JP2000295028A - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
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- conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】給電部に起因した電気的な寄生インピーダンス
を補償し、高いアンテナ効率を有し、共振周波数の広帯
域化を図ることを可能とする背面給電方式のマイクロス
トリップアンテナを提供する。 【解決手段】マイクロストリップアンテナは、(イ)誘
電体基板10、(ロ)該誘電体基板10の表面10Aに
形成され、給電点24が設けられ、開放境界を有する放
射導体部20、及び、(ハ)該誘電体基板10の裏面1
0Bに設けられ、給電点24と電気的に接続された給電
部30から構成されており、放射導体部20は、第1の
放射導体部21と、該第1の放射導体部21によって囲
まれ、且つ、該第1の放射導体部21と離間した第2の
放射導体部22とから構成され、第1の放射導体部21
と第2の放射導体部22との間で容量結合が形成され、
第2の放射導体部22に給電点24が設けられている。
を補償し、高いアンテナ効率を有し、共振周波数の広帯
域化を図ることを可能とする背面給電方式のマイクロス
トリップアンテナを提供する。 【解決手段】マイクロストリップアンテナは、(イ)誘
電体基板10、(ロ)該誘電体基板10の表面10Aに
形成され、給電点24が設けられ、開放境界を有する放
射導体部20、及び、(ハ)該誘電体基板10の裏面1
0Bに設けられ、給電点24と電気的に接続された給電
部30から構成されており、放射導体部20は、第1の
放射導体部21と、該第1の放射導体部21によって囲
まれ、且つ、該第1の放射導体部21と離間した第2の
放射導体部22とから構成され、第1の放射導体部21
と第2の放射導体部22との間で容量結合が形成され、
第2の放射導体部22に給電点24が設けられている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プアンテナに関する。
プアンテナに関する。
【0002】
【従来の技術】平面アンテナの典型例であるマイクロス
トリップアンテナが、例えば、マイクロ波帯における衛
星通信や衛星放送等、あるいは又、移動体通信用の送受
信用アンテナとして使用されている。このマイクロスト
リップアンテナは、円形又は矩形の開放境界を有する放
射導体部が誘電体基材の表面に形成された構造を有し、
放射器としての機能を有する。マイクロストリップアン
テナの代表的な給電方式として、背面給電方式を挙げる
ことができる。かかる給電方式のマイクロストリップア
ンテナの模式的な端面図を図3の(A)に示し、模式的
な平面図を図3の(B)に示す。このマイクロストリッ
プアンテナは、誘電体基材110と、開放境界を有する
放射導体部120と、該誘電体基材110の裏面110
Bに設けられた同軸コネクタ130から成る給電部から
構成されている。平面形状が円形の放射導体部120
は、誘電体基材110の表面110Aに形成されてお
り、給電点124が設けられている。また、同軸コネク
タ130は、外部導体131、中心導体132、並び
に、外部導体131と中心導体132との間の絶縁を確
保する絶縁材料層133から構成されている。そして、
中心導体132の先端部は、誘電体基材110に設けら
れた貫通孔111を経由して給電点124に電気的に接
続されている。尚、外部導体131は、誘電体基材11
0の裏面110Bに形成された導体層112に接地され
ている。
トリップアンテナが、例えば、マイクロ波帯における衛
星通信や衛星放送等、あるいは又、移動体通信用の送受
信用アンテナとして使用されている。このマイクロスト
リップアンテナは、円形又は矩形の開放境界を有する放
射導体部が誘電体基材の表面に形成された構造を有し、
放射器としての機能を有する。マイクロストリップアン
テナの代表的な給電方式として、背面給電方式を挙げる
ことができる。かかる給電方式のマイクロストリップア
