JP2000299078A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
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- JP2000299078A JP2000299078A JP11105135A JP10513599A JP2000299078A JP 2000299078 A JP2000299078 A JP 2000299078A JP 11105135 A JP11105135 A JP 11105135A JP 10513599 A JP10513599 A JP 10513599A JP 2000299078 A JP2000299078 A JP 2000299078A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易な構造の装置で試料からの反射電子と二次
電子とを電子線軸上で分離検出できる走査型電子顕微鏡
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は電子線源と、電子線源が発生した
一次電子を加速する電子線加速手段と、加速された一次
電子を走査偏向する偏向器５と、偏向走査された一次電
子を試料台に載置された試料４上に集束する静電磁界複
合対物レンズ２、３と、収束され試料４に照射された一
次電子によって試料から発生した反射電子を検出する反
射電子検出器１０と、収束され試料に照射された一次電
子によって試料から発生した二次電子を検出する二次電
子検出器２０と、各検出器１０、２０からの検出信号か
ら試料像を画像表示する画像表示手段とを備えた走査型
電子顕微鏡において、前記反射電子検出器１０に電子線
及び二次電子を通過させるための開口部１７を設け、こ
の開口部１７を電子線同軸上に配置した。
電子とを電子線軸上で分離検出できる走査型電子顕微鏡
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は電子線源と、電子線源が発生した
一次電子を加速する電子線加速手段と、加速された一次
電子を走査偏向する偏向器５と、偏向走査された一次電
子を試料台に載置された試料４上に集束する静電磁界複
合対物レンズ２、３と、収束され試料４に照射された一
次電子によって試料から発生した反射電子を検出する反
射電子検出器１０と、収束され試料に照射された一次電
子によって試料から発生した二次電子を検出する二次電
子検出器２０と、各検出器１０、２０からの検出信号か
ら試料像を画像表示する画像表示手段とを備えた走査型
電子顕微鏡において、前記反射電子検出器１０に電子線
及び二次電子を通過させるための開口部１７を設け、こ
の開口部１７を電子線同軸上に配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は試料上に電子線収束して
走査し、試料から発生した反射電子と二次電子を検出
し、それらの検出信号にもとづいて、試料の二次元走査
像を陰極線管（ＣＲＴ表示装置）などの画像表示装置に
表示させて、試料の表面形状などを高解像度かつ高分解
能で測定する走査電子顕微鏡装置に関するものである。
走査し、試料から発生した反射電子と二次電子を検出
し、それらの検出信号にもとづいて、試料の二次元走査
像を陰極線管（ＣＲＴ表示装置）などの画像表示装置に
表示させて、試料の表面形状などを高解像度かつ高分解
能で測定する走査電子顕微鏡装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＬＳＩなどの半導体デバイス
等のを試料とし、この試料上のサブミクロンオーダーの
回路パターンやコンタクトホールの形状観察を行うため
に、走査電子顕微鏡が用いられている。
等のを試料とし、この試料上のサブミクロンオーダーの
回路パターンやコンタクトホールの形状観察を行うため
に、走査電子顕微鏡が用いられている。
【０００３】近年、半導体デバイスの集積度が高くなる
のにともなって、試料上に形成される回路パターンやコ
ンタクトホールの大きさも微細化していき、それらの形
状の観察を行う走査電子顕微鏡装置の高分解能化が要求
されるようになってきている。
のにともなって、試料上に形成される回路パターンやコ
ンタクトホールの大きさも微細化していき、それらの形
状の観察を行う走査電子顕微鏡装置の高分解能化が要求
されるようになってきている。
【０００４】このような走査電子顕微鏡装置の分解能を
向上させるための方法として、静電レンズと磁気レンズ
から構成される静電磁界複合対物レンズのような、減速
場をもつレンズを対物レンズとして使用するとともに、
対物レンズの先端と、試料との間の距離（作動距離）を
短くすることによって、対物レンズの収差を極力押さえ
ることが行われている。
向上させるための方法として、静電レンズと磁気レンズ
から構成される静電磁界複合対物レンズのような、減速
場をもつレンズを対物レンズとして使用するとともに、
対物レンズの先端と、試料との間の距離（作動距離）を
短くすることによって、対物レンズの収差を極力押さえ
ることが行われている。
【０００５】このような装置では、通常試料に照射した
一次電子線に起因して試料から発生した二次電子を検出
