JP2000299376A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2000299376A JP2000299376A JP11106072A JP10607299A JP2000299376A JP 2000299376 A JP2000299376 A JP 2000299376A JP 11106072 A JP11106072 A JP 11106072A JP 10607299 A JP10607299 A JP 10607299A JP 2000299376 A JP2000299376 A JP 2000299376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- connection hole
- etching
- wiring
- wiring groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デュアルダマシン法においては、配線溝の下
方の接続孔内に配線材料が埋め込まれ難いため、ボイド
の形成による導電性の劣化が懸念される。 【解決手段】 下層絶縁膜１５及びその上方に設けられ
た上層絶縁膜１６と、上層絶縁膜１６に形成された配線
溝１６ａと、配線溝１６ａの底面から下方に延設された
状態で下層絶縁膜１５に形成された側壁がテーパ形状の
接続孔１５ａと、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａ内に埋
め込まれた配線材料２２とを備えている。これによっ
て、配線溝１６ａと接続孔１５ａとの内部に同時に配線
材料２２を埋め込む際、接続孔１５ａ内が配線材料２２
で埋め込まれ易くなる。
方の接続孔内に配線材料が埋め込まれ難いため、ボイド
の形成による導電性の劣化が懸念される。 【解決手段】 下層絶縁膜１５及びその上方に設けられ
た上層絶縁膜１６と、上層絶縁膜１６に形成された配線
溝１６ａと、配線溝１６ａの底面から下方に延設された
状態で下層絶縁膜１５に形成された側壁がテーパ形状の
接続孔１５ａと、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａ内に埋
め込まれた配線材料２２とを備えている。これによっ
て、配線溝１６ａと接続孔１５ａとの内部に同時に配線
材料２２を埋め込む際、接続孔１５ａ内が配線材料２２
で埋め込まれ易くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特には下層導電層に接続される埋め
込み配線を有する半導体装置及びその製造方法に関す
る。
の製造方法に関し、特には下層導電層に接続される埋め
込み配線を有する半導体装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超高集積回路（ＵＬＳＩ：Ultra Large
Scale Integrated-circuit）のような集積度の高い半導
体装置では、信号伝搬の高速化と共に、消費電力の増大
によって深刻化するマイグレーションに対する高い耐性
が要求されている。このような半導体装置の配線材料と
しては、アルミニウム合金（０．５％の銅を含有するア
ルミニウム、１％のシリコンと０．５％の銅を含有する
アルミニウム等）が用いられてきた。そして、さらなる
信号伝搬の高速化を達成するためには、比抵抗が約１．
８Ωｃｍと低く、かつ耐エレクトロマイグレーション特
性がアルミニウムよりも一桁程度高い銅を配線材料とし
て用いることが期待されている。
Scale Integrated-circuit）のような集積度の高い半導
体装置では、信号伝搬の高速化と共に、消費電力の増大
によって深刻化するマイグレーションに対する高い耐性
が要求されている。このような半導体装置の配線材料と
しては、アルミニウム合金（０．５％の銅を含有するア
ルミニウム、１％のシリコンと０．５％の銅を含有する
アルミニウム等）が用いられてきた。そして、さらなる
信号伝搬の高速化を達成するためには、比抵抗が約１．
８Ωｃｍと低く、かつ耐エレクトロマイグレーション特
性がアルミニウムよりも一桁程度高い銅を配線材料とし
て用いることが期待されている。
【０００３】銅配線の加工方法としては、デュアルダマ
シン法を適用することが検討されている。このデュアル
ダマシン法は、接続孔とこの接続孔上に重なる配線溝と
を層間絶縁膜に形成し、これらの接続孔及び配線溝に同
時に配線材料を埋め込んだ後、化学的機械研磨（Chemic
al Mechanical Polishing 、以下ＣＭＰと記す）法によ
って層間絶縁膜上の余分な配線材料を除去する方法であ
る。このようなデュアルダマシン法では、配線材料の埋
め込みやその後のＣＭＰ工程が１回で済むことから、コ
スト的な利点が高い。
シン法を適用することが検討されている。このデュアル
ダマシン法は、接続孔とこの接続孔上に重なる配線溝と
を層間絶縁膜に形成し、これらの接続孔及び配線溝に同
時に配線材料を埋め込んだ後、化学的機械研磨（Chemic
al Mechanical Polishing 、以下ＣＭＰと記す）法によ
って層間絶縁膜上の余分な配線材料を除去する方法であ
る。このようなデュアルダマシン法では、配線材料の埋
め込みやその後のＣＭＰ工程が１回で済むことから、コ
スト的な利点が高い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、デュアルダ
マシン法においては、配線溝の内部と接続孔の内部とに
配線材料を同時に埋め込むため、配線溝の底面からさら
に掘り下げられた状態の接続孔内部には配線材料が埋め
込まれ難い。このため、接続孔の配線材料内にはボイド
が形成され易く、導電性不良が発生し易いといった問題
がある。
マシン法においては、配線溝の内部と接続孔の内部とに
配線材料を同時に埋め込むため、配線溝の底面からさら
に掘り下げられた状態の接続孔内部には配線材料が埋め
込まれ難い。このため、接続孔の配線材料内にはボイド
が形成され易く、導電性不良が発生し易いといった問題
がある。
【０００５】そこで本発明は、接続孔内にも配線材料を
容易に埋め込むことが可能で、接続孔内における配線材
料の導電性を確保することができる半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的としている。
容易に埋め込むことが可能で、接続孔内における配線材