ンテナの模式的な端面図を図3の(A)に示し、模式的
な平面図を図3の(B)に示す。このマイクロストリッ
プアンテナは、誘電体基材110と、開放境界を有する
放射導体部120と、該誘電体基材110の裏面110
Bに設けられた同軸コネクタ130から成る給電部から
構成されている。平面形状が円形の放射導体部120
は、誘電体基材110の表面110Aに形成されてお
り、給電点124が設けられている。また、同軸コネク
タ130は、外部導体131、中心導体132、並び
に、外部導体131と中心導体132との間の絶縁を確
保する絶縁材料層133から構成されている。そして、
中心導体132の先端部は、誘電体基材110に設けら
れた貫通孔111を経由して給電点124に電気的に接
続されている。尚、外部導体131は、誘電体基材11
0の裏面110Bに形成された導体層112に接地され
ている。
【0003】ところで、背面給電方式のマイクロストリ
ップアンテナにおいては、通常、給電系との整合方法と
して、給電点124を適切な位置に配置する方法が採用
されている。即ち、一般に、主モードで励起されたマイ
クロストリップアンテナの入力インピーダンスZinは、
放射導体部120の中心(図3の(B)において「×」
印で表す)から給電点124までの距離ρによって異な
る。共振周波数及びその近傍の周波数領域における入力
インピーダンスZinは、距離ρに比例し、放射導体部1
20の中心での値0から開放境界での値数百Ωまで増加
する。従って、例えば特性インピーダンス50Ω程度の
給電系との間で整合をとるために、通常、円形の放射導
体部の半径を「a」としたとき、距離ρの値を0.3a
程度としている。また、矩形の放射導体部を有するマイ
クロストリップアンテナにおいては、給電点と放射導体
部の中心を結ぶ直線をX軸、X軸と直交し、放射導体部
の中心を通る直線をY軸とし、X軸と平行な矩形の辺の
長さを「a」としたとき、距離ρの値を0.15a程度
としている。
ップアンテナにおいては、通常、給電系との整合方法と
して、給電点124を適切な位置に配置する方法が採用
されている。即ち、一般に、主モードで励起されたマイ
クロストリップアンテナの入力インピーダンスZinは、
放射導体部120の中心(図3の(B)において「×」
印で表す)から給電点124までの距離ρによって異な
る。共振周波数及びその近傍の周波数領域における入力
インピーダンスZinは、距離ρに比例し、放射導体部1
20の中心での値0から開放境界での値数百Ωまで増加
する。従って、例えば特性インピーダンス50Ω程度の
給電系との間で整合をとるために、通常、円形の放射導
体部の半径を「a」としたとき、距離ρの値を0.3a
程度としている。また、矩形の放射導体部を有するマイ
クロストリップアンテナにおいては、給電点と放射導体
部の中心を結ぶ直線をX軸、X軸と直交し、放射導体部
の中心を通る直線をY軸とし、X軸と平行な矩形の辺の
長さを「a」としたとき、距離ρの値を0.15a程度
としている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般に、マイクロスト
リップアンテナの共振周波数の帯域は極めて狭い。無負
荷Q値は、誘電体基材を構成する材料の比誘電率εrに
比例し、誘電体基材の厚さtに反比例する。従って、比
誘電率εrの低い材料から成る誘電体基材を使用した
り、誘電体基材の厚さtを厚くすることによって、無負
荷Q値を20〜30程度とすることで、マイクロストリ
ップアンテナの共振周波数の広帯域化を図っている。
リップアンテナの共振周波数の帯域は極めて狭い。無負
荷Q値は、誘電体基材を構成する材料の比誘電率εrに
比例し、誘電体基材の厚さtに反比例する。従って、比
誘電率εrの低い材料から成る誘電体基材を使用した
り、誘電体基材の厚さtを厚くすることによって、無負
荷Q値を20〜30程度とすることで、マイクロストリ
ップアンテナの共振周波数の広帯域化を図っている。
【0005】ところで、同軸コネクタ130を構成する
中心導体132に起因した電気的な寄生インピーダンス
が存在する。そして誘電体基材の厚さtを厚くすると、
