JP2000298221A - 光導波路の製造方法および光送受信装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光伝搬方向に対して所定の傾斜角をなす光反
射用ミラーを有する光導波路を、簡便、かつ再現性良く
形成することができる光導波路の製造方法および光送受
信装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 光硬化性の樹脂層１２′の上に、遮光膜
２４を備えたフォトマスク２５を位置合わせする。遮光
膜２４には、開口２４ａおよび傾斜面２４ｂが設けられ
ている。傾斜面２４ｂの領域は、遮光膜２４の徐々に変
化する厚さに応じた量の光を透過させるグレースケール
領域として機能する。そののち、光Ｌ₁ を照射すると、
傾斜面２４ｂの直下領域においては、遮光膜２４の厚さ
に応じて透過光量が制御されながら樹脂層１２′に到達
する。従って、樹脂層１２′の未硬化状態の部分を溶解
除去すると、光導波路コアの両端部に透明基板１１の表
面となす外角がほぼ４５°である傾斜面により構成され
た光反射用ミラーが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、光を伝
搬可能に配設されると共に、少なくとも一端に光伝搬方
向に対して所定の傾斜角をなす光反射用ミラーを有する
光導波路の製造方法および光送受信装置の製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（Integrated circuit；集積回路）
やＬＳＩ（Large Scale Integration；大規模集積回
路）における技術の進歩により、それらの動作速度や集
積規模が向上し、例えばマイクロプロセッサの高性能化
やメモリチップの大容量化が急速に達成されている。従
来、機器内のボード間、あるいはボード内のチップ間な
ど比較的短距離間の情報伝達は、主に、電気信号により
行われてきた。今後、集積回路の性能を更に向上させる
ためには、信号の高速化や信号配線の高密度化が必要と
なるが、電気信号配線においては、それら高速化および
高密度化が困難であると共に、配線のＣＲ（Ｃ：配線の
静電容量、Ｒ：配線の抵抗）時定数による信号遅延が問
題となってしまう。また、電気信号の高速化や電気信号
配線の高密度化は、ＥＭＩ（Electromagnetic Interfer
ence）ノイズの原因となるため、その対策も不可欠とな
る。

【０００３】そこで、これらの問題を解消するものとし
て、光配線（光インターコネクション）が注目されてい
る。光配線は、機器間、機器内のボード間、あるいはボ
ード内のチップ間など種々の箇所に適用可能であると考
えられている。中でも、チップ間のような短距離間の信
号の伝送には、チップが搭載されている基板上に光導波
路を形成し、これを伝送路とした光伝送・通信システム
を構築することが好適であると考えられる。この光導波
路を伝送路とした光伝送・通信システムを普及させるた
めには、光導波路の作製プロセスを確立することが重要
である。

【０００４】ところで、光導波路を用いた光伝送・通信
システムを、例えばマルチチップモジュール（Multi Ch
ip Module ；ＭＣＭ）のＬＳＩ間を結ぶ伝送路に適用す
る際には、光信号出力側の発光素子として端面発光型の
半導体レーザ（ＬＤ；LaserDiode ）や発光ダイオード
（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）を使用することが考
えられる。この場合には、光導波路の端面に発光端面が
対向するように基板上にＬＤあるいはＬＥＤを配置し
て、光信号を光導波路へ入射させればよい。ところが、
省電力化を図る場合や、二次的アレイ状に配列する場合
に好適なＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitti
ng Laser）のような面発光型のＬＤを使用する場合に
は、光導波路の端面に発光面が対向するようにＬＤを基
板上に配置することは困難である。なお、ここで面発光
型とは、素子の主たる表面から光が出射される型のもの
のことをいう。また、光信号入力側の受光素子について
も、フォトダイオードに代表される通常のフォトディテ
クタは一般に主表面によって光を受ける（面受光型）の
で、光導波路の端面に受光面が対向するように受光素子
を基板上に配置することは困難である。

【０００５】従って、通常、面発光型の発光素子および
面受光型の受光素子は、光導波路の上側（すなわち、光
導波路の光伝搬方向と直交し、かつ基板から離れる方
向）に、発光面または受光面を下向きにして設けられる
場合が多い。この場合、光導波路の端面近傍には、光導
波路外部からの光信号を反射させて光導波路内に導入す
るため、または光導波路内を伝搬してきた光信号を反射
させて光導波路外部に導出するための光反射用ミラーが
設けられるようになっている。

【０００６】この光反射用ミラーを形成する方法として
は、例えば、図２５（Ａ），（Ｂ）に示したレーザアブ
レーション法がある。この方法は、誘電体基板１０１上
に、光導波路コア層１０２を形成したのち、レーザ光Ｌ
Ｂを走査しながらレーザ光ＬＢの強度を変化させつつ照
射することにより傾斜面を形成し、これを光反射用ミラ
ー１０２ａとするようにしたものである。また、レーザ
光ＬＢに代えてイオンビームを用いる方法もある。更に
は、レーザ光ＬＢを走査する代わりにマスクを用いて、
このマスクを移動させながらレーザ光ＬＢを照射するこ
とにより、光反射用ミラー１０２ａを形成することもで
きる。この光反射用ミラー１０２ａにより、図２５
（Ｂ）に示したように、光導波路コア層１０２の内部を
伝搬してきた光信号Ｓの伝搬方向を、誘電体基板１０１
の主表面と直交する方向に変化させることができる。

【０００７】更に、他の方法としては、例えば特開平６
−２６５７３８号公報に開示されている方法がある。こ
の方法では、図２６（Ａ），（Ｂ）に示したように、熱
酸化シリコン基板１１１上に、光導波路コア層１１２お
よびフォトレジスト膜１１３を順次形成し、フォトレジ
スト膜１１３に厚みが徐々に薄くなる斜面構造１１３ａ
を設けたのち、酸素プラズマＰを用いたドライエッチン
グを行うことにより、光導波路コア層１１２の斜面構造
１１３ａに対応する位置に、光反射用ミラー１１２ａが
形成される。この場合においても、図２６（Ｂ）に示し
たように、光導波路コア層１１２の内部を伝搬してきた
光信号Ｓの伝搬方向を変化させることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法には、それぞれ以下に述べる問題点があった。す
なわち、レーザ光やイオンビームを用いる方法では、特
開平６−２６５７３８号公報中においても指摘されてい
るように、レーザ光またはイオンビームを走査しながら
１個ずつ光反射用ミラーを形成するため、特に多数のミ
ラーを形成する際には、時間と労力が多分に費やされ、
製造コストが高くなってしまうという問題があった。

