JP2000299631A

JP2000299631A - 電源供給制御装置および電源供給制御方法

Info

Publication number: JP2000299631A
Application number: JP11104207A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Nagashima; 良和長嶋
Original assignee: Yazaki Corp
Current assignee: Yazaki Corp
Priority date: 1999-04-12
Filing date: 1999-04-12
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】熱損失を抑制し、負荷電流の高精度な検出を
実現すると共に負荷毎に個別制御可能な電源供給制御装
置および電源供給制御方法を提供する。【解決手段】温度検出手段（ダイオードＤ１〜Ｄ４お
よび差動増幅器１０５）により半導体スイッチ（ＦＥＴ
１０２）の温度を検出し、電流検出手段（ＦＥＴ１０２
のオン抵抗および差動増幅器１０６）により負荷電流を
検出し、駆動制御部１０７において、過電流を判断する
コンパレータのリファレンス電位を温度検出結果に基づ
きレベルシフトさせ、該温度補正されたレファレンス電
位を超えた時にＦＥＴ１０２をオフ制御し、電源１０１
から負荷１０３への電力供給制御における過電流遮断機
能を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電源供給制御装置お
よび電源供給制御方法に関し、より詳しくは、過電流や
過熱に対する保護機能を備え、制御信号に応じた半導体
スイッチのスイッチング制御により、電源から負荷への
電力供給を制御する電源供給制御装置および電源供給制
御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体スイッチを備えた電源供給
制御装置（第１従来例）としては、例えば図７に示すよ
うなものがある。本従来例の電源供給制御装置は、自動
車で用いられるヘッドライトやパワーウィンドウの駆動
モータ等の各負荷にバッテリからの電源を選択的に供給
して、各負荷への電力の供給を制御する装置である。

【０００３】同図において、第１従来例の電源供給制御
装置は、電源１０１の出力電圧ＶＢを負荷１０３に供給
する経路中に、シャント抵抗ＲＳおよびサーマルＦＥＴ
１０２ａのドレイン−ソースを直列接続した構成であ
る。また本従来例の電源供給制御装置は、シャント抵抗
ＲＳを流れる電流（負荷電流）を検出するコンパレータ
１０６ａと、駆動制御信号１５１ａおよびコンパレータ
１０６ａによる検出電流１５３ａに応じてサーマルＦＥ
Ｔ１０２ａを駆動するドライバ２０１ａとを備えて構成
されている。

【０００４】半導体スイッチとしてのサーマルＦＥＴ１
０２ａは、より詳しくは図９に示すような構成を備えて
いる。図９において、サーマルＦＥＴは、内蔵抵抗１２
５、温度センサ１２１、ラッチ回路１２２および過熱遮
断用ＦＥＴ１２３を備えている。なお、ＺＤ１はゲート
（Ｇ）−ソース（Ｓ）間を１２［Ｖ］に保ってゲート
（Ｇ）に過電圧が印加されようとした場合にこれをバイ
パスさせるツェナーダイオードである。

【０００５】つまり、本従来例で使用するサーマルＦＥ
Ｔは、ＦＥＴ１２４が規定以上の温度まで上昇したこと
が温度センサ１２１によって検出された場合には、その
旨の検出情報がラッチ回路１２２に保持され、ゲート遮
断回路としての過熱遮断用ＦＥＴ１２３がオン動作とな
ることによって、ＦＥＴ１２４を強制的にオフ制御する
過熱遮断機能を備えている。

【０００６】温度センサ１２１は４個のダイオードが縦
続接続されてなり、実装上、温度センサ１２１はＦＥＴ
１２４の近傍に配置形成されている。サーマルＦＥＴの
温度が上昇するにつれて温度センサ１２１の各ダイオー
ドの抵抗値が減少するので、ＦＥＴＱ５１のゲート電位
が“Ｌ”レベルとされる電位まで下がると、ＦＥＴＱ５
１がオン状態からオフ状態に遷移する。これにより、Ｆ
ＥＴＱ５４のゲート電位がサーマルＦＥＴのゲート制御
端子（Ｇ）の電位にプルアップされ、ＦＥＴＱ５４がオ
フ状態からオン状態に遷移して、ラッチ回路１２２に
“１”がラッチされることとなる。このとき、ラッチ回
路１２２の出力が“Ｈ”レベルとなって過熱遮断用ＦＥ
Ｔ１２３がオフ状態からオン状態に遷移するので、サー
マルＦＥＴの真のゲート（ＴＧ）の電位レベルが“Ｌ”
レベルとなって、サーマルＦＥＴがオン状態からオフ状
態に遷移して、過熱遮断されることとなる。

【０００７】また、コンパレータ１０６ａは、シャント
抵抗ＲＳを流れる負荷電流を検出して、この電流が過電
流である旨を示す信号１５３ａを出力する過電流検出回
路である。つまり、駆動回路２０１ａは、駆動制御信号
１５１ａおよびコンパレータ１０６ａからの信号１５３
ａに基づいて、抵抗Ｒ５および内部抵抗１２５を介して
サーマルＦＥＴ１０２ａのゲート（Ｇ）に駆動信号を供
給することによってサーマルＦＥＴ１０２ａの駆動を制
御する。

【０００８】コンパレータ１０６ａにおいて、シャント
抵抗ＲＳによる電圧降下分の電位差が判定値（過電流遮
断値）を超えたとき、“Ｈ”レベルの信号１５３ａを駆
動回路２０１ａに供給する。駆動回路２０１ａでは、信
号１５３ａに応じてサーマルＦＥＴ１０２ａをオフ制御
するための駆動信号をサーマルＦＥＴ１０２ａに供給す
る。その後、コンパレータ１０６ａにおいて、負荷電流
が低下してシャント抵抗ＲＳによる電圧降下分の電位差
が判定値（復帰電流値）を下回ると、“Ｌ”レベルの信
号１５３ａを駆動回路２０１ａに供給する。この時、駆
動回路２０１ａでは、駆動制御信号１５１ａに応じて、
例えばサーマルＦＥＴ１０２ａをオン制御するための駆
動信号をサーマルＦＥＴ１０２ａに供給し続ける。

【０００９】このように、第１の従来例は、サーマルＦ
ＥＴ１０２ａの駆動をコンパレータ１０６ａの過電流検
出によってハード制御する構成であり、例えば、負荷１
０３またはサーマルＦＥＴ１０２ａのドレイン−ソース
間の短絡故障または不完全短絡故障等によって生じた過
電流が経路に流れようとしても、駆動回路２０１ａによ
ってサーマルＦＥＴ１０２ａをオフ制御して、過電流保
護機能を実現している。

