JP2000295076A

JP2000295076A - 縦結合二重モードｓａｗフィルタ

Info

Publication number: JP2000295076A
Application number: JP11101923A
Authority: JP
Inventors: Yuji Ogawa; 祐史小川
Original assignee: Toyo Communication Equipment Co Ltd
Current assignee: Toyo Communication Equipment Co Ltd
Priority date: 1999-04-09
Filing date: 1999-04-09
Publication date: 2000-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】縦１次−２次モードを利用した縦続接続型二
重モードＳＡＷフィルタの通過域の近傍の減衰量を改善
する手段を得る。【解決手段】圧電基板上に正規型ＩＤＴ電極からなる
二重モードＳＡＷフィルタと、反射反転型ＩＤＴ電極か
らなる反射反転型二重モードＳＡＷフィルタとを縦続接
続したフィルタであって、ライン占有率を適切に設定す
るとにより正規型ＩＤＴ電極及び反射反転型ＩＤＴ電極
のストップバンド幅をほぼ等しくしたフィルタである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は縦結合二重モードＳ
ＡＷフィルタに関し、特に正規型ＩＤＴ電極を用いて構
成した縦結合二重モードＳＡＷフィルタ（以下、二重モ
ードＳＡＷフィルタと称す）と、反射反転型ＩＤＴ電極
を用いて構成した縦結合二重モードＳＡＷフィルタ（以
下、反射反転型二重モードＳＡＷフィルタと称す）とを
縦続接続したＳＡＷフィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波デバイスは通信分野で
広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を
有することから特に携帯電話等に多く用いられている。
図９は従来の二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平
面図であって、圧電基板１１の主面上に表面波の伝搬方
向に沿ってＩＤＴ電極（正規型電極）１２、１３を近接
配置すると共に、該ＩＤＴ電極１２、１３の両側にグレ
ーティング反射器（以下、反射器と称す）１４ａ、１４
ｂを配設して構成した二重モードＳＡＷフィルタであ
る。ＩＤＴ電極１２、１３はそれぞれ互いに間挿し合う
複数本の電極指を有する一対のくし形電極により形成さ
れ、ＩＤＴ電極１２の一方のくし形電極は入力端子INに
接続すると共に、他方のくし形電極は接地される。さら
に、ＩＤＴ電極１３の一方のくし形電極は出力端子OUT
に接続されると共に、他方のくし形電極は接地する構成
となっている。

【０００３】上記二重モードＳＡＷフィルタの動作は、
ＩＤＴ電極１２より励起された複数の表面波が反射器１
４ａ、１４ｂ間に閉じ込められて音響的に結合し、ＩＤ
Ｔ電極１２、１３により対称１次縦振動モード（Ｓ１）
と反対称1次縦振動モード（Ａ１）とが強勢に励振さ
れ、この２つの共振モードを用いた1次−2次縦結合二重
モードＳＡＷフィルタとして動作する。

【０００４】図１０は図９に示すＩＤＴ電極１２、１３
の対数をそれぞれ31.5対、電極膜厚を1.6%λ（λは励起
される表面波の波長でＩＤＴ電極１２、１３の電極周期
λtとほぼ同じ）、ライン占有率η=0.5（ライン占有率
ηは電極指幅とスペース幅との和に対する電極指幅の
比）として構成した二重モードＳＡＷフィルタを２段縦
続接続したフィルタの濾波特性である。

【０００５】正規型ＩＤＴ電極を用いて二重モードＳＡ
Ｗフィルタを製作すると、２段縦続接続してもその減衰
特性は、図１０に示した濾波特性からも明らかなよう
に、通過域近傍の高域側の減衰傾度が、低域側の減衰傾
度のように急峻とならず減衰量が一度劣化してから増加
する矢印Pで示す特性、いわゆるダレ特性を呈する。こ
れを解決するため、先行する特許出願（特願平10−0239
18号）にて、正規型ＩＤＴ電極を用いた二重モードＳＡ
Ｗフィルタと反射反転型ＩＤＴ電極を用いた反射反転型
二重モードＳＡＷフィルタとを縦続したＳＡＷフィルタ
を提案した。

