JP2000294371A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非発光部分の拡大を抑えた、長寿命な有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネルと、その製
造方法を提供する。 【解決手段】 基板１と、複数の第一電極２と、端子パ
ッド５と、該第一電極２を被覆する有機エレクトロルミ
ネッセンス媒体と、該有機エレクトロルミネッセンス媒
体上に該第一電極２に直交する方向に形成された複数の
第二電極とを備える。該第一電極２と、該有機エレクト
ロルミネッセンス媒体と、該第二電極との重なった部分
を夫々発光画素とする。前記第一電極２上に、少なくと
も該第一電極２の一部分を露出せしめる電気絶縁膜３が
形成され、前記電気絶縁膜３上に、該第一電極２に直交
する方向に前記基板１上に突出する複数の電気絶縁体か
らなる隔壁４が形成される。前記隔壁４が、前記基板１
に平行な方向に突出するオーバーハング部を有し、かつ
前記端子パッド５間まで延在して、前記第二電極と該端
子パッド５とが電気的に接続する領域を画定している。
レクトロルミネッセンスディスプレイパネルと、その製
造方法を提供する。 【解決手段】 基板１と、複数の第一電極２と、端子パ
ッド５と、該第一電極２を被覆する有機エレクトロルミ
ネッセンス媒体と、該有機エレクトロルミネッセンス媒
体上に該第一電極２に直交する方向に形成された複数の
第二電極とを備える。該第一電極２と、該有機エレクト
ロルミネッセンス媒体と、該第二電極との重なった部分
を夫々発光画素とする。前記第一電極２上に、少なくと
も該第一電極２の一部分を露出せしめる電気絶縁膜３が
形成され、前記電気絶縁膜３上に、該第一電極２に直交
する方向に前記基板１上に突出する複数の電気絶縁体か
らなる隔壁４が形成される。前記隔壁４が、前記基板１
に平行な方向に突出するオーバーハング部を有し、かつ
前記端子パッド５間まで延在して、前記第二電極と該端
子パッド５とが電気的に接続する領域を画定している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と称する）ディスプ
レイパネルおよびその製造方法に関する。
ミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と称する）ディスプ
レイパネルおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機化合物材料のエレクトロルミネッセ
ンスを利用した有機ＥＬディスプレイパネルの一つに、
図１０に示すような、パッシブマトリクス型（単純マト
リクス型）ディスプレイがある。
ンスを利用した有機ＥＬディスプレイパネルの一つに、
図１０に示すような、パッシブマトリクス型（単純マト
リクス型）ディスプレイがある。
【０００３】パッシブマトリクス型ディスプレイは、透
明基板３１上の複数の第一電極３２と、第一電極３２に
直交する複数の第二電極３４と、これらに挟持された有
機層３３とから構成される。まず、第一電極３２と第二
電極３４との交差領域の発光部を１単位として１画素を
形成し、この画素を複数個配列させることにより表示部
を形成する。更に、陽極および陰極を表示部から基板周
囲へ延長して形成した接続部を介して、この表示部と外
部駆動回路とを接続することにより、画像表示装置が構
成される。
明基板３１上の複数の第一電極３２と、第一電極３２に
直交する複数の第二電極３４と、これらに挟持された有
機層３３とから構成される。まず、第一電極３２と第二
電極３４との交差領域の発光部を１単位として１画素を
形成し、この画素を複数個配列させることにより表示部
を形成する。更に、陽極および陰極を表示部から基板周
囲へ延長して形成した接続部を介して、この表示部と外
部駆動回路とを接続することにより、画像表示装置が構
成される。
【０００４】一般に、有機ＥＬディスプレイパネルの有
機層や第二電極を、従来のフォトリソグラフ工程を用い
てマイクロパターニングすることは、有機層の耐熱性や
耐溶剤性の低さのために困難である。これまでに提案さ
れている有機層や第二電極の微細パターニング方式とし
ては、例えば、特開平５−２７５１７２号公報、特開平
５−２５８８５９号公報および特開平５−２５８８６０
号公報に示されているものがある。
機層や第二電極を、従来のフォトリソグラフ工程を用い
てマイクロパターニングすることは、有機層の耐熱性や
耐溶剤性の低さのために困難である。これまでに提案さ
れている有機層や第二電極の微細パターニング方式とし
ては、例えば、特開平５−２７５１７２号公報、特開平
５−２５８８５９号公報および特開平５−２５８８６０
号公報に示されているものがある。
【０００５】上記公報に記載されている技術は、複数の
第一電極が形成された基板上に、第一電極に直交する方
向に配置した複数の有機ＥＬ媒体の厚さを上回る高さの
隔壁を作製し、この基板上に隔壁に対して垂直方向、基
板面に対して斜めの方向から有機ＥＬ媒体や第二電極材
料を蒸着することによりパターニングするものである。
第一電極が形成された基板上に、第一電極に直交する方
向に配置した複数の有機ＥＬ媒体の厚さを上回る高さの
隔壁を作製し、この基板上に隔壁に対して垂直方向、基
板面に対して斜めの方向から有機ＥＬ媒体や第二電極材
料を蒸着することによりパターニングするものである。
【０００６】また、特開平８−３１５９８１号公報に開
示された技術は、前記特開平５−２７５１７２号公報、
特開平５−２５８８５９号公報および特開平５−２５８
８６０号公報に開示された技術における、基板面に対し
斜め方向から成膜するという点を改良したものであり、
基板面に対し垂直な方向から成膜することを可能にして
いる。
示された技術は、前記特開平５−２７５１７２号公報、
特開平５−２５８８５９号公報および特開平５−２５８
８６０号公報に開示された技術における、基板面に対し
斜め方向から成膜するという点を改良したものであり、
基板面に対し垂直な方向から成膜することを可能にして
いる。
【０００７】かかる技術は、基板面に平行な方向に突出
するオーバーハング部を上部に有する電気絶縁性の隔壁
を、複数の第一電極の一部分が露出するようにして基板
上に形成し、その後有機ＥＬ媒体と第二電極とを順次成
膜することにより、第二表示電極を隔壁のオーバーハン
グ部により分断し、隔壁両側の第二表示電極を電気的に
絶縁させる方法である。
するオーバーハング部を上部に有する電気絶縁性の隔壁
を、複数の第一電極の一部分が露出するようにして基板
上に形成し、その後有機ＥＬ媒体と第二電極とを順次成
膜することにより、第二表示電極を隔壁のオーバーハン
グ部により分断し、隔壁両側の第二表示電極を電気的に
絶縁させる方法である。
【０００８】この方法においては、第一電極と第二電極
との短絡を防ぐために、少なくともオーバーハング部を
有する隔壁の下部に絶縁膜を配置することも示されてい
る（特開平８−３１５９８１号）。
との短絡を防ぐために、少なくともオーバーハング部を
有する隔壁の下部に絶縁膜を配置することも示されてい
る（特開平８−３１５９８１号）。
【０００９】上記の技術は、隔壁上部に形成されたオー
バーハング部によって有機媒体および陰極の気体流れを
遮ることにより、陰になっている部分に膜を形成しない
というものである。
バーハング部によって有機媒体および陰極の気体流れを
