JP2000294805A

JP2000294805A - ショットキバリアダイオード及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000294805A
Application number: JP10215299A
Authority: JP
Inventors: Kenji Ishihara; 賢次石原
Original assignee: Matsushita Electronics Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-04-09
Filing date: 1999-04-09
Publication date: 2000-10-20
Anticipated expiration: 2019-04-09
Also published as: JP3623687B2

Abstract

(57)【要約】【課題】金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショッ
トキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下
させることなく、逆方向電流特性を向上させたショット
キバリアダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】Ｎ⁺型のシリコン基板１上に、Ｎ^-型のエ
ピタキシャル層２と、その上の金属層８とを備え、エピ
タキシャル層２の表面側にＰ⁺型層７が形成され、エピ
タキシャル層２と金属層８との間にエピタキシャル層２
より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシャル層６が形成さ
れ、Ｐ⁺型層７は複数に分離して形成され、これらの上
面が金属層８下面と接しており、さらにＰ⁺型層７の形
成領域を囲み、Ｐ⁺型で環状のガードリング層３がエピ
タキシャル層２の表面側に形成され、ガードリング層３
の一部に金属層８が接している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、順方向電圧特性を
低下させることなく、逆方向電流特性を改善したショッ
トキバリアダイオード（以下、「ＳＢＤ」という。）に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化に伴い、高速
スイッチング素子、整流用素子等としＳＢＤが用いられ
ている。ＳＢＤは、順方向電圧を低くすることができ、
逆回復時間が短いという利点がある反面、逆方向リーク
電流が高く、低耐圧であるとういう欠点があった。

【０００３】このような欠点を克服するために、現在ま
でに種々のＳＢＤが提案されている。図６（ａ）に示し
ているのは、特開平１０−１１７０００号公報に提案さ
れているＳＢＤの断面図である。Ｎ⁺型の半導体基板３
０上に、低濃度のＮ^-型のエピタキシャル層３１が形成
され、エピタキシャル層３１の表面には、Ｐ⁺型のガー
ドリング層３２が環状に形成されている。エピタキシャ
ル層３１、ガードリング層３２、及び絶縁層３３上に
は、金属層３４が形成されている。さらに、半導体基板
３０とエピタキシャル層３１との境界部分の上下部分に
は、エピタキシャル層３１より不純物濃度が高いＮ⁺型
の埋め込み層３５が形成されている。

【０００４】このように、高濃度層である埋め込み層３
５を形成することにより、エピタキシャル層３１全体を
薄くすることなく、順方向電圧を下げることができる。
すなわち、耐圧が問題となるガードリング層３２下部の
エピタキシャル層３１の厚さは一定厚確保した状態で、
埋め込み層３５の形成されている動作層部分におけるエ
ピタキシャル層３１の厚さを薄くできるので、耐圧の低
下を防止しつつ、順方向電圧を下げることができる。

【０００５】図６（ｂ）に示しているのは、特公昭５９
−３５１８３号公報に提案されているＳＢＤの断面図で
ある。Ｎ⁺型の半導体基板４０上に、低濃度のＮ^-型のエ
ピタキシャル層４１が形成され、エピタキシャル層４１
の表面には、それぞれ分離したＰ⁺型の半導体層４２が
複数形成されている。エピタキシャル層４１、Ｐ⁺型の
半導体層４２、及び絶縁層４３上には、金属層４４が形
成されている。

【０００６】本図に示したような構成によれば、順方向
電流はエピタキシャル層４１と金属層４４とのショット
キ接合を通って流れることになる。逆電圧印加時には、
Ｐ⁺型の半導体層４２とＮ^-型のエピタキシャル層４１と
のＰＮ接合により、破線４５内にエピタキシャル層４１
に空乏層が生じ、この空乏層により逆電流の流れが抑制
されるので、逆方向降伏電圧を向上させることができ
る。すなわち、逆方向リーク電流を低くし、耐圧を向上
させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような従来のＳＢＤには、以下のような問題があった。
図６（ａ）に示したような、高濃度の埋め込み層３５を
形成したＳＢＤでは、ガードリング層３２下部のエピタ
キシャル層３１の厚さは一定厚が確保でき高耐圧とする
ことができるものの、ショットキ接合部からエピタキシ
ャル層に流れる逆方向リーク電流を抑えることができな
かった。