【００１０】また、図８には他の従来例の電源供給制御
装置（第２従来例）の構成図を示す。同図において、第
２従来例の電源供給制御装置は、電源１０１の出力電圧
ＶＢを負荷１０３に供給する経路中に、シャント抵抗Ｒ
ＳおよびサーマルＦＥＴ１０２ｂのドレイン−ソースを
直列接続した構成である。また本従来例の電源供給制御
装置は、シャント抵抗ＲＳを流れる電流（負荷電流）を
検出する差動増幅器１０６ｂと、サーマルＦＥＴ１０２
ｂの駆動を制御するドライバ２０１ｂと、スイッチ１１
１がオン状態中にドライバ２０１ｂを制御するために例
えばＰＷＭ（パルス幅変調）制御信号を供給するマイコ
ン（ＣＰＵ）１１０ｂとを備えて構成されている。

【００１１】まず、半導体スイッチとしてのサーマルＦ
ＥＴ１０２ｂは、第１従来例と同様に、図９に示される
構成を持ち、サーマルＦＥＴが過電流等により規定の温
度まで上昇した場合には、サーマルＦＥＴを強制的にオ
フ動作させる過熱遮断機能を備えている。また、ドライ
バ２０１ｂは、ソーストランジスタおよびシンクトラン
ジスタを備え、マイコン１１０ｂからの制御信号１５１
ｂに基づきソーストランジスタおよびシンクトランジス
タをオン／オフ制御することによってサーマルＦＥＴ１
０２ｂを駆動制御する。なお、シンクトランジスタのコ
レクタに印加される電圧Ｖｐは、チャージポンプ（図示
せず）によって昇圧された電圧である。

【００１２】また、差動増幅器１０６ｂはシャント抵抗
ＲＳを流れる負荷電流を検出し、この検出結果をＡ／Ｄ
変換器１１２ｂを介してマイコン１１０ｂに供給する電
流検出回路である。さらに、マイコン１１０ｂは、スイ
ッチ１１１の設定に応じて制御信号１５１ｂをドライバ
２０１ｂに供給する。またマイコン１１０ｂは、シャン
ト抵抗ＲＳおよび差動増幅器１０６ｂによって検出され
た負荷電流の検出結果を常時モニタしており、シャント
抵抗ＲＳを流れる負荷電流が所定値を超えた時には、負
荷電流が過電流になったと判断して制御信号１５１ｂの
供給を停止し、サーマルＦＥＴ１０２ｂをオフ制御す
る。なお、第２従来例では、さらなる付加機能として、
シャント抵抗ＲＳを流れる負荷電流のモニタにより、負
荷や電線についての断線検出機能やショート検出機能を
も実現することが可能である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、上記第
１従来例の電源供給制御装置にあっては、半導体スイッ
チの過熱遮断機能および過電流保護機能によって二重の
保護が成されているが、負荷および該負荷と当該電源供
給制御装置とを接続する電線の保護については、負荷条
件が多様であるために一様に保護し得る装置構成とする
ことができず、負荷毎に仕様の異なる電源供給制御装置
が必要になるという問題があった。このような多様な負
荷条件に対して個別に制御可能とするために、また、負
荷や電線の断線検出機能やショート検出機能の要求か
ら、シャント抵抗を流れる負荷電流のモニタにより負荷
毎に個別制御可能な上記第２従来例の電源供給制御装置
が提案されているが、上記第１および第２従来例の電源
供給制御装置にあっては、半導体スイッチのオン抵抗の
低抵抗化に伴う負荷電流の大電流化により、負荷電流を
検出するためのシャント抵抗の熱損失が無視できないと
いう問題があった。

【００１４】本発明の目的は、上記従来の問題点を解決
することにあり、半導体スイッチのオン抵抗を負荷電流
検出手段として利用することにより別途電流検出抵抗を
設けることなく電源供給制御装置の熱損失を抑制し、ま
た、半導体スイッチのオン抵抗の温度依存性の問題を負
荷電流検出時に温度補正を行うことによって解消して、
負荷電流の高精度な検出を実現すると共に、負荷毎に個
別制御可能な電源供給制御装置および電源供給制御方法
を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明の電源供給制御装置および電源供給制御方法
は、制御信号入力端子へ供給される制御信号に応じてス
イッチング制御され、電源から負荷への電力供給を制御
する半導体スイッチと、前記半導体スイッチの温度を検
出する温度検出手段と、前記半導体スイッチに流れる電
流を該半導体スイッチのオン抵抗に発生する電圧に基づ
き検出する電流検出手段と、前記温度検出手段の検出結
果に基づき前記電流検出手段の検出結果を補正して、該
補正後の検出電流に基づいて、前記制御信号の供給を制
御する制御手段とを具備するものである。

【００１６】また、請求項２に係る電源供給制御装置
は、請求項１に記載の電源供給制御装置において、前記
制御手段は、前記温度検出手段の検出結果に基づいて、
前記制御信号の供給を制御するものである。

【００１７】また、請求項３に係る電源供給制御装置
は、請求項１または２に記載の電源供給制御装置におい
て、前記温度検出手段の検出結果に基づき前記電流検出
手段の検出結果を補正して、該補正後の検出電流に基づ
き前記負荷における信号線の接続状態を判定する判定手
段を具備するものである。

【００１８】また、請求項４に係る電源供給制御装置
は、請求項１、２または３に記載の電源供給制御装置に
おいて、前記制御手段または前記判定手段は、前記電流
検出手段の検出結果と、前記温度検出手段の検出結果に
応じて変化する基準値とを比較する比較手段を具備する
ものである。

【００１９】また、請求項５に係る電源供給制御方法
は、制御信号入力端子に供給される制御信号によって半
導体スイッチをスイッチング制御して、電源から負荷へ
の電力供給を制御する電力供給制御方法において、前記
半導体スイッチの温度を検出する温度検出ステップと、
前記半導体スイッチに流れる電流を該半導体スイッチの
オン抵抗に発生する電圧に基づき検出する電流検出ステ
ップと、前記温度検出ステップの検出結果に基づき前記
電流検出ステップの検出結果を補正して、該補正後の検
出電流に基づいて、前記制御信号の供給を制御する制御
ステップとを具備するものである。

