JP2000306221A - 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000306221A JP2000306221A JP11115105A JP11510599A JP2000306221A JP 2000306221 A JP2000306221 A JP 2000306221A JP 11115105 A JP11115105 A JP 11115105A JP 11510599 A JP11510599 A JP 11510599A JP 2000306221 A JP2000306221 A JP 2000306221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- head
- magnetoresistive
- conductive region
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 18
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 270
- 239000010408 film Substances 0.000 description 101
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 59
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- -1 CoZr Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019233 CoFeNi Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019586 CoZrTa Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017706 MgZn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002837 PtCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＳＤ耐性に優れたスピンバルブヘッド及び
強磁性トンネル接合ヘッドを提供すること． 【課題を解決する手段】 強磁性トンネル接合膜及びス
ピンバルブ膜から選択された一つの膜体から構成されて
いる磁気抵抗効果素子３を磁気抵抗センサとして使用し
た磁気抵抗効果ヘッド１０であって、当該磁気抵抗効果
素子３の第１の電極２と第２の電極２’に対して並列に
接続されたダイオード４が設けられている磁気抵抗効果
ヘッド。
強磁性トンネル接合ヘッドを提供すること． 【課題を解決する手段】 強磁性トンネル接合膜及びス
ピンバルブ膜から選択された一つの膜体から構成されて
いる磁気抵抗効果素子３を磁気抵抗センサとして使用し
た磁気抵抗効果ヘッド１０であって、当該磁気抵抗効果
素子３の第１の電極２と第２の電極２’に対して並列に
接続されたダイオード４が設けられている磁気抵抗効果
ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気媒体に記録した情報
信号を読み取るための磁気センサに関する。
信号を読み取るための磁気センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では、磁気抵抗（ＭＲ）センサ
またはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が開示され
ており、これは、大きな線形密度で磁性表面からデータ
を読み取れることがわかっている。
またはヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が開示され
ており、これは、大きな線形密度で磁性表面からデータ
を読み取れることがわかっている。
【０００３】係るＭＲセンサは、読み取り素子によって
感知される磁束の強さと方向の関数としての抵抗変化を
介して磁界信号を検出する。
感知される磁束の強さと方向の関数としての抵抗変化を
介して磁界信号を検出する。
【０００４】こうした従来技術のＭＲセンサは、読み取
り素子の抵抗の１成分が磁化方向と素子中を流れる感知
電流の方向の間の角度の余弦の２乗に比例して変化す
る、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果に基づいて動作す
る。
り素子の抵抗の１成分が磁化方向と素子中を流れる感知
電流の方向の間の角度の余弦の２乗に比例して変化す
る、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果に基づいて動作す
る。
【０００５】ＡＭＲ効果のより詳しい説明は、Ｄ．Ａ．
トムプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）等の論文"Memory Stor
age and Related Applications" IEEE Trans．on Mag．
MAG-11，p ．1039 (1975) に出ている。
トムプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）等の論文"Memory Stor
age and Related Applications" IEEE Trans．on Mag．
MAG-11，p ．1039 (1975) に出ている。
【０００６】ＡＭＲ効果を用いた磁気ヘッドではバルク
ハウゼンノイズを押えるために縦バイアスを印加するこ
とが多いが、この縦バイアス印加材料として、ＦｅＭ
ｎ，ＮｉＭｎ，ニッケル酸化物などの反強磁性材料を用
いる場合がある。
ハウゼンノイズを押えるために縦バイアスを印加するこ
とが多いが、この縦バイアス印加材料として、ＦｅＭ
ｎ，ＮｉＭｎ，ニッケル酸化物などの反強磁性材料を用
いる場合がある。
【０００７】さらに最近には、積層磁気センサの抵抗変
化が、非磁性層を介する磁性層間での電導電子のスピン
依存性伝送、及びそれに付随する層界面でのスピン依存
性散乱に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が記載され
ている。
化が、非磁性層を介する磁性層間での電導電子のスピン
依存性伝送、及びそれに付随する層界面でのスピン依存
性散乱に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が記載され
ている。
【０００８】この磁気抵抗効果は、「巨大磁気抵抗効
果」や「スピン・バルブ効果」など様々な名称で呼ばれ
ている。このような磁気抵抗センサは適当な材料で出来
ており、ＡＭＲ効果を利用するセンサで観察されるより
も、感度が改善され，抵抗変化が大きい。
果」や「スピン・バルブ効果」など様々な名称で呼ばれ
ている。このような磁気抵抗センサは適当な材料で出来
ており、ＡＭＲ効果を利用するセンサで観察されるより
も、感度が改善され，抵抗変化が大きい。
【０００９】この種のＭＲセンサでは、非磁性層で分離
された１対の強磁性体層の間の平面内抵抗が、２つの層
の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化する。
された１対の強磁性体層の間の平面内抵抗が、２つの層
の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化する。
【００１０】１９８８年６月に優先権主張されている特
開平２−６１５７２号公報には、磁性層内の磁化の反平
行整列によって生じる高いＭＲ変化をもたらす積層磁性
構造が記載されている。又、積層構造で使用可能な材料
として、上記明細書には強磁性の遷移金属及び合金が挙
げられている。
開平２−６１５７２号公報には、磁性層内の磁化の反平
行整列によって生じる高いＭＲ変化をもたらす積層磁性
構造が記載されている。又、積層構造で使用可能な材料
として、上記明細書には強磁性の遷移金属及び合金が挙
げられている。
【００１１】更に、中間層により分離している少なくと
も２層の強磁性層の一方に固定させる層を付加した構造
および固定させる層としてＦｅＭｎが適当であることが
開示されている。
も２層の強磁性層の一方に固定させる層を付加した構造
および固定させる層としてＦｅＭｎが適当であることが
開示されている。
【００１２】１９９０年１２月１１日に優先権主張され
ている、特開平４−３５８３１０号公報には、非磁性金
属体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の２層の薄膜
層を有し、印加磁界が零である場合に２つの強磁性薄膜
層の磁化方向が直交し、２つの非結合強磁性体層間の抵
抗が２つの層の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化
し、センサ中を通る電流の方向とは独立な，ＭＲセンサ
が開示されている。
ている、特開平４−３５８３１０号公報には、非磁性金
属体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の２層の薄膜
層を有し、印加磁界が零である場合に２つの強磁性薄膜
層の磁化方向が直交し、２つの非結合強磁性体層間の抵
抗が２つの層の磁化方向間の角度の余弦に比例して変化
し、センサ中を通る電流の方向とは独立な，ＭＲセンサ
が開示されている。
【００１３】一方、１９９０年８月２２日に出願されて
いる、特開平４−１０３０１４号公報には、強磁性に他
の中間層を挿入して多層膜とした強磁性トンネル接合素
子において、少なくとも一層の強磁性層に反強磁性体か
らのバイアス磁界が印加されていることを特徴とする強
磁性トンネル効果膜についての記載がある。
いる、特開平４−１０３０１４号公報には、強磁性に他
の中間層を挿入して多層膜とした強磁性トンネル接合素
子において、少なくとも一層の強磁性層に反強磁性体か
らのバイアス磁界が印加されていることを特徴とする強
磁性トンネル効果膜についての記載がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】処で、従来のシールド
型スピンバルブヘッド及びシールド型ＴＭＲヘッドは、
過電流耐性に非常に劣るという欠点を有していた。（た
とえばAbstracts for the 43rd Annual Conference on
Magnetism & Magnetic Materials, Miami, Florida, No
vember 1998, p.170 EB-09参照） 以下に示す表１は、本願発明者等がシールド型ＡＭＲヘ
ッド、シールド型スピンバルブヘッド、およびシールド
型ＴＭＲヘッドのそれぞれについて、ＭＲ比のＥＳＤ
（ Electro Static Discharge ）試験を行った結果であ
る。
型スピンバルブヘッド及びシールド型ＴＭＲヘッドは、
過電流耐性に非常に劣るという欠点を有していた。（た
とえばAbstracts for the 43rd Annual Conference on
Magnetism & Magnetic Materials, Miami, Florida, No
vember 1998, p.170 EB-09参照） 以下に示す表１は、本願発明者等がシールド型ＡＭＲヘ
ッド、シールド型スピンバルブヘッド、およびシールド
型ＴＭＲヘッドのそれぞれについて、ＭＲ比のＥＳＤ
（ Electro Static Discharge ）試験を行った結果であ
る。
【００１５】当該試験には、ヒューマンボディーモデル
を用い、公知の試験装置を用いた。
を用い、公知の試験装置を用いた。
【００１６】上記各試料に電荷を与えるためのコンデン
サーとしては１００ｐＦのセラミックコンデンサーを用
い、ヘッド(D.U.T.)とコンデンサーの間には１５００Ω
の抵抗を挿入した。
サーとしては１００ｐＦのセラミックコンデンサーを用
い、ヘッド(D.U.T.)とコンデンサーの間には１５００Ω
の抵抗を挿入した。
【００１７】はじめ、電圧印加装置（ＨＶ Ｓｕｐｐｌ
ｙ）によりコンデンサに電荷を蓄積した後、スイッチを
ヘッド側に切り替えヘッドに電荷を加え、その前後での
Ｒ−Ｈループを測定した。
ｙ）によりコンデンサに電荷を蓄積した後、スイッチを
ヘッド側に切り替えヘッドに電荷を加え、その前後での
Ｒ−Ｈループを測定した。
【００１８】ＡＭＲヘッドでは６０Ｖという高いＥＳＤ
電圧までＭＲ比の低下は見られなかったが、スピンバル
ブヘッドでは２５Ｖ、ＴＭＲヘッドではわずか１Ｖとい
う低い電圧でＭＲ比の低下が観測された。
電圧までＭＲ比の低下は見られなかったが、スピンバル
ブヘッドでは２５Ｖ、ＴＭＲヘッドではわずか１Ｖとい
う低い電圧でＭＲ比の低下が観測された。
【００１９】これは、ＡＭＲヘッドでは感磁部がＮｉＦ
ｅ合金であり、ＮｉＦｅ合金のキューリー温度であるＥ
ＳＤ電流により６６０℃まで素子温度が上昇した時点で
ＭＲ比の低下が起きるのに対し、スピンバルブでは反強
磁性層のブロッキング温度が、高いものでも３５０℃程
度であり、それを越えるとＭＲ比が低下するためであ
り、従って、ＡＭＲより低いＥＳＤ電流、ＥＳＤ電圧に
おいてＭＲ比の低下が見られる。
ｅ合金であり、ＮｉＦｅ合金のキューリー温度であるＥ
ＳＤ電流により６６０℃まで素子温度が上昇した時点で
ＭＲ比の低下が起きるのに対し、スピンバルブでは反強
磁性層のブロッキング温度が、高いものでも３５０℃程
度であり、それを越えるとＭＲ比が低下するためであ
り、従って、ＡＭＲより低いＥＳＤ電流、ＥＳＤ電圧に
おいてＭＲ比の低下が見られる。
【００２０】ＴＭＲヘッドの場合はＥＳＤ電圧による素
子破壊モードがまた異なっていて、バリア層の耐電圧特
性によってＥＳＤ電圧が決まっていて、現状の素子では
ＥＳＤ電圧が１Ｖ程度になっている。