料の導電性を確保することができる半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の半導体装置は、下層絶縁膜及びその上
方に設けられた上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜に形成さ
れた配線溝と、前記配線溝の底面から下方に延設された
状態で前記下層絶縁膜に形成された側壁がテーパ形状の
接続孔と、前記接続孔及び前記配線溝内に埋め込まれた
配線材料とを備えたことを特徴としている。
るための本発明の半導体装置は、下層絶縁膜及びその上
方に設けられた上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜に形成さ
れた配線溝と、前記配線溝の底面から下方に延設された
状態で前記下層絶縁膜に形成された側壁がテーパ形状の
接続孔と、前記接続孔及び前記配線溝内に埋め込まれた
配線材料とを備えたことを特徴としている。
【０００７】このような構成の半導体装置では、配線溝
の底面から下方に延設されている接続孔の側壁がテーパ
形状であることから、前記配線材料が配線溝と接続孔内
とに同時に埋め込まれたものであっても、この配線材料
は配線溝下の接続孔内にも容易に埋め込まれたものにな
る。
の底面から下方に延設されている接続孔の側壁がテーパ
形状であることから、前記配線材料が配線溝と接続孔内
とに同時に埋め込まれたものであっても、この配線材料
は配線溝下の接続孔内にも容易に埋め込まれたものにな
る。
【０００８】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
下層絶縁膜上の上層絶縁膜に配線溝を形成すると共に当
該配線溝の底面から下方に延設する状態で前記下層絶縁
膜に接続孔を形成する工程と、前記配線溝と前記接続孔
との内部に同時に配線材料を埋め込む工程とを有する半
導体装置の製造方法において、前記下層絶縁膜に接続孔
を形成する際には、当該接続孔の側壁をテーパ形状に加
工することを特徴としている。
下層絶縁膜上の上層絶縁膜に配線溝を形成すると共に当
該配線溝の底面から下方に延設する状態で前記下層絶縁
膜に接続孔を形成する工程と、前記配線溝と前記接続孔
との内部に同時に配線材料を埋め込む工程とを有する半
導体装置の製造方法において、前記下層絶縁膜に接続孔
を形成する際には、当該接続孔の側壁をテーパ形状に加
工することを特徴としている。
【０００９】このような製造方法では、配線溝の底面か
ら下方に延設される接続孔の側壁がテーパ形状に加工さ
れるため、これらの配線溝と接続孔とに対して同時に配
線材料を埋め込む際には、接続孔内にも容易に配線材料
が供給されるようになる。したがって、接続孔内は配線
材料によって十分に埋め込まれる。
ら下方に延設される接続孔の側壁がテーパ形状に加工さ
れるため、これらの配線溝と接続孔とに対して同時に配
線材料を埋め込む際には、接続孔内にも容易に配線材料
が供給されるようになる。したがって、接続孔内は配線
材料によって十分に埋め込まれる。
【００１０】また、この製造方法においては、前記下層
絶縁膜を無機材料からなるものとする。このようにした
場合、接続孔を形成するために下層絶縁膜をエッチング
する際には、エッチング保護膜となる反応生成物をエッ
チング側壁に付着させながらエッチングが進行する。こ
のため、エッチング側壁、すなわち接続孔の側壁がテー
パ形状に加工される。
絶縁膜を無機材料からなるものとする。このようにした
場合、接続孔を形成するために下層絶縁膜をエッチング
する際には、エッチング保護膜となる反応生成物をエッ
チング側壁に付着させながらエッチングが進行する。こ
のため、エッチング側壁、すなわち接続孔の側壁がテー
パ形状に加工される。
【００１１】さらに、下層絶縁膜が無機材料からなるも
のである場合に、前記上層絶縁膜を有機材料からなるも
のとしても良い。この場合には、前記接続孔及び前記配
線溝を形成する工程では、前記上層絶縁膜及び前記下層
絶縁膜をパターンエッチングして当該下層絶縁膜に前記
接続孔を形成した後、前記上層絶縁膜をパターンエッチ
ングして当該上層絶縁膜に前記配線溝を形成することと
する。
のである場合に、前記上層絶縁膜を有機材料からなるも
のとしても良い。この場合には、前記接続孔及び前記配
線溝を形成する工程では、前記上層絶縁膜及び前記下層
絶縁膜をパターンエッチングして当該下層絶縁膜に前記
接続孔を形成した後、前記上層絶縁膜をパターンエッチ
ングして当該上層絶縁膜に前記配線溝を形成することと
する。
【００１２】このような方法では、無機材料からなる下
層絶縁膜に対して有機材料からなる上層絶縁膜が選択的
にエッチングされるため、下層絶縁膜に接続孔を形成し
た後この接続孔に重ねて配線溝を形成する際のエッチン
グにおいて、接続孔の側壁形状が保たれる。
層絶縁膜に対して有機材料からなる上層絶縁膜が選択的
にエッチングされるため、下層絶縁膜に接続孔を形成し
た後この接続孔に重ねて配線溝を形成する際のエッチン
グにおいて、接続孔の側壁形状が保たれる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置及びそ
の製造方法実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。ここでは、図１に示すような本発明の半導体装置の
構成を説明する前に、図２〜図４の断面工程図に基づい
てその製造方法を説明する。
の製造方法実施の形態を図面に基づいて詳細に説明す
る。ここでは、図１に示すような本発明の半導体装置の
構成を説明する前に、図２〜図４の断面工程図に基づい
てその製造方法を説明する。
【００１４】先ず、図２（ａ）に示すように、基板（図
示省略）上の低誘電膜１１に配線溝１１ａを形成する。
低誘電膜１１としては、例えばダウケミカル社製のＳｉ
ＬＫに代表されるようなポリアリールエーテルと称され
る有機ポリマーを用いる。次に、配線溝１１ａの内壁を
覆う状態でバリアメタル層１２を形成した後、配線溝１
１ａ内を配線材料１３で埋め込む。バリアメタル層１２
は例えばタンタル（Ｔａ）からなるものであり、配線材
料１３は銅（Ｃｕ）からなることとする。
示省略）上の低誘電膜１１に配線溝１１ａを形成する。
低誘電膜１１としては、例えばダウケミカル社製のＳｉ
ＬＫに代表されるようなポリアリールエーテルと称され
る有機ポリマーを用いる。次に、配線溝１１ａの内壁を
覆う状態でバリアメタル層１２を形成した後、配線溝１
１ａ内を配線材料１３で埋め込む。バリアメタル層１２
は例えばタンタル（Ｔａ）からなるものであり、配線材
料１３は銅（Ｃｕ）からなることとする。