遮ることにより、陰になっている部分に膜を形成しない
というものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般に、基板から十分
遠い蒸発元から放出された粒子の流れは、スパッタ粒子
の飛散の方向性などに比べ一定している。このため、隔
壁から十分に遠い位置では安定した膜厚が得られるが、
隔壁の近傍では膜厚が急激に減少することになる。
遠い蒸発元から放出された粒子の流れは、スパッタ粒子
の飛散の方向性などに比べ一定している。このため、隔
壁から十分に遠い位置では安定した膜厚が得られるが、
隔壁の近傍では膜厚が急激に減少することになる。
【００１１】このように有機ＥＬ媒体の膜厚に変化があ
ると、例えば、画素内に一定に電圧を印加した場合に、
膜厚の小さな部分には大きな電界が発生する。従って、
隔壁近傍では有機ＥＬ媒体に過剰に電流が流れるため
に、発生するジュール熱等により、輝度特性の劣化が速
く進行すると考えられる。また、第二電極の膜厚に変化
があると、隔壁近傍では機械的強度の弱い膜が形成され
やすくなるため、隔壁近傍において第二電極の剥離や、
破断が生じやすくなると考えられる。従って、有機ＥＬ
媒体および陰極端部の保護のために、絶縁膜の形成の範
囲を明確にする必要がある。
ると、例えば、画素内に一定に電圧を印加した場合に、
膜厚の小さな部分には大きな電界が発生する。従って、
隔壁近傍では有機ＥＬ媒体に過剰に電流が流れるため
に、発生するジュール熱等により、輝度特性の劣化が速
く進行すると考えられる。また、第二電極の膜厚に変化
があると、隔壁近傍では機械的強度の弱い膜が形成され
やすくなるため、隔壁近傍において第二電極の剥離や、
破断が生じやすくなると考えられる。従って、有機ＥＬ
媒体および陰極端部の保護のために、絶縁膜の形成の範
囲を明確にする必要がある。
【００１２】また、オーバーハング部を有する隔壁とし
て、特開平８−３１５９８１号公報や特開平９−３３０
７９２号公報に示されるように、フォトレジストやポリ
イミド等の有機膜を用いる場合、これらの有機膜を、第
一電極や基板の表面といった、有機膜に対する親和性や
熱伝導などの性質が不連続である部分を横断して形成し
なければならない。このため、隔壁の下地に対する密着
性やベーク状態に変動が表れ、隔壁の形状が変化してデ
ィスプレイパネルの表示品質を低下させるおそれがあ
り、これも解決が求められている問題であった。
て、特開平８−３１５９８１号公報や特開平９−３３０
７９２号公報に示されるように、フォトレジストやポリ
イミド等の有機膜を用いる場合、これらの有機膜を、第
一電極や基板の表面といった、有機膜に対する親和性や
熱伝導などの性質が不連続である部分を横断して形成し
なければならない。このため、隔壁の下地に対する密着
性やベーク状態に変動が表れ、隔壁の形状が変化してデ
ィスプレイパネルの表示品質を低下させるおそれがあ
り、これも解決が求められている問題であった。
【００１３】そこで本発明の目的は、上述の問題点を解
決して、特に長寿命な有機ＥＬディスプレイパネルおよ
びその製造方法を提供することにある。
決して、特に長寿命な有機ＥＬディスプレイパネルおよ
びその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の有機エレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルは、基板と、該基板上に形成された複数の第
一電極と、該基板辺部に形成された端子パッドと、該第
一電極を被覆する有機エレクトロルミネッセンス媒体
と、該有機エレクトロルミネッセンス媒体上に該第一電
極に直交する方向に形成された複数の第二電極とを備
え、該第一電極と、該有機エレクトロルミネッセンス媒
体と、該第二電極との重なった部分を夫々発光画素とす
る有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルに
おいて、前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一
部分を露出せしめる電気絶縁膜が形成され、前記電気絶
縁膜上に、該第一電極に直交する方向に前記基板上に突
出する複数の電気絶縁体からなる隔壁が形成され、前記
隔壁が、前記基板に平行な方向に突出するオーバーハン
グ部を有し、かつ前記端子パッド間まで延在して、前記
第二電極と該端子パッドとが電気的に接続する領域を画
定していることを特徴とするものである。
めに、本発明の有機エレクトロルミネッセンスディスプ
レイパネルは、基板と、該基板上に形成された複数の第
一電極と、該基板辺部に形成された端子パッドと、該第
一電極を被覆する有機エレクトロルミネッセンス媒体
と、該有機エレクトロルミネッセンス媒体上に該第一電
極に直交する方向に形成された複数の第二電極とを備
え、該第一電極と、該有機エレクトロルミネッセンス媒
体と、該第二電極との重なった部分を夫々発光画素とす
る有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルに
おいて、前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一
部分を露出せしめる電気絶縁膜が形成され、前記電気絶
縁膜上に、該第一電極に直交する方向に前記基板上に突
出する複数の電気絶縁体からなる隔壁が形成され、前記
隔壁が、前記基板に平行な方向に突出するオーバーハン
グ部を有し、かつ前記端子パッド間まで延在して、前記
第二電極と該端子パッドとが電気的に接続する領域を画
定していることを特徴とするものである。
【００１５】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルによ
れば、絶縁膜の形成の範囲を明確にすることで有機ＥＬ
媒体および陰極端部を保護することができ、また、安定
した形状の隔壁が得られるためにディスプレイパネルの
表示品質を良好に保つことができる。即ち、長寿命な有
機ＥＬディスプレイパネルを実現することが可能とな
る。
れば、絶縁膜の形成の範囲を明確にすることで有機ＥＬ
媒体および陰極端部を保護することができ、また、安定
した形状の隔壁が得られるためにディスプレイパネルの
表示品質を良好に保つことができる。即ち、長寿命な有
機ＥＬディスプレイパネルを実現することが可能とな
る。
【００１６】本発明においては、前記電気絶縁膜が、前
記端子パッド間まで延在する複数の電気絶縁体からなる
隔壁の下部に形成されていることにより、安定した形状
の隔壁を形成することができる。
記端子パッド間まで延在する複数の電気絶縁体からなる
隔壁の下部に形成されていることにより、安定した形状
の隔壁を形成することができる。
【００１７】また、前記電気絶縁膜が、発光を取り出す
ための最低限の部分を除いて、前記有機エレクトロルミ
ネッセンス媒体の形成範囲よりも広い範囲に形成されて
いることにより、ディスプレイパネルの発光領域を明確
に区別することができる。
ための最低限の部分を除いて、前記有機エレクトロルミ
ネッセンス媒体の形成範囲よりも広い範囲に形成されて
いることにより、ディスプレイパネルの発光領域を明確
に区別することができる。
【００１８】更に、前記電気絶縁膜の前記第一電極と直
交する部分の幅が、前記電気絶縁体からなる隔壁の幅よ
りも広く形成されていることが好ましい。