器で検出して走査像を得るものであるが、このような静
電磁界複合対物レンズを試料付近に配置、その試料付近
に形成される静電磁界複合対物レンズの減速場の影響で
放電等を引き起こすことや、また、上記検出器を配置す
ることによって減速場に乱れが生じて光学的な性能を損
なうおそれがある。
一次電子線に起因して試料から発生した二次電子を検出
器で検出して走査像を得るものであるが、このような静
電磁界複合対物レンズを試料付近に配置、その試料付近
に形成される静電磁界複合対物レンズの減速場の影響で
放電等を引き起こすことや、また、上記検出器を配置す
ることによって減速場に乱れが生じて光学的な性能を損
なうおそれがある。
【０００６】このような理由から、従来電子顕微鏡装置
では静電磁界複合対物レンズから離れた場所に検出器を
配置させることが必要である。
では静電磁界複合対物レンズから離れた場所に検出器を
配置させることが必要である。
【０００７】また、試料上のアスペクト比の大きい（深
さ寸法が幅寸法に較べて大きい）コンタクトホールなど
の底面の形状観察を行う場合、コンタクトホールの底面
から発生する二次電子は、そのエネルギーが小さいた
め、コンタクトホール内の内壁に衝突して試料表面から
出て来ない等の理由から、コンタクトホールの二次電子
による観察が困難である。
さ寸法が幅寸法に較べて大きい）コンタクトホールなど
の底面の形状観察を行う場合、コンタクトホールの底面
から発生する二次電子は、そのエネルギーが小さいた
め、コンタクトホール内の内壁に衝突して試料表面から
出て来ない等の理由から、コンタクトホールの二次電子
による観察が困難である。
【０００８】よって、このような場所の観察には反射電
子だけによる観察が行われるようになってきている。
子だけによる観察が行われるようになってきている。
【０００９】また、上記のような静電磁界複合対物レン
ズのような減速場付きの対物レンズでは、試料から発生
した二次電子は、静電磁界複合対物レンズで形成される
減速場によって加速されることとなり、そのエネルギー
が高くなる。このため、従来の検出方法では、検出がよ
りいっそう困難になってきた。
ズのような減速場付きの対物レンズでは、試料から発生
した二次電子は、静電磁界複合対物レンズで形成される
減速場によって加速されることとなり、そのエネルギー
が高くなる。このため、従来の検出方法では、検出がよ
りいっそう困難になってきた。
【００１０】これに対応して、図６に示すように、試料
４上から発生した、反射電子９と二次電子７とを検出す
るため、光軸上で電場と磁場を組み合わせたウィーンフ
ィルタ６を配置し、特定のエネルギーの電子だけを、光
軸外に導き、さらに検出器付近に電位を与えて、反射電
子や二次電子を検出器側に引き込むなどの方法が考案さ
れている。ここで、１は二次電子検出器、２は磁界レン
ズ、３は静電レンズ、４は試料、５は偏向コイルを示し
ている。
４上から発生した、反射電子９と二次電子７とを検出す
るため、光軸上で電場と磁場を組み合わせたウィーンフ
ィルタ６を配置し、特定のエネルギーの電子だけを、光
軸外に導き、さらに検出器付近に電位を与えて、反射電
子や二次電子を検出器側に引き込むなどの方法が考案さ
れている。ここで、１は二次電子検出器、２は磁界レン
ズ、３は静電レンズ、４は試料、５は偏向コイルを示し
ている。
【００１１】また、従来の他の方法として図７に示すよ
うに、上記減速場で加速された二次電子７を別のターゲ
ット８に衝突させ、そのターゲット８から発生する二次
電子などを光軸外に配置された検出器１側に引き込むと
いう方法が行われている。尚図７において、各部材には
図６に示したものと同一符号を付している。
うに、上記減速場で加速された二次電子７を別のターゲ
ット８に衝突させ、そのターゲット８から発生する二次
電子などを光軸外に配置された検出器１側に引き込むと
いう方法が行われている。尚図７において、各部材には
図６に示したものと同一符号を付している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した方法
のうちウィーンフィルタ６を使用した方法（図６）で
は、ウィーンフィルタ６が一次電子ビームに及ぼす影響
などを考慮して、補正用の電磁場を重ねる必要もあり、
収差悪化の原因となるという問題がある。
のうちウィーンフィルタ６を使用した方法（図６）で
は、ウィーンフィルタ６が一次電子ビームに及ぼす影響
などを考慮して、補正用の電磁場を重ねる必要もあり、
収差悪化の原因となるという問題がある。
【００１３】また、後者に示したターゲットに衝突させ
る方法（図７）では、検出可能な信号の強度が試料上か
ら発生する二次電子を直接検出器で検出した場合での信
号の強度と比較して、著しく小さくなるという問題があ
る。
る方法（図７）では、検出可能な信号の強度が試料上か
ら発生する二次電子を直接検出器で検出した場合での信
号の強度と比較して、著しく小さくなるという問題があ
る。
【００１４】また、前述のようにアスペクト比が高いコ
ンタクトホールの底面の観察には、反射電子による走査
像を使用することになるが、この反射電子の一部は、コ
ンタクトホール内の内壁に衝突して、その内壁からの二
次電子を発生させる。
ンタクトホールの底面の観察には、反射電子による走査
像を使用することになるが、この反射電子の一部は、コ
