JP2000294488A - 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置

Info

Publication number
JP2000294488A
JP2000294488A JP11098770A JP9877099A JP2000294488A JP 2000294488 A JP2000294488 A JP 2000294488A JP 11098770 A JP11098770 A JP 11098770A JP 9877099 A JP9877099 A JP 9877099A JP 2000294488 A JP2000294488 A JP 2000294488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
exposure apparatus
wavefront
light intensity
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11098770A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3774588B2 (ja
Inventor
Akira Sasaki
亮 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP09877099A priority Critical patent/JP3774588B2/ja
Priority to US09/542,341 priority patent/US6597440B1/en
Publication of JP2000294488A publication Critical patent/JP2000294488A/ja
Priority to US10/453,810 priority patent/US6831766B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3774588B2 publication Critical patent/JP3774588B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • G03F7/706Aberration measurement
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J9/00Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】投影露光装置において、露光や環境変化により
微妙に変化する投影光学系の結像性能を把握する為、波
面収差を精度良く、かつ、高速に計測すること。 【解決手段】投影露光装置において、像面光強度測定装
置を配置し、露光負荷や環境変化により光学特性が変化
した状態の投影光学系のフォーカス面における光強度分
布の計測値と、予め記憶している投影光学系の基準状態
の瞳面光強度分布から、投影光学系の波面収差を位相回
復法により算出する機能を備えたことを特徴とする投影
露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク上のパター
ンを投影光学系を介して感光性の基板に転写する、半導
体素子を製造する等のリソグラフィ工程で使用される投
影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置に関する
ものある。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等を製造するフォトリソグラ
フィ工程では、レチクルやフォトマスク(以下、レチク
ルと総称する)に形成された回路パターンを感光剤が塗
布された半導体ウエハ等に転写する投影型露光装置が使
用される。この種の露光装置では、レチクル上のパター
ンを所定の倍率(縮小率)で正確にウエハ上に転写する
ことが要求されており、結像性能のよい、収差を抑えた
投影レンズを用いることが重要となってきている。特
に、近年、半導体デバイスの一層の微細化要求により、
投影レンズで転写できる結像性能限界のパターンを転写
することが多くなってきた結果、転写するパターンは光
学系の収差に対しより敏感になっている。その為、投影
レンズの結像性能を測定し、制御したいという要求が生
じ、該測定、制御に対し様々な方法が考案されている。
【0003】投影レンズの結像性能測定の1つの方法に
位相回復法がある。位相回復法は、主に電子顕微鏡や大
きな収差が存在する天体望遠鏡等の光学系における解像
度向上に用いられてきた方法で、複数位置、例えば、フ
ォーカス面、瞳面、デフォーカス位置等における像の強
度分布から像の位相分布を求め、該位相分布から光学系
の波面収差を算出するものである。
【0004】通常の位相回復法のアルゴリズムを図4に
示す。まず、計測したフォーカス面での強度分布に、任
意に位相を与えた後、フーリエ変換し、瞳面での複素振
幅分布を求める。次に、得られた複素振幅分布のうち、
位相部はそのままとし、強度部にあたる絶対値のみを実
際の測定値に応じた値(瞳面での強度の平方根)に置き
換えて、該新たな複素振幅分布とする。この新たな複素
振幅分布を逆フーリエ変換し、フォーカス面上での複素
振幅分布を求め、再び、位相部のみそのままとし、強度
を実測値に置き換える。
【0005】以上の計算を繰り返し行って収束させるこ