中心導体132の長さを長くする必要が生じる結果、中
心導体132に起因した電気的な寄生インピーダンスが
無視できない値となり、背面給電方式のマイクロストリ
ップアンテナと給電系との不整合により損失が大きくな
る場合がある。
中心導体132に起因した電気的な寄生インピーダンス
が存在する。そして誘電体基材の厚さtを厚くすると、
中心導体132の長さを長くする必要が生じる結果、中
心導体132に起因した電気的な寄生インピーダンスが
無視できない値となり、背面給電方式のマイクロストリ
ップアンテナと給電系との不整合により損失が大きくな
る場合がある。
【0006】従って、本発明の目的は、給電部に起因し
た電気的な寄生インピーダンスを補償し、高いアンテナ
効率を有し、共振周波数の広帯域化を図ることを可能と
する背面給電方式のマイクロストリップアンテナを提供
することにある。
た電気的な寄生インピーダンスを補償し、高いアンテナ
効率を有し、共振周波数の広帯域化を図ることを可能と
する背面給電方式のマイクロストリップアンテナを提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明のマイクロストリップアンテナは、(イ)誘
電体基材、(ロ)該誘電体基材の表面に形成され、給電
点が設けられ、開放境界を有する放射導体部、及び、
(ハ)該誘電体基材の裏面に設けられ、給電点と電気的
に接続された給電部、から構成されており、放射導体部
は、第1の放射導体部と、該第1の放射導体部によって
囲まれ、且つ、該第1の放射導体部と離間した第2の放
射導体部とから構成され、第1の放射導体部と第2の放
射導体部との間で容量結合が形成され、第2の放射導体
部に給電点が設けられていることを特徴とする。
めの本発明のマイクロストリップアンテナは、(イ)誘
電体基材、(ロ)該誘電体基材の表面に形成され、給電
点が設けられ、開放境界を有する放射導体部、及び、
(ハ)該誘電体基材の裏面に設けられ、給電点と電気的
に接続された給電部、から構成されており、放射導体部
は、第1の放射導体部と、該第1の放射導体部によって
囲まれ、且つ、該第1の放射導体部と離間した第2の放
射導体部とから構成され、第1の放射導体部と第2の放
射導体部との間で容量結合が形成され、第2の放射導体
部に給電点が設けられていることを特徴とする。
【0008】本発明のマイクロストリップアンテナにお
いては、放射導体部の平面形状(より具体的には第1の
放射導体部の平面形状)は円形又は矩形であり、給電点
は、放射導体部の中心(より具体的には第1の放射導体
部の中心)からずれた位置に配置されていることが好ま
しい。第1の放射導体部と第2の放射導体部との離間
は、例えば、第1の放射導体部と第2の放射導体部との
間に溝(隙間あるいはギャップ)を設けることによって
達成することができる。放射導体部の中心から給電点ま
での距離ρは、マイクロストリップアンテナの入力イン
ピーダンスZinと給電系の特性インピーダンスとの間に
整合が取れるような値とすればよく、各種の試験によっ
て決定すればよい。第2の放射導体部の平面形状も円形
又は矩形であり、給電点は、第2の放射導体部の中心に
配置されていることが好ましい。第1の放射導体部の大
きさはマイクロストリップアンテナの要求される共振周
波数に基づき決定すればよい。また、第2の放射導体部
の大きさ、溝の幅も、各種の試験によって決定すればよ
い。尚、第1あるいは第2の放射導体部の平面形状は円
形や矩形に限定されず、多角形、楕円等とすることもで
きる。また、第1の放射導体部の平面形状と、第2の放
射導体部の平面形状とは、同じであっても(即ち、相似
であっても)、異なっていてもよい。
いては、放射導体部の平面形状(より具体的には第1の
放射導体部の平面形状)は円形又は矩形であり、給電点
は、放射導体部の中心(より具体的には第1の放射導体
部の中心)からずれた位置に配置されていることが好ま
しい。第1の放射導体部と第2の放射導体部との離間
は、例えば、第1の放射導体部と第2の放射導体部との
間に溝(隙間あるいはギャップ)を設けることによって
達成することができる。放射導体部の中心から給電点ま