【０００６】上記の反射反転型ＩＤＴ電極の動作を説明
する前に、通常の正規型ＩＤＴ電極の動作原理につい
て、簡単に説明する。図１１（ａ）は圧電基板上に弾性
表面波の伝搬方向に沿って配置された通常の正規型ＩＤ
Ｔ電極の一構成例を示したものであり、それぞれ互いに
間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極に
より構成されている。ここで記号λは前記ＩＤＴ電極に
よって励起される表面波の波長であり、該波長λは前記
ＩＤＴ電極の連続する任意の電極指１５の中央から電極
指１７の中央までに相当する。図１１（ｂ）は同図
（ａ）のＢ−Ｂ部分の断面図であり、くし形電極間に高
周波電圧を印加して、ＩＤＴ電極を駆動した場合のある
瞬間の表面電位を破線にて示したものである。正規型Ｉ
ＤＴ電極は幅の等しい電極指がλ／2周期で並んでお
り、任意のＩＤＴ電極指中央を基準とした１対（１基本
単位で電極指２本で構成）あたりの反射係数Γ２（反射
ベクトル）を図１２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。

【０００７】図１２（ａ）に示すように任意のＩＤＴ電
極の１波長λ分の反射を考えるに当たって、各電極指の
圧電基板に垂直なエッジ面をＲ１〜Ｒ４とする（ここで
記号Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれエッジ面を表すと共にそのエ
ッジ面からの反射ベクトルも表すものとする）。この４
つのエッジ面Ｒ１〜Ｒ４からの反射ベクトルは、図７
（ｂ）に示すように、エッジ面Ｒ１、Ｒ３からの反射ベ
クトルＲ１、Ｒ３はそれぞれ等しく、即ち大きさと位相
角が同じとなり、エッジ面Ｒ２、Ｒ４からの反射ベクト
ルＲ２、Ｒ４はそれぞれ等しくなる。従って、図１２
（ｂ）に示すように４つの反射ベクトルＲ１〜Ｒ４を合
成した反射ベクトルが１基本単位（１対）当たりの反射
ベクトルΓ２となり、電極指の中央を基準としたとき−
π／２の位相となっている。

【０００８】所謂反射中心は反射係数の位相が−π／２
となる位置と定義されているから、各電極指の中央に位
置することになる。このような正規型ＩＤＴ電極指を多
数ならべた周期構造（ＳＡＷ共振子、ＳＡＷ共振型フィ
ルタ等）では、その周期的な反射のためにストップバン
ドが形成されることはよく知られている。その意味する
ところは、前記ストップバンド内の周波数を有する表面
波は伝搬することができず、定在波が形成されることと
なり、この共振状態を利用してＳＡＷ共振子やＳＡＷフ
ィルタを構成することができるのである。

【０００９】「モード結合理論を用いたＩＤＴの特性解
析法」（第２１回EMシンポジウム、p.87-94、1992）に
示されているように、正規型ＩＤＴ電極によって形成さ
れるストップバンドの下端（下限）及び上端（上限）の
周波数において、それぞれの定在波の腹（又は節）の位
置がπ／２ずれている。図１３は正規型ＩＤＴ電極のス
トップバンドの両端（下端および上端）におけるそれぞ
れの定在波の分布を示す図である。実線で示すストップ
バンドの下端における定在波は電極指中央位置即ち、反
射中心位置で腹となり、一点鎖線で示すストップバンド
上端における定在波は反射中心位置において節となる。
なお、一点鎖線で示したストップバンド上端の定在波は
無限周期構造では励振されないが、実際のＩＤＴ電極構
造のように有限構造となるとストップバンド下端におけ
る定在波よりも弱いものの励振されることになる。

【００１０】一方、表面波（波長λ）を励起する駆動力
（くし形電極に印加した電圧により機械的な変位を起こ
す力）は、周知のように図１１（ｂ）に示した表面電位
分布をフーリエ級数展開したときの最低次成分となる。
計算して求めた駆動力は図１３中に破線で示す周期λの
正弦波となる。このように破線で示された正弦波の極値
の位置が励振中心である。図１３中に示した□印は反射
中心を示し、○印は励振中心を示している。