とで、フォーカス面及び瞳面での複素振幅分布が算出さ
れる。瞳面での複素振幅分布の位相分布からレンズの波
面収差を算出することができる。
【0006】またフォトリソグラフィのように瞳面での
強度分布測定が難しい場合、別の方法としてJ.J.A.P V
ol.36 1997 pp.7494-7498の発表がある。この方法で
は図5に示すように瞳面を介して、フォーカス面とデフ
ォーカス面との間で、変換-逆変換を繰り返して、フォ
ーカス面での複素振幅分布とデフォーカスした面での複
素振幅分布を算出し、該算出結果から瞳の位相分布、す
なわち投影光学系の波面収差を求める。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】一般に投影露光装置に
おいては、瞳上の強度分布を直接測定することが難しい
ため、前記位相回復法で投影光学系(投影レンズ)の瞳
の位相分布である波面収差を求める時、フォーカス面と
デフォーカス面の光強度分布を測定することが必要であ
った。
【0008】光強度分布の測定においては、フォーカス
面とデフォーカス面それぞれにおける光強度分布の計測
時間だけではなく、光強度分布測定装置の移動時間と投
影光学系波面収差算出時間も重要な要素である。該2つ
の時間のいずれかでも大きい場合には、投影光学系が露
光中に露光光吸収により起こす微妙に変動する収差を測
定することが困難である。
【0009】本発明の目的は、通常の静的な状態だけで
なく、露光により微妙に変化する投影光学系の動的な結
像性能を任意の時間で把握することのできる高速、かつ
高精度な波面収差測定機能を持つ投影露光装置を提供す
ることである。
【0010】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決する
為、本発明の投影露光装置の波面測定方法、及び投影露
光装置では、露光の基準状態における瞳面光強度分布を
予め求めておくことを特徴としている。露光中の任意の
状態における投影露光レンズの波面収差は任意の状態の
像面光強度分布を測定値と、前記基準状態における瞳面
強度分布を参照しながら位相回復法を用いて求められ
る。尚、ここで任意の状態は基準状態における投影光学
系の光学特性が露光負荷、又は、環境変化(気温、気
圧、湿度、など)に起因して変化した任意の時点での状
態を示す。
【0011】
【発明の実施の形態】図1〜図3は本発明の実施形態の
説明図である。
【0012】図3は本発明の実施形態1の投影露光装置の
要部概略図である。同図において2は原板のレチクル
(フォトマスク)で、該レチクル2上の回路パターンが
投影光学系(縮小投影レンズ)1によって、保持手段で
あるXYZステージ4上のウェハー3上に縮小されて結像
し、露光が行われる。投影光学系1は入射側及び出射側
で共にテレセントリックになっている。
【0013】XYZステージ4は縮小投影レンズ1の光軸方
向(Z方向)及び光軸方向に直交する面内(X−Y面)で
移動可能で、ステージ駆動ユニット5により制御されて
いる。ウェハー回路パターンを転写するとき、不図示の
照明光学系からの光束ILがレチクル2の回路パターンの
転写が行われる画面領域内を照明する。
【0014】図3では、ウェハー3に隣接する位置にウェ
ハー3の上面と高さがほぼ一致した面を持つ光強度測定
装置8が配置されている。光強度測定装置8により計測さ
れた像面光強度分布データを波面収差演算装置11を用い
て計算することにより、投影光学系1の波面が後述の算
出アルゴリズムで算出される。
【0015】続いて本発明の実施形態1の図3の投影露光
装置を用いて、位相回復法により投影光学系1の波面収
差を算出する方法を説明する。尚、以下の説明では“状
態1”が基準となる状態、“状態2”は“状態1”の基準
状態における投影光学系の光学特性が露光負荷、又は、
環境変化(気温、気圧、湿度、など)に起因して変化し
た状態を示す。“状態2”で投影光学系の波面収差を測
定するということは任意の時点で投影光学系の性能を把
握できることを意味することになる。
【0016】本発明では状態1の瞳面の光強度分布|bm|
を、フォーカス面とデフォーカス面の光強度分布を用い
た従来の位相回復法により、予め求めておくことを特徴
としている。一方、露光波長の照明光束ILでレチクル2
のパターンを照明して形成された状態2の像は光強度検
出装置8上に結像され、該光強度分布|am|(フォーカス
面での強度分布)が光強度検出装置8により計測され
る。予め求めてある状態1の瞳面の光強度分布|bm|と、
新たに測定した状態2の光強度分布|am|を用いれば、後
述の位相回復法により投影光学系の波面収差を算出する
ことができる。瞳面の光強度分布はレチクル上のパター
ンと照明光学系の有効光源分布により決定される。ま
た、照明光学系の有効光源分布は強度分布が一定になる
ように管理されているので、状態1と状態2で同一となっ
ている。
【0017】次に縮小投影レンズ1の波面収差の算出に
ついて、図1を用いて説明する。まず、状態2の像面光強
度分布|am|に任意の初期位相を与え、フーリエ変換を行
なって状態2の瞳面複素振幅分布を求める。次に、得ら
れた状態2の瞳面複素振幅分布のうち、位相部はそのま
まとし、強度部にあたる絶対値のみを既知量である状態
1の瞳面光強度分布|bm|に置き換え、新たな複素振幅分
布とする。この新たな複素振幅分布を逆フーリエ変換
し、フォーカス面上での複素振幅分布を求め、再び、位