での距離ρは、マイクロストリップアンテナの入力イン
ピーダンスZinと給電系の特性インピーダンスとの間に
整合が取れるような値とすればよく、各種の試験によっ
て決定すればよい。第2の放射導体部の平面形状も円形
又は矩形であり、給電点は、第2の放射導体部の中心に
配置されていることが好ましい。第1の放射導体部の大
きさはマイクロストリップアンテナの要求される共振周
波数に基づき決定すればよい。また、第2の放射導体部
の大きさ、溝の幅も、各種の試験によって決定すればよ
い。尚、第1あるいは第2の放射導体部の平面形状は円
形や矩形に限定されず、多角形、楕円等とすることもで
きる。また、第1の放射導体部の平面形状と、第2の放
射導体部の平面形状とは、同じであっても(即ち、相似
であっても)、異なっていてもよい。
【0009】本発明のマイクロストリップアンテナにお
いては、誘電体基材の両面に金属箔(例えば銅箔)を積
層した材料から放射導体部を作製することができる。こ
の場合、誘電体基材の表面に積層された金属箔をエッチ
ングすることによって放射導体部を形成することがで
き、誘電体基材の裏面に積層された金属箔はアンテナア
ース部の金属層としての機能を果たす。あるいは、誘電
体基材の表面にめっき法にて放射導体部を形成すること
もできる。この場合、誘電体基材は平面状(板状)だけ
でなく、立体構造とすることもでき、マイクロストリッ
プアンテナを立体形状とすることができる。更には、放
射導体部を、銀、銅、金等から成る導電性ペーストを印
刷、硬化させることによって形成することができる。あ
るいは又、誘電体基材に対してスパッタリングを行うこ
とによって金属層を形成した後、かかる金属層をエッチ
ングすることによって放射導体部を形成することもでき
る。誘電体基材を構成する材料として、ガラス繊維強化
のエポキシ板あるいはエポキシ材、ポリテトラフルオロ
エチレン板あるいはポリテトラフルオロエチレン材、繊
維強化のポリテトラフルオロエチレン板あるいは繊維強
化のポリテトラフルオロエチレン材、照射ポリエチレン
板あるいは照射ポリエチレン材、発泡フォーム材料とフ
ィルム材料の組合せ、アルミナ、セラミック、ペーパー
ハニカムを挙げることができる。
いては、誘電体基材の両面に金属箔(例えば銅箔)を積
層した材料から放射導体部を作製することができる。こ
の場合、誘電体基材の表面に積層された金属箔をエッチ
ングすることによって放射導体部を形成することがで
き、誘電体基材の裏面に積層された金属箔はアンテナア
ース部の金属層としての機能を果たす。あるいは、誘電
体基材の表面にめっき法にて放射導体部を形成すること
もできる。この場合、誘電体基材は平面状(板状)だけ
でなく、立体構造とすることもでき、マイクロストリッ
プアンテナを立体形状とすることができる。更には、放
射導体部を、銀、銅、金等から成る導電性ペーストを印
刷、硬化させることによって形成することができる。あ
るいは又、誘電体基材に対してスパッタリングを行うこ
とによって金属層を形成した後、かかる金属層をエッチ
ングすることによって放射導体部を形成することもでき
る。誘電体基材を構成する材料として、ガラス繊維強化
のエポキシ板あるいはエポキシ材、ポリテトラフルオロ
エチレン板あるいはポリテトラフルオロエチレン材、繊
維強化のポリテトラフルオロエチレン板あるいは繊維強
化のポリテトラフルオロエチレン材、照射ポリエチレン
板あるいは照射ポリエチレン材、発泡フォーム材料とフ
ィルム材料の組合せ、アルミナ、セラミック、ペーパー
ハニカムを挙げることができる。
【0010】給電部は、例えば、中心導体と外部導体と
から構成された同軸コネクタ、同軸線路と給電線の組合
せ、同軸線路とセミリジッドケーブルの組合せ、同軸線
路と導波管の組合せから構成することができる。
から構成された同軸コネクタ、同軸線路と給電線の組合
せ、同軸線路とセミリジッドケーブルの組合せ、同軸線
路と導波管の組合せから構成することができる。
【0011】本発明のマイクロストリップアンテナにお
いては、第1の放射導体部と第2の放射導体部とが例え
ば溝によって離間されており、第1の放射導体部と第2