【０００９】また、特開平６−２６５７３８号公報に開
示されている方法では、光導波路コア層の上面に形成す
るフォトレジスト膜の斜面構造の厚みを高精度に制御す
ることが必要であると共に、使用するフォトレジストの
感度や照射光の強度も厳密に制御することが必要とな
り、再現性良く光反射用ミラーを形成することが困難で
あるという問題があった。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、光伝搬方向に対して所定の傾斜角を
なす光反射用ミラーを有する光導波路を、簡便、かつ再
現性良く形成することができる光導波路の製造方法およ
び光送受信装置の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明による光導波装置
の製造方法は、基板上に、光を伝搬可能に配設されると
共に、少なくとも一端に光伝搬方向に対して所定の傾斜
角をなす光反射用ミラーを有する光導波路の製造方法で
あって、基板を支持基体として、光硬化性樹脂を塗布す
る工程と、光伝搬方向に沿って透過光量を漸次変化させ
ることが可能なパターンを有するマスクを、塗布された
光硬化性樹脂の上に配置する工程と、マスクを介して光
硬化性樹脂を選択的に露光することにより、その露光領
域を硬化させる工程と、光硬化性樹脂のうちの未硬化部
分を除去することにより、光反射用ミラーを有する光導
波路を形成する工程とを含むようにしたものである。

【００１２】本発明による光送受信装置の製造方法は、
基板上に、光を伝搬可能に配設されると共に、少なくと
も一端に光伝搬方向に対して所定の傾斜角をなす光反射
用ミラーを有する光導波路を備えた光送受信装置の製造
方法であって、基板を支持基体として、光硬化性樹脂を
塗布する工程と、光伝搬方向に沿って透過光量を漸次変
化させることが可能なパターンを有するマスクを、塗布
された光硬化性樹脂の上に配置する工程と、マスクを介
して光硬化性樹脂を選択的に露光することにより、その
露光領域を硬化させる工程と、光硬化性樹脂のうちの未
硬化部分を除去することにより、光反射用ミラーを有す
る光導波路を形成する工程と基板上の前記光反射用ミラ
ーに対応する位置に、電気信号を光信号に変換するため
の発光素子または光信号を電気信号に変換するための受
光素子を配設する工程を含むようにしたものである。

【００１３】本発明による光導波装置の製造方法あるい
は光送受信装置の製造方法では、基板を支持基体として
塗布された光硬化性樹脂に、光伝搬方向に沿って透過光
量を漸次変化させることが可能なパターンを有するマス
クを介して光が照射され、これにより光硬化性樹脂の露
光領域が選択的に硬化されたのち、光硬化性樹脂の未硬
化部分が除去されて、光反射用ミラーを有する光導波路
が形成される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】（第１の実施の形態）まず、図１ないし図
５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る光送受
信装置の製造方法について説明する。図１ないし図４
は、本実施の形態の一製造工程を表す断面図である。ま
た、図５（Ａ）は一製造工程を表す斜視図であり、図５
（Ｂ）は図５（Ａ）のＶＢ−ＶＢ線に沿った断面構造を
示している。なお、本実施の形態に係る光導波路の製造
方法は、本実施の形態に係る光送受信装置の製造方法に
よって具現化されるので、以下併せて説明する。また、
ここでは、コアが露出している、所謂リッジ型の光導波
路を備えた光送受信装置の製造方法について説明する。

【００１６】本実施の形態では、まず、図１に示したよ
うに、例えばガラスあるいは石英ガラスよりなる透明基
板１１を用意し、この透明基板１１上に、例えばスピン
コート法により液状のエポキシ樹脂を３０μｍ程度の厚
さになるように均一に塗布して樹脂層１２′を形成す
る。なお、ここでは、透明基板１１は、後述する光導波
路のクラッドを兼ねている。

【００１７】図２は、本実施の形態で使用するエポキシ
樹脂（厚さ１ｍｍ）の光透過率を表すグラフである。縦
軸は光透過率（単位；％）を示し、横軸は光の波長（単
位；ｎｍ）を示している。図２からも分かるように、こ
のエポキシ樹脂は、本実施の形態において使用する超高
圧水銀ランプから発せられる波長（約３５０〜４５０ｎ
ｍ）の光を６０〜８５％程度透過させ、残りの１５〜４
０％程度を吸収して硬化する光硬化性樹脂である。

【００１８】さて、樹脂層１２′を形成したのち、図３
（Ａ）に示したように、例えば石英ガラスなどの透明基
体２３と、この透明基体２３の表面に形成された遮光膜
２４とを含んで構成されたフォトマスク２５を、透明基
板１１上に位置合わせして配置する。遮光膜２４は、例
えばクロム（Ｃｒ）により構成されており、その厚さは
例えば約９８０Åである。遮光膜２４には、図３（Ｂ）
に示したように、後述する光導波路に対応した形状の開
口２４ａが設けられている。開口２４ａの短辺の近傍領
域においては、遮光膜２４の厚さが開口２４ａの長手方
向に沿って漸次薄くなっている。より具体的には、この
領域は、遮光膜２４の主表面に対して所定の角度だけ傾
斜した傾斜面２４ｂをなしている。すなわち、この傾斜
面２４ｂの領域は、遮光膜２４の徐々に変化する厚さに
応じた量の光を透過させるグレースケール領域として機
能するようになっている。ここで、フォトマスク２５
が、本発明の「マスク」の一具体例に対応している。

【００１９】次に、フォトマスク２５側から透明基板１
１側に向けて光Ｌ₁ を照射する。このとき、遮光膜２４
の開口２４ａ内の直下領域においては、光Ｌ₁ がすべて
樹脂層１２′まで到達する。また、傾斜面２４ｂの直下
領域においては、光Ｌ₁ は、遮光膜２４の厚さに応じて
透過光量を制御されながら樹脂層１２′に到達する。そ
の他の領域、すなわち、完全な厚さの遮光膜２４が設け
られている部分の直下領域においては、光Ｌ₁ は樹脂層
１２′には到達しない。樹脂層１２′の露光された領域
は表面側から硬化していく。このとき、開口２４ａに対
応した領域では、樹脂層１２′の厚さ方向のすべてにわ
たって硬化が進行する。一方、傾斜面２４ｂに対応した
領域では、樹脂層１２′の上層側が硬化し、下層側は硬
化しない。これと同時に、硬化した部分は、透明基板１
１に固着される。なお、大きな光量で短時間に光Ｌ₁ を
照射すると、光導波路１２にひずみが生じ、光伝搬損失
が大きくなってしまう。そこで、光Ｌ₁ の照射は、例え
ば、超高圧水銀ランプ（波長；ｇ線（４３６ｎｍ）中
心）を用いて、１０ｍＷ／ｃｍ³ 程度の低い出力で長い
時間（例えば、３分間）をかけて行う。

