JP2000297375A

JP2000297375A - 炭化珪素膜の製造方法及び製造装置、並びにｘ線マスクの製造方法

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Publication number: JP2000297375A
Application number: JP11102488A
Authority: JP
Inventors: Takamitsu Kawahara; 孝光河原; Akinori Kurikawa; 明典栗川
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1999-04-09
Filing date: 1999-04-09
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】炭化珪素膜の製造において、ＣＶＤ装置内で
部分的にアセチレン不足になることが原因で生じる応力
や膜厚の不均一を解消する。【解決手段】炭化珪素（ＳｉＣ）膜を複数枚の基板上
に同時に作製可能なＣＶＤ装置を用い、原料ガスに少な
くともジクロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）とアセチレン
（Ｃ₂Ｈ₂）を用いて、化学気相反応によって基板上に炭
化珪素膜を形成する炭化珪素膜の製造方法において、Ｃ
ＶＤ装置の反応管内でアセチレンガスが不足する箇所
に、例えば、供給管１３、１４によって、アセチレンガ
スを補助的に供給しながら炭化珪素膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素膜の製造
方法及び製造装置、並びにＸ線マスクの製造方法等に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体産業において、シリコン基
板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で
必要な微細パターンの転写技術としては、露光用電磁波
として可視光や紫外光を用いて微細パターンを転写する
フォトリソグラフィー法が用いられてきた。しかし、近
年、半導体技術の進歩とともに、超ＬＳＩなどの半導体
装置の高集積化が著しく進み、従来のフォトリソグラフ
ィー法で用いてきた可視光や紫外光での転写限界を超え
た高精度の微細パターンの転写技術が要求されるに至っ
た。そして、このような微細パターンの転写を実現する
ために、可視光や紫外光よりも波長の短いＸ線を用いた
Ｘ線リソグラフィー法の開発、実用化が進められてい
る。

【０００３】Ｘ線リソグラフイーに用いられるＸ線マス
クの構造を図１に示す。同図に示すように、Ｘ線マスク
１は、Ｘ線を透過するＸ線透過膜（メンブレン）２と、
Ｘ線を吸収するＸ線吸収体パターン３ａから構成されて
おり、Ｘ線透過膜２は、シリコンからなる支持基板（支
持枠）４ａで支持され、自立化している。Ｘ線マスクブ
ランクの構造を図２に示す。Ｘ線マスクブランク５は、
シリコン基板４上に形成されたＸ線透過膜２とＸ線吸収
体膜３から構成されている。Ｘ線透過膜としては、高い
ヤング率をもち、Ｘ線照射に対して優れた耐性をもつ炭
化珪素（ＳｉＣ）が一般に用いられ、Ｘ線吸収体膜に
は、Ｘ線照射に対して優れた耐性をもつタンタル（Ｔ
ａ）を含むアモルフアス材料が良く用いられている。

【０００４】このＸ線透過膜としてＳｉＣ膜を作製する
際、その高い量産性から減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）装置
が用いられることが多い。下地基板には一般的にシリコ
ン基板が用いられ、原料ガスにはＳｉ原子を分子中に含
むガスとＣ原子を分子中に含むガスが用いられる。特に
近年では比較的低温で反応生成が可能なジクロルシラン
（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）とアセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）が用いられて
いる。この系のガスを用い、化学的気相成長法によって
シリコン基板上にＳｉＣ膜を形成するためには約８００
℃以上の温度が必要となる。従ってＳｉＣの成膜温度は
８００〜１０００℃という領域である。ＣＶＤ装置の反
応管は石英で形成され、その周りにヒーターが巻かれて
いるホットウォールタイプのＬＰＣＶＤ装置を用いれ
ば、反応管内の温度は均一に保たれ、一般的には複数枚
の基板上に均一な品質のＳｉＣ膜を製造可能である。

