JP2000294819A

JP2000294819A - 太陽電池の製造方法

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Publication number: JP2000294819A
Application number: JP11097840A
Authority: JP
Inventors: Osamu Yasuzawa; 修安沢
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-04-05
Filing date: 1999-04-05
Publication date: 2000-10-20
Anticipated expiration: 2019-04-05
Also published as: JP3661836B2

Abstract

(57)【要約】【課題】直列抵抗を小さく保ちながら、表面電極の電
極面積の増加を抑えた太陽電池の製造方法を提供するこ
と。【解決手段】半導体基板と、該半導体基板表面に形成
され、太陽電池素子で発生した電流を収集する副電極及
び該副電極に電気的に接続された主電極からなる表面電
極と、裏面電極とを備える太陽電池を製造するに際し
て、前記主電極を半導体基板の周縁部に配置するように
電解メッキにより形成する太陽電池の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池の製造方法
に関し、より詳細には、太陽電池における電極を電解メ
ッキで形成することによって、特に直列抵抗を低減させ
た太陽電池の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来提
案されている太陽電池は、例えば、以下のように製造さ
れる。

【０００３】（１）薄型化エッチング工程により、初期
投入されたシリコン基板（Ｐ型）１の厚みを最終太陽電
池の厚みにまで化学エッチングする（図４（ａ））。（２）第１酸化工程により、シリコン基板１両面に酸化
膜２を形成する（図４（ｂ））。（３）シリコン基板１の受光面に対する裏面側をレジス
ト・耐酸テープ等のマスキング剤で保護した後、ＨＦ溶
液にシリコン基板１を浸し、受光面側の酸化膜２のみを
溶解させる（図４（ｃ））。（４）シリコン基板１にリンを拡散することにより、受
光面にのみＮ型拡散層３を形成する（図４（ｄ））。（５）その後、裏面側の酸化膜２を除去する（図４
（ｅ））

【０００４】（６）後工程でシリコン基板１のＮ型拡散
層３と接続する所定形状の電極を電解メッキで形成する
ことを目的とし、シリコン基板１表面に、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて、所定形状のレジストパターン４を
形成する（図５（ｆ））。（７）後工程で電解メッキによりシードメタル上に表面
電極を作製することを目的とし、そのメッキ電極の下地
になるシードメタル５を蒸着法により形成し、レジスト
パターン４をリフトオフ工程で剥離する（図５
（ｇ））。（８）後工程で電解メッキによりシードメタル上に裏面
電極を作製することを目的とし、そのメッキ電極の下地
となるシードメタル６を蒸着法により形成する（図５
（ｈ））。（９）電解メッキにより、表面側シードメタル５上と裏
面側シードメタル６上とに電解メッキを施し、表面電極
５１及び裏面電極６１を完成する（図５（ｉ））。（１０）得られたシリコン基板１表面に、光の反射を低
減する反射防止膜７を蒸着法により形成する（図５
（ｊ））。（１１）表面電極５１及び裏面電極６１とシリコン基板
１との密着性を高めるために熱処理を行う（シンタリン
グ工程）。（１２）最終的な太陽電池寸法にダイシングする。

【０００５】ここで、受光面側に形成される表面電極５
１は、図６に示したように、太陽電池素子で発生した光
電流を収集する複数の副電極５３と、複数の副電極５３
を電気的に接続することを主たる目的とする主電極５２
と、太陽電池素子で発生した電流を太陽電池素子外部に
取り出すことを目的とするコネクターと太陽電池素子と
を電気的に接続するために配設された電極パッド５４と
から構成された櫛形の電極である。

【０００６】なお、図６に示す表面電極５１は、完成し
た１つの太陽電池素子に対応する形状を示しているが、
通常は、図７に示すように、１枚のシリコン基板１の上
に複数の表面電極５１のパターンが形成される。