【０００８】図６（ｂ）に示したような、それぞれ分離
したＰ⁺型の半導体層４２を複数形成したいわゆるハニ
カム型のＳＢＤでは、Ｐ⁺型の半導体層の空乏層が連結
し、逆方向リーク電流は低くなるものの、金属層４４と
Ｐ⁺型の半導体層４２との接合により、ショットキ接合
面積が半減してしまう。このため、図６（ａ）に示した
ような金属層のほぼ全面にショットキ接合を有するＳＢ
Ｄと比べると、順方向電流は高くなっていた。

【０００９】本発明は、前記のような従来の問題を解決
するものであり、金属層と低抵抗エピタキシャル層とで
ショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性
を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたＳ
ＢＤ、及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のショットキバリアダイオードは、半導体基
板上に、エピタキシャル層とその上の金属層とを備えた
ショットキバリアダイオードであって、前記エピタキシ
ャル層の表面側に前記エピタキシャル層と逆の導電型の
半導体層が形成され、前記エピタキシャル層と前記金属
層との間に前記エピタキシャル層より比抵抗の小さい低
抵抗エピタキシャル層が形成されていることを特徴とす
る。

【００１１】前記のようなショットキバリアダイオード
によれば、順方向電圧が印加された場合は、ショットキ
接合が金属層と低抵抗エピタキシャル層とで形成され、
ショットキ接合面のバリアハイトを下げているので、順
方向電圧を低くできる。逆方向電圧が印加された場合
は、エピタキシャル層と逆の導電型の半導体層とエピタ
キシャル層との接合部に連結して空乏層が発生するの
で、逆方向リーク電流を下げることができ、高耐圧とす
ることができる。

【００１２】前記ショットキバリアダイオードにおいて
は、前記逆の導電型の半導体層が複数に分離して形成さ
れ、これらの上面が前記金属層下面と接していることが
好ましい。前記のようなショットキバリアダイオードに
よれば、分離して形成された逆の導電型の半導体層が電
気的に接続されるので、空乏層を連結することができ
る。

【００１３】また、前記逆の導電型の半導体層上面が前
記低抵抗エピタキシャル層下面と接し、前記逆の導電型
の半導体層の形成領域内において、前記エピタキシャル
層の表面は複数に分離していることが好ましい。前記の
ようなショットキバリアダイオードによれば、低抵抗エ
ピタキシャル層の全面をショットキ接合とすることがで
きるので、順方向電圧をより低くできる。さらに、逆の
導電型の半導体層は連続して形成されているため、金属
層下面に接することなく、空乏層を連結することができ
る。

【００１４】また、前記逆の導電型の半導体層の形成領
域を囲み、前記エピタキシャル層と逆の導電型で環状の
ガードリング層が前記エピタキシャル層表面側に形成さ
れ、前記ガードリング層の一部に前記金属層が接し、前
記低抵抗エピタキシャル層は前記ガードリング層の外周
縁の内側に形成されていることが好ましい。

【００１５】前記のようなショットキバリアダイオード
によれば、ショットキ接合の中央部に比べて耐圧が低下
する傾向にあるショットキ接合の周辺部の耐圧を向上さ
せることができる。さらに、低抵抗エピタキシャル層は
ガードリング層の外周縁の内側に形成されているので、
すなわちガードリング層の内側に低抵抗エピタキシャル
層がすべて含まれているので、空乏層の広がりが抑えら
れることによる耐圧の低下を防止することができる。