【００１１】図１３に示すように、励振中心（○印）と
反射中心（□印）が重なると、実線で示したストップバ
ンド下端の定在波は破線で示した駆動力分布と同相とな
り、強勢に励振されることになる。このように、正規型
ＩＤＴを用いた従来の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ
では、強勢に励振されるストップバンド下端の最低次の
共振周波数（ｆ１）と、その縦の高次モードの共振周波
数（ｆｎ）とを用いてフィルタを構成している。これら
縦の高次モードは、その最低次がストップバンド下端に
近く、高次モードになるほど低い周波数において励起さ
れることが既に実験的にもシミュレーションでも確認さ
れている通りである。

【００１２】上記の正規型ＩＤＴ電極に対し、特願平10
−023918号にて提案している反射反転型ＩＤＴ電極は、
図１４（ａ）に示すように、幅員Ｗ１の第１の電極指18
と、図中右方に間隙ｇ１をおいて幅員Ｗ２の第２の電極
指１９と、図中右方に間隙ｇ２をおいて幅員Ｗ３の第３
の電極指２０と、電極指１８と２０の両側の（ｇ３）／
２のスペースから成る単位区間、即ち一波長λ当たり３
本の電極指で構成される単位区間を圧電基板上に繰り返
し配列したものである。さらに、第１の電極指１８の幅
員Ｗ１と第３の電極指２０の幅員Ｗ３とをＷ１＝Ｗ３と
し、第１の電極指１８と第２の電極指１９との間隙ｇ１
と、第２の電極指１９と第３の電極指２０との間隙ｇ２
とをｇ１＝ｇ２とする。そして、電極指１８と２０とを
電極指１９と逆相にて駆動する。

【００１３】図１４（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａにおけ
る断面図であり、くし形電極に高周波電圧を印加してＩ
ＤＴ電極を駆動した場合のある瞬間の表面電位を示した
ものである。このように一波長λ当たり電極指を３本と
したＩＤＴ電極の単位区間当たりの反射係数Γ１（反射
ベクトル）を求める。図１５（ａ）に示すようにＩＤＴ
電極の任意の１区間、即ち、電極指１８〜２０の各両端
の６つのエッジ面Ｅ１〜Ｅ６からの反射ベクトルＥ１〜
Ｅ６（Ｅｉ（ｉ=1〜6）はエッジ面を示すと同時にその
エッジからの反射ベクトルも示すものとする）を求めて
みると、図１５（ｂ）に示すように６つの反射ベクトル
Ｅ１〜Ｅ６が求まる。この場合、図１２と比較するため
に、図１５（ａ）に示す第２の電極指１９の中央を反射
の基準としている。これら反射ベクトルＥ１〜Ｅ６の合
成ベクトルは、図１５（ｂ）に示すように反射ベクトル
Г１となる。

【００１４】反射ベクトルГ１は、図１２（ｂ）に示し
た正規型ＩＤＴ電極の反射ベクトルГ２とは異なり、電
極指２中央においてπ／２の位相を示している。従っ
て、両者の位相はπだけ異なることなる。この位相差に
よる反射中心の空間的位置は、表面波の位相回転は往復
が寄与するため、電極指１９の中央から空間的にλ／４
だけ離れた位置になる。即ち、反射反転型ＩＤＴ電極で
は、ストップバンドの上端及び下端の周波数におけるそ
れぞれの定在波分布は図１６に示すようになる。図１６
において、実線はストップバンド下端の周波数における
定在波を示し、一点鎖線はストップバンドの上端の周波
数における定在波を示している。即ち、図１３と比べて
明らかなように、反射中心が励振中心に対してλ／4だ
けずれたのに伴い各定在波分布もそれぞれλ／4だけず
れ、結果として駆動分布に対する定在波のそれぞれの腹
と節の位置関係が図１３のそれとは入れ替わっている。
一方、図１４（ｂ）に示す表面電位分布をフーリエ級数
展開したときの最低次成分が駆動力となることは前述し
た通りであり、これを計算した駆動力分布は図１６中に
破線で示した正弦波の曲線になる。図１６からも明らか
なように、励振中心（○印）は第２の電極指１９の中心
に位置し、反射中心（□印）は第２の電極指１９の中央
からλ／4離れた位置になる。