【０００７】また、工程（９）の電解メッキにおいて
は、通常、図８に示したように、メッキする金属イオン
を含むメッキ液１１で満たされたメッキ槽１２中に、メ
ッキする金属からなる陽極８、９と、被メッキ物となる
シリコン基板１の両面に形成されたシードメタル５、６
からなる陰極とを浸し、両電極に電圧を印加することに
より、シリコン基板１の両面にメッキを行う。この際、
陽極８、９は、陰極であるシードメタル５、６が形成さ
れたシリコン基板１と同程度の面積の金属プレートから
構成され、陰極に対して平行になるように配置される。
しかし、このような陽極８、９を用いてメッキを行った
場合、シリコン基板１の周縁部においては、中央部に比
べメッキ金属が厚く成長する。これは電圧を印加したと
きに周縁部に電荷が集中するためである。そこで、シリ
コン基板１上に、均一な膜厚でメッキを行うために、特
に厚膜になるシリコン基板１の周縁部に対応する陽極の
周縁部を取り除き、陰極に比べて小さな陽極を用いる方
法がある。これにより、シリコン基板１における周縁部
への電荷の集中を防ぐことができる。また、図９に示し
たように、シリコン基板１の周縁部と陽極８、９との間
に、電荷の集中を防ぐような障壁１０を設ける方法等が
ある。

【０００８】ところで、太陽電池の変換効率を改善する
ための最も有効な手法としては、光収集効率を改善する
ことが挙げられる。この光収集効率の改善には種々方法
が考えられるが、比較的安易な方法として、太陽電池素
子表面の電極面積を減少させ、電極で反射することによ
る入射光のロスを最小限にし、より多くの光を太陽電池
素子に入射させることが挙げられる。しかし、電極面積
を減少させることは、太陽電池素子の直列抵抗の増加を
招き、限界がある。太陽電池の直列抵抗のうち、表面電
極による直列抵抗は、電極材料が同一の場合、電極の電
流方向の断面積に反比例し、電極の長さに比例して大き
くなる。よって、直列抵抗を低減させるためには、電極
厚を厚膜化させるか、あるいは電極幅を増大させること
により、電流方向の断面積を増大させることが有効であ
る。しかし、電極幅を増大させると、入射光のロスが大
きくなるため、むしろ電極厚の厚膜化を図ることが望ま
れる。また、この直列抵抗は、特に、電流が多く流れる
主電極で小さくする必要がある。

【０００９】一般に、上述したような、電解メッキにお
いては、シードメタルパターンの膜厚方向と幅方向との
両方向にメッキ成長するため、電極幅を増大させない
で、膜厚のみを厚膜化することは困難である。また、主
電極と副電極とを比較した場合、副電極の数の方が多い
ため、幅方向に成長するメッキ電極の総面積は、副電極
の方が主電極に対して数十倍〜数百倍大きくなる。この
結果、上記のような従来の方法では、副電極が厚くメッ
キされないようにするため、主電極も厚くメッキでき
ず、よって、電極面積を大きくして直列抵抗を低減する
必要があり、入射光のロスが多くなるという問題があっ
た。本発明は上記問題点を解決するためになされもの
で、直列抵抗を小さく保ちながら、表面電極の電極面積
の増加を抑えた太陽電池の製造方法を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板と、該半導体基板表面に形成され、太陽電池素子で
発生した電流を収集する副電極及び該副電極に電気的に
接続された主電極からなる表面電極と、裏面電極とを備
える太陽電池を製造するに際して、前記主電極を半導体
基板の周縁部に配置するように電解メッキにより形成す
る太陽電池の製造方法が提供される。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、主として半導体基板
と、主電極及び副電極からなる表面電極と、裏面電極と
を備える太陽電池を製造するに際して、少なくとも表面
電極を構成する主電極を電解メッキにより形成する太陽
電池の製造方法である。

