JP2000298456A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で、発光パターンに応じて画素毎
の輝度に差が生じることや、シャドーイングが発生する
ことを防止できるようにする。 【解決手段】 表示装置は、有機ＥＬ表示器１と、走査
電極駆動部２と、データ電極駆動部３とを備えている。
表示器１は、マトリクス状に配置された走査電極ＣＯＭ
１〜ＣＯＭｎおよびデータ電極ＳＥＧ１〜ＳＥＧｍと、
これら走査電極とデータ電極が交差する部分に形成さ
れ、両電極に接続された複数の発光素子としての有機Ｅ
Ｌ素子ＥＬ_1,1〜ＥＬ_m,nを有している。データ電極駆動
部３は、走査電極駆動部２によって選択状態とされる走
査電極が切り替わる際に、全てのデータ電極について、
各データ電極につながる有機ＥＬ素子の寄生容量の電荷
蓄積状態を同一にするために、所定の期間だけ全てのデ
ータ電極を非選択状態とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、走査電極と、デー
タ電極と、これら両電極が交差する部分に配置されて両
電極に接続された複数の発光素子とを有する表示器を備
えた表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型でフラットな発光型の表示装
置を実現できる発光素子として、有機エレクトロルミネ
セント（Electroluminescent；以下、ＥＬと記す。）素
子が盛んに研究され、実用化されつつある。この有機Ｅ
Ｌ素子は、発光材料に有機材料を用いた電荷注入再結合
型のＥＬ素子で、自発光、高輝度、高視野角、低消費電
力、低電圧駆動、高効率等の特徴を有することから種々
の応用が期待されている。なかでも、有機ＥＬ素子は、
種々の表示装置、特にフラットパネルディスプレイへの
応用が試みられている。また、有機ＥＬ素子を用いた表
示装置には、家電製品、自動車や二輪車の電装品等にお
いて利用が考えられる。具体的には、この表示装置は、
オーディオ機器等で使われる情報表示パネルや、自動車
用の計器パネルや、動画や静止画を表示させるディスプ
レイ装置等に使用可能である。

【０００３】有機ＥＬ素子は、例えば、錫ドープ酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ）等の透明電極（ホール注入電極）上
に、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等のホール輸送材
料の薄膜が、蒸着によって形成され、その上に、アルミ
キノリノール錯体（Ａｌｑ₃）等の蛍光物質が発光層と
して積層され、更にその上にマグネシウム（Ｍｇ）等の
仕事関数の小さな金属電極（電子注入電極）が形成され
た基本構成を有する素子である。この有機ＥＬ素子は、
１０Ｖ前後の電圧で数１００から数１００００ｃｄ／ｍ
²という極めて高い輝度が得られることから、家電製
品、自動車や二輪車の電装品等におけるディスプレイ装
置への利用が注目されている。

【０００４】このような有機ＥＬ素子は、例えば、通
常、電子注入電極となる走査電極（コモンライン）と、
通常、ホール注入電極（透明電極）となるデータ電極
（セグメントライン）とによって、発光機能を有する有
機層が挟まれ、且つこれらがガラス等の透明な基板に形
成された構造を有する。

【０００５】有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、その電
極構成により、マトリクス電極構成の表示装置と、セグ
メント電極構成の表示装置とに大別される。マトリクス
電極構成の表示装置は、マトリクス状に配置された走査
電極およびデータ電極によって複数の画素（ドット）を
形成し、発光させる画素の組み合わせによってイメージ
やキャラクタ等の情報を表示するようになっている。セ
グメント電極構成の表示装置は、予め決められた形状お
よび大きさの独立した複数の表示素子を有し、駆動する
表示素子の組み合わせにより、所定のパターンを表示す
るようになっている。

【０００６】一方、表示装置の駆動方式には、各表示素
子をそれぞれ別個独立に駆動するスタティック駆動方式
と、複数の走査電極およびデータ電極を時分割駆動する
ダイナミック駆動方式とがある。スタティック駆動方式
は、主にセグメント電極構成の表示装置で用いられる。
マトリクス電極構成の表示装置では、通常、ダイナミッ
ク駆動方式が採用されている。このダイナミック駆動方
式には、電子注入電極を走査電極とし、ホール注入電極
をデータ電極として駆動する場合と、電子注入電極をデ
ータ電極とし、ホール注入電極を走査電極として駆動す
る場合との２つの駆動方式がある。

【０００７】ここで、図２０を参照して、マトリクス電
極構成で、ダイナミック駆動方式によって駆動する表示
装置の構成の一例について説明する。図２０では、電子
注入電極を走査電極とし、ホール注入電極をデータ電極
として駆動する場合の例を示している。この表示装置
は、有機ＥＬ表示器１０１と、走査電極駆動部１０２
と、データ電極駆動部１０３とを備えている。

【０００８】表示器１０１は、マトリクス状に配置され
た走査電極ＣＯＭ１〜ＣＯＭｎおよびデータ電極ＳＥＧ
１〜ＳＥＧｍと、これら走査電極とデータ電極が交差す
る部分に形成され、両電極に接続された複数の有機ＥＬ
素子ＥＬ_1,1〜ＥＬ_m,nを有している。なお、符号ＣＯＭ
ｘ（ｘ＝１〜ｎ）は、ｘ行目の走査電極を表し、符号Ｓ
ＥＧｙ（ｙ＝１〜ｍ）は、ｙ列目の走査電極を表し、符
号ＥＬ_x,yは、ｘ行、ｙ列目の有機ＥＬ素子を表してい
る。

【０００９】走査電極駆動部１０２は、表示器１０１の
走査電極ＣＯＭ１〜ＣＯＭｎに接続され、この走査電極
ＣＯＭ１〜ＣＯＭｎを駆動するようになっている。デー
タ電極駆動部１０３は、表示器１０１のデータ電極ＳＥ
Ｇ１〜ＳＥＧｍに接続され、このデータ電極ＳＥＧ１〜
ＳＥＧｍを駆動するようになっている。

【００１０】走査電極駆動部１０２は、ｎ個のスイッチ
ＳＷ１₁〜ＳＷ１_nを有している。各スイッチＳＷ１₁〜
ＳＷ１_nの可動接点は、それぞれ、走査電極ＣＯＭ１〜
ＣＯＭｎに接続されている。各スイッチＳＷ１₁〜ＳＷ
１_nの２つの固定接点のうちの一方の固定接点には、電
源電圧Ｖccが印加されている。各スイッチＳＷ１₁〜Ｓ
Ｗ１_nの他方の固定接点には、アース電位が印加されて
いる。走査電極駆動部１０２は、あるスイッチの可動接
点をアース電位側の固定接点に接続することで、そのス
イッチに接続された走査電極を選択状態にし、他のスイ
ッチの可動接点を電源電圧Ｖcc側の固定接点に接続する
ことで、他のスイッチに接続された走査電極を非選択状
態にする。走査電極駆動部１０２は、このような動作
を、スイッチＳＷ１₁からスイッチＳＷ１_nまで順次繰り
返して、線順次駆動を行う。

【００１１】データ電極駆動部１０３は、ｍ個のスイッ
チＳＷ２₁〜ＳＷ２_mを有している。各スイッチＳＷ２₁
〜ＳＷ２_mの可動接点は、それぞれ、データ電極ＳＥＧ₁
〜ＳＥＧ_mに接続されている。各スイッチＳＷ２₁〜ＳＷ
２_mの２つの固定接点のうちの一方の固定接点には、そ
れぞれ、定電流源Ｉ１〜Ｉｍの一端が接続されている。
定電流源Ｉ１〜Ｉｍの他端は、電源電圧Ｖccの電圧源１
０４を介して接地されている。各スイッチＳＷ２₁〜Ｓ
Ｗ２_mの他方の固定接点は、接地されている。データ電
極駆動部１０３は、走査電極駆動部１０２のスイッチＳ
Ｗ１₁〜ＳＷ１_nの動作に同期して、スイッチＳＷ２₁〜
ＳＷ２_mを動作させ、ある走査電極が選択状態のとき、
所望のデータ電極を定電流源に接続して選択状態とし、
他のデータ電極を接地して非選択状態とする。その結
果、選択状態の走査電極と選択状態のデータ電極とに接
続された有機ＥＬ素子に定電流が供給され、この有機Ｅ
Ｌ素子が発光する。

【００１２】走査電極駆動部１０２は、非選択状態の走
査電極には電源電圧Ｖccを印加する。また、データ電極
駆動部１０３は、非選択状態のデータ電極にはアース電
位（０Ｖ）を印加する。これにより、電流の回り込みに
よる誤発光が防止される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子を等価的な電気回路で表すと、図２１のようになる。
すなわち、有機ＥＬ素子は、ダイオード要素Ｄと寄生容
量Ｃｐとの並列回路として表される。従来の表示装置で
は、有機ＥＬ素子が寄生容量Ｃｐを有するため、以下で
説明するような２つの問題点がある。

【００１４】まず、第１の問題点について、走査電極Ｃ
ＯＭ１、ＣＯＭ２およびデータ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２
に着目し、有機ＥＬ素子ＥＬ_1,1、ＥＬ_1,2、ＥＬ_2,2を
発光させる場合を例にとって説明する。

【００１５】図２２は、上記の発光動作を行う場合の走
査電極およびデータ電極の状態の変化の一例を示したも
のである。この図において、（ａ）は走査電極ＣＯＭ１
の電圧の変化を示し、（ｂ）は走査電極ＣＯＭ２の電圧
の変化を示し、（ｃ）はデータ電極ＳＥＧ１の電圧の変
化を示し、（ｄ）はデータ電極ＳＥＧ２の電圧の変化を
示している。走査電極ＣＯＭ１、ＣＯＭ２の電圧は、選
択状態のときにローレベルとなり、データ電極ＳＥＧ
１、ＳＥＧ２の電圧は、選択状態のときにハイレベルと
なる。この例では、始めに、走査電極ＣＯＭ１が選択状
態となり、このとき、データ電極ＳＥＧ１は選択状態と
なり、データ電極ＳＥＧ２は非選択状態となる。次に、
走査電極ＣＯＭ２が選択状態となり、このとき、データ
電極ＳＥＧ１とデータ電極ＳＥＧ２が共に選択状態とな
る。

【００１６】図２３は、走査電極ＣＯＭ１が選択状態の
ときの有機ＥＬ素子の状態を表したものである。この図
では、有機ＥＬ素子については、寄生容量だけを示して
いる。この図に示したように、走査電極ＣＯＭ１が選択
状態のときには、データ電極ＳＥＧ１が選択状態になっ
ており、走査電極ＣＯＭ１とデータ電極ＳＥＧ１の交点
の有機ＥＬ素子ＥＬ_1,1は、順方向にバイアスされてい
るので発光している。データ電極ＳＥＧ１につながる他
の有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2〜ＥＬ_1,nは、対応する走査電極
に電源電圧Ｖccが印加されているので、寄生容量Ｃ_1,2
〜Ｃ_1,nには、電荷が蓄積されていない状態である。な
お、実際には、データ電極を定電流駆動させるために接
続している定電流源が、データ電極を流れる電流を一定
にするために、定電流源の両端にかかる電圧を調整する
ので、データ電極選択時にデータ電極ＳＥＧ１の電圧は
電源電圧Ｖccよりも低い電圧になっている。よって、有
機ＥＬ素子ＥＬ_1,2〜ＥＬ_1,nの寄生容量Ｃ_1,2〜Ｃ_1,nに
は有機ＥＬ素子の逆方向に電荷が若干蓄積されるが、説
明を簡素化するために、この若干蓄積されている電荷は
以下の説明では無視する。

【００１７】有機ＥＬ素子ＥＬ_2,1の寄生容量Ｃ_2,1は、
データ電極ＳＥＧ２と走査電極ＣＯＭ１が共にアース電
位になっているので、電荷は蓄積されていない。また、
有機ＥＬ素子ＥＬ_2,1の寄生容量Ｃ_2,1以外の、データ電
極ＳＥＧ２につながる寄生容量Ｃ_2,2〜Ｃ_2,nは、走査電
極に電源電圧Ｖccが接続されているので、逆方向に電荷
が蓄積されている。

【００１８】図２４は、選択される走査電極が、走査電
極ＣＯＭ１から走査電極ＣＯＭ２に変化するときの過渡
状態を示したものである。この図でも、有機ＥＬ素子に
ついては、寄生容量だけを示している。この図に示した
ように、データ電極ＳＥＧ１は、図２３に示した状態と
同様に選択状態であり、定電流源Ｉ１に接続されてい
る。有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2は、データ電極ＳＥＧ１と走
査電極ＣＯＭ２につながっているので選択状態である。
この有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2の寄生容量Ｃ_1,2には、図中の
矢印で示したように、定電流源Ｉ１からの電流が流れる
と共に、先程順方向にバイアスされていた有機ＥＬ素子
ＥＬ_1,1の寄生容量Ｃ_1,1を通して、走査電極ＣＯＭ１に
接続されている走査電極側の電源電圧Ｖccによっても電
流が流れる。これらの電流により、有機ＥＬ素子ＥＬ
_1,2の寄生容量Ｃ_1,2には、有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2の順方
向に電荷が蓄積され、有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2が発光す
る。

【００１９】また、有機ＥＬ素子ＥＬ_2,2も選択状態で
ある。しかし、定電流源Ｉ２からの電流は、矢印で示し
たように、有機ＥＬ素子ＥＬ_2,2の寄生容量Ｃ_2,2のみな
らず、有機ＥＬ素子の寄生容量Ｃ_2,3〜Ｃ_2,nの放電経路
にも流れてしまう。そのため、図２２の（ｃ），（ｄ）
に示したように、有機ＥＬ素子ＥＬ_2,2の寄生容量Ｃ_{2 ,2}
に順方向に電荷が蓄積され、データ電極ＳＥＧ２が安定
電位になるには、寄生容量Ｃ_1,2の場合、すなわち、デ
ータ電極ＳＥＧ１の場合に比べて時間がかかる。そのた
め、同じ選択状態であっても、有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2と
有機ＥＬ素子ＥＬ_2,2とを比較すると、有機ＥＬ素子Ｅ
Ｌ_1,2の方が発光輝度が大きくなってしまう。このよう
に、従来は、発光パターンに応じて画素毎の発光輝度に
差が生じ、表示装置の表示品位が著しく低下するという
第１の問題点があった。

【００２０】特に、有機ＥＬ素子は面発光素子であるた
め、寄生容量Ｃｐが大きく、表示器のサイズが大きくな
ればなるほど、上記のような発光パターンに応じた画素
毎の輝度の差が大きくなってしまう。

【００２１】なお、特開平９−２３２０７４号公報に
は、駆動電流の供給開始から発光するまでの立ち上がり
速度を速くするために、次の走査電極への切り換わり時
に、全ての走査電極を一旦同じ電位からなるリセット電
位に接続する技術が示されている。しかしながら、この
技術では、以下のような問題点がある。

【００２２】以下の説明では、全ての走査電極またはデ
ータ電極をリセット電位に接続する期間をリセット期間
と言う。上記公報には、走査電極の駆動に関してのみリ
セット期間を設ける例と、走査電極の駆動とデータ電極
の駆動の双方に関してリセット期間を設ける例とが示さ
れている。