交する部分の幅が、前記電気絶縁体からなる隔壁の幅よ
りも広く形成されていることが好ましい。
【００１９】更にまた、前記電気絶縁膜が、前記第一電
極の夫々の端部を被覆していることにより、ディスプレ
イパネルの劣化を防止することができる。
極の夫々の端部を被覆していることにより、ディスプレ
イパネルの劣化を防止することができる。
【００２０】また、本発明の前記有機エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイパネルの製造方法は、複数の発光
画素を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法において、基板上に、複数の第一電
極および該基板辺部に端子パッドを同時に形成するパタ
ーニング工程と、前記第一電極上に、少なくとも該第一
電極の一部分を露出せしめる電気絶縁膜を形成するパタ
ーニング工程と、前記電気絶縁膜上に、前記第一電極に
直交する方向に前記基板上に突出する複数の電気絶縁体
からなる隔壁を形成するパターニング工程と、前記第一
電極上に、有機エレクトロルミネッセンス媒体と第二電
極とを順次積層して薄膜を形成する工程とを含むことを
特徴とするものである。
ッセンスディスプレイパネルの製造方法は、複数の発光
画素を有する有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法において、基板上に、複数の第一電
極および該基板辺部に端子パッドを同時に形成するパタ
ーニング工程と、前記第一電極上に、少なくとも該第一
電極の一部分を露出せしめる電気絶縁膜を形成するパタ
ーニング工程と、前記電気絶縁膜上に、前記第一電極に
直交する方向に前記基板上に突出する複数の電気絶縁体
からなる隔壁を形成するパターニング工程と、前記第一
電極上に、有機エレクトロルミネッセンス媒体と第二電
極とを順次積層して薄膜を形成する工程とを含むことを
特徴とするものである。
【００２１】更に、本発明の前記有機エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイパネルの他の製造方法は、複数の
発光画素を有する有機エレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの製造方法において、基板上に、該基板辺
部に端子パッドを形成するパターニング工程と、前記基
板上に、複数の第一電極を形成するパターニング工程
と、前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一部分
を露出せしめる電気絶縁膜を形成するパターニング工程
と、前記電気絶縁膜上に、前記第一電極に直交する方向
に前記基板上に突出する複数の電気絶縁体からなる隔壁
を形成するパターニング工程と、前記第一電極上に、有
機エレクトロルミネッセンス媒体と第二電極とを順次積
層して薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とするも
のである。
ッセンスディスプレイパネルの他の製造方法は、複数の
発光画素を有する有機エレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの製造方法において、基板上に、該基板辺
部に端子パッドを形成するパターニング工程と、前記基
板上に、複数の第一電極を形成するパターニング工程
と、前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一部分
を露出せしめる電気絶縁膜を形成するパターニング工程
と、前記電気絶縁膜上に、前記第一電極に直交する方向
に前記基板上に突出する複数の電気絶縁体からなる隔壁
を形成するパターニング工程と、前記第一電極上に、有
機エレクトロルミネッセンス媒体と第二電極とを順次積
層して薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照しながら説明する。本発明の有機ＥＬディスプ
レイパネルはマトリクス状に配置された複数の発光画素
を有しており、夫々の画素が赤、青、緑を表示する場合
や、同一色を表示する場合等がある。
面を参照しながら説明する。本発明の有機ＥＬディスプ
レイパネルはマトリクス状に配置された複数の発光画素
を有しており、夫々の画素が赤、青、緑を表示する場合
や、同一色を表示する場合等がある。
【００２３】図１に示すように、本発明の有機ＥＬディ
スプレイパネルの基板１上には、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）などからなる第一電極２を形成する。第一電
極２は、ストライプ状に、互いに平行に複数で配列され
る。
スプレイパネルの基板１上には、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）などからなる第一電極２を形成する。第一電
極２は、ストライプ状に、互いに平行に複数で配列され
る。
【００２４】本発明に用いる基板１としては、ガラス基
板の他に、ポリマーフィルム等のフィルム状基板やガラ
ス基板上に成膜されたカラーフィルター等の有機膜等も
適用可能である。また、第一電極２に用いる材料として
は、透明導電性材料の場合、ＩＴＯの他に例えばインジ
ウム亜鉛酸化物、酸化錫、酸化亜鉛、アルミニウム錫酸
化物等を挙げることができる。また、第二電極を透明電
極とした場合、第一電極２としてはＡｌ、Ｌｉ、Ｍｇや
これらの合金とすることができる。第一電極２は、複数
の材料の積層から形成することも可能である。その場合
には、酸化亜鉛、アルミニウム錫酸化物などを用いるこ
とができる。
板の他に、ポリマーフィルム等のフィルム状基板やガラ
ス基板上に成膜されたカラーフィルター等の有機膜等も
適用可能である。また、第一電極２に用いる材料として
は、透明導電性材料の場合、ＩＴＯの他に例えばインジ
ウム亜鉛酸化物、酸化錫、酸化亜鉛、アルミニウム錫酸
化物等を挙げることができる。また、第二電極を透明電
極とした場合、第一電極２としてはＡｌ、Ｌｉ、Ｍｇや
これらの合金とすることができる。第一電極２は、複数
の材料の積層から形成することも可能である。その場合
には、酸化亜鉛、アルミニウム錫酸化物などを用いるこ
とができる。
【００２５】基板１と第一電極２の間には、例えば金属
膜としてＭｏ膜を設け、第一電極２の抵抗を低減するバ
スラインとしての機能を持たせることができる。かかる
金属膜は、第一電極２と電気的な接触を保つように形成
する。
膜としてＭｏ膜を設け、第一電極２の抵抗を低減するバ
スラインとしての機能を持たせることができる。かかる
金属膜は、第一電極２と電気的な接触を保つように形成
する。
【００２６】また、第一電極２が基板に接する部分の角
度（テーパー角度）は小さい方が好ましい。電極端部の
基板に接する部分の角度が鋭角であるほど、電界集中の
起きにくい素子の形成が可能であり、また、素子の封止
を行う際にも、外部からの水や酸素などの浸入を防ぐこ
とができる。
度（テーパー角度）は小さい方が好ましい。電極端部の
基板に接する部分の角度が鋭角であるほど、電界集中の
起きにくい素子の形成が可能であり、また、素子の封止
を行う際にも、外部からの水や酸素などの浸入を防ぐこ
とができる。
【００２７】また、基板辺部には、外部駆動回路と第二
電極、または外部駆動回路と第一電極および第二電極と