【００１５】その後、ＣＭＰ法によって低誘電膜１１上
の配線材料１３及びバリアメタル層１２を除去し、配線
溝１１ａ内に下層配線１３ａを形成する。
の配線材料１３及びバリアメタル層１２を除去し、配線
溝１１ａ内に下層配線１３ａを形成する。
【００１６】以上の後、低誘電膜１１上及び下層配線１
３ａ上に、下層配線１３ａを構成する材料（例えば銅）
の拡散を防止するための窒化シリコン膜１４を形成す
る。
３ａ上に、下層配線１３ａを構成する材料（例えば銅）
の拡散を防止するための窒化シリコン膜１４を形成す
る。
【００１７】次に、窒化シリコン膜１４上に、無機材料
からなる下層絶縁膜１５を形成する。この下層絶縁膜１
５は、例えば酸化シリコン系の材料からなり、一例とし
ては無添加の酸化シリコン（non-dopet silicate glas
s、以下ＮＳＧと記す）の間にフッ素を添加した酸化シ
リコン（fluorinate silicate glass 、以下ＦＳＧと記
す）を挟んでなる３層構造であることとする。
からなる下層絶縁膜１５を形成する。この下層絶縁膜１
５は、例えば酸化シリコン系の材料からなり、一例とし
ては無添加の酸化シリコン（non-dopet silicate glas
s、以下ＮＳＧと記す）の間にフッ素を添加した酸化シ
リコン（fluorinate silicate glass 、以下ＦＳＧと記
す）を挟んでなる３層構造であることとする。
【００１８】次いで、下層絶縁膜１５上に、有機材料か
らなる上層絶縁膜１６を形成する。この上層絶縁膜１６
は、例えば上述のＳｉＬＫや、その他のポリアリールエ
ーテル、またはその他の有機ポリマーからなるものであ
る。
らなる上層絶縁膜１６を形成する。この上層絶縁膜１６
は、例えば上述のＳｉＬＫや、その他のポリアリールエ
ーテル、またはその他の有機ポリマーからなるものであ
る。
【００１９】次に、上層絶縁膜１６上に、下層マスク層
１７を形成し、さらにこの上部に下層マスク層１７とは
異なる材質の上層マスク層１８を形成する。この下層マ
スク槽１７は、下層絶縁膜１５に接続孔を形成する際の
エッチングマスクになるものである。また、上層マスク
層１８は、上層絶縁膜１６に配線溝を形成する際のエッ
チングマスクになるものである。ここでは、下層マスク
層１７は例えば酸化シリコンからなるもので、上層マス
ク層１８は例えば窒化シリコンからなるものとする。
１７を形成し、さらにこの上部に下層マスク層１７とは
異なる材質の上層マスク層１８を形成する。この下層マ
スク槽１７は、下層絶縁膜１５に接続孔を形成する際の
エッチングマスクになるものである。また、上層マスク
層１８は、上層絶縁膜１６に配線溝を形成する際のエッ
チングマスクになるものである。ここでは、下層マスク
層１７は例えば酸化シリコンからなるもので、上層マス
ク層１８は例えば窒化シリコンからなるものとする。
【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、上層マス
ク層１８をパターンエッチングし、銅配線１３ａの上方
の上層マスク層１８部分に第１開口部１８ａを形成す
る。この第１開口部１８ａは、上層絶縁膜１６に形成さ
れる配線溝のパターンになっていることとする。ここで
は、先ず、リソグラフィー法によって上層マスク層１８
上にレジストパターン（図示省略）を形成した後、この
レジストパターンをマスクにしたエッチングによって、
上層マスク層１８をエッチングする。そして、このエッ
チングの後には、レジストパターンを除去する。
ク層１８をパターンエッチングし、銅配線１３ａの上方
の上層マスク層１８部分に第１開口部１８ａを形成す
る。この第１開口部１８ａは、上層絶縁膜１６に形成さ
れる配線溝のパターンになっていることとする。ここで
は、先ず、リソグラフィー法によって上層マスク層１８
上にレジストパターン（図示省略）を形成した後、この
レジストパターンをマスクにしたエッチングによって、
上層マスク層１８をエッチングする。そして、このエッ
チングの後には、レジストパターンを除去する。
【００２１】上層マスク層１８のエッチング条件の一例
としては、エッチングガスとして３フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3 ）を３０ｓｃｃｍ、一酸化炭素（ＣＯ）を１５０ｓ
ｃｃｍ、酸素ガス（Ｏ2 ) を１０ｓｃｃｍの流量で供給
し、ＲＦプラズマを１０００Ｗ、エッチング雰囲気内圧
力を６Ｐａ、下部電極温度を２０℃に設定する。ここ
で、ｓｃｃｍは、standard cubic centimeter / minute
s であることとする。そして、オーバーエッチング量を
３０％とし、面内均一性±８％、エッチングレート４５
０ｎｍ／分で窒化シリコンからなる上層マスク層１８を
エッチングして第１開口部１８ａを形成する。
としては、エッチングガスとして３フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3 ）を３０ｓｃｃｍ、一酸化炭素（ＣＯ）を１５０ｓ
ｃｃｍ、酸素ガス（Ｏ2 ) を１０ｓｃｃｍの流量で供給
し、ＲＦプラズマを１０００Ｗ、エッチング雰囲気内圧
力を６Ｐａ、下部電極温度を２０℃に設定する。ここ
で、ｓｃｃｍは、standard cubic centimeter / minute
s であることとする。そして、オーバーエッチング量を
３０％とし、面内均一性±８％、エッチングレート４５
０ｎｍ／分で窒化シリコンからなる上層マスク層１８を
エッチングして第１開口部１８ａを形成する。
【００２２】また、このエッチングにおいては、マグネ
トロン型カソードカップルエッチング装置、二周波励起
容量結合プラズマエッチング装置、ＩＣＰ（inductive
coupled plasma）型エッチング装置、ヘリコン波励起プ
ラズマエッチング装置及びＥＣＲ（electron cyclotron
resonance) 型プラズマエッチング装置の中から適宜選
択されたエッチング装置を好適に用いることができる。
尚、以降の工程で行われるエッチングにおいてもこれら
のエッチング装置を好適に用いることができる。
トロン型カソードカップルエッチング装置、二周波励起
容量結合プラズマエッチング装置、ＩＣＰ（inductive
coupled plasma）型エッチング装置、ヘリコン波励起プ
ラズマエッチング装置及びＥＣＲ（electron cyclotron
resonance) 型プラズマエッチング装置の中から適宜選
択されたエッチング装置を好適に用いることができる。
尚、以降の工程で行われるエッチングにおいてもこれら