の放射導体部との間で容量結合が形成される。従って、
給電部を構成する例えば中心導体の長さが長くなり、中
心導体に起因した電気的な寄生インピーダンスが無視で
きない値となっても、かかる寄生インピーダンスを補償
することができる。それ故、マイクロストリップアンテ
ナと給電系との間の整合を確実に取ることができる。ま
た、給電点の位置精度や寸法精度を軽減することが可能
となる。
いては、第1の放射導体部と第2の放射導体部とが例え
ば溝によって離間されており、第1の放射導体部と第2
の放射導体部との間で容量結合が形成される。従って、
給電部を構成する例えば中心導体の長さが長くなり、中
心導体に起因した電気的な寄生インピーダンスが無視で
きない値となっても、かかる寄生インピーダンスを補償
することができる。それ故、マイクロストリップアンテ
ナと給電系との間の整合を確実に取ることができる。ま
た、給電点の位置精度や寸法精度を軽減することが可能
となる。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。
明を説明する。
【0013】図1の(A)に本発明のマイクロストリッ
プアンテナの模式的な端面図を示し、図1の(B)に模
式的な平面図を示す。
プアンテナの模式的な端面図を示し、図1の(B)に模
式的な平面図を示す。
【0014】このマイクロストリップアンテナは、誘電
体基材10と、平面形状が円形の開放境界を有する放射
導体部20と、誘電体基材10の裏面10Bに設けられ
た(配設された)給電部から構成されている。放射導体
部20は、誘電体基材10の表面10Aに形成されてお
り、給電点24が設けられている。また、例えば同軸コ
ネクタ30から構成された給電部は、具体的には、外部
導体31、中心導体32、並びに、外部導体31と中心
導体32との間の絶縁を確保する絶縁材料層33(例え
ば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂から成る)から構
成されている。そして、中心導体32の先端部は、誘電
体基材10に設けられた貫通孔11を経由して給電点2
4に電気的に接続されている。具体的には、中心導体3
2の先端は放射導体部20の給電点24に半田付けさ
れ、あるいは圧入されている。また、外部導体31は、
誘電体基材10の裏面10Bに形成された導体層(アー
スグランド層)12に接地されている。
体基材10と、平面形状が円形の開放境界を有する放射
導体部20と、誘電体基材10の裏面10Bに設けられ
た(配設された)給電部から構成されている。放射導体
部20は、誘電体基材10の表面10Aに形成されてお
り、給電点24が設けられている。また、例えば同軸コ
ネクタ30から構成された給電部は、具体的には、外部
導体31、中心導体32、並びに、外部導体31と中心
導体32との間の絶縁を確保する絶縁材料層33(例え
ば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂から成る)から構
成されている。そして、中心導体32の先端部は、誘電
体基材10に設けられた貫通孔11を経由して給電点2
4に電気的に接続されている。具体的には、中心導体3
2の先端は放射導体部20の給電点24に半田付けさ
れ、あるいは圧入されている。また、外部導体31は、
誘電体基材10の裏面10Bに形成された導体層(アー
スグランド層)12に接地されている。
【0015】放射導体部20は、第1の放射導体部21
と、この第1の放射導体部21によって囲まれ、且つ、
第1の放射導体部21と離間した第2の放射導体部22
とから構成されている。第1の放射導体部21と第2の
放射導体部22との離間は、溝23によって達成されて
いる。即ち、第2の放射導体部22は、溝23によって
第1の放射導体部21から分離されている。これによっ
て、第1の放射導体部21と第2の放射導体部22との
間で容量結合が形成される。また、第2の放射導体部2
2に給電点24が設けられている。具体的には、第1の
放射導体部21の外縁の形状は半径8.35mmの円形
であり、第2の放射導体部22の外縁の形状は半径1.
