JP2000303175A

JP2000303175A - 透明導電膜の製造方法および透明導電膜

Info

Publication number: JP2000303175A
Application number: JP11110800A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Fukuda; 和浩福田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1999-04-19
Filing date: 1999-04-19
Publication date: 2000-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性、生産性に優れた透明導電膜の製造方
法およびその製造方法によって形成された透明導電膜を
提供する。【解決手段】反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う
処理系に、被処理体をさらすことにより、前記被処理体
上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ重合によ
り透明導電膜を被処理体上に形成する製造方法およびそ
の製造方法により形成された透明導電膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、可視光域（４００〜７００ｎ
ｍ）に於いて吸収を殆ど持たずに透明で、且つ、導電性
を有する材料「透明導電膜」が、プラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の電極
として、また光学材料や感光材料の帯電防止の用途で多
く用いられている。

【０００３】透明導電膜の製造方法としては、酸化錫・
酸化インジウム等をターゲット材として真空中でスパッ
タリングにより製膜する手法や微粒子化して分散液とし
塗布乾燥後ＵＶ照射等でゾルゲル反応を促進させ製膜す
る方法が採られている。

【０００４】しかし前者の方法は、スパッタリングに伴
う被処理体の高温化のため被処理体が限定されてしまう
欠点の他、スパッタリングの収率が低いためにランニン
グコストが高くなるというデメリットがある。

【０００５】一方後者の方法は、微粒化・分散調液・塗
布・乾燥といった多くのプロセスが必要となるばかりで
なく、微粒子を被処理体に直接固定化定着させ、且つ、
強力な接着性を得る為には、バインダー樹脂が必要にな
り、導電性が悪くなって性能劣化につながる。

【０００６】こうした中で、導電性を劣化させることな
く、生産性にも優れ、簡易に透明導電膜を製造出来る方
法が望まれていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
性、生産性に優れた透明導電膜の製造方法およびその製
造方法によって形成された透明導電膜を提供することで
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記の
構成により達成された。

【０００９】１．反応性ガスの存在下プラズマ放電を行
う処理系に、被処理体をさらすことにより、前記被処理
体上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電
膜の製造方法。

【００１０】２．前記プラズマ放電を、少なくとも２つ
の対向する電極に電圧を印加することによって行い、前
記被処理体を前記２つの対向する電極間に載置すること
を特徴とする上記１に記載の透明導電膜の製造方法。

【００１１】３．前記反応性ガスを、インジウム、亜
鉛、錫またはチタンを含有する有機ガスおよび酸素、一
酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素または
オゾンのうち少なくとも一つの無機ガスを含有する処理
ガスとすることを特徴とする上記１または２に記載の透
明導電膜の製造方法。

【００１２】４．前記有機ガスを、ジンクアセチルアセ
テート、トリエチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメチ
ルジンク、テトラエチルスズ、テトラメチルスズの溶液
をバブリングして得られるガスとすることを特徴とする
上記３に記載の透明導電膜の製造方法。

【００１３】５．前記処理系の気圧を、０．００５Ｔｏ
ｒｒ以上２０Ｔｏｒｒ以下とすることを特徴とする上記
１〜４のいずれか１つに記載の透明導電膜の製造方法。

【００１４】６．前記処理系の気圧を、大気圧と同じま
たは大気圧近傍とすることを特徴とする上記１〜４のい
ずれか１つに記載の透明導電膜の製造方法。

【００１５】７．前記電極の少なくとも一つが、固体誘
電体を具有することを特徴とする上記６に記載の透明導
電膜の製造方法。

【００１６】８．前記処理系には、さらに不活性ガスが
存在することを特徴とする上記６または７に記載の透明
導電膜の製造方法。

【００１７】９．前記不活性ガスが、アルゴンガスまた
はヘリウムガスであることを特徴とする上記８に記載の
透明導電膜の製造方法。

【００１８】１０．前記電極間にパルス状の電圧を印加
することを特徴とする上記６または７に記載の透明導電
膜の製造方法。

【００１９】１１．前記パルス状の電圧の印加により前
記電極間に作られるパルス電界の立ち上がりまたは立ち
下がり時間が、共に４０ｎｓ〜１００μｓの範囲で、且
つ、そのパルス電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範
囲であることを特徴とする上記１０に記載の透明導電膜
の製造方法。