【００２０】また、請求項６に係る電源供給制御方法
は、請求項５に記載の電源供給制御方法において、前記
制御ステップは、前記温度検出ステップの検出結果に基
づいて、前記制御信号の供給を制御するものである。

【００２１】また、請求項７に係る電源供給制御方法
は、請求項５または６に記載の電源供給制御方法におい
て、前記温度検出ステップの検出結果に基づき前記電流
検出ステップの検出結果を補正して、該補正後の検出電
流に基づき前記負荷における信号線の接続状態を判定す
る判定ステップを具備するものである。

【００２２】さらに、請求項８に係る電源供給制御方法
は、請求項５、６または７に記載の電源供給制御方法に
おいて、前記制御ステップまたは前記判定ステップは、
前記電流検出ステップの検出結果と、前記温度検出ステ
ップの検出結果に応じて変化する基準値とを比較する比
較ステップを具備するものである。

【００２３】本発明の請求項１に係る電源供給制御装置
および請求項５に係る電源供給制御方法では、温度検出
手段（温度検出ステップ）により半導体スイッチの温度
を検出し、電流検出手段（電流検出ステップ）により、
半導体スイッチに流れる電流を該半導体スイッチのオン
抵抗に発生する電圧に基づき検出し、制御手段（制御ス
テップ）により、温度検出手段（温度検出ステップ）の
検出結果に基づき電流検出手段（電流検出ステップ）の
検出結果を補正して、該補正後の検出電流に基づいて、
電源から負荷への電力供給を制御する半導体スイッチに
対して供給される制御信号を制御するようにしている。

【００２４】このように、半導体スイッチのオン抵抗を
負荷電流を検出する手段として利用する構成としている
ので、従来のように別途電流検出抵抗を設ける必要がな
く、電流供給制御装置の熱損失を抑制することができ
る。また、半導体スイッチのオン抵抗については、温度
依存性が高いので温度ドリフトによる検出誤差が問題と
なるが、温度検出結果に基づき電流検出結果を補正して
いるので、高い精度で負荷電流を検出することができ
る。さらに、負荷電流（補正後の電流検出結果）を常時
モニタして過電流の時には半導体スイッチをオフ制御す
るようにすれば、正確な過電流保護機能を実現すること
ができ、過電流による半導体スイッチの破損を防止する
ことができると共に、半導体スイッチの寿命を延ばすこ
とができる。

【００２５】また、請求項２に係る電源供給制御装置お
よび請求項６に係る電源供給制御方法では、制御手段
（制御ステップ）において、温度検出手段（温度検出ス
テップ）の検出結果に基づき制御信号の供給を制御する
ようにしている。例えば、温度検出結果が所定値を超え
た時に、半導体スイッチをオフ制御するようにすれば、
過熱遮断機能を実現することができ、過熱による半導体
スイッチの熱的破損を防止することができると共に、熱
的寿命を延ばすことができる。

【００２６】また、請求項３に係る電源供給制御装置お
よび請求項７に係る電源供給制御方法では、判定手段
（判定ステップ）により、温度検出手段（温度検出ステ
ップ）の検出結果に基づき電流検出手段（電流検出ステ
ップ）の検出結果を補正して、該補正後の検出電流に基
づき負荷における信号線の接続状態を判定するようにし
ている。

【００２７】これにより、負荷や該負荷と当該電源供給
制御装置とを接続する信号線（電線）について、接続状
態の判定、例えばショート検出や断線検出等を行うこと
が可能となり、負荷条件に応じて負荷毎に個別に制御可
能な電源供給制御装置を実現することができる。

【００２８】さらに、請求項４に係る電源供給制御装置
および請求項８に係る電源供給制御方法では、制御手段
（制御ステップ）または判定手段（判定ステップ）にお
いて、比較手段（比較ステップ）により、電流検出手段
（電流検出ステップ）の検出結果と、温度検出手段（温
度検出ステップ）の検出結果に応じて変化する基準値と
を比較して、制御信号の供給制御または負荷における信
号線の接続状態の判定を行うようにしている。

【００２９】このように、半導体スイッチのオン抵抗の
温度依存性による検出誤差を解消するために、比較手段
（比較ステップ）における基準値を温度検出結果に基づ
き変化（補正）させているので、高い精度で負荷電流を
検出することができる。特に、比較手段をコンパレータ
で構成すれば、リファレンス電圧を温度検出結果に応じ
てレベルシフトさせることとなり、この場合、より高速
な負荷電流検出が可能となって制御または判定の高速応
答に供することができる。なお、電流検出結果について
の温度補正の手法には、この他に、メモリ等を用いて補
正された検出電流値に数値変換する手法や、変換式を用
いて補正された検出電流値を算出する手法等々、種々の
手法が考えられる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電源供給制御
装置および電源供給制御方法の実施の形態例について、
〔第１の実施形態〕、〔第２の実施形態〕の順に図１乃
至図６を参照して詳細に説明する。ここで、図１は本発
明の第１の実施形態の電源供給制御装置の回路構成図、
図２は第１の実施形態における駆動制御部の詳細な回路
構成図、図３はショート検出部の詳細な回路構成図、図
４は断線検出部の詳細な回路構成図、図５は実施形態の
電源供給制御装置の動作を説明するタイミングチャー
ト、図６は第２の実施形態の電源供給制御装置における
電源供給制御方法を説明するフローチャートである。

【００３１】〔第１の実施形態〕第１の実施形態の電源
供給制御装置について、図１を参照して説明すると、本
実施形態の電源供給制御装置は、電源１０１の出力電圧
ＶＢを負荷１０３に供給する経路に、半導体スイッチと
してのＦＥＴ１０２（１２４）のドレイン−ソースを直
列接続した構成であり、また、ＦＥＴ１０２を駆動制御
するブロック１０４、Ａ／Ｄ変換器１１２、ＣＰＵ１１
０、表示部１１３、スイッチ１１１、並びに、抵抗Ｒ
１，Ｒ１０を備えた構成である。なお、参照符号として
抵抗には“Ｒ”とそれに続く数字を使用しているが、以
下の説明では参照符号として使用すると共に、それぞれ
該抵抗の抵抗値をも表すものとする。

【００３２】電源１０１はバッテリ等であり、出力電圧
ＶＢ（例えば１２［Ｖ］）を出力する。負荷１０３は、
例えばヘッドライトやパワーウィンドウの駆動モータ等
々であり、ユーザ等がスイッチ１１１をオンさせること
により機能する。