【００１６】次に、本発明の第１番目のショットキバリ
アダイオードの製造方法は、半導体基板上にエピタキシ
ャル層を形成した後、前記エピタキシャル層上に前記エ
ピタキシャル層より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシャ
ル層を形成し、前記エピタキシャル層と逆の導電型の半
導体層を前記低抵抗エピタキシャル層表面から前記エピ
タキシャル層内部にかけて複数形成し、前記低抵抗エピ
タキシャル層を覆うように金属層を形成することを特徴
とする。

【００１７】前記のようなショットキバリアダイオード
の製造方法によれば、順方向電圧が印加された場合は、
ショットキ接合が金属層と低抵抗エピタキシャル層とで
形成され、ショットキ接合面のバリアハイトを下げてい
るので、順方向電圧を低くできる。逆方向電圧が印加さ
れた場合は、エピタキシャル層と逆の導電型の半導体層
とエピタキシャル層との接合部に連結して空乏層が発生
するので、逆方向リーク電流を下げることができ、高耐
圧とすることができる。

【００１８】また、本発明の第２番目のショットキバリ
アダイオードの製造方法は、半導体基板上にエピタキシ
ャル層を形成した後、前記エピタキシャル層の表面側に
前記エピタキシャル層と逆の導電型の半導体層を形成
し、前記エピタキシャル層及び前記逆の導電型の半導体
層の表面に前記エピタキシャル層より比抵抗の小さい低
抵抗エピタキシャル層を形成し、前記低抵抗エピタキシ
ャル層を覆うように金属層を形成することを特徴とす
る。

【００１９】前記のようなショットキバリアダイオード
の製造方法によれば、ショットキ接合面のバリアハイト
を下げて順方向電圧を低くでき、空乏層発生により逆方
向リーク電流を低くし高耐圧にできることに加えて、低
抵抗エピタキシャル層の全面をショットキ接合とするこ
とができるので、順方向電圧をより低くできる。

【００２０】また、前記第１番目、第２番目のショット
キバリアダイオードの製造方法においては、前記エピタ
キシャル層の形成後、前記エピタキシャル層と逆の導電
型で、前記逆の導電型の半導体層の形成領域を囲む環状
のガードリング層を前記エピタキシャル層表面側に形成
し、前記金属層を前記ガードリング層の一部に接するよ
うに形成し、前記低抵抗エピタキシャル層を前記ガード
リング層の外周縁の内側に形成することが好ましい。

【００２１】前記のようなショットキバリアダイオード
の製造方法によれば、ショットキ接合の中央部に比べて
耐圧が低下する傾向にあるショットキ接合の周辺部の耐
圧を向上させることができる。さらに、低抵抗エピタキ
シャル層はガードリング層の外周縁の内側に形成されて
いるので、すなわちガードリング層の内側に低抵抗エピ
タキシャル層がすべて含まれているので、空乏層の広が
りが抑えられることによる耐圧の低下を防止することが
できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施形態について説明する。

【００２３】（実施の形態１）図１（ａ）に、本発明の
実施形態１に係るＳＢＤの構成を示す断面図を示してい
る。図1（ａ）に示したＳＢＤは、高濃度のＮ⁺型シリコ
ン基板１上に、低濃度のＮ^-型のエピタキシャル層２が
形成されている。エピタキシャル層２の表面には、Ｐ⁺
型のガードリング層３が環状に形成され、開口部4を有
する酸化膜５が形成されている。開口部4内のエピタキ
シャル層２上には低抵抗エピタキシャル層６が形成され
ている。さらに、エピタキシャル層２と低抵抗エピタキ
シャル層６との境界の上下部分には、それぞれ分離した
複数のＰ⁺型層７が形成されている。各Ｐ⁺型層７の上面
は、次に説明する金属層８の下面に接している。

【００２４】低抵抗エピタキシャル層６及びＰ⁺型層７
の表面上には、開口部4を覆うように、ショットキメタ
ルである金属層８が形成されている。ショットキメタル
には、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、及びＣｒから選ばれる金
属材料が用いられる。また、ガードリング層３の一部に
金属層８は接している。各エピタキシャル層の比抵抗に
ついては、エピタキシャル層２が例えば１〜２Ωｃｍ程
度に対して、低抵抗エピタキシャル層６は例えば０．５
Ωｃｍ程度である。