【００１２】本発明において使用することができる太陽
電池製造用半導体基板は、太陽電池素子の1個又は複数
個を同時に形成するための基板を意味し、ウェハ等を含
む。この基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウ
ム等の半導体、ＧａＰ、ＧａＡｓ等の化合物半導体等の
公知のものを使用することができる。なかでも、シリコ
ン基板が好ましい。

【００１３】また、この半導体基板は、リン等のＮ型又
はホウ素等のＰ型のいずれの不純物を含有していてもよ
い。また、この半導体基板の表面及び裏面には、所望の
不純物濃度を有する不純物拡散層が形成されていること
が好ましい。このような不純物拡散層は、通常半導体素
子や太陽電池等に使用されている程度の不純物濃度を有
していることが好ましい。例えば、Ｎ型及び／又はＰ型
不純物拡散層の不純物濃度は、１．０×１０¹⁹〜１．０
×１０²⁰ｃｍ^-3程度が挙げられる。半導体基板の厚さ
は、通常の太陽電池に使用される程度の厚さであれば、
特に限定されるものではなく、例えば、２００〜４００
μｍ程度のものが挙げられる。なお、半導体基板の表面
は、入射光の反射を低減させるテクスチャ形状を有して
いてもよい。一方、裏面は、高濃度不純物拡散層が形成
されたＢＳＦ（Back Surface Field）構造を有していて
もよい。

【００１４】上記の半導体基板を用いて、表面電極及び
裏面電極を電解メッキにより形成する。この方法によれ
ば、あらかじめ、半導体基板の表裏面に、シードメタル
を形成した後、このシードメタル上に電解メッキを施
し、表面電極及び裏面電極を形成する。

【００１５】シードメタルは、表面及び裏面のいずれに
おいても、真空蒸着法、ＢＥ蒸着法、スパッタリング法
等の公知の製膜方法で形成することができる。また、シ
ードメタルを所望の形状にパターニングする方法として
は、公知の方法、例えば、リフトオフ法、フォトリソグ
ラフィ及びエッチング技術等が挙げられる。シードメタ
ルの材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケ
ル、鉛、チタン、タンタル、パラジウム等の金属の単層
膜、あるいはＡｌ／Ｔｉ／Ｐｄ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａ
ｇ、Ｔｉ／Ｐｄ、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ、Ｔｉ／Ａｇ、Ａｕ
／Ｚｎ／Ａｇ等のこれらの金属の積層膜が挙げられる。
特に、裏面電極のシードメタルとしては高反射率を有す
るＡｌ／Ｔｉ／Ｐｄ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇの積層膜
であることが好ましい。これらのシードメタルの膜厚
は、特に限定されるものではなく、例えば、１０００〜
１００００Å程度が挙げられる。なお、シードメタル
は、後工程で、電極を電解メッキによりメッキ成長させ
る起点になるものであるため、表面電極及び裏面電極に
ほぼ対応する形状に形成することが好ましい。例えば、
表面電極形成のためのシードメタルは、最終的に得られ
る太陽電池の入射光量を増すために、櫛形、格子形等の
形状で、受光面に対して１〜１０％程度の面積で形成す
ることができる。また、裏面電極形成のためのシードメ
タルは、受光面から入射し、基板に吸収されずに裏面に
到達した入射光を裏面で反射させ、基板内に吸収させる
ことができる裏面電極が形成できるように、素子の周囲
を除くほぼ全面に、裏面に対して約８０％以上の面積で
形成することが好ましい。

【００１６】シードメタル上に電解メッキを施し、表面
電極及び裏面電極を形成する方法としては、一般に用い
られている電解メッキを、所望の条件を選択することに
より行うことができ、この電解メッキにより、所望の表
面電極及び裏面電極を形成することができる。電解メッ
キは、例えば、メッキする金属イオンを含むメッキ液中
に、メッキする金属からなる陽極と、被メッキ物である
半導体基板の両面に形成されたシードメタルからなる陰
極とを浸し、両電極に電圧を印加することにより行うこ
とができる。