725mmの円形である。第1の放射導体部21と第2
の放射導体部22とを分離する溝23の平面形状は環状
であり、溝23の幅は0.125mmである。給電点2
4は第2の放射導体部22の中心に設けられている。第
1の放射導体部21の中心から第2の放射導体部22の
中心までの距離、即ち、放射導体部20の中心(図1の
(B)において「×」印で表す)から給電点24までの
距離ρを4.5mmとした。
と、この第1の放射導体部21によって囲まれ、且つ、
第1の放射導体部21と離間した第2の放射導体部22
とから構成されている。第1の放射導体部21と第2の
放射導体部22との離間は、溝23によって達成されて
いる。即ち、第2の放射導体部22は、溝23によって
第1の放射導体部21から分離されている。これによっ
て、第1の放射導体部21と第2の放射導体部22との
間で容量結合が形成される。また、第2の放射導体部2
2に給電点24が設けられている。具体的には、第1の
放射導体部21の外縁の形状は半径8.35mmの円形
であり、第2の放射導体部22の外縁の形状は半径1.
725mmの円形である。第1の放射導体部21と第2
の放射導体部22とを分離する溝23の平面形状は環状
であり、溝23の幅は0.125mmである。給電点2
4は第2の放射導体部22の中心に設けられている。第
1の放射導体部21の中心から第2の放射導体部22の
中心までの距離、即ち、放射導体部20の中心(図1の
(B)において「×」印で表す)から給電点24までの
距離ρを4.5mmとした。
【0016】マイクロストリップアンテナは、例えば、
厚さ18μmの銅箔が両面に積層された厚さ1.6mm
のプリント配線板用銅張積層板(ガラス布基材エポキシ
樹脂、比誘電率εr=2.6)を用い、銅箔をエッチン
グすることによって、表面に第1の放射導体部21、第
2の放射導体部22及び溝23を形成することができ、
併せて、裏面に導体層12を形成することができる。
尚、この場合には、誘電体基材10は、エポキシ樹脂が
含浸されたガラス布基材から構成される。第1の放射導
体部21、第2の放射導体部22、溝23、導体層12
を形成した後、ガラス布基材に貫通孔11を設けてもよ
いし、貫通孔11を設けた後に、第1の放射導体部2
1、第2の放射導体部22、溝23、導体層12を形成
してもよい。
厚さ18μmの銅箔が両面に積層された厚さ1.6mm
のプリント配線板用銅張積層板(ガラス布基材エポキシ
樹脂、比誘電率εr=2.6)を用い、銅箔をエッチン
グすることによって、表面に第1の放射導体部21、第
2の放射導体部22及び溝23を形成することができ、
併せて、裏面に導体層12を形成することができる。
尚、この場合には、誘電体基材10は、エポキシ樹脂が
含浸されたガラス布基材から構成される。第1の放射導
体部21、第2の放射導体部22、溝23、導体層12
を形成した後、ガラス布基材に貫通孔11を設けてもよ
いし、貫通孔11を設けた後に、第1の放射導体部2
1、第2の放射導体部22、溝23、導体層12を形成
してもよい。
【0017】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれに限定されるものではない。給
電点は1カ所に限定されず、2カ所以上とすることもで
きる。後者の場合には、給電点の数だけ、溝によって第
1の放射導体部と分離された第2の放射導体部を設けれ
ばよく、各第2の放射導体部に給電点を設ければよい。
更には、本発明のマイクロストリップアンテナを基本素
子としてアレイ化し、マイクロストリップアンテナ・ア
レーとすることもできる。また、直線波用マイクロスト
リップアンテナや円偏波用マイクロストリップアンテナ
に対しても、本発明のマイクロストリップアンテナを適
用することができる。第1の放射導体部と第2の放射導
体部との間で形成される容量結合には、容量結合と他の
結合(例えば、誘導結合、電磁結合、位相結合、方向性
結合)の組合せも包含される。
明したが、本発明はこれに限定されるものではない。給
電点は1カ所に限定されず、2カ所以上とすることもで
きる。後者の場合には、給電点の数だけ、溝によって第
1の放射導体部と分離された第2の放射導体部を設けれ
ばよく、各第2の放射導体部に給電点を設ければよい。
更には、本発明のマイクロストリップアンテナを基本素
子としてアレイ化し、マイクロストリップアンテナ・ア
レーとすることもできる。また、直線波用マイクロスト
リップアンテナや円偏波用マイクロストリップアンテナ
に対しても、本発明のマイクロストリップアンテナを適
用することができる。第1の放射導体部と第2の放射導
体部との間で形成される容量結合には、容量結合と他の
結合(例えば、誘導結合、電磁結合、位相結合、方向性