【００１５】従って、一点鎖線で示すストップバンド上
端の周波数における定在波の腹が、励振中心と一致する
ため、ストップバンド上端の周波数が強勢に励振され
る。一方、実線で示すストップバンド下端の周波数にお
ける定在波の節が励振中心と一致し、無限周期構造では
励振されないことを示している。

【００１６】しかし、実際の有限周期構造では、実線で
示すストップバンド下端の定在波は、一点鎖線で示すト
ップバンド上端の定在波に比べて弱いものの励振され
る。即ち、反射反転型ＩＤＴ電極構成を用いるとストッ
プバンド上端の定在波は強く励振されるが、ストップバ
ンド下端の定在波の励振強度は小さいということにな
る。このストップバンド上端の周波数における縦の高次
モードは、シミュレーションの結果によると次数が高い
ほど高い周波数に現れ、最低次モードと高次モードを複
数個用いて縦結合多重モードＳＡＷフィルタを構成する
ことが出来ることになる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
反射反転型ＩＤＴ電極と正規型ＩＤＴ電極とが形成する
ストップバンド幅を同一の電極膜厚で比較すると、反射
反転型ＩＤＴ電極のストップバンド幅の方が狭くなるの
で、該ＩＤＴ電極を用いて構成した反射反転型二重モー
ドＳＡＷフィルタの帯域幅は、正規型ＩＤＴ電極を用い
て構成した二重モードＳＡＷフィルタの帯域幅より狭く
なる。このため反射反転型二重モードＳＡＷフィルタの
帯域幅を二重モードＳＡＷフィルタの帯域幅と同程度に
するには、反射反転型ＩＤＴ電極の膜厚を厚くしてスト
ップバンド幅を広げることが必要となる。例えば、圧電
基板に45°XカットZ伝搬Li₂B₄O₇基板を用いた場合、電
極膜厚h=1.6%λ（λはＩＤＴ電極周期）の正規型ＩＤＴ
電極が形成するストップバンド幅と同程度のストップバ
ンド幅を形成するためには、反射反転型ＩＤＴ電極の電
極膜厚hをh=3%λ程度にする必要があることが実験的お
よびシミュレーションによって確認した。このため、反
射反転型二重モードＳＡＷフィルタと、二重モードＳＡ
Ｗフィルタを同一基板上に形成し、これらを縦続接続し
て高減衰量の二重モードＳＡＷフィルタを実現しようと
しても、電極膜厚が大幅に異なる２つのデバイスを同一
の製造プロセスで作成することは極めて困難となり、製
造工程が複雑化し、コストが上昇するという問題があっ
た。本発明は上記問題を解決するためになされたもので
あって、反射反転型二重モードＳＡＷフィルタの電極膜
厚と二重モードＳＡＷフィルタの電極膜厚を同一膜厚で
構成しても、ほぼ同程度の帯域幅を得られる手段を見出
し、該手段により減衰特性を改善した二重モードＳＡＷ
フィルタを提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る縦結合二重モードＳＡＷフィルタの請求
項１記載の発明は、圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿
って２個以上の正規型ＩＤＴ電極とその両側に反射器を
備えた正規型縦結合多重モードＳＡＷフィルタと、２個
以上の反射反転型ＩＤＴ電極とその両側の反射器を備え
た反射反転型縦結合多重モードＳＡＷフィルタとを同一
の電極膜厚にて構成し両者を縦続接続したフィルタであ
って、正規型ＩＤＴ電極の形成するストップバンド幅
と、反射反転型ＩＤＴ電極の形成するストップバンド幅
をほぼ等しくすべく、ライン占有率ηをη＜０．５ある
いはη＞０．５としたことを特徴とする縦結合二重モー
ドＳＡＷフィルタ。である。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る反
射反転型二重モードＳＡＷフィルタ（図中上段）と二重
モードＳＡＷフィルタ（図中下段）とを縦続接続したフ
ィルタの構成を示す平面図である。即ち、圧電基板１上
に表面波の伝搬方向に沿って反射反転型ＩＤＴ電極２、
３とその両側に反射器４ａ、４ｂとを配置して反射反転
型二重モードＳＡＷフィルタを形成すると共に、同一基
板上に前記反射反転型二重モードＳＡＷフィルタと平行
してＩＤＴ電極５、６（正規型電極）とその両側に反射
器７ａ、７ｂとを配置して二重モードＳＡＷフィルタを
形成し、該二重モードＳＡＷフィルタと前記反射反転型
二重モードＳＡＷフィルタとを縦続接続してフィルタを
構成する。