【００２０】次に、樹脂層１２′のうちの光Ｌ₁ が照射
されず未硬化状態の部分を、例えばアセトンあるいはエ
タノールなどの有機溶剤により溶解除去する。これによ
り、図４に示したように、光導波路コア層（以下、単に
光導波路ともいう。）１２が形成されると共に、その両
端部に透明基板１１の表面となす外角が鋭角（ここで
は、ほぼ４５°）であるような傾斜面により構成された
光反射用ミラー１２ａ，１２ｂが形成される。なお、光
導波路１２の透明基板１１となす外角とは、光導波路１
２の光伝搬方向に沿った断面が閉じた図形であると考え
た場合におけるこの図形の外角のことを意味する。ここ
で、アセトンあるいはエタノールが、本発明の「現像溶
液」の一具体例に対応している。

【００２１】次に、図５（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、例えば面発光型の半導体レーザ１５およびフォトダ
イオード１６を用意し、これらの半導体レーザ１５およ
びフォトダイオード１６に、例えば金（Ａｕ）よりなる
球状のバンプ１７をそれぞれ圧着する。そののち、半導
体レーザ１５およびフォトダイオード１６を例えばフリ
ップチップボンディング法により、透明基板１１上の光
反射用ミラー１２ａ，１２ｂと対向する位置に実装す
る。その際、各バンプ１７が透明基板１１上に形成され
たボンディングパッド（図示せず）と一致するように位
置合わせを行う。ここで、半導体レーザ１５が本発明の
「発光素子」の一具体例に対応し、フォトダイオード１
６が本発明の「受光素子」の一具体例に対応している。

【００２２】次に、このようにして製造される光送受信
装置の作用について説明する。この光送受信装置では、
半導体レーザ１５から光信号が出射されると、この光信
号は光反射用ミラー１２ａに入射し、入射方向とほぼ垂
直の方向に例えば全反射して光導波路１２の内部に入射
する。この光信号は、光導波路１２内を伝搬して、光反
射用ミラー１２ｂに到達する。光信号は、ここで、光伝
搬方向とほぼ垂直の方向に例えば全反射して、光導波路
１２の外部に出射し、フォトダイオード１６に入射す
る。

【００２３】このように本実施の形態では、開口２４ａ
およびグレースケールとして機能する傾斜面２４ｂを有
する遮光膜２４を用いて樹脂層１２′を露光するように
したので、露光時に、傾斜面２４ｂに対応した領域の樹
脂層１２′には、遮光膜２４の厚さに応じた光量の光Ｌ
₁ が照射される。従って、傾斜面２４ｂ領域の遮光膜２
４の厚さが漸次変化するようにしておくと、レジストを
使用しない選択的露光によって、光導波路コア層１２の
端部に、透明基板１１の表面となす外角が鋭角であるよ
うな傾斜面により構成された光反射用ミラー１２ａ，１
２ｂを再現性良く形成することができる。

【００２４】また、遮光膜２４に傾斜面２４ｂを複数設
けるようにしたので、複数のミラーを一度に形成するこ
とができる。

【００２５】更に、本実施の形態の光導波路の製造方法
は、露光および樹脂層１２′の未硬化領域の溶解除去と
いう２つの工程のみにより、光導波路コア層１２の形成
と光反射用ミラー１２ａ，１２ｂの形成とを同時に行う
ことができる簡便な方法であり、製造コストの低減化を
図ることができる。

【００２６】なお、リッジ型の他の光導波路としては、
例えば図６に断面構造を示したものがある。この光導波
路では、基板２１と光導波路コア層１２との間に、光導
波路コア層１２の構成材料よりも屈折率の小さな材料よ
りなる光導波路クラッド層２２が設けられている。光導
波路クラッド層２２は、具体的には例えば屈折率が１．
５２程度のエポキシ樹脂により構成されている。また、
光導波路コア層１２は、例えば屈折率が１．５４程度の
エポキシ樹脂により構成されている。このように、光導
波路クラッド層２２を設けることにより、基板２１とし
て、光導波路コア層１２よりも大きな屈折率を有するガ
ラス基板やそれ以外の任意の基板（例えば、プリント配
線基板）を用いることができる。ここで、光導波路クラ
ッド層２２が、本発明の「下地層」の一具体例に対応し
ている。

【００２７】（第２の実施の形態）本実施の形態は、コ
アが露出していない、所謂埋め込み型の光導波路を備え
た光送受信装置の製造方法に関するものである。以下、
図７ないし図１１を参照して説明する。図７ないし図９
は本実施の形態の一製造工程を表す斜視図であり、図１
１は本実施の形態の一製造工程を表す断面図である。ま
た、図１０（Ａ）は一製造工程を表す斜視図であり、図
１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＸＢ−ＸＢ線に沿った断面
構造を示している。なお、第１の実施の形態と同一の構
成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な説明
を省略する。

【００２８】本実施の形態では、まず、図７に示したよ
うに、任意の基板、例えばプリント配線基板３１を用意
し、このプリント配線基板３１上に、例えばスピンコー
ト法により熱硬化性樹脂としての硬化後の屈折率が１．
５２程度のエポキシ樹脂を３０μｍ程度の厚さになるよ
うに塗布したのち、熱処理を行なって樹脂を固化させ、
光導波路の下部クラッド層３２を形成する。なお、下部
クラッド層３２の材料として熱硬化性樹脂に代えて光硬
化性樹脂用い、光照射を行って樹脂を固化させるように
してもよい。次に、下部クラッド層３２上に、例えばス
ピンコート法により硬化後の屈折率が１．５４程度の液
状のエポキシ樹脂を３０μｍ程度の厚さになるように均
一に塗布して樹脂層３３′を形成する。ここで、下部ク
ラッド層３２が、本発明の「下地層」の一具体例に対応
している。