【００２５】図１（ｂ）は、図１（ａ）に示したＳＢＤ
のＰ⁺型層７の配列を示す平面図であり、Ｐ⁺型層７の形
成領域の一部を示している。各Ｐ⁺型領域７は６角形状
であり、各Ｐ⁺型領域７の中心点Ｑは、点Ｐを中心とし
た円周上に均等に配置されている。以下、本実施形態の
ＳＢＤの動作について説明する。

【００２６】順方向電圧が印加された場合は、順方向電
流が金属層８からＮ⁺型シリコン基板１側へと流れる。
本実施形態では、ショットキ接合を金属層８と低抵抗エ
ピタキシャル層６とで形成することにより、ショットキ
接合面のバリアハイトを下げているので、順方向電圧Ｖ
_Fを低くすることができる。

【００２７】逆方向電圧が印加された場合は、ガードリ
ング層３及びＰ⁺型層７とエピタキシャル層２とのＰＮ
接合部に空乏層が発生することになるが、Ｐ⁺型領域７
は図１（ｂ）に示したような配列であるため、空乏層同
士がつながり（図１（ｂ）の2点鎖線１０、図１（ａ）
の破線９）、逆方向リーク電流Ｉ_Fを下げることがで
き、高耐圧とすることができる。

【００２８】また、図１（ａ）に示したように、低抵抗
エピタキシャル層６はガードリング層３の外周縁の内側
に形成されている。これは、低抵抗エピタキシャル層６
がガードリング層３の外側部分にまで延出して形成され
ていると、ガードリング層３とこの外側の低抵抗エピタ
キシャル層６とによる空乏層の広がりが弱まることにな
り、この部分における耐圧が低下するからである。な
お、低抵抗エピタキシャル層６はガードリング層３の外
周縁の内側に形成されていればよく、低抵抗エピタキシ
ャル層６とガードリング層３との接触部分があってもよ
い。

【００２９】また、図６（ａ）に示した従来例のように
埋め込み層３５を形成することなく、順方向電圧Ｖ_Fを
低くすることができるので、エピタキシャル層２の厚さ
が薄くなることがなく、この点でも高耐圧に有利とな
る。

【００３０】一般には、複数のＰ⁺型層が分離して配列
されたハニカム構造のＳＢＤでは、ショットキ接合の接
合面積が半減するため、順方向電圧Ｖ_Fの低下には一定
の限度があり、順方向電流Ｉ_F低下も一定限度に止ま
る。

【００３１】本実施形態では、Ｐ⁺型層７の配列をハニ
カム構造としているが、順方向電圧Ｖ_Fの低下が一定限
度に止まる問題については、前記のように金属層８と低
抵抗エピタキシャル層６とのショットキ接合により解決
されている。すなわち、本実施形態は、ハニカム構造の
ＳＢＤの逆方向リーク電流Ｉ_Rを低くできるという利点
を有したまま、ハニカム構造のＳＢＤでは順方向電圧Ｖ
_Fの低下が一定限度に止まるという問題を解決したもの
である。

【００３２】以下、図２を用いて本実施形態に係るＳＢ
Ｄの製造方法について説明する。図２（ａ）に示したよ
うに、比抵抗３〜５ｍΩｃｍ程度（不純物濃度が２〜３
×１０¹⁹ｃｍ^-3程度）で、厚さ４００μｍ程度のＮ⁺型
の半導体基板１上に、比抵抗１〜２Ωｃｍ程度（不純物
濃度が２〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3程度）で、厚さ４〜５μｍ
程度のＮ^-型のエピタキシャル層２を形成する。

【００３３】次に、図２（ｂ）に示したように、エピタ
キシャル層２上に熱酸化法等により、ＳｉＯ₂等の酸化
膜のマスク１１を形成し、マスク１１の開口部にボロン
（Ｂ）等のＰ型不純物を用いて、例えば熱拡散法または
イオン注入法によりＰ⁺型のガードリング層３を形成す
る。