【００２０】図１中の上段に示す反射反転型ＩＤＴ電極
の単位区間は図１４に示すように、幅員Ｗ１の第１の電
極指と、図中右方に間隙ｇ１をおいて幅員Ｗ２の第２の
電極指と、図中右方に間隙ｇ２をおいて幅員Ｗ３の第３
の電極指と、第1の電極指と第3の電極指の両外側の（ｇ
３）／２のスペースから成る単位区間、即ち一波長λ当
たり３本の電極指で構成される単位区間を圧電基板１上
に繰り返し配列したものである。さらに、第１の電極指
の幅員Ｗ１と第３の電極指の幅員Ｗ３とをＷ１＝Ｗ３と
し、第１の電極指と第２の電極指との間隙ｇ１と、第２
の電極指と第３の電極指との間隙ｇ２とをｇ１＝ｇ２と
する。そして、第1の電極指と第３の電極指とを第2の電
極指とは逆相にて駆動する。そして、図中下段に示した
正規型ＩＤＴ電極の単位区間は、励起する波長λの４分
の１の幅員を有する第1の電極指と、幅員λ/4のスペー
スと、幅員λ/4の第2の電極指と、幅員λ/4のスペース
とから構成され、第1の電極指と第2の電極指とは逆相に
て駆動される。反射反転型ＩＤＴ電極２、３と反射器４
ａ、４ｂとにより反射反転型二重モードＳＡＷフィルタ
が、正規型ＩＤＴ電極５、６と反射器７ａ、７ｂとによ
り二重モードＳＡＷフィルタが構成できることは前述し
た通りである。

【００２１】一般に二重モードＳＡＷフィルタの通過帯
域幅はＩＤＴ電極対数とＩＤＴ電極が形成するストップ
バンドに依存することは周知のことである。通過帯域幅
を広げる一例として、ＩＤＴ電極対数を少なくする手段
がある。例えば、45°XカットZ伝搬Li₂B₄O₇基板を用い
て中心周波数71MHz、帯域幅帯300kHz程度のGSM用ＩＦフ
ィルタを設計すると、該フィルタを構成するためにはス
トップバンドの比帯域幅（ストップバンドの中心周波数
に対するバンド幅の比）は0.03程度が必要である。そこ
で、このストップバンド幅を実現するのに必要な電極膜
厚hを算出すると、正規型ＩＤＴ電極５、６を用いた場
合、ライン占有率η=0.5として約h=1.6%λとなる。そこ
で、ＩＤＴ電極５、６の対数をそれぞれ31.5対、ライン
占有率η=0.5、電極膜厚h=1.6%λとして試作した二重モ
ードＳＡＷフィルタの測定例を図２に示す。一方、反射
反転型ＩＤＴ電極２、３を用いて上記のストップバンド
を実現するために必要な電極膜厚hはh=3%λと算出され
る。図３はＩＤＴ電極２、３の対数をそれぞれ46対、電
極膜厚h=3%λとして試作した反射反転型二重モードＳＡ
Ｗフィルタの測定例を示したものである。該反射反転型
二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域幅及び入出力イン
ピーダンスは前記二重モードＳＡＷフィルタの帯域幅及
び入出力インピーダンスとほぼ等しくなり、縦続接続が
可能である。

【００２２】ここで、製造する上で支障となる上記の電
極膜厚hの違いを解消すべく、正規型ＩＤＴ電極５、６
の電極膜厚hをh=3%λとし、ＩＤＴ電極５、６をそれぞ
れ31.5対、ライン占有率η=0.5にて二重モードＳＡＷフ
ィルタを試作したところ、図４に示すように、帯域幅は
図２に示した帯域幅より狭くなる結果となった。そこ
で、電極膜厚h=3%λとし、図２に示した帯域幅と同程度
のものを実現すべくＩＤＴ電極対数を種々変化させて実
験を行ったところ、図５に示すように、ＩＤＴ電極５、
６の対数がそれぞれ２１対の場合に、図２と同程度の帯
域幅を実現することが分かった。