【００２３】始めに、走査電極の駆動に関してのみリセ
ット期間を設ける場合について考える。まず、走査電極
が本来切り替わるタイミングよりも、選択状態から非選
択状態へ切り替わるタイミングだけを所定時間前にずら
すことによって、リセット期間を設定する場合には、改
善効果は見られない。次に、走査電極が本来切り替わる
タイミングよりも、非選択状態から選択状態へ切り替わ
るタイミングだけを所定時間遅らせることによって、リ
セット期間を設定する場合には、改善効果は見られる。
しかし、この場合には、発光させる素子が選択された瞬
間に、発光させる素子に対して、データ電極からのみな
らず、他の全ての走査電極に接続された電圧源からも電
流が流れ込む（特開平９−２３２０７４号公報の図３参
照）。そのため、発光させる素子が接続された走査電極
には、大きな突入電流が流れることになる。そのため、
走査電極に、この突入電流に対する対策を施す必要が生
じ、走査電極駆動部の回路が複雑になると共に規模が大
きくなってしまうという問題点がある。

【００２４】また、走査電極の駆動とデータ電極の駆動
の双方に関してリセット期間を設ける場合について考え
る。この場合も、上記の場合と同様に、発光させる素子
が接続された走査電極に大きな突入電流が流れることに
なるので、好ましくない。

【００２５】次に、第２の問題点について説明する。有
機ＥＬ素子は、２つの電極の間に有機材料が積層された
構造になっており、容量性の負荷である。そのため、有
機ＥＬ素子を定電圧で駆動する場合には、突入電流によ
って駆動回路が破壊されるという問題や、有機ＥＬ素子
の容量と電極等の抵抗とによって決まる時定数に従っ
て、電極の駆動電圧の立ち上がり時間や立ち下がり時間
が長くなるという問題が発生する。また、有機ＥＬ素子
を定電流で駆動する場合には、突入電流は抑制される
が、有機ＥＬ素子の駆動電圧の立ち上がり波形が鈍って
発光遅延が発生する等、一般に容量性の負荷を駆動する
際の様々な問題が起こる可能性がある。

【００２６】このように有機ＥＬ素子が容量性の負荷で
あることによる有機ＥＬ素子の問題点のうち、ここで
は、第２の問題点として、特にシャドーイングを挙げ
る。シャドーイングとは、ある領域における輝度が隣接
する領域の状態に応じて、本来の輝度から変化する現象
を言う。以下、このシャドーイングについて説明する。

【００２７】まず、図２５を参照して、シャドーイング
の一例について説明する。この図は、有機ＥＬ素子を用
いた表示装置における表示画面の一例を示している。図
２５において、縦方向は走査電極の配列方向、横方向は
データ電極の配列方向である。図２５に示した例では、
表示画面の縦方向のほぼ中央部分における複数の走査電
極に対応する領域において、ほぼ左側半分は有機ＥＬ素
子が発光しない非発光領域１１２になっており、ほぼ右
側半分は有機ＥＬ素子が発光する発光領域１１３となっ
ている。これらの領域１１２，１１３の上下の領域は、
各走査電極に接続された複数の有機ＥＬ素子がすべて発
光する発光領域１１１になっている。

【００２８】有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、
図２５に示したような図柄を表示すると、非発光領域１
１２における有機ＥＬ素子と同じ走査電極に接続された
発光領域１１３における有機ＥＬ素子の発光輝度が、発
光しない有機ＥＬ素子が存在しない発光領域１１１にお
ける走査電極に接続された有機ＥＬ素子の発光輝度に比
べて大きくなる現象（白抜け現象とも言う。）が発生す
る。この現象がシャドーイングの一例である。この現象
は、表示品位を著しく低下させる。

【００２９】図２５を参照して説明した現象は、任意の
走査電極において発光する有機ＥＬ素子の数が減るに従
い、その走査電極に接続された発光する有機ＥＬ素子の
クロストークが、その走査電極よりも発光する有機ＥＬ
素子の数が多い他の走査電極に接続された発光する有機
ＥＬ素子よりも大きくなり、その任意の走査電極に接続
された発光する有機ＥＬ素子の発光輝度が、他の走査電
極に接続された発光する有機ＥＬ素子の発光輝度よりも
明るくなる現象と言える。

【００３０】次に、シャドーイングが発生する原因のう
ちの２つについて説明する。なお、以下の説明では、走
査電極の電圧は、選択状態のときにローレベル（図では
Ｌと記す。）となり、非選択状態のときにハイレベル
（図ではＨと記す。）となり、逆に、データ電極の電圧
は、選択状態のときにハイレベルとなり、非選択状態の
ときにローレベルとなるものとする。

【００３１】まず、シャドーイングが発生する原因の１
つについて説明する。前述のように、有機ＥＬ素子は容
量性の負荷であることから、走査電極の立ち上がり時間
は、有機ＥＬ素子の容量と電極等の抵抗とによって決ま
る時定数に従って変化する。従って、走査電極の立ち上
がり時間は、走査電極側からみた容量の大きさによって
変化する。

【００３２】図２６は、有機ＥＬ素子の両端の電位差と
有機ＥＬ素子に蓄積される電荷の状態との関係を示した
ものである。図２６では、有機ＥＬ素子については、容
量成分だけに着目し、一端が走査電極（陰極）に接続さ
れ、他端がデータ電極（陽極）に接続されたコンデンサ
として表している。また、図２６では、走査電極やデー
タ電極に印加されるハイレベルの電圧を電源電圧Ｖccと
し、ローレベルの電圧をアース電位としている。なお、
有機ＥＬ素子の表示方法や、走査電極やデータ電極に印
加される電圧については、後で参照する図２７ないし図
２９においても第２６図と同様である。

【００３３】図２６に示したように、有機ＥＬ素子は、
走査電極が選択状態でデータ電極が選択状態のときには
順方向にバイアスされ、有機ＥＬ素子の両端には順方向
の電位差が生じ、有機ＥＬ素子には順方向に電荷が蓄積
される。また、有機ＥＬ素子は、走査電極が非選択状態
でデータ電極が非選択状態のときには逆方向にバイアス
され、有機ＥＬ素子の両端には逆方向の電位差が生じ、
有機ＥＬ素子には逆方向に電荷が蓄積される。また、有
機ＥＬ素子は、走査電極が選択状態でデータ電極が非選
択状態のとき、および走査電極が非選択状態でデータ電
極が選択状態のときには、順方向にも逆方向にもバイア
スされず、有機ＥＬ素子の両端には電位差が生じず、有
機ＥＬ素子には電荷が蓄積されない。

【００３４】次に、図２７を参照して、走査電極が選択
状態から非選択状態に変化するときに、データ電極の状
態によって有機ＥＬ素子に蓄積される電荷の状態がどの
ように推移するかについて説明する。

【００３５】図２７に示したように、走査電極が選択状
態から非選択状態に変化するときに、データ電極が選択
状態から非選択状態に変化する場合には、有機ＥＬ素子
に順方向に蓄積されていた電荷が放出された後、有機Ｅ
Ｌ素子に逆方向に電荷が蓄積される。また、走査電極が
選択状態から非選択状態に変化するときに、データ電極
が選択状態を維持する場合には、有機ＥＬ素子に順方向
に蓄積されていた電荷が放出される。また、走査電極が
選択状態から非選択状態に変化するときに、データ電極
が非選択状態から選択状態に変化する場合には、有機Ｅ
Ｌ素子の両端の電位差はゼロのまま変化せず、有機ＥＬ
素子に電荷が蓄積されない状態が維持される。また、走
査電極が選択状態から非選択状態に変化するときに、デ
ータ電極が非選択状態を維持する場合には、有機ＥＬ素
子に逆方向に電荷が蓄積される。

【００３６】このように、走査電極が選択状態から非選
択状態に変化するときに、データ電極が選択状態から非
選択状態に変化する場合と、データ電極が非選択状態を
維持する場合には、有機ＥＬ素子に電荷が蓄積されるの
で、走査電極の電圧の立ち上がり波形は、他の場合に比
べて鈍ってくる。このことから、任意の走査電極におい
て、非選択のデータ電極が多いほど、走査電極の電圧の
立ち上がり波形が鈍ってくることが分かる。このことを
示す例を、図２８および図２９を用いて説明する。説明
を簡素化するために、以下の説明では、１つの走査電極
に対して４つの有機ＥＬ素子を介して４つのデータ電極
が接続されているものとする。

【００３７】図２８は、走査電極が（ａ）に示した選択
状態から（ｂ）に示した非選択状態に変化するとき、４
つのデータ電極が全て選択状態を維持する場合を示して
いる。この場合には、４つの有機ＥＬ素子において、順
方向に蓄積されていた電荷が放出される。

【００３８】図２９は、走査電極が（ａ）に示した選択
状態から（ｂ）に示した非選択状態に変化するとき、１
つのデータ電極が選択状態を維持し、３つのデータ電極
が非選択状態を維持する場合を示している。この場合に
は、選択状態を維持する１つのデータ電極に接続された
有機ＥＬ素子において、順方向に蓄積されていた電荷が
放出され、非選択状態を維持する３つのデータ電極に接
続された有機ＥＬ素子において、逆方向に電荷が蓄積さ
れる。

【００３９】図２８と図２９を比較すると分かるよう
に、任意の走査電極において、非選択のデータ電極が多
いほど、すなわち発光しない有機ＥＬ素子が多いほど、
有機ＥＬ素子に逆方向に蓄積する電荷が多くなり、その
結果、走査電極の電圧の立ち上がり波形が鈍ってくる。

【００４０】図３０において、（ａ）は非選択のデータ
電極が少ない場合における走査電極の電圧の立ち上がり
波形を示し、（ｂ）は非選択のデータ電極が多い場合に
おける走査電極の電圧の立ち上がり波形を示している。
この図に示したように、非選択のデータ電極が多い場合
の方が、非選択のデータ電極が少ない場合に比べて、走
査電極の電圧の立ち上がり波形が鈍ってくる。その結
果、（ｂ）に示した非選択のデータ電極が多い場合にお
いて走査電極の電圧がゼロから一定の値に達するまでの
時間ｔ２は、（ａ）に示した非選択のデータ電極が少な
い場合において走査電極の電圧がゼロから一定の値に達
するまでの時間ｔ１よりも長くなる。

【００４１】有機ＥＬ素子は、データ電極と走査電極と
の間の電位差が所定のしきい値以上のときに発光する。
従って、図３０（ａ），（ｂ）に示したように、走査電
極の電圧の立ち上がり波形が鈍ると、走査電極が選択状
態から非選択期間に移行した後も、ある期間、データ電
極と走査電極との間の電位差がしきい値以上となり、有
機ＥＬ素子が発光する場合が生じる。このように、走査
電極が選択状態から非選択期間に移行した後も有機ＥＬ
素子が発光すると、その有機ＥＬ素子の発光輝度が増加
する。走査電極が選択状態から非選択期間に移行した後
に有機ＥＬ素子が発光する期間は、図３０（ａ），
（ｂ）における時間ｔ１，ｔ２が長くほど長くなる。従
って、任意の走査電極において、非選択のデータ電極が
多いほど、すなわち発光しない有機ＥＬ素子が多いほ
ど、その任意の走査電極に接続された発光する有機ＥＬ
素子の発光輝度が大きくなる。このようにして、図２５
に示したようなシャドーイングが発生する。

【００４２】次に、シャドーイングが発生する原因の他
の１つについて説明する。シャドーイングは、前述の走
査電極の電圧の立ち上がり波形の鈍りと、走査電極が選
択状態から非選択期間に移行する前後におけるデータ電
極の状態の推移の違いとに起因して有機ＥＬ素子の発光
輝度がばらつくことによっても発生する。この原因によ
って発生するシャドーイングは、ある走査電極に接続さ
れた有機ＥＬ素子の発光輝度が、隣接する走査電極に接
続された有機ＥＬ素子の状態の影響を受けて発生するた
め、現象的にはクロストークと言える。

【００４３】以下、図３１を参照して、シャドーイング
が発生する原因の他の１つについて詳しく説明する。図
３１は、走査電極およびデータ電極の状態の変化の一例
を示したものである。この図において、（ａ）は任意の
走査電極（１）の電圧の変化を示し、（ｂ）は走査電極
（１）の次の走査電極（２）の電圧の変化を示し、
（ｃ）は任意のデータ電極の電圧の変化を示している。
この例では、始めに、走査電極（１）が選択状態とな
り、このとき、データ電極は選択状態となる。次に、走
査電極（２）が選択状態となり、このとき、図３１
（ｃ）における実線で示す例では、データ電極は非選択
状態となる。

【００４４】走査電極（１）が選択状態から非選択期間
に移行する前後におけるデータ電極の状態の推移の態様
には、次の４つの態様がある。第１の態様は、データ電
極が選択状態から非選択状態に移行する態様である。図
３１（ｃ）において、実線は、第１の態様を示してい
る。第２の態様は、データ電極が選択状態を維持する態
様である。図３１（ｃ）において、破線は、第２の態様
を示している。第３の態様は、データ電極が非選択状態
を維持する態様である。第４の態様は、データ電極が非
選択状態から選択状態に移行する態様である。なお、デ
ータ電極が非選択状態から選択状態に移行する際と、選
択状態から非選択状態に移行する際には、走査電極の場
合と同様に、有機ＥＬ素子の容量と電極やスイッチング
素子等の抵抗とによって決まる時定数に従って、データ
電極の電圧の立ち上がり波形や立ち下り波形に鈍りが生
じる。

【００４５】以下、上述の第１の態様から第４の態様に
ついて、走査電極の電圧の立ち上がり波形の鈍りと、走
査電極が選択状態から非選択期間に移行する前後におけ
るデータ電極の状態の推移の違いとが、有機ＥＬ素子の
発光輝度に与える影響について説明する。

【００４６】第１の態様では、走査電極（１）の電圧の
立ち上がり波形とデータ電極の電圧の立ち下がり波形と
が共に鈍ることから、走査電極（１）が選択状態から非
選択期間に移行した後も、ある期間、データ電極と走査
電極（１）との間の電位差がしきい値以上となり、有機
ＥＬ素子が発光する。そのため、有機ＥＬ素子の発光輝
度が増加する。

【００４７】第２の態様では、データ電極の電圧がハイ
レベルを維持し、走査電極（１）の電圧の立ち上がり波
形が鈍るため、走査電極（１）が選択状態から非選択期
間に移行した後も、ある期間、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となり、有機ＥＬ
素子が発光する。そのため、有機ＥＬ素子の発光輝度が
増加する。

【００４８】ここで、第１の態様と第２の態様を比較す
ると、第１の態様ではデータ電極の電圧が立ち下がるの
に対し、第２の態様ではデータ電極の電圧がハイレベル
を維持するため、走査電極（１）が選択状態から非選択
期間に移行した後に、データ電極と走査電極（１）との
間の電位差がしきい値以上となる期間、すなわち有機Ｅ
Ｌ素子が発光する期間は、第１の態様に比べて第２の態
様の方が長くなる。従って、第１の態様に比べて第２の
態様の方が、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加が大きくな
る。

【００４９】第３の態様では、データ電極の電圧がロー
レベルを維持するため、走査電極（１）が選択状態から
非選択期間に移行した後に、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となることはな
く、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加はない。