【０００５】Ｘ線マスク用ＳｉＣ膜は、自立化して使用
される点が特異的であり、Ｘ線マスク用ＳｉＣ膜を量産
するにあたり、基板間での応力均一性、面内の応力均一
性（面内の応力の同心円化を含む）や、面内での膜厚均
一性、基板間での膜厚均一性などが要求される。特に、
Ｘ線マスク用ＳｉＣ膜の応力は、他の膜（例えばポリシ
リコン膜など）に比べ、基板間での応力均一性や、面内
の応力均一性が厳格に要求される。

【０００６】応力値に関しては、応力が高すぎると自立
化したＳｉＣ膜（メンブレン）が破損しやすく、低すぎ
ると自立化したＳｉＣ膜（メンブレン）がたわみやす
い。現状では５０〜１５０ＭＰａ程度の応力値が適当と
されているが、基板間で、できるだけ同一の応力値のＳ
ｉＣ膜を得ることが望まれる。さらに基板間で応力が均
一でない場合には、ＳｉＣ膜上に吸収体をパターニング
して形成した後にシリコン基板の裏面をエッチング除去
してＳｉＣ膜を自立化させた際に生じるパターン位置歪
み量がそれぞれの基板間において異なり、パターン位置
精度が許容範囲を超えるものが多くなり、量産性が低く
なる。また、面内において応力の分布が偏ると、同様の
パターニング位置歪みが偏った分布を示し、作製しよう
とする精度を満たすパターンおよびマスクを得ることが
できなくなる（Jpn.J.Apl.Phys.Vo1.34(1995)P6729Part
1 No.12B Dec.1995,AHighly Accurate Stress Measurem
emt System for Producing Precise X-ray Mask.Masato
shi ODA等）。応力が同心円化されている場合、このパ
ターニングの位置歪みの偏りが小さくなる。

【０００７】さらに、膜厚が基板間で一定でない場合、
それぞれのＳｉＣ膜間において膜強度や光透過率などに
基板間で違いが生じる。膜厚が薄ければ強度が弱く、厚
すぎれば光透過率が低下してアライメント精度が低下す
る。両者のバランスが良い膜厚でＳｉＣ膜を量産した
い。現状では２μｍの厚さが適当とされている。

【０００８】以上のように、応力や、膜厚が、基板間、
及び面内で均一であるＳｉＣ膜を同時に量産できること
が生産装置として最も望ましい。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ジクロルシ
ランとアセチレンを用いてＸ線マスク（Ｘ線マスクブラ
ンク）におけるＳｉＣ膜（Ｘ線透過膜）を作製しようと
する際、反応管内の基板セット位置に対して各々のＳｉ
Ｃ膜の応力、膜厚に分布が生じ、量産性が低下してしま
う。またガスの流れるコースに沿って面内に応力と膜厚
の分布が生じる。

【００１０】図９にＣＶＤ装置の反応管内における基板
セット位置の様子を示し、図１０に基板セット位置と応
力との関係を示し、図１１に基板セット位置と膜厚との
関係を示す。図９において、４がセットされた基板であ
る。７がガスの流れる方向である。８は石英製の反応管
である。ホットウォールタイプのＣＶＤ装置であるため
石英管の周りはヒ一夕ー１０で覆われている。反応管８
内の内管９内に、ジクロルシランガス供給管１１と、ア
セチレンガス供給管１２を各々設けてある。なお、反応
管８内は減圧されているため供給されたガスは反応管内
に直ちに拡散し均一濃度になる。