を接続するための端子パッド５を形成する。本発明にお
いては、端子パッド５の材料は、第一電極２と同一であ
っても別であってもよいが、抵抗が低く、外気に対し安
定な材料であることが好ましい。また、第一電極２と端
子パッド５との形成順は問わず、いずれか一方ずつを順
に、又は同時に形成することができる。尚、端子パッド
５と第一電極２とは、バスラインを形成するなどして接
続してもよい。
電極、または外部駆動回路と第一電極および第二電極と
を接続するための端子パッド５を形成する。本発明にお
いては、端子パッド５の材料は、第一電極２と同一であ
っても別であってもよいが、抵抗が低く、外気に対し安
定な材料であることが好ましい。また、第一電極２と端
子パッド５との形成順は問わず、いずれか一方ずつを順
に、又は同時に形成することができる。尚、端子パッド
５と第一電極２とは、バスラインを形成するなどして接
続してもよい。
【００２８】本発明においては、かかる第一電極２上に
電気絶縁膜３を、第一電極２の少なくとも一部分を露出
するようにして形成し、その後、更にこの電気絶縁膜３
上に、第一電極２と直交する方向に基板１上に突出す
る、複数の電気絶縁体からなる隔壁４を形成する。隔壁
４を、直接第一電極２上に形成せず、第一電極２上に形
成した電気絶縁膜３の上から形成することにより、隔壁
４を形成する下地の形状の変化がなくなるため、隔壁４
の下地に対する密着性やベーク状態が向上し、隔壁４の
形状が安定して、ディスプレイパネルの表示品質を良好
に保つことができる。
電気絶縁膜３を、第一電極２の少なくとも一部分を露出
するようにして形成し、その後、更にこの電気絶縁膜３
上に、第一電極２と直交する方向に基板１上に突出す
る、複数の電気絶縁体からなる隔壁４を形成する。隔壁
４を、直接第一電極２上に形成せず、第一電極２上に形
成した電気絶縁膜３の上から形成することにより、隔壁
４を形成する下地の形状の変化がなくなるため、隔壁４
の下地に対する密着性やベーク状態が向上し、隔壁４の
形状が安定して、ディスプレイパネルの表示品質を良好
に保つことができる。
【００２９】かかる隔壁４の上部には、基板１に平行な
方向に突出するオーバーハング部を形成する。本発明に
おいては、この隔壁４を、基板１辺部に形成された端子
パッド５間まで延在させて形成することにより、第二電
極と端子パッド５との電気的に接続する領域を画定する
ことができる。
方向に突出するオーバーハング部を形成する。本発明に
おいては、この隔壁４を、基板１辺部に形成された端子
パッド５間まで延在させて形成することにより、第二電
極と端子パッド５との電気的に接続する領域を画定する
ことができる。
【００３０】図２〜５は、本発明に係る少なくとも第一
電極の一部分を露出せしめる電気絶縁膜３の形状を示す
好適例の模式図である。本発明においては、電気絶縁膜
３は、第一電極２の少なくとも一部分が露出するように
形成すればよいが、例えば、図２に示すように、画像表
示領域から連続して、端子パッド５間まで延在する複数
の電気絶縁体３からなる隔壁の下部に形成する。このこ
とにより、隔壁４が、第一電極２や第一電極パターン間
のギャップである基板１の露出部といった材質の不連続
な部分上に形成されることを防いで、隔壁４の形状を安
定させることができる。また、画像表示領域外において
も、第二電極の端部を保護する役割を担うことができ
る。
電極の一部分を露出せしめる電気絶縁膜３の形状を示す
好適例の模式図である。本発明においては、電気絶縁膜
３は、第一電極２の少なくとも一部分が露出するように
形成すればよいが、例えば、図２に示すように、画像表
示領域から連続して、端子パッド５間まで延在する複数
の電気絶縁体３からなる隔壁の下部に形成する。このこ
とにより、隔壁４が、第一電極２や第一電極パターン間
のギャップである基板１の露出部といった材質の不連続
な部分上に形成されることを防いで、隔壁４の形状を安
定させることができる。また、画像表示領域外において
も、第二電極の端部を保護する役割を担うことができ
る。
【００３１】また、図３に示すように、電気絶縁膜３
を、発光を取り出すための最低限の部分を除いて、有機
ＥＬ媒体の形成範囲よりも広く形成してもよく、即ち、
画像表示領域よりも外側まで拡げて形成してもよい。こ
うすることにより、ディスプレイパネルの発光領域を明
確に規定することができる。尚、図中の６は電気絶縁膜
の開口部を示す。
を、発光を取り出すための最低限の部分を除いて、有機
ＥＬ媒体の形成範囲よりも広く形成してもよく、即ち、
画像表示領域よりも外側まで拡げて形成してもよい。こ
うすることにより、ディスプレイパネルの発光領域を明
確に規定することができる。尚、図中の６は電気絶縁膜
の開口部を示す。
【００３２】更に、図４に示すように、電気絶縁膜３
は、第一電極２と直交する部分の幅、即ち基板上に突出
する複数の電気絶縁体からなる隔壁４と平行な部分の幅
が、隔壁４の幅よりも広く形成されていることが好まし
い。例えば、隔壁４の高さが５μｍ程度で、第二電極材
料の入射角度が基板面に対しほぼ垂直である場合には、
電気絶縁膜３の幅は隔壁の幅よりも１μｍ程度広いこと
が好ましいが、電気絶縁膜３の存在によりパネルの開口
率が低下してしまうため、素子設計や素子の信頼性を反
映して、適宜選定する必要がある。
は、第一電極２と直交する部分の幅、即ち基板上に突出
する複数の電気絶縁体からなる隔壁４と平行な部分の幅
が、隔壁４の幅よりも広く形成されていることが好まし
い。例えば、隔壁４の高さが５μｍ程度で、第二電極材
料の入射角度が基板面に対しほぼ垂直である場合には、
電気絶縁膜３の幅は隔壁の幅よりも１μｍ程度広いこと
が好ましいが、電気絶縁膜３の存在によりパネルの開口
率が低下してしまうため、素子設計や素子の信頼性を反
映して、適宜選定する必要がある。
【００３３】更にまた、図５に示すように、電気絶縁膜
３を、前記第一電極２の夫々の端部を被覆するよう形成
してもよい。電気絶縁膜３を、第一電極２に平行な方向
に、第一電極２の端部を被覆するように形成した場合、
電極端部の形状により電界集中の起きやすい部分を保護
する働きを持たせることができ、これにより当該パネル
の劣化を防止することができる。
３を、前記第一電極２の夫々の端部を被覆するよう形成
してもよい。電気絶縁膜３を、第一電極２に平行な方向
に、第一電極２の端部を被覆するように形成した場合、
電極端部の形状により電界集中の起きやすい部分を保護
する働きを持たせることができ、これにより当該パネル
の劣化を防止することができる。
【００３４】本発明に使用できる電気絶縁膜３の無機材
料としては、例えば、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、ＴａＯｘ等
の無機酸化物を挙げることができる。無機酸化膜の形成
方法としては、スパッタ法や真空蒸着で成膜する方法等
が挙げられる。
料としては、例えば、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、ＴａＯｘ等
の無機酸化物を挙げることができる。無機酸化膜の形成
方法としては、スパッタ法や真空蒸着で成膜する方法等
が挙げられる。
【００３５】パターニングの方法としては、リフトオフ
や、ウェットエッチング、ドライエッチング等が挙げら
れるが、パターン形成時に第一電極に与えるダメージの
少ない方法を選択することが好ましい。かかるパターニ