子破壊モードがまた異なっていて、バリア層の耐電圧特
性によってＥＳＤ電圧が決まっていて、現状の素子では
ＥＳＤ電圧が１Ｖ程度になっている。
【００２１】 表 １ シールド型ＡＭＲヘッド、スピンバルブヘッド、およびＴＭＲヘッドのＭＲ比 のＥＳＤ電圧耐性 ＥＳＤ電圧（Ｖ）／ＡＭＲ(%) ／スピンバルブ（％）／ＴＭＲ(%) ０ ０．８ １．７ ２．４ ０．５ ０．８ １．７ ２．４ ０．８ ０．８ １．７ ２．４ １ ０．８ １．７ ２．４ ２ ０．８ １．７ ０ ５ ０．８ １．７ ０ ８ ０．８ １．７ ０ １０ ０．８ １．７ ０ １５ ０．８ １．７ ０ ２０ ０．８ １．７ ０ ２５ ０．８ １．７ ０ ３０ ０．８ ０．７ ０ ６０ ０．８ ０ ０ ６５ ０．３ ０ ０ ７０ ０ ０ ０ ヘッドは一般にスライダー加工され、サスペンションに
接着され、さらに配線が接続されて出荷されるが、この
配線部がアンテナとなり、空中に浮遊する電波をキャッ
チしヘッドに電流を流す。
接着され、さらに配線が接続されて出荷されるが、この
配線部がアンテナとなり、空中に浮遊する電波をキャッ
チしヘッドに電流を流す。
【００２２】この電流がＥＳＤ試験によりヘッドに流れ
る電流と同じ効果で、ヘッドを破壊することもある。
る電流と同じ効果で、ヘッドを破壊することもある。
【００２３】また、ハードディスク装置等に取り付けた
後でも、装置ノイズや放射ノイズ等によりセンス電流に
瞬間的な過電流が付与されることもある。この過電流も
やはりヘッドを破壊する要因となる。ＥＳＤ試験に強い
ということは、これらの外乱によるノイズによる破壊に
強いということも意味する。
後でも、装置ノイズや放射ノイズ等によりセンス電流に
瞬間的な過電流が付与されることもある。この過電流も
やはりヘッドを破壊する要因となる。ＥＳＤ試験に強い
ということは、これらの外乱によるノイズによる破壊に
強いということも意味する。
【００２４】又、特開平６−１０３５０８号公報及び特
許第２７８４４６０公報には、磁気抵抗効果型ヘッドと
並列にダイオードを接続する技術が開示されているが、
係る公報には、磁気抵抗効果素子の内、特に強磁性トン
ネル接合膜及びスピンバルブ膜から構成されている磁気
抵抗効果素子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下
が、ＡＭＲを使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧
が低い電圧状態で発生する為、かかる問題を解決する技
術に関しては開示が見られないと共に、製造工程を簡素
化する技術に関しても記載が見られない。
許第２７８４４６０公報には、磁気抵抗効果型ヘッドと
並列にダイオードを接続する技術が開示されているが、
係る公報には、磁気抵抗効果素子の内、特に強磁性トン
ネル接合膜及びスピンバルブ膜から構成されている磁気
抵抗効果素子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下
が、ＡＭＲを使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧
が低い電圧状態で発生する為、かかる問題を解決する技
術に関しては開示が見られないと共に、製造工程を簡素
化する技術に関しても記載が見られない。
【００２５】次に、特開平４−１０３０１４号公報に
は、強磁性トンネル接合膜を使用した磁気抵抗効果素子
に於いて、当該磁気抵抗効果素子に於ける磁性層に対し
てバイアス磁界を印加する技術に関して記載されている
が、強磁性トンネル接合膜から構成されている磁気抵抗
効果素子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下が、
ＡＭＲを使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧が大
幅にが低い電圧状態で発生する為、かかる問題を解決す
る技術に関しては開示が見られない。
は、強磁性トンネル接合膜を使用した磁気抵抗効果素子
に於いて、当該磁気抵抗効果素子に於ける磁性層に対し
てバイアス磁界を印加する技術に関して記載されている
が、強磁性トンネル接合膜から構成されている磁気抵抗
効果素子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下が、
ＡＭＲを使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧が大
幅にが低い電圧状態で発生する為、かかる問題を解決す
る技術に関しては開示が見られない。
【００２６】又特許第２６５１０１５号公報及び特開平
８−２１１６６号公報には、磁気センサーの構造に関し
て記載されてはいるが、何れの公報にも、強磁性トンネ
ル接合膜及びスピンバルブ膜から構成されている磁気抵
抗効果素子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下
が、ＡＭＲを使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧
が低い電圧状態で発生する為、かかる問題を解決するに
必要な技術に関しては開示が見られない。
８−２１１６６号公報には、磁気センサーの構造に関し
て記載されてはいるが、何れの公報にも、強磁性トンネ
ル接合膜及びスピンバルブ膜から構成されている磁気抵
抗効果素子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下
が、ＡＭＲを使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧
が低い電圧状態で発生する為、かかる問題を解決するに
必要な技術に関しては開示が見られない。
【００２７】従って、本発明の目的は、上記した従来技
術の欠点を改良し、ＥＳＤ耐性に優れたスピンバルブヘ
ッド及び強磁性トンネル接合ヘッドを提供することもの
である。
術の欠点を改良し、ＥＳＤ耐性に優れたスピンバルブヘ
ッド及び強磁性トンネル接合ヘッドを提供することもの
である。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、以下に記載されたような技術構成を採用
するものである。
達成するため、以下に記載されたような技術構成を採用
するものである。
【００２９】即ち、本発明に係る第１の態様としては、
強磁性トンネル接合膜及びスピンバルブ膜から選択され
た一つの膜体から構成されている磁気抵抗効果素子を磁
気抵抗センサとして使用した磁気抵抗効果ヘッドであっ
て、当該磁気抵抗効果素子の第１の電極と第２の電極に
対して並列に接続されたダイオードが設けられている磁
気抵抗効果ヘッドであり、又、本発明に係る第２の態様
としては、磁気ヘッド基板上に、強磁性トンネル接合膜
及びスピンバルブ膜から選択された一つの膜体から構成
されている磁気抵抗効果素子を配置形成すると共に、当
該磁気ヘッド基板上にダイオードを埋め込み形成し、次
いで当該ダイオードを当該磁気抵抗効果素子の第１の電
極と第２の電極に対して並列に接続する様に構成された
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法である。
強磁性トンネル接合膜及びスピンバルブ膜から選択され
た一つの膜体から構成されている磁気抵抗効果素子を磁
気抵抗センサとして使用した磁気抵抗効果ヘッドであっ
て、当該磁気抵抗効果素子の第１の電極と第２の電極に
対して並列に接続されたダイオードが設けられている磁
気抵抗効果ヘッドであり、又、本発明に係る第２の態様
としては、磁気ヘッド基板上に、強磁性トンネル接合膜
及びスピンバルブ膜から選択された一つの膜体から構成
されている磁気抵抗効果素子を配置形成すると共に、当
該磁気ヘッド基板上にダイオードを埋め込み形成し、次
いで当該ダイオードを当該磁気抵抗効果素子の第１の電
極と第２の電極に対して並列に接続する様に構成された
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法である。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明に係る当該磁気抵抗効果ヘ
ッドは、上記したような技術構成を採用しているので、
従来から特に問題となっている、強磁性トンネル接合膜
及びスピンバルブ膜から構成されている磁気抵抗効果素
子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下が、ＡＭＲ
を使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧が低い電圧
状態で発生すると言う問題を解決し、強磁性トンネル接
合膜及びスピンバルブ膜から構成されている磁気抵抗効
果素子から構成された磁気抵抗効果ヘッドに於いても、
異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果膜を使用した磁気抵抗効
果ヘッドと同等なＳＤＥ電圧を得ると共に、当該磁気抵
抗効果ヘッドの作成方法を簡素化する事が可能となる。
ッドは、上記したような技術構成を採用しているので、
従来から特に問題となっている、強磁性トンネル接合膜
及びスピンバルブ膜から構成されている磁気抵抗効果素
子に於けるＳＤＥ試験に於けるＭＲ比の低下が、ＡＭＲ
を使用した磁気抵抗効果素子よりＳＤＥ電圧が低い電圧
状態で発生すると言う問題を解決し、強磁性トンネル接
合膜及びスピンバルブ膜から構成されている磁気抵抗効
果素子から構成された磁気抵抗効果ヘッドに於いても、
異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果膜を使用した磁気抵抗効
果ヘッドと同等なＳＤＥ電圧を得ると共に、当該磁気抵
抗効果ヘッドの作成方法を簡素化する事が可能となる。
【００３１】
【実施例】以下に、本発明に係る磁気抵抗効果ヘッドの
一具体例の構成を図面を参照しながら詳細に説明する。
一具体例の構成を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３２】即ち、図１は、本発明に係る当該磁気抵抗
効果ヘッドの一具体例に於ける構成を説明する図であっ
て、図中、強磁性トンネル接合膜及びスピンバルブ膜か
ら選択された一つの膜体から構成されている磁気抵抗効
果素子３を磁気抵抗センサとして使用した磁気抵抗効果
ヘッド１０であって、当該磁気抵抗効果素子３の第１の
電極２と第２の電極２’に対して並列に接続されたダイ
オード４が設けられている磁気抵抗効果ヘッド１０が示
されている。
効果ヘッドの一具体例に於ける構成を説明する図であっ
て、図中、強磁性トンネル接合膜及びスピンバルブ膜か
ら選択された一つの膜体から構成されている磁気抵抗効
果素子３を磁気抵抗センサとして使用した磁気抵抗効果
ヘッド１０であって、当該磁気抵抗効果素子３の第１の
電極２と第２の電極２’に対して並列に接続されたダイ
オード４が設けられている磁気抵抗効果ヘッド１０が示
されている。
【００３３】更に、本発明に於いては、当該ダイオード
４は、当該磁気抵抗効果素子３が設けられている基板１
と同一の基板１上に形成されている事が望ましい。
４は、当該磁気抵抗効果素子３が設けられている基板１
と同一の基板１上に形成されている事が望ましい。
【００３４】又、本発明に於いては、当該ダイオード４
は、当該磁気抵抗効果素子３が設けられている基板１中
に埋め込み形成されている事が特に望ましい。
は、当該磁気抵抗効果素子３が設けられている基板１中
に埋め込み形成されている事が特に望ましい。
【００３５】本発明に於いて使用される当該強磁性トン
ネル接合膜を使用した当該磁気抵抗効果ヘッド１０及び
スピンバルブ膜を使用した磁気抵抗効果ヘッド１０のそ
れぞれの構成は特に限定されるものではないが、例え
ば、強磁性トンネル接合膜を使用した当該磁気抵抗効果
ヘッド１０の一具体例としては、図６に示す様に、基体
１上に形成された下シールド層２１と、少なくとも一部
が下シールド上に形成されるか下シールドと兼用された
下電極層２２と、下電極層２２上に形成され、固定する
層２３、固定層２４、バリア層２５およびフリー層２６
を基本構成とする強磁性トンネル接合膜３０と、少なく
とも一部が直接もしくは絶縁層を介してフリー層２６に
接する縦バイアス層２７と、少なくとも一部がフリー層
２６に接し、しかも上シールド３１の下部に位置する
か、上シールド３１と兼用された上電極層２９とで構成
されているもので有っても良く、又当該スピンバルブ膜
を使用した磁気抵抗効果ヘッド１０の一具体例として
は、図７に示す様に、基体上に形成された下シールド層
２１と、下シールド層２１上に形成された下ギャップ層
２２と、固定する層２３、固定層２４、非磁性層２５、
フリー層２６を基本構成とするパターン化されたスピン
バルブ膜４０と、パターン化され、少なくとも一部がス
ピンバルブ膜４０のＡＢＳ面から見たときの左右に接す
る電極層２８、２８’と、パターン化され少なくとも一
部がフリー層２６に接する縦バイアス層２７と、スピン
バルブ膜４０上に形成された上ギャップ層２９と、上ギ
ャップ層２９上に形成された上シールド層３１とから構
成されているもので有っても良い。
ネル接合膜を使用した当該磁気抵抗効果ヘッド１０及び
スピンバルブ膜を使用した磁気抵抗効果ヘッド１０のそ
れぞれの構成は特に限定されるものではないが、例え
ば、強磁性トンネル接合膜を使用した当該磁気抵抗効果
ヘッド１０の一具体例としては、図６に示す様に、基体
１上に形成された下シールド層２１と、少なくとも一部
が下シールド上に形成されるか下シールドと兼用された
下電極層２２と、下電極層２２上に形成され、固定する
層２３、固定層２４、バリア層２５およびフリー層２６
を基本構成とする強磁性トンネル接合膜３０と、少なく
とも一部が直接もしくは絶縁層を介してフリー層２６に