【００１１】応力に関しては、ガスの流れる方向に対し
て応力の分布が生じる（図１０）。つまり、原料ガス供
給側に近い位置ａ側のＳｉＣ膜は応力が非常に高く、排
気側（装置上部）に近い位置ｃ側のＳｉＣ膜は低い応力
となる。これは、原料ガスが供給側から排気側へ順を追
って反応に消費されてゆくために生じる分布であると考
えられる。詳しくは、アセチレンが反応に寄与してアセ
チレンガスが消費される割合がジクロルシランよりも多
く、排気側へ向かうに連れて全体の分圧比がアセチレン
不足になり、ＳｉＣ膜内のＣの組成比が少なくなる。応
力の値は主にＳｉＣ膜内のＳｉとＣの組成比に依存す
る。Ｃの組成比が増加すると応力値が高くなる。応力の
分布を小さくするには、ＳｉＣ膜内のＳｉとＣの組成を
基板間で一定にしなくてはならない。図５（２）は面内
応力分布の図である。原料ガスの流れる方向に偏って分
布が発生する。

【００１２】膜厚に関しては、原料ガス供給側に近い位
置ａのＳｉＣ膜は、反応管内の膜厚分布内において比較
的厚い膜が得られる。一方、排気側に近い位置ｃ側のＳ
ｉＣ膜は分布内では薄い領域の膜が得られる。つまり、
ガスの流れる方向に対して膜厚の分布が生じるのであ
る。これは、上記と同様に、原料ガスが供給側から排気
側へ順を追って反応に消費されてゆくために生じる分布
であると考えられる。得たい膜厚が限定されなければ量
産性は高いと言えるが、膜厚を限定した場合、目標値を
達成できるサンプルの歩留まり、すなわち量産性はきわ
めて低い。反応管内の膜厚均一性を高め、量産性を向上
せねばならない。一方で、ＳｉＣの膜厚は、成膜時間で
制御されている。成膜時間は成膜速度から計算される。
成膜速度はガスの流量や圧力、成膜温度などに依存す
る。成膜温度を制御することで成膜速度が制御可能であ
る。

【００１３】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、アセチレンガスが消費される割合がジクロルシ
ランよりも多く、排気側へ向かうに連れてアセチレン不
足になることが原因で生じる応力や膜厚の不均一を解消
し、基板間での応力均一性、面内の応力均一性（面内の
応力の同心円化を含む）や、面内での膜厚均一性、基板
間での膜厚均一性などに優れる炭化珪素膜の製造方法及
び製造装置等の提供を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手投】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成としてある。

【００１５】（構成１）炭化珪素（ＳｉＣ）膜を複数枚
の基板上に同時に作製可能なＣＶＤ装置を用い、原料ガ
スに少なくともジクロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）とアセ
チレン（Ｃ₂Ｈ₂）を用いて、化学気相反応によって基板
上に炭化珪素膜を形成する炭化珪素膜の製造方法におい
て、ＣＶＤ装置の反応管内でアセチレンガスが不足する
箇所に、アセチレンガスを補助的に供給しながら炭化珪
素膜を形成することを特徴とする炭化珪素膜の製造方
法。

【００１６】（構成２）前記基板を自転させながら基板
上に成膜を行うことを特徴とする構成１記載の炭化珪素
膜の製造方法。

【００１７】（構成３）前記反応管内の温度分布を制御
して成膜を行うことを特徴とする構成１又は２記載の炭
化珪素膜の製造方法。

【００１８】（構成４）前記ＣＶＤ装置が、減圧ＣＶＤ
装置であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに
記載の炭化珪素膜の製造方法。

【００１９】（構成５）Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体パタ
ーンを形成してなるＸ線マスクの製造方法であって、構
成１乃至４のいずれかに記載の方法でシリコン基板上に
炭化珪素からなるＸ線透過膜を形成する工程を有するこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法。

【００２０】（構成６）反応管と、該反応管内で複数の
基板を保持する手段と、前記反応管内に原料ガスを供給
する手段とを、少なくとも有するＣＶＤ装置であって、
ジクロルシランとアセチレンを反応管内に供給する主な
箇所とは別に、アセチレンガスを反応管内の任意の箇所
から補助的に供給する手段を設けたことを特徴とする炭
化珪素膜の製造装置。