のエッチング装置を好適に用いることができる。
【００２３】以上の後、図２（ｃ）に示すように、下層
マスク層１７をパターンエッチングし、第１開口部１８
ａ内の下層マスク層１７部分に第２開口部１７ａを形成
する。この第２開口部１７ａは、下層絶縁膜１５に形成
される接続孔のパターンになっていることとする。ここ
では、先ず、リソグラフィー法によって下層マスク層１
７及び上層マスク層１８上にレジストパターン（図示省
略）を形成した後、このレジストパターンをマスクにし
て下層マスク層１７をエッチングして第２開口部１７ａ
を形成する。
マスク層１７をパターンエッチングし、第１開口部１８
ａ内の下層マスク層１７部分に第２開口部１７ａを形成
する。この第２開口部１７ａは、下層絶縁膜１５に形成
される接続孔のパターンになっていることとする。ここ
では、先ず、リソグラフィー法によって下層マスク層１
７及び上層マスク層１８上にレジストパターン（図示省
略）を形成した後、このレジストパターンをマスクにし
て下層マスク層１７をエッチングして第２開口部１７ａ
を形成する。
【００２４】下層マスク層１７のエッチング条件の一例
としては、エッチングガスとして８フッ化シクロブタン
（Ｃ4 Ｆ8 ）を１０ｓｃｃｍ、一酸化炭素を２００ｓｃ
ｃｍ、アルゴン（Ａｒ）を４００ｓｃｃｍの流量で供給
し、ＲＦプラズマを１７００Ｗ、エッチング雰囲気内圧
力を７Ｐａ、下部電極温度を２０℃に設定する。そし
て、オーバーエッチング量を３０％とし、面内均一性±
５％、エッチングレート３６０ｎｍ／分で酸化シリコン
からなる下層マスク層１７をエッチングする。
としては、エッチングガスとして８フッ化シクロブタン
（Ｃ4 Ｆ8 ）を１０ｓｃｃｍ、一酸化炭素を２００ｓｃ
ｃｍ、アルゴン（Ａｒ）を４００ｓｃｃｍの流量で供給
し、ＲＦプラズマを１７００Ｗ、エッチング雰囲気内圧
力を７Ｐａ、下部電極温度を２０℃に設定する。そし
て、オーバーエッチング量を３０％とし、面内均一性±
５％、エッチングレート３６０ｎｍ／分で酸化シリコン
からなる下層マスク層１７をエッチングする。
【００２５】次に、図３（ｄ）に示すように、下層マス
ク層１７をエッチングマスクとし、且つ上層マスク１８
ａに対しても選択比の取れる条件で、第２開口部１７ａ
の下方の上層絶縁膜１６をエッチング除去する。
ク層１７をエッチングマスクとし、且つ上層マスク１８
ａに対しても選択比の取れる条件で、第２開口部１７ａ
の下方の上層絶縁膜１６をエッチング除去する。
【００２６】このようなエッチング条件の一例として
は、エッチングガスとして酸素ガスを５ｓｃｃｍ、窒素
ガス（Ｎ2 ）を４５ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラ
ズマを１６００Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を７Ｐａ、
下部電極温度を−２０℃に設定する。そして、オーバー
エッチング量を３０％とし、面内均一性±８％、エッチ
ングレート２００ｎｍ／分で、ＳｉＬＫからなる有機系
の上層絶縁膜１６をエッチングし、同時にレジストパタ
ーンも除去する。そして、上層絶縁膜１６上には、下層
マスク層１７及び上層マスク層１８を残す。
は、エッチングガスとして酸素ガスを５ｓｃｃｍ、窒素
ガス（Ｎ2 ）を４５ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラ
ズマを１６００Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を７Ｐａ、
下部電極温度を−２０℃に設定する。そして、オーバー
エッチング量を３０％とし、面内均一性±８％、エッチ
ングレート２００ｎｍ／分で、ＳｉＬＫからなる有機系
の上層絶縁膜１６をエッチングし、同時にレジストパタ
ーンも除去する。そして、上層絶縁膜１６上には、下層
マスク層１７及び上層マスク層１８を残す。
【００２７】次に、図３（ｅ）に示すように、上層マス
ク層１８及び上層絶縁膜１６に対して、下層絶縁膜１５
を選択的にエッチングすることで、第２開口部１７ａの
下方の下層絶縁膜１５を除去し、下層絶縁膜１５に接続
孔１５ａを形成する。このエッチングは、接続孔１５ａ
の側壁がテーパ形状になるような条件で行うこととす
る。この際、接続孔１５ａの側壁のテーパ角度θの範囲
を８０°≦θ＜９０°に設定することで、接続孔１５ａ
内への配線材料の埋め込み易さを確保する。そして、好
ましくは、このテーパ角度θの範囲を８６°≦θ≦８８
°に設定することで、高アスペクト比の接続孔１５ａに
おいて底面の接続面積を確保すると共に、さらなる接続
孔１５ａ内への配線材料の埋め込み易さを確保する。ま
た、接続孔１５ａの側壁のテーパ形状は、下層絶縁膜１
５の下面に対する側壁の各高さ部分のテーパ角度θが、
上述のようなテーパ角度θの範囲内において連続的また
は段階的に変化する形状も含むこととする。
ク層１８及び上層絶縁膜１６に対して、下層絶縁膜１５
を選択的にエッチングすることで、第２開口部１７ａの
下方の下層絶縁膜１５を除去し、下層絶縁膜１５に接続
孔１５ａを形成する。このエッチングは、接続孔１５ａ
の側壁がテーパ形状になるような条件で行うこととす
る。この際、接続孔１５ａの側壁のテーパ角度θの範囲
を８０°≦θ＜９０°に設定することで、接続孔１５ａ
内への配線材料の埋め込み易さを確保する。そして、好
ましくは、このテーパ角度θの範囲を８６°≦θ≦８８
°に設定することで、高アスペクト比の接続孔１５ａに
おいて底面の接続面積を確保すると共に、さらなる接続
孔１５ａ内への配線材料の埋め込み易さを確保する。ま
た、接続孔１５ａの側壁のテーパ形状は、下層絶縁膜１
５の下面に対する側壁の各高さ部分のテーパ角度θが、
上述のようなテーパ角度θの範囲内において連続的また
は段階的に変化する形状も含むこととする。
【００２８】このようなエッチング条件の一例として
は、エッチングガスとして８フッ化シクロブタンを１０
ｓｃｃｍ、一酸化炭素を３００ｓｃｃｍ、アルゴンを３
００ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを１７００
Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を７Ｐａ、下部電極温度を
２０℃に設定する。そして、オーバーエッチング量を３
０％として、ＮＳＧ／ＦＳＧ／ＮＳＧの３層構造の下層
絶縁膜１５をエッチングする。このエッチングにおいて
は、ＮＳＧの面内均一性±５％、エッチングレート３０