接する縦バイアス層２７と、少なくとも一部がフリー層
２６に接し、しかも上シールド３１の下部に位置する
か、上シールド３１と兼用された上電極層２９とで構成
されているもので有っても良く、又当該スピンバルブ膜
を使用した磁気抵抗効果ヘッド１０の一具体例として
は、図７に示す様に、基体上に形成された下シールド層
２１と、下シールド層２１上に形成された下ギャップ層
２２と、固定する層２３、固定層２４、非磁性層２５、
フリー層２６を基本構成とするパターン化されたスピン
バルブ膜４０と、パターン化され、少なくとも一部がス
ピンバルブ膜４０のＡＢＳ面から見たときの左右に接す
る電極層２８、２８’と、パターン化され少なくとも一
部がフリー層２６に接する縦バイアス層２７と、スピン
バルブ膜４０上に形成された上ギャップ層２９と、上ギ
ャップ層２９上に形成された上シールド層３１とから構
成されているもので有っても良い。
【００３６】上記した通り、本発明に於いては、当該左
右電極層２、２’間に強磁性トンネル接合膜３０及びス
ピンバルブ膜４０とは並列に接続されたダイオ−ド４を
接合させるものであって、当該ダイオードは、当該磁気
抵抗効果ヘッドと同一基体上にダイオード配置、接合さ
せるである。
右電極層２、２’間に強磁性トンネル接合膜３０及びス
ピンバルブ膜４０とは並列に接続されたダイオ−ド４を
接合させるものであって、当該ダイオードは、当該磁気
抵抗効果ヘッドと同一基体上にダイオード配置、接合さ
せるである。
【００３７】尚、本発明に於いては、図３に示す様に、
当該磁気抵抗効果ヘッド１０を保持する適宜のサスペン
ション５０上にダイオード素子４を設置することも可能
である。
当該磁気抵抗効果ヘッド１０を保持する適宜のサスペン
ション５０上にダイオード素子４を設置することも可能
である。
【００３８】本発明に於ける当該磁気抵抗効果ヘッド１
０に使用される当該ダイオード４の構成及びその製造方
法に付いて説明するならば、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）
に示す様に、当該ダイオード４は、当該基板１の表面及
びその内部にシリコン領域層４１が所定の形状に形成さ
れており、当該シリコン領域層４１の表面及びその内部
に、所定の形状を持ち、第１の導電性、例えばｎ型の導
電性性を有する第１の導電性領域４２が形成されている
と同時に当該第１の導電性領域４２内に所定の形状を持
ち、第２の導電性、例えばｐ型の導電性を有する第２の
導電性領域４３が、形成されており、且つ当該第１の導
電性領域４２と接続され、当該第２の電極２’と接続さ
れる第２の配線部４４’と、当該第２の導電性領域４３
と当該第１の電極２と接続されると共に当該第１の導電
性領域４２とは接続されていない第１の配線部４４’と
から構成されている事が望ましい。
０に使用される当該ダイオード４の構成及びその製造方
法に付いて説明するならば、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）
に示す様に、当該ダイオード４は、当該基板１の表面及
びその内部にシリコン領域層４１が所定の形状に形成さ
れており、当該シリコン領域層４１の表面及びその内部
に、所定の形状を持ち、第１の導電性、例えばｎ型の導
電性性を有する第１の導電性領域４２が形成されている
と同時に当該第１の導電性領域４２内に所定の形状を持
ち、第２の導電性、例えばｐ型の導電性を有する第２の
導電性領域４３が、形成されており、且つ当該第１の導
電性領域４２と接続され、当該第２の電極２’と接続さ
れる第２の配線部４４’と、当該第２の導電性領域４３
と当該第１の電極２と接続されると共に当該第１の導電
性領域４２とは接続されていない第１の配線部４４’と
から構成されている事が望ましい。
【００３９】更に、本発明に於いては、当該第１の電極
２に接続されている当該第１の配線部４４は、当該第２
の導電性領域４３とその先端部が接続されており、かつ
当該先端部以外の当該第１の電極２は、当該第１の導電
性領域４２の上を絶縁性膜４５を介して延展せしめられ
ている事が望ましい。
２に接続されている当該第１の配線部４４は、当該第２
の導電性領域４３とその先端部が接続されており、かつ
当該先端部以外の当該第１の電極２は、当該第１の導電
性領域４２の上を絶縁性膜４５を介して延展せしめられ
ている事が望ましい。
【００４０】即ち、本発明に於ける当該ダイオードは、
当該磁気ヘッド基板１上に埋め込み形成されている事が
好ましい。
当該磁気ヘッド基板１上に埋め込み形成されている事が
好ましい。
【００４１】尚、本発明に於いて使用される当該ダイオ
ードは、当該ダイオードに電圧をかけていった場合に臨
界電圧ＶL までは全く電流が流れないが、ＶL を越える
とほとんど抵抗がゼロになり急激に電流が流れるという
特性を示す。
ードは、当該ダイオードに電圧をかけていった場合に臨
界電圧ＶL までは全く電流が流れないが、ＶL を越える
とほとんど抵抗がゼロになり急激に電流が流れるという
特性を示す。
【００４２】ここで、スピンバルブ及び強磁性トンネル
接合を用いたヘッドに平行にダイオードを入れると、ヘ
ッド端子に過大な電圧が印加されても、電流はダイオー
ドを通過し素子部は保護される。
接合を用いたヘッドに平行にダイオードを入れると、ヘ
ッド端子に過大な電圧が印加されても、電流はダイオー
ドを通過し素子部は保護される。
【００４３】一方、ＶL を超えない電圧領域ではダイオ
ード部の抵抗は無限大なので、センス電流は通常通りに
流れることになる。
ード部の抵抗は無限大なので、センス電流は通常通りに
流れることになる。
【００４４】但し、ここで、一般に静電気のような過電
圧は瞬間的なものなので、瞬時に電流をバイパスできる
ようにダイオードは十分高速に応答できるものでなけれ
ばならない。
圧は瞬間的なものなので、瞬時に電流をバイパスできる
ようにダイオードは十分高速に応答できるものでなけれ
ばならない。
【００４５】以下に、本発明に係る当該磁気抵抗効果ヘ
ッド１０の具体例を更に実施例の形で図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
ッド１０の具体例を更に実施例の形で図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
【００４６】即ち、図１及び図２は、本発明に於ける当
該磁気抵抗効果ヘッド１０の一具体例の構成を説明する
図であり、図１は再生ヘッドの２つの電極部２、２’間
にダイオード４を挿入した場合である。
該磁気抵抗効果ヘッド１０の一具体例の構成を説明する
図であり、図１は再生ヘッドの２つの電極部２、２’間
にダイオード４を挿入した場合である。
【００４７】この方法ではダイオード４はヘッドの大き
さに合った微細なものである方が良く、したがって、素
子と同一基板上に予めダイオードを作り込んでおくこと
が望ましい。
さに合った微細なものである方が良く、したがって、素
子と同一基板上に予めダイオードを作り込んでおくこと
が望ましい。
【００４８】この方法ではダイオードは磁気抵抗効果素
子のすぐ近傍に設置されるので、リード線部において発
生するノイズも含めたすべての過電流ノイズを除去する
ことができる。
子のすぐ近傍に設置されるので、リード線部において発
生するノイズも含めたすべての過電流ノイズを除去する
ことができる。
【００４９】図２には、本発明に於て、当該磁気抵抗効
果素子３の電極２、２’間に挿入したダイオード近傍の
拡大図を示した。ここでは代表的な例として、ＰＮ接合
ダイオードの場合を示す。
果素子３の電極２、２’間に挿入したダイオード近傍の
拡大図を示した。ここでは代表的な例として、ＰＮ接合
ダイオードの場合を示す。
【００５０】ここでは、再生ヘッドの２つの電極部２、
２’の間にダイオード４が形成されている。
２’の間にダイオード４が形成されている。
【００５１】基板１上に形成されたシリコン領域４１の
中に、たとえばｎ型領域４２及びそのさらに内側に、た
とえばｐ型領域４３が形成されている。
中に、たとえばｎ型領域４２及びそのさらに内側に、た
とえばｐ型領域４３が形成されている。
【００５２】図中、再生ヘッド部１０の左側の電極２’
には、ｎ型領域４２に接続されるダイオードの電極４
４’が接触している。
には、ｎ型領域４２に接続されるダイオードの電極４
４’が接触している。
【００５３】一方、図中、右側の電極２にはｐ型の領域
４３に接続されるダイオード部４の電極４４が接触して
いる。
４３に接続されるダイオード部４の電極４４が接触して
いる。
【００５４】この電極４４の下部にはｎ型領域４２と接
触しないように絶縁層４５が形成されている。
触しないように絶縁層４５が形成されている。
【００５５】なお、ｐ型領域４３とｎ型領域４２はダイ
オード４の正方向をどちらに設定するかで適宜選択され
る。
オード４の正方向をどちらに設定するかで適宜選択され
る。
【００５６】図３は、本発明に係る当該磁気抵抗効果ヘ
ッド１０をサスペンション５０に取付けた状態の例を示
したものであり、本具体例に於いては、当該サスペンシ
ョン５０の途中にダイオード４を配置し、再生電極２、
２’から導いた２本のリード線部５１の間に当該ダイオ
ード４を接続した例である。
ッド１０をサスペンション５０に取付けた状態の例を示
したものであり、本具体例に於いては、当該サスペンシ
ョン５０の途中にダイオード４を配置し、再生電極２、
２’から導いた２本のリード線部５１の間に当該ダイオ
ード４を接続した例である。
【００５７】この方法では、リード線上のダイオード４
との接続部から磁気抵抗効果素子部３までの間で発生す
る過電流は除去しきれないが、サスペンション組立工程
で接続することができるので、製造工数的には最小限の
増加で済むという特徴を有している。
との接続部から磁気抵抗効果素子部３までの間で発生す
る過電流は除去しきれないが、サスペンション組立工程
で接続することができるので、製造工数的には最小限の
増加で済むという特徴を有している。
【００５８】次に、図１の場合のダイオード形成及び取
り付け方法の例について述べる。
り付け方法の例について述べる。
【００５９】即ち、図１の構造の場合は、後の再生ヘッ
ド作成工程において、再生ヘッド電極部にダイオード電
極４４、４４’が接続される位置で、下シールドや下ギ
ャップにより覆われない予定の位置の基板１上に、予め
ダイオード４を作成しておく方法が良い。
ド作成工程において、再生ヘッド電極部にダイオード電
極４４、４４’が接続される位置で、下シールドや下ギ
ャップにより覆われない予定の位置の基板１上に、予め
ダイオード４を作成しておく方法が良い。
【００６０】この際の、ダイオード部４の作成手順の一
例を図４に示した。
例を図４に示した。
【００６１】まず、図４（Ａ）に示す様に、基板１上に
純度の高いシリコンＳｉ層４１を形成し、当該シリコン
Ｓｉ層４１に対しｎ型イオンを注入して当該基板の所定
の領域にｎ型層４２を形成する。
純度の高いシリコンＳｉ層４１を形成し、当該シリコン
Ｓｉ層４１に対しｎ型イオンを注入して当該基板の所定
の領域にｎ型層４２を形成する。
【００６２】次に図４（Ｂ）に示す様に、ＰＲを形成
し、ミリングによりシリコンを素子化する。その後当該
ＰＲを除去する。
し、ミリングによりシリコンを素子化する。その後当該
ＰＲを除去する。
【００６３】続いて、図４（Ｃ）に示す様に、新たにＰ
Ｒを形成し、図４（Ｂ）で形成したｎ型素子領域よりも
狭い領域にｐ型イオンを注入する。
Ｒを形成し、図４（Ｂ）で形成したｎ型素子領域よりも
狭い領域にｐ型イオンを注入する。
【００６４】次に、図４（Ｄ）に示す様に、当該ＰＲを
除去し、ｎ型素子領域の周縁にｐ型素子領域４３を形成
する。
除去し、ｎ型素子領域の周縁にｐ型素子領域４３を形成
する。
【００６５】次いで、図４（Ｅ）に示す様に、その後に
形成される電極４４によりｐ型領域４３とｎ型領域４２
が短絡してしまわないように、層間絶縁膜４５のパター
ンをＰＲ形成工程及びリフトオフ工程を使用して形成す
る。
形成される電極４４によりｐ型領域４３とｎ型領域４２
が短絡してしまわないように、層間絶縁膜４５のパター
ンをＰＲ形成工程及びリフトオフ工程を使用して形成す
る。
【００６６】次に、図４（Ｆ）に示す様に、所定のパタ
ーンを有するＰＲを形成して、当該ｎ型領域４２のみに
接続される第１の電極４４を当該ｐ型領域４３にのみ接
続される第２の電極４４’を形成する。
ーンを有するＰＲを形成して、当該ｎ型領域４２のみに
接続される第１の電極４４を当該ｐ型領域４３にのみ接
続される第２の電極４４’を形成する。
【００６７】その後、図４（Ｇ）に示す様に、ダイオー
ド素子部の上面にパターン化された保護層をＰＲ形成及
びリフトオフにより形成する。この後で再生ヘッド部作
成→記録ヘッド部作成→ｒｏｗ切断→ＡＢＳ面加工ラッ
プ→ＡＢＳ面へのＤＬＣ成膜→スライダ加工→サスペン
ションへの取り付け→配線という工程を経て、記録再生
一体型ヘッドが作成される。
ド素子部の上面にパターン化された保護層をＰＲ形成及
びリフトオフにより形成する。この後で再生ヘッド部作
成→記録ヘッド部作成→ｒｏｗ切断→ＡＢＳ面加工ラッ
プ→ＡＢＳ面へのＤＬＣ成膜→スライダ加工→サスペン
ションへの取り付け→配線という工程を経て、記録再生
一体型ヘッドが作成される。
【００６８】一方、図３の場合は、例えば図５に示した
ような工程で作成される。
ような工程で作成される。
【００６９】この場合は、再生ヘッド部作成、記録ヘッ
ド部作成、ｒｏｗ切断、ＡＢＳ面加工ラップ、ＡＢＳ面
へのＤＬＣ成膜、スライダ加工、サスペンションへの取
り付けは従来と同じであるが、この後のヘッドからの配
線の段階で、予め作成しておいたダイオード素子を再生
素子と並列に接続し、サスペンション部に固定する。
ド部作成、ｒｏｗ切断、ＡＢＳ面加工ラップ、ＡＢＳ面
へのＤＬＣ成膜、スライダ加工、サスペンションへの取
り付けは従来と同じであるが、この後のヘッドからの配