【００２９】次に、図８に示したように、プリント配線
基板３１上の所望の位置に遮光膜２４を備えたフォトマ
スク２５が配置されるように、フォトマスク２５の位置
合わせを行う。続いて、フォトマスク２５側からプリン
ト配線基板３１側に向けて、例えば、超高圧水銀ランプ
を用いて、１０ｍＷ／ｃｍ³ の出力で３分間光Ｌ₁ を照
射する。これにより、樹脂層３３′の露光された領域は
表面側から硬化して、下部クラッド層３２に固着され
る。

【００３０】次に、樹脂層３３′のうちの、遮光膜２４
により光Ｌ₁ が照射されず未硬化状態の部分を、例えば
アセトンあるいはエタノールにより溶解除去する。これ
により、図９に示したように、光導波路のコア層３３が
形成されると共に、その両端部に透明基板１１の表面と
なす外角がほぼ４５°であるような傾斜面により構成さ
れた光反射用ミラー３３ａ，３３ｂが形成される。

【００３１】次に、図１０（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、下部クラッド層３２の露出面およびコア層３３上
に、例えばスピンコート法により硬化後の屈折率が１．
５２程度のエポキシ樹脂を、コア層３３の上部において
３０μｍ程度の厚さになるように塗布したのち、熱処理
を行なって樹脂を固化させ、光導波路の上部クラッド層
３４を形成する。このようにして、下部クラッド層３
２，コア層３３および上部クラッド層３４よりなる光導
波路３５が作製される。ここで、上部クラッド層３４
が、本発明の「保護層」の一具体例に対応している。

【００３２】次に、図１１に示したように、例えば半導
体レーザ１５およびフォトダイオード１６を用意し、こ
れらの半導体レーザ１５およびフォトダイオード１６
に、バンプ１７をそれぞれ圧着する。そののち、半導体
レーザ１５およびフォトダイオード１６を例えばフリッ
プチップボンディング法により、プリント配線基板３１
上の光反射用ミラー３３ａ，３３ｂと対向する位置に実
装する。

【００３３】このようにして製造される光送受信装置で
は、半導体レーザ１５から光信号が出射されると、この
光信号は、光導波路３５に入射し、光反射用ミラー３３
ａにおいて入射方向とほぼ垂直の方向に例えば全反射し
てコア層３３の内部に入射する。そののち、コア層３３
内を伝搬し、光反射用ミラー３３ｂに到達する。光信号
は、ここで、光伝搬方向とほぼ垂直の方向に例えば全反
射して、光導波路３５の外部に出射し、フォトダイオー
ド１６に入射する。

【００３４】このように本実施の形態では、光導波路３
５のコア層３３を上部クラッド層３４によって覆うよう
にしたので、第１の実施の形態で述べた効果の他に、コ
ア層３３が上部クラッド層３４により保護され、コア層
３３の損傷が防止されるという効果を有する。

【００３５】なお、閉じ込め型の他の光導波路として
は、例えば図１２に示した構造のものがある。この光導
波路では、上部クラッド層３４′が、コア層３３の光路
反射ミラー３３ａ，３３ｂ形成領域以外の部分を覆うよ
うに形成されている。この構造の光導波路では、光反射
用ミラー３３ａ，３３ｂが、屈折率１．００である空気
と接することとなるので、全反射の臨界角を小さくする
ことができると共に、光反射用ミラー３３ａ，３３ｂに
おける光損失を小さくできる。

【００３６】（第３の実施の形態）本実施の形態は、形
成用基板上に作製された光導波路を他の基板に転写する
ようにした光送受信装置の製造方法に関するものであ
る。以下、図１３ないし図１８を参照して説明する。図
１３および図１４は本実施の形態の一製造工程を表す斜
視図であり、図１５，図１７および図１８は本実施の形
態の一製造工程を表す断面図である。また、図１６
（Ａ）は一製造工程を表す斜視図であり、図１６（Ｂ）
は図１６（Ａ）のXVI Ｂ−XVI Ｂ線に沿った断面構造を
示している。なお、第１の実施の形態と同一の構成要素
には同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略
する。

【００３７】本実施の形態では、まず、図１３に示した
ように、例えば、平坦性に優れた透明な形成用基板４１
を用意し、この形成用基板４１上に、例えばプラズマＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、例えば
厚さ５００ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）よりなる
基板分離層４２を形成する。次に、基板分離層４２上
に、例えばスピンコート法により硬化後の屈折率が１．
５２程度のエポキシ樹脂を３０μｍ程度の厚さになるよ
うに塗布したのち、熱処理または光処理を行なって樹脂
を固化させ、光導波路の上部クラッド層４３を形成す
る。続いて、上部クラッド層４３上に、上部クラッド層
の構成材料よりも屈折率が大きく、光透過性に優れた材
料（例えば硬化後の屈折率が１．５４程度のエポキシ樹
脂）を３０μｍ程度の厚さになるように均一に塗布して
樹脂層４４′を形成する。

【００３８】次に、形成用基板４１上の所望の位置に遮
光膜２４を備えたフォトマスク２５が配置されるよう
に、フォトマスク２５の位置合わせを行う。続いて、フ
ォトマスク２５側から形成用基板４１側に向けて、例え
ば、超高圧水銀ランプを用いて、１０ｍＷ／ｃｍ³ の出
力で３分間光Ｌ₁ を照射する。ここでは、光の吸収量が
少なく、透過性に優れたエポキシ樹脂を用いているの
で、上部クラッド層４３において反射した光も露光に寄
与すると考えられる。更に、形成用基板４１の表面およ
び裏面において反射した光も露光に寄与すると考えられ
る。そのため、樹脂層４４′の露光された領域は裏面側
から硬化して、上部クラッド層４３に固着される。この
とき、傾斜面２４ｂに対応した領域は、下層側から硬化
し、上層側は硬化しない。

【００３９】次に、樹脂層４４′のうちの光Ｌ₁ が照射
されず未硬化状態の部分を、例えばアセトンあるいはエ
タノールなどの有機溶剤により溶解除去する。これによ
り、図１４に示したように、光導波路のコア層４４が形
成されると共に、その両端部に透明基板１１の表面とな
す外角が鈍角（ここでは、ほぼ１３５°）であるような
傾斜面により構成された光反射用ミラー４４ａ，４４ｂ
が形成される。