【００２１】（構成７）アセチレンを反応管内に供給す
る複数の供給管を有し、供給管の本数を調整する手段
と、各供給管の先端の位置を調整する手段と、各供給管
に供給するアセチレンの流量を制御する手段と、を有す
ることを特徴とする構成６記載の炭化珪素膜の製造装
置。

【００２２】（構成８）アセチレンを反応管内に供給す
る供給管であって、複数のアセチレン供給口を有し、各
アセチレン供給口の穴径を調節する手段を有する供給
管、を有することを特徴とする構成６記載の炭化珪素膜
の製造装置。

【００２３】

【作用】上記構成１によれば、ＣＶＤ装置の反応管内
で、アセチレンガス（炭素源ガス）が不足している領域
に、補助的にアセチレンガスを供給することで、基板間
の応力値の差（応力分布）が小さくなるように、コント
ロールすることができる。「補助的に」とは不足してい
るアセチレンガスを不足分だけ補う意味であり、不足分
以外は主となる供給管から供給される。

【００２４】上記構成２によれば、下地基板を自転させ
ることで、膜を同心円的に成膜することができる。これ
により、ＳｉＣの面内応力の分布と面内膜厚の分布とを
同心円化させることができる。基板は０．２〜１０ｒｐ
ｍで自転させることことが好ましい。

【００２５】上記構成３によれば、反応管内の温度分布
を制御して成膜を行うことで、例えば、反応管内でアセ
チレンガスが不足するために膜厚が減少する箇所の温度
を他の箇所より高くして膜厚の減少を回避できる。これ
により、反応管内にセットされた基板間におけるＳｉＣ
膜の膜厚の差を良好に補正し、基板間の膜厚分布の均一
性を向上させることができる。温度制御は、例えば、図
３に示すように、複数のヒ一夕ー１０を反応管８の周り
に設置して、反応管内に任意の温度勾配を設けて行う。
これにより、反応管内の各々の箇所に設置された基板上
のＳｉＣ成膜速度を制御し、膜厚分布を制御する。な
お、ＳｉＣ膜では、成膜温度により成膜速度が変化し、
成膜温度が高くなると成膜速度が速くなる。

【００２６】上記構成４において、減圧ＣＶＤ（ＬＰＣ
ＶＤ）装置は、量産性が高いので好ましい。なお、ＣＶ
Ｄ装置としては、他に、常圧ＣＶＤ装置や熱ＣＶＤ装置
などが挙げられる。

【００２７】上記構成５によれば、上記構成１乃至４の
いずれかに記載の方法を用いることで、上記構成１乃至
４の効果を有する、炭化珪素からなるＸ線透過膜を形成
できる。なお、上記構成１、２及び３記載のＳｉＣ膜の
製造方法を併用して実施することにより、得られるＳｉ
Ｃ膜は、基板間での応力均一性、面内の応力均一性（面
内の応力の同心円化を含む）や、面内での膜厚均一性、
基板間での膜厚均一性に優れ、したがって、量産性に優
れたＸ線マスク（Ｘ線マスクブランク）の製造方法を提
供できる。成膜温度は８００〜１０００℃の高温範囲が
好ましい。Ｘ線マスク（Ｘ線マスクブランク）の製造方
法に関しては周知の方法を利用できる。

【００２８】上記構成６によれば、アセチレンガスを反
応管内の任意の箇所から補助的に供給する手段を設けた
ことで、アセチレンガス（炭素源ガス）が不足している
領域に、補助的にアセチレンガスを供給することがで
き、反応管内でアセチレンガスの分圧の差を小さくし、
基板間の応力分布を小さくすることができる。本発明の
炭化珪素膜の製造装置においては、他に、基板を自転さ
せる手段や、基板の温度を制御する手段を設けることが
好ましい。