【００５０】第４の態様では、走査電極（１）の電圧と
データ電極の電圧の双方が立ち上がる。従って、この場
合には、走査電極（１）の電圧の立ち上がり波形とデー
タ電極の電圧の立ち上がり波形のいずれが急峻かによっ
て、有機ＥＬ素子の発光輝度に与える影響が異なる。

【００５１】例えば、データ電極を定電圧で駆動する場
合には、データ電極の電圧の立ち上がり波形は、走査電
極（１）の電圧の立ち上がり波形よりも急峻になる。従
って、この場合には、走査電極（１）が選択状態から非
選択期間に移行した後も、ある期間、データ電極と走査
電極（１）との間の電位差がしきい値以上となって、有
機ＥＬ素子が発光し、有機ＥＬ素子の発光輝度が増加す
る場合がある。ただし、この場合は、第１の態様に比べ
て、走査電極（１）が選択状態から非選択期間に移行し
た後に、データ電極と走査電極（１）との間の電位差が
しきい値以上となる期間、すなわち有機ＥＬ素子が発光
する期間は極めて短く、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加
は極めて小さい。

【００５２】一方、データ電極を定電流で駆動する場合
には、データ電極の電圧の立ち上がり波形は、走査電極
（１）の電圧の立ち上がり波形よりも急峻にはならな
い。従って、この場合には、走査電極（１）が選択状態
から非選択期間に移行した後に、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となることはな
く、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加はない。

【００５３】このように、走査電極が選択状態から非選
択期間に移行する前後におけるデータ電極の状態の推移
の違いに応じて有機ＥＬ素子の発光輝度が異なることに
よってもシャドーイングが発生する。

【００５４】以上説明したようなシャドーイングに対し
て、従来は、以下のような対策が考えられていた。

【００５５】シャドーイングは、液晶ディスプレイ（以
下、ＬＣＤと記す。）でも起こることがよく知られてい
る。ＬＣＤにおけるシャドーイングの対策としては、従
来より、特開平４−１９１８２１号公報に示されるよう
な、同一走査電極上の電位のばらつきを検出して電位補
償を行う技術や、特開平１０−１１１６７０号公報に示
されるような、走査電極に与える信号電圧に補償電圧を
印可する技術等、多くの対策が提案されている。

【００５６】しかしながら、ＬＣＤにおけるシャドーイ
ングの原因は、同一走査電極上の電位のばらつきである
のに対し、有機ＥＬ表示装置におけるシャドーイングの
原因は、前述のように走査電極の電圧とデータ電極の電
圧の立ち上がりや立ち下りの波形の鈍り等である。従っ
て、ＬＣＤにおけるシャドーイングの対策を、有機ＥＬ
表示装置におけるシャドーイングの対策のためにそのま
ま転用するのは困難である。

【００５７】また、無機ＥＬ（薄膜ＥＬ）表示装置で
も、シャドーイングが起こることが知られている。無機
ＥＬ表示装置におけるシャドーイングは、発光画素の増
加に伴う負荷電流の増加によって、駆動回路のオン抵抗
によって電圧降下が生ずることが原因となって起こる。
従って、無機ＥＬ表示装置では、ある走査電極に接続さ
れたＥＬ素子のうち同時に発光するＥＬ素子が多いほ
ど、発光するＥＬ素子の輝度が低下する。

【００５８】無機ＥＬ表示装置におけるシャドーイング
の対策としては、駆動電圧補正制御回路を用いて電極に
一定ないしほぼ一定の電圧を印加する技術や、特開平２
−３５４９１号公報に示されるように、同様の技術を、
階調表示を行う表示装置で試みた技術がある。

【００５９】しかし、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ
素子の発光輝度は有機ＥＬ素子に流れる電流の電流密度
に依存する。そのため、有機ＥＬ表示装置では、定電流
駆動するか定電圧駆動するかにかかわらず、有機ＥＬ素
子に流れる電流の電流密度を等しくするように制御する
のが望ましい。従って、有機ＥＬ素子に定電流が流れる
ように駆動される有機ＥＬ表示装置におけるシャドーイ
ング対策としては、上記のような駆動電圧補正制御回路
を用いるだけでは不十分であると言える。

【００６０】また、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素
子が容量性の負荷であることから、シャドーイングの他
に、発光の立ち上がりの速度が遅くなるという問題点が
ある。これに対する対策として、第１の問題点の説明で
も挙げた特開平９−２３２０７４号公報には、走査電極
の切り換わり時に、全ての走査電極を一旦同じ電位から
なるリセット電位に接続するリセット期間を設ける技術
が示されている。そこで、この技術をシャドーイングの
対策に用いることも考えられる。

【００６１】しかしながら、定電流駆動するようにした
有機ＥＬ表示装置では、データ電極を定電流駆動させる
データ電極駆動回路は、データ電極を流れる電流を一定
にするように動作する。従って、このような有機ＥＬ表
示装置では、上述のように、走査電極をリセット電位に
接続するリセット期間を設けると、データ電極駆動回路
が、走査電極とデータ電極との間の電位差を拡大するよ
うに動作するため、リセット期間が本来の役割を果たさ
なくなる。従って、走査電極をリセット電位に接続する
リセット期間を設ける技術は、シャドーイングの対策と
しては不十分である。

【００６２】本発明は係る問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、簡単な構成で、発光パターンに応じて
画素毎の輝度に差が生じることや、シャドーイングが発
生することを防止できるようにした表示装置を提供する
ことにある。

【００６３】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数の走査電極と、この複数の走査電極と交差するように
設けられた１以上のデータ電極と、これら両電極が交差
する部分に配置されて両電極に接続され、両電極間の電
位差が所定のしきい値以上のときに発光する複数の発光
素子とを有する表示器と、走査電極を選択状態と非選択
状態とで異なる電位にすると共に、走査電極を順に選択
状態とするように走査電極を駆動する走査電極駆動手段
と、選択状態の走査電極と選択状態のデータ電極との間
の電位差がしきい値以上となるように、データ電極を選
択状態と非選択状態とで異なる電位にすると共に、デー
タ電極を任意に選択状態とするようにデータ電極を駆動
するデータ電極駆動手段とを備え、データ電極駆動手段
は、走査電極駆動手段によって選択状態とされる走査電
極が切り替わる際に、データ電極の電位を制御すること
によって、一時的に全ての走査電極と全てのデータ電極
との間の電位差をしきい値未満とするものである。

【００６４】本発明の表示装置では、走査電極駆動手段
によって選択状態とされた走査電極およびデータ電極駆
動手段によって選択状態とされたデータ電極が交差する
部分の発光素子にしきい値以上の電位差が与えられ、こ
の発光素子が発光する。データ電極駆動手段は、走査電
極駆動手段によって選択状態とされる走査電極が切り替
わる際に、データ電極の電位を制御することによって、
一時的に全ての走査電極と全てのデータ電極との間の電
位差をしきい値未満とする。

【００６５】本発明の表示装置において、データ電極駆
動手段は、例えば、データ電極の電位をデータ電極の非
選択状態における電位とすることによって、一時的に全
ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差をしき
い値未満とする。

【００６６】また、本発明の表示装置において、データ
電極駆動手段は、例えば、データ電極駆動手段は、走査
電極駆動手段によって選択状態とされる走査電極が切り
替わった後に、一時的に全ての走査電極と全てのデータ
電極との間の電位差をしきい値未満とするために、所定
の期間だけ全てのデータ電極を非選択状態とする。

【００６７】また、本発明の表示装置において、データ
電極駆動手段は、例えば、走査電極駆動手段によって選
択状態とされる走査電極が切り替わる前に、一時的に全
ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差をしき
い値未満とするために、所定の期間だけ全てのデータ電
極を非選択状態とする。

【００６８】また、本発明の表示装置において、データ
電極駆動手段は、例えば、走査電極駆動手段によって選
択状態とされる走査電極が切り替わる前と切り替わった
後とにおいて、一時的に全ての走査電極と全てのデータ
電極との間の電位差をしきい値未満とするために、所定
の期間だけ全てのデータ電極を非選択状態とする。

【００６９】また、本発明の表示装置において、データ
電極駆動手段は、例えば、選択状態ではデータ電極に定
電流を供給し、非選択時にはデータ電極に所定の電位を
印加する。

【００７０】また、本発明の表示装置において、発光素
子は、例えば有機エレクトロルミネセント素子である。

【００７１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る表示装置の要部の構成を示す回路図である。本
実施の形態に係る表示装置は、有機ＥＬ表示器１と、走
査電極駆動部２と、データ電極駆動部３とを備えてい
る。本実施の形態では、表示器１がマトリクス電極構成
で、ダイナミック駆動方式によって駆動するようになっ
ている。また、本実施の形態では、電子注入電極を走査
電極とし、ホール注入電極をデータ電極として駆動する
ようになっている。有機ＥＬ表示器１は本発明における
表示器に対応し、走査電極駆動部２は本発明における走
査電極駆動手段に対応し、データ電極駆動部３は本発明
におけるデータ電極駆動手段に対応する。

【００７２】有機ＥＬ表示器１は、マトリクス状に配置
された走査電極ＣＯＭ１〜ＣＯＭｎおよびデータ電極Ｓ
ＥＧ１〜ＳＥＧｍと、これら走査電極とデータ電極が交
差する部分に形成され、両電極に接続された複数の発光
素子としての有機ＥＬ素子ＥＬ_1,1〜ＥＬ_m,nを有してい
る。有機ＥＬ素子は、その有機ＥＬ素子に接続された走
査電極とデータ電極との間の電位差が所定のしきい値以
上のときに発光する。なお、符号ＣＯＭｘ（ｘ＝１〜
ｎ）は、ｘ行目の走査電極を表し、符号ＳＥＧｙ（ｙ＝
１〜ｍ）は、ｙ列目の走査電極を表し、符号ＥＬ
_x,yは、ｘ行、ｙ列目の有機ＥＬ素子を表している。な
お、有機ＥＬ素子を等価的な電気回路で表すと、図２１
のようになる。

【００７３】走査電極駆動部２は、表示器１の走査電極
ＣＯＭ１〜ＣＯＭｎに接続され、走査電極ＣＯＭ１〜Ｃ
ＯＭｎを順に選択状態とするように、走査電極ＣＯＭ１
〜ＣＯＭｎを駆動するようになっている。データ電極駆
動部３は、表示器１のデータ電極ＳＥＧ１〜ＳＥＧｍに
接続され、データ電極ＳＥＧ１〜ＳＥＧｍを、任意に、
定電流を供給する選択状態とするようにデータ電極ＳＥ
Ｇ１〜ＳＥＧｍを駆動するようになっている。

【００７４】走査電極駆動部２は、ｎ個のスイッチＳＷ
１₁〜ＳＷ１_nを有している。各スイッチＳＷ１₁〜ＳＷ
１_nの可動接点は、それぞれ、走査電極ＣＯＭ１〜ＣＯ
Ｍｎに接続されている。各スイッチＳＷ１₁〜ＳＷ１_nの
２つの固定接点のうちの一方の固定接点には電源電圧Ｖ
ccが印加されている。各スイッチＳＷ１₁〜ＳＷ１_nの他
方の固定接点にはアース電位が印加されている。走査電
極駆動部２は、あるスイッチの可動接点をアース電位側
の固定接点に接続することで、そのスイッチに接続され
た走査電極にアース電位を印加して、その走査電極を選
択状態にする。また、走査電極駆動部２は、他のスイッ
チの可動接点を電源電圧Ｖcc側の固定接点に接続するこ
とで、他のスイッチに接続された走査電極に電源電圧Ｖ
ccを印加して、その走査電極を非選択状態にする。走査
電極駆動部２は、このような動作を、スイッチＳＷ１₁
からスイッチＳＷ１_nまで順次繰り返して、線順次駆動
を行う。

【００７５】データ電極駆動部３は、ｍ個のスイッチＳ
Ｗ２₁〜ＳＷ２_mを有している。各スイッチＳＷ２₁〜Ｓ
Ｗ２_mの可動接点は、それぞれ、データ電極ＳＥＧ₁〜Ｓ
ＥＧ_mに接続されている。各スイッチＳＷ２₁〜ＳＷ２_m
の２つの固定接点のうちの一方の固定接点には、それぞ
れ、定電流源Ｉ１〜Ｉｍの一端が接続されている。定電
流源Ｉ１〜Ｉｍの他端は、電源電圧Ｖccの電圧源４を介
して接地されている。各スイッチＳＷ２₁〜ＳＷ２_mの他
方の固定接点は接地されている。データ電極駆動部３
は、走査電極駆動部２のスイッチＳＷ１₁〜ＳＷ１_nの動
作に同期して、スイッチＳＷ２₁〜ＳＷ２_mを動作させ、
ある走査電極が選択状態のとき、所望のデータ電極を定
電流源に接続することで、そのデータ電極にアース電位
以外の所定の電位を印加して、そのデータ電極を選択状
態とする。また、データ電極駆動部３は、選択状態とす
るデータ電極以外のデータ電極を接地することで、その
データ電極にアース電位を印加して、そのデータ電極を
非選択状態とする。選択状態のデータ電極に印加される
電位は、選択状態の走査電極との間の電位差がしきい値
以上となるような大きさの電位である。その結果、選択
状態の走査電極と選択状態のデータ電極との間にしきい
値以上の電位差が与えられ、且つ選択状態の走査電極と
選択状態のデータ電極とに接続された有機ＥＬ素子に定
電流が供給されて、この有機ＥＬ素子が発光する。

【００７６】走査電極駆動部２は、非選択状態の走査電
極には電源電圧Ｖccを印加する。また、データ電極駆動
部３は、非選択状態のデータ電極にはアース電位（０
Ｖ）を印加する。これにより、電流の回り込みによる誤
発光が防止される。

【００７７】図２は、本実施の形態に係る表示装置の全
体の構成の一例を示すブロック図である。本実施の形態
に係る表示装置は、有機ＥＬ表示器１、走査電極駆動部
２およびデータ電極駆動部３の他に、有機ＥＬ表示器１
に表示するデータや、表示に関するデータを出力する主
制御部４と、この主制御部４から与えられる表示データ
に応じて、有機ＥＬ表示器１の走査電極を駆動するため
の信号である走査電極駆動信号と有機ＥＬ表示器１のデ
ータ電極を駆動するための信号であるデータ電極駆動信
号とを生成し、走査電極駆動信号を走査電極駆動部２に
出力し、データ電極駆動信号をデータ電極駆動部３に出
力する表示制御部５と、この表示制御部５に接続され、
主制御部４等から与えられる表示データをマトリクスデ
ータやビットマップデータ等に展開するために必要なデ
ータや、予め決められた表示内容のデータ等を格納する
表示データ記憶部６とを備えている。