【００２０】１２．前記パルス電界の周波数が１ｋＨｚ
〜１００ｋＨｚであり、且つ、その１つのパルス電界の
形成時間が１μｓ〜１０００μｓであることを特徴とす
る上記１１に記載の透明導電膜の製造方法。

【００２１】１３．前記パルス電界を、前記少なくとも
２つの対向する電極のそれぞれに同時に異極の電圧を印
加することにより発生させることを特徴とする上記１１
または１２に記載の透明導電膜の製造方法。

【００２２】１４．上記１〜１３のいずれか１つに記載
の製造方法により形成された膜の表面比抵抗が１０¹¹Ω
・ｃｍ以下であることを特徴とする透明導電膜。

【００２３】以下、本発明を詳述する。

【００２４】本発明は、透明導電膜の形成方法として、
反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う処理系に、被処
理体をさらす方法を用いたものである。

【００２５】本発明において透明導電膜とは、一般に工
業材料としてよく知られているものであり、可視光（４
００ｎｍ〜７００ｎｍ）を殆ど吸収せず、透明で、しか
も良導体の膜のことである。電気を運ぶ自由荷電体の透
過特性が可視光域で高く透明であり、しかも電気伝導性
が高いため、透明電極や帯電防止膜として用いられる。
尚、「膜」と称しているが、用途によってその機能を有
する程度に被処理体上に形成出来ればよく、必ずしも被
処理体の全部または一部を覆う連続的な膜である必要は
ない。透明導電膜の組成としては、酸化インジウム、酸
化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン等の酸化金属がその代表
的なものである。

【００２６】本発明において透明導電膜を形成するため
の反応性ガスとは、プラズマ放電により被処理体上に透
明導電膜を形成可能な気体のことである。具体的には、
インジウム、亜鉛、錫、チタン等を含有する有機ガスお
よび酸素または二酸化炭素の無機ガスの処理ガスのこと
である。

【００２７】有機ガスは、前記インジウム、亜鉛、錫、
チタン等を含有する有機化合物であるジンクアセチルア
セテート、トリエチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメ
チルジンク、テトラエチルスズ、テトラメチルスズ等の
溶液に気体を通し、バブリングして発生させることが出
来る。バブリングするための気体を前記酸素、一酸化炭
素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素またはオゾン
等の無機ガスとすると効率よく反応性ガスを調製するこ
とが出来る。バブリングする溶液がトリエチルインジウ
ム、ジエチル亜鉛、ジメチルジンクにおいては、発火性
の問題から二酸化炭素を用いるのが安全である。

【００２８】本発明においてプラズマ放電とは、放電に
よりプラズマ状態を発生させることである。好ましく
は、少なくとも２つの対向する電極に電圧を印加するこ
とによって行う。

【００２９】本発明において処理系とは、前記反応性ガ
ス存在下プラズマ放電を行う処理空間のことであり、具
体的には壁等で仕切を設けて隔離した処理室のことであ
る。

【００３０】前記処理室内の気圧を、真空に近い０．０
０５Ｔｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒで行う真空プラズマ放電処
理の場合には、反応性ガスの処理室への導入を調整する
必要がある。処理速度を増加させるためには、電極に印
加する電圧を高くすることが必要であるが、電界強度を
上げすぎると被処理体にダメージを与える場合があるの
で注意が必要である。

【００３１】また別の態様として、前記処理室の気圧
を、大気圧若しくは大気圧近傍で行う大気圧プラズマ処
理の場合には、処理室に導入する気体として、前記反応
性ガス以外に不活性ガスを導入することが、安定な放電
を発生させる上で好ましい。大気圧もしくは大気圧近傍
とは、１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力下のことであり、
好ましくは７００〜７８０Ｔｏｒｒの範囲である。