【００２９】上記構成７、８は、アセチレンガスの供給
管の態様を示したものであり、アセチレンガスの供給位
置や、複数のアセチレンガス供給口における流量を調整
可能とすることで、応力分布を調節できる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で使用するＣＶＤ装置においては、図３に示すよ
うに、反応管８内の内管９内に、ジクロルシランガス供
給管１１と、長さの異なる複数のアセチレンガス供給管
１２、１３、１４を各々設けてある。アセチレンガス補
助的供給管１３及び１４によって、応力が低下する領域
の箇所へさらにアセチレンを補助的に供給する。これに
より応力分布を制御し、量産性を向上することが可能と
なる。アセチレンガス補助的供給管は、２本に限らず、
１本以上の複数本とすることができる。複数箇所で調整
すれば、より応力均一性が向上する。また、アセチレン
ガス補助的供給管として、図７に示す複数のアセチレン
供給口１５ａを有する供給管１５を用いても良い。各ア
セチレン供給口の穴径は調節することができる。１６は
載せられたウェハーを自転させることのできる受け台に
なっている。１７は受け台保護のため断熱筒としてい
る。本発明では、図３に示すように、反応管（図示せ
ず）の周囲に設けるヒーターを５分割して各々のヒータ
ー１８を制御可能なものとし、各々のヒーター１８で温
度設定を行う。分割数は多い程詳細な温度傾斜が設定で
きる。そして、ＳｉＣ膜作製に関して発生する膜厚分布
で、厚い膜が得られる領域の成膜温度を低く設定し、得
られる膜厚が薄い領域の成膜温度を高く設定することに
より膜厚分布を均一に保つことができる。分割数は多け
れば多いほど制御性が良い。ＣＶＤ装置のその他の構成
に関しては、図９に示す一般的なＣＶＤ装置と同様であ
る。図３に示すＣＶＤ装置は縦型であるが、本発明で使
用するＣＶＤ装置は縦型でも横型でもよい。

【００３１】

【実施例】（実施例１）原料ガスにはジクロルシラン
（99.999％）とアセチレン（99.9999％）を用いた。成
膜温度は８００〜１０００℃とした。成膜用下地基板に
はＳｉ（１００）基板を用いた。成膜圧力は８〜１６Ｐ
ａとした。まず、反応管内をポンプで減圧し、Ｓｉ基板
をセットする。成膜温度に達し安定したところで原料ガ
スを導入した。本実施例では、反応管下部からジクロ
ルシラン（約２１５ｓｃｃｍ）とアセチレン（約３３ｓ
ｃｃｍ）を供給し、さらに反応管内のｂ，ｃ付近よりア
セチレンを少量（約５ｓｃｃｍ）供給した。これにより
Ｓｉ基板上にＳｉＣ膜を形成した。今回はＳｉＣ膜を２
μｍの厚さで成膜した。成膜後は原料ガスの供給を停止
し、基板を取り出す。

【００３２】得られたＳｉＣ膜の応力と、基板セット位
置の関係を図４に示す。アセチレンを補助的に供給した
効果が現れている。従来の作製方法と比較して明らかに
応力分布は小さく均一に近づいていることが明らかとな
った。すなわちａ〜ｃ間で８０〜２００ＭＰａ以内に抑
えることができた。

【００３３】従来の作製方法、すなわち、図９に示す装
置を用い、原料ガス供給は反応管１１と１２からジクロ
ルシランとアセチレンを一か所づつのみから供給し、成
膜を行った。従来の方法で作製したＳｉＣ膜の応力と基
板セット位置の関係を図４に示す。応力は基板の位置に
対して大きな依存を示した。ガス供給側に近い位置ａで
は応力が比較的高く、排気側に近くなるに連れ応力は低
くなり、排気側に最も近い位置ｃの箇所では最もＳｉＣ
応力が低いという結果となった。ａ〜ｃ間では５００Ｍ
Ｐａ以上の差が生じてしまった。アセチレンの補助供給
は応力分布の改善に効果的であることがわかった。