【００４０】次に、図１５に示したように、上部クラッ
ド層４３の露出面およびコア層４４上に、例えばスピン
コート法により硬化後の屈折率が１．５２程度のエポキ
シ樹脂をコア層４４の上面において３０μｍ程度の厚さ
になるように塗布したのち、熱処理または光処理を行な
って樹脂を固化させ、光導波路の下部クラッド層４５を
形成する。このようにして、上部クラッド層４３，コア
層４４および下部クラッド層４５よりなる光導波路４６
が作製される。

【００４１】次に、図１６（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、任意の基板、例えばプリント配線基板５１を用意
し、形成用基板４１および形成用基板４１上に形成した
光導波路４６の上下を逆にし、位置合わせを行いなが
ら、例えばエポキシ樹脂よりなる接着層５２を介してプ
リント配線基板５１を光導波路１１に密着させる。続い
て、形成用基板４１および光導波路４６にプリント配線
基板５１を密着させた状態で、例えば、超高圧水銀ラン
プを用いて、形成用基板４１側からプリント配線基板５
１側に向かって１０ｍＷ／ｃｍ³ の出力で３分間光Ｌ₂
を照射する。これにより、接着層５２を構成するエポキ
シ樹脂が硬化し、プリント配線基板５１は光導波路４６
の所望の位置に固着される。なお、接着層５２は、熱処
理により硬化させるようにしてもよい。

【００４２】次に、光導波路４６にプリント配線基板５
１が固着されている状態で、形成用基板４１とプリント
配線基板５１とを、例えば薄いフッ化水素（ＨＦ）溶
液、または緩衝フッ化水素（ＢＨＦ；Buffered ＨＦ）
溶液に浸す。これにより、図１７に示したように、形成
用基板４１と光導波路４６との間に形成された基板分離
層４２が溶解除去され、基板分離層４２上の形成用基板
４１が光導波路４６から分離された状態（リフトオフ）
となり、光導波路４６がプリント配線基板５１に転写さ
れる。そののち、光導波路４６が転写されたプリント配
線基板５１を水により予洗し、洗浄して、乾燥させる。

【００４３】次に、図１８に示したように、半導体レー
ザ１５、フォトダイオード１６およびＩＣチップ６１
に、それぞれバンプ１７を形成する。そののち、半導体
レーザ１５、フォトダイオード１６およびＩＣチップ６
１等をフリップチップボンディング法によってプリント
配線基板５１に実装する。

【００４４】最後に、図示はしないが、実装した半導体
レーザ１５、フォトダイオード１６およびＩＣチップ６
１等とプリント配線基板５１との間に、例えばエポキシ
樹脂よりなる封止用樹脂を導入し、半導体レーザ１５、
フォトダイオード１６およびＩＣチップ６１等を封止す
る。これにより、半導体レーザ１５、フォトダイオード
１６およびＩＣチップ６１等とプリント配線基板５１の
電気配線との接続信頼性が向上する。

【００４５】このようにして製造される光送受信装置で
は、例えばプリント配線基板５１の電気配線から供給さ
れた電力によって、半導体レーザ１５、フォトダイオー
ド１６およびＩＣチップ６１が動作可能な状態となる。
この状態で、ＩＣチップ６１から半導体レーザ１５に電
気信号が出力されると、半導体レーザ１５は、電気信号
を光信号に変換して、光信号を出射する。出射された光
信号は、光導波路４６に入射し、光反射用ミラー４４ａ
において入射方向とほぼ垂直の方向に例えば全反射して
コア層４４の内部に入射する。そののち、この光信号
は、コア層４４内を伝搬し、光反射用ミラー４４ｂに到
達する。ここで、光信号は、光伝搬方向とほぼ垂直の方
向に例えば全反射して、光導波路４６の外部に出射し、
フォトダイオード１６に入射する。フォトダイオード１
６に入射した光信号は、電気信号に変換されて図示しな
いＩＣチップに入力される。このようにして、ＩＣチッ
プ６１と他のＩＣチップ（図示せず）との間で高速に伝
送すべき信号は、光信号として高速伝送される。また、
低速コントロール信号などの比較的低速で伝送してもよ
い信号の伝送はプリント配線基板５１の電気配線によっ
て電気信号として伝送される。

【００４６】本実施の形態では、開口２４ａおよびグレ
ースケール領域として機能する傾斜面２４ｂを有する遮
光膜２４を用い、形成用基板４１側からの反射光を利用
して樹脂層４４′を露光するようにしたので、樹脂層４
４′の露光された領域は裏面側から硬化する。従って、
透明基板１１となす外角が鈍角であるような傾斜面によ
り構成された光反射用ミラー４４ａ，４４ｂを再現性良
く形成することができる。

【００４７】また、光導波路４６を、平坦性に優れた形
成用基板４１上に形成したのち、プリント配線基板５１
に転写するようにしたので、プリント配線基板５１のよ
うな凹凸の大きい基板の上に光伝搬損失の少ない光導波
路４６を作製することができる。

【００４８】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものでは
なく、種々変形可能である。例えば、上記各実施の形態
では、厚みが漸次変化する領域を有する遮光膜２４を用
いて光Ｌ₁ の透過量を調整するようにしたが、例えば図
１９に示したように、遮光膜７１の厚さを一定とする一
方、開口７２ａを含む開口形成領域７２の短辺をなす端
部７２ｂの近傍にサブμｍオーダーの微少な多数の遮光
ドット７２ｄからなる遮光ドットパターン７２ｃを形成
したものを用いるようにしてもよい。この図１９の例で
は、各遮光ドット７２ｄの大きさが同じである一方、開
口形成領域７２の端部７２ｂに近づくほど遮光ドット７
２ｄ間の間隔が狭く、開口形成領域７２の内側に向かう
につれて次第に遮光ドット７２ｄ間の間隔が広くなるよ
うにパターンニングされている。すなわち、開口形成領
域７２の端部７２ｂ近傍領域では、単位面積あたりの開
口面積（すなわち、開口密度）が開口形成領域７２の長
手方向に沿って変化するように設定されている。その結
果、遮光膜７１を透過する光量を開口形成領域７２の長
手方向に沿って漸次変化させることができるので、上記
実施の形態と同様の形状の光反射用ミラーを再現性良く
形成することができる。また、図示はしないが、遮光ド
ット間の間隔を一定にする一方、開口形成領域の端部か
ら内側に向かって次第に遮光ドットの大きさが小さくな
るようにパターンニングした遮光膜を用いるようにして
もよい。ここで、遮光ドットパターン７２ｃが、本発明
の「ドット状の遮光部を含んだパターン」の一具体例に
対応している。