【００３２】不活性ガスはプラズマ放電により反応を起
こさない気体のことであり、アルゴンガス、ヘリウムガ
ス、キセノンガス、クリプトンガスがある。この中で好
ましいものはアルゴンガスとヘリウムガスである。大気
圧プラズマ処理時に処理室に導入する不活性ガスは６０
圧力％以上と、反応性ガスよりも割合を多くすることが
放電を安定に発生させることが出来て好ましい。印加す
る電圧を高くすると処理速度を上げることが出来るが、
電界強度を上げすぎると被処理体にダメージを与えるこ
とになるので注意が必要である。

【００３３】しかし、前記大気圧プラズマ処理であって
も、パルス化された電界でプラズマを発生させる場合に
は、不活性ガスは必ずしも必要なく、処理系における反
応性ガス濃度を増加させることができる。これにより反
応速度は大きく増加させることが可能になり、生産効率
を上げることが出来る。

【００３４】この時のパルス波形は例えば図１に示す例
が挙げられるが、これに限定されず、特開平１０−１３
０８５１号公報の図１（ａ）〜（ｄ）のパルス波形であ
ってもよい。

【００３５】本発明の図１において、縦軸はパルス電
圧、横軸は時間である。

【００３６】パルス電界の立ち上がりまたは立ち下がり
時間が、共に４０ｎｓ〜１００μｓの範囲であることが
好ましい。ここで立ち上がり（立ち下がり）時間とは、
図１のパルス波形において、電圧がベースラインから上
昇（下降）を始めてから最高点（最低点）に達するまで
の時間のことを指す。

【００３７】パルス電界の周波数は、１ｋＨｚ〜１００
ｋＨｚの範囲が好ましい。

【００３８】１つのパルス電界が印加される時間は１μ
〜１０００μｓであることが好ましい。１つのパルス電
界が印加される時間というのは、図１に於ける１つのパ
ルス波形のパルスが印加される時間である。

【００３９】電極に印加する電圧の大きさは、電界強度
が１〜１００ｋＶ／ｃｍとなる範囲が好ましく、大きい
程処理速度は増加するが上げ過ぎると被処理体にダメー
ジを与えるのは同様である。

【００４０】また、大気圧プラズマ処理に用いる少なく
とも２つの対向する電極は、固体誘電体をその対向面側
に設けることが好ましい。固体誘電体としては、焼結セ
ラミックスを用いることが好ましく、その体積固有抵抗
値は１０⁸Ω・ｃｍ以上が好ましい。

【００４１】本発明において被処理体は、透明導電膜を
形成させうるものであれば特に限定はないが、透明導電
膜の用途の観点からフィルム状支持体であることが好ま
しい。さらに生産性を考慮すると、長尺のフィルム状支
持体であって、前記処理室に連続的に搬入して、透明導
電膜の形成を行えるものが好ましい。また、ＰＤＰやＬ
ＣＤの透明電極等に用いる場合には、当然ながら透明の
フィルム状支持体であることが好ましい。

【００４２】フィルム状支持体の素材としては、セルロ
ーストリアセテート等のセルロースエステル、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリスチレン
（シンジオタクティック）、ポリオレフィン、紙に溶融
被覆してあるポリオレフィン樹脂被覆印画紙、あるいは
ポリエステル樹脂被覆印画紙等を挙げることが出来る。

【００４３】尚、被処理体は、上述の処理室内の少なく
とも２つの対向する電極間に載置することにより効率的
に透明導電膜の形成が出来る。長尺のフィルム状支持体
を連続搬送しながら行う場合には、対向する電極をライ
ン状に長さを持って設置し、その間隙を移送するように
配置することが好ましい。

【００４４】透明導電膜を形成するにあたり、付与する
導電性質の度合いについては、処理系のガス条件（ガス
種、ガス濃度、ガス封入条件、圧力等）、電界強度、放
電条件等を変化させることにより、適宜コントロールす
ることができる。このように調整して形成された本発明
の透明導電膜の表面比抵抗値は、１０¹¹Ω・ｃｍ（ＪＩ
Ｓ−Ｋ−６９１１）以下であることが好ましい。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明するが、本願発明はこの形態に限られるものではな
い。