【００３４】次に、図２（ｃ）に示したように、エピタ
キシャル層２上に、比抵抗０．５Ωｃｍ程度（不純物濃
度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3程度）で、厚さ０．３〜０．７μ
ｍ程度の低抵抗エピタキシャル層６をマスク１２の開口
部に形成する。本図に示したように、低抵抗エピタキシ
ャル層６はガードリング層３の外周縁の内側に形成する
ことが好ましい。

【００３５】その後、図２（ｄ）に示したように、低抵
抗エピタキシャル層６上に熱酸化法等により形成したＳ
ｉＯ₂等の酸化膜のマスク１３の開口部に複数のＰ⁺型層
７を形成する。この複数のＰ⁺型層７は、ボロン（Ｂ）
等のＰ型不純物を用いて例えば熱拡散法またはイオン注
入法により形成する。

【００３６】さらに、図２（ｅ）に示したように、ショ
ットキメタルであるＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、又はＣｒ等の金属
層８を形成する。金属層８は、ガードリング層３の一部
に接触させて形成する。

【００３７】なお、低抵抗エピタキシャル層は、エピタ
キシャル層上の全面に形成した後、エッチングにより周
辺部を取り除いて形成してもよい。

【００３８】また、低抵抗エピタキシャル層は、図１
（ａ）に示したように端部をテーパー状に形成しておく
ことが好ましい。このことにより、その上に金属層を形
成した際に、低抵抗エピタキシャル層の端部の欠け、破
損等を防止することができ、さらに金属層との密着性を
高めることができる。

【００３９】（実施の形態２）図３（ａ）に、本発明の
実施形態２に係るＳＢＤの構成を示す断面図を示してい
る。図３（ａ）に示したＳＢＤは、高濃度のＮ⁺型シリ
コン基板２０上に、低濃度のＮ^-型のエピタキシャル層
２１が形成されている。エピタキシャル層２１上には、
開口部２３を有する酸化膜２４が形成されている。

【００４０】開口部２３内のエピタキシャル層２１の表
面から内部にかけて、Ｐ⁺型のガードリング層２２が環
状に形成され、このガードリング層２２の内周側にはＰ
⁺型領域２６が形成されている。このＰ⁺型領域２６の上
面は、次に説明する低抵抗エピタキシャル層２５の下面
に接している。

【００４１】開口部２３内のエピタキシャル層２１上に
は、低抵抗エピタキシャル層２５が形成されている。低
抵抗エピタキシャル層２５上から酸化膜２４上にかけ
て、酸化膜２４の開口部２３を覆うように、ショットキ
メタルである金属層２７が形成されている。また、ガー
ドリング層２２の一部に金属層２７が接している。

【００４２】ショットキメタルの材料、各エピタキシャ
ルの比抵抗については、実施形態１と同様であり、例え
ばエピタキシャル層２１が１〜２Ωｃｍ程度に対して、
低抵抗エピタキシャル層２５は０．５Ωｃｍ程度であ
る。

【００４３】実施形態２のＳＢＤが、実施形態１のＳＢ
Ｄと異なる点は、Ｐ⁺型領域２６の上面が低抵抗エピタ
キシャル層２５の下面に接しており、低抵抗エピタキシ
ャル層２５内部にはＰ⁺型層が形成されていない点、及
びＰ⁺型層２６の形成領域において、エピタキシャル層
２１の表面が複数に分離している点である。

【００４４】図３（ｂ）は、図３（ａ）に示したＳＢＤ
の平面図である。各ショットキ領域（エピタキシャル層
２１の表面）は６角形状であり、この６角形状の配列は
実施形態１のＳＢＤと同様である。各６角形状部分の外
側の領域がＰ⁺型層２６である。すなわち本実施形態で
は、実施形態１のように複数のＰ⁺型領域が別個独立に
分離して形成されたものではなく、Ｐ⁺型層２６は一体
につながって形成されている。以下、本実施形態のＳＢ
Ｄの動作について説明する。