ンタクトホール内の内壁に衝突して、その内壁からの二
次電子を発生させる。
【００１５】このように、従来の方法では、反射電子と
二次電子を分離することが困難であるため、コンタクト
ホールの底面像を観察しようとすると、反射電子像と二
次電子像が混じったものとなり、得られた画質が劣化し
てしまうという問題がある。
二次電子を分離することが困難であるため、コンタクト
ホールの底面像を観察しようとすると、反射電子像と二
次電子像が混じったものとなり、得られた画質が劣化し
てしまうという問題がある。
【００１６】そこで本発明は、簡易な構造の装置に試料
からの反射電子と二次電子とを電子線軸上で分離し、独
立に検出でき、良好な画面を得ることができる走査型電
子顕微鏡装置を提供することを目的とする。
からの反射電子と二次電子とを電子線軸上で分離し、独
立に検出でき、良好な画面を得ることができる走査型電
子顕微鏡装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】これらの問題点を解決す
るため、本発明は電子線源と、電子線源が発生した一次
電子を加速する電子線加速手段と、加速された一次電子
を走査偏向する偏向器と、偏向走査された一次電子を試
料台に載置された試料上に集束する静電磁界複合対物レ
ンズと、収束され試料に照射された一次電子によって試
料から発生した反射電子を検出する反射電子検出器と、
収束され試料に照射された一次電子によって試料から発
生した二次電子を検出する二次電子検出器と、各検出器
からの検出信号から試料像を画像表示する画像表示手段
とを備えた走査型電子顕微鏡において、前記反射電子検
出器に電子線及び二次電子を通過させるための開口部を
設け、この開口部を電子線同軸上に配置したことを特徴
とする走査型電子顕微鏡をその手段とする。
るため、本発明は電子線源と、電子線源が発生した一次
電子を加速する電子線加速手段と、加速された一次電子
を走査偏向する偏向器と、偏向走査された一次電子を試
料台に載置された試料上に集束する静電磁界複合対物レ
ンズと、収束され試料に照射された一次電子によって試
料から発生した反射電子を検出する反射電子検出器と、
収束され試料に照射された一次電子によって試料から発
生した二次電子を検出する二次電子検出器と、各検出器
からの検出信号から試料像を画像表示する画像表示手段
とを備えた走査型電子顕微鏡において、前記反射電子検
出器に電子線及び二次電子を通過させるための開口部を
設け、この開口部を電子線同軸上に配置したことを特徴
とする走査型電子顕微鏡をその手段とする。
【００１８】また、本発明は、前記二次電子検出器を電
子線同軸上であって前記反射電子検出器と前記電子線源
との間に配置した走査型電子顕微鏡をその手段とする。
子線同軸上であって前記反射電子検出器と前記電子線源
との間に配置した走査型電子顕微鏡をその手段とする。
【００１９】そして、本発明は、画像表示手段は、前記
二次電子検出器及び前記反射電子検出器により検出され
たそれぞれの信号に基づき演算処理して試料像を形成す
ることをその手段とする。
二次電子検出器及び前記反射電子検出器により検出され
たそれぞれの信号に基づき演算処理して試料像を形成す
ることをその手段とする。
【００２０】
【実施の形態】以下図面を参照して、実施例を詳細に説
明する。図１は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一例の
概略図である。図１において、２は対物レンズである磁
界レンズ、３は対物レンズである静電レンズ、４は試
料、５は偏向器である偏向コイル、７は二次電子線の軌
跡、９は反射電子線の軌跡、１０は反射電子検出器、２
０は二次電子検出器、１２は信号処理装置、１３はＣＲ
Ｔモニタを示している。
明する。図１は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一例の
概略図である。図１において、２は対物レンズである磁
界レンズ、３は対物レンズである静電レンズ、４は試
料、５は偏向器である偏向コイル、７は二次電子線の軌
跡、９は反射電子線の軌跡、１０は反射電子検出器、２
０は二次電子検出器、１２は信号処理装置、１３はＣＲ
Ｔモニタを示している。
【００２１】電子銃が発生した一次電子は、電子線加速
手段で加速されて偏向コイル５で走査偏向される。偏向
走査された一次電子ビームは、図示されていないコンデ
ンサレンズ、磁界レンズ２と静電レンズ３から構成され
る対物レンズにより、試料４の表面に細く収束される。
収束された電子ビームは、偏向コイル５によって、試料
上を走査される。試料上を電子ビームで照射・走査させ
ることによって、試料上から反射電子、二次電子が発生
する。これらの反射電子、二次電子は、対物レンズが作
る電磁場の影響を受けながら、試料４の上方へと飛翔す
る。
手段で加速されて偏向コイル５で走査偏向される。偏向
走査された一次電子ビームは、図示されていないコンデ
ンサレンズ、磁界レンズ２と静電レンズ３から構成され
る対物レンズにより、試料４の表面に細く収束される。
収束された電子ビームは、偏向コイル５によって、試料
上を走査される。試料上を電子ビームで照射・走査させ
ることによって、試料上から反射電子、二次電子が発生
する。これらの反射電子、二次電子は、対物レンズが作