【００１７】ここで、シードメタル上へ電解メッキする
金属としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、パラジ
ウム、白金等が挙げられる。

【００１８】メッキ液としては、上記したように金、
銀、銅、ニッケル、パラジウム又は白金等をシードメタ
ル上にメッキする場合には、これらの金属イオンを含む
シアン系（例えば、シアン系中性タイプ、シアン系弱酸
性タイプ、シアン系酸性タイプ、シアン系弱アルカリタ
イプ、シアン系アルカリタイプ等）、ノンシアン系（例
えば、ノンシアン系中性タイプ、ノンシアン系弱酸性タ
イプ、ノンシアン系酸性タイプ、ノンシアン系弱アルカ
リタイプ、ノンシアン系アルカリタイプ等）のメッキ液
が挙げられる。なお、メッキ液には、所望により、最終
的に得られる表面電極及び裏面電極の平滑化、光沢化、
結晶微細化、密着性、残留応力の低減等を改善するため
に、適宜添加剤等を加えてもよい。

【００１９】陽極としては、上記したように金、銀、
銅、ニッケル、パラジウム又は白金等をシードメタル上
にメッキする場合には、これらの材料と同一の純度の高
い金属板で形成されていることが好ましい。陽極の大き
さは、例えば、その投影面積が、対向する陰極とほぼ同
程度又は大きめの大きさであることが好ましい。また、
陽極の形状は、平板形状であってもよいし、その外周部
に、言い換えれば、電解メッキによって最終的に形成さ
れる表面電極の主電極（後述）に対応する部分に、半導
体基板方向に対する凸部を有していてもよい。陽極が、
凸部を有している場合には、陰極との距離が小さくな
り、電荷集中を促すことにより、主電極をより厚膜に形
成することができるため、好ましい。陽極の膜厚は、平
板形状である場合には特に限定されるものではないが、
例えば、５ｍｍ程度以上、凸部がある場合には、凹部の
膜厚は特に限定されるものではないが、例えば、５ｍｍ
程度以上、凸部の膜厚は凹部に加えて１〜５ｃｍ程度が
挙げられる。

【００２０】電解メッキを行う際には、上記陽極と、そ
の表裏面にシードメタルが形成された半導体基板とを、
ほぼ平行になるように配置する。この際のシードメタル
と陽極との距離は、電解メッキの際の電流密度、メッキ
液の種類及び濃度等により適宜調整することができる
が、表面電極の形成のためには、例えば、３〜１５ｃｍ
程度の距離（陽極の外周部が凸部を有している場合に
は、シードメタルと凸部との距離は３〜１５ｃｍ程
度）、裏面電極の形成のためには、１〜１５ｃｍ程度の
距離とすることができる。また、メッキ液を２０〜７０
℃程度の温度に保持し、陽極−陰極間に０．１〜３．０
Ａ／ｄｍ²程度の電流密度となるように電圧を印加する
ことが挙げられる。

【００２１】上記のような電解メッキにより、半導体基
板の表裏面に、表面電極及び裏面電極をそれぞれ同時に
形成することができる。なお、本発明においては、表面
電極と裏面電極とを、同一の材料により、同時に形成し
てもよいし、裏面電極を、表面電極を電解メッキにより
形成する前又は後のいずれかに、別個に形成してもよ
い。