【００２３】二重モードＳＡＷフィルタにおいては、以
上の実験により電極対数を維持したまま電極膜厚hをh=
1.6%λから3%λと厚くすると、二重モードＳＡＷフィル
タの帯域幅は狭まることになる。この狭まった帯域幅を
元の帯域幅（図２の帯域幅）に戻すには、ＩＤＴ電極
５、６の対数を３１対から２１対と減少させなければな
らない。しかし、電極対数を少なくすると二重モードＳ
ＡＷフィルタの入出力インピーダンスが増大し、反射反
転型二重モードＳＡＷフィルタのインピーダンスと整合
がとれなくなる。

【００２４】そこで、電極膜厚h=3%λのときに正規型Ｉ
ＤＴ電極が形成する比ストップバンド幅を0.03程度にす
ることを検討をした。正規型ＩＤＴ電極が形成するスト
ップバンド幅は電極膜厚のみならずライン占有率ηの影
響を受ける。そこで、45°XカットZ伝搬Li₂B₄O₇基板を
用い、電極膜厚を一定（図6の例では電極膜厚h=3%λ）
とした場合に、ライン占有率ηと比ストップバンド幅と
の関係を実験的に調べた結果が図６である。図６より同
一電極膜厚であってもＩＤＴ電極のライン占有率ηを変
化させれば、比ストップバンド幅を制御することが可能
であることを示している。

【００２５】正規型ＩＤＴ電極の電極膜厚hをh=3%λと
設定した場合に、比ストップバンド幅が0.03程度になる
ライン占有率ηを図６より求めると、η=0.28と0.95の
値が得られる。この結果から製造の容易さも勘案して、
ライン占有率η=0.28とした。図７は、45°XカットZ伝
搬Li₂B₄O₇基板上に、ライン占有率η=0.28の正規型ＩＤ
Ｔ電極、電極膜厚h=3%λ、電極対数をそれぞれ31.5対と
した二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性である。この
図からも明らかなように、電極膜厚hによる二重モード
ＳＡＷフィルタの帯域幅の変化を、ライン占有率ηを図
６に従って適切に設定すれば、所望の帯域幅に設定でき
ることが分かる。即ち、同一電極膜厚h=3%λで反射反転
型二重モードＳＡＷフィルタと二重モードＳＡＷフィル
タとを製作しても、それそれほぼ同程度の帯域幅を有す
るフィルタが製造可能であり、しかも両者のインピーダ
ンスをほぼ同じにすることが可能となった。

【００２６】図８は、同一電極膜厚h=3%λにて製作した
反射反転型二重モードＳＡＷフィルタと二重モードＳＡ
Ｗフィルタとを縦続接続したフィルタの濾波特性を示す
図である。図８から明らかなように、従来の二重モード
ＳＡＷフィルタを２段縦続接続したフィルタの濾波特性
と比較して、通過帯域の低周波側、高周波側の減衰量を
大幅に改善することが可能となった。図８に示す濾波特
性はＧＳＭ用ＩＦフィルタの規格である3dB帯域幅160kH
z以上、最小損失3dB以下、帯域内リップル2dB以下、群
遅延時間偏差2μS以下、40dB減衰にて中心周波数±800k
Hz以下等を充分に満たすことが分かった。

【００２７】以上の説明では、45°XカットZ伝搬Li₂B₄O
₇基板上に電極膜厚h=3%λのＩＤＴ電極を形成する際に
製造条件の容易性よりライン占有率η=0.28を設定した
が、フィルタの仕様によってはライン占有率ηが0.5以
上の場合でも製作可能な条件が得られる場合もある。ま
た、上記では45°XカットZ伝搬Li₂B₄O₇基板を用いた例
を説明したが、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リ
チウム、ランガサイト等の圧電材料に本発明を適用でき
ることは云うまでもない。また、縦１次−２次モードを
用いた例を挙げたが、縦１次−３次モードを用いて二重
モードＳＡＷフィルタ、あるいは複数のモードを用いて
多重モードＳＡＷフィルタにも適用可能である。