【００４５】順方向電圧が印加された場合は、順方向電
流が金属層２７からＮ⁺型シリコン基板２０側へと流れ
る。本実施形態では、ショットキ接合が金属層２７と低
抵抗エピタキシャル層２５とで形成され、しかも低抵抗
エピタキシャル層２５内にはＰ⁺型層が形成されていな
いので、低抵抗エピタキシャル層２５の全面に亘りショ
ットキ接合面が形成されている。このため、実施形態１
に比べショットキ接合面積を広くすることができ、順方
向電圧Ｖ_Fをさらに低くすることができる。

【００４６】逆方向電圧が印加された場合は、ガードリ
ング層２２及びＰ⁺型層２６からＮ^-型のエピタキシャル
層２１へと空乏層が広がることになるが、図３（ｂ）に
示したように６角形状の内部がショットキ領域（エピタ
キシャル層２１の表面）であるので、空乏層は矢印２９
で示したように、６角形状の内部に広がることになる。

【００４７】すなわち、６角形状の内部は空乏層で遮断
され、ＰＮ接合部全体としてみると、空乏層は図３
（ａ）の破線２８で示したように広がるので、逆方向リ
ーク電流Ｉ_Rを下げることができ、高耐圧とすることが
できる。すなわち、本実施形態では高耐圧としつつ、シ
ョットキ接合面積を実施形態１に比べて広くしたことに
より、順方向電圧Ｖ_Fをさらに低くしたものである。

【００４８】なお、図３（ａ）に示したように、低抵抗
エピタキシャル層２５はガードリング層２２の外周縁の
内側に形成されている。これは、実施形態１の場合と同
様に、ガードリング層３の外側部分における耐圧低下を
防止するためである。

【００４９】また、図４には別の実施形態を示してお
り、高濃度のＮ⁺型の埋め込み層２０ａを一定の耐圧を
確保できる程度に形成することにより、エピタキシャル
層内のシリーズ抵抗を下げ大電流時における順方向電圧
Ｖ_Fをさらに低くすることができる。

【００５０】以下、図５を用いて本実施形態に係るＳＢ
Ｄの製造方法について説明する。図５（ａ）に示したよ
うに、比抵抗３〜５ｍΩｃｍ程度（不純物濃度が２〜３
×１０¹⁹ｃｍ^-3程度）で、厚さ４００μｍ程度のN⁺型の
半導体基板２０上に、比抵抗１〜２Ωｃｍ程度（不純物
濃度が２〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3程度）で、厚さ４〜５μｍ
程度のＮ^-型のエピタキシャル層２１を形成する。

【００５１】次に、図５（ｂ）に示したように、エピタ
キシャル層２１上に熱酸化法等により、ＳｉＯ₂等の酸
化膜のマスク２９を形成し、マスク２９の開口部にボロ
ン（Ｂ）等のＰ⁺型不純物を用いてガードリング層２１
及びＰ⁺型層２６を熱拡散法またはイオン注入法により
形成する。

【００５２】次に、図５（ｃ）に示したように、エピタ
キシャル層２１上に、比抵抗０．５Ωｃｍ程度（不純物
濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3程度）で、厚さ０．３〜０．７
μｍ程度の低抵抗エピタキシャル層２５を形成する。本
図に示したように、低抵抗エピタキシャル層２５はガー
ドリング層２２の外周縁の内側に形成することが好まし
い。

【００５３】その後、図５（ｄ）に示したように低抵抗
エピタキシャル層２５上を覆うように、ショットキーメ
タルである金属層２７を形成する。金属層２７は、ガー
ドリング層２２の一部に接触させて形成する。