０ｎｍ／分、ＦＳＧの面内均一性±５％、エッチングレ
ート４２０ｎｍ／分に対して、窒化シリコンからなる上
層マスク層１８の面内均一性±１０％、エッチングレー
ト１０ｎｍ／分となる。また、このエッチングにおいて
は、酸化シリコンからなる下層マスク層１７の露出部分
もエッチング除去される。
は、エッチングガスとして８フッ化シクロブタンを１０
ｓｃｃｍ、一酸化炭素を３００ｓｃｃｍ、アルゴンを３
００ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを１７００
Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を７Ｐａ、下部電極温度を
２０℃に設定する。そして、オーバーエッチング量を３
０％として、ＮＳＧ／ＦＳＧ／ＮＳＧの３層構造の下層
絶縁膜１５をエッチングする。このエッチングにおいて
は、ＮＳＧの面内均一性±５％、エッチングレート３０
０ｎｍ／分、ＦＳＧの面内均一性±５％、エッチングレ
ート４２０ｎｍ／分に対して、窒化シリコンからなる上
層マスク層１８の面内均一性±１０％、エッチングレー
ト１０ｎｍ／分となる。また、このエッチングにおいて
は、酸化シリコンからなる下層マスク層１７の露出部分
もエッチング除去される。
【００２９】以上の後、図３（ｆ）に示すように、上層
マスク層１８及び下層絶縁膜１５に対して、上層絶縁膜
１６を選択的にエッチングすることで、第１開口部１８
の下方の上層絶縁膜１６を除去し、上層絶縁膜１６に配
線溝１６ａを形成する。
マスク層１８及び下層絶縁膜１５に対して、上層絶縁膜
１６を選択的にエッチングすることで、第１開口部１８
の下方の上層絶縁膜１６を除去し、上層絶縁膜１６に配
線溝１６ａを形成する。
【００３０】このようなエッチング条件の一例として
は、エッチングガスとして酸素ガスを５ｓｃｃｍ、窒素
ガスを４５ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを１
６００Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を７Ｐａ、下部電極
温度を−２０℃に設定する。そして、オーバーエッチン
グ量を３０％とし、面内均一性±８％、エッチングレー
ト２００ｎｍ／分で、ＳｉＬＫからなる有機系の上層絶
縁膜１６をエッチングし、上層絶縁膜１６に配線溝１６
ａを形成する。このエッチングにおいては、窒化シリコ
ンからなる上層マスク１８ａ及び酸化シリコン系材料か
らなる下層絶縁膜１５に対する上層絶縁膜１６の選択比
は無限大になる。
は、エッチングガスとして酸素ガスを５ｓｃｃｍ、窒素
ガスを４５ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを１
６００Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を７Ｐａ、下部電極
温度を−２０℃に設定する。そして、オーバーエッチン
グ量を３０％とし、面内均一性±８％、エッチングレー
ト２００ｎｍ／分で、ＳｉＬＫからなる有機系の上層絶
縁膜１６をエッチングし、上層絶縁膜１６に配線溝１６
ａを形成する。このエッチングにおいては、窒化シリコ
ンからなる上層マスク１８ａ及び酸化シリコン系材料か
らなる下層絶縁膜１５に対する上層絶縁膜１６の選択比
は無限大になる。
【００３１】次に、図４（ｇ）に示すように、接続孔１
５ａの底部にある窒化シリコン膜１４をエッチング除去
し、この窒化シリコン膜１４に開口部１４ａを形成して
接続孔１５ａの下方に銅配線１３ａを露出させる。
５ａの底部にある窒化シリコン膜１４をエッチング除去
し、この窒化シリコン膜１４に開口部１４ａを形成して
接続孔１５ａの下方に銅配線１３ａを露出させる。
【００３２】このようなエッチング条件の一例として
は、エッチングガスとして３フッ化メタンを６０ｓｃｃ
ｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを７００Ｗ、エッチン
グ雰囲気内圧力を６Ｐａ、下部電極温度を２０℃に設定
する。そして、オーバーエッチング量を３０％とし、面
内均一性±８％、エッチングレート２００ｎｍ／分で窒
化シリコン膜１４をエッチングする。このエッチングに
おいては、窒化シリコンからなる上層マスク層１８もエ
ッチング除去される。この際、酸化シリコンからなる下
層マスク層１７及び酸化シリコン系材料からなる下層絶
縁膜１５も多少エッチングされるものの、肩落ちする程
度である。
は、エッチングガスとして３フッ化メタンを６０ｓｃｃ
ｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを７００Ｗ、エッチン
グ雰囲気内圧力を６Ｐａ、下部電極温度を２０℃に設定
する。そして、オーバーエッチング量を３０％とし、面
内均一性±８％、エッチングレート２００ｎｍ／分で窒
化シリコン膜１４をエッチングする。このエッチングに
おいては、窒化シリコンからなる上層マスク層１８もエ
ッチング除去される。この際、酸化シリコンからなる下
層マスク層１７及び酸化シリコン系材料からなる下層絶
縁膜１５も多少エッチングされるものの、肩落ちする程
度である。
【００３３】その後、図４（ｈ）に示すように、デュア
ルダマシン法によって配線を形成する。この際、先ず、
スパッタ法またはＣＶＤ（chemical mechamical deposi
tion）法によって、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａの内
壁を覆う状態でバリアメタル（例えばタンタル）層２１
を形成する。次いで、スパッタ法、ＣＶＤ法または電解
メッキ法によって、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａの内
部が埋め込まれるまで配線材料（例えば銅）２２を堆積
させる。なお、電解メッキによる場合には、配線材料と
同種の材料でシード層を形成しておく。
ルダマシン法によって配線を形成する。この際、先ず、
スパッタ法またはＣＶＤ（chemical mechamical deposi
tion）法によって、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａの内
壁を覆う状態でバリアメタル（例えばタンタル）層２１
を形成する。次いで、スパッタ法、ＣＶＤ法または電解
メッキ法によって、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａの内