【００３４】（実施例２）実施例１の条件に加え、本実
施例では、温度分布に１℃／ｃｍの傾斜をつけた。すな
わち基板セット位置ａの位置は温度が低く、ｃの位置は
温度が高くなるよう設定した。これによりＳｉ基板上に
ＳｉＣ膜を２μｍの厚さで形成した。得られたＳｉＣ膜
の膜厚と、基板セット位置の関係を図６に示す。温度勾
配を設けなかったものと比較して明らかに膜厚の均一性
は向上していることが明らかとなった。今回は２．２μ
ｍ厚に対して、ａ〜ｃサンプル間の膜厚分布＝±１．５
％以内という均一性を得ることができた。従来の作製方
法、すなわち成膜温度は反応管内で均一に保ち、成膜し
た。従来の方法で作製したＳｉＣ膜の膜厚と基板セット
位置の関係を図１１に示す。膜厚は基板の位置に対して
大きな依存を示した。ガス供給側に近いサンプルａは膜
厚が２．２μｍと比較的厚く、サンプル位置がｃに近づ
くに連れ膜厚は薄くなり、排気側にもっとも近い箇所ｃ
では最もＳｉＣ膜厚が薄い１．９μｍという結果となっ
た。

【００３５】（実施例３）実施例１の条件に加え、本実
施例では、下地基板であるＳｉ基板を自転させながらＳ
ｉＣ膜を成膜した。膜厚を２μｍとし、成膜終了後に基
板を取り出した。得られたＳｉＣ膜の面内の応力分布を
図５（１）に示す。下地基板を自転させたことで面内の
応力分布は同心円化した。具体的には、４インチウエハ
の中心２５ｍｍ角の領域において応力は９７±１ＭＰａ
であった。なお、下地基板を自転させなくとも、材料ガ
スが基板面に対して中心から均一に通り抜けるような構
造になっている装置であれば、面内の分布は同心円化さ
れるのであるが、ガスの供給管の先端（ノズル）が反応
管の壁に取りつけられていたり、あるいは排気方向が基
板面に対して垂直でなかったりした場合には、図５
（２）に示すようにガスの流れる方向に応力分布が発生
する。図５（２）では、４インチウエハの中心２５ｍｍ
角の領域において応力は１１４±１３ＭＰａであった。

【００３６】（実施例４）図７に示す装置を用いたこと
以外は実施例１と同様にしてＳｉＣ膜を成膜した。得ら
れたＳｉＣ膜の基板間の応力分布は図８に示すようにほ
ぼ均一となった。

【００３７】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は上記実施例の範囲に限定されるもので
はない。例えば、本発明の炭化珪素膜の製造方法は、厳
格な応力制御を要求されるセンサなどの製造に利用でき
る。

【００３８】以上のように、本発明によれば、従来、反
応管内ヘ基板をセットした位置に対して依存するＳｉＣ
膜の応力分布の均一性が向上し、ＳｉＣ膜厚の分布の均
一性が向上する。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の炭化珪素
膜の製造方法によれば、アセチレンガスが不足する箇所
にアセチレンガスを補助的に供給することによって、ア
セチレン不足になることが原因で生じる応力や膜厚の不
均一を解消し、基板間での応力均一性、面内の応力均一
性（面内の応力の同心円化を含む）や、面内での膜厚均
一性、基板間での膜厚均一性などに優れる炭化珪素膜を
製造できる。

【００４０】本発明の炭化珪素膜の製造方法は、厳格な
応力制御を要求されるＸ線マスクにおけるＸ線透過膜の
製造に特に適する。

【００４１】本発明の炭化珪素膜の製造装置によれば、
応力や、膜厚が、基板間、及び面内で均一であるＳｉＣ
膜を同時に量産できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｘ線マスクの構造を示す断面図である。

【図２】Ｘ線マスクブランクの構造を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の一実施の形態に係るＬＰＣＶＤ装置の
要部の構造を示す模式図である。