【００４６】以下、具体的な処理装置について説明す
る。

【００４７】図２は、処理系の気圧を０．００５Ｔｏｒ
ｒ以上２０Ｔｏｒｒ以下として真空プラズマ放電処理を
行うための装置の一形態を示す概略構成図である。

【００４８】図２において、連続搬送される長尺状の支
持体１を真空下、連続的にプラズマ処理するための処理
部が前記支持体１の入口２Ａと出口２Ｂを有する間仕切
らされた処理室によって構成されている。以下処理部を
処理室として説明する。

【００４９】処理室２には、対向する平板電極３、４が
設けられている。

【００５０】この一対の電極３、４のうち一方の電極３
に高周波電源５が接続され、他方の電極はアース６によ
り設置されており、一対の電極３、４間に電界を印加で
きるように構成されている。

【００５１】また１６より処理ガスを導入し、１７より
排気ポンプで処理室内を真空に排気する。

【００５２】図示の例では、処理室２に隣接して支持体
の入り口側に予備減圧室１０および１１が設けられてい
る。支持体の出口側にも処理室２に隣接して予備減圧室
１２が設けられている。またこれらの間仕切りは、ニッ
プロール７、８により行われるが、これに限定されるも
のではない。

【００５３】予備減圧室を設ける場合、図示のように、
支持体１の入口側に二つ、出口側に１つを設ける態様で
あっても良いが、これに限定されず、支持体１の出入口
側に１つづつ設ける態様、あるいは入口側に２つ以上、
出口側に２つ以上設ける態様であっても良い。

【００５４】いずれの態様であても、反応性ガス導入時
に処理室内の気圧が０．００５〜２０Ｔｏｒｒの範囲に
あればよい。

【００５５】減圧下の処理室２に導入する反応性ガスと
しては、前述の通りである。

【００５６】図３は、処理系の気圧を大気圧と同じもし
くは大気圧近傍として大気圧プラズマ放電処理を行うた
めの装置の一形態を示す概略構成図である。

【００５７】図３において、連続搬送される長尺の支持
体１を大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的にプラ
ズマ処理するための処理室２が前記支持体１の入口２Ａ
を有する間仕切られた処理室によって構成されている。
また出口側も同様である。

【００５８】処理室２には、複数の円筒の電極３を支持
体１の両面側に併設している。併設の方法は図示のよう
にチドリ状に配置してもよいが、対向させて配置するこ
ともできる。電極間隔Ｌは支持体１の上側の電極の最下
端と下側電極の最上端との距離で表される。電極間の間
隔は均等でもよいし、そうでなくてもよい。

【００５９】円筒電極は内部に導電性金属が配置され、
外部に誘電体が配置された二重管構造であり、導電性金
属としては銀、金、銅、ステンレス、アルミニウム等の
通電可能な材料に誘電体を溶射、蒸着、コーティング等
で設けるのが一般的であるが、固体誘電体に導電層をメ
ッキ、蒸着、コーティング、溶射等で設けることも可能
である。

【００６０】固体誘電体としては、気密性の高い高耐熱
性のセラミックスを焼結した焼結型セラミックスを用い
ることも好ましい。焼結型セラミックスの材質としては
例えば、アルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、炭化
珪素系のセラミックスである。焼結型セラミックスの厚
みは０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましい。また体積固
有抵抗は１０⁸Ω・ｃｍ以上が好ましい。

【００６１】焼結型セラミックスとして、アルミナ系焼
結型セラミックスを用いる場合、純度９９．６％以上の
アルミナ系焼結型セラミックスを用いることが、電極の
耐久性を上げる点で好ましい。純度９９．６％以上のア
ルミナ系焼結型セラミックスに関しては、本出願人が先
に提案した発明（特願平９−３６７４１３号）を参考に
できる。

【００６２】この焼結型セラミックスを用いた電極の製
造方法は、耐久性の高いセラミックスを焼結させ焼結型
セラミックスを作り、その焼結型セラミックスにメッ
キ、蒸着、溶射またはコーティング等して金属導電部を
付着させる。