る電磁場の影響を受けながら、試料４の上方へと飛翔す
る。
【００２２】図５は、試料４上から発生する、反射電子
の軌道９と二次電子の軌道７を模式的に描いたものであ
る。エネルギーの大きな反射電子は、対物レンズによる
電磁場の影響をあまり受けずに、軌道９を進んで行く
が、エネルギーの小さな二次電子は、対物レンズによる
電磁場の影響を強く受けるため、その軌道７が、光軸の
方向に曲げられるため、光軸近傍を通るように軌跡を描
くことが、シミュレーションによって確認された。
の軌道９と二次電子の軌道７を模式的に描いたものであ
る。エネルギーの大きな反射電子は、対物レンズによる
電磁場の影響をあまり受けずに、軌道９を進んで行く
が、エネルギーの小さな二次電子は、対物レンズによる
電磁場の影響を強く受けるため、その軌道７が、光軸の
方向に曲げられるため、光軸近傍を通るように軌跡を描
くことが、シミュレーションによって確認された。
【００２３】上述したシュミレーションについて、詳述
する。図１に示す走査型電子顕微鏡において、磁界レン
ズ２と静電レンズ３とを組み合わせた静電磁界複合レン
ズのような減速場を持つ電子光学系を形成した。この電
子光学系において、電子ビームを照射された試料から放
出される反射電子および二次電子がどのような軌道を描
くかについてのコンピューターシミュレーションを実行
した。
する。図１に示す走査型電子顕微鏡において、磁界レン
ズ２と静電レンズ３とを組み合わせた静電磁界複合レン
ズのような減速場を持つ電子光学系を形成した。この電
子光学系において、電子ビームを照射された試料から放
出される反射電子および二次電子がどのような軌道を描
くかについてのコンピューターシミュレーションを実行
した。
【００２４】その結果によれば、図５に示すように入射
する一次電子線とほぼ同じエネルギーを持つ反射電子に
ついては、減速場による影響を受けにくいため、放出し
た方向へ直進するような軌道を描くのに対して、エネル
ギーの小さな二次電子は減速場の影響を強くうけるた
め、光軸に巻き付くような軌道をとることが明らかにな
った。
する一次電子線とほぼ同じエネルギーを持つ反射電子に
ついては、減速場による影響を受けにくいため、放出し
た方向へ直進するような軌道を描くのに対して、エネル
ギーの小さな二次電子は減速場の影響を強くうけるた
め、光軸に巻き付くような軌道をとることが明らかにな
った。
【００２５】この結果から、反射電子軌道と二次電子軌
道の、光軸に垂直な平面における断面を考えると、反射
電子軌道は、光軸から離れた場所で、この平面と交点を
持つが、二次電子の軌道は、光軸に近い場所で、この平
面と交点を持つような平面の位置を見出すことが可能で
あることが分かる。
道の、光軸に垂直な平面における断面を考えると、反射
電子軌道は、光軸から離れた場所で、この平面と交点を
持つが、二次電子の軌道は、光軸に近い場所で、この平
面と交点を持つような平面の位置を見出すことが可能で
あることが分かる。
【００２６】図２はこのような条件を満足する平面上
で、図３、図４及び図５に示すような検出器を配置させ
た場合、その検出器に衝突する反射電子の位置を、シミ
ュレーションでの計算結果をもとに、模式的に表したも
のである。
で、図３、図４及び図５に示すような検出器を配置させ
た場合、その検出器に衝突する反射電子の位置を、シミ
ュレーションでの計算結果をもとに、模式的に表したも
のである。
【００２７】図３及び図４は、反射電子検出器１０を示
すものである。この反射電子検出器１０は走査型電子顕
微鏡に一般的に使用されるものであり、検出器先端に配
置されているシンチレータからなる検出部１４、ライト
ガイド１５、及び図示していないＰＭＴ（光電倍増管）
等からなる。本例では検出部１４の電子線光軸に相当す
る個所に開けられた開口１７は二次電子線ビームを十分
に通過させ、かつ、この開口１７の周囲に試料からの反
射電子を検出できる検出部本体１８を備えたものであ
る。
すものである。この反射電子検出器１０は走査型電子顕
微鏡に一般的に使用されるものであり、検出器先端に配
置されているシンチレータからなる検出部１４、ライト
ガイド１５、及び図示していないＰＭＴ（光電倍増管）
等からなる。本例では検出部１４の電子線光軸に相当す
る個所に開けられた開口１７は二次電子線ビームを十分
に通過させ、かつ、この開口１７の周囲に試料からの反
射電子を検出できる検出部本体１８を備えたものであ
る。
【００２８】この反射電子検出器１０の配置位置や、こ
の検出器１０に開設される開口１７の大きさや形状は、
レンズの形状によって異なると考えられるため、シミュ
レーションの結果をもとに、最適形状を決定する。
の検出器１０に開設される開口１７の大きさや形状は、
レンズの形状によって異なると考えられるため、シミュ
レーションの結果をもとに、最適形状を決定する。
【００２９】反射電子検出器１０の最適形状は、一例と
して、検出器先端に設けられた開口数mmの大きさとする
ことができる。
して、検出器先端に設けられた開口数mmの大きさとする
ことができる。
【００３０】このように、本発明は、試料から発生する
反射電子軌道と二次電子軌道の差を利用して、光軸上に
配置された検出器で反射電子と二次電子とを分離検出で
きるものとした。
反射電子軌道と二次電子軌道の差を利用して、光軸上に