相部のみそのままとし、強度を状態1の像面光強度分布|
am|に置き換える。以上が1つの計算ループで、該ループ
終了後、所定の収束条件が満足されなければ続いて再び
フーリエ変換から瞳面複素振幅を求める作業に入る。
【0018】該計算を繰り返し行って収束させることに
より、状態2におけるフォーカス面及び瞳面での複素振
幅分布が算出され、瞳面での複素振幅の位相分布から、
縮小投影レンズ1の波面収差を算出することができる。
以上の計算では、状態1と状態2における瞳面光強度分布
が、フォーカス面の振幅分布のスペクトルである為、置
き換え可能であることを利用している。
【0019】上記位相回復法をフローチャートで示した
のが図2である。まず初回ループ時には、状態2のフォ
ーカス面画像を計測し光強度分布|am|を算出するが、計
測で得られるのは光強度分布のみであるため、位相情報
は欠落している。次に、状態2におけるフォーカス面の
光強度分布に初期位相を与えて複素振幅化した後、フー
リエ変換を行ない状態2の瞳上の複素振幅分布に変換す
る。次いで、既知である状態1の瞳面光強度分布|bm|を
呼び出し、位相項をそのままにして状態2の瞳面光強度
分布を状態1の光強度分布に置き換えて新しい複素振幅
分布を作成する。その後、該新しい複素振幅分布に逆フ
ーリエ変換を行って、状態2の像面上の複素振幅分布に
変換する。変換した結果、測定されている状態2の像面
光強度分布と今回の逆フーリエ変換で計算された状態2
の像面光強度分布の差が一定値以下なら計算ループは終
了となり、一定値以上ならループを繰り返す。
【0020】ループの2回目以降では、状態2の像面光強
度分布を計測する必要はなく、1回目のループで測定し
た状態2の像面光強度分布を呼び出せば良い。2回目以降
の位相の出発値は、前回のループで計算した最終位相値
が用いられる。従って、本計算ループでは既知量である
状態1の瞳面強度|bm|と状態2の像面強度|am|の値を計算
毎に元に戻し、最終的に像面と瞳面のフーリエ変換関係
がマッチングする様に位相分布を収束させることにな
る。
【0021】以上のように、本実施形態では状態2の像
面光強度分布|am|は最初に1回だけ計測すればよい。従
って、本特許で提案した位相回復法を用いる縮小投影レ
ンズ1の波面収差を求めるステップでは、 1)状態2の像面光強度分布|am|の測定 2)フォーカス面と瞳面の振幅分布置換(FFT・iFFT) という2つの動作を行なえば良い。
【0022】1)の光強度測定には、CCDを用いた画像計
測やフォトディテクタを用いたナイフエッジ法などが用
いられる。CCD計測に要する時間は1秒以下で、ナイフエ
ッジ法の場合の計測時間はCCD計測の数倍が必要とされ
る。
【0023】また、2)の振幅分布置換のループは通常、
数十回程度のループを要し、時間的には数秒程度が必要
とされる。
【0024】ここで、従来の位相回復法と本実施形態と
の波面収差算出時間を比較してみると次のようになる。
【0025】従来の位相回復法に求められるステップは I )フォーカス面の像面光強度分布|am|の測定 II )フォーカス面からデフォーカス面への光強度検出
装置の移動 III)デフォーカス面の像面光強度分布|bm|の測定 IV )フォーカス面と瞳面の振幅分布置換(FFT・iFFT) となっており、本特許の位相回復法に比べて、II)とII
I)のステップが増えている。
【0026】I)は1秒以下、II)は数秒程度、III)は1
秒以下、IV)は数秒程度であるため、本特許において提
案した位相回復法を採用すれば、投影光学系(縮小投影
レンズ)の波面測定・算出に必要な時間は従来の約半分
となり、大幅な高速化が実現できることになる。
【0027】投影光学系の波面収差は、露光負荷、又
は、環境変化(気温、気圧、湿度)に起因して短時間に
微妙に変化しており、波面収差の計測前後においても差
が生じる。このため、計測時間を短縮して変化の影響を
少なくし、投影光学系の性能を任意の時点で時間の関数
として正確に把握することが、投影露光装置にとってま
すます重要になっている。本特許で提案した位相回復法
を用いれば、計測が一回ですむため計測時間を最短とす
ることができ、高精度な波面収差測定が可能となる。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の投影露光
装置の波面測定方法、及び投影露光装置では、投影光学
系の基準状態の瞳面光強度分布を予め記憶しておくこと
により、基準状態から変化した状態での投影光学系の波
面収差を、画像計測1回という最小回数で求めることが
可能となった。したがって、周囲に状況によって短時間
の間でも微妙に変化する投影光学系の波面収差を任意の
時点で高速、かつ、高精度に算出できるようになり、投
影露光装置の性能向上に大きく寄与することが可能とな
った。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本特許が提案する位相回復法を説明する図
【図2】 本特許が提案する位相回復法を説明するフロ
ーチャート
【図3】 本特許が提案する位相回復法を投影露光装置
において実施した例を示す図
【図4】 従来の位相回復法を説明する図
【図5】 従来の位相回復法を投影露光装置に適用した
場合を説明する図
【符号の説明】
1 投影レンズ 2 レチクル 3 ウエハ 4 ウエハステージ 5 ステージ駆動装置 8 光強度測定装置 11 波面収差演算装置 1L 照明光束 AX 投影レンズの光軸

