁性層を形成する工程は、前記第２の磁性層
    のヨーク部分を、前記複数の磁性材料層と前記抵抗層と
    を有するように形成することを特徴とする請求項２２な
    いし２５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
27. 【請求項２７】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための
    第１および第２のシールド層とを形成する工程を含むこ
    とを特徴とする請求項２２ないし２６のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
28. 【請求項２８】 前記第２のシールド層は、前記第１の
    磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項２７記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。