線の段階で、予め作成しておいたダイオード素子を再生
素子と並列に接続し、サスペンション部に固定する。
【００７０】再生ヘッド部としては再生素子部にＴＭＲ
素子またはＳＶを用いたものなら、どのようなものでも
かまわない。
素子またはＳＶを用いたものなら、どのようなものでも
かまわない。
【００７１】以下に、本発明に於て再生素子として使用
される当該磁気抵抗効果素子の代表的なものを説明す
る。
される当該磁気抵抗効果素子の代表的なものを説明す
る。
【００７２】図６に強磁性トンネル接合シールド型セン
サ部３０をＡＢＳ面に平行に切った時の断面の概念図を
示す。
サ部３０をＡＢＳ面に平行に切った時の断面の概念図を
示す。
【００７３】この構成では、基体１上に下シールド２１
および下電極層（下ギャップ層）２２が積層される。
および下電極層（下ギャップ層）２２が積層される。
【００７４】次いで、その上にフリー層２６およびバリ
ア層（非磁性導電層）２５が積層される。より具体的に
は、当該バリア層２５上の左右の縦バイアス層２７の間
の部分に、固定する層２３／固定層２４／上電極２９が
積層され、これらは図６のようにパターン化される。
ア層（非磁性導電層）２５が積層される。より具体的に
は、当該バリア層２５上の左右の縦バイアス層２７の間
の部分に、固定する層２３／固定層２４／上電極２９が
積層され、これらは図６のようにパターン化される。
【００７５】パターン化された固定層２４／固定する層
２３／上電極２９の左右には絶縁層が配置される。さら
にその上に上電極２９および上シールド層３１が積層さ
れる。
２３／上電極２９の左右には絶縁層が配置される。さら
にその上に上電極２９および上シールド層３１が積層さ
れる。
【００７６】下地層／固定する層／固定層／バリア層／
フリー層の部分が強磁性トンネル接合膜である。
フリー層の部分が強磁性トンネル接合膜である。
【００７７】この構造では、仮に図中の上電極２９から
下電極２２へ電流を流したとすると、電流は上電極から
固定させる層、固定層、バリア層、フリー層を通過し、
下電極層へと流れる。
下電極２２へ電流を流したとすると、電流は上電極から
固定させる層、固定層、バリア層、フリー層を通過し、
下電極層へと流れる。
【００７８】この際、縦バイアス層２７は電流の流れ方
に関与することはない。また、縦バイアス層２７はフリ
ー層２６上に直接積層されているので、その縦バイアス
２７はフリー層２６に十分印加されることになる。
に関与することはない。また、縦バイアス層２７はフリ
ー層２６上に直接積層されているので、その縦バイアス
２７はフリー層２６に十分印加されることになる。
【００７９】したがって、この構造を用いることによ
り、強磁性トンネル接合部をセンス電流がきちんと流れ
ることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加するこ
とを両立することができる。
り、強磁性トンネル接合部をセンス電流がきちんと流れ
ることと、フリー層に縦バイアスをきちんと印加するこ
とを両立することができる。
【００８０】ここでは、下シールド層２１の上に下電極
２２を積層し、上電極２９上に上シールド３１を積層し
た構造について述べたが、下シールド２１と下電極２２
との間、または上電極２９と上シールド３１との間にギ
ャップ層として絶縁層を配置することも可能である。
２２を積層し、上電極２９上に上シールド３１を積層し
た構造について述べたが、下シールド２１と下電極２２
との間、または上電極２９と上シールド３１との間にギ
ャップ層として絶縁層を配置することも可能である。
【００８１】また、下シールド２１と下電極２２或い
は、上電極２９と上シールド３１を兼用にすることもで
きる。
は、上電極２９と上シールド３１を兼用にすることもで
きる。
【００８２】更には、当該下電極層２２とフリー層２６
との間には、別の下地層を、又当該フリー層２６を構成
する反強磁性層と上電極層２９との間には上部層を設け
ることもできる。
との間には、別の下地層を、又当該フリー層２６を構成
する反強磁性層と上電極層２９との間には上部層を設け
ることもできる。
【００８３】一方、図７は、磁気抵抗効果素子として、
スピンバルブを用いた場合のシールド型センサ部４０を
ＡＢＳ面に平行に切った場合の断面の概念図である。
スピンバルブを用いた場合のシールド型センサ部４０を
ＡＢＳ面に平行に切った場合の断面の概念図である。
【００８４】この構成では、基体１上に下シールド２１
および下電極層２２が積層される。
および下電極層２２が積層される。
【００８５】その上に、固定する層２３、固定層２４、
非磁性導電層２５、フリー層２６が形成され、図のよう
にパターン化され、その左右には縦バイアス層２７およ
び電極２８が配置される。
非磁性導電層２５、フリー層２６が形成され、図のよう
にパターン化され、その左右には縦バイアス層２７およ
び電極２８が配置される。
【００８６】さらにその上部には、上ギャップ層２９及
び上シールド層３１が形成される。
び上シールド層３１が形成される。
【００８７】当該下電極には下ギャップ層が設けられて
いても良く更には、当該下ギャップ層と固定させる層２
３との間には、更に下地層を、又、当該フリー層２６と
上ギャップ層２９との間には上部層を設けることもでき
る。
いても良く更には、当該下ギャップ層と固定させる層２
３との間には、更に下地層を、又、当該フリー層２６と
上ギャップ層２９との間には上部層を設けることもでき
る。
【００８８】ここでは、図７に示す様に、下から固定す
る層２３／固定層２４／非磁性導電層２５／フリー層２
６の順に積層した場合を示したが、下から、フリー層／
非磁性導電層／固定層／固定する層の順に積層する事も
できる。
る層２３／固定層２４／非磁性導電層２５／フリー層２
６の順に積層した場合を示したが、下から、フリー層／
非磁性導電層／固定層／固定する層の順に積層する事も
できる。
【００８９】この場合は、フリー層と下ギャップ層との
間に下地層、固定させる層と上ギャップ層との間に上部
層を設けることもできる。
間に下地層、固定させる層と上ギャップ層との間に上部
層を設けることもできる。
【００９０】又、図８には強磁性トンネル接合シールド
型センサ部３０の他の具体例に於ける構造をＡＢＳ面に
平行に切った時の断面の概念図を示す。
型センサ部３０の他の具体例に於ける構造をＡＢＳ面に
平行に切った時の断面の概念図を示す。
【００９１】この構成では、基体１上に下シールド、下
電極、反強磁性層、固定層およびバリア層が順次積層さ
れ、その上に図のようにパターン化されたフリー層２６
を積層する。
電極、反強磁性層、固定層およびバリア層が順次積層さ
れ、その上に図のようにパターン化されたフリー層２６
を積層する。
【００９２】当該フリー層２６の左右には絶縁層３５お
よび縦バイアス層２７がその端部がフリー層２６に接す
るように配置されている。
よび縦バイアス層２７がその端部がフリー層２６に接す
るように配置されている。
【００９３】さらに、その上部には上電極層２９および
上シールド層３１が積層される。
上シールド層３１が積層される。
【００９４】図８から理解される様に、下地層（図示せ
ず）／固定する層２９／固定層２４／バリア層２５／フ
リー層２６の部分が強磁性トンネル接合膜３０である。
ず）／固定する層２９／固定層２４／バリア層２５／フ
リー層２６の部分が強磁性トンネル接合膜３０である。
【００９５】また、縦バイアス層２７はフリー層２６に
接しているので、その縦バイアスはフリー層２６に十分
印加されることになる。
接しているので、その縦バイアスはフリー層２６に十分
印加されることになる。
【００９６】したがって、この構造を用いることによ
り、強磁性トンネル接合部をセンス電流がきちんと流れ
ることと、フリー層２６に縦バイアスをきちんと印加す
ることを両立することができる。
り、強磁性トンネル接合部をセンス電流がきちんと流れ
ることと、フリー層２６に縦バイアスをきちんと印加す
ることを両立することができる。
【００９７】ここでは、下シールド上に下電極を積層
し、上電極上に上シールドを積層した構造について述べ
たが、下シールドと下電極との間、または上電極と上シ
ールドとの間に下ギャップ層として絶縁層を配置するこ
とも可能である。また、下シールドと下電極、上電極と
上シールドを兼用にすることもできる。
し、上電極上に上シールドを積層した構造について述べ
たが、下シールドと下電極との間、または上電極と上シ
ールドとの間に下ギャップ層として絶縁層を配置するこ
とも可能である。また、下シールドと下電極、上電極と
上シールドを兼用にすることもできる。
【００９８】下電極層とフリー層との間には下地層を、
反強磁性層と上電極層との間には上部層を設けることも
できる。また、ここでは強磁性トンネル接合膜のうちフ
リー層のみをパターン化した場合について示したが、少
なくともフリー層がパターン化されていればよく、それ
以下の部分はどこまでパターン化するかは適宜選択する
ことができる。
反強磁性層と上電極層との間には上部層を設けることも
できる。また、ここでは強磁性トンネル接合膜のうちフ
リー層のみをパターン化した場合について示したが、少
なくともフリー層がパターン化されていればよく、それ
以下の部分はどこまでパターン化するかは適宜選択する
ことができる。
【００９９】尚、図６及び図７に示される磁気抵抗効果
素子３０、４０に於て、仮に図中の上電極２９から下電
極２２へ電流を流したとすると、電流は上電極２９から
フリー層、バリア層、固定層、固定させる層を順次通過
し、下電極層へと流れる。
素子３０、４０に於て、仮に図中の上電極２９から下電
極２２へ電流を流したとすると、電流は上電極２９から
フリー層、バリア層、固定層、固定させる層を順次通過
し、下電極層へと流れる。
【０１００】この際、縦バイアス層２７は絶縁層３５お
よびバリア層２５により固定層以下の層と電気的に絶縁
されているので、電流の流れ方に関与することはない。
よびバリア層２５により固定層以下の層と電気的に絶縁
されているので、電流の流れ方に関与することはない。
【０１０１】次にこれらのヘッド構造を構成する要素の
詳細について述べる。各層を構成する要素としては以下
の材料が有力な候補となる。 基 体 アルチック、ＳｉＣ、アルミナ、アルチック／アルミ
ナ、ＳｉＣ／アルミナ下シールド層 ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒ、またはＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭ
ｏ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨ
ｆ、ＣｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒ
Ｎｂ、ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉ合金、ＦｅＡｌＳｉ、窒化鉄系材料、ＭｎＺｎフェ
ライト、ＮｉＺｎフェライト、ＭｇＺｎフェライトから
なる単体、多層膜、および混合物 下電極 Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混
合物 界面制御層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボン、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｎ
ｂ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混合物 上電極層 Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混
合物 上シールド層 ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒ、またはＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭ
ｏ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨ
ｆ、ＣｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒ
Ｎｂ、ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉ合金、ＦｅＡｌＳｉ、窒化鉄系材料、ＭｎＺｎフェ
ライト、ＮｉＺｎフェライト、ＭｇＺｎフェライトから
なる単体、多層膜、および混合物 絶縁層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボンからなる単体、多層
膜、および混合物 下ギャップ層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボンからなる単体、多層
膜、および混合物 上ギャップ層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボンからなる単体、多層
膜、および混合物 上部層 Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混
合物 縦バイアス ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、Ｆ
ｅＭｎ、ＮｉＭｎ、Ｎｉ酸化物、ＮｉＣｏ酸化物、Ｆｅ
酸化物、ＮｉＦｅ酸化物、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｔＰ
ｄＭｎ、ＲｅＭｎ、Ｃｏフェライト、Ｂａフェライトか
らなる単体、多層膜、および混合物 磁気抵抗効果膜としては以下の構成のものを用いること
ができる。
詳細について述べる。各層を構成する要素としては以下
の材料が有力な候補となる。 基 体 アルチック、ＳｉＣ、アルミナ、アルチック／アルミ