結合)の組合せも包含される。
【0018】場合によっては、誘電体基材を用いること
なく、自由空間形式の背面給電方式のマイクロストリッ
プアンテナを構成することもできる。模式的な端面図を
図2に示すこのマイクロストリップアンテナは、平面形
状が例えば円形の開放境界を有する放射導体部40と、
この放射導体部40に対向して配置された導体層(アー
スグランド層)50とから構成されている。放射導体部
40とアースグランド層50との間には、例えばポリテ
トラフルオロエチレン樹脂といった絶縁材料から成る柱
状部材51やリング状部材52が配設されており、放射
導体部40とアースグランド層50との間には空間45
が存在する。放射導体部40には給電点44が設けられ
ている。また、例えば同軸コネクタ30から構成された
給電部は、具体的には、外部導体31、中心導体32、
並びに、外部導体31と中心導体32との間の絶縁を確
保する絶縁材料層33から構成されている。そして、中
心導体32の先端部は給電点44に電気的に接続されて
いる。また、外部導体31はアースグランド層50に接
地されている。
なく、自由空間形式の背面給電方式のマイクロストリッ
プアンテナを構成することもできる。模式的な端面図を
図2に示すこのマイクロストリップアンテナは、平面形
状が例えば円形の開放境界を有する放射導体部40と、
この放射導体部40に対向して配置された導体層(アー
スグランド層)50とから構成されている。放射導体部
40とアースグランド層50との間には、例えばポリテ
トラフルオロエチレン樹脂といった絶縁材料から成る柱
状部材51やリング状部材52が配設されており、放射
導体部40とアースグランド層50との間には空間45
が存在する。放射導体部40には給電点44が設けられ
ている。また、例えば同軸コネクタ30から構成された
給電部は、具体的には、外部導体31、中心導体32、
並びに、外部導体31と中心導体32との間の絶縁を確
保する絶縁材料層33から構成されている。そして、中
心導体32の先端部は給電点44に電気的に接続されて
いる。また、外部導体31はアースグランド層50に接
地されている。
【0019】放射導体部40は、第1の放射導体部41
と、この第1の放射導体部41によって囲まれ、且つ、
第1の放射導体部41と離間した第2の放射導体部42
とから構成されている。第1の放射導体部41と第2の
放射導体部42との離間は、隙間(ギャップ)43によ
って達成されている。即ち、第2の放射導体部42は、
隙間43によって第1の放射導体部41から分離されて
いる。これによって、第1の放射導体部41と第2の放
射導体部42との間で容量結合が形成される。また、第
2の放射導体部42に給電点44が設けられている。
と、この第1の放射導体部41によって囲まれ、且つ、
第1の放射導体部41と離間した第2の放射導体部42
とから構成されている。第1の放射導体部41と第2の
放射導体部42との離間は、隙間(ギャップ)43によ
って達成されている。即ち、第2の放射導体部42は、
隙間43によって第1の放射導体部41から分離されて
いる。これによって、第1の放射導体部41と第2の放
射導体部42との間で容量結合が形成される。また、第
2の放射導体部42に給電点44が設けられている。
【0020】
【発明の効果】本発明のマイクロストリップアンテナに
おいては、第1の放射導体部と第2の放射導体部との間
で容量結合が形成されるので、給電部に起因した電気的
な寄生インピーダンスが無視できない値となっても、か
かる寄生インピーダンスを補償することができる。それ
故、マイクロストリップアンテナと給電系との間の整合
を確実に取ることができるし、マイクロストリップアン
テナの共振周波数の広帯域化を図ることができる。ま
た、給電点の位置精度や寸法精度を軽減することが可能
となる。
おいては、第1の放射導体部と第2の放射導体部との間
で容量結合が形成されるので、給電部に起因した電気的
な寄生インピーダンスが無視できない値となっても、か
かる寄生インピーダンスを補償することができる。それ
故、マイクロストリップアンテナと給電系との間の整合
を確実に取ることができるし、マイクロストリップアン
テナの共振周波数の広帯域化を図ることができる。ま
た、給電点の位置精度や寸法精度を軽減することが可能
となる。
【図1】本発明のマイクロストリップアンテナの模式的
な端面図及び平面図である。
な端面図及び平面図である。
【図2】自由空間形式の背面給電方式のマイクロストリ
ップアンテナの模式的な端面図である。
ップアンテナの模式的な端面図である。
【図3】従来のマイクロストリップアンテナの模式的な
端面図及び平面図である。
端面図及び平面図である。