【００２２】電解メッキによって形成される表面電極の
形状は、特に限定されないが、太陽電池素子で発生した
光電流を収集する副電極と、副電極に電気的に接続され
た主電極とから主としてなる。ここで、副電極として
は、櫛の歯形状のように、同一の形状のものがほぼ平行
に複数形成されていてもよいし、格子形状のように、矩
形形状のものが縦横に複数配置して形成されていてもよ
いし、その他、それぞれ異なる任意の形状のものが縦横
斜めに複数配置して形成されていてもよし、さらに、渦
巻き形状や折れ曲がり形状のものが受光面にわたって１
つのみ形成されていてもよい。また、主電極は、副電極
が複数形成されている場合には副電極のすべてと、副電
極が１つのみの場合にはその副電極と電気的に接続され
ていることが必要である。主電極の形状は、副電極と接
続される限り、特に限定されるものではなく、例えば、
最終的に得られる太陽電池素子の周縁部に配置するよう
な形状であることが好ましい。また、主電極は、副電極
により収集された電流を外部に取り出す際にコネクター
と接続するためのパッド部を有していてもよい。最終的
に得られる表面電極の副電極及び主電極の膜厚は、それ
ぞれ５〜１５μｍ程度、６〜１７μｍ程度が挙げられ
る。

【００２３】なお、表面電極は、例えば、図１に示した
ように、１つの太陽電池素子を構成するパターンを、１
つの半導体基板上に２つ配置してもよいし、１つでもよ
いし、３つ以上配置してもよい。この場合、表面電極を
構成する主電極が、半導体基板の周縁部に配設されるよ
うに形成することが好ましい。また、図３に示したよう
に、表面電極を構成する主電極が配設される半導体基板
の周縁部端を、略直線形状としてもよい。半導体基板の
周縁部端は、シードメタルを形成した後、電解メッキを
行う前に、略直線形状に加工してもよいし、このような
形状の半導体基板を、太陽電池形成用の半導体基板とし
て初期投入してもよい。周縁部端が略直線形状の半導体
基板を用いる場合には、シードメタルの主電極に対応す
る端部を、半導体基板の周縁部端から５ｍｍ程度以下と
すると、電解メッキによって、表面電極の主電極のメッ
キ膜厚がさらに増加するため、好ましい。

【００２４】また、電解メッキによって形成される裏面
電極の形状は、上述したように、シードメタルの形状に
対応するように形成される。最終的に得られる裏面電極
の膜厚は、１〜１０μｍ程度が挙げられる。

【００２５】本発明の太陽電池の製造方法は、より具体
的には、以下の一連の太陽電池の製造工程の一部として
用いることにより、最終的に太陽電池を完成することが
できる。（１）初期投入された太陽電池製造用基板（Ｐ型）の厚
みを最終太陽電池の厚みにまで化学エッチングする工
程、（２）第１酸化工程により、基板両面に酸化膜を形成す
る工程、（３）基板の受光面に対する裏面側をレジスト・耐酸テ
ープ等のマスキング剤で保護した後、例えば、ＨＦを用
いて、受光面側の酸化膜のみを除去する工程、（４）基板ヘ、Ｎ型不純物、例えば、リンを拡散するこ
とにより、受光面にのみＮ型拡散層を形成し、その後、
裏面側酸化膜を除去する工程、（５）基板の受光面に、後工程で所望の形状の表面電極
を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラ
フィ技術により形成する工程、

【００２６】（６）後工程で電解メッキによりシードメ
タル上に表面電極を作製することを目的とし、そのメッ
キ電極の下地になるシードメタルを形成し、レジストを
リフトオフ工程で剥離する工程、（７）後工程で電解メッキによりシードメタル上に裏面
電極を作製することを目的とし、そのメッキ電極の下地
となるシードメタルを形成する工程、（８）電解メッキにより、基板表裏面のシードメタル上
にメタルをメッキし、表面及び裏面電極を完成する工
程、

【００２７】（９）基板の表面側に光の反射を低減する
反射防止膜を作製する工程、（１０）表面電極及び裏面電極と基板との密着度を高め
るために熱処理を行う工程、（１１）最終的な太陽電池寸法にダイシングする工程。

【００２８】なお、最終的なサイズに切断する前の上記
工程の任意の段階で、後工程で加工しやすい形状・サイ
ズに基板を切断してもよい。また、初期投入された状態
の基板寸法と最終的な太陽電池寸法が同一の場合は上記
（１１）のダイシング工程は省いてもよい。