【００７８】主制御部４は、有機ＥＬ表示器１に表示さ
せる表示データを表示制御部５に与えたり、表示データ
記憶部６に記憶されている表示データを指定したり、表
示に必要なタイミングや制御データを表示制御部５に与
えたりする。主制御部４は、通常、汎用のＭＰＵ（マイ
クロプロセッサ）と、このＭＰＵと接続されている記憶
媒体（ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＲＡＭ（ランダ
ムアクセスメモリ）等）に格納されれた制御アルゴリズ
ム等によって実現することができる。また、主制御部４
としては、プロセッサの態様を問わずに、ＣＩＳＣ（Co
mplex Instruction Set Computer）、ＲＩＳＣ（Reduce
d Instruction Set Computer）、ＤＳＰ（Digital Sign
al Processor）等の種々のプロセッサが使用可能であ
る。また、主制御部４は、その他、ＡＳＩＣ（Applicat
ion Specified Integrated Circuit）等、論理回路を組
み合わたもの等によって構成してもよい。また、図２で
は、主制御部４を独立に設けているが、主制御部４を、
表示制御部５や、表示器１が備え付けられる装置の制御
部等と一体としてもよい。

【００７９】表示制御部５は、主制御部４等から与えら
れる表示データ等を解析し、必要に応じて表示データ記
憶部６に格納されている表示データを検索して、それら
の表示データを有機ＥＬ表示器１上の所定の位置に表示
させるためのマトリクスデータ等に変換する。すなわ
ち、表示制御部５は、表示する画像（イメージまたはキ
ャラクタ）のデータを、有機ＥＬ表示器１における各マ
トリクスの交点に与えられるドット（画素）すなわち有
機ＥＬ素子を単位としたドットデータとした場合に、表
示するドットの座標に対応した走査電極とデータ電極を
駆動するような信号を発生する。また、表示制御部５
は、フレーム単位の駆動の制御や、走査電極とデータ電
極の駆動比（デューティ）の制御等も行う。

【００８０】表示制御部５は、例えば、所定の演算機能
を有するプロセッサや複合論理回路等を用いた制御回路
と、この制御回路が外部の主制御部４等との間でデータ
の授受を行う際に用いられるバッファメモリと、制御回
路に対して、タイミング信号や、表示タイミング信号
や、外部記憶装置等への読み出し、書き込みタイミング
信号等を与えるタイミング信号発生回路（発振回路）
と、外部記憶装置との間で表示データ等の授受を行うた
めの記憶装置制御回路と、外部記憶装置から読み出した
り外部から与えられた表示データや、このような表示デ
ータを加工することにより得られた表示データに基づい
て駆動信号を生成し、送出する駆動信号送出回路と、外
部から与えられる、表示機能や表示させる表示器等に関
するデータや、制御コマンド等を格納する各種レジスタ
等によって構成することができる。

【００８１】表示データ記憶部６は、例えば、外部から
与えられた画像データを表示器１上にマトリクスデータ
等に展開するために必要なデータ（変換テーブル）や、
所定のキャラクタデータやイメージデータが展開された
マトリクスデータ等を格納し、必要に応じて各データの
格納位置（アドレス）を指定することにより読み出しや
書き込みが可能なようになっている。このような、表示
データ記憶部６としては、ＲＡＭ（例えばＶ（ビデオ）
ＲＡＭ）、ＲＯＭ等の半導体記憶素子を用いるのが好ま
しいが、これに限定されるものではなく、光や磁気を利
用した記憶媒体を用いてもよい。

【００８２】走査電極駆動部２およびデータ電極駆動部
３は、それぞれ、表示制御部５から与えられた走査電極
駆動信号、データ電極駆動信号に応じて、走査電極、デ
ータ電極を駆動する。有機ＥＬ表示器１を構成する有機
ＥＬ素子は、電流駆動により発光する発光素子である。
このため、走査電極駆動部２およびデータ電極駆動部３
は、他の種類の表示装置では通常、電圧信号として与え
られる走査電極駆動信号およびデータ電極駆動信号を、
所定の電流値の信号に変換し、これを所定の走査電極、
データ電極に与えることにより、この走査電極、データ
電極を駆動する。駆動電流の大きさは、データ側が通
常、０．００１〜１ｍＡ程度、走査側が通常、０．００
１〜３００ｍＡ程度である。

【００８３】より具体的に説明すると、走査電極駆動部
２およびデータ電極駆動部３は、例えば、必要な電流容
量を有する電圧−電流変換素子あるいは増幅素子（電力
増幅）等を用いて、所定の位置の走査電極、データ電極
を駆動する。このような駆動回路は、プッシュプル回路
等を用いて構成することができる。

【００８４】データ電極駆動部３には、データ電極を電
流駆動するために、定電流源を設ける必要がある。この
定電流源は、一般に、カレントミラー回路等を用いて構
成することができる。カレントミラー回路を定電流で駆
動させるためには、負荷にかかる電圧以上の電圧で駆動
しなければならない。ここでいう負荷とは、発光時の有
機ＥＬ素子の抵抗と配線抵抗とスイッチのオン抵抗等の
合成抵抗である。

【００８５】電圧−電流変換素子あるいは増幅素子とし
ては、リレー等の有接点デバイスを用いることも考えら
れるが、動作の高速性、信頼性等を考慮すると、トラン
ジスタ、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）およびこれら
と同等の機能を有する半導体素子が好ましい。また、こ
れらの半導体素子は集積回路となってもよい。これらの
半導体素子を用いる場合には、半導体素子の電源側また
は接地側のいずれかに走査電極、データ電極を接続す
る。ここで、電源側、接地側に接続するというのは、直
接、電圧源や電流源、接地ラインに接続する場合の他
に、電流制限抵抗、保護用デバイス、レギュレータ等の
素子を介して接続する場合も含まれる。

【００８６】有機ＥＬ表示器１では、複数の走査電極お
よび複数のデータ電極が交差するように配置され、２つ
の任意の電極間に与えられる駆動信号により、この２つ
の電極に接続された特定の画素（有機ＥＬ素子）が発光
するようになっている。表示器１の走査電極数やデータ
電極数は、その表示器１の大きさや精細度により適宜決
められるが、通常、走査電極数は１〜７６８本、データ
電極数は１〜３０７２本程度である。

【００８７】以上説明したような回路構成は、有機ＥＬ
表示器１を駆動するための回路構成の一例にすぎず、同
等な機能を有するものであれば他の回路構成をとること
も可能である。また、表示制御部、走査電極駆動部およ
びデータ電極駆動部等を明確に分割せずに、これらが渾
然一体となった構成であってもよい。なお、以上説明し
たような回路装置は、通常、１種または２種以上のＩＣ
およびその周辺部品として構成される。

【００８８】次に、図３ないし図６を参照して、本実施
の形態に係る表示装置における特徴部分の動作について
説明する。

【００８９】図２２に示したような従来の駆動方法で
は、選択状態とされる走査電極が切り替わる際に、各デ
ータ電極につながる有機ＥＬ素子の容量の電荷蓄積状態
が、データ電極によって異なっていた。そのため、デー
タ電極によって電流の流れる経路に違いが生じ、その結
果、データ電極によって電圧の立ち上がりに違いが生じ
て、有機ＥＬ素子によって発光輝度に差が生じていた。

【００９０】本実施の形態では、選択状態とされる走査
電極が切り替わる際に、全てのデータ電極について、各
データ電極につながる有機ＥＬ素子の容量の電荷蓄積状
態を同一にすることにより、全てのデータ電極で電流の
流れる経路を同様にする。これにより、全てのデータ電
極で電圧の立ち上がりも同様になり、有機ＥＬ素子によ
る輝度の差をなくし、全ての有機ＥＬ素子を均一な発光
状態にすることができる。

【００９１】本実施の形態では、選択状態とされる走査
電極が切り替わる際に、全てのデータ電極について、各
データ電極につながる有機ＥＬ素子の容量の電荷蓄積状
態を同一にするために、選択状態とされる走査電極が切
り替わる際に、データ電極の電位を制御することによっ
て、一時的に全ての走査電極と全てのデータ電極との間
の電位差をしきい値未満とする。本実施の形態では、選
択状態とされる走査電極が切り替わる際に、所定の期間
だけ全てのデータ電極を非選択状態とすることによっ
て、一時的に全ての走査電極と全てのデータ電極との間
の電位差をしきい値未満とする。以下、選択状態とされ
る走査電極が切り替わる際に全てのデータ電極を非選択
状態とする期間を、全データ電極非選択期間と言う。

【００９２】ここで、全データ電極非選択期間は、選択
状態とされる走査電極が切り替わった後に設けてもよい
し、選択状態とされる走査電極が切り替わる前に設けて
もよいし、選択状態とされる走査電極が切り替わった後
と切り替わる前の両方に設けてもよい。つまり、ある走
査電極を駆動してから次の走査電極を駆動するまでの間
に、全てのデータ電極が非選択状態となる期間が存在す
ればよい。本実施の形態は、全データ電極非選択期間
を、選択状態とされる走査電極が切り替わった後に設け
た例である。

【００９３】全データ電極非選択期間では、データ電極
駆動部３は、各データ電極に非選択時の電位であるアー
ス電位（０Ｖ）を印加する。このような全データ電極非
選択期間は、表示制御部５が、走査電極の駆動信号およ
びデータ電極の駆動信号を生成する際に設定するのが好
ましい。

【００９４】以下、走査電極ＣＯＭ１、ＣＯＭ２および
データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２に着目し、有機ＥＬ素子
ＥＬ_1,1、ＥＬ_1,2、ＥＬ_2,2を発光させる場合を例にと
って説明する。

【００９５】図３は、本実施の形態における走査電極お
よびデータ電極の状態の変化の一例を示したものであ
る。この図において、（ａ）は走査電極ＣＯＭ１の電圧
の変化を示し、（ｂ）は走査電極ＣＯＭ２の電圧の変化
を示し、（ｃ）はデータ電極ＳＥＧ１の電圧の変化を示
し、（ｄ）はデータ電極ＳＥＧ２の電圧の変化を示して
いる。走査電極ＣＯＭ１、ＣＯＭ２の電圧は、選択状態
のときにローレベルとなり、データ電極ＳＥＧ１、ＳＥ
Ｇ２の電圧は、選択状態のときにハイレベルとなる。こ
の例では、始めに、走査電極ＣＯＭ１が選択状態とな
り、このとき、データ電極ＳＥＧ１は選択状態となり、
データ電極ＳＥＧ２は非選択状態となる。次に、走査電
極ＣＯＭ２が選択状態となり、このとき、データ電極Ｓ
ＥＧ１とデータ電極ＳＥＧ２が共に選択状態となる。本
実施の形態では、（ｃ）および（ｄ）に示したように、
選択状態とされる走査電極が切り替わった後に、全デー
タ電極非選択期間Ｔを設けている。その結果、データ電
極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２の電圧の立ち上がりが同様になっ
ている。

【００９６】図４は、走査電極ＣＯＭ１が選択状態のと
きの有機ＥＬ素子の状態を表したものである。この図で
は、有機ＥＬ素子については、容量成分だけに着目し、
一端が走査電極に接続され、他端がデータ電極に接続さ
れたコンデンサとして表している。この図に示したよう
に、走査電極ＣＯＭ１が選択状態のときには、データ電
極ＳＥＧ１が選択状態になっており、走査電極ＣＯＭ１
とデータ電極ＳＥＧ１の交点の有機ＥＬ素子ＥＬ
_1,1は、順方向にバイアスされているので発光してい
る。データ電極ＳＥＧ１につながる他の有機ＥＬ素子Ｅ
Ｌ_1,2〜ＥＬ_1,nは、対応する走査電極に電源電圧Ｖccが
印加されているので、容量Ｃ_1,2〜Ｃ_1,nには、電荷が蓄
積されていない状態である。

【００９７】図５は、選択される走査電極が走査電極Ｃ
ＯＭ１から走査電極ＣＯＭ２に変化した後の全データ電
極非選択期間Ｔにおける過渡的な電流の流れを示したも
のである。この図でも、有機ＥＬ素子をコンデンサとし
て表している。この図に示したように、全データ電極非
選択期間Ｔでは、全てのデータ電極にアース電位が印加
される。有機ＥＬ素子ＥＬ_1,3〜ＥＬ_1,nの容量Ｃ_1,3〜
Ｃ_1,nでは、図４の状態では電荷が蓄積されていない状
態であったので、データ電極ＳＥＧ１がアース電位にな
った瞬間に、図中の矢印で示したように、有機ＥＬ素子
の逆方向に電荷を蓄積するための電流が流れる。また、
有機ＥＬ素子ＥＬ_1,1の容量Ｃ_1,1では、図４の状態では
有機ＥＬ素子の順方向に電荷が蓄積されていたので、そ
の電荷を放電させ、なおかつ有機ＥＬ素子の逆方向に電
荷を蓄積するための電流が流れる。有機ＥＬ素子ＥＬ
_1,2の容量Ｃ_1,2は、有機ＥＬ素子の順方向に、データ電
極ＳＥＧ１につながる他の有機ＥＬ素子の容量からの電
流が流れる。

【００９８】一方、有機ＥＬ素子ＥＬ_2,1の容量Ｃ_2,1で
は、図４の状態では電荷が蓄積されていない状態であっ
たので、図５に示したように、走査電極ＣＯＭ１の印加
電位が電源電圧Ｖccに切り替わったことにより、有機Ｅ
Ｌ素子の逆方向に電荷を蓄積するための電流が流れる。

【００９９】そして、ある一定時間が経過すると、上述
の過渡的な電流は流れなくなり、有機ＥＬ素子の容量
に、図５に示したように電荷が蓄積された安定状態にな
る。このとき、データ電極ＳＥＧ１につながる全ての有
機ＥＬ素子の容量の電荷蓄積状態は、データ電極ＳＥＧ
２につながる全ての有機ＥＬ素子の容量の電荷蓄積状態
と同じである。

【０１００】図６は、全データ電極非選択期間Ｔの後に
データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２が選択状態となったとき
の電流の流れを示したものである。この図でも、有機Ｅ
Ｌ素子をコンデンサとして表している。この図に示した
ように、データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２が選択状態とな
ったとき、データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２の電圧の立ち
上がりはほぼ同じになる。従って、有機ＥＬ素子ＥＬ
_1,2、ＥＬ_2,2に輝度差はなくなる。

【０１０１】本実施の形態において、全データ電極非選
択期間Ｔの時間は、通常、１０ｎｓ〜１ｍｓ程度であ
り、好ましくは、１μｓ〜１００μｓ程度である。な
お、上記説明ではデータ電極を非選択状態にして、有機
ＥＬ素子の容量に電流が流れない安定状態になってか
ら、データ電極を選択状態にするように述べたが、有機
ＥＬ素子の輝度差が問題とならないレベルであれば、安
定状態になる前にデータ電極を選択状態にするように全
データ電極非選択期間を設定しても構わない。

【０１０２】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、選択状態とされる走査電極が切り替わる際に、全デ
ータ電極非選択期間を設定し、この全データ電極非選択
期間の間、全てのデータ電極を非選択状態としたので、
選択状態とされる走査電極が切り替わる際に、全てのデ
ータ電極について、各データ電極につながる有機ＥＬ素
子の容量の電荷蓄積状態を同一にすることができ、デー
タ電極の駆動信号を工夫しただけの簡単な構成で、発光
パターンに応じて画素毎の輝度に差が生じることを防止
することができる。

【０１０３】本実施の形態に係る表示装置は、例えば、
電子レンジ、電気炊飯器、エアコンディショナ、ビデオ
機器、オーディオ機器等の家電製品における表示器や、
自動車、二輪車における速度計、回転計、ナビゲーショ
ンシステム等の各種表示器や、各種航空機、管制施設等
に用いられる各種計器等に好適に使用される。