ングの方法のうち、特にリフトオフは、第一電極表面の
有機ＥＬ媒体への電荷注入を担う部分に無機酸化膜を堆
積させることなく、無機酸化膜のパターン形成を行うこ
とができるという利点を持つ。一方、エッチングにより
無機酸化膜を除去する場合には、第一電極表面に無機酸
化膜のエッチング残渣が残留したり、第一電極表面にダ
メージを与えるために、ディスプレイパネルの寿命、画
質に悪影響を及ぼすことが想定されるため、注意を要す
る。尚、リフトオフレジストとして、図６のような逆テ
ーパー形状のものを用いた場合には、無機酸化膜に５°
程度のテーパー形状をつけることが可能である。
や、ウェットエッチング、ドライエッチング等が挙げら
れるが、パターン形成時に第一電極に与えるダメージの
少ない方法を選択することが好ましい。かかるパターニ
ングの方法のうち、特にリフトオフは、第一電極表面の
有機ＥＬ媒体への電荷注入を担う部分に無機酸化膜を堆
積させることなく、無機酸化膜のパターン形成を行うこ
とができるという利点を持つ。一方、エッチングにより
無機酸化膜を除去する場合には、第一電極表面に無機酸
化膜のエッチング残渣が残留したり、第一電極表面にダ
メージを与えるために、ディスプレイパネルの寿命、画
質に悪影響を及ぼすことが想定されるため、注意を要す
る。尚、リフトオフレジストとして、図６のような逆テ
ーパー形状のものを用いた場合には、無機酸化膜に５°
程度のテーパー形状をつけることが可能である。
【００３６】無機酸化膜としてＳｉＯ２膜を用いる場合
には、成膜方法として、ＳｉＯ２溶液に浸漬するかまた
は、スピン・オン・グラスを使用することも可能であ
る。パターニングの方法としては、ウェットエッチング
の場合ＨＦとＮＨ４Ｆの混合液を用いる場合や、ドライ
エッチングではＣＦ４＋Ｏ２の混合ガスを用いてエッチ
ングする方法が挙げられる。
には、成膜方法として、ＳｉＯ２溶液に浸漬するかまた
は、スピン・オン・グラスを使用することも可能であ
る。パターニングの方法としては、ウェットエッチング
の場合ＨＦとＮＨ４Ｆの混合液を用いる場合や、ドライ
エッチングではＣＦ４＋Ｏ２の混合ガスを用いてエッチ
ングする方法が挙げられる。
【００３７】無機酸化膜は、駆動時に必要となる絶縁耐
圧を持ち、かつピンホール等の膜欠陥が少なくなる厚さ
に形成する必要がある。例えば、スパッタ法で形成する
場合１００ｎｍ以上が好ましい。
圧を持ち、かつピンホール等の膜欠陥が少なくなる厚さ
に形成する必要がある。例えば、スパッタ法で形成する
場合１００ｎｍ以上が好ましい。
【００３８】また、電気絶縁膜３として有機材料を用い
てもよく、かかる有機材料としては、フォトレジスト材
料や、ポリイミド、アクリル樹脂等を挙げることができ
る。特に、ネガ型のフォトレジスト材料を用いた場合、
パターン不要部分が現像液に対する高い溶解性を保つた
めに、第一電極上に残る残渣の問題を低減することがで
きる。また、露光時にベース樹脂の架橋度を高めること
により、後プロセスの隔壁形成工程に対する耐性を高め
ることが可能である。
てもよく、かかる有機材料としては、フォトレジスト材
料や、ポリイミド、アクリル樹脂等を挙げることができ
る。特に、ネガ型のフォトレジスト材料を用いた場合、
パターン不要部分が現像液に対する高い溶解性を保つた
めに、第一電極上に残る残渣の問題を低減することがで
きる。また、露光時にベース樹脂の架橋度を高めること
により、後プロセスの隔壁形成工程に対する耐性を高め
ることが可能である。
【００３９】これらのパターニングの方法としては、例
えばフォトマスクに紫外光の回り込みを誘発するような
工夫をすることにより、露光部分の架橋度合いに変化を
持たせてテーパー形状に加工することが可能である。
尚、有機膜の厚さは、およそ５００〜１０００ｎｍが好
ましい。
えばフォトマスクに紫外光の回り込みを誘発するような
工夫をすることにより、露光部分の架橋度合いに変化を
持たせてテーパー形状に加工することが可能である。
尚、有機膜の厚さは、およそ５００〜１０００ｎｍが好
ましい。
【００４０】絶縁膜材料、絶縁膜の形成プロセスは上述
のものに限定されるものではない。
のものに限定されるものではない。
【００４１】次に、隔壁４は、例えばフォトレジストを
用いる方法や、特開平８−３１５９８１号公報に記載さ
れているような方法を用いて形成することができる。例
えば、化学増幅型のネガ型のフォトレジストを用いた場
合、レジストを約５μｍの膜厚にスピンコートにより塗
布し、プリべークを行い、レジストの基板側の架橋密度
を小さくするように、露光量、ポストエクスポージャー
べークを行うことにより、レジストの基板側から上部に
かけて、現像液への溶解速度の分布が発生し、逆テーパ
ー形状を形成することができる。また、ポジ型のフォト
レジストを用いた場合でも、現像液への溶解速度の分布
を持つものを用いて、簡便に逆テーパー形状を用いるこ
とができる。
用いる方法や、特開平８−３１５９８１号公報に記載さ
れているような方法を用いて形成することができる。例
えば、化学増幅型のネガ型のフォトレジストを用いた場
合、レジストを約５μｍの膜厚にスピンコートにより塗
布し、プリべークを行い、レジストの基板側の架橋密度
を小さくするように、露光量、ポストエクスポージャー
べークを行うことにより、レジストの基板側から上部に
かけて、現像液への溶解速度の分布が発生し、逆テーパ
ー形状を形成することができる。また、ポジ型のフォト
レジストを用いた場合でも、現像液への溶解速度の分布
を持つものを用いて、簡便に逆テーパー形状を用いるこ
とができる。
【００４２】上述のようにして隔壁までを形成した後、
蒸着マスクを用いて有機ＥＬ媒体を夫々蒸着する。更
に、この蒸着は基板を自公転させたり、複数の蒸着源を
用いて他方向から行うことにより、逆テーパーの隔壁の
根本付近まで回り込ませる。次に、蒸着マスクを用いて
陰極材料を基板面に対して略垂直な方向から蒸着する。
隔壁のオーバーハング部が陰極縁部を遮るため、隔壁の
上面と隔壁の根本で陰極が分断され、隣り合った陰極パ
ターンは電気的に絶縁される。以上のようにして本発明
の有機ＥＬディスプレイパネルが構成される。
蒸着マスクを用いて有機ＥＬ媒体を夫々蒸着する。更
に、この蒸着は基板を自公転させたり、複数の蒸着源を
用いて他方向から行うことにより、逆テーパーの隔壁の
根本付近まで回り込ませる。次に、蒸着マスクを用いて
陰極材料を基板面に対して略垂直な方向から蒸着する。
隔壁のオーバーハング部が陰極縁部を遮るため、隔壁の
上面と隔壁の根本で陰極が分断され、隣り合った陰極パ
ターンは電気的に絶縁される。以上のようにして本発明
の有機ＥＬディスプレイパネルが構成される。
【００４３】有機層には、例えばＣｕフタロシアニン、
Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３メチルフェ
ニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミンと
トリス（８−キノリノール）アルミニウム、陰極として
は例えばＭｇＡｇを用いることができるが、使用できる
材料はこの限りでない。
Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３メチルフェ
ニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミンと
トリス（８−キノリノール）アルミニウム、陰極として
は例えばＭｇＡｇを用いることができるが、使用できる
材料はこの限りでない。
【００４４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。画
素数９６０×２４０、画素ピッチ１１０×３３０μｍで
あり、陽極を上下に２分割した、表示部の対角が５イン
チのパネル作製を行った。有機層には、Ｃｕフタロシア
ニン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３メチ
ルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジア
ミンとトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用
い、陰極としてはＭｇＡｇを用いた。
素数９６０×２４０、画素ピッチ１１０×３３０μｍで
あり、陽極を上下に２分割した、表示部の対角が５イン
チのパネル作製を行った。有機層には、Ｃｕフタロシア
ニン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３メチ
ルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジア
ミンとトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用
い、陰極としてはＭｇＡｇを用いた。
【００４５】実施例１ ガラス透明基板上に、金属膜としてＭｏをスパッタ法に
より室温で膜厚３００ｎｍにて成膜した後、ポジ型フォ
トレジスト（ＯＦＰＲ−８００、東京応化工業（株）
製）をスピンコーターを用いて約１μｍの厚さに塗布し
た。しかる後、温風循環式オーブンにてプリベークし、
表示部でのピッチが１１０μｍ、幅は１０μｍであるパ
ターンのフォトマスクを用いて露光した。次に、現像液
（ＮＭＤ−３、東京応化工業（株）製）により現像し
た。更に、燐酸、硝酸および酢酸の混合液を用いてＭｏ
膜のエッチングを行った後、フォトレジストを剥離して
金属パターンを形成した。
より室温で膜厚３００ｎｍにて成膜した後、ポジ型フォ
トレジスト（ＯＦＰＲ−８００、東京応化工業（株）
製）をスピンコーターを用いて約１μｍの厚さに塗布し
た。しかる後、温風循環式オーブンにてプリベークし、
表示部でのピッチが１１０μｍ、幅は１０μｍであるパ
ターンのフォトマスクを用いて露光した。次に、現像液
（ＮＭＤ−３、東京応化工業（株）製）により現像し
た。更に、燐酸、硝酸および酢酸の混合液を用いてＭｏ
膜のエッチングを行った後、フォトレジストを剥離して
金属パターンを形成した。
【００４６】このＭｏパターンは、第一電極の外部信号
線との接続部まで配設されており、第一電極の抵抗を低
減するバスラインとして機能する。また、これは第二電
極の端子パッド部分にも形成されている。
線との接続部まで配設されており、第一電極の抵抗を低
減するバスラインとして機能する。また、これは第二電
極の端子パッド部分にも形成されている。
【００４７】次に、この基板上に、第一電極としての透
明導電性膜であるインジウム亜鉛酸化物（ＩＤＩＸＯ、
出光興産（株）製）をスパッタリング法により室温で膜
厚約１００ｎｍにて成膜した。次に、Ｍｏの場合と同様
の方法でレジストの形成を行い、燐酸、硝酸および酢酸
の混合液を用いてエッチングを行った後、フォトレジス
トを剥離して第一電極を形成した。第一電極としてのイ
ンジウム亜鉛酸化物のパターンは、Ｍｏを完全に被覆す
るように形成した。
明導電性膜であるインジウム亜鉛酸化物（ＩＤＩＸＯ、
出光興産（株）製）をスパッタリング法により室温で膜
厚約１００ｎｍにて成膜した。次に、Ｍｏの場合と同様
の方法でレジストの形成を行い、燐酸、硝酸および酢酸
の混合液を用いてエッチングを行った後、フォトレジス
トを剥離して第一電極を形成した。第一電極としてのイ
ンジウム亜鉛酸化物のパターンは、Ｍｏを完全に被覆す
るように形成した。
【００４８】図７に、透明導電性膜としてのインジウム
亜鉛酸化物およびＭｏ膜の断面図を示す。図示するよう
に、電極端部の基板に接する部分の角度が鋭角となって
おり、電界集中の起きにくい素子の形成が可能であり、
また、素子の封止を行う際にも、外部からの水や酸素な
どの浸入を防ぐことが可能であることが確かめられた。
亜鉛酸化物およびＭｏ膜の断面図を示す。図示するよう
に、電極端部の基板に接する部分の角度が鋭角となって
おり、電界集中の起きにくい素子の形成が可能であり、
また、素子の封止を行う際にも、外部からの水や酸素な
どの浸入を防ぐことが可能であることが確かめられた。
【００４９】次に、この基板上に、リフトオフレジスト
（ＬＯＲ−Ｐ００３ＨＰ、東京応化工業（株）製）をス
ピンコーターを用いて約１μｍの厚さに塗布した後に、
温風循環式オーブンにてプリベークした。インジウム亜
鉛酸化物と直交するパターンのフォトマスクを用いて露
光し、さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をし
てから現像を行った。パターンは、ピッチ３３０μｍ、
幅２９０μｍである。
（ＬＯＲ−Ｐ００３ＨＰ、東京応化工業（株）製）をス
ピンコーターを用いて約１μｍの厚さに塗布した後に、
温風循環式オーブンにてプリベークした。インジウム亜
鉛酸化物と直交するパターンのフォトマスクを用いて露
光し、さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をし
てから現像を行った。パターンは、ピッチ３３０μｍ、
幅２９０μｍである。
【００５０】次に、この基板上に、ＳｉＯ２をスパッタ
リング法により室温で膜厚約２００ｎｍにて成膜し、溶
剤によりレジストを溶解してリフトオフを行った。Ｓｉ
Ｏ２パターンはピッチ３３０μｍ、幅４０μｍとし、第
一電極に直交するように形成した。
リング法により室温で膜厚約２００ｎｍにて成膜し、溶
剤によりレジストを溶解してリフトオフを行った。Ｓｉ
Ｏ２パターンはピッチ３３０μｍ、幅４０μｍとし、第
一電極に直交するように形成した。
【００５１】次に、この基板上に、ネガ型フォトレジス
ト（ＺＰＮ１１００、日本ゼオン（株）製）をスピンコ
ーターを用いて約５μｍの厚さに塗布した後に、温風循
環式オーブンにてプリベークした。インジウム亜鉛酸化
物と直交するパターンのフォトマスクを用いて露光し、
さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をしてから
現像を行い、電気絶縁性の隔壁を形成した。隔壁はピッ
チ３３０μｍ、幅３０μｍであり、ＳｉＯ２パターン上
に形成した。
ト（ＺＰＮ１１００、日本ゼオン（株）製）をスピンコ
ーターを用いて約５μｍの厚さに塗布した後に、温風循
環式オーブンにてプリベークした。インジウム亜鉛酸化
物と直交するパターンのフォトマスクを用いて露光し、
さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をしてから
現像を行い、電気絶縁性の隔壁を形成した。隔壁はピッ
チ３３０μｍ、幅３０μｍであり、ＳｉＯ２パターン上
に形成した。
【００５２】以上のようにして形成した基板のＳＥＭ像
を図８に、またパターンの概略図を図９に、夫々示す。
を図８に、またパターンの概略図を図９に、夫々示す。
【００５３】更にこの基板上に、基板を回転しながら、