【００４９】更に、例えば図２０に示したように、開口
７４ａを含む開口形成領域７４の短辺をなす端部７４ｂ
の近傍にサブμｍオーダーの微少な透光ドット（開口）
パターン７４ｃを形成した遮光膜７３を用いるようにし
てもよい。なお、図２０は、遮光膜７３の開口形成領域
７４の端部７４ｂの近傍領域を拡大して表したものであ
る。図２０に示した透光ドットパターン７４ｃでは、各
透光ドット７４ｄの大きさが同じである一方、端部７４
ｂに近い部分ほど透光ドット７４ｄ間の間隔が広く、開
口７４ａに近い部分ほど透光ドット７４ｄ間の間隔が狭
くなるように、多数の透光ドット７４ｄが配設されてい
る。また、図示はしないが、透光ドット間の間隔を一定
にする一方、開口形成領域７４の端部７４ｂから開口７
４ａの側に向かって次第に透光ドット７４ｄの大きさが
小さくなるようにパターンニングした遮光膜を用いるよ
うにしてもよい。ここで、透光ドットパターン７４ｃ
が、本発明の「ドット状の光透過部を含んだパターン」
の一具体例に対応している。

【００５０】また、例えば図２１および図２２（図２１
の拡大図）に示したように、厚さが一定である一方、開
口８２ａを含む開口形成領域８２の短辺をなす端部８２
ｂの近傍に遮光ストライプパターン８２ｃが形成されて
いる遮光膜８１を用いるようにしてもよい。この遮光膜
８１では、開口８２ａの短辺に対してそれぞれほぼ平行
な方向に延びる複数の遮光ストライプ８１ｄからなる遮
光ストライプパターン８２ｃが、開口形成領域８２の長
手方向に沿って形成されている。この図の例では、遮光
ストライプパターン８２ｃのピッチｐは一定（例えば２
μｍ）である一方、遮光ストライプ８１ｄの幅は、開口
形成領域８２の端部８２ｂから開口８２ａ側に向かって
次第に大きくなるようにパターンニングされている。こ
の場合においても、遮光ストライプパターン８２ｃによ
り、開口形成領域８２の端部８２ｂの近傍領域における
単位面積あたりの開口面積（すなわち、開口密度）が開
口形成領域８２の長手方向に沿って漸次変化しているこ
とになることから、上記実施の形態における遮光膜２４
と同様に、透過光量を漸次変化させることができる。ま
た、例えば図２３に示したように、遮光ストライプ８４
ｄの幅ｗが一定である一方、遮光ストライプパターン８
４ｃのピッチが開口形成領域８４の端部８４ｂから開口
８４ａの内側に向かって次第に大きくなるようにパター
ンニングされた遮光膜８３を用いるようにしてもよい。
なお、図２３は、遮光膜８３の開口形成領域８４の端部
８４ｂの近傍領域を拡大して表したものである。ここ
で、遮光ストライプパターン８２ｃ，８４ｃが、本発明
の「ストライプ状の遮光部を含んだパターン」の一具体
例に対応している。

【００５１】更に、例えば図２４に示したように、開口
８６ａを含む開口形成領域８６の短辺をなす端部８６ｂ
の近傍にサブμｍオーダーの微少な透光スリットパター
ン８６ｃを形成した遮光膜８５を用いるようにしてもよ
い。なお、図２４もまた、遮光膜８５の開口形成領域８
６の端部８６ｂ近傍領域を拡大して表したものである。
この図２４に示した透光スリットパターン８６ｃでは、
透光スリット８６ｄの幅ｗ′が一定であると共に、端部
８６ｂから開口８６ａの内側に向かって次第にピッチが
小さくなるようにパターンニングされている。また、図
示はしないが、透光スリットパターンのピッチが一定で
ある一方、透光スリットの幅が、開口形成領域の端部側
から開口側に向かって次第に大きくなるようにパターン
ニングされた遮光膜を用いるようにしてもよい。ここ
で、透光スリットパターン８６ｃが、本発明の「スリッ
ト状の光透過部を含んだパターン」の一具体例に対応し
ている。

【００５２】また、半導体レーザ１５から光導波路内に
導き入れられる光信号、または光導波路からフォトダイ
オード１６内に入射する光信号の強度を更に高めるため
に、例えば金属膜を光反射用ミラー上に形成して、そこ
での反射率を高めるようにしてもよい。

【００５３】また、上記各実施の形態では、光導波路２
１，２２，３５，４６をエポキシ樹脂により形成する場
合について説明したが、アクリル樹脂などの他の光硬化
性樹脂を用いるようにしてもよい。更に、上記第１およ
び第２の実施の形態においては、光導波路クラッド層２
２，上部クラッド層３４および下部クラッド層３２を熱
硬化性樹脂により構成するようにしてもよい。

【００５４】また、上記各実施の形態では、クロムより
なる遮光膜２４を用いるようにしたが、その他の金属
膜、あるいは光Ｌ₁ を吸収する誘電体膜よりなる遮光膜
を用いるようにしてもよい。

【００５５】また、上記各実施の形態では、光導波路２
１，２２，３５，４６を構成する各樹脂をスピンコート
法により塗布するようにしたが、塗布方法については、
下地基板上に均一に樹脂を塗布することができる方法で
あれば他の方法でもよく、具体的には、ディップ法やス
プレー法により行うようにしてもよい。更に、上記第２
の実施の形態の下部クラッド層、および上記第３の実施
の形態の上部クラッド層４３を、シート状の材料を用い
てラミネート法により形成するようにしてもよい。

【００５６】また、上記実施の形態では、基板上に実装
するチップとして、半導体レーザ１５、フォトダイオー
ド１６およびＩＣチップ６１を例に挙げて説明したが、
その他、チップ型抵抗器、コンデンサまたはインダクタ
などの一般部品を実装することも可能である。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項１４のいずれか１項に記載の光導波路の製造方法ある
いは請求項１５または請求項１６記載の光送受信装置の
製造方法によれば、光伝搬方向に沿って透過光量を漸次
変化させることが可能なパターンを有するマスクを用い
て光硬化性樹脂を露光するようにしたので、露光時に、
光硬化性樹脂のパターン形成領域の直下の部分では、パ
ターンに応じた光量分布で光が照射される。よって、露
光後、光硬化性樹脂のうちの未硬化部分を除去すること
により、光伝搬方向に対して所定の傾斜角をなす光反射
ミラーを有する光導波路を再現性良く形成することがで
きるという効果を奏する。