【０１０４】［第２の実施の形態］次に、図７ないし図
１０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る表示
装置について説明する。本実施の形態は、選択状態とさ
れる走査電極が切り替わる際に、全てのデータ電極につ
いて、各データ電極につながる有機ＥＬ素子の容量の電
荷蓄積状態を同一にするために、全データ電極非選択期
間を、選択状態とされる走査電極が切り替わる前に設け
た例である。

【０１０５】以下、第１の実施の形態と同様に、走査電
極ＣＯＭ１、ＣＯＭ２およびデータ電極ＳＥＧ１、ＳＥ
Ｇ２に着目し、有機ＥＬ素子ＥＬ_1,1、ＥＬ_1,2、ＥＬ
_2,2を発光させる場合を例にとって説明する。

【０１０６】図７は、本実施の形態における走査電極お
よびデータ電極の状態の変化の一例を示したものであ
る。この図において、（ａ）は走査電極ＣＯＭ１の電圧
の変化を示し、（ｂ）は走査電極ＣＯＭ２の電圧の変化
を示し、（ｃ）はデータ電極ＳＥＧ１の電圧の変化を示
し、（ｄ）はデータ電極ＳＥＧ２の電圧の変化を示して
いる。本実施の形態では、（ｃ）および（ｄ）に示した
ように、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前
に、全データ電極非選択期間Ｔを設けている。その結
果、データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２の電圧の立ち上がり
が同様になっている。

【０１０７】図８は、走査電極ＣＯＭ１が選択状態のと
きの有機ＥＬ素子の状態を表したものである。この図で
は、有機ＥＬ素子については、容量成分だけに着目し、
一端が走査電極に接続され、他端がデータ電極に接続さ
れたコンデンサとして表している。この図に示したよう
に、走査電極ＣＯＭ１が選択状態のときには、データ電
極ＳＥＧ１が選択状態になっており、走査電極ＣＯＭ１
とデータ電極ＳＥＧ１の交点の有機ＥＬ素子ＥＬ
_1,1は、順方向にバイアスされているので発光してい
る。データ電極ＳＥＧ１につながる他の有機ＥＬ素子Ｅ
Ｌ_1,2〜ＥＬ_1,nは、対応する走査電極に電源電圧Ｖccが
印加されているので、容量Ｃ_1,2〜Ｃ_1,nには、電荷が蓄
積されていない状態である。

【０１０８】図９は、選択される走査電極が走査電極Ｃ
ＯＭ１から走査電極ＣＯＭ２に変化する直前の全データ
電極非選択期間Ｔにおける過渡的な電流の流れを示した
ものである。この図でも、有機ＥＬ素子をコンデンサと
して表している。この図に示したように、全データ電極
非選択期間Ｔでは、全てのデータ電極にアース電位が印
加される。有機ＥＬ素子ＥＬ_1,2〜ＥＬ_1,nの容量Ｃ_1,2
〜Ｃ_1,nでは、図８の状態では電荷が蓄積されていない
状態であったので、データ電極ＳＥＧ１がアース電位に
なった瞬間に、図中の矢印に示したように、有機ＥＬ素
子の逆方向に電荷を蓄積するための電流が流れる。有機
ＥＬ素子ＥＬ_1,1の容量Ｃ_1,1では、図８の状態で順方向
に電荷が蓄積されていたので、データ電極ＳＥＧ１がア
ース電位になった瞬間に、その電荷を放電するための電
流が有機ＥＬ素子の逆方向に流れる。また、有機ＥＬ素
子ＥＬ_1,1の容量Ｃ_1,1には、順方向にも有機ＥＬ素子Ｅ
Ｌ_{1, 2}〜ＥＬ_1,nの容量Ｃ_1,2〜Ｃ_1,nからの電流が流れ
る。データ電極ＳＥＧ２には変化がない。

【０１０９】そして、ある一定時間が経過すると、上述
の過渡的な電流は流れなくなり、有機ＥＬ素子の容量
に、図９に示したように電荷が蓄積された安定状態にな
る。このとき、データ電極ＳＥＧ１につながる有機ＥＬ
素子の容量の電荷蓄積状態は、データ電極ＳＥＧ２につ
ながる有機ＥＬ素子の容量の電荷蓄積状態と同じであ
る。

【０１１０】図１０は、全データ電極非選択期間Ｔの後
にデータ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２が選択状態となったと
きの電流の流れを示したものである。この図でも、有機
ＥＬ素子をコンデンサとして表している。この図に示し
たように、データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２が選択状態と
なったとき、データ電極ＳＥＧ１、ＳＥＧ２の電圧の立
ち上がりはほぼ同じになる。従って、有機ＥＬ素子ＥＬ
_1,2、ＥＬ_2,2に輝度差はなくなる。

【０１１１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１１２】ところで、特開平９−２３２０７４号公報
に示されたように、走査電極の駆動に関してリセット期
間を設ける場合には、走査電流に大きな突入電流が流れ
るため、この突入電流に対する対策が必要となる。これ
に対し、本発明の第１および第２の各実施の形態によれ
ば、この突入電流に対する対策が不要となる。以下、こ
のことを詳しく説明する。

【０１１３】まず、第１の実施の形態のように、全デー
タ電極非選択期間を、選択状態とされる走査電極が切り
替わった後に設けた場合には、図６に示したように、デ
ータ電極が選択されたときに、発光させる素子には、そ
の素子に接続された定電流源からしか電流が流れ込まな
いので、走査電極に、突入電流に対する対策は必要な
い。

【０１１４】また、第２の実施の形態のように、全デー
タ電極非選択期間を、選択状態とされる走査電極が切り
替わる前に設けた場合には、図１０に示したように、デ
ータ電極が選択されたときに、発光させる素子には、そ
の素子に接続された定電流源からのみならず、発光させ
る素子の１つ前の走査電極に接続された電圧源からも電
流が流れ込む。しかし、発光させる素子の１つ前の走査
電極に接続された電圧源から流れ込む電流は、走査電極
の駆動に関してリセット期間を設けた場合に、発光させ
る素子が接続された走査電極以外の他の全ての走査電極
に接続された電圧源から流れ込む電流に比べると非常に
小さくなる。例えば、走査電極が１００本あれば、前者
は後者の１／９９となる。従って、走査電極に、突入電
流に対する対策は必要ない。

【０１１５】このように、本実施の形態によれば、走査
電極に、突入電流に対する対策を施す必要がないので、
走査電極駆動部２の回路が複雑になったり、規模が大き
くなったりすることがない。

【０１１６】次に、図１１を参照して、第１の実施の形
態および第２の実施の形態に係る表示装置で使用される
有機ＥＬ表示器の構成の一例について説明する。図１１
は、有機ＥＬ表示器の構成の一例を示す説明図である。
この例における有機ＥＬ表示器１は、基板１１上にマト
リクス状に配置されたホール注入電極（データ電極）１
２と電子注入電極（走査電極）１６との間に、少なくと
も発光機能に関与する有機物を含有する有機層を有する
ものである。詳しく説明すると、有機ＥＬ表示器１は、
例えば、ホール注入電極１２と電子注入電極１６との間
に、ホール注入電極１２側から順に、有機層であるホー
ル注入輸送層１３、発光層１４および電子注入輸送層１
５が積層され、必要に応じて更に保護層が積層され、更
にこれらの上にガラス等の封止板を配置した構成を有す
る。有機ＥＬ素子は、ホール注入電極１２と電子注入電
極１６の交差部分に形成される。

【０１１７】発光層１４は、ホール（正孔）および電子
の注入機能と、それらの輸送機能と、ホールと電子の再
結合により励起子を生成させる機能とを有する。発光層
１４には、比較的電子的にニュートラルな化合物を用い
ることが好ましい。

【０１１８】ホール注入輸送層１３は、ホール注入電極
１２からのホールの注入を容易にする機能と、ホールを
安定に輸送する機能と、電子を妨げる機能とを有するも
のである。電子注入輸送層１５は、電子注入電極１６か
らの電子の注入を容易にする機能と、電子を安定に輸送
する機能と、ホールを妨げる機能とを有するものであ
る。これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を
増大し、閉じ込めさせ、再結合領域を最適化させ、発光
効率を改善する。

【０１１９】発光層の厚さ、ホール注入輸送層１３の厚
さおよび電子注入輸送層１５の厚さは、特に制限される
ものではなく、形成方法によっても異なるが、通常５〜
５００ｎｍ程度であり、特に１０〜３００ｎｍとするこ
とが好ましい。

【０１２０】ホール注入輸送層１３の厚さおよび電子注
入輸送層１５の厚さは、再結合・発光領域の設計による
が、発光層の厚さと同程度またはその１／１０〜１０倍
程度とすればよい。ホールまたは電子の各々の注入層と
輸送層とを分ける場合は、注入層は１ｎｍ以上、輸送層
は１ｎｍ以上とするのが好ましい。このときの注入層、
輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で５００ｎｍ程
度、輸送層で５００ｎｍ程度である。このような膜厚に
ついては、注入輸送層を２層設けるときも同様である。

【０１２１】有機ＥＬ素子の発光層１４には、発光機能
を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。このよ
うな蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４
６９２号公報に開示されているような化合物、例えばキ
ナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から
選択される少なくとも１種が挙げられる。また、蛍光性
物質としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム等の８−キノリノールまたはその誘導体を配位子とす
る金属錯体色素等のキノリン誘導体、テトラフェニルブ
タジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１２−
フタロペリノン誘導体等も挙げられる。更には、蛍光性
物質としては、特開平８−１２６００号公報（特願平６
−１１０５６９号）に記載のフェニルアントラセン誘導
体、特開平８−１２９６９号公報（特願平６−１１４４
５６号）に記載のテトラアリールエテン誘導体等を用い
ることができる。

【０１２２】また、発光層１４は、それ自体で発光が可
能なホスト物質と組み合わせて使用することも好まし
く、ドーパントとしての使用も好ましい。このような場
合の発光層における化合物の含有量は０．０１〜２０重
量％、特に０．１〜１５重量％であることが好ましい。
発光層１４をホスト物質と組み合わせて使用することに
よって、ホスト物質の発光波長特性を変化させることが
でき、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素
子の発光効率や安定性が向上する。

【０１２３】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、更には８−キノリノールまたはその誘導体を
配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このような
アルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９２
号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３３
号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８７
４号等に開示されているものを挙げることができる。

【０１２４】ホスト物質としては、具体的には、まず、
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−
キノリノラト）マグネシウム、ビス〔ベンゾ（ｆ）−８
−キノリノラト〕亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノ
ラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノ
ラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリ
ス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス
（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７
−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス
（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）ア
ルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ
−５−キノリニル）メタン］等がある。

【０１２５】この他のホスト物質としては、特開平８−
１２６００号公報（特願平６−１１０５６９号）に記載
のフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１２９６９
号公報（特願平６−１１４４５６号）に記載のテトラア
リールエテン誘導体等も好ましい。

【０１２６】発光層１４は、電子注入輸送層１５を兼ね
たものであってもよく、このような場合はトリス（８−
キノリノラト）アルミニウム等を使用することが好まし
い。この場合には、これらの蛍光性物質を蒸着して発光
層を形成すればよい。

【０１２７】また、発光層１４は、必要に応じて、少な
くとも１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種
の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好まし
く、更にはこの混合層中にドーパントを含有させること
が好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０重量％、更には０．１〜１５重量％
とすることが好ましい。

【０１２８】このような混合層では、キャリアのホッピ
ング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に有利
な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりに
くくなる。そのため、有機化合物がダメージを受けにく
くなり、素子寿命が延びるという利点がある。また、前
述のドーパントをこのような混合層に含有させることに
より、混合層自体の持つ発光波長特性を変化させること
ができ、発光波長を長波長に移行させることができると
共に、発光強度を高め、素子の安定性を向上させること
もできる。

【０１２９】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。中でも、ホール注入輸送層用
の化合物としては、強い蛍光性を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、更にはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つ
アミン誘導体を用いるのが好ましい。

【０１３０】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、更には８−キノリノールないしその誘導体を
配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ）を用いることが好まし
い。また、電子注入輸送性の化合物としては、上記のフ
ェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導
体を用いるのも好ましい。

【０１３１】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光性を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸
送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、更にはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【０１３２】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１程度とするのが好
ましく、更には１０／９０〜９０／１０程度とするのが
好ましく、特に２０／８０〜８０／２０程度とするのが
好ましい。

【０１３３】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜１００ｎｍとすることが好ま
しく、更には５〜６０ｎｍ、特には５〜５０ｎｍとする
ことが好ましい。

【０１３４】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は、化合物同士が均一に混合している方が好
ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するも
のであってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物
質を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散さ
せてコーティングすることにより、所定の厚さに形成す
る。

【０１３５】ホール注入輸送層１３には、例えば、特開
昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４
号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６
８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５
−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公
報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００
１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。この有機化
合物は、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（ト
リアリールジアミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰ
Ｄ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導
体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチ
オフェン等である。これらの化合物は、１種のみを用い
ても、２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する
ときは、別層にして積層したり、混合したりすればよ
い。

【０１３６】ホール注入輸送層１３をホール注入層とホ
ール輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送
層用の化合物の中から好ましい組み合せを選択して用い
ることができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ
等）１２側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の
順に積層することが好ましい。また、ホール注入電極表
面には、薄膜性の良好な化合物を用いることが好まし
い。このような積層順については、ホール注入輸送層１
３を２層以上設けるときも同様である。このような積層
順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リーク
の発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができ
る。また、素子化する場合、蒸着を用いているので１〜
１０ｎｍ程度の薄い膜も均一かつピンホールフリーとす
ることができるため、ホール注入層にイオン化ポテンシ
ャルが小さく、可視部に吸収を持つような化合物を用い
ても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防
ぐことができる。ホール注入輸送層１３は、発光層等と
同様に上記の化合物を蒸着することにより形成すること
ができる。

【０１３７】電子注入輸送層１５には、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ ₃ ）等の８−キノリ
ノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体な
どのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレ
ン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオレン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送
層１５は、発光層１４を兼ねたものであってもよく、こ
のような場合はトリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム等を使用することが好ましい。電子注入輸送層１５の
形成は、発光層１４と同様に、蒸着等によればよい。

【０１３８】電子注入輸送層１５を電子注入層と電子輸
送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の
化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いるこ
とができる。このとき、電子注入電極側から電子親和力
の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。こ
のような積層順については、電子注入輸送層を２層以上
設けるときも同様である。

【０１３９】ホール注入輸送層１３、発光層１４および
電子注入輸送層１５の形成には、均質な薄膜が形成でき
ることから、真空蒸着法を用いることが好ましい。真空
蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径
が０．２μｍ以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が
０．２μｍを超えていると、不均一な発光となり、素子
の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入
効率も著しく低下する。

【０１４０】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Ｐａ以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１ｎ
ｍ／ｓｅｃ程度とすることが好ましい。また、真空中で
連続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続
して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを
防げるため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧
を低くしたり、ダークスポットの発生・成長を抑制した
りすることができる。