【００６３】また固体誘電体としては、特願平１０−３
００９８４号に記載の低温ガラスライニングを用いるこ
ともできる。

【００６４】またセラミックパイプの中に金属管や棒を
挿入することもできる。

【００６５】金属電極は固体誘電体により全部が被覆さ
れていてもよいし、一部が被覆されるだけでもよい。

【００６６】電極間の間隙Ｌは、０．３〜１０ｍｍの範
囲が好ましく、より好ましくは３〜７ｍｍの範囲であ
る。

【００６７】この上側電極全体に高周波電源５が接続さ
れ、下側電極全体はアース６により設置されており、そ
れぞれの電極群の間に電界を印加できるように構成され
ている。

【００６８】なお、２０、２１、２２は搬送ロールであ
る。

【００６９】図示の例では、処理室２に隣接して支持体
の入り口側に予備室１０が設けられている。支持体の出
口側にも表示はしていないが、処理室２に隣接して予備
が設けられている。またこれらの間仕切りは、ニップロ
ール７により行われるが、これに限定されるものではな
い。

【００７０】予備室を設ける場合、支持体１の出入口側
に１つづつ設ける態様であってもよいが、これに限定さ
れず、あるいは入口側に２つ以上、出口側に２つ以上設
ける態様であっても良い。

【００７１】いずれの態様であても、処理室内の気圧が
該処理室と隣接する予備室の気圧より高いことが必要で
あり、好ましくは０．０３ｍｍＡｑ以上高いことであ
る。このように、処理室と予備室の間でも圧力差を設け
ることによって、外部空気の混入を防止し、反応性ガス
の有効使用が可能となり、処理効果も更に向上する。ま
た処理室に隣接して入口側に二つ以上、出口側に二つ以
上予備室を設けた場合、その予備室と隣り合う予備室の
間の差圧は、処理室に近い側の予備室の気圧が高く設定
されることが好ましく、０．０３ｍｍＡｑ以上高く設定
されることが好ましい。このように複数の予備室同士の
間でも圧力差を設けることによって、外部空気の混入を
より効果的に防止し、反応性ガスの有効使用がより可能
となり、処理効果も更に向上する。

【００７２】予備室には、処理ガスの少なくとも１成分
を有していることが反応性ガスの効率的な使用と表面処
理効果の向上の観点から好ましい。

【００７３】処理室と予備室、予備室同士の部屋には間
仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手
段としては、図示のように、ニップロールを設ける態様
も好ましい。

【００７４】かかるニップロールは、支持体に対して接
触しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部
屋同士を完全に間仕切りできないので、本発明のような
差圧を設ける手段が有効に機能するのである。

【００７５】また間仕切り手段としては、支持体に対し
て所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であっても
よい。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方
式等を採用できる。

【００７６】図３において、図２と同一の符号の部位は
同一の構成であるので、その説明を省略する。図３に示
す装置を用いて処理するには、先ず搬送される支持体１
が処理室２内に入り、その処理室２内で電界が印加され
る。かかる印加によって支持体の表面がプラズマ処理さ
れ、反応が促進される。かかる処理の際に、処理室２に
封入する処理ガス中には６０％以上の不活性ガスが必要
である。しかし、上述のパルス状の電界を印加する場合
には、反応性ガスの割合がこれよりも多くなってよい。

【００７７】更に処理室２内の気圧が外圧より高いこと
が好ましい。

【００７８】処理室２内の気圧を外圧より高くすること
によって、外部からの気体が処理室２内に進入しないた
めに、安定した処理ができる。

【００７９】本発明では、処理室２の気圧が外圧より
０．０３ｍｍＡｑ以上高い態様によって、更に安定した
均一な処理ができる。

【００８０】処理室２に封入する不活性ガスとしては、
アルゴン（Ａｒ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、ヘリウム
（Ｈｅ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘ
ｅ）ガスなどがある。より安定な処理を行う為には、ヘ
リウムガスおよびアルゴンガスが好ましい。