【００３３】また、半導体スイッチとしてのＦＥＴ１０
２には、ＦＥＴ１２４および温度センサのみを備えた構
成であり、従来例で使用したサーマルＦＥＴ１０２ａ，
１０２ｂ（図９参照）のように、過熱遮断機能を実現す
るためのラッチ回路やゲート遮断回路（過熱遮断用ＦＥ
Ｔ）は備えていない。

【００３４】温度センサは、４個のダイオードＤ１〜Ｄ
４が縦続接続されてなり、実装上、温度センサはＦＥＴ
１２４の近傍に配置形成されている。例えば、ＦＥＴ１
０２の温度が上昇すると、温度センサのダイオードＤ１
〜Ｄ４の抵抗値が減少するので、電源電位ＶＢを抵抗Ｒ
１とダイオードＤ１〜Ｄ４の抵抗値とで分圧する分圧点
の電位ＶＴが低下し、逆に、ＦＥＴ１０２の温度が降下
すると電位ＶＴが上昇するので、電位ＶＴが温度情報と
して機能することとなる。

【００３５】また、ＦＥＴ１０２を駆動制御するブロッ
ク１０４は、デスクリート部品を組み合わせて構成して
も、またＡＳＩＣとして集積化したものを用いて構成し
てもよい。駆動制御ブロック１０４は、温度情報として
の電位ＶＴを増幅する差動増幅器１０５と、ＦＥＴ１２
４のドレイン−ソース間のオン抵抗に発生する電圧降下
を増幅する差動増幅器１０６と、ＣＰＵからの駆動制御
信号１５１に基づきＦＥＴ１０２を駆動する駆動制御部
１０７と、負荷１０３および該負荷１０３への電源供給
経路においてショート故障が発生しているか否かを検出
するショート検出部１０８と、負荷１０３および該負荷
１０３への電源供給経路において断線故障が発生してい
るか否かを検出する断線検出部１０９とを備えた構成で
ある。

【００３６】温度センサ（ダイオードＤ１〜Ｄ４）およ
び差動増幅器１０５は、特許請求の範囲にいう温度検出
手段に該当し、ＦＥＴ１２４の温度として内部温度や周
辺温度等を検出して、差動増幅器１０５から温度検出信
号１５２を出力する。なお、差動増幅器１０５は反転差
動増幅器で実現され、反転増幅後の出力信号を絶対値化
することにより、温度検出信号１５２は、ダイオードＤ
１のアノード側の分圧電位ＶＴとは逆に温度変化する信
号となる。すなわち、ＦＥＴ１０２の温度上昇に応じて
分圧電位ＶＴは低下するが、温度検出信号１５２の電位
は上昇し、また、ＦＥＴ１０２の温度低下に応じて分圧
電位ＶＴは上昇するが、温度検出信号１５２の電位は低
下する。また、ＦＥＴ１２４のドレイン−ソース間のオ
ン抵抗と差動増幅器１０６とは電流検出手段に該当し、
負荷１０３への電源供給経路を流れる電流、即ち負荷電
流を検出して電流検出信号１５３を出力する。

【００３７】次に、特許請求の範囲にいう制御手段に該
当する駆動制御部１０７について、図２を参照して詳細
に説明する。同図において、駆動制御部１０７は、ドラ
イバ２０１、コンパレータ２０２，２０３、ＯＲゲート
２０４、ＮＯＴゲート２０５、トランジスタ２０６およ
び抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ１１〜Ｒ１４を備えて構成されて
いる。

【００３８】ドライバ２０１は、ソーストランジスタ２
１１およびシンクトランジスタ２１２を備え、マイコン
１１０からの駆動制御信号１５１に基づきソーストラン
ジスタ２１１およびシンクトランジスタ２１２をオン／
オフ制御することによってＦＥＴ１０２を駆動制御す
る。なお、シンクトランジスタ２１１のコレクタに印加
される電圧Ｖｐは、チャージポンプ（図示せず）によっ
て昇圧された電圧である。

【００３９】コンパレータ２０２は制御手段内の比較手
段に該当し、電流検出信号１５３と、ダイオードＤ１の
アノード側の分圧電位ＶＴを抵抗Ｒ１１およびＲ１２で
分圧したレファレンス電位Ｉｒｅｆとを比較して、過電
流ステータスを出力している。すなわち、電流検出信号
１５３の電位がレファレンス電位Ｉｒｅｆを超えた時
に、コンパレータ２０２は過電流ステータスを有効
（“Ｈ”レベル）として出力する。また、上述のよう
に、分圧電位ＶＴがＦＥＴ１０２の温度変化に応じて変
化するので、温度上昇時には過電流と判断するレファレ
ンス電位Ｉｒｅｆが低下し、温度下降時にはレファレン
ス電位Ｉｒｅｆは上昇することとなり、過電流の判断に
おいてＦＥＴ１０２の温度ドリフトによる検出誤差が補
償されることになる。ここで、過電流と判断するレファ
レンス電位Ｉｒｅｆは、例えば、負荷１０３を５Ｗラン
プ×３灯の構成とした場合に、１３．５［Ｖ］時におけ
る５Ｗランプの定格電流を０．３７［Ａ］とし、負荷電
流の定格の１．５倍以上を過電流とすれば、０．３７×
３×１．５＝１．６７［Ａ］に相当する電位として設定
されることとなる。

【００４０】また、コンパレータ２０３では、温度検出
信号１５２と、電源電位ＶＢを抵抗Ｒ１３およびＲ１４
で分圧したレファレンス電位Ｔｒｅｆとを比較して、過
熱ステータスを出力している。すなわち、温度検出信号
１５２の電位がレファレンス電位Ｔｒｅｆを超えた時
に、コンパレータ２０３は過熱ステータスを有効
（“Ｈ”レベル）として出力する。

【００４１】ＯＲゲート２０４では、コンパレータ２０
２の出力（過電流ステータス）とコンパレータ２０３の
出力（過熱ステータス）との論理和がとられ、該論理和
出力をＮＯＴゲート２０５で反転したものをステータス
信号１５６としてＣＰＵ１１０に供給する。また、ＯＲ
ゲート２０４の出力は、トランジスタ２０６のゲートに
も供給されており、負荷電流が過電流と判断された（過
電流ステータスが有効である）とき、或いは、過熱状態
と判断された（過熱ステータスが有効である）ときに、
ＦＥＴ１０２を強制的に遮断状態に（オフ制御）させる
べく、トランジスタ２０６をオン状態に遷移させて、ド
ライバ２０１への駆動制御信号１５１を“Ｌ”レベルに
落とす。すなわち、コンパレータ２０２およびトランジ
スタ２０６によって過電流遮断機能が、コンパレータ２
０３およびトランジスタ２０６によって過熱遮断機能
が、それぞれ実現されている。