【００２９】以下に、本発明の太陽電池の製造方法を、
図面に基づいて説明する。実施の形態１まず、通常の薄型エッチング工程により、初期投入され
た２００〜４００μｍ程度のＰ型シリコン基板を、１５
０μｍの基板厚に、例えばＮａＯＨを用いた化学エッチ
ングによって薄膜化する。次いで、シリコン基板を熱酸
化することにより、基板両面に膜厚３０００Å程度のシ
リコン酸化膜を形成する。続いて、基板表面（受光面）
へのＮ型不純物の拡散を目的として、表面に形成されて
いる酸化膜を、例えばＨＦを用いた化学処理により溶
解、除去する。次いで、基板を８００℃程度の拡散炉で
処理し、基板表面に、拡散雰囲気中にあるリンを熱拡散
してＮ型拡散層を形成する。基板裏面に形成されている
酸化膜を化学処理、例えばＨＦにより溶解させて除去す
る。

【００３０】基板表面に、後工程で所望形状の表面電極
を形成することを目的として、フォトリソグラフィ技術
によりシリコン基板表面に、図１に示した表面電極５１
に対応する開口を有するレジストマスクを形成する。

【００３１】続いて、基板表面に、後工程で行うメッキ
のシードメタルとなる金属を蒸着法で形成する。ここ
で、シードメタルとしては、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇを使用
し、膜厚は２０００Å／２０００Å／５０００Åとし
た。次いで、リフトオフ工程によりシリコン基板の表面
に形成されているレジストマスクとその表面に析出して
いる金属を除去する。その後、基板裏面に、後工程で行
うメッキのシードメタルとなる金属を蒸着法で形成す
る。ここで、シードメタルとしては、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ
／Ａｇを使用し、膜厚は１５００Å／２０００Å／２０
００Å／５０００Åとした。

【００３２】続いて、図２に示すような電解メッキ装置
を用いて、電解メッキによりシリコン基板１上のシード
メタル５、６上にメッキを行う。ここでは、シリコン基
板１上に形成されたシードメタル５、６を陰極として用
い、シリコン基板１と同程度の面積で、銀からなる平板
陽極８を、シードメタル６と平行に配置するとともに、
凹形状で、凹んだ部分がシリコン基板１より若干小さ
く、銀からなる陽極９を、シードメタル５と平行に配置
してメッキ液１１に浸す。この際のメッキ液１１の温度
は４０〜６０℃に設定した。この状態で、１〜２Ａ／ｄ
ｍ²の電流密度で電圧を印加し、シリコン基板１表裏面
のシードメタル５、６上に、Ａｇを同時にメッキする。
メッキ膜厚は、シリコン基板１表面の副電極５３で５．
０μｍ程度、シリコン基板１周縁部に配設された主電極
５２及び電極パッド５４で７μｍ程度、シリコン基板１
裏面で１．０μｍ程度とする。

【００３３】次いで、基板表面に、光の反射を低減させ
るＴｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃の２層の酸化膜により反射防止膜
を形成する。続いて、表面電極及び裏面電極とシリコン
基板１との密着度を高めるために、Ｎ₂雰囲気下、４１
５℃程度で３０分間程度熱処理を行なう。最後に、図１
に示したダイシングラインＡに沿って、シリコン基板１
を最終的な太陽電池寸法にダイシングする。