上述の有機ＥＬ媒体層を蒸着した後、基板の回転を止め
て基板面に対して垂直な方向からＭｇＡｇを１０００オ
ングストローム蒸着した。図８に示されるように、隔壁
のオーバーハング部により、隔壁の上面と根本でＭｇＡ
ｇ膜は切れており、膜同士の陰極ラインは完全に絶縁さ
れていた。また、隔壁の端部で、第一電極と第二電極の
短絡は観察されなかった。次に、窒素雰囲気下で、ガラ
ス基板を常温硬化型の接着剤を用いて貼り合せ、封止を
行った。
上述の有機ＥＬ媒体層を蒸着した後、基板の回転を止め
て基板面に対して垂直な方向からＭｇＡｇを１０００オ
ングストローム蒸着した。図８に示されるように、隔壁
のオーバーハング部により、隔壁の上面と根本でＭｇＡ
ｇ膜は切れており、膜同士の陰極ラインは完全に絶縁さ
れていた。また、隔壁の端部で、第一電極と第二電極の
短絡は観察されなかった。次に、窒素雰囲気下で、ガラ
ス基板を常温硬化型の接着剤を用いて貼り合せ、封止を
行った。
【００５４】以上のようにして作製したディスプレイパ
ネルにおいては、電気絶縁性の隔壁の下部から形成され
る非発光部分の拡大を抑えることが確認でき、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの長寿命化に有利であることが確か
められた。
ネルにおいては、電気絶縁性の隔壁の下部から形成され
る非発光部分の拡大を抑えることが確認でき、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの長寿命化に有利であることが確か
められた。
【００５５】実施例２ 実施例１と同様に、基板上に第一電極であるインジウム
亜鉛酸化物のパターンを形成した。また、第二電極の端
子パッド部分もインジウム亜鉛酸化物により形成した。
この基板上にリフトオフレジスト（ＳＩＰＲ−９６９１
−１．０、信越化学工業（株）製）をスピンコーターを
用いて約１μｍの厚さに塗布した後に、温風循環式オー
ブンにてプリベークした。目的のパターンのフォトマス
クを用いて露光し、さらに温風循環式オーブンにてＰ．
Ｅ．Ｂ．をしてから現像を行った。
亜鉛酸化物のパターンを形成した。また、第二電極の端
子パッド部分もインジウム亜鉛酸化物により形成した。
この基板上にリフトオフレジスト（ＳＩＰＲ−９６９１
−１．０、信越化学工業（株）製）をスピンコーターを
用いて約１μｍの厚さに塗布した後に、温風循環式オー
ブンにてプリベークした。目的のパターンのフォトマス
クを用いて露光し、さらに温風循環式オーブンにてＰ．
Ｅ．Ｂ．をしてから現像を行った。
【００５６】次に、この基板上に、Ｓｉ２Ｎ３をスパッ
タリング法により室温で膜厚約２００ｎｍにて成膜し、
溶剤によりレジストを溶解しリフトオフを行った。格子
状のパターン形状のＳｉ２Ｎ３を形成した。
タリング法により室温で膜厚約２００ｎｍにて成膜し、
溶剤によりレジストを溶解しリフトオフを行った。格子
状のパターン形状のＳｉ２Ｎ３を形成した。
【００５７】次に、この基板上に、ネガ型フォトレジス
ト（ＮＦＲ０１６Ｄ１、ＪＳＲ製）をスピンコーターを
用いて約５μｍの厚さに塗布した後に、温風循環式オー
ブンにてプリベークした。インジウム亜鉛酸化物と直交
するパターンのフォトマスクを用いて露光し、さらに温
風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をしてから現像を行
い、絶縁性の隔壁を形成した。隔壁はピッチ３３０μ
ｍ、幅３０μｍである。本実施例のパターンの概略図
は、図３に示すものと同様であった。
ト（ＮＦＲ０１６Ｄ１、ＪＳＲ製）をスピンコーターを
用いて約５μｍの厚さに塗布した後に、温風循環式オー
ブンにてプリベークした。インジウム亜鉛酸化物と直交
するパターンのフォトマスクを用いて露光し、さらに温
風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をしてから現像を行
い、絶縁性の隔壁を形成した。隔壁はピッチ３３０μ
ｍ、幅３０μｍである。本実施例のパターンの概略図
は、図３に示すものと同様であった。
【００５８】更に、この基板上に、上述の材料を用いて
有機ＥＬ媒体層および第二電極である陰極を常法に従い
形成し、ガラス基板を貼り合せて封止を行った。
有機ＥＬ媒体層および第二電極である陰極を常法に従い
形成し、ガラス基板を貼り合せて封止を行った。
【００５９】以上のようにして作製したディスプレイパ
ネルにおいても、電気絶縁性の隔壁の下部から形成され
る非発光部分の拡大を抑えることが確認でき、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの長寿命化に有利であることが確か
められた。
ネルにおいても、電気絶縁性の隔壁の下部から形成され
る非発光部分の拡大を抑えることが確認でき、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの長寿命化に有利であることが確か
められた。
【００６０】実施例３ 実施例１と同様に、基板上に、第一電極であるインジウ
ム亜鉛酸化物のパターンを形成した。また、第二電極の
端子パッド部分もインジウム亜鉛酸化物により形成し
た。この基板上に、ネガ型フォトレジスト（ＪＮＰＣ−
４８、ＪＳＲ製）をスピンコーターを用いて約１μｍの
厚さに塗布した後に、温風循環式オーブンにてプリベー
クした。目的のパターンのフォトマスクを用いて露光
し、さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をして
から現像を行った。
ム亜鉛酸化物のパターンを形成した。また、第二電極の
端子パッド部分もインジウム亜鉛酸化物により形成し
た。この基板上に、ネガ型フォトレジスト（ＪＮＰＣ−
４８、ＪＳＲ製）をスピンコーターを用いて約１μｍの
厚さに塗布した後に、温風循環式オーブンにてプリベー
クした。目的のパターンのフォトマスクを用いて露光
し、さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をして
から現像を行った。
【００６１】次に、この基板上に、ネガ型フォトレジス
ト（ＪＮＰＣ−４８）を用いて、図３に示す実施例２の
ものと同様のパターンで、絶縁膜を形成した。
ト（ＪＮＰＣ−４８）を用いて、図３に示す実施例２の
ものと同様のパターンで、絶縁膜を形成した。
【００６２】次に、この基板上に、ネガ型フォトレジス
ト（ＺＰＮ１１００、日本ゼオン（株）製）をスピンコ
ーターを用いて約５μｍの厚さに塗布した後に、温風循
環式オーブンにてプリベークした。インジウム亜鉛酸化
物と直交するパターンのフォトマスクを用いて露光し、
さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をしてから
現像を行い、絶縁性の隔壁を形成した。隔壁はピッチ３
３０μｍ、幅３０μｍである。実施例のパターン概要
は、図３に示す通りであった。
ト（ＺＰＮ１１００、日本ゼオン（株）製）をスピンコ
ーターを用いて約５μｍの厚さに塗布した後に、温風循
環式オーブンにてプリベークした。インジウム亜鉛酸化
物と直交するパターンのフォトマスクを用いて露光し、
さらに温風循環式オーブンにてＰ．Ｅ．Ｂ．をしてから
現像を行い、絶縁性の隔壁を形成した。隔壁はピッチ３
３０μｍ、幅３０μｍである。実施例のパターン概要
は、図３に示す通りであった。