【図４】ＳｉＣ膜の応力と基板位置との関係を示す図で
ある。

【図５】ＳｉＣ膜の面内応力を示す図であり、（１）は
本発明に係り、（２）は従来例に係る。

【図６】ＳｉＣ膜の膜厚と基板位置との関係を示す図で
ある。

【図７】本発明の他の実施の形態に係るＬＰＣＶＤ装置
の要部の構造を示す模式図である。

【図８】ＳｉＣ膜の応力と基板位置との関係を示す図で
ある。

【図９】従来のＬＰＣＶＤ装置の概略構造を示す模式図
である。

【図１０】ＳｉＣ膜の応力と基板位置との関係を示す図
である。

【図１１】ＳｉＣ膜の膜厚と基板位置との関係を示す図
である。

【符号の説明】

１Ｘ線マスク２Ｘ線透過膜３Ｘ線吸収体膜３ａＸ線吸収体パターン４シリコン基板４ａ支持基板（支持枠）５Ｘ線マスクブランク７ガスの流れる方向８石英管９内管１０サラウンドヒーター１１ジクロルシランガス供給管１２アセチレンガス供給管１３アセチレンガス補助的供給管１４アセチレンガス補助的供給管１５アセチレンガス補助的供給管１６ボート回転台１７断熱筒１８分割制御可能なヒーター

フロントページの続きＦターム(参考） 2H095 BA10 BB25 BC27 4K030 AA03 AA06 AA09 BA37 CA04 EA06 GA02 GA06 JA05 JA07 JA10 LA11 5F045 AA06 AB06 AC01 AC05 AD12 AD13 AD14 AE17 AE19 AE29 AF03 AF13 BB02 DP19 DP28 DQ04 EF02 EF03 EF08 EF09 EK22 EK30 5F046 GD03 GD16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炭化珪素（ＳｉＣ）膜を複数枚の基板上
に同時に作製可能なＣＶＤ装置を用い、原料ガスに少な
くともジクロルシラン（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂）とアセチレン
（Ｃ₂Ｈ₂）を用いて、化学気相反応によって基板上に炭
化珪素膜を形成する炭化珪素膜の製造方法において、ＣＶＤ装置の反応管内でアセチレンガスが不足する箇所
に、アセチレンガスを補助的に供給しながら炭化珪素膜
を形成することを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。
【請求項２】前記基板を自転させながら基板上に成膜
を行うことを特徴とする請求項１記載の炭化珪素膜の製
造方法。
【請求項３】前記反応管内の温度分布を制御して成膜
を行うことを特徴とする請求項１又は２記載の炭化珪素
膜の製造方法。
【請求項４】前記ＣＶＤ装置が、減圧ＣＶＤ装置であ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
炭化珪素膜の製造方法。
【請求項５】Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体パターンを形
成してなるＸ線マスクの製造方法であって、請求項１乃
至４のいずれかに記載の方法でシリコン基板上に炭化珪
素からなるＸ線透過膜を形成する工程を有することを特
徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項６】反応管と、該反応管内で複数の基板を保
持する手段と、前記反応管内に原料ガスを供給する手段
とを、少なくとも有するＣＶＤ装置であって、ジクロルシランとアセチレンを反応管内に供給する主な
箇所とは別に、アセチレンガスを反応管内の任意の箇所
から補助的に供給する手段を設けたことを特徴とする炭
化珪素膜の製造装置。
【請求項７】アセチレンを反応管内に供給する複数の
供給管を有し、供給管の本数を調整する手段と、各供給
管の先端の位置を調整する手段と、各供給管に供給する
アセチレンの流量を制御する手段と、を有することを特
徴とする請求項６記載の炭化珪素膜の製造装置。
【請求項８】アセチレンを反応管内に供給する供給管
であって、複数のアセチレン供給口を有し、各アセチレ
ン供給口の穴径を調節する手段を有する供給管、を有す
ることを特徴とする請求項６記載の炭化珪素膜の製造装
置。