【００３４】実施の形態２リフトオフ工程によりシリコン基板の表面に形成されて
いるレジストマスクとその表面に析出している金属を除
去した後、シリコン基板を、図３に示すような、その周
縁部１４が直線状となるようダイシングを行った以外
は、実施の形態１と同様に太陽電池素子を作製した。こ
の実施の形態によれば、シリコン基板の周縁部端からの
表面電極５１における主電極５２の距離が５ｍｍ程度以
内の場合には、主電極５２のメッキ厚がさらに増し、８
μｍ程度とすることができた。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、半導体基板と、該半導
体基板表面に形成され、太陽電池素子で発生した電流を
収集する副電極及び該副電極に電気的に接続された主電
極からなる表面電極と、裏面電極とを備える太陽電池を
製造するに際して、前記主電極を半導体基板の周縁部に
配置するように電解メッキにより形成するため、半導体
基板の周縁部は中央部に比べメッキ膜厚が厚くなるとい
う従来の電解メッキの方法を利用して、副電極の電解メ
ッキによる膜厚の増大を抑制しつつ、つまり副電極の幅
方向のメッキ成長を抑制しつつ、主電極の電解メッキに
よる膜厚を増大させることができ、ひいては主電極の面
積を減少させ、特に直列抵抗を低減させた太陽電池を製
造することが可能となる。

【００３６】また、主電極が配設される半導体基板の周
縁部が、略直線状に形成されてなる場合には、主電極
を、より半導体基板の周縁部に近接して形成することが
できることとなり、主電極をより膜厚に形成することが
でき、ひいてはより主電極の面積を減少させることがで
きる。

【００３７】さらに、１つの半導体基板上に複数の表面
電極が形成され、かつ各表面電極の主電極がそれぞれ前
記半導体基板の周縁部に配設される場合には、主電極の
面積を減少させた表面電極を、一度に形成することがで
き、製造コストの削減を図ることが可能となる。

【００３８】また、半導体基板上の表面電極に対向し、
かつ該表面電極の主電極に対応する部分において前記半
導体基板方向に凸形状を有している陽極を用いて電解メ
ッキを行う場合には、半導体基板の周縁部における電解
メッキによる膜厚をさらに厚膜化させることができ、よ
り主電極の面積の低減、ひいては直列抵抗をより低減さ
せた太陽電池を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の太陽電池の製造方法において形成され
る表面電極パターンを示す概略平面図である。

【図２】本発明の太陽電池の製造方法において行う電解
メッキを実施するための装置の概略概念図である。

【図３】本発明の太陽電池の製造方法において形成され
る表面電極パターンの別の配置を示す概略平面図であ
る。

【図４】従来の太陽電池の製造工程を説明するための概
略断面工程図である。

【図５】従来の太陽電池の製造工程を説明するための概
略断面工程図である。

【図６】太陽電池素子の表面電極パターンを示す平面図
である。

【図７】従来の太陽電池の製造方法において形成される
表面電極パターンを示す概略平面図である。

【図８】従来の太陽電池の製造方法において行う電解メ
ッキを実施するための装置の概略概念図である。

【図９】従来の太陽電池の製造方法において行う電解メ
ッキを実施するための別の装置の概略概念図である。

【符号の説明】

１シリコン基板（半導体基板）２酸化膜３Ｎ型拡散層４レジストパターン５、６シードメタル７反射防止膜８、９陽極１０隔壁１１メッキ液１２メッキ槽１４周縁部５１表面電極５２主電極５３副電極５４電極パッド６１裏面電極Ａダイシングライン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板と、該半導体基板表面に形成
され、太陽電池素子で発生した電流を収集する副電極及
び該副電極に電気的に接続された主電極からなる表面電
極と、裏面電極とを備える太陽電池を製造するに際し
て、前記主電極を半導体基板の周縁部に配置するように
電解メッキにより形成することを特徴とする太陽電池の
製造方法。
【請求項２】主電極が配設される半導体基板の周縁部
が、略直線状に形成されてなる請求項１記載の太陽電池
の製造方法。
【請求項３】１つの半導体基板上に複数の表面電極が
形成され、かつ各表面電極の主電極がそれぞれ前記半導
体基板の周縁部に配設される請求項１又は２記載の太陽
電池の製造方法。
【請求項４】半導体基板上の表面電極に対向し、かつ
該表面電極の主電極に対応する部分において前記半導体
基板方向に凸形状を有している陽極を用いて電解メッキ
を行う請求項１〜３のいずれか１つに記載の太陽電池の
製造方法。