ナ、ＳｉＣ／アルミナ下シールド層 ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒ、またはＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭ
ｏ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨ
ｆ、ＣｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒ
Ｎｂ、ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉ合金、ＦｅＡｌＳｉ、窒化鉄系材料、ＭｎＺｎフェ
ライト、ＮｉＺｎフェライト、ＭｇＺｎフェライトから
なる単体、多層膜、および混合物 下電極 Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混
合物 界面制御層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボン、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｎ
ｂ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混合物 上電極層 Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混
合物 上シールド層 ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒ、またはＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭ
ｏ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨ
ｆ、ＣｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒ
Ｎｂ、ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏ
Ｎｉ合金、ＦｅＡｌＳｉ、窒化鉄系材料、ＭｎＺｎフェ
ライト、ＮｉＺｎフェライト、ＭｇＺｎフェライトから
なる単体、多層膜、および混合物 絶縁層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボンからなる単体、多層
膜、および混合物 下ギャップ層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボンからなる単体、多層
膜、および混合物 上ギャップ層 Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、窒化アルミニウム、窒化シリ
コン、ダイヤモンドライクカーボンからなる単体、多層
膜、および混合物 上部層 Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる単体、多層膜、および混
合物 縦バイアス ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、Ｆ
ｅＭｎ、ＮｉＭｎ、Ｎｉ酸化物、ＮｉＣｏ酸化物、Ｆｅ
酸化物、ＮｉＦｅ酸化物、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＰｔＰ
ｄＭｎ、ＲｅＭｎ、Ｃｏフェライト、Ｂａフェライトか
らなる単体、多層膜、および混合物 磁気抵抗効果膜としては以下の構成のものを用いること
ができる。
【０１０２】即ち、 ・基体／下地層／フリー層／第１ＭＲエンハンス層／非
磁性層／第２ＭＲエンハンス層／固定層／固定させる層
／保護層 ・基体／下地層／固定させる層／固定層／第１ＭＲエン
ハンス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／フリー層
／保護層 ・基体／下地層／第１固定させる層／第１固定層／第１
ＭＲエンハンス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／
フリー層／第３ＭＲエンハンス層／非磁性層／第４ＭＲ
エンハンス層／第２固定層／第２固定させる層／保護層 ・基体／下地層／固定層／第１ＭＲエンハンス層／非磁
性層／第２ＭＲエンハンス層／フリー層／保護層 ・基体／下地層／フリー層／第１ＭＲエンハンス層／非
磁性層／第２ＭＲエンハンス層／固定層／保護層 又、下地層としては、金属、酸化物、窒化物からなる単
層膜、混合物膜、または多層膜を用いる。具体的には、
Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒ
ｅ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｖおよびこれらの材料の
酸化物あるいは窒化物、からなる単層膜、混合物膜、ま
たは多層膜を用いる。添加元素として、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｐ
ｄ、Ｎｂ、Ｖを用いることもできる。下地層は用いない
場合もある。
磁性層／第２ＭＲエンハンス層／固定層／固定させる層
／保護層 ・基体／下地層／固定させる層／固定層／第１ＭＲエン
ハンス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／フリー層
／保護層 ・基体／下地層／第１固定させる層／第１固定層／第１
ＭＲエンハンス層／非磁性層／第２ＭＲエンハンス層／
フリー層／第３ＭＲエンハンス層／非磁性層／第４ＭＲ
エンハンス層／第２固定層／第２固定させる層／保護層 ・基体／下地層／固定層／第１ＭＲエンハンス層／非磁
性層／第２ＭＲエンハンス層／フリー層／保護層 ・基体／下地層／フリー層／第１ＭＲエンハンス層／非
磁性層／第２ＭＲエンハンス層／固定層／保護層 又、下地層としては、金属、酸化物、窒化物からなる単
層膜、混合物膜、または多層膜を用いる。具体的には、
Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒ
ｅ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｖおよびこれらの材料の
酸化物あるいは窒化物、からなる単層膜、混合物膜、ま
たは多層膜を用いる。添加元素として、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚ
ｒ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｐ
ｄ、Ｎｂ、Ｖを用いることもできる。下地層は用いない
場合もある。
【０１０３】フリー層としては、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、
ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭｏ、
ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨｆ、Ｃ
ｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒＮｂ、
ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏＮｉ合
金、またはアモルファス磁性材料を用いることができ
る。
ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭｏ、
ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨｆ、Ｃ
ｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒＮｂ、
ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏＮｉ合
金、またはアモルファス磁性材料を用いることができ
る。
【０１０４】非磁性層材料の候補は磁気抵抗効果膜が強
磁性トンネル接合膜の場合と非磁性層に導電非磁性層を
用いた磁気抵抗効果膜との場合で候補となる材料が異な
る。
磁性トンネル接合膜の場合と非磁性層に導電非磁性層を
用いた磁気抵抗効果膜との場合で候補となる材料が異な
る。
【０１０５】強磁性トンネル接合膜の非磁性層（バリア
層）としては、酸化物、窒化物、酸化物と窒化物の混合
物もしくは金属／酸化物２層膜、金属／窒化物２層膜、
金属／（酸化物と窒化物との混合物）２層膜、を用い
る。
層）としては、酸化物、窒化物、酸化物と窒化物の混合
物もしくは金属／酸化物２層膜、金属／窒化物２層膜、
金属／（酸化物と窒化物との混合物）２層膜、を用い
る。
【０１０６】Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化
物および窒化物の単体、多層膜、混合物、またはこれら
とＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化物およ
び窒化物の単体、多層膜、混合物との積層膜が有力な候
補となる。
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化
物および窒化物の単体、多層膜、混合物、またはこれら
とＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化物およ
び窒化物の単体、多層膜、混合物との積層膜が有力な候
補となる。
【０１０７】非磁性層に導電非磁性層を用いた磁気抵抗
効果膜の場合は、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖ
の単体、多層膜、混合物、またはこれらとＴｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐ
ｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの単体、多層膜、混合物との
積層膜が有力な候補となる。
効果膜の場合は、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖ
の単体、多層膜、混合物、またはこれらとＴｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐ
ｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの単体、多層膜、混合物との
積層膜が有力な候補となる。
【０１０８】第１および第２ＭＲエンハンス層としては
Ｃｏ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ等、またはＣｏＦｅＢ、
ＣｏＺｒＭｏ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴ
ａ、ＣｏＨｆ、ＣｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨ
ｆ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、
ＣｏＺｒＭｏＮｉ合金またはアモルファス磁性材料を用
いる。ＭＲエンハンス層を用いない場合は、用いた場合
に比べて若干ＭＲ比が低下するが、用いない分だけ作製
に要する工程数は低減する。
Ｃｏ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ等、またはＣｏＦｅＢ、
ＣｏＺｒＭｏ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴ
ａ、ＣｏＨｆ、ＣｏＴａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨ
ｆ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、
ＣｏＺｒＭｏＮｉ合金またはアモルファス磁性材料を用
いる。ＭＲエンハンス層を用いない場合は、用いた場合
に比べて若干ＭＲ比が低下するが、用いない分だけ作製
に要する工程数は低減する。
【０１０９】固定層としては、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｎ
ｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭｏ、Ｃ
ｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨｆ、Ｃｏ
Ｔａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒＮｂ、Ｃ
ｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏＮｉ合金
またはアモルファス磁性材料を用いることができる。
ｉＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＺｒＭｏ、Ｃ
ｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＨｆ、Ｃｏ
Ｔａ、ＣｏＴａＨｆ、ＣｏＮｂＨｆ、ＣｏＺｒＮｂ、Ｃ
ｏＨｆＰｄ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＭｏＮｉ合金
またはアモルファス磁性材料を用いることができる。
【０１１０】または、これらと、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃ
ｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖをベースとするグループからなる単