【０１４１】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【０１４２】なお、上記電子注入輸送層１５、ホール注
入輸送層１３をＳｉ、Ｇｅ等の無機材料を用いた無機物
層としてもよい。また、有機ＥＬ素子は、上記の有機層
の他に、基板および基板上に有機層を挟み込むように形
成された、ホール注入電極１２、電子注入電極１６等の
機能性薄膜を有する。

【０１４３】電子注入電極１６としては、低仕事関数の
物質が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上
させるためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用
いることが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍ
ｇ（Ａｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：
０．０１〜１４at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０
at％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が
挙げられる。なお、電子注入電極１６は蒸着法やスパッ
タ法でも形成することが可能である。

【０１４４】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行うことのできる一定以上の厚さとすれば良く、０．
５ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは３
ｎｍ以上とすればよい。また、その上限値には特に制限
はないが、通常膜厚は３〜５００ｎｍ程度とすればよ
い。電子注入電極１６の上には、更に補助電極ないし保
護電極を設けてもよい。

【０１４５】蒸着時の圧力は、好ましくは１×１０^-8〜
１×１０^-5Ｔｏｒｒで、蒸発源の加熱温度は、金属材料
であれば１００〜１４００°Ｃ程度、有機材料であれば
１００〜５００°Ｃ程度が好ましい。

【０１４６】ホール注入電極１２は、発光した光を取り
出すため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電
極としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺ
Ｏ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、
Ｉｎ₂ Ｏ₃ 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ド
ープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジ
ウム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ₂ Ｏ₃ とＳｎＯ
とを化学量論組成で含有するが、Ｏの量は多少これから
偏倚していてもよい。ホール注入電極１２は、透明性が
必要でないときは、不透明の公知の金属材質であっても
よい。

【０１４７】ホール注入電極１２の厚さは、ホール注入
を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましく
は５０〜５００ｎｍ、更には５０〜３００ｎｍの範囲が
好ましい。また、その上限は特に制限はないが、あまり
厚いと剥離等の心配が生じる。また、厚さが薄すぎる
と、製造時の膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問
題がある。

【０１４８】このホール注入電極１２は蒸着法等によっ
ても形成できるが、好ましくはスパッタ法、特に直流ス
パッタ法により形成することが好ましい。

【０１４９】光を取り出す側の電極は、発光波長帯域、
通常３５０〜８００ｎｍ、特に各発光光に対する光透過
率が５０％以上、特に６０％以上、更には７０％以上で
あることが好ましい。発光光は光取り出し側の電極を通
って取り出されるため、その透過率が低くなりすぎる
と、発光層からの発光自体が減衰され、発光素子として
必要な輝度が得られなくなる傾向がある。

【０１５０】有機ＥＬ構造体各層を成膜した後に、Ｓｉ
Ｏ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重
合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は５０〜１２００ｎｍ程度とする。保護膜は、前記の反
応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法、
ＰＥＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法等により形成すればよ
い。

【０１５１】また、基板に色フィルター膜や蛍光性物質
を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色
をコントロールしてもよい。

【０１５２】有機ＥＬ素子は、直流駆動やパルス駆動等
され、交流駆動することもできる。有機ＥＬ素子に対す
る印加電圧は、通常、２〜３０Ｖ程度である。

【０１５３】[第３の実施の形態]次に、図１２ないし図
１５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る表示
装置について説明する。図１２は、本実施の形態に係る
表示装置の全体の構成の一例を示すブロック図である。
本実施の形態に係る表示装置は有機ＥＬ表示器３１を備
えている。この有機ＥＬ表示器３１は、第１の実施の形
態における有機ＥＬ表示器１と同様の構成になってお
り、マトリクス状に配置された走査電極およびデータ電
極と、これら走査電極とデータ電極が交差する部分に形
成され、両電極に接続された複数の発光素子としての有
機ＥＬ素子を有している。有機ＥＬ素子は、その有機Ｅ
Ｌ素子に接続された走査電極とデータ電極との間の電位
差が所定のしきい値以上のときに発光する。有機ＥＬ表
示器３１は本発明における表示器に対応する。

【０１５４】本実施の形態に係る表示装置は、更に、有
機ＥＬ表示器３１の走査電極の駆動を行う走査電極駆動
回路３２と、有機ＥＬ表示器３１のデータ電極の駆動を
行うデータ電極駆動部３３と、有機ＥＬ表示器３１に表
示するデータや、表示に関するデータを出力する主制御
部３４と、この主制御部３４から与えられる表示データ
に応じて、有機ＥＬ表示器３１の表示タイミングや表示
サイズ等の制御を行う表示制御部３５と、この表示制御
部３５に接続され、主制御部３４から与えられる表示デ
ータを保持するための表示データ記憶部３６と、主制御
部３４で使用されるクロックを生成し、このクロックを
主制御部３４に供給する発振器３７と、表示制御部３５
で使用されるクロックを生成し、このクロックを表示制
御部３５に供給する発振器３８とを備えている。走査電
極駆動回路３２は本発明における走査電極駆動手段に対
応し、データ電極駆動部３３は本発明におけるデータ電
極駆動手段に対応する。

【０１５５】走査電極駆動回路３２は、接続部４２を介
して、有機ＥＬ表示器３１の走査電極に接続されてい
る。本実施の形態では、複数のデータ電極は４つの組に
分けられ、データ電極駆動部３３は、各組のデータ電極
を駆動する４つのデータ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄを
有している。各データ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄは、
それぞれ、接続部４３Ａ〜４３Ｄを介して、各組のデー
タ電極に接続されている。接続部４２，４３Ａ〜４３Ｄ
としては、ヒートシールコネクタやフレキシブル基板等
が用いられる。

【０１５６】走査電極駆動回路３２の構成は、第１の実
施の形態における走査電極駆動部２の構成と同様であ
る。また、データ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄの構成
は、第１の実施の形態におけるデータ電極駆動部３の構
成と同様である。各駆動回路３２，３３Ａ〜３３Ｄは、
スイッチング素子としてＦＥＴやバイポーラトランジス
タ等を用い、オープンドレインやオープンコレクタの構
成の回路やプッシュプル回路等によって構成することが
できる。

【０１５７】主制御部３４と表示制御部３５は、制御バ
ス５１、データバス５２およびアドレスバス５３を介し
て接続されている。また、主制御部３４と表示制御部３
５は、表示制御部３５から主制御部３４へ垂直走査開始
信号を送るための信号線５７を介して接続されている。
垂直走査開始信号は、垂直走査の開始、すなわち１画面
分の表示データのうちの最初の１ラインのデータの表示
の開始のタイミングを示す信号である。表示制御部３５
と表示データ記憶部３６は、制御バス５４、データバス
５５およびアドレスバス５６を介して接続されている。

【０１５８】表示制御部３５と、各駆動回路３２，３３
Ａ〜３３Ｄおよび主制御部３４とは、表示制御部３５か
ら各駆動回路３２，３３Ａ〜３３Ｄおよび主制御部３４
へラッチパルスを送るための信号線５８を介して接続さ
れている。ラッチパルスは、選択状態とする走査電極の
切り替えおよび１ライン分の表示のタイミングを示す信
号である。表示制御部３５と各駆動回路３２，３３Ａ〜
３３Ｄは制御バス５９を介して接続されている。また、
表示制御部３５とデータ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄ
は、データバス６０を介して接続されている。なお、垂
直走査開始信号は制御バス５９によっても伝送される。

【０１５９】主制御部３４と走査電極駆動回路３２は、
主制御部３４から走査電極駆動回路３２へ走査側イネー
ブル信号を送るための信号線６１を介して接続されてい
る。また、主制御部３４とデータ電極駆動回路３３Ａ〜
３３Ｄは、主制御部３４からデータ電極駆動回路３３Ａ
〜３３Ｄへデータ側イネーブル信号を送るための信号線
６２を介して接続されている。

【０１６０】主制御部３４は、表示制御部３５に対し
て、制御バス５１を介してデータの入出力の指示や表示
データ記憶部３６に対する動作の指示のための制御信号
を与え、アドレスバス５３を介してアドレスデータを与
え、データバス５２を介して表示データや命令を送るよ
うになっている。

【０１６１】表示制御部３５は、表示データ記憶部３６
に対して、制御バス５４を介して制御信号を与え、アド
レスバス５６を介してアドレスデータを与え、データバ
ス５５を介して、主制御部３４から送られてきた表示デ
ータを表示データ記憶部３６に送って書き込んだり、表
示データ記憶部３６より表示データを読み出すようにな
っている。

【０１６２】また、表示制御部３５は、各駆動回路３
２，３３Ａ〜３３Ｄに対して、制御バス５９を介して制
御信号を与えると共に信号線５８を介してラッチパルス
を与えて、各駆動回路３２，３３Ａ〜３３Ｄを制御する
と共に、データバス６０を介してデータ電極駆動回路３
３Ａ〜３３Ｄに表示データを転送して、表示を制御する
ようになっている。

【０１６３】主制御部３４、表示制御部３５および表示
データ記憶部３６を実現するための具体的な手段は、第
１の実施の形態における主制御部４、表示制御部５およ
び表示データ記憶部６の場合と同様である。また、第１
の実施の形態と同様に、図１２に示した回路構成は、有
機ＥＬ表示器３１を駆動するための回路構成の一例にす
ぎず、同等な機能を有するものであれば他の回路構成を
とることも可能である。

【０１６４】図１３は、データ電極駆動回路３３Ａ〜３
３Ｄの構成の一例を示すブロック図である。データ電極
駆動回路３３Ａ〜３３Ｄは、表示データの入力を制御す
るデータコントローラ７１と、このデータコントローラ
７１に接続された双方向シフトレジスタ７２と、この双
方向シフトレジスタ７２に接続されたラッチ７３と、一
方の入力端がラッチ７３の各出力端に接続された複数の
アンドゲート７４と、この複数のアンドゲート７４の出
力端に接続された出力段ドライバ７５と、この出力段ド
ライバ７５に供給する電圧を制御するボルテージコント
ローラ７６とを備えている。アンドゲート７４の一方の
入力端はラッチ７３の出力端に接続され、他方の入力端
にはデータ側イネーブル信号ＥＮが入力されるようにな
っている。アンドゲート７４の出力端は出力段ドライバ
７５の入力端に接続されている。

【０１６５】このデータ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄで
は、入力端より入力された例えば８ビットの表示データ
Ｄ0 〜Ｄ7 は、データコントローラ７１を介して、双方
向シフトレジスタ７２に入力される。双方向シフトレジ
スタ７２は、入力した表示データを、例えば表示制御部
３５より与えられるクロックXSCLに同期して、１ビット
ずつシフトする。双方向シフトレジスタ７２内のデータ
はラッチ７３に送られる。双方向シフトレジスタ７２に
有機ＥＬ表示器３１の水平方向の１ラインに表示させる
データの入力が終了した時点で、データ電極駆動回路３
３Ａ〜３３Ｄには、表示制御部３５よりラッチパルスＬ
Ｐが与えられる。ラッチ７３は、このラッチパルスＬＰ
が与えられると、保持しているデータをアンドゲート７
４に出力する。アンドゲート７４は、データ側イネーブ
ル信号ＥＮがハイレベルのときはラッチ７３からのデー
タを出力段ドライバ７５に出力し、データ側イネーブル
信号ＥＮがローレベルのときはラッチ７３からのデータ
を出力段ドライバ７５に出力しない。出力段ドライバ７
５は、与えられたデータに基づいて、有機ＥＬ表示器３
１のデータ電極を駆動するための例えば６４ビットの出
力信号OUT0〜OUT63を出力するようになっている。な
お、ボルテージコントローラ７６には、高電圧VDDHとグ
ラウンドレベルGNDが供給されるようになっている。ま
た、データ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄ内の各部には、
電源電圧Ｖccが供給されるようになっている。

【０１６６】次に、図１４に示した流れ図を参照して、
本実施の形態に係る表示装置の基本的な動作の一例につ
いて説明する。

【０１６７】この動作では、まず、主制御部３４の初期
設定が行われる（ステップＳ１０１）。次に、主制御部
３４は、制御バス５１を用いて、表示制御部３５の入出
力（以下、Ｉ／Ｏと記す）レジスタへの書き込みを指定
する（ステップＳ１０２）。次に、主制御部３４は、デ
ータバス５２とアドレスバス５３を用いて、表示制御部
３５のコントロールレジスタに、表示器のサイズや階調
等を示す表示設定情報を書き込む（ステップＳ１０
３）。以後、表示制御部３５は、その表示設定情報に従
って、有機ＥＬ表示器３１の表示制御を行う。

【０１６８】次に、主制御部３４は、制御バス５１を用
いて、表示制御部３５に、表示データ記憶部３６への書
き込みを指示する（ステップＳ１０４）。次に、主制御
部３４は、データバス５２とアドレスバス５３を用い
て、表示制御部３５へ表示データを送信する。次に、表
示制御部３５は、制御バス５４を用いて表示データ記憶
部３６を書き込みモードとし、主制御部３４から送られ
た表示データを、データバス５５とアドレスバス５６を
用いて、表示データ記憶部３６に書き込む（ステップＳ
１０５）。

【０１６９】次に、主制御部３４は、制御バス５１を用
いて、表示制御部３５のＩ／Ｏレジスタへの書き込みを
指定する（ステップＳ１０６）。次に、主制御部３４
は、データバス５２とアドレスバス５３を用いて、表示
制御部３５に表示データの表示開始先頭アドレスを指示
する。これに応じて表示制御部３５は、制御バス５４を
用いて表示データ記憶部３６を読み込みモードとし、デ
ータバス５５とアドレスバス５６を用いて、表示データ
を表示データ記憶部３６から読み込み、この表示データ
の表示を開始する（ステップＳ１０７）。表示制御部３
５は、信号線５８と制御バス５９を用いて走査電極側駆
動回路３２による線順次走査を制御すると共に、信号線
５８、制御バス５９およびデータバス６０を用いてデー
タ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄを制御することによっ
て、表示データを有機ＥＬ表示器３１に表示させる。

【０１７０】次に、表示制御部３５は、主制御部３４か
ら、新規に表示データを書き込むための割り込み要求が
あるか否かを判断する（ステップＳ１０８）。割り込み
要求がない場合（Ｎ）には、ステップＳ１０６に戻り、
ステップＳ１０６およびステップＳ１０７が繰り返し実
行される。表示制御部３５は、割り込み要求がある場合
（ステップＳ１０８；Ｙ）には、主制御部３４からの割
り込みを受け付ける。この場合には、ステップＳ１０
４、ステップＳ１０５と同様に、主制御部３４は、表示
制御部３５に表示データ記憶部３６への書き込みを指示
し（ステップＳ１０９）、表示制御部３５へ表示データ
を送信し、表示制御部３５は、表示データ記憶部３６を
書き込みモードとし、主制御部３４から送られた表示デ
ータを表示データ記憶部３６に書き込む（ステップＳ１
１０）。次に、ステップＳ１０６に戻る。