部が埋め込まれるまで配線材料（例えば銅）２２を堆積
させる。なお、電解メッキによる場合には、配線材料と
同種の材料でシード層を形成しておく。
【００３４】以上の後、図１に示したように、ＣＭＰ法
によって下層マスク層１７上の配線材料２２及びバリア
メタル層２１を除去し、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａ
内に配線材料２２からなる上層配線２２ａを、下層配線
１３ａに接続された状態で形成する。
によって下層マスク層１７上の配線材料２２及びバリア
メタル層２１を除去し、接続孔１５ａ及び配線溝１６ａ
内に配線材料２２からなる上層配線２２ａを、下層配線
１３ａに接続された状態で形成する。
【００３５】以上のようにして形成された半導体装置
は、配線溝１６ａの底面から下方に接続孔１５ａが延設
され、この接続孔１５ａの側壁がテーパ形状に加工され
たものになる。
は、配線溝１６ａの底面から下方に接続孔１５ａが延設
され、この接続孔１５ａの側壁がテーパ形状に加工され
たものになる。
【００３６】そして、このような半導体装置の製造方法
では、配線溝１６ａの底面から下方に延設される接続孔
１５ａの側壁がテーパ形状に加工されるため、これらの
配線溝１６ａと接続孔１５ａとに対して同時に配線材料
２２を埋め込む際には、接続孔１５ａ内にも容易に配線
材料２２が供給されるようになる。したがって、接続孔
１５ａ内を配線材料２２で十分に埋め込むことが可能に
なり、接続孔１５ａ内にポイドが形成され難くなる。こ
の結果、上層配線２２ａの導電性を確保することが可能
になる。
では、配線溝１６ａの底面から下方に延設される接続孔
１５ａの側壁がテーパ形状に加工されるため、これらの
配線溝１６ａと接続孔１５ａとに対して同時に配線材料
２２を埋め込む際には、接続孔１５ａ内にも容易に配線
材料２２が供給されるようになる。したがって、接続孔
１５ａ内を配線材料２２で十分に埋め込むことが可能に
なり、接続孔１５ａ内にポイドが形成され難くなる。こ
の結果、上層配線２２ａの導電性を確保することが可能
になる。
【００３７】また、この製造方法においては、下層絶縁
膜１５が無機材料で構成されているため、図３（ｅ）を
用いて説明した工程において接続孔１５ａを形成するた
めに下層絶縁膜１５をエッチングする際には、エッチン
グ保護膜となる反応生成物をエッチング側壁に付着させ
ながらエッチングを進行させることが可能になる。しが
って、エッチング側壁、すなわち接続孔１５ａの側壁を
テーパ形状に加工することが可能になる。
膜１５が無機材料で構成されているため、図３（ｅ）を
用いて説明した工程において接続孔１５ａを形成するた
めに下層絶縁膜１５をエッチングする際には、エッチン
グ保護膜となる反応生成物をエッチング側壁に付着させ
ながらエッチングを進行させることが可能になる。しが
って、エッチング側壁、すなわち接続孔１５ａの側壁を
テーパ形状に加工することが可能になる。
【００３８】さらに、この製造方法においては、下層絶
縁膜１５が無機材料で構成され、かつ上層絶縁膜１６が
有機材料で構成されているため、図３（ｄ）を用いて説
明した工程において上層絶縁膜１６をエッチングする際
には、下層絶縁膜１５に対して上層絶縁膜１６を選択的
にエッチングすることが可能になる。したがって、既に
加工されている接続孔１５ａの側壁形状を保った状態
で、その上方の上層絶縁膜１６をエッチングして配線溝
１６ａを形成することができる。この結果、目標寸法に
対して高精度に加工された接続孔１４ａを得ることがで
きる。
縁膜１５が無機材料で構成され、かつ上層絶縁膜１６が
有機材料で構成されているため、図３（ｄ）を用いて説
明した工程において上層絶縁膜１６をエッチングする際
には、下層絶縁膜１５に対して上層絶縁膜１６を選択的
にエッチングすることが可能になる。したがって、既に
加工されている接続孔１５ａの側壁形状を保った状態
で、その上方の上層絶縁膜１６をエッチングして配線溝
１６ａを形成することができる。この結果、目標寸法に
対して高精度に加工された接続孔１４ａを得ることがで
きる。
【００３９】尚、上記実施形態においては、酸化シリコ
ン系材料からなる下層マスク層１７及び下層絶縁膜１５
のエッチングを行うためのエッチングガスとして、８フ
ッ化シクロブタンを用いた場合を説明した。しかし、こ
れらのエッチングにおけるエッチングガスとしては、８
フッ化シクロブタンのかわりに、より大気寿命の短い６
フッ化プロピレン（Ｃ3 Ｆ6 ）や、８フッ化シクロペン
テン（Ｃ5 Ｆ8 ）を用いても良い。また、これらのガス
と組み合わせるガスとしては、一酸化炭素、アルゴン及
び酸素の中から適宜選択したものを用いることができ
る。
ン系材料からなる下層マスク層１７及び下層絶縁膜１５
のエッチングを行うためのエッチングガスとして、８フ
ッ化シクロブタンを用いた場合を説明した。しかし、こ
れらのエッチングにおけるエッチングガスとしては、８
フッ化シクロブタンのかわりに、より大気寿命の短い６
フッ化プロピレン（Ｃ3 Ｆ6 ）や、８フッ化シクロペン
テン（Ｃ5 Ｆ8 ）を用いても良い。また、これらのガス
と組み合わせるガスとしては、一酸化炭素、アルゴン及
び酸素の中から適宜選択したものを用いることができ
る。
【００４０】さらに、有機材料からなる上層絶縁膜１６
のエッチングを行うためのエッチングガスとして、酸素
ガスと窒素ガスとを用いた場合を説明した。しかし、こ
のエッチングにおけるエッチングガスとしては、酸素ガ
スと共に、亜硫酸ガス（ＳＯ2 ）、臭化水素ガス（ＨＢ
ｒ）、塩素ガス（Ｃｌ2 ）及びメタンガス（ＣＨ4 ）の
中から適宜選択されたガスを用いても良く、また窒素ガ
スやアンモニアガス（ＮＨ3 ）を単独で用いたり、窒素
ガスと共にネオン（Ｎｅ）または水素ガス（Ｈ2 ）を用
いても良い。
のエッチングを行うためのエッチングガスとして、酸素
ガスと窒素ガスとを用いた場合を説明した。しかし、こ
のエッチングにおけるエッチングガスとしては、酸素ガ
スと共に、亜硫酸ガス（ＳＯ2 ）、臭化水素ガス（ＨＢ
ｒ）、塩素ガス（Ｃｌ2 ）及びメタンガス（ＣＨ4 ）の
中から適宜選択されたガスを用いても良く、また窒素ガ
スやアンモニアガス（ＮＨ3 ）を単独で用いたり、窒素
ガスと共にネオン（Ｎｅ）または水素ガス（Ｈ2 ）を用
いても良い。
【００４１】これらのエッチングガスの中から、一例と
して窒素ガスと水素ガスとを用いる場合のエッチング条
件の一例としては、水素ガスを５０ｓｃｃｍ、窒素ガス