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の物体上に形成されたパターンを投影
    光学系を介して第2の物体上に結像させて露光する投影
    露光装置において、該投影光学系の基準状態の瞳面光強
    度分布を記憶し、該記憶値を用いて該投影光学系の任意
    の状態における波面収差を検出することを特徴とする投
    影露光装置。
  2. 【請求項2】該投影露光装置が、該投影光学系の性能を
    像面で計測する光強度分布測定機を備えていることを特
    徴とする請求項1記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】該投影光学系の前記任意の状態における波
    面収差の算出を位相回復法を用いて行うことを特徴とす
    る請求項2記載の投影露光装置。
  4. 【請求項4】該基準状態の瞳面光強度分布の記憶値を位
    相回復法で求めた値を用いることを特徴とする請求項3
    記載の投影露光装置。
  5. 【請求項5】位相回復法を用いて該投影光学系の波面収
    差の計算の過程毎に瞳面の振幅分布の絶対値として該記
    憶値、像面の振幅分布の絶対値として該光強度分布測定
    機の計測値を用いることを特徴とする請求項3又は4記
    載の投影露光装置。
  6. 【請求項6】第1の物体上に形成されたパターンを投影
    光学系を介して第2の物体上に結像させて露光する投影
    露光装置の投影光学系の波面測定方法において、該投影
    光学系の基準状態の瞳面光強度分布を記憶し、該記憶値
    を用いて任意の状態における該投影光学系の波面を検出
    することを特徴とする投影露光装置の波面測定方法。
  7. 【請求項7】該投影露光装置の波面測定方法において、
    前記任意の状態における該投影光学系の光強度分布を像
    面で計測した値と、該記憶値を用いて算出することを特
    徴とする請求項6記載の投影露光装置の波面測定方法。
  8. 【請求項8】前記任意の状態における該投影露光装置の
    波面の算出を位相回復法を用いて行うことを特徴とする
    請求項7記載の投影露光装置の波面測定方法。
  9. 【請求項9】該基準状態の瞳面光強度分布の記憶値を位
    相回復法で求めた値を用いることを特徴とする請求項8
    記載の投影露光装置の波面測定方法。
  10. 【請求項10】位相回復法を用いて該投影光学系の波面
    収差の計算の過程毎に瞳の振幅分布の絶対値として該記
    憶値、像面の振幅分布の絶対値として前記任意の状態に
    おける該投影光学系の像面における光強度分布の計測値
    を用いることを特徴とする請求項8又は9記載の投影露
    光装置の波面測定方法。
  11. 【請求項11】フォーカス面と瞳面がフーリエ・逆フー
    リエの関係にある任意の光学系の波面測定方法におい
    て、該光学系の基準状態の瞳面光強度分布を記憶し、該
    記憶値を用いて任意の状態における該光学系の波面を検
    出することを特徴とする光学系の波面測定方法。
  12. 【請求項12】該光学系の波面測定方法において、前記
    任意の状態における該光学系の光郷土分布を像面で計測
    した値と、該記憶値を用いて算出することを特徴とする
    請求項12記載の光学系の波面測定方法。
  13. 【請求項13】前記任意の状態における該光学系の波面
    の算出を位相回復法を用いて行なうことを特徴とする請
    求項13記載の光学系の波面測定方法。
  14. 【請求項14】該基準状態の瞳面光強度分布の位相回復
    法で求めた値を用いることを特徴とする請求項14記載
    の波面測定方法。
  15. 【請求項15】位相回復法を用いて該光学系の波面収差
    の計算の過程毎に瞳の振幅分布の絶対値として該記憶
    値、像面の振幅分布の絶対値として前記任意の状態にお
    ける該光学系の像面における光強度分布の計測値を用い
    ることを特徴とする請求項15又は16記載の光学系の
    波面測定方法。
JP09877099A 1999-04-06 1999-04-06 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置 Expired - Lifetime JP3774588B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09877099A JP3774588B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置
US09/542,341 US6597440B1 (en) 1999-04-06 2000-04-05 Wavefront measuring method and projection exposure apparatus
US10/453,810 US6831766B2 (en) 1999-04-06 2003-06-04 Projection exposure apparatus using wavefront detection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09877099A JP3774588B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000294488A true JP2000294488A (ja) 2000-10-20
JP3774588B2 JP3774588B2 (ja) 2006-05-17