【００５８】また、請求項１ないし請求項１４のいずれ
か１項に記載の光導波路の製造方法あるいは請求項１５
または請求項１６記載の光送受信装置の製造方法によれ
ば、露光工程および光硬化性樹脂のうちの未硬化部分の
除去工程という２つの工程のみにより、光導波路のパタ
ーン形成と光反射用ミラーの形成とを同時に行うことが
できるので、製造コストの低減化を図ることができると
いう効果を奏する。

【００５９】特に、請求項６記載の光導波路の製造方法
によれば、マスクにパターンを複数設けるようにしたの
で、更に、複数の光反射ミラーを一度に形成することが
できるという効果を奏する。

【００６０】また、請求項９記載の光導波路の製造方法
によれば、基板上に光導波路を形成したのち、光導波路
を他の基板に転写するようにしたので、更に、任意の基
板上に光導波路を構成することができるという効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光送受信装置
の一製造工程を説明するための斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態において用いるエポ
キシ樹脂の光透過率と光の波長との関係を表す特性図で
ある。

【図３】（Ａ）は図１に続く製造工程を説明するための
斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）における遮光膜の斜視図
である。

【図４】図３に続く製造工程を説明するための斜視図で
ある。

【図５】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る光送
受信装置の構成を表す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の
ＶＢ−ＶＢ線に沿った断面図である。

【図６】図５に示した光送受信装置の変形例に係る光送
受信装置の構成を表す断面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る光送受信装置
の一製造工程を説明するための斜視図である。

【図８】図７に続く製造工程を説明するための斜視図で
ある。

【図９】図８に続く製造工程を説明するための斜視図で
ある。

【図１０】（Ａ）は図９に続く製造工程を説明するため
の斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸＢ−ＸＢ線に沿っ
た断面図である。

【図１１】図１０に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１２】本発明の第２の実施の形態の光送受信装置の
変形例に係る光送受信装置の構成を表す斜視図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る光送受信装
置の一製造工程を説明するための斜視図である。

【図１４】図１３に続く製造工程を説明するための斜視
図である。

【図１５】図１４に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１６】（Ａ）は図１５に続く製造工程を説明するた
めの斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）のXVI Ｂ−XVI Ｂ線
に沿った断面図である。

【図１７】図１６に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１８】図１７に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１９】図３（Ｂ）に示した遮光膜の変形例に係る遮
光膜の構成を表す平面図である。

【図２０】図３（Ｂ）に示した遮光膜の他の変形例に係
る遮光膜の構成の一部を表す平面図である。

【図２１】図３（Ｂ）に示した遮光膜の更に他の変形例
に係る遮光膜の構成を表す平面図である。

【図２２】図２１に示した遮光膜の一部を拡大して表す
平面図である。

【図２３】図３（Ｂ）に示した遮光膜の更に他の変形例
に係る遮光膜の構成の一部を拡大して表す平面図であ
る。

【図２４】図３（Ｂ）に示した遮光膜の更に他の変形例
に係る遮光膜の構成の一部を拡大して表す平面図であ
る。

【図２５】従来の光送受信装置の製造方法の一例を説明
するための断面図である。

【図２６】従来の光送受信装置の製造方法の他の例を説
明するための断面図である。

【符号の説明】

１１…透明基板、１２…光導波路コア層、１２ａ，１２
ｂ，３３ａ，３３ｂ，４４ａ，４４ｂ…光反射用ミラ
ー、１２′，３３′，４４′…樹脂層、１５…半導体レ
ーザ、１６…フォトダイオード、１７…バンプ、２１…
基板、２２…光導波路クラッド層、２３…透明基体、２
４，７１，７３，８１，８３，８５…遮光膜、２４ａ…
開口、２４ｂ…傾斜面、２５…フォトマスク、３１，５
１…プリント配線基板、３２，４５…下部クラッド層、
３３，４４…コア層、３４，３４′，４３…上部クラッ
ド層、３５，４６…光導波路、Ｌ₁ ，Ｌ₂ …光