【００４２】次に、特許請求の範囲にいう判定手段に該
当するショート検出部１０８について、図３を参照して
詳細に説明する。同図において、ショート検出部１０８
は、コンパレータ３０１および抵抗Ｒ１５，Ｒ１６を備
えて構成されている。

【００４３】コンパレータ３０１は判定手段内の比較手
段に該当し、電流検出信号１５３と、ダイオードＤ１の
アノード側の分圧電位ＶＴを抵抗Ｒ１５およびＲ１６で
分圧したレファレンス電位とを比較して、負荷１０３が
ショート状態（例えば、負荷電流が定格電流の１．５倍
以上）にあるか否かを示すショート検出信号１５７をＣ
ＰＵ１１０に対して出力している。すなわち、電流検出
信号１５３の電位がレファレンス電位を超えた時に、コ
ンパレータ３０１はショート検出信号１５７を有効
（“Ｈ”レベル）として出力する。また上述のように、
分圧電位ＶＴがＦＥＴ１０２の温度変化に応じて変化す
るので、温度上昇時にはショート状態と判断するレファ
レンス電位が低下し、温度下降時には該レファレンス電
位は上昇することとなり、ショート状態の判断において
ＦＥＴ１０２の温度ドリフトによる検出誤差が補償され
ることになる。ここで、ショート状態と判断するレファ
レンス電位は、例えば、負荷１０３を５Ｗランプ×３灯
の構成とした場合に、１３．５［Ｖ］時における５Ｗラ
ンプの定格電流を０．３７［Ａ］とすれば、０．３７×
３×１．５＝１．６７［Ａ］に相当する電位として設定
されることとなる。

【００４４】次に、特許請求の範囲にいう判定手段に該
当する断線検出部１０９について、図４を参照して詳細
に説明する。同図において、断線検出部１０９は、コン
パレータ４０１および抵抗Ｒ１７，Ｒ１８を備えて構成
されている。

【００４５】コンパレータ４０１は判定手段内の比較手
段に該当し、電流検出信号１５３と、温度検出信号１５
２の電位を抵抗Ｒ１７およびＲ１８で分圧したレファレ
ンス電位とを比較して、負荷１０３が断線状態にあるか
否かを示す断線検出信号１５８をＣＰＵ１１０に対して
出力している。すなわち、電流検出信号１５３の電位が
レファレンス電位を下回った時に、コンパレータ４０１
は断線検出信号１５８を有効（“Ｈ”レベル）として出
力する。また上述のように、温度検出信号１５２の電位
がＦＥＴ１０２の温度変化に応じて変化するので、温度
上昇時には断線状態と判断するレファレンス電位が上昇
し、温度下降時には該レファレンス電位は低下すること
となり、断線状態の判断においてＦＥＴ１０２の温度ド
リフトによる検出誤差が補償されることになる。

【００４６】ここで、断線状態と判断するレファレンス
電位は、例えば、負荷１０３を５Ｗランプ×３灯の構成
とした場合に、１３．５［Ｖ］時における５Ｗランプの
定格電流を０．３７［Ａ］とすれば、１灯断線の場合に
はしきい値を０．９［Ａ］とすればよい。ランプのばら
つきおよび検出精度を±１０［％］とすれば、３灯点灯
時の最小負荷電流は０．３７×３×０．９＝１．０
［Ａ］であり、また、１灯断線時の最大負荷電流は０．
３７×２×１．１＝０．８１［Ａ］であるので、上記し
きい値０．９［Ａ］には約±０．１［Ａ］の余裕があ
る。なお、２灯断線および３灯断線のそれぞれについて
も同様にしきい値を計算して、これらのしきい値に応じ
たレファレンス電位の断線検出部１０９を並列に構成し
て、これらを組み合わせれば、１灯断線、２灯断線また
は３灯断線等、どのような断線状態にあるかの区別を行
うことも可能である。

【００４７】さらに、ＣＰＵ１１０は、スイッチ１１１
がオン状態にある時に、駆動制御部１０７を制御するた
めに、例えばＰＷＭ（パルス幅変調）制御信号１５１を
供給するマイコンである。またＣＰＵ１１０には、差動
増幅器１０５からの温度検出信号１５２をディジタル変
換した温度データ、差動増幅器１０６からの電流検出信
号１５３をディジタル変換した電流データ、駆動制御部
１０７からのステータス信号１５６、ショート検出部１
０８からのショート検出信号１５７、並びに、断線検出
部１０９からの断線検出信号１５８がそれぞれ入力され
ている。なお、電流データはその時の温度データによっ
て温度補正されるが、温度補正の手法としては、メモリ
等による補正テーブルを用いて補正された検出電流値に
数値変換する手法や、温度データをパラメータとする変
換式を用いて補正された検出電流値を算出する手法など
種々の手法が考えられる。

【００４８】すなわち、ＣＰＵ１１０は、常時、Ａ／Ｄ
変換器１１２からの温度データおよび補正後の電流デー
タをモニタしながら、駆動制御部１０７からのステータ
ス信号１５６が有効となったときには、表示部１１３に
「過電流遮断」または「過熱遮断」の表示を行い、ま
た、ショート検出部１０８からのショート検出信号１５
７が有効となったときには、表示部１１３に「負荷ショ
ート状態」の表示を行い、さらに、断線検出部１０９か
らの断線検出信号１５８が有効となったときには、表示
部１１３に「負荷（１灯，２灯または３灯）断線状態」
の表示を行う。

【００４９】次に、以上説明した本実施形態の電源供給
制御装置の回路構成を踏まえて、図５を参照して本実施
形態の電源供給制御方法を説明する。なお、図５におい
て、（ａ）は駆動制御信号１５１、（ｂ）は電流検出信
号１５３、（ｃ）は温度検出信号１５２、（ｄ）はＦＥ
Ｔ駆動信号１５４のそれぞれ電圧波形図であり、（ｅ）
は過電流のステータス情報、（ｆ）は過熱のステータス
情報をそれぞれ示している。