Family

ID=14228627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09877099A Expired - Lifetime JP3774588B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6597440B1 (ja)
JP (1) JP3774588B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002050506A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-27 Nikon Corporation Wavefront measuring apparatus and its usage, method and apparatus for determining focusing characteristics, method and apparatus for correcting focusing characteristics, method for managing focusing characteristics, and method and apparatus for exposure
DE10224363A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zur Bestimmung von Wellenfrontaberrationen
US7936860B2 (en) 2006-12-28 2011-05-03 Jtec Corporation X-ray condensing method and its device using phase restoration method
US9494483B2 (en) 2012-03-23 2016-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Measuring system for measuring an imaging quality of an EUV lens
JP2018120208A (ja) * 2016-12-12 2018-08-02 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv範囲のためのフォトリソグラフィマスクの要素を検査する方法及び装置
US11408800B2 (en) 2018-10-11 2022-08-09 Canon Kabushiki Kaisha Aberration estimating method, aberration estimating apparatus, and storage medium

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006313866A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Canon Inc 露光装置及び方法
CN101109903B (zh) * 2006-07-18 2010-05-12 上海华虹Nec电子有限公司 在线监控透镜散光的方法
US10133184B2 (en) * 2012-04-25 2018-11-20 Nikon Corporation Using customized lens pupil optimization to enhance lithographic imaging in a source-mask optimization scheme