体、合金、または積層膜とを、組み合わせた積層膜を用
いることも可能である。
ｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖをベースとするグループからなる単
体、合金、または積層膜とを、組み合わせた積層膜を用
いることも可能である。
【０１１１】Ｃｏ/ Ｒｕ/ Ｃｏ、ＣｏＦｅ/ Ｒｕ/ Ｃｏ
Ｆｅ、ＣｏＦｅＮｉ/ Ｒｕ/ ＣｏＦｅＮｉ、Ｃｏ/ Ｃｒ
/ Ｃｏ、ＣｏＦｅ/ Ｃｒ/ ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ/ Ｃ
ｒ/ＣｏＦｅＮｉは有力な候補である。
Ｆｅ、ＣｏＦｅＮｉ/ Ｒｕ/ ＣｏＦｅＮｉ、Ｃｏ/ Ｃｒ
/ Ｃｏ、ＣｏＦｅ/ Ｃｒ/ ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ/ Ｃ
ｒ/ＣｏＦｅＮｉは有力な候補である。
【０１１２】固定する層としては、ＦｅＭｎ、ＮｉＭ
ｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＰｔＰｄＭｎ、ＲｅＭｎ、Ｐ
ｔＭｎ、ＰｔＣｒＭｎ、ＣｒＭｎ、ＣｒＡｌ、ＴｂＣ
ｏ、Ｎｉ酸化物、Ｆｅ酸化物、Ｎｉ酸化物とＣｏ酸化物
の混合物、Ｎｉ酸化物とＦｅ酸化物の混合物、Ｎｉ酸化
物／Ｃｏ酸化物２層膜、Ｎｉ酸化物／Ｆｅ酸化物２層
膜、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＰｔＣｏ
などを用いることができる。
ｎ、ＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＰｔＰｄＭｎ、ＲｅＭｎ、Ｐ
ｔＭｎ、ＰｔＣｒＭｎ、ＣｒＭｎ、ＣｒＡｌ、ＴｂＣ
ｏ、Ｎｉ酸化物、Ｆｅ酸化物、Ｎｉ酸化物とＣｏ酸化物
の混合物、Ｎｉ酸化物とＦｅ酸化物の混合物、Ｎｉ酸化
物／Ｃｏ酸化物２層膜、Ｎｉ酸化物／Ｆｅ酸化物２層
膜、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＰｔＣｏ
などを用いることができる。
【０１１３】ＰｔＭｎもしくはＰｔＭｎにＴｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａを添加
した材料は有力な候補である。
ｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａを添加
した材料は有力な候補である。
【０１１４】保護層としては、酸化物、窒化物、酸化物
と窒化物の混合物もしくは金属／酸化物２層膜、金属／
窒化物２層膜、金属／（酸化物と窒化物との混合物）２
層膜、を用いる。
と窒化物の混合物もしくは金属／酸化物２層膜、金属／
窒化物２層膜、金属／（酸化物と窒化物との混合物）２
層膜、を用いる。
【０１１５】Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化
物および窒化物の単体、多層膜、混合物、またはこれら
とＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化物およ
び窒化物の単体、多層膜、混合物との席層膜が有力な候
補となる。
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化
物および窒化物の単体、多層膜、混合物、またはこれら
とＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｖの酸化物およ
び窒化物の単体、多層膜、混合物との席層膜が有力な候
補となる。
【０１１６】保護層は用いない場合もある。
【０１１７】以下に、本発明に係る当該磁気抵抗効果ヘ
ッドの更に詳細な具体例を実施例の形で説明する。
ッドの更に詳細な具体例を実施例の形で説明する。
【０１１８】即ち、再生ヘッド部１０にシールド型スピ
ンバルブヘッドを用い、図１及び図２に示した構造のヘ
ッドを試作した。
ンバルブヘッドを用い、図１及び図２に示した構造のヘ
ッドを試作した。
【０１１９】この際、ダイオード部は基板上にエピタキ
シャル成長させたシリコンにイオン注入でＰ（燐）を拡
散して作成したｎ型領域の中に、イオン注入によりＢ
（ボロン）を注入して作成した。
シャル成長させたシリコンにイオン注入でＰ（燐）を拡
散して作成したｎ型領域の中に、イオン注入によりＢ
（ボロン）を注入して作成した。
【０１２０】絶縁層は１００ｎｍのアルミナとし、ダイ
オードの配線部にはＴａ（３ｎｍ)/Ｃｕ（４０ｎｍ）Ｔ
ａ（３ｎｍ）を用いた。
オードの配線部にはＴａ（３ｎｍ)/Ｃｕ（４０ｎｍ）Ｔ
ａ（３ｎｍ）を用いた。
【０１２１】ダイオードの降伏耐圧（電圧をかけていっ
たとき抵抗が急に小さくなる電圧）は２５Ｖになるよう
にした。
たとき抵抗が急に小さくなる電圧）は２５Ｖになるよう
にした。
【０１２２】磁気抵抗効果膜としては、Ｔａ（３ｎｍ）
／Ｐｔ４６Ｍｎ５４（１５ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（１．５ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１
０（２ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（０．５ｎｍ) / Ｎｉ８２Ｆｅ１８（４ｎｍ）／Ｔａ
（３ｎｍ）を用いた。
／Ｐｔ４６Ｍｎ５４（１５ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（１．５ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１
０（２ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（０．５ｎｍ) / Ｎｉ８２Ｆｅ１８（４ｎｍ）／Ｔａ
（３ｎｍ）を用いた。
【０１２３】膜形成後には２５０℃、５時間の熱処理を
成膜時の磁界とは直交する方向に５ｋＯｅの磁界を印加
しつつ行った。
成膜時の磁界とは直交する方向に５ｋＯｅの磁界を印加
しつつ行った。
【０１２４】ヘッドを構成する各要素としては以下のも
のを用いた。
のを用いた。
【０１２５】基体…厚さ２ｍｍのアルチック上にアルミ
ナを１０μｍ積層したものを使用した。 再生ヘッド部 下シールド層…Ｃｏ８９Ｚｒ４Ｔａ４Ｃｒ３（１μｍ）
（組成はａｔ％、以下同じ） 下ギャップ層…アルミナ（２０ｎｍ) 下ギャップ厚付け層…アルミナ（４０ｎｍ) 電極層…Ｔａ(1．5 ｎｍ）／Ａｕ（４０ｎｍ）／Ｔａ
（３ｎｍ） 電極厚付け層…Ｔａ(1．5 ｎｍ）／Ａｕ（１００ｎｍ）
／Ｔａ（３ｎｍ） 絶縁層…アルミナ（２０ｎｍ） 縦バイアス層…Ｃｒ（５ｎｍ）／Ｃｏ７４．５Ｃｒ１
０．５Ｐｔ１５（１５ｎｍ) 上ギャップ層…アルミナ( ４０ｎｍ) 上ギャップ厚付け層…アルミナ( ４０ｎｍ) 上シールド層…記録ヘッド下ポールと共通（共通ポー
ル） 記録ヘッド部 共通ポール下地…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（９０ｎｍ) 共通ポール…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（２．５μｍ）／Ｃｏ６
５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５μｍ） 記録ギャップ…アルミナ（０．３μｍ） ギャップ厚付け…アルミナ（０．７μｍ） コイル下地…Ｃｒ（３０ｎｍ）／Ｃｕ（１５０ｎｍ) コイル…Ｃｕ（４．５μｍ） 上ポール下地…Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆ
ｅ２３（０．１μｍ） 上ポール…Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５μm ）／
Ｎｉ８２Ｆｅ１８（３．５μｍ） 端子下地…Ｃｒ（３０ｎｍ）／Ｃｕ（１５０ｎｍ) 端子…Ｃｕ（５０μｍ） オーバーコート…アルミナ（５２μｍ） 金端子下地…Ｔｉ(10 ｎｍ）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（０．
１μｍ） 金端子…Ａｕ（３μｍ） ヘッドの作成手順は以下の通りとした。
ナを１０μｍ積層したものを使用した。 再生ヘッド部 下シールド層…Ｃｏ８９Ｚｒ４Ｔａ４Ｃｒ３（１μｍ）
（組成はａｔ％、以下同じ） 下ギャップ層…アルミナ（２０ｎｍ) 下ギャップ厚付け層…アルミナ（４０ｎｍ) 電極層…Ｔａ(1．5 ｎｍ）／Ａｕ（４０ｎｍ）／Ｔａ
（３ｎｍ） 電極厚付け層…Ｔａ(1．5 ｎｍ）／Ａｕ（１００ｎｍ）
／Ｔａ（３ｎｍ） 絶縁層…アルミナ（２０ｎｍ） 縦バイアス層…Ｃｒ（５ｎｍ）／Ｃｏ７４．５Ｃｒ１
０．５Ｐｔ１５（１５ｎｍ) 上ギャップ層…アルミナ( ４０ｎｍ) 上ギャップ厚付け層…アルミナ( ４０ｎｍ) 上シールド層…記録ヘッド下ポールと共通（共通ポー
ル） 記録ヘッド部 共通ポール下地…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（９０ｎｍ) 共通ポール…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（２．５μｍ）／Ｃｏ６
５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５μｍ） 記録ギャップ…アルミナ（０．３μｍ） ギャップ厚付け…アルミナ（０．７μｍ） コイル下地…Ｃｒ（３０ｎｍ）／Ｃｕ（１５０ｎｍ) コイル…Ｃｕ（４．５μｍ） 上ポール下地…Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆ
ｅ２３（０．１μｍ） 上ポール…Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５μm ）／
Ｎｉ８２Ｆｅ１８（３．５μｍ） 端子下地…Ｃｒ（３０ｎｍ）／Ｃｕ（１５０ｎｍ) 端子…Ｃｕ（５０μｍ） オーバーコート…アルミナ（５２μｍ） 金端子下地…Ｔｉ(10 ｎｍ）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（０．
１μｍ） 金端子…Ａｕ（３μｍ） ヘッドの作成手順は以下の通りとした。
【０１２６】ダイオード部の作成の一具体例の概要工程 例えば、以下に示す様な各工程を順次に経由して製造さ
れる。
れる。
【０１２７】基板洗浄→Ｓｉエピタキシャル成長→ｐイ
オン注入→Ｓｉパターニング（ＰＲ形成→ミリング→Ｐ
Ｒ除去）→ＰＲ形成→Ｂイオン注入→ＰＲ除去→電極形
成（ＰＲ形成→電極膜形成→リフトオフ) 再生ヘッド部作成の一具体例の概要工程 例えば、以下に示す様な各工程を順次に経由して製造さ
れる。
オン注入→Ｓｉパターニング（ＰＲ形成→ミリング→Ｐ
Ｒ除去）→ＰＲ形成→Ｂイオン注入→ＰＲ除去→電極形
成（ＰＲ形成→電極膜形成→リフトオフ) 再生ヘッド部作成の一具体例の概要工程 例えば、以下に示す様な各工程を順次に経由して製造さ
れる。
【０１２８】下シールド成膜及びアニール→アライメン
トマーク形成（ＰＲ形成→パターンニング→レジスト除
去）→下シールドパターンニング（ＰＲ形成→テーパー
加工→レジスト除去）→下ギャップ形成（ＰＲ形成→成
膜→リフトオフ）→下ギッャプ厚付け（ＰＲ形成→成膜
→リフトオフ）→下地層、フリー層、非磁性層、固定
層、固定させる層、保護層成膜→下地層、フリー層、非
磁性層、固定層、固定する層、保護層パターニング（Ｐ
Ｒ形成→ミリング）→縦バイアス層、電極層成膜→リフ
トオフ→縦バイアス層、電極層パターニング（ＰＲ形成
→ミリング）→電極厚付け形成（ＰＲ形成→成膜→リフ
トオフ）→ポールハイトモニター形成（ＰＲ形成→成膜
→リフトオフ）→上ギャップ形成（ＰＲ形成→成膜→リ
フトオフ）→上ギャップ厚付け形成（ＰＲ形成→成膜→
リフトオフ） 記録ヘッド部作成の一具体例の概要工程 例えば、以下に示す様な各工程を順次に経由して製造さ
れる。
トマーク形成（ＰＲ形成→パターンニング→レジスト除
去）→下シールドパターンニング（ＰＲ形成→テーパー
加工→レジスト除去）→下ギャップ形成（ＰＲ形成→成
膜→リフトオフ）→下ギッャプ厚付け（ＰＲ形成→成膜
→リフトオフ）→下地層、フリー層、非磁性層、固定
層、固定させる層、保護層成膜→下地層、フリー層、非
磁性層、固定層、固定する層、保護層パターニング（Ｐ
Ｒ形成→ミリング）→縦バイアス層、電極層成膜→リフ
トオフ→縦バイアス層、電極層パターニング（ＰＲ形成
→ミリング）→電極厚付け形成（ＰＲ形成→成膜→リフ
トオフ）→ポールハイトモニター形成（ＰＲ形成→成膜
→リフトオフ）→上ギャップ形成（ＰＲ形成→成膜→リ
フトオフ）→上ギャップ厚付け形成（ＰＲ形成→成膜→
リフトオフ） 記録ヘッド部作成の一具体例の概要工程 例えば、以下に示す様な各工程を順次に経由して製造さ
れる。
【０１２９】共通ポール形成（第２下地成膜→フレーム
ＰＲ形成→共通ポールめっき→カバーＰＲ形成→ケミカ
ルエッチング→下地除去）→ポールハイト穴埋めレジス
ト→ギャップ成膜→ギャップ厚付け形成（ＰＲ形成→成
膜→リフトオフ）→ＰＷ（上ポールと共通ポールを磁気
的に接続するためのポール）形成（ＰＲ形成→ミリング
→ＰＲ除去）→コイル形成ＳＣ１レジスト（コイルの絶
縁性を確保するためのレジストその１）形成→コイル形
成（下地成膜→ＰＲ形成→コイルメッキ→ケミカルエッ
チング→下地除去）→ＳＣ２レジスト（コイルの絶縁性
を確保するためのレジストその２）形成→ギャップ調整
ミリング→上ポール形成（下地成膜→フレームレジスト
形成→上ポールメッキ→メッキアニール→下地除去→カ
バーＰＲ形成→ケミカルエッチング→下地除去）→端子
形成（下地成膜→ＰＲ形成→端子メッキ→ケミカルエッ
チング→下地除去）→オーバーコート成膜→端子ラップ
→金端子メッキ（下地成膜→ＰＲ形成→金端子メッキ→