【００５４】なお、低抵抗エピタキシャル層は、エピタ
キシャル層上の全面に形成した後、エッチングにより周
辺部を取り除いて形成してもよい。

【００５５】また、低抵抗エピタキシャル層２５は、実
施形態1と同様の理由により、図３（ａ）に示したよう
に端部をテーパー状に形成しておくことが好ましい。

【００５６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、順方向電
圧が印加された場合は、ショットキ接合が金属層と低抵
抗エピタキシャル層とで形成され、ショットキ接合面の
バリアハイトを下げているので、順方向電圧を低くでき
る。逆方向電圧が印加された場合は、エピタキシャル層
と逆の導電型の半導体層とエピタキシャル層との接合部
に連結して空乏層が発生するので、逆方向リーク電流を
下げることができ、高耐圧とすることができる。すなわ
ち、低抵抗エピタキシャル層を形成することにより、順
方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施形態１に係るＳＢＤの断面
図（ｂ）図１（ａ）のＰ⁺型層７の配列を示す平面図

【図２】本発明の実施形態１に係るＳＢＤの製造方法を
示す工程図

【図３】（ａ）本発明の実施形態２に係るＳＢＤの断面
図（ｂ）図３（ａ）のショットキ領域の配列を示す平面図

【図４】本発明の一実施形態に係る埋め込み層を形成し
たＳＢＤの断面図

【図５】本発明の実施形態２に係るＳＢＤの製造方法を
示す工程図

【図６】従来のＳＢＤの一例を示す断面図

【符号の説明】

１，２０シリコン基板２，２１エピタキシャル層３，２２ガードリング層７，２６Ｐ⁺型層５，２４酸化膜６，２５低抵抗エピタキシャル層８，２７金属層２０ａ埋め込み層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に、エピタキシャル層とそ
の上の金属層とを備えたショットキバリアダイオードで
あって、前記エピタキシャル層の表面側に前記エピタキ
シャル層と逆の導電型の半導体層が形成され、前記エピ
タキシャル層と前記金属層との間に前記エピタキシャル
層より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシャル層が形成さ
れていることを特徴とするショットキバリアダイオー
ド。
【請求項２】前記逆の導電型の半導体層が複数に分離
して形成され、これらの上面が前記金属層下面と接して
いる請求項１に記載のショットキバリアダイオード。
【請求項３】前記逆の導電型の半導体層上面が前記低
抵抗エピタキシャル層下面と接し、前記逆の導電型の半
導体層の形成領域内において、前記エピタキシャル層の
表面は複数に分離している請求項１に記載のショットキ
バリアダイオード。
【請求項４】前記逆の導電型の半導体層の形成領域を
囲み、前記エピタキシャル層と逆の導電型で環状のガー
ドリング層が前記エピタキシャル層表面側に形成され、
前記ガードリング層の一部に前記金属層が接し、前記低
抵抗エピタキシャル層は前記ガードリング層の外周縁の
内側に形成されている請求項１から３のいずれかに記載
のショットキバリアダイオード。
【請求項５】半導体基板上にエピタキシャル層を形成
した後、前記エピタキシャル層上に前記エピタキシャル
層より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシャル層を形成
し、前記エピタキシャル層と逆の導電型の半導体層を前
記低抵抗エピタキシャル層表面から前記エピタキシャル
層内部にかけて複数形成し、前記低抵抗エピタキシャル
層を覆うように金属層を形成することを特徴とするショ
ットキバリアダイオードの製造方法。
【請求項６】半導体基板上にエピタキシャル層を形成
した後、前記エピタキシャル層の表面側に前記エピタキ
シャル層と逆の導電型の半導体層を形成し、前記エピタ
キシャル層及び前記逆の導電型の半導体層の表面に前記
エピタキシャル層より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシ
ャル層を形成し、前記低抵抗エピタキシャル層を覆うよ
うに金属層を形成することを特徴とするショットキバリ
アダイオードの製造方法。
【請求項７】前記エピタキシャル層の形成後、前記エ
ピタキシャル層と逆の導電型で、前記逆の導電型の半導
体層の形成領域を囲む環状のガードリング層を前記エピ
タキシャル層表面側に形成し、前記金属層を前記ガード
リング層の一部に接するように形成し、前記低抵抗エピ
タキシャル層を前記ガードリング層の外周縁の内側に形
成する請求項５又は６に記載のショットキバリアダイオ
ードの製造方法。