【００５０】先ず、図５（ａ）に示すように、駆動制御
信号が“Ｈ”レベルでＦＥＴ１０２がオン制御されてい
るときに、時刻Ｔ１で、電流検出信号１５３が過電流判
断のリファレンス電位Ｉｒｅｆを超えた時（図５（ｂ）
参照）には、駆動制御部１０７のコンパレータ２０２の
出力（過電流ステータス：図５（ｅ）参照）が有効とな
って、過電流遮断機能が作用することとなり、ＦＥＴ１
０２の駆動信号１５４は強制的に“Ｌ”レベルに落とさ
れて（図５（ｄ）参照）、ＦＥＴ１０２はオフ制御され
る。

【００５１】その後、時刻Ｔ２で、負荷電流が低下して
ＦＥＴ１０２がオン制御に復帰した後に、時刻Ｔ３で温
度検出信号１５２が過熱判断のリファレンス電位Ｔｒｅ
ｆを超えた時（図５（ｃ）参照）には、駆動制御部１０
７のコンパレータ２０３の出力（過熱ステータス：図５
（ｆ）参照）が有効となって、過熱遮断機能が作用する
こととなり、ＦＥＴ１０２の駆動信号１５４は強制的に
“Ｌ”レベルに落とされて（図５（ｄ）参照）、ＦＥＴ
１０２はオフ制御される。

【００５２】さらに、その後、時刻Ｔ４で温度が低下し
てＦＥＴ１０２がオン制御に復帰した後に、時刻Ｔ５
で、電流検出信号１５３が過電流判断のリファレンス電
位（Ｉｒｅｆ−ΔＩｒｅｆ）を超えた時（図５（ｂ）参
照）には、駆動制御部１０７のコンパレータ２０２の出
力（過電流ステータス：図５（ｅ）参照）が有効となっ
て、過電流遮断機能が作用することとなり、ＦＥＴ１０
２の駆動信号１５４は強制的に“Ｌ”レベルに落とされ
て（図５（ｄ）参照）、ＦＥＴ１０２はオフ制御され
る。すなわち、時刻Ｔ５においては、ＦＥＴ１０２の温
度が上昇して、過電流を判断するリファレンス電位が常
温のＩｒｅｆよりもΔＩｒｅｆだけ低い電位となって、
温度補正され正確な過電流遮断機能を実現している。

【００５３】以上説明したように、本実施形態の電源供
給制御装置および電源供給制御方法では、温度検出手段
（ダイオードＤ１〜Ｄ４および差動増幅器１０５）によ
り半導体スイッチ（ＦＥＴ１０２）の温度を検出し、電
流検出手段（ＦＥＴ１０２のオン抵抗および差動増幅器
１０６）により負荷電流を検出し、駆動制御部１０７に
おいて、過電流を判断するコンパレータ２０２のリファ
レンス電位を温度検出結果に基づきレベルシフトさせ、
該温度補正されたレファレンス電位を超えた時にＦＥＴ
１０２をオフ制御し、電源１０１から負荷１０３への電
力供給制御を行う。

【００５４】このように、ＦＥＴ１０２のオン抵抗を負
荷電流を検出する手段として利用する構成としているの
で、従来のように別途電流検出抵抗を設ける必要がな
く、電流供給制御装置の熱損失を抑制することができ
る。また、ＦＥＴ１０２のオン抵抗については、温度依
存性が高いので温度ドリフトによる検出誤差が問題とな
るが、温度検出結果に基づき電流検出結果を補正してい
るので、高い精度で負荷電流を検出することができる。
また、温度補正された電流検出結果によって過電流が検
出された時にはＦＥＴ１０２をオフ制御するので、正確
な過電流保護機能を実現することができ、過電流による
ＦＥＴ１０２の破損を防止することができると共に、Ｆ
ＥＴ１０２の寿命を延ばすことができる。さらに、本実
施形態では、駆動制御部１０７のコンパレータ２０３に
おいて、温度検出結果が過熱を判断するリファレンス電
位を超えた時に、ＦＥＴ１０２をオフ制御するので、過
熱遮断機能を実現することができ、過熱によるＦＥＴ１
０２の熱的破損を防止することができると共に、熱的寿
命を延ばすことができる。

【００５５】また、本実施形態では、ショート検出部１
０８において、ショート状態を判断するコンパレータ３
０１のリファレンス電位を温度検出結果に基づきレベル
シフトさせ、該温度補正されたレファレンス電位を超え
た時に負荷がショート状態にあると判定する。また、断
線検出部１０９において、断線状態を判断するコンパレ
ータ４０１のリファレンス電位を温度検出結果に基づき
レベルシフトさせ、該温度補正されたレファレンス電位
を下回る時に負荷が断線状態にあると判定する。このよ
うに、温度補正されたリファレンス電位との比較によっ
て負荷における信号線の接続状態を判定することとした
ので、負荷や該負荷と当該電源供給制御装置とを接続す
る信号線（電線）について、ショート検出や断線検出を
正確に行うことが可能となる。

【００５６】〔第２の実施形態〕次に、第２の実施形態
の電源供給制御装置および電源供給制御方法について説
明する。本実施形態の電源供給制御装置の構成は、上記
第１の実施形態の電源供給制御装置の構成（図１参照）
において、駆動制御部１０７をドライバ２０１および抵
抗Ｒ５，Ｒ６のみの構成とし、ショート検出部１０８お
よび断線検出部１０９を取り除いた構成である。

【００５７】すなわち、第２の実施形態の電源供給制御
装置では、ＣＰＵ１１０に、差動増幅器１０５からの温
度検出信号１５２をＡ／Ｄ変換器１１２でディジタル変
換した温度データと、差動増幅器１０６からの電流検出
信号１５３をＡ／Ｄ変換器１１２でディジタル変換した
電流データとを取り込み、ＣＰＵ１１０内のソフトウェ
ア処理によって電流データを温度データで温度補正して
補正後の電流データを求め、該補正後の電流データに基
づいて駆動制御信号１５１をドライバ２０１に供給し
て、ＦＥＴ１０２のスイッチング制御を行い、電源１０
１から負荷１０３への電源供給を制御する。

【００５８】なお、ＣＰＵ１１０において、電流データ
はその時の温度データによって温度補正されるが、温度
補正の手法としては、メモリ等による補正テーブルを用
いて補正された検出電流値に数値変換する手法や、温度
データをパラメータとする変換式を用いて補正された検
出電流値を算出する手法など種々の手法が考えられる。

【００５９】次に、本実施形態の電源供給制御装置にお
ける電源供給制御方法を、図６に示すフローチャートを
参照して説明する。先ず、ステップＳ６０１では、ＦＥ
Ｔ１０２がオン制御中か否かを判断してオン制御中であ
る場合に以下に続く処理を行うようにする。なお、ステ
ップＳ６０１の処理を取り除いて、以下に続く処理を常
時行うようにしてもよい。