【０１７１】次に、図１５を参照して、本実施の形態に
係る表示装置における特徴部分の動作について説明す
る。

【０１７２】本実施の形態では、走査電極が選択状態か
ら非選択期間に移行した後の走査電極の電圧の立ち上が
り時に、データ電極と走査電極との間の電位差がしきい
値以上となることを防止するために、選択状態とされる
走査電極が切り替わる際に、データ電極の電位を制御す
ることによって、一時的に全ての走査電極と全てのデー
タ電極との間の電位差をしきい値未満とする。本実施の
形態では、選択状態とされる走査電極が切り替わる際
に、所定の期間だけ全てのデータ電極を非選択状態とす
ることによって、一時的に全ての走査電極と全てのデー
タ電極との間の電位差をしきい値未満とする。以下、選
択状態とされる走査電極が切り替わる際に全てのデータ
電極を非選択状態とする期間を、全データ電極非選択期
間と言う。

【０１７３】ここで、全データ電極非選択期間は、選択
状態とされる走査電極が切り替わった後に設けてもよい
し、選択状態とされる走査電極が切り替わる前に設けて
もよいし、選択状態とされる走査電極が切り替わった後
と切り替わる前の両方に設けてもよい。つまり、ある走
査電極を駆動してから次の走査電極を駆動するまでの間
に、全てのデータ電極が非選択状態となる期間が存在す
ればよい。本実施の形態は、全データ電極非選択期間
を、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前に設け
た例である。

【０１７４】全データ電極非選択期間では、データ電極
駆動回路３３Ａ〜３３Ｄは、各データ電極に非選択時の
電位であるアース電位（０Ｖ）を印加する。本実施の形
態では、データ側イネーブル信号ＥＮを用いて全データ
電極非選択期間を設定している。すなわち、主制御部３
４は、表示制御部３５から入力されるラッチパルスをタ
イミングの基準にして、選択状態とされる走査電極が切
り替わる直前の一定期間だけデータ側イネーブル信号Ｅ
Ｎをローレベルにする。データ側イネーブル信号ＥＮが
ローレベルになる期間が全データ電極非選択期間とな
る。データの表示中において、全データ電極非選択期間
以外の期間では、データ側イネーブル信号ＥＮはハイレ
ベルである。データ側イネーブル信号ＥＮがローレベル
になると、図１３におけるラッチ７３の出力が出力段ド
ライバ７５へ出力されなくなるので、データ電極にはア
ース電位（０Ｖ）が印加されることになる。これによ
り、選択状態とされる走査電極が切り替わる前に、一時
的に全ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差
がしきい値未満となる。

【０１７５】図１５は、本実施の形態における走査電極
の電圧、データ電極の電圧およびデータ側イネーブル信
号ＥＮの状態の変化の一例を示したものである。この図
において、（ａ）は任意の走査電極（１）の電圧の変化
を示し、（ｂ）は走査電極（１）の次の走査電極（２）
の電圧の変化を示し、（ｃ）は任意のデータ電極の電圧
の変化を示し、（ｄ）はデータ側イネーブル信号ＥＮの
変化を示している。なお、図１５に示した例では、走査
電極の電圧の立ち上がり波形や、データ電極の電圧の立
ち上がり波形および立下り波形には鈍りが生じている。

【０１７６】図１５に示した例では、始めに、走査電極
（１）が選択状態となり、このとき、データ電極は選択
状態となる。次に、走査電極（２）が選択状態となり、
このとき、図１５（ｃ）における実線で示す例では、デ
ータ電極は非選択状態となる。データ側イネーブル信号
ＥＮは、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前に
設けられた全データ電極非選択期間Ｔだけローレベルに
なり、他の期間ではハイレベルとなる。

【０１７７】以下、本実施の形態において、選択状態と
される走査電極が切り替わる直前に全データ電極非選択
期間Ｔを設けることによって、シャドーイングの発生を
防止できることについて説明する。

【０１７８】本実施の形態では、全データ電極非選択期
間Ｔを、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前に
設けているので、全てのデータ電極の電圧は、選択状態
とされる走査電極が切り替わる直前に一旦ローレベルに
なる。従って、本実施の形態では、走査電極（１）が選
択状態から非選択期間に移行した後の走査電極（１）の
電圧の立ち上がり時におけるデータ電極の電圧の変化の
態様には、次の２つの態様がある。第１の態様は、図１
５（ｃ）における実線で示したように、データ電極の電
圧がローレベルを維持する態様であり、第２の態様は、
図１５（ｃ）における破線で示したように、データ電極
の電圧が立ち上がる態様である。

【０１７９】第１の態様では、データ電極の電圧がロー
レベルを維持するため、走査電極（１）が選択状態から
非選択期間に移行した後に、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となることはな
く、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加はない。

【０１８０】第２の態様では、走査電極（１）の電圧と
データ電極の電圧の双方が立ち上がる。従って、この場
合には、走査電極（１）の電圧の立ち上がり波形とデー
タ電極の電圧の立ち上がり波形のいずれが急峻かによっ
て、有機ＥＬ素子の発光輝度に与える影響が異なる。

【０１８１】データ電極を定電流で駆動する場合には、
データ電極の電圧の立ち上がり波形は、走査電極（１）
の電圧の立ち上がり波形よりも急峻にならない。従っ
て、この場合には、走査電極（１）が選択状態から非選
択期間に移行した後に、データ電極と走査電極（１）と
の間の電位差がしきい値以上となることはなく、有機Ｅ
Ｌ素子の発光輝度の増加はない。

【０１８２】データ電極を定電圧で駆動する場合には、
データ電極の電圧の立ち上がり波形は、走査電極（１）
の電圧の立ち上がり波形よりも急峻になる。従って、こ
の場合には、走査電極（１）が選択状態から非選択期間
に移行した後も、ある期間、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となって、有機Ｅ
Ｌ素子が発光する場合がある。しかし、その場合でも、
データ電極と走査電極（１）との間の電位差がしきい値
以上となる期間は極めて短く、有機ＥＬ素子の発光輝度
の増加は極めて小さい。

【０１８３】このようにして本実施の形態では、走査電
極が選択状態から非選択期間に移行した後に、データ電
極と走査電極との間の電位差がしきい値以上となること
が防止される。ところで、選択状態とされる走査電極が
切り替わる直前に全データ電極非選択期間を設けない場
合には、走査電極が選択状態から非選択期間に移行した
後の走査電極の電圧の立ち上がり時におけるデータ電極
の電圧の変化の態様には、上述の２つの態様の他に、デ
ータ電極の電圧がハイレベルを維持する態様と、データ
電極の電圧が立ち下がる態様とがある。この２つの態様
は、既に述べたように、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加
をまねく。本実施の形態では、このような有機ＥＬ素子
の発光輝度の増加をまねく２つの態様がなくなる。

【０１８４】また、本実施の形態では、上述のように走
査電極が選択状態から非選択期間に移行した後に、デー
タ電極と走査電極との間の電位差がしきい値以上となる
ことが防止されるので、任意の走査電極において、非選
択のデータ電極の数によって走査電極の電圧の立ち上が
り波形が変化しても、そのことによって有機ＥＬ素子の
発光輝度が影響を受けることはほとんどない。

【０１８５】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前に全デ
ータ電極非選択期間を設けたので、走査電極が選択状態
から非選択期間に移行した後に、データ電極と走査電極
との間の電位差がしきい値以上となることを防止でき
る。従って、本実施の形態によれば、データ電極の駆動
を工夫しただけの簡単な構成で、シャドーイングの発生
を防止することができる。

【０１８６】なお、本実施の形態において、有機ＥＬ素
子が発光するのに必要なデータ電極と走査電極との間の
電位差の最小値であるしきい値は、例えば２Ｖである。
また、非選択期間の時間は、通常、１０ｎｓ〜１ｍｓ程
度であり、好ましくは、１μｓ〜１００μｓ程度であ
る。

【０１８７】本実施の形態に係る表示装置を実際に製作
し、図２５に示したような図柄を表示させ、光学測定器
を用いて発光領域１１１と発光領域１１３の輝度を測定
した結果では、発光領域１１１と発光領域１１３の輝度
の差は５％未満であった。この輝度差は、目視では輝度
むらが気にならない輝度差の範囲内である。

【０１８８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１８９】［第４の実施の形態］次に、図１６を参照
して、本発明の第４の実施の形態に係る表示装置につい
て説明する。本実施の形態は、全データ電極非選択期間
を、選択状態とされる走査電極が切り替わった直後に設
けた例である。全データ電極非選択期間は、第３の実施
の形態と同様に、データ側イネーブル信号をローレベル
にすることによって設定する。

【０１９０】図１６は、本実施の形態における走査電極
の電圧、データ電極の電圧およびデータ側イネーブル信
号ＥＮの状態の変化の一例を示したものである。この図
において、（ａ）は任意の走査電極（１）の電圧の変化
を示し、（ｂ）は走査電極（１）の次の走査電極（２）
の電圧の変化を示し、（ｃ）は任意のデータ電極の電圧
の変化を示し、（ｄ）はデータ側イネーブル信号ＥＮの
変化を示している。なお、図１６に示した例では、走査
電極の電圧の立ち上がり波形や、データ電極の電圧の立
ち上がり波形および立下り波形には鈍りが生じている。

【０１９１】図１６に示した例では、始めに、走査電極
（１）が選択状態となり、このとき、図１６（ｃ）にお
ける実線で示す例では、データ電極は選択状態となる。
次に、走査電極（２）が選択状態となり、このとき、デ
ータ電極は非選択状態となる。データ側イネーブル信号
ＥＮは、選択状態とされる走査電極が切り替わった直後
に設けられた全データ電極非選択期間Ｔだけローレベル
になり、他の期間ではハイレベルとなる。これにより、
選択状態とされる走査電極が切り替わった後に、一時的
に全ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差が
しきい値未満となる。

【０１９２】以下、本実施の形態において、選択状態と
される走査電極が切り替わった直後に全データ電極非選
択期間Ｔを設けることによって、シャドーイングの発生
を防止できることについて説明する。

【０１９３】本実施の形態では、全データ電極非選択期
間Ｔを、選択状態とされる走査電極が切り替わった直後
に設けているので、全てのデータ電極の電圧は、選択状
態とされる走査電極が切り替わった直後に一旦ローレベ
ルになる。従って、本実施の形態では、走査電極（１）
が選択状態から非選択期間に移行した後の走査電極
（１）の電圧の立ち上がり時におけるデータ電極の電圧
の変化の態様には、次の２つの態様がある。第１の態様
は、図１６（ｃ）における実線で示したように、データ
電極の電圧が立ち下がる態様であり、第２の態様は、図
１６（ｃ）における破線で示したように、データ電極の
電圧がローレベルを維持する態様である。

【０１９４】第１の態様では、走査電極（１）の電圧の
立ち上がり波形とデータ電極の電圧の立ち下がり波形と
が共に鈍ると、走査電極（１）が選択状態から非選択期
間に移行した後も、ある期間、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となり、有機ＥＬ
素子が発光する。そのため、有機ＥＬ素子の発光輝度が
増加する。しかし、この場合でも、走査電極（１）が選
択状態から非選択期間に移行した後の走査電極（１）の
電圧の立ち上がり時にデータ電極の電圧がハイレベルを
維持する場合に比べると、有機ＥＬ素子の発光輝度の増
加は小さい。全データ電極非選択期間Ｔを設けない場合
には、走査電極（１）の電圧の立ち上がり時におけるデ
ータ電極の電圧の変化の態様のうち、データ電極がハイ
レベルを維持する態様において最も有機ＥＬ素子の発光
輝度の増加が大きくなる。本実施の形態では、走査電極
（１）の電圧の立ち上がり時にデータ電極がハイレベル
を維持する態様はなくなる。

【０１９５】第２の態様では、データ電極の電圧がロー
レベルを維持するため、走査電極（１）が選択状態から
非選択期間に移行した後に、データ電極と走査電極
（１）との間の電位差がしきい値以上となることはな
く、有機ＥＬ素子の発光輝度の増加はない。

【０１９６】このように本実施の形態では、走査電極の
電圧の立ち上がり時におけるデータ電極の電圧の変化の
態様のうち、最も有機ＥＬ素子の発光輝度の増加が大き
くなる態様である、データ電極がハイレベルを維持する
態様がなくなるので、輝度むらを低減でき、その結果、
シャドーイングの発生を防止することができる。

【０１９７】なお、本実施の形態では、走査電極の電圧
の立ち上がり時におけるデータ電極の電圧の変化の態様
として、データ電極の電圧が立ち上がる態様が存在する
ので、データ電極の電圧の立ち下がりは急峻である程よ
い。

【０１９８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０１９９】［第５の実施の形態］次に、図１７を参照
して、本発明の第５の実施の形態に係る表示装置につい
て説明する。本実施の形態は、全データ電極非選択期間
を、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前から切
り替わった直後にかけて設けた例である。全データ電極
非選択期間は、第３の実施の形態と同様に、データ側イ
ネーブル信号をローレベルにすることによって設定す
る。

【０２００】図１７は、本実施の形態における走査電極
の電圧、データ電極の電圧およびデータ側イネーブル信
号ＥＮの状態の変化の一例を示したものである。この図
において、（ａ）は任意の走査電極（１）の電圧の変化
を示し、（ｂ）は走査電極（１）の次の走査電極（２）
の電圧の変化を示し、（ｃ）は任意のデータ電極の電圧
の変化を示し、（ｄ）はデータ側イネーブル信号ＥＮの
変化を示している。なお、図１７に示した例では、走査
電極の電圧の立ち上がり波形や、データ電極の電圧の立
ち上がり波形および立下り波形には鈍りが生じている。

【０２０１】図１７に示した例では、始めに、走査電極
（１）が選択状態となり、このとき、図１７（ｃ）にお
ける実線で示す例では、データ電極は選択状態となる。
次に、走査電極（２）が選択状態となり、このとき、図
１７（ｃ）における実線で示す例では、データ電極は非
選択状態となる。データ側イネーブル信号ＥＮは、選択
状態とされる走査電極が切り替わる直前から切り替わっ
た直後にかけて設けられた全データ電極非選択期間Ｔだ
けローレベルになり、他の期間ではハイレベルとなる。
これにより、全データ電極非選択期間Ｔの間で、一時的
に全ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差が
しきい値未満となる。

【０２０２】以下、本実施の形態において、選択状態と
される走査電極が切り替わる直前から切り替わった直後
にかけて全データ電極非選択期間Ｔを設けることによっ
て、シャドーイングの発生を防止できることについて説
明する。

【０２０３】本実施の形態では、全データ電極非選択期
間Ｔを、選択状態とされる走査電極が切り替わる直前か
ら切り替わった直後にかけて設けているので、全てのデ
ータ電極の電圧は、選択状態とされる走査電極が切り替
わる直前に一旦ローレベルになり、その後、全データ電
極非選択期間Ｔが終了するまでローレベルを維持する。
従って、本実施の形態では、走査電極（１）が選択状態
から非選択期間に移行した後の走査電極（１）の電圧の
立ち上がり時におけるデータ電極の電圧の変化の態様
は、データ電極の電圧がローレベルを維持する態様のみ
となる。なお、図１７（ｃ）には、破線で、走査電極
（１）が選択状態のときにデータ電極が非選択状態とな
る場合におけるデータ電極の電圧の変化と、走査電極
（２）が選択状態のときにデータ電極が選択状態となる
場合におけるデータ電極の電圧の変化を示しているが、
これらの場合にも、走査電極（１）が選択状態から非選
択期間に移行した後の走査電極（１）の電圧の立ち上が
り時には、データ電極の電圧はローレベルを維持する。