【００８１】また残る４０％以下を占める反応性ガスと
しては、上述の通りである。

【００８２】本発明において、処理室２内に導入するに
先立ち、予め不活性ガスと反応性ガスとを混合した処理
ガスを使用することが好ましいが、各ガスを独立して導
入しても、処理室２内の電極間の雰囲気が、上述した反
応性ガスの割合になっていればよい。

【００８３】かかる円筒電極を用いることにより、電極
間にガスを導入し易くなることによって、反応性ガスと
電極との接触効率が上昇し、その結果処理効果も向上す
る。また構造的にも簡便で、互換性に優れ、低コストで
の処理が可能となる。また支持体の高速搬送においても
優れた効果を発揮する。

【００８４】以上説明した態様に用いた電極は円筒型電
極であるが、ロール型電極、ガスフロー型曲面電極とす
ることも好ましい。

【００８５】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されない。

【００８６】プラズマ放電処理装置として以下を用意し
た。

【００８７】装置１：連続型真空プラズマ放電処理装置（図２に示す
もの）電源周波数：１３．５６ＭＨｚ放電面積：０．０８ｍ² 装置２：連続型大気圧プラズマ放電処理装置（図３に示
すもの）電極：セラミックスパイプに内面Ｎｉ／Ｃｕメッ
キ（１０φ、１ｍｍ厚）放電面積：０．０８ｍ² 電源：神鋼電機社製高周波電源ＳＰＧ０５−４５
００電源周波数：５ｋＨｚ（サイン波式）装置３：連続型大気圧プラズマ放電処理装置（図３に示
すもの）装置２とほぼ同じ構成にて電源のみをインパルス式に変
更電源：ハイデン研究所社製ＰＨＦ−４Ｋ電源周波数：１０ｋＨｚ（実施例１）装置１を使用し、長尺のポリエチレンテレ
フタレート支持体を連続搬送して、以下の条件でプラズ
マ放電処理を行った。

【００８８】電源出力：８０００Ｗ／ｍ² 真空度：０．１Ｔｏｒｒ処理ガス：トリエチルインジウムと酸素を使用処理時間：１ｍｉｎ（実施例２）装置２を使用し、実施例１と同様にポリエ
チレンテレフタレート支持体に対し、以下の条件でプラ
ズマ放電処理を行った。

【００８９】電源出力：８０００Ｗ／ｍ^２処理ガス：不活性ガス：反応性ガス＝８：２（圧力
比）の割合となるようにマスフローコントローラで流量
を制御し、ミキサーで混合したものを処理室へ導入した
不活性ガスとしてヘリウムガスを、反応性ガスとして二
酸化炭素をテトラエチルスズ液中をバブリングしたもの
を使用した（液温は２５℃に保った）処理時間：１ｍｉｎ（実施例３）装置３を使用し、実施例１と同様にポリエ
チレンテレフタレート支持体に対し、以下の条件でプラ
ズマ放電処理を行った。

【００９０】電源出力：８０００Ｗ／ｍ^２処理ガス：不活性ガス：反応性ガス＝２：８（圧力
比）の割合となるようにマスフローコントローラで流量
を制御し、ミキサーで混合したものを処理室へ導入した
不活性ガスとしてヘリウムガスを、反応性ガスとして二
酸化炭素をテトラエチルスズ液中をバブリングしたもの
を使用した（液温は２５℃に保った）処理時間：１ｍｉｎ〈評価法〉上記実施例１ないし３にて処理を行ったポリ
エチレンテレフタレート支持体表面比抵抗を測定した。
結果を下記表１に示す。

【００９１】

【表１】

【００９２】※ＪＩＳ規格ＪＩＳ−Ｋ−６９１１準拠の
３端子法により測定した。

【００９３】（実施例４）実施例３において処理速度を
変化させて処理を行った結果を図４に示す。

【００９４】尚、上記同様に、表面比抵抗については、
ＪＩＳ規格ＪＩＳ−Ｋ−６９１１準拠の３端子法により
測定した。

【００９５】

【発明の効果】上記本発明によって、導電性、生産性に
優れた透明導電膜の製造方法およびその製造方法によっ
て形成された透明導電膜を提供することが出来た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において、大気圧プラズマ放電処理に適
用出来る電極に印加する電圧のパルス波形を示すもので
ある。