下地除去） 書き込みヘッド部のコイル部作成時のフォトレジスト硬
化工程は２５０℃、２時間とした。この工程により本来
は素子高さ方向を向いていなければならない固定層およ
び固定する層の磁化方向が回転し、磁気抵抗効果素子と
して正しく動作しなくなったので、再生ヘッド部および
記録ヘッド部作成終了後に、２００℃、５００Ｏｅ磁界
中、１時間の着磁熱処理を行った。この着磁熱処理によ
るフリー層の磁化容易軸の着磁方向への回転は、磁化曲
線からほとんど観測されなかった。
ＰＲ形成→共通ポールめっき→カバーＰＲ形成→ケミカ
ルエッチング→下地除去）→ポールハイト穴埋めレジス
ト→ギャップ成膜→ギャップ厚付け形成（ＰＲ形成→成
膜→リフトオフ）→ＰＷ（上ポールと共通ポールを磁気
的に接続するためのポール）形成（ＰＲ形成→ミリング
→ＰＲ除去）→コイル形成ＳＣ１レジスト（コイルの絶
縁性を確保するためのレジストその１）形成→コイル形
成（下地成膜→ＰＲ形成→コイルメッキ→ケミカルエッ
チング→下地除去）→ＳＣ２レジスト（コイルの絶縁性
を確保するためのレジストその２）形成→ギャップ調整
ミリング→上ポール形成（下地成膜→フレームレジスト
形成→上ポールメッキ→メッキアニール→下地除去→カ
バーＰＲ形成→ケミカルエッチング→下地除去）→端子
形成（下地成膜→ＰＲ形成→端子メッキ→ケミカルエッ
チング→下地除去）→オーバーコート成膜→端子ラップ
→金端子メッキ（下地成膜→ＰＲ形成→金端子メッキ→
下地除去） 書き込みヘッド部のコイル部作成時のフォトレジスト硬
化工程は２５０℃、２時間とした。この工程により本来
は素子高さ方向を向いていなければならない固定層およ
び固定する層の磁化方向が回転し、磁気抵抗効果素子と
して正しく動作しなくなったので、再生ヘッド部および
記録ヘッド部作成終了後に、２００℃、５００Ｏｅ磁界
中、１時間の着磁熱処理を行った。この着磁熱処理によ
るフリー層の磁化容易軸の着磁方向への回転は、磁化曲
線からほとんど観測されなかった。
【０１３０】後工程 ｒｏｗ切断→ＡＢＳ面加工ラップ→ＡＢＳ面へのＤＬＣ
成膜→スライダ加工→サスペンションへの取り付け→ヘ
ッドからの配線 こうして作成したヘッドを用いてＣｏＣｒＴａ系媒体上
にデータを記録再生した。この際、書き込みトラック幅
は１．５μｍ、書き込みギャップは０．２μｍ、読み込
みトラック幅は０．５μｍとした。
成膜→スライダ加工→サスペンションへの取り付け→ヘ
ッドからの配線 こうして作成したヘッドを用いてＣｏＣｒＴａ系媒体上
にデータを記録再生した。この際、書き込みトラック幅
は１．５μｍ、書き込みギャップは０．２μｍ、読み込
みトラック幅は０．５μｍとした。
【０１３１】媒体の保磁力は５．０ｋＯｅ、ＭｒＴは
０．３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2とした。
０．３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2とした。
【０１３２】試作したヘッドを用いてＥＳＤ試験を行っ
た結果を以下に示す。
た結果を以下に示す。
【０１３３】前述従来例のダイオードが設置されていな
い場合は、約３０ｍＶ試験電圧でＭＲ比がゼロになるま
で素子破壊がされていたが、ダイオード付加後は８０ｍ
Ｖにまで耐試験電圧特性が向上した。
い場合は、約３０ｍＶ試験電圧でＭＲ比がゼロになるま
で素子破壊がされていたが、ダイオード付加後は８０ｍ
Ｖにまで耐試験電圧特性が向上した。
【０１３４】原理的には試験電圧はさらに大きくしても
素子破壊はされないはずであるが、今回の試験では８０
ｍＶ以上の電圧を印加した場合には、素子破壊されＭＲ
比はほとんどゼロにまで低下した。この原因は明らかで
ない． 次に、再生ヘッド部１０にシールド型スピンバルブヘッ
ドを用い、図３に示した構造のヘッドを試作した。ヘッ
ドの試作パラメータおよび試作工程は、予めダイオード
を試作する工程が無いこと、及び最終の配線工程におい
てダイオードを接続する以外は上述の場合と同じとし
た。
素子破壊はされないはずであるが、今回の試験では８０
ｍＶ以上の電圧を印加した場合には、素子破壊されＭＲ
比はほとんどゼロにまで低下した。この原因は明らかで
ない． 次に、再生ヘッド部１０にシールド型スピンバルブヘッ
ドを用い、図３に示した構造のヘッドを試作した。ヘッ
ドの試作パラメータおよび試作工程は、予めダイオード
を試作する工程が無いこと、及び最終の配線工程におい
てダイオードを接続する以外は上述の場合と同じとし
た。
【０１３５】ダイオードは降伏電圧が２５Ｖのものを用
いた。このヘッドを用いてＣｏＣｒＴａ系媒体上にデー
タを記録再生した。この際、書き込みトラック幅は１．
５μｍ、書き込みギャップは０．２μｍ、読み込みトラ
ック幅は０．５μｍとした。
いた。このヘッドを用いてＣｏＣｒＴａ系媒体上にデー
タを記録再生した。この際、書き込みトラック幅は１．
５μｍ、書き込みギャップは０．２μｍ、読み込みトラ
ック幅は０．５μｍとした。
【０１３６】媒体の保磁力は５．０ｋＯｅ、ＭｒＴは
０．３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2とした。
０．３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2とした。
【０１３７】試作したヘッドを用いてＥＳＤ試験を行っ
た結果を以下に示す。前述従来例のダイオードが設置さ
れていない場合は、約３０Ｖの試験電圧でＭＲ比がゼロ
になるまで素子破壊がされていたが、ダイオード付加後
は８０Ｖにまで耐試験電圧特性が向上した。
た結果を以下に示す。前述従来例のダイオードが設置さ
れていない場合は、約３０Ｖの試験電圧でＭＲ比がゼロ
になるまで素子破壊がされていたが、ダイオード付加後
は８０Ｖにまで耐試験電圧特性が向上した。
【０１３８】 次に再生ヘッド部に強磁性トンネル接合を用いたシール
ド型ヘッドを用いた場合について、本発明を適用したヘ
ッドを試作した。
ド型ヘッドを用いた場合について、本発明を適用したヘ
ッドを試作した。
【０１３９】図１及び図２に示した構造のヘッドを試作
した。ヘッドの試作手順は再生部を除いてスピンバルブ
の場合と同等とした。印加電圧を増加させたときに、ダ
イオードの抵抗が急激に低下する電圧は１Ｖとした。
した。ヘッドの試作手順は再生部を除いてスピンバルブ
の場合と同等とした。印加電圧を増加させたときに、ダ
イオードの抵抗が急激に低下する電圧は１Ｖとした。
【０１４０】磁気抵抗効果膜としては、Ｔａ（３ｎｍ）
／Ｐｔ４６Ｍｎ５４ (１５ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（１．５ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１
０（２ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（０．５ｎｍ) / Ｎｉ８２Ｆｅ１８（４ｎｍ）／Ｔａ
（３ｎｍ）を用いた。
／Ｐｔ４６Ｍｎ５４ (１５ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（１．５ｎｍ）／Ｒｕ（０．８ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１
０（２ｎｍ）／Ｃｕ（２．１ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０
（０．５ｎｍ) / Ｎｉ８２Ｆｅ１８（４ｎｍ）／Ｔａ
（３ｎｍ）を用いた。
【０１４１】膜形成後には２５０℃、５時間の熱処理を
成膜時の磁界とは直交する方向に５ｋＯｅの磁界を印加
しつつ行った。
成膜時の磁界とは直交する方向に５ｋＯｅの磁界を印加
しつつ行った。
【０１４２】ヘッドを構成する各要素としては以下のも
のを用いた。 基体…厚さ２ｍｍのアルチック上にアルミナを１０μｍ
積層したもの 再生ヘッド部 下シールド層…Ｃｏ８９Ｚｒ４Ｔａ4 Ｃｒ３（１μｍ）
組成はat％、以下同じ） 下ギャップ層…なし 下ギャップ厚付け層…なし 下電極層…Ｔａ（１．５ｎｍ）／Ｐｔ（４０ｎｍ）／Ｔ
ａ（３ｎｍ） 下電極厚付け層…Ｔａ（1 ．５ｎｍ）／Ａｕ（１０0 ｎ
ｍ）／Ｔａ（３ｎｍ) 絶縁層…アルミナ（２０ｎｍ) 縦バイアス層…Ｃｒ（３ｎｍ）／Ｃｏ７４．５Ｃｒ１
０．５Ｐｔ１５（１５ｎｍ) 下電極層…Ｔａ（1 ．5 ｎｍ）／Ａｕ（４０ｎｍ）／Ｔ
ａ（３ｎｍ） 下電極厚付け層…Ｔａ（1 ．5 ｎｍ）／Ａｕ（１０0 ｎ
ｍ）／Ｔａ（３ｎｍ) 上ギャップ層…なし 上ギャップ厚付け層…なし 上シールド層…記録ヘッド下ポールと共通（共通ポー
ル） 記録ヘッド部 共通ポール下地…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（９０ｎｍ) 共通ポール…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（２．５μｍ）／Ｃｏ６
５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５μｍ） 記録ギャップ…アルミナ（０．３μｍ） ギャップ厚付け…アルミナ（0 ．７μｍ） コイル下地…Ｃｒ（３0 ｎｍ）／Ｃｕ（１５0 ｎｍ) コイル…Ｃｕ（4 ．5μｍ） 上ポール下地…Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆ
ｅ２３（0 ．１μｍ） 上ポール…Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（0 ．５μm ）／
Ｎｉ８２Ｆｅ１８（３．５μｍ） 端子下地…Ｃｒ（３0 ｎｍ）／Ｃｕ（１５0 ｎｍ) 端子…Ｃｕ（５０μｍ） オーバーコート…アルミナ（５２μｍ） 金端子下地…Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（0
．１μｍ） 金端子…Ａｕ（３μｍ） このヘッドを用いてＣｏＣｒＴａ系媒体上にデータを記
録再生した。この際、書き込みトラック幅は１．５μ
ｍ、書き込みギャップは０．２μｍ、読み込みトラック
幅は２．０μｍとした。
のを用いた。 基体…厚さ２ｍｍのアルチック上にアルミナを１０μｍ
積層したもの 再生ヘッド部 下シールド層…Ｃｏ８９Ｚｒ４Ｔａ4 Ｃｒ３（１μｍ）
組成はat％、以下同じ） 下ギャップ層…なし 下ギャップ厚付け層…なし 下電極層…Ｔａ（１．５ｎｍ）／Ｐｔ（４０ｎｍ）／Ｔ
ａ（３ｎｍ） 下電極厚付け層…Ｔａ（1 ．５ｎｍ）／Ａｕ（１０0 ｎ
ｍ）／Ｔａ（３ｎｍ) 絶縁層…アルミナ（２０ｎｍ) 縦バイアス層…Ｃｒ（３ｎｍ）／Ｃｏ７４．５Ｃｒ１
０．５Ｐｔ１５（１５ｎｍ) 下電極層…Ｔａ（1 ．5 ｎｍ）／Ａｕ（４０ｎｍ）／Ｔ
ａ（３ｎｍ） 下電極厚付け層…Ｔａ（1 ．5 ｎｍ）／Ａｕ（１０0 ｎ
ｍ）／Ｔａ（３ｎｍ) 上ギャップ層…なし 上ギャップ厚付け層…なし 上シールド層…記録ヘッド下ポールと共通（共通ポー
ル） 記録ヘッド部 共通ポール下地…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（９０ｎｍ) 共通ポール…Ｎｉ８２Ｆｅ１８（２．５μｍ）／Ｃｏ６
５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（０．５μｍ） 記録ギャップ…アルミナ（０．３μｍ） ギャップ厚付け…アルミナ（0 ．７μｍ） コイル下地…Ｃｒ（３0 ｎｍ）／Ｃｕ（１５0 ｎｍ) コイル…Ｃｕ（4 ．5μｍ） 上ポール下地…Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆ
ｅ２３（0 ．１μｍ） 上ポール…Ｃｏ６５Ｎｉ１２Ｆｅ２３（0 ．５μm ）／
Ｎｉ８２Ｆｅ１８（３．５μｍ） 端子下地…Ｃｒ（３0 ｎｍ）／Ｃｕ（１５0 ｎｍ) 端子…Ｃｕ（５０μｍ） オーバーコート…アルミナ（５２μｍ） 金端子下地…Ｔｉ（１０ｎｍ）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（0
．１μｍ） 金端子…Ａｕ（３μｍ） このヘッドを用いてＣｏＣｒＴａ系媒体上にデータを記
録再生した。この際、書き込みトラック幅は１．５μ
ｍ、書き込みギャップは０．２μｍ、読み込みトラック
幅は２．０μｍとした。
【０１４３】媒体の保磁力は５．０ｋＯｅ、ＭｒＴは
０．３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2とした。試作したヘッドを用
いてＥＳＤ試験を行った結果を以下に示す．前述した従
来例のダイオードが設置されていない場合は、約２Ｖの
試験電圧でＭＲ比がゼロになるまで素子破壊がされてい
たが、ダイオード付加後は１０Ｖにまで耐試験電圧特性
が向上した。
０．３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2とした。試作したヘッドを用
いてＥＳＤ試験を行った結果を以下に示す．前述した従
来例のダイオードが設置されていない場合は、約２Ｖの
試験電圧でＭＲ比がゼロになるまで素子破壊がされてい
たが、ダイオード付加後は１０Ｖにまで耐試験電圧特性
が向上した。
【０１４４】 次に、再生ヘッド部にシールド型ＴＭＲヘッドを用い、
図３に示した構造のヘッドを試作した。ヘッドの試作パ
ラメータおよび試作工程は、予めダイオードを試作する
工程が無いこと、及び最終の配線工程においてダイオー
ドを接続する以外は上述の場合と同じとした。ダイオー
ドの抵抗が低下する電圧は１Ｖとした。
図３に示した構造のヘッドを試作した。ヘッドの試作パ
ラメータおよび試作工程は、予めダイオードを試作する
工程が無いこと、及び最終の配線工程においてダイオー
ドを接続する以外は上述の場合と同じとした。ダイオー
ドの抵抗が低下する電圧は１Ｖとした。