【００２８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、通過帯域の両側の周波帯において大幅な減衰量の
改善が可能となったので、例えば本発明になるＳＡＷフ
ィルタをGSMのＩＦフィルタに用いれば中間周波帯の品
質を大幅に改善できるという優れた効果を奏す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る正規型二重モードＳＡＷフィルタ
と反射反転型二重モードＳＡＷフィルタとを縦続したフ
ィルタの構成を示す平面図である。

【図２】電極膜厚h=1.6%λ、ライン占有率η=0.5、ＩＤ
Ｔ電極をそれぞれ31.5対としたの二重モードＳＡＷフィ
ルタの濾波特性を示すずである。

【図３】電極膜厚h=3.0%λ、ＩＤＴ電極をそれぞれ46対
とした反射反転型二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性
を示す図である。

【図４】電極膜厚h=3.0%λ、ライン占有率η=0.5、ＩＤ
Ｔ電極をそれぞれ31.5対としたの二重モードＳＡＷフィ
ルタの濾波特性を示すずである。

【図５】電極膜厚h=3.0%λ、ライン占有率η=0.5、ＩＤ
Ｔ電極をそれぞれ21対とした二重モードＳＡＷフィルタ
の濾波特性を示すずである。

【図６】ライン占有率ηと比ストップバンド幅との関係
を示す図である。

【図７】電極膜厚h=3.0%λ、ライン占有率η=0.28、Ｉ
ＤＴ電極をそれぞれ31.5対としたの二重モードＳＡＷフ
ィルタの濾波特性を示すずである。

【図８】二重モードＳＡＷフィルタと反射反転型二重モ
ードＳＡＷフィルタとを縦続接続したフィルタの濾波特
性を示すずである。

【図９】従来の１次−２次縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタ（二重モードＳＡＷフィルタ）の構成を示す平面図
である。

【図１０】従来の二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性
を示す図である。

【図１１】（ａ）はＩＤＴ電極の単位区間を示す平面
図、（ｂ）はその電極上の表面電位を示した断面図であ
る。

【図１２】正規型ＩＤＴ電極の反射係数を求めるための
図で、（ａ）は１波長における４つの反射面Ｒ１〜Ｒ４
を示す図、（ｂ）は４つの反射面の反射ベクトルＲ１〜
Ｒ４とその合成ベクトルΓ２を示す図である。

【図１３】正規型ＩＤＴ電極が形成するストップバンド
の下端における定在波（実線）、上端における定在波
（一点鎖線）、駆動力分布（破線）、励振中心（○印）
及び反射中心（□印）を示す図である。

【図１４】（ａ）反射反転型ＩＤＴ電極の単位区間を示
す平面図、（ｂ）はその電極上の表面電位を示した断面
図である。

【図１５】（ａ）は反射反転型ＩＤＴ電極の単位区間の
６個のエッジ面（E1〜E6）を示す断面図、（ｂ）は前記
６個のエッジ面における反射ベクトルＥ１〜Ｅ６とその
合成ベクトルΓ１を示す。

【図１６】反射反転型ＩＤＴ電極が形成するストップバ
ンドの下端の周波数（実線）、上端の周波数（一点鎖
線）、駆動力分布曲線（破線）、励振中心（○印）及び
反射中心（□印）を示す図である。

【符号の説明】

１・・圧電基板２、３・・反射反転型ＩＤＴ電極４ａ、４ｂ、７ａ、７ｂ・・反射器５、６・・正規型ＩＤＴ電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
２個以上の正規型ＩＤＴ電極とその両側に反射器を備え
た正規型縦結合多重モードＳＡＷフィルタと、２個以上
の反射反転型ＩＤＴ電極とその両側の反射器を備えた反
射反転型縦結合多重モードＳＡＷフィルタとを同一の電
極膜厚にて構成し両者を縦続接続したフィルタであっ
て、正規型ＩＤＴ電極の形成するストップバンド幅と、
反射反転型ＩＤＴ電極の形成するストップバンド幅をほ
ぼ等しくすべく、正規型ＩＤＴのライン占有率ηをη＜
０．５あるいはη＞０．５としたことを特徴とする縦結
合二重モードＳＡＷフィルタ。