【００６０】ステップＳ６０２では、温度データに基づ
いてＦＥＴ１０２が過熱状態にあるか否かを判断する。
温度データが所定値を超えて過熱状態にある場合には、
ステップＳ６１１に進んで、ＦＥＴ１０２をオフ制御
し、ステップＳ６１２で表示部１１３を介して過熱遮断
表示を行う。ここで、ＦＥＴ１０２のオフ制御は、駆動
制御信号１５１の出力を停止することによって行う。ま
たステップＳ６０２で、温度データが所定値以下で過熱
状態にない場合には、ステップＳ６０３に進んで、以下
で行う電流データの比較判断に用いる判定のしきい値
を、温度データに基づき補正する。

【００６１】ステップＳ６０４では、電流データが過電
流しきい値を超えたか否かが判断される。電流データが
過電流しきい値を超えて過電流が流れている場合には、
ステップＳ６２１に進んで、ＦＥＴ１０２をオフ制御
し、ステップＳ６２２で表示部１１３を介して過電流遮
断表示を行う。

【００６２】またステップＳ６０４で、電流データが過
電流しきい値以下で過電流状態にない場合には、ステッ
プＳ６０５に進んで、電流データが断線しきい値以下で
あるか否かが判断される。電流データが断線しきい値を
下回っている場合には断線状態と判断され、ステップＳ
６３１に進んで、表示部１１３を介して断線状態表示を
行う。

【００６３】またステップＳ６０５で、電流データが断
線しきい値を超えて断線状態にない場合には、ステップ
Ｓ６０６に進んで、表示部１１３を介して正常動作表示
を行う。なお、過電流の判断のシーケンスにおいて、負
荷１０３がショート状態にあるか否かをも判断するよう
にして、ショート状態にある場合にはショート状態表示
を行うようにしてもよい。また、断線を判断するシーケ
ンスにおいて、第１の実施形態の断線検出部１０９のよ
うに、複数種の断線状態を判断するようなシーケンスと
することも可能である。

【００６４】以上説明したように、本実施形態の電源供
給制御装置および電源供給制御方法では、補正後の電流
データをＣＰＵ１１０で常時モニタして、過電流の時に
はＦＥＴ１０２をオフ制御するので、正確な過電流保護
機能を実現することができ、過電流によるＦＥＴ１０２
の破損を防止することができると共に、ＦＥＴ１０２の
寿命を延ばすことができる。また、温度データが所定値
を超えた時に、ＦＥＴ１０２をオフ制御するので、過熱
遮断機能を実現することができ、過熱によるＦＥＴ１０
２の熱的破損を防止することができると共に、熱的寿命
を延ばすことができる。さらに、補正後の電流データに
基づき負荷１０３における信号線の接続状態を判定する
ので、ショート検出や断線検出等を行うことが可能とな
り、負荷条件に応じて負荷毎に個別に制御可能な電源供
給制御装置を実現することができる。

【００６５】なお、負荷１０３の種別によっては、過電
流時や過熱時のＦＥＴ１０２のオフ制御に高速性が要求
されるが、そのような場合には、駆動制御部を第１の実
施形態のもの（図２参照）と同等の構成として、過電流
遮断機能および過熱遮断機能をハードウェア制御によっ
て行い、ショート検出および断線検出をソフトウェア処
理によって行うようにしてもよい。

【００６６】また変形例として、上記第１および第２の
実施形態における半導体スイッチとしてのＦＥＴ１０２
を、従来例で使用した過熱遮断機能付きのサーマルＦＥ
Ｔ（図９参照）に置き換えて構成することも可能であ
る。例えば、図９における温度センサ１２１と抵抗Ｒ５
２の分圧点Ｎ１の電位を、第１の実施形態における電位
ＶＴとして使用すれば、同様の回路構成で実現すること
が可能である。

【００６７】また、上記第１および第２の実施形態並び
に変形例においては、ＦＥＴ１２４，トランジスタ２０
６，過熱遮断用ＦＥＴ１２３およびＦＥＴＱ５１〜Ｑ５
３としてｎチャネル型のものを使用したが、本発明に係
る電源供給制御装置の回路構成はこれに限定されるもの
ではなく、ｐチャネル型のものを使用してもよい。但
し、各スイッチング素子のオン／オフ制御を行うゲート
電位が“Ｌ”／“Ｈ”レベルに逆転することに伴う回路
変更が必要となる。さらに、ＦＥＴ１２４の代わりにＩ
ＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を使用
することも可能である。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電源供給
制御装置および電源供給制御方法においては、温度検出
手段（温度検出ステップ）により半導体スイッチの温度
を検出し、電流検出手段（電流検出ステップ）により、
半導体スイッチに流れる電流を該半導体スイッチのオン
抵抗に発生する電圧に基づき検出し、制御手段（制御ス
テップ）により、温度検出手段（温度検出ステップ）の
検出結果に基づき電流検出手段（電流検出ステップ）の
検出結果を補正して、該補正後の検出電流に基づいて、
電源から負荷への電力供給を制御する半導体スイッチに
対して供給される制御信号を制御することとし、半導体
スイッチのオン抵抗を負荷電流を検出する手段として利
用する構成としたので、電流供給制御装置の熱損失を抑
制することができる。また、半導体スイッチのオン抵抗
についての温度依存性による検出誤差の問題も、温度検
出結果に基づき電流検出結果を補正することにより解消
され、高い精度で負荷電流を検出することができる。さ
らに、負荷電流を常時モニタして過電流の時には半導体
スイッチをオフ制御するようにすれば、正確な過電流保
護機能を実現することができ、過電流による半導体スイ
ッチの破損を防止することができると共に、半導体スイ
ッチの寿命を延ばすことができる。

【００６９】また、本発明によれば、制御手段（制御ス
テップ）において、温度検出手段（温度検出ステップ）
の検出結果に基づき制御信号の供給を制御することと
し、例えば、温度検出結果が所定値を超えた時に、半導
体スイッチをオフ制御するようにすれば、過熱遮断機能
を実現することができ、過熱による半導体スイッチの熱
的破損を防止することができると共に、熱的寿命を延ば
すことができる。