【０２０４】このようにして本実施の形態では、走査電
極（１）が選択状態から非選択期間に移行した後に、デ
ータ電極と走査電極（１）との間の電位差がしきい値以
上となることが防止される。従って、本実施の形態によ
れば、シャドーイングの発生を防止することができる。

【０２０５】また、本実施の形態では、上述のように走
査電極が選択状態から非選択期間に移行した後に、デー
タ電極と走査電極との間の電位差がしきい値以上となる
ことが防止されるので、任意の走査電極において、非選
択のデータ電極の数によって走査電極の電圧の立ち上が
り波形が変化しても、そのことによって有機ＥＬ素子の
発光輝度が影響を受けることはほとんどない。

【０２０６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０２０７】［第６の実施の形態］次に、図１８を参照
して、本発明の第６の実施の形態に係る表示装置につい
て説明する。図１８は、本実施の形態に係る表示装置の
全体の構成の一例を示すブロック図である。本実施の形
態に係る表示装置は、第３の実施の形態に係る表示装置
の構成要素に加え、走査側イネーブル信号を発生する走
査側イネーブル信号発生回路４０と、データ側イネーブ
ル信号を発生するデータ側イネーブル信号発生回路４１
とを備えている。本実施の形態に係る表示装置では、主
制御部３４は走査側イネーブル信号およびデータ側イネ
ーブル信号を発生しない。また、本実施の形態に係る表
示装置では、信号線５７，６１，６２は設けられていな
い。

【０２０８】表示制御部３５と各イネーブル信号発生回
路４０，４１は、表示制御部３５から各イネーブル信号
発生回路４０，４１へラッチパルスを送るための信号線
５８と、表示制御部３５から各イネーブル信号発生回路
４０，４１へ垂直走査開始信号を送るための信号線７０
とを介して接続されている。また、走査側イネーブル信
号発生回路４０と走査電極駆動回路３２は、走査側イネ
ーブル信号発生回路４０から走査電極駆動回路３２へ走
査側イネーブル信号を送るための信号線７１を介して接
続されている。また、データ側イネーブル信号発生回路
４１とデータ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄは、データ側
イネーブル信号発生回路４１からデータ電極駆動回路３
３Ａ〜３３Ｄへデータ側イネーブル信号を送るための信
号線７２を介して接続されている。

【０２０９】本実施の形態では、第３ないし第５の実施
の形態と同様に、データ側イネーブル信号ＥＮを用いて
全データ電極非選択期間を設定する。本実施の形態で
は、データ側イネーブル信号発生回路４１は、表示制御
部３５から入力されるラッチパルスをタイミングの基準
にして、全データ電極非選択期間の間、データ側イネー
ブル信号ＥＮをローレベルにする。

【０２１０】全データ電極非選択期間は、第３の実施の
形態と同様に、選択状態とされる走査電極が切り替わる
直前に設けてもよいし、第４の実施の形態と同様に、選
択状態とされる走査電極が切り替わった直後に設けても
よいし、第５の実施の形態と同様に、選択状態とされる
走査電極が切り替わる直前から走査電極が切り替わった
直後にかけて設けてもよい。

【０２１１】本実施の形態におけるその他の構成、動作
および効果は、第３ないし第５の実施の形態と同様であ
る。

【０２１２】次に、図１９を参照して、第３ないし第６
の実施の形態に係る表示装置で使用される有機ＥＬ表示
器の構成の一例について説明する。図１９は、有機ＥＬ
表示器の構成の一例を示す説明図である。この例におけ
る有機ＥＬ表示器３１は、基板８１上にマトリクス状に
配置されたホール注入電極（データ電極）８２と電子注
入電極（走査電極）８７との間に、ホール注入電極８２
側から順に、ホール注入層８３、ホール輸送層８４、発
光層８５および電子注入輸送層８６が積層され、必要に
応じて更に保護層が積層され、更にこれらの上にガラス
等の封止板を配置した構成を有する。有機ＥＬ素子は、
ホール注入電極８２と電子注入電極８７の交差部分に形
成される。この例では、基板８１はガラス基板であり、
データ電極８２は透明電極である。

【０２１３】次に、図１９に示した有機ＥＬ表示器の作
製方法の一例について説明する。この例では、ガラス基
板８１上に、スパッタ法にて、ＩＴＯからなる薄膜を約
１００ｎｍの厚さに成膜する。次に、得られたＩＴＯか
らなる薄膜を、フォトリソグラフィを用いてエッチング
することによってパターンニングすることによって、例
えば２５６×６４ドット（画素）のパターンを構成する
ホール注入電極８２を形成する。

【０２１４】次に、上述のホール注入電極８２と電極用
配線等が形成されている基板の表面を紫外線オゾン洗浄
した後、基板の表面に蒸着用マスクを装着し、真空蒸着
装置の基板ホルダにその基板を固定して、装置内を減圧
する。

【０２１５】次に、真空蒸着装置によって、ホール注入
電極８２上にポリチオフェンを１０ｎｍの厚さに蒸着す
ることによってホール注入層８３を形成する。次に、真
空蒸着装置において減圧状態を維持したまま、ホール注
入層８３の上に、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ
−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル
（ＴＰＤ）を３５ｎｍの厚さに蒸着することによって、
ホール輸送層８４を形成する。

【０２１６】次に、真空蒸着装置において減圧状態を維
持したまま、ホール輸送層８４の上に、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃）を５０ｎｍの厚
さに蒸着することによって、発光層８５および電子注入
輸送層８６を形成する。

【０２１７】次に、真空蒸着装置において減圧状態を維
持したまま、基板８１上に上記各層が形成された構造体
を、真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパッタ圧
力１．０Ｐａのスパッタリングによって、電子注入輸送
層８６の上にＡｌＬｉ（Ｌｉ濃度：７．２at％）を５０
ｎｍの厚さに成膜することによって電子注入電極８７を
形成する。その際のスパッタガスはＡｒであり、投入電
力は１００Ｗであり、ターゲットの大きさは４インチ径
であり、基板とターゲットの距離は９０ｍｍである。

【０２１８】次に、減圧を維持したまま、電子注入電極
８７まで形成された構造体を、他のスパッタ装置に移
し、電子注入電極８７の上に、Ａｌターゲットを用いた
直流スパッタ法により、Ａｌ保護電極を２００ｎｍの厚
さに成膜する。上記の蒸着用マスクは、全ての層の形成
が終了した時点で取り外す。最後に、Ａｌ保護電極まで
形成された構造体にガラス封止板を貼り合わせて、有機
ＥＬ表示器３１の作製を終了する。

【０２１９】表示装置は、上述のようにして作製された
有機ＥＬ表示器３１を用いて、例えば以下のようにして
作製される。すなわち、有機ＥＬ表示器３１に対して、
６４出力のドライバＩＣからなる１つの走査電極駆動回
路３２と、それぞれ６４出力のドライバＩＣからなる４
つのデータ電極駆動回路３３Ａ〜３３Ｄを、例えばＴＡ
Ｂ（Tape Carrier Package）実装する。更に、コントロ
ーラ、マイクロコンピュータ等の制御回路が実装された
プリント基板（ＰＣＢ；Printed Circuit Board）に、
駆動回路３２，３３Ａ〜３３Ｄをフラットケーブルで接
続することによって、表示装置が完成する。

【０２２０】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々変更が可能である。例えば、本発明では、
電子注入電極をデータ電極とし、ホール注入電極を走査
電極として駆動してもよい。この場合には、データ電極
の非選択時には、データ電極に例えば電源電圧を印加す
る。

【０２２１】また、実施の形態では、表示器が複数の走
査電極と複数のデータ電極とを有するようにしたが、本
発明は、データ電極が１以上の場合に適用可能である。

【０２２２】また、本発明は、表示器がマトリクス電極
構成の表示装置に限らず、表示器がセグメント電極構成
の表示装置にも適用することができる。

【０２２３】また、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限ら
ず、例えば定電流で駆動される発光素子を有する表示装
置全般に適用可能である。

【０２２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の表示装置
によれば、選択状態とされる走査電極が切り替わる際
に、データ電極の電位を制御することによって、一時的
に全ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差を
しきい値未満とするようにしたので、選択状態とされる
走査電極が切り替わる際に、全てのデータ電極につい
て、各データ電極につながる発光素子の容量の電荷蓄積
状態を同一にすることができ、簡単な構成で、発光パタ
ーンに応じて画素毎の輝度に差が生じることを防止する
ことができるという効果を奏する。また、本発明の表示
装置によれば、走査電極が選択状態から非選択期間に移
行した後の走査電極の電圧の立ち上がり時に、データ電
極と走査電極との間の電位差がしきい値以上となること
を防止することができ、簡単な構成で、シャドーイング
が発生することを防止することができるという効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の要
部の構成を示す回路図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の全
体の構成の一例を示すブロック図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態における走査電極お
よびデータ電極の状態の変化を示す説明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態における走査電極お
よびデータ電極の状態の変化を示す説明図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態における駆動時の
有機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図１１】本発明の第１および第２の実施の形態に係る
表示装置における有機ＥＬ表示器の構成の一例を示す説
明図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の
全体の構成の一例を示すブロック図である。

【図１３】図１２におけるデータ電極駆動回路の構成の
一例を示すブロック図である。

【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る表示装置の
基本的な動作の一例を示す流れ図である。

【図１５】本発明の第３の実施の形態における走査電極
の電圧、データ電極の電圧およびデータ側イネーブル信
号の状態の変化の一例を示す説明図である。

【図１６】本発明の第４の実施の形態における走査電極
の電圧、データ電極の電圧およびデータ側イネーブル信
号の状態の変化の一例を示す説明図である。

【図１７】本発明の第５の実施の形態における走査電極
の電圧、データ電極の電圧およびデータ側イネーブル信
号の状態の変化の一例を示す説明図である。

【図１８】本発明の第６の実施の形態に係る表示装置の
全体の構成の一例を示すブロック図である。

【図１９】本発明の第３ないし第６の実施の形態に係る
表示装置における有機ＥＬ表示器構成の一例を示す説明
図である。

【図２０】表示装置の構成の一例を示す回路図である。

【図２１】有機ＥＬ素子の等価的な電気回路を示す回路
図である。

【図２２】図２０に示した表示装置における走査電極お
よびデータ電極の状態の変化の一例を示す説明図であ
る。

【図２３】図２０に示した表示装置における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図２４】図２０に示した表示装置における駆動時の有
機ＥＬ素子の状態を表す説明図である。

【図２５】シャドーイングの一例を説明するための説明
図である。

【図２６】有機ＥＬ素子の両端の電位差と有機ＥＬ素子
に蓄積される電荷の状態との関係を示す説明図である。

【図２７】走査電極が選択状態から非選択状態に変化す
るときの有機ＥＬ素子に蓄積される電荷の状態の推移を
示す説明図である。

【図２８】任意の走査電極において非選択のデータ電極
が多いほど走査電極の電圧の立ち上がり波形が鈍ること
を説明するための説明図である。

【図２９】任意の走査電極において非選択のデータ電極
が多いほど走査電極の電圧の立ち上がり波形が鈍ること
を説明するための説明図である。

【図３０】非選択のデータ電極が少ない場合と多い場合
とにおける走査電極の電圧の立ち上がりの波形を示す説
明図である。

【図３１】従来の表示装置における走査電極およびデー
タ電極の状態の変化の一例を示す説明図である。

【符号の説明】

１…有機ＥＬ表示器、２…走査電極駆動部、３…データ
電極駆動部、４…主制御部、５…表示制御部、６…表示
データ記憶部、ＣＯＭ１〜ＣＯＭｎ…走査電極、ＳＥＧ
１〜ＳＥＧｍ…データ電極、ＥＬ_1,1〜ＥＬ_m,n…有機Ｅ
Ｌ素子、Ｉ１〜Ｉｍ…定電流源、３１…有機ＥＬ表示
器、３２…走査電極駆動回路、３３…データ電極駆動
部、３３Ａ〜３３Ｄ…データ電極駆動回路、３４…主制
御部、３５…表示制御部、３６…表示データ記憶部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 義広 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 BA06 BB07 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 DD09 EE25 FF12 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 5C094 AA07 AA21 AA60 BA02 BA27 CA19 DA09 EA05 EB02 FB01 HA05 HA06 HA08 HA10

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の走査電極と、この複数の走査電極
   と交差するように設けられた１以上のデータ電極と、こ
   れら両電極が交差する部分に配置されて両電極に接続さ
   れ、両電極間の電位差が所定のしきい値以上のときに発
   光する複数の発光素子とを有する表示器と、 前記走査電極を選択状態と非選択状態とで異なる電位に
   すると共に、前記走査電極を順に選択状態とするように
   前記走査電極を駆動する走査電極駆動手段と、 選択状態の走査電極と選択状態のデータ電極との間の電
   位差がしきい値以上となるように、前記データ電極を選
   択状態と非選択状態とで異なる電位にすると共に、前記
   データ電極を任意に選択状態とするように前記データ電
   極を駆動するデータ電極駆動手段とを備えた表示装置で
   あって、 前記データ電極駆動手段は、前記走査電極駆動手段によ
   って選択状態とされる走査電極が切り替わる際に、前記
   データ電極の電位を制御することによって、一時的に全
   ての走査電極と全てのデータ電極との間の電位差をしき
   い値未満とすることを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】 前記データ電極駆動手段は、前記データ
   電極の電位をデータ電極の非選択状態における電位とす
   ることによって、一時的に全ての走査電極と全てのデー
   タ電極との間の電位差をしきい値未満とすることを特徴
   とする請求項１記載の表示装置。
3. 【請求項３】 前記データ電極駆動手段は、前記走査電
   極駆動手段によって選択状態とされる走査電極が切り替
   わった後に、一時的に全ての走査電極と全てのデータ電
   極との間の電位差をしきい値未満とするために、所定の
   期間だけ全てのデータ電極を非選択状態とすることを特
   徴とする請求項２記載の表示装置。
4. 【請求項４】 前記データ電極駆動手段は、前記走査電
   極駆動手段によって選択状態とされる走査電極が切り替
   わる前に、一時的に全ての走査電極と全てのデータ電極
   との間の電位差をしきい値未満とするために、所定の期
   間だけ全てのデータ電極を非選択状態とすることを特徴
   とする請求項２記載の表示装置。
5. 【請求項５】 前記データ電極駆動手段は、前記走査電
   極駆動手段によって選択状態とされる走査電極が切り替
   わる前と切り替わった後とにおいて、一時的に全ての走
   査電極と全てのデータ電極との間の電位差をしきい値未
   満とするために、所定の期間だけ全てのデータ電極を非
   選択状態とすることを特徴とする請求項２記載の表示装
   置。
6. 【請求項６】 前記データ電極駆動手段は、選択状態で
   は前記データ電極に定電流を供給し、非選択時には前記
   データ電極に所定の電位を印加することを特徴とする請
   求項１ないしの５いずれかに記載の表示装置。
7. 【請求項７】 前記発光素子は、有機エレクトロルミネ
   セント素子であることを特徴とする請求項１ないし６の
   いずれかに記載の表示装置。