【００６３】この基板上に、前記実施例と同様にして有
機ＥＬ媒体層および陰極を形成し、ガラス基板を貼り合
せて封止を行った。
機ＥＬ媒体層および陰極を形成し、ガラス基板を貼り合
せて封止を行った。
【００６４】以上のようにして作製したディスプレイパ
ネルにおいても、電気絶縁性の隔壁の下部から形成され
る非発光部分の拡大を抑えることが確認でき、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの長寿命化に有利である。
ネルにおいても、電気絶縁性の隔壁の下部から形成され
る非発光部分の拡大を抑えることが確認でき、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの長寿命化に有利である。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による有機
ＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法によれば、
非発光部分の拡大を抑えて、長時間安定に駆動すること
ができる。
ＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法によれば、
非発光部分の拡大を抑えて、長時間安定に駆動すること
ができる。
【図１】本発明のパッシブマトリクス型有機ＥＬディス
プレイパネルの一例を示す斜視図である。
プレイパネルの一例を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る基板上の電気絶縁膜のパターンの
一例を示す模式図である。
一例を示す模式図である。
【図３】本発明に係る基板上の電気絶縁膜のパターンの
他の一例を示す模式図である。
他の一例を示す模式図である。
【図４】本発明に係る電気絶縁膜のパターンの一例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図５】本発明に係る電気絶縁膜のパターンの他の一例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図６】リフトオフレジストの形状の一例を示す模式図
である。
である。
【図７】実施例１における電極端部のＳＥＭ像である。
【図８】実施例１における電気絶縁膜および電気絶縁性
の隔壁のＳＥＭ像である。
の隔壁のＳＥＭ像である。
【図９】実施例１におけるパターン形状を示す概略図で
ある。
ある。
【図１０】パッシブマトリクス型有機ＥＬディスプレイ
パネルの一例を示す斜視図である。
パネルの一例を示す斜視図である。
１ 基板 ２ 第一電極 ３ 電気絶縁膜 ４ 電気絶縁性の隔壁 ５ 端子パッド ６ 電気絶縁膜の開口部 ７ Ｍｏ膜 ８ インジウム亜鉛酸化物 ３１ 透明基板 ３２ 第一電極 ３３ 有機層 ３４ 第二電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白石 洋太郎 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 BA06 BB06 CA01 CA06 CB01 DA00 EB00 FA01 5C094 AA37 BA27 CA19 EA05 EB02 ED02 FB01 GB10
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された複数の第
一電極と、該基板辺部に形成された端子パッドと、該第
一電極を被覆する有機エレクトロルミネッセンス媒体
と、該有機エレクトロルミネッセンス媒体上に該第一電
極に直交する方向に形成された複数の第二電極とを備
え、該第一電極と、該有機エレクトロルミネッセンス媒
体と、該第二電極との重なった部分を夫々発光画素とす
る有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルに
おいて、 前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一部分を露
出せしめる電気絶縁膜が形成され、 前記電気絶縁膜上に、該第一電極に直交する方向に前記
基板上に突出する複数の電気絶縁体からなる隔壁が形成
され、 前記隔壁が、前記基板に平行な方向に突出するオーバー
ハング部を有し、かつ前記端子パッド間まで延在して、
前記第二電極と該端子パッドとが電気的に接続する領域
を画定していることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記電気絶縁膜が、前記端子パッド間ま
で延在する複数の電気絶縁体からなる隔壁の下部に形成
されている請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記電気絶縁膜が、発光を取り出すため
の最低限の部分を除いて、前記有機エレクトロルミネッ
センス媒体の形成範囲よりも広い範囲に形成されている
請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記電気絶縁膜の前記第一電極と直交す
る部分の幅が、前記電気絶縁体からなる隔壁の幅よりも
広く形成されている請求項１又は２記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記電気絶縁膜が、前記第一電極の夫々
の端部を被覆している請求項１又は２記載の有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のうちいずれか一項記載
の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの
製造方法において、 基板上に、複数の第一電極および該基板辺部に端子パッ
ドを同時に形成するパターニング工程と、 前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一部分を露
出せしめる電気絶縁膜を形成するパターニング工程と、 前記電気絶縁膜上に、前記第一電極に直交する方向に前
記基板上に突出する複数の電気絶縁体からなる隔壁を形
成するパターニング工程と、 前記第一電極上に、有機エレクトロルミネッセンス媒体
と第二電極とを順次積層して薄膜を形成する工程と、を
含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のうちいずれか一項記載
の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの
製造方法において、 基板上に、該基板辺部に端子パッドを形成するパターニ
ング工程と、 前記基板上に、複数の第一電極を形成するパターニング
工程と、 前記第一電極上に、少なくとも該第一電極の一部分を露
出せしめる電気絶縁膜を形成するパターニング工程と、 前記電気絶縁膜上に、前記第一電極に直交する方向に前
記基板上に突出する複数の電気絶縁体からなる隔壁を形
成するパターニング工程と、 前記第一電極上に、有機エレクトロルミネッセンス媒体
と第二電極とを順次積層して薄膜を形成する工程と、を
含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネルの製造方法。
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