【手続補正書】

【提出日】平成１１年５月１９日（１９９９．５．１
９）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】次に、フォトマスク２５側から透明基板１
１側に向けて光Ｌ₁ を照射する。このとき、遮光膜２４
の開口２４ａ内の直下領域においては、光Ｌ₁ がすべて
樹脂層１２′まで到達する。また、傾斜面２４ｂの直下
領域においては、光Ｌ₁ は、遮光膜２４の厚さに応じて
透過光量を制御されながら樹脂層１２′に到達する。そ
の他の領域、すなわち、完全な厚さの遮光膜２４が設け
られている部分の直下領域においては、光Ｌ₁ は樹脂層
１２′には到達しない。樹脂層１２′の露光された領域
は表面側から硬化していく。このとき、開口２４ａに対
応した領域では、樹脂層１２′の厚さ方向のすべてにわ
たって硬化が進行する。一方、傾斜面２４ｂに対応した
領域では、樹脂層１２′の上層側が硬化し、下層側は硬
化しない。これと同時に、硬化した部分は、透明基板１
１に固着される。なお、大きな光量で短時間に光Ｌ₁ を
照射すると、光導波路１２にひずみが生じ、光伝搬損失
が大きくなってしまう。そこで、光Ｌ₁ の照射は、例え
ば、超高圧水銀ランプ（波長；ｇ線（４３６ｎｍ）中
心）を用いて、１０ｍＷ／ｃｍ² 程度の低い出力で長い
時間（例えば、３分間）をかけて行う。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】次に、図８に示したように、プリント配線
基板３１上の所望の位置に遮光膜２４を備えたフォトマ
スク２５が配置されるように、フォトマスク２５の位置
合わせを行う。続いて、フォトマスク２５側からプリン
ト配線基板３１側に向けて、例えば、超高圧水銀ランプ
を用いて、１０ｍＷ／ｃｍ² の出力で３分間光Ｌ₁ を照
射する。これにより、樹脂層３３′の露光された領域は
表面側から硬化して、下部クラッド層３２に固着され
る。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３８】次に、形成用基板４１上の所望の位置に遮
光膜２４を備えたフォトマスク２５が配置されるよう
に、フォトマスク２５の位置合わせを行う。続いて、フ
ォトマスク２５側から形成用基板４１側に向けて、例え
ば、超高圧水銀ランプを用いて、１０ｍＷ／ｃｍ² の出
力で３分間光Ｌ₁ を照射する。ここでは、光の吸収量が
少なく、透過性に優れたエポキシ樹脂を用いているの
で、上部クラッド層４３において反射した光も露光に寄
与すると考えられる。更に、形成用基板４１の表面およ
び裏面において反射した光も露光に寄与すると考えられ
る。そのため、樹脂層４４′の露光された領域は裏面側
から硬化して、上部クラッド層４３に固着される。この
とき、傾斜面２４ｂに対応した領域は、下層側から硬化
し、上層側は硬化しない。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４１】次に、図１６（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、任意の基板、例えばプリント配線基板５１を用意
し、形成用基板４１および形成用基板４１上に形成した
光導波路４６の上下を逆にし、位置合わせを行いなが
ら、例えばエポキシ樹脂よりなる接着層５２を介してプ
リント配線基板５１を光導波路１１に密着させる。続い
て、形成用基板４１および光導波路４６にプリント配線
基板５１を密着させた状態で、例えば、超高圧水銀ラン
プを用いて、形成用基板４１側からプリント配線基板５
１側に向かって１０ｍＷ／ｃｍ² の出力で３分間光Ｌ₂
を照射する。これにより、接着層５２を構成するエポキ
シ樹脂が硬化し、プリント配線基板５１は光導波路４６
の所望の位置に固着される。なお、接着層５２は、熱処
理により硬化させるようにしてもよい。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、光を伝搬可能に配設されると
   共に、少なくとも一端に光伝搬方向に対して所定の傾斜
   角をなす光反射用ミラーを有する光導波路の製造方法で
   あって、 前記基板を支持基体として、光硬化性樹脂を塗布する工
   程と、 前記光伝搬方向に沿って透過光量を漸次変化させること
   が可能なパターンを有するマスクを、前記塗布された光
   硬化性樹脂の上に配置する工程と、 前記マスクを介して前記光硬化性樹脂を選択的に露光す
   ることにより、その露光領域を硬化させる工程と、 前記光硬化性樹脂のうちの未硬化部分を除去することに
   より、前記光反射用ミラーを有する光導波路を形成する
   工程とを含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
2. 【請求項２】 前記パターンは、前記マスクの厚さを前
   記光伝搬方向に沿って漸次変化させることにより構成さ
   れたものであることを特徴とする請求項１記載の光導波
   路の製造方法。
3. 【請求項３】 前記パターンは、開口を有すると共に、
   この開口の開口密度を前記光伝搬方向に沿って漸次変化
   させることにより構成されたものであることを特徴とす
   る請求項１記載の光導波路の製造方法。
4. 【請求項４】 前記パターンは、ドット状の遮光部また
   は光透過部を含んで構成されたものであることを特徴と
   する請求項３記載の光導波路の製造方法。
5. 【請求項５】 前記パターンは、ストライプ状の遮光部
   またはスリット状の光透過部を含んで構成されたもので
   あることを特徴とする請求項３記載の光導波路の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記マスクに、前記パターンを複数設け
   たことを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記光反射用ミラーを有する光導波路を
   形成する工程において、前記光反射用ミラーとして、前
   記基板となす外角が鋭角である傾斜面を形成するように
   したことを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方
   法。
8. 【請求項８】 更に、前記光反射用ミラーを有する光導
   波路を形成する工程ののち、 前記光導波路を、前記基板からこの基板とは異なる他の
   基板に転写する工程を含むことを特徴とする請求項１記
   載の光導波路の製造方法。
9. 【請求項９】 前記光反射用ミラーを有する光導波路を
   形成する工程において、前記光反射用ミラーとして、前
   記基板となす外角が鈍角である傾斜面を形成するように
   したことを特徴とする請求項８記載の光導波路の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 更に、前記光硬化性樹脂を塗布する工
    程の前に、 前記基板上に、前記光硬化性樹脂よりも屈折率の小さな
    材料よりなる下地層を形成する工程を含むことを特徴と
    する請求項１記載の光導波路の製造方法。
11. 【請求項１１】 更に、前記光反射用ミラーを有する光
    導波路を形成する工程ののち、 前記光導波路上に、前記光硬化性樹脂よりも屈折率の小
    さな材料よりなる保護層を形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記保護層を形成する工程において、
    前記光導波路の前記光反射用ミラー形成部分以外の部分
    を覆うように保護層を形成するようにしたことを特徴と
    する請求項１１記載の光導波路の製造方法。
13. 【請求項１３】 更に、 前記光反射用ミラーに反射膜を形成する工程を含むこと
    を特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記光硬化性樹脂のうちの未硬化部分
    を除去することにより、前記光反射用ミラーを有する光
    導波路を形成する工程において、有機溶剤よりなる現像
    溶液により前記未硬化部分を溶解除去するようにしたこ
    とを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。
15. 【請求項１５】 基板上に、光を伝搬可能に配設される
    と共に、少なくとも一端に光伝搬方向に対して所定の傾
    斜角をなす光反射用ミラーを有する光導波路を備えた光
    送受信装置の製造方法であって、 前記基板を支持基体として、光硬化性樹脂を塗布する工
    程と、 前記光伝搬方向に沿って透過光量を漸次変化させること
    が可能なパターンを有するマスクを、前記塗布された光
    硬化性樹脂の上に配置する工程と、 前記マスクを介して前記光硬化性樹脂を選択的に露光す
    ることにより、その露光領域を硬化させる工程と、 前記光硬化性樹脂のうちの未硬化部分を除去することに
    より、前記光反射用ミラーを有する光導波路を形成する
    工程と前記基板上の前記光反射用ミラーに対応する位置
    に、電気信号を光信号に変換するための発光素子または
    光信号を電気信号に変換するための受光素子を配設する
    工程を含むことを特徴とする光送受信装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記発光素子は、素子の主たる表面か
    ら光が出射されるものであり、前記受光素子は、素子の
    主たる表面から光が入射するものであることを特徴とす
    る請求項１５記載の光送受信装置の製造方法。