配置された検出器で反射電子と二次電子とを分離検出で
きるものとした。
【００３１】図２は試料４の表面から任意の高さの位置
で、二次電子検出器１０を配置したときに、電子線光軸
に垂直な方向から見た場合に、反射電子が検出器に衝突
する位置を、シミュレーションの結果に基づいて、模式
的に図示したものである。図２では図示されていない二
次電子は、光軸に近い場所を通るような軌道を描くた
め、この検出器の中心に開けられた開口部１７を通過す
ることになる。
で、二次電子検出器１０を配置したときに、電子線光軸
に垂直な方向から見た場合に、反射電子が検出器に衝突
する位置を、シミュレーションの結果に基づいて、模式
的に図示したものである。図２では図示されていない二
次電子は、光軸に近い場所を通るような軌道を描くた
め、この検出器の中心に開けられた開口部１７を通過す
ることになる。
【００３２】このように、試料４から発生した、反射電
子と二次電子について、その両者が同軸上で分離可能で
ある場所をシミュレーションの結果から見出すことによ
って、同軸上で反射電子と二次電子を独立に分離検出で
きうることが確認された。このときの、検出器先端に配
置させる反射電子検出器１０の開口１７の大きさや、図
１に示した検出器の試料位置からの距離（ｄ）について
は、レンズ形状によって異なるため、シミュレーション
の結果をもとに決定する必要がある。
子と二次電子について、その両者が同軸上で分離可能で
ある場所をシミュレーションの結果から見出すことによ
って、同軸上で反射電子と二次電子を独立に分離検出で
きうることが確認された。このときの、検出器先端に配
置させる反射電子検出器１０の開口１７の大きさや、図
１に示した検出器の試料位置からの距離（ｄ）について
は、レンズ形状によって異なるため、シミュレーション
の結果をもとに決定する必要がある。
【００３３】これは反射電子検出器２０についても同様
である。なお、図１、図３、及び図４に示した検出器な
どの構造は、説明の便宜上示したもので、図示された形
状に限定されるものではない。
である。なお、図１、図３、及び図４に示した検出器な
どの構造は、説明の便宜上示したもので、図示された形
状に限定されるものではない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る走査
電子顕微鏡装置によれば、試料から発生する反射電子と
二次電子を同軸上で有効に分離検出させることができ、
二次電子像の画質の向上を図ることができるともに、反
射電子像によってアスペクト比の大きなコンタクトホー
ル等の底面の鮮明な観察が可能となるという効果を奏す
る。
電子顕微鏡装置によれば、試料から発生する反射電子と
二次電子を同軸上で有効に分離検出させることができ、
二次電子像の画質の向上を図ることができるともに、反
射電子像によってアスペクト比の大きなコンタクトホー
ル等の底面の鮮明な観察が可能となるという効果を奏す
る。
【図１】本発明による走査電子顕微鏡装置の一例を示す
図である。
図である。
【図２】反射電子検出器に補足される反射電子の軌道を
模式的に図示したものである。
模式的に図示したものである。
【図３】本発明において使用する反射電子検出器を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】図３に図示した検出器のシンチレーター部分の
IV-IV 線の拡大断面図である。
IV-IV 線の拡大断面図である。
【図５】試料上から発生する反射電子と二次電子軌道の
模式図である。
模式図である。
【図６】従来の技術に基づくウィーンフィルタを使用し
た走査電子顕微鏡の一例を示す図である。
た走査電子顕微鏡の一例を示す図である。
【図７】試料から発生した二次電子を別のターゲットに
衝突させて、二次電子を検出するものを示す図である。
衝突させて、二次電子を検出するものを示す図である。
２ 磁界レンズ ３ 静電レンズ ４ 試料 ５ 偏向コイル ６ ウィーンフィルタ ７ 二次電子の軌道 ９ 反射電子の軌道 １０ 反射電子検出器 １２ 信号処理回路 １３ ＣＲＴモニタ １４ 検出器の検出部 １５ ライトガイド ２０ 二次電子検出器
Claims (3)
- 【請求項１】電子線源と、電子線源が発生した一次電子
を加速する電子線加速手段と、加速された一次電子を走
査偏向する偏向器と、偏向走査された一次電子を試料台
に載置された試料上に集束する静電磁界複合対物レンズ
と、収束され試料に照射された一次電子によって試料か
ら発生した反射電子を検出する反射電子検出器と、 収束され試料に照射された一次電子によって試料から発
生した二次電子を検出する二次電子検出器と、各検出器
からの検出信号から試料像を画像表示する画像表示手段
とを備えた走査型電子顕微鏡において、前記反射電子検
出器に電子線及び二次電子を通過させるための開口部を
設け、この開口部を電子線同軸上に配置したことを特徴
とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項２】前記二次電子検出器を電子線同軸上であっ
て前記反射電子検出器と前記電子線源との間に配置した
ことを特徴とする請求項１に記載の走査型電子顕微鏡。 - 【請求項３】前記画像表示手段は、前記二次電子検出器
及び前記反射電子検出器により検出されたそれぞれの信