【図２】本発明において、処理系の気圧を０．００５Ｔ
ｏｒｒ以上２０Ｔｏｒｒ以下として真空プラズマ放電処
理を行うための装置の一形態を示す概略構成図である。

【図３】本発明において、処理系の気圧を大気圧と同じ
もしくは大気圧近傍として大気圧プラズマ放電処理を行
うための装置の一形態を示す概略構成図である。

【図４】図３のプラズマ放電処理装置を用いて、処理速
度を変化させてプラズマ放電処理を行った結果を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１支持体（被処理体）２処理室３、４電極５電源６アース７、８ニップロール１０、１１、１２予備減圧室２０、２１、２２搬送ロールＬ電極間隔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H023 FC00 FC10 4F073 AA04 BA03 BA06 BA19 BA23 BA26 BA31 CA01 CA62 CA64 CA65 CA68 CA70 HA03 HA12 4K030 AA11 AA14 AA16 AA24 BA11 BA42 BA45 BA47 CA07 EA01 FA03 JA09 JA11 JA14 JA18 KA46 LA01 LA18 5G307 FA02 FB01 FC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応性ガスの存在下プラズマ放電を行う
処理系に、被処理体をさらすことにより、前記被処理体
上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜
の製造方法。
【請求項２】前記プラズマ放電を、少なくとも２つの
対向する電極に電圧を印加することによって行い、前記
被処理体を前記２つの対向する電極間に載置することを
特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項３】前記反応性ガスを、インジウム、亜鉛、
錫またはチタンを含有する有機ガスおよび酸素、一酸化
炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素またはオゾ
ンのうち少なくとも一つの無機ガスを含有する処理ガス
とすることを特徴とする請求項１または２に記載の透明
導電膜の製造方法。
【請求項４】前記有機ガスを、ジンクアセチルアセテ
ート、トリエチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメチル
ジンク、テトラエチルスズ、テトラメチルスズの溶液を
バブリングして得られるガスとすることを特徴とする請
求項３に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項５】前記処理系の気圧を、０．００５Ｔｏｒ
ｒ以上２０Ｔｏｒｒ以下とすることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１項に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項６】前記処理系の気圧を、大気圧と同じまた
は大気圧近傍とすることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか１項に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項７】前記電極の少なくとも一つが、固体誘電
体を具有することを特徴とする請求項６に記載の透明導
電膜の製造方法。
【請求項８】前記処理系には、さらに不活性ガスが存
在することを特徴とする請求項６または７に記載の透明
導電膜の製造方法。
【請求項９】前記不活性ガスが、アルゴンガスまたは
ヘリウムガスであることを特徴とする請求項８に記載の
透明導電膜の製造方法。
【請求項１０】前記電極間にパルス状の電圧を印加す
ることを特徴とする請求項６または７に記載の透明導電
膜の製造方法。
【請求項１１】前記パルス状の電圧の印加により前記
電極間に作られるパルス電界の立ち上がりまたは立ち下
がり時間が、共に４０ｎｓ〜１００μｓの範囲で、且
つ、そのパルス電界の強さが１〜１００ｋＶ／ｃｍの範
囲であることを特徴とする請求項１０に記載の透明導電
膜の製造方法。
【請求項１２】前記パルス電界の周波数が１ｋＨｚ〜
１００ｋＨｚであり、且つ、その１つのパルス電界の形
成時間が１μｓ〜１０００μｓであることを特徴とする
請求項１１に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項１３】前記パルス電界を、前記少なくとも２
つの対向する電極のそれぞれに同時に異極の電圧を印加
することにより発生させることを特徴とする請求項１１
または１２に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項１４】請求項１〜１３のいずれか１項に記載
の製造方法により形成された膜の表面比抵抗が１０¹¹Ω
・ｃｍ以下であることを特徴とする透明導電膜。