【００７０】また、本発明によれば、判定手段（判定ス
テップ）により、温度検出手段（温度検出ステップ）の
検出結果に基づき電流検出手段（電流検出ステップ）の
検出結果を補正して、該補正後の検出電流に基づき負荷
における信号線の接続状態を判定することとしたので、
負荷や該負荷と当該電源供給制御装置とを接続する信号
線（電線）について、接続状態の判定、例えばショート
検出や断線検出等を行うことが可能となり、負荷条件に
応じて負荷毎に個別に制御可能な電源供給制御装置を実
現することができる。

【００７１】さらに、本発明によれば、制御手段（制御
ステップ）または判定手段（判定ステップ）において、
比較手段（比較ステップ）により、電流検出手段（電流
検出ステップ）の検出結果と、温度検出手段（温度検出
ステップ）の検出結果に応じて変化する基準値とを比較
して、制御信号の供給制御または負荷における信号線の
接続状態の判定を行うこととし、半導体スイッチのオン
抵抗の温度依存性による検出誤差を解消するために、比
較手段（比較ステップ）における基準値を温度検出結果
に基づき変化（補正）させているので、高い精度で負荷
電流を検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の電源供給制御装置の
回路構成図である。

【図２】第１の実施形態における駆動制御部の詳細な回
路構成図である。

【図３】第１の実施形態におけるショート検出部の詳細
な回路構成図である。

【図４】第１の実施形態における断線検出部の詳細な回
路構成図である。

【図５】第１の実施形態の電源供給制御装置の動作を説
明するタイミングチャートである。

【図６】第２の実施形態の電源供給制御装置における電
源供給制御方法を説明するフローチャートである。

【図７】第１従来例の電源供給制御装置の回路構成図で
ある。

【図８】第２従来例の電源供給制御装置の回路構成図で
ある。

【図９】サーマルＦＥＴの詳細な回路構成図である。

【符号の説明】

１０１電源１０２，１０２ａ，１０２ｂＦＥＴ（半導体スイッ
チ）１０３負荷１０４駆動制御ブロック１０５差動増幅器（温度検出手段）１０６差動増幅器（電流検出手段）１０７駆動制御部（制御手段）１０８ショート検出部（判定手段）１０９断線検出部（判定手段）１１０，１１０ｂＣＰＵ１１１スイッチ１１２，１１２ｂＡ／Ｄ変換器１１３表示部１２４ＦＥＴＲ１〜Ｒ５５抵抗Ｄ１〜Ｄ４，１２１ダイオード（温度センサ；温度
検出手段）１５１駆動制御信号１５２温度検出信号１５３電流検出信号１５４ＦＥＴ駆動信号１５６ステータス信号１５７ショート検出信号１５８断線検出信号ＶＢ電源電位ＶＴ分圧電位２０１，２０１ａ，２０１ｂドライバ２０２，２０３，３０１，４０１コンパレータ（比
較手段）２０４ＯＲゲート２０５ＮＯＴゲート２０６トランジスタ２１１ソーストランジスタ２１２シンクトランジスタ１０６ａコンパレータ１０６ｂ差動増幅器ＲＳシャント抵抗Ｑ５１〜Ｑ５３，１２３ＦＥＴＺＤ１ツェナーダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０３Ｋ 17/687 Ｈ０３Ｋ 17/687 ＡＦターム(参考） 5G004 AA04 AB02 BA04 DA04 DC03 DC04 DC12 DC14 EA01 5G053 AA01 AA14 BA01 BA04 BA06 CA01 DA01 DA03 EA01 EC03 FA05 5J055 AX12 AX15 AX32 AX36 AX44 AX47 AX64 AX65 BX16 CX20 CX22 CX28 DX09 DX13 DX22 DX53 DX54 EX04 EX06 EX10 EX11 EX19 EX23 EX39 EY01 EY03 EY12 EY13 EY17 EZ07 EZ09 EZ10 EZ24 EZ25 EZ39 EZ43 EZ57 FX04 FX06 FX07 FX13 FX18 FX21 FX22 FX32 FX33 FX38 GX01 GX02 GX03 GX04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】制御信号入力端子へ供給される制御信号
に応じてスイッチング制御され、電源から負荷への電力
供給を制御する半導体スイッチと、前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出手段と、前記半導体スイッチに流れる電流を該半導体スイッチの
オン抵抗に発生する電圧に基づき検出する電流検出手段
と、前記温度検出手段の検出結果に基づき前記電流検出手段
の検出結果を補正して、該補正後の検出電流に基づい
て、前記制御信号の供給を制御する制御手段と、を有することを特徴とする電源供給制御装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記温度検出手段の検
出結果に基づいて、前記制御信号の供給を制御すること
を特徴とする請求項１に記載の電源供給制御装置。
【請求項３】前記温度検出手段の検出結果に基づき前
記電流検出手段の検出結果を補正して、該補正後の検出
電流に基づき前記負荷における信号線の接続状態を判定
する判定手段を有することを特徴とする請求項１または
２に記載の電源供給制御装置。
【請求項４】前記制御手段または前記判定手段は、前
記電流検出手段の検出結果と、前記温度検出手段の検出
結果に応じて変化する基準値とを比較する比較手段を有
することを特徴とする請求項１、２または３に記載の電
源供給制御装置。
【請求項５】制御信号入力端子に供給される制御信号
によって半導体スイッチをスイッチング制御して、電源
から負荷への電力供給を制御する電力供給制御方法にお
いて、前記半導体スイッチの温度を検出する温度検出ステップ
と、前記半導体スイッチに流れる電流を該半導体スイッチの
オン抵抗に発生する電圧に基づき検出する電流検出ステ
ップと、前記温度検出ステップの検出結果に基づき前記電流検出
ステップの検出結果を補正して、該補正後の検出電流に
基づいて、前記制御信号の供給を制御する制御ステップ
と、を有することを特徴とする電源供給制御方法。
【請求項６】前記制御ステップは、前記温度検出ステ
ップの検出結果に基づいて、前記制御信号の供給を制御
することを特徴とする請求項５に記載の電源供給制御方
法。
【請求項７】前記温度検出ステップの検出結果に基づ
き前記電流検出ステップの検出結果を補正して、該補正
後の検出電流に基づき前記負荷における信号線の接続状
態を判定する判定ステップを有することを特徴とする請
求項５または６に記載の電源供給制御方法。
【請求項８】前記制御ステップまたは前記判定ステッ
プは、前記電流検出ステップの検出結果と、前記温度検
出ステップの検出結果に応じて変化する基準値とを比較
する比較ステップを有することを特徴とする請求項５、
６または７に記載の電源供給制御方法。