号に基づき演算処理して試料像を形成することを特徴と
する請求項１又は請求項２に記載の走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (2)
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP11105135A JP2000299078A (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 走査型電子顕微鏡 |
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Family Applications (1)
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455801B1 (ko) * | 2001-06-22 | 2004-11-09 | (주)미래로시스템 | 주사전자현미경의 3차원 영상 구현방법 및 장치 |
| JP2008108592A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置および試料検査方法 |
| JP2008186689A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査形電子顕微鏡 |
| US7851755B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-12-14 | Jeol Ltd. | Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus |
| JP2012015130A (ja) * | 2003-01-16 | 2012-01-19 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 電子ビーム装置 |
| JP2012186177A (ja) * | 2012-06-18 | 2012-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置 |
| WO2013035389A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| WO2015016040A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| KR20150036579A (ko) | 2012-09-25 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 전자 현미경 및 전자선 검출기 |
| KR20220137971A (ko) * | 2020-03-11 | 2022-10-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 신호 전자 검출을 위한 시스템 및 방법 |
| KR20220153059A (ko) * | 2020-04-10 | 2022-11-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수의 검출기를 갖는 하전 입자 빔 장치 및 이미징 방법 |
-
1999
- 1999-04-13 JP JP11105135A patent/JP2000299078A/ja not_active Withdrawn
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100455801B1 (ko) * | 2001-06-22 | 2004-11-09 | (주)미래로시스템 | 주사전자현미경의 3차원 영상 구현방법 및 장치 |
| JP2012015130A (ja) * | 2003-01-16 | 2012-01-19 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 電子ビーム装置 |
| JP2008108592A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置および試料検査方法 |
| US7851755B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-12-14 | Jeol Ltd. | Apparatus for detecting backscattered electrons in a beam apparatus |
| JP2008186689A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査形電子顕微鏡 |
| US7705302B2 (en) | 2007-01-30 | 2010-04-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
| WO2013035389A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| JP2013058314A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