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943733A (en) * 1987-05-15 1990-07-24 Nikon Corporation Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment
JP3194155B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-30 キヤノン株式会社 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JPH0955349A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Sony Corp パターン形成方法および露光装置
JPH10268503A (ja) 1997-03-25 1998-10-09 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002050506A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-27 Nikon Corporation Wavefront measuring apparatus and its usage, method and apparatus for determining focusing characteristics, method and apparatus for correcting focusing characteristics, method for managing focusing characteristics, and method and apparatus for exposure
JPWO2002050506A1 (ja) * 2000-12-18 2004-04-22 株式会社ニコン 波面計測装置及びその使用方法、結像特性計測方法及び装置、結像特性補正方法及び装置、結像特性管理方法、並びに露光方法及び装置
DE10224363A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zur Bestimmung von Wellenfrontaberrationen
US7019846B2 (en) 2002-05-24 2006-03-28 Carl Zeiss Smt Ag Method for determining wavefront aberrations
US7209241B2 (en) 2002-05-24 2007-04-24 Carl Zeiss Smt Ag Method for determining wavefront aberrations
US7936860B2 (en) 2006-12-28 2011-05-03 Jtec Corporation X-ray condensing method and its device using phase restoration method
US9494483B2 (en) 2012-03-23 2016-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Measuring system for measuring an imaging quality of an EUV lens
JP2018120208A (ja) * 2016-12-12 2018-08-02 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv範囲のためのフォトリソグラフィマスクの要素を検査する方法及び装置
JP7132711B2 (ja) 2016-12-12 2022-09-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv範囲のためのフォトリソグラフィマスクの要素を検査する方法及び装置
US11408800B2 (en) 2018-10-11 2022-08-09 Canon Kabushiki Kaisha Aberration estimating method, aberration estimating apparatus, and storage medium
US12031879B2 (en) 2018-10-11 2024-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Aberration estimating method, aberration estimating apparatus, and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP3774588B2 (ja) 2006-05-17
US20030210388A1 (en) 2003-11-13
US6831766B2 (en) 2004-12-14
US6597440B1 (en) 2003-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11392045B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device and system for performing the same
EP1006413B1 (en) Alignment method and exposure apparatus using the same
JP5634864B2 (ja) リソグラフィック・プロセスに於ける、プロセス制御方法およびプロセス制御装置
US9709905B2 (en) System and method for dark field inspection
US9311700B2 (en) Model-based registration and critical dimension metrology
KR20010109212A (ko) 평가방법, 위치검출방법, 노광방법 및 디바이스 제조방법,및 노광장치
US5986766A (en) Alignment method and alignment system
WO2008038751A1 (en) Line width measuring method, image forming status detecting method, adjusting method, exposure method and device manufacturing method
CN101320219B (zh) 一种成像光学系统像差现场测量方法
JP2000294488A (ja) 投影露光装置の波面測定方法、及び投影露光装置
CN117043680A (zh) 测量选配方案的确定方法及相关量测方法和装置
US6741334B2 (en) Exposure method, exposure system and recording medium
EP3764164A1 (en) Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
IL283407B2 (en) Method for measuring a focusing parameter related to a structure formed using a lithographic process
US12287582B2 (en) Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
WO2023099174A1 (en) Metrology calibration method
CN116635991A (zh) 监测光刻过程的方法和相关设备
EP4254068A1 (en) Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof
US20080130017A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20250237965A1 (en) Setup and control methods for a lithographic process and associated apparatuses
JP2004087562A (ja) 位置検出方法及びその装置、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法
WO2025113929A1 (en) Method of setting up of a lithography apparatus
JP2005123427A (ja) 光学性能測定方法、露光方法、露光装置、及びマスク
JP2004022848A (ja) 半導体デバイスの製造システムおよび製造方法
JPH11288869A (ja) レンズディストーション測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050308

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110224

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120224

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130224

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140224

Year of fee payment: 8

EXPY Cancellation because of completion of term