10・・・誘電体基材 10A・・・誘電体基材の表面 10B・・・誘電体基材の裏面 11・・・貫通孔 12・・・導体層(アースグランド層) 20・・・放射導体部 21・・・第1の放射導体部 22・・・第2の放射導体部 23・・・溝 24・・・給電点 30・・・給電部(同軸コネクタ) 31・・・外部導体 32・・・中心導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 幸和 埼玉県秩父郡吉田町大字下吉田6972 株式 会社タイセー内 Fターム(参考) 5J045 AA01 AA02 AB06 DA10 EA07 HA06 JA11 LA01 NA01
Claims (2)
- 【請求項1】(イ)誘電体基材、 (ロ)該誘電体基材の表面に形成され、給電点が設けら
れ、開放境界を有する放射導体部、及び、 (ハ)該誘電体基材の裏面に設けられ、給電点と電気的
に接続された給電部、から構成された背面給電方式のマ
イクロストリップアンテナであって、放射導体部は、第
1の放射導体部と、該第1の放射導体部によって囲ま
れ、且つ、該第1の放射導体部と離間した第2の放射導
体部とから構成され、第1の放射導体部と第2の放射導
体部との間で容量結合が形成され、第2の放射導体部に
給電点が設けられていることを特徴とするマイクロスト
リップアンテナ。 - 【請求項2】放射導体部の平面形状は、円形又は矩形で
あり、 給電点は、放射導体部の中心からずれた位置に配置され
ていることを特徴とする請求項1に記載のマイクロスト
リップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097180A JP2000295028A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11097180A JP2000295028A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000295028A true JP2000295028A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14185395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11097180A Pending JP2000295028A (ja) | 1999-04-05 | 1999-04-05 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000295028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006333403A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Hitachi Ltd | 無線icタグ、及び無線icタグの製造方法 |
| JP7525684B1 (ja) | 2023-04-21 | 2024-07-30 | 耀登科技股▲ふん▼有限公司 | アンテナアレイ |
| JP2024155404A (ja) * | 2023-04-21 | 2024-10-31 | 耀登科技股▲ふん▼有限公司 | アンテナアレイ |
-
1999
- 1999-04-05 JP JP11097180A patent/JP2000295028A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006333403A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Hitachi Ltd | 無線icタグ、及び無線icタグの製造方法 |
| JP7525684B1 (ja) | 2023-04-21 | 2024-07-30 | 耀登科技股▲ふん▼有限公司 | アンテナアレイ |
| JP2024155404A (ja) * | 2023-04-21 | 2024-10-31 | 耀登科技股▲ふん▼有限公司 | アンテナアレイ |
| JP2024155405A (ja) * | 2023-04-21 | 2024-10-31 | 耀登科技股▲ふん▼有限公司 | アンテナアレイ |
| JP7657852B2 (ja) | 2023-04-21 | 2025-04-07 | 耀登科技股▲ふん▼有限公司 | アンテナアレイ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060313 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080219 |