| US9029766B2 (en) | 2011-09-07 | 2015-05-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
| JP2012186177A (ja) * | 2012-06-18 | 2012-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置 |
| US9355815B2 (en) | 2012-09-25 | 2016-05-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron microscope and electron beam detector |
| KR20150036579A (ko) | 2012-09-25 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 전자 현미경 및 전자선 검출기 |
| JPWO2015016040A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2017-03-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| US9536703B2 (en) | 2013-08-02 | 2017-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope |
| WO2015016040A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
| CN105340051B (zh) * | 2013-08-02 | 2017-03-08 | 株式会社日立高新技术 | 扫描电子显微镜 |
| DE112014002951B4 (de) | 2013-08-02 | 2020-08-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Rasterelektronenmikroskop |
| JP7519455B2 (ja) | 2020-03-11 | 2024-07-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 信号電子検出のためのシステム及び方法 |
| CN115335950A (zh) * | 2020-03-11 | 2022-11-11 | Asml荷兰有限公司 | 用于信号电子探测的系统和方法 |
| JP2023516975A (ja) * | 2020-03-11 | 2023-04-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 信号電子検出のためのシステム及び方法 |
| KR20220137971A (ko) * | 2020-03-11 | 2022-10-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 신호 전자 검출을 위한 시스템 및 방법 |
| KR102865964B1 (ko) * | 2020-03-11 | 2025-09-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 신호 전자 검출을 위한 시스템 및 방법 |
| US12555738B2 (en) | 2020-03-11 | 2026-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for signal electron detection |
| CN115335950B (zh) * | 2020-03-11 | 2026-04-17 | Asml荷兰有限公司 | 用于信号电子探测的系统和方法 |
| KR20220153059A (ko) * | 2020-04-10 | 2022-11-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수의 검출기를 갖는 하전 입자 빔 장치 및 이미징 방법 |
| JP2023520336A (ja) * | 2020-04-10 | 2023-05-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 複数の検出器を備えた荷電粒子ビーム装置及び撮像方法 |
| US12142455B2 (en) | 2020-04-10 | 2024-11-12 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle beam apparatus with multiple detectors and methods for imaging |
| KR102833736B1 (ko) * | 2020-04-10 | 2025-07-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다수의 검출기를 갖는 하전 입자 빔 장치 및 이미징 방법 |
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