を５０ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを１６０
０Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を５Ｐａ、下部電極温度
を５０℃に設定する。そして、面内均一性±８％、エッ
チングレート３００ｎｍ／分で、ＳｉＬＫからなる有機
系の上層絶縁膜１６をエッチングする。
して窒素ガスと水素ガスとを用いる場合のエッチング条
件の一例としては、水素ガスを５０ｓｃｃｍ、窒素ガス
を５０ｓｃｃｍの流量で供給し、ＲＦプラズマを１６０
０Ｗ、エッチング雰囲気内圧力を５Ｐａ、下部電極温度
を５０℃に設定する。そして、面内均一性±８％、エッ
チングレート３００ｎｍ／分で、ＳｉＬＫからなる有機
系の上層絶縁膜１６をエッチングする。
【００４２】また、上述の図２（ｂ）〜図３（ｆ）まで
を用いて説明した各エッチング工程は、同一のチャンバ
内においてエッチングガスを切り換えるか、または複数
のチャンバを有するクラスターツールを用いることで、
加工表面を大気に晒すことなく連続して行うことができ
る。このようにした場合には、スループットの向上を図
り、生産性を上げることが可能になる。
を用いて説明した各エッチング工程は、同一のチャンバ
内においてエッチングガスを切り換えるか、または複数
のチャンバを有するクラスターツールを用いることで、
加工表面を大気に晒すことなく連続して行うことができ
る。このようにした場合には、スループットの向上を図
り、生産性を上げることが可能になる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
によれば、配線溝の底面から下方に延設されている接続
孔の側壁をテーパ形状にしたことで、配線溝と接続孔内
とに埋め込まれた配線材料を、配線溝下の接続孔内にボ
イドを形成することなく容易に埋め込まれたものとする
ことができる。したがって、接続孔内に埋め込まれた配
線材料の導電性を確保することが可能になる。また、本
発明の半導体装置の製造方法によれば、配線溝の底面か
ら下方に延設される接続孔の側壁をテーパ形状に加工す
る構成にしたことで、これらの配線溝と接続孔とに対し
て同時に配線材料を埋め込む際には、接続孔内にも容易
に配線材料が埋め込まれるようになる。したがって、接
続孔内を配線材料によって十分に埋め込むことが可能に
なり、接続孔内にポイドが形成され難くなる。この結
果、接続孔内に埋め込まれた配線材料の導電性を確保す
ることが可能になる。
によれば、配線溝の底面から下方に延設されている接続
孔の側壁をテーパ形状にしたことで、配線溝と接続孔内
とに埋め込まれた配線材料を、配線溝下の接続孔内にボ
イドを形成することなく容易に埋め込まれたものとする
ことができる。したがって、接続孔内に埋め込まれた配
線材料の導電性を確保することが可能になる。また、本
発明の半導体装置の製造方法によれば、配線溝の底面か
ら下方に延設される接続孔の側壁をテーパ形状に加工す
る構成にしたことで、これらの配線溝と接続孔とに対し
て同時に配線材料を埋め込む際には、接続孔内にも容易
に配線材料が埋め込まれるようになる。したがって、接
続孔内を配線材料によって十分に埋め込むことが可能に
なり、接続孔内にポイドが形成され難くなる。この結
果、接続孔内に埋め込まれた配線材料の導電性を確保す
ることが可能になる。
【図１】本発明の半導体装置の一実施形態例を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態例
を説明するための断面工程図（その１）である。
を説明するための断面工程図（その１）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態例
を説明するための断面工程図（その２）である。
を説明するための断面工程図（その２）である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態例
を説明するための断面工程図（その３）である。
を説明するための断面工程図（その３）である。
【符号の説明】 １５…下層絶縁膜、１５ａ…接続孔、１６…上層絶縁
膜、１６ａ…配線溝、２２…配線材料
膜、１６ａ…配線溝、２２…配線材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F033 HH11 HH21 JJ11 JJ21 KK11 KK21 MM02 NN06 NN07 NN32 PP06 PP15 PP27 QQ12 QQ21 QQ28 QQ34 QQ37 QQ48 RR06 RR09 RR11 RR21 TT04
Claims (4)
- 【請求項１】 下層絶縁膜及びその上方に設けられた上
層絶縁膜と、 前記上層絶縁膜に形成された配線溝と、 前記配線溝の底面から下方に延設された状態で前記下層
絶縁膜に形成された側壁がテーパ形状の接続孔と、 前記接続孔及び前記配線溝内に埋め込まれた配線材料と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 下層絶縁膜上の上層絶縁膜に配線溝を形
成すると共に当該配線溝の底面から下方に延設する状態
で前記下層絶縁膜に接続孔を形成する工程と、前記配線
溝と前記接続孔との内部に同時に配線材料を埋め込む工
程とを有する半導体装置の製造方法において、 前記下層絶縁膜に接続孔を形成する際には、当該接続孔
の側壁をテーパ形状に加工することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記下層絶縁膜は、無機材料からなることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記上層絶縁膜は、有機材料からなり、 前記接続孔及び前記配線溝を形成する工程では、前記上
層絶縁膜及び前記下層絶縁膜をパターンエッチングして
当該下層絶縁膜に前記接続孔を形成した後、前記上層絶
縁膜をパターンエッチングして当該上層絶縁膜に前記配
線溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106072A JP2000299376A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106072A JP2000299376A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299376A true JP2000299376A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=14424404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11106072A Pending JP2000299376A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000299376A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073498A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Fujitsu Limited | Procede de production d'un dispositif semiconducteur |
| CN1314102C (zh) * | 2003-09-09 | 2007-05-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2008047821A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013021001A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11106072A patent/JP2000299376A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073498A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Fujitsu Limited | Procede de production d'un dispositif semiconducteur |
| US7163887B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-01-16 | Fujitsu Limited | Method for fabricating a semiconductor device |
| CN100336199C (zh) * | 2002-02-28 | 2007-09-05 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN1314102C (zh) * | 2003-09-09 | 2007-05-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US7265450B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2008047821A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013021001A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7799693B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| JP5220398B2 (ja) | 電子構造の製造方法 | |
| US6372633B1 (en) | Method and apparatus for forming metal interconnects | |
| US20030109143A1 (en) | Process for selectively etching dielectric layers | |
| US8030205B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device with metal line | |
| US9263331B2 (en) | Method for forming self-aligned contacts/vias with high corner selectivity | |
| US7129171B2 (en) | Selective oxygen-free etching process for barrier materials | |
| JP2002507059A (ja) | 銅のエッチバックプロセス | |
| JP2002525840A (ja) | 特に銅デュアルダマシーンに有用な原位置統合酸化物エッチングプロセス | |
| US6548415B2 (en) | Method for the etchback of a conductive material | |
| JP4477750B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7615494B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device including plug | |
| KR100780680B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JP2000299376A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2003109940A (ja) | シリコン含有絶縁膜を有する半導体装置の製造方法 | |
| US7569481B2 (en) | Method for forming via-hole in semiconductor device | |
| JP2000058643A (ja) | プラグの形成方法 | |
| US20110097899A1 (en) | Method of forming funnel-shaped opening | |
| JP2005005697A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7485574B2 (en) | Methods of forming a metal line in a semiconductor device | |
| JP3780204B2 (ja) | バリアメタル膜又は密着層形成方法及び配線形成方法 | |
| KR20010025972A (ko) | 반도체 장치의 배선 형성방법 | |
| JPH11214354A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001015494A (ja) | 半導体装置の製造方法およびエッチング方法 |