【０１４５】図１のダイオード一体型のタイプと比較し
て、やや低い１０ＶでＭＲ比はゼロになった。
て、やや低い１０ＶでＭＲ比はゼロになった。
【０１４６】これは、一体型が再生ヘッドのすぐそばに
ダイオードが設置されているのに対し、図３のような場
合は再生ヘッドとダイオードとが離れていて、配線部の
抵抗、コンデンサー、コイルの影響からダイオードのバ
イパス効果がやや薄れているためと考えられる。然しな
がら従来例は２Ｖで素子破壊が起きていたので、それと
比較すると大幅に耐ＥＳＤ特性が改善されていることが
わかる。
ダイオードが設置されているのに対し、図３のような場
合は再生ヘッドとダイオードとが離れていて、配線部の
抵抗、コンデンサー、コイルの影響からダイオードのバ
イパス効果がやや薄れているためと考えられる。然しな
がら従来例は２Ｖで素子破壊が起きていたので、それと
比較すると大幅に耐ＥＳＤ特性が改善されていることが
わかる。
【０１４７】 次に本発明を適用して試作された磁気ディスク装置の説
明をする。
明をする。
【０１４８】磁気ディスク装置はベース上に３枚の磁気
ディスクを備え、ベース裏面にヘッド駆動回路および信
号処理回路と入出力インターフェイスとを収めている。
ディスクを備え、ベース裏面にヘッド駆動回路および信
号処理回路と入出力インターフェイスとを収めている。
【０１４９】外部とは３２ビットのバスラインで接続さ
れる。磁気ディスクの両面には６個のヘッドが配置され
ている。ヘッドを駆動するためのロータリーアクチュエ
ータとその駆動及び制御回路、ディスク回転用スピンド
ル直結モータが搭載されている。ディスクの直径は４６
ｍｍであり、データ面は直径１０ｍｍから４０ｍｍまで
を使用する。
れる。磁気ディスクの両面には６個のヘッドが配置され
ている。ヘッドを駆動するためのロータリーアクチュエ
ータとその駆動及び制御回路、ディスク回転用スピンド
ル直結モータが搭載されている。ディスクの直径は４６
ｍｍであり、データ面は直径１０ｍｍから４０ｍｍまで
を使用する。
【０１５０】埋め込みサーボ方式を用い、サーボ面を有
しないため高密度化が可能である。本装置は、小型コン
ピューターの外部記憶装置として直接接続が可能になっ
ている。
しないため高密度化が可能である。本装置は、小型コン
ピューターの外部記憶装置として直接接続が可能になっ
ている。
【０１５１】入出力インターフェイスには、キャッシュ
メモリを搭載し、転送速度が毎秒５から２０メガバイト
の範囲であるバスラインに対応する。また、外部コント
ローラを置き，本装置を複数台接続することにより、大
容量の磁気ディスク装置を構成することも可能である。
メモリを搭載し、転送速度が毎秒５から２０メガバイト
の範囲であるバスラインに対応する。また、外部コント
ローラを置き，本装置を複数台接続することにより、大
容量の磁気ディスク装置を構成することも可能である。
【０１５２】上記の各説明から明らかな様に、本発明に
係る当該磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の具体例として
は、磁気ヘッド基板上に、強磁性トンネル接合膜及びス
ピンバルブ膜から選択された一つの膜体から構成されて
いる磁気抵抗効果素子を配置形成すると共に、当該磁気
ヘッド基板上にダイオードを埋め込み形成し、次いで当
該ダイオードを当該磁気抵抗効果素子の第１の電極と第
２の電極に対して並列に接続する様に構成された磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法である。
係る当該磁気抵抗効果ヘッドの製造方法の具体例として
は、磁気ヘッド基板上に、強磁性トンネル接合膜及びス
ピンバルブ膜から選択された一つの膜体から構成されて
いる磁気抵抗効果素子を配置形成すると共に、当該磁気
ヘッド基板上にダイオードを埋め込み形成し、次いで当
該ダイオードを当該磁気抵抗効果素子の第１の電極と第
２の電極に対して並列に接続する様に構成された磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法である。
【０１５３】更に、本発明に係る磁気抵抗効果ヘッドの
製造方法に於いては、当該ダイオードは、当該磁気抵抗
効果素子と同一の基板上に形成する事が望ましい。
製造方法に於いては、当該ダイオードは、当該磁気抵抗
効果素子と同一の基板上に形成する事が望ましい。
【０１５４】本発明に係る当該磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法をより具体的に示すならば、当該基板の表面及び
その内部に、所定の形状を有するシリコン層を形成する
工程、当該シリコン層の表面及びその内部に、所定の形
状を有し、第１の導電性を有する第１の導電性領域を形
成する工程、当該第１の導電性領域内に所定の形状を有
し、第２の導電性を有する第２の導電性領域を形成する
工程、当該第１の導電性領域と接続される第１の電極を
形成する工程及び当該第２の導電性領域と接続されると
共に当該第１の導電性領域とは接続されない様に、当該
第１の導電性領域の上を絶縁性膜を介して延展せしめら
れる第２の電極を形成する工程、とから構成されている
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法である。
造方法をより具体的に示すならば、当該基板の表面及び
その内部に、所定の形状を有するシリコン層を形成する
工程、当該シリコン層の表面及びその内部に、所定の形
状を有し、第１の導電性を有する第１の導電性領域を形
成する工程、当該第１の導電性領域内に所定の形状を有
し、第２の導電性を有する第２の導電性領域を形成する
工程、当該第１の導電性領域と接続される第１の電極を
形成する工程及び当該第２の導電性領域と接続されると
共に当該第１の導電性領域とは接続されない様に、当該
第１の導電性領域の上を絶縁性膜を介して延展せしめら
れる第２の電極を形成する工程、とから構成されている
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法である。
【０１５５】又、本発明に於いては、上記した磁気抵抗
効果ヘッドと、当該磁気抵抗効果ヘッドを構成する当該
磁気抵抗効果素子からなる磁気抵抗センサを通る電流を
生じる手段と，検出される磁界の関数として当該磁気抵
抗センサの抵抗率変化を検出する手段とを備えた磁気抵
抗検出システムを得ることが可能であり、更には、デー
タ記録のための複数個のトラックを有する磁気記憶媒体
と，当該磁気記憶媒体上にデータを記憶させるための磁
気記録手段と，上記した磁気抵抗効果ヘッドと、磁気抵
抗検出システムと，当該磁気記録手段および磁気抵抗検
出システムを当該磁気記憶媒体の選択されたトラックへ
移動させるためのアクチュエータ手段とからなる磁気記
憶システムを得る事も可能である。
効果ヘッドと、当該磁気抵抗効果ヘッドを構成する当該
磁気抵抗効果素子からなる磁気抵抗センサを通る電流を
生じる手段と，検出される磁界の関数として当該磁気抵
抗センサの抵抗率変化を検出する手段とを備えた磁気抵
抗検出システムを得ることが可能であり、更には、デー
タ記録のための複数個のトラックを有する磁気記憶媒体
と，当該磁気記憶媒体上にデータを記憶させるための磁
気記録手段と，上記した磁気抵抗効果ヘッドと、磁気抵
抗検出システムと，当該磁気記録手段および磁気抵抗検
出システムを当該磁気記憶媒体の選択されたトラックへ
移動させるためのアクチュエータ手段とからなる磁気記
憶システムを得る事も可能である。
【０１５６】
【発明の効果】本発明に係る当該磁気抵抗効果ヘッド
は、上記した様な技術構成を採用しているので、再生出
力の高い磁気抵抗効果センサを歩留まり良く作成するこ
とが可能になった。
は、上記した様な技術構成を採用しているので、再生出
力の高い磁気抵抗効果センサを歩留まり良く作成するこ
とが可能になった。
【図１】図１は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの一具体
例の構成の概要を説明する平面図である。
例の構成の概要を説明する平面図である。
【図２】図２は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドに使用さ
れるダイオードの一具体例の構成を説明する図であり、
図２（Ａ）はその平面図であり、図２（Ｂ）はその断面
図である。
れるダイオードの一具体例の構成を説明する図であり、
図２（Ａ）はその平面図であり、図２（Ｂ）はその断面
図である。
【図３】図３は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの他の具
体例の構成を説明する平面図である。
体例の構成を説明する平面図である。
【図４】図４は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドに使用さ
れるダイオードの製造方法の一具体例に於ける要部工程
のそれぞれに於ける平面図である。
れるダイオードの製造方法の一具体例に於ける要部工程
のそれぞれに於ける平面図である。
【図５】図５は、図３に示す本発明の磁気抵抗効果ヘッ
ドの他の具体例に於ける製造方法を説明するフローチャ
ートである。
ドの他の具体例に於ける製造方法を説明するフローチャ
ートである。
【図６】図６は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの一具体
例に於ける構成を説明する断面図である。
例に於ける構成を説明する断面図である。
【図７】図７は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの他の具
体例に於ける構成を説明する断面図である。
体例に於ける構成を説明する断面図である。
【図８】図８は、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの更に他
の具体例に於ける構成を説明する断面図である。
の具体例に於ける構成を説明する断面図である。
１…基板 ２、２’…電極 ３…磁気抵抗効果素子 １０…磁気抵抗効果ヘッド ４…ダイオード ２１…下シールド層 ２２…下電極層 ２３…固定する層 非磁性層 ２４…固定層 ２５…バリア層 ２６…フリー層 ３０…強磁性トンネル接合膜 ２７…縦バイアス層 ３１…上シールド ４０…スピンバルブ膜 ２８、２８’…電極層 ２９…上ギャップ層 ５０…サスペンション ４１…シリコン領域層 ４２…第１の導電性領域 ４３…第２の導電性領域 ４４、４４’…配線部
Claims (11)
- 【請求項１】 強磁性トンネル接合膜及びスピンバルブ
膜から選択された一つの膜体から構成されている磁気抵
抗効果素子を磁気抵抗センサとして使用した磁気抵抗効
果ヘッドであって、当該磁気抵抗効果素子の第１の電極
と第２の電極に対して並列に接続されたダイオードが設
けられている事を特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 当該ダイオードは、当該磁気抵抗効果素
子が設けられている基板と同一の基板上に形成されてい
る事を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッ
ド。 - 【請求項３】 当該ダイオードは、当該磁気抵抗効果素
子が設けられている基板中に埋め込み形成されている事
を特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 当該ダイオードは、当該基板の表面及び
その内部にシリコン層が所定の形状に形成されており、
当該シリコン層の表面及びその内部に、所定の形状を持
ち、第１の導電性を有する第１の導電性領域が形成され
ていると同時に当該第１の導電性領域内に所定の形状を
持ち、第２の導電性を有する第２の導電性領域が、形成
されており、且つ当該第１の導電性領域と接続される第
１の電極と当該第２の導電性領域と接続されると共に当
該第１の導電性領域とは接続されていない第２の電極と
から構成されている事を特徴とする請求項１乃至３の何
れかに記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 当該第２の電極は、当該第２の導電性領
域とその先端部が接続されており、かつ当該先端部以外
の当該第２の電極は、当該第１の導電性領域の上を絶縁
性膜を介して延展せしめられている事を特徴とする請求
項４記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項６】 当該磁気抵抗効果ヘッドがサスペンジョ
ン上に設けられており、且つ当該サスペンジョン上に配
置されている、当該磁気抵抗効果ヘッドを構成する当該
磁気抵抗効果素子の一対の電極のそれぞれに接続される
配線に対して並列に接続されているダイオードが設けら
れている事を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項７】 磁気ヘッド基板上に、強磁性トンネル接
合膜及びスピンバルブ膜から選択された一つの膜体から
構成されている磁気抵抗効果素子を配置形成すると共
に、当該磁気ヘッド基板上にダイオードを埋め込み形成
し、次いで当該ダイオードを当該磁気抵抗効果素子の第
１の電極と第２の電極に対して並列に接続する事を特徴
とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 当該ダイオードは、当該磁気抵抗効果素
子と同一の基板上に形成する事を特徴とする請求項７記
載の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 上記した請求項１〜６の何れかに記載さ
れた磁気抵抗効果ヘッドと、当該磁気抵抗効果ヘッドを
構成する当該磁気抵抗効果素子からなる磁気抵抗センサ
を通る電流を生じる手段と，検出される磁界の関数とし
て当該磁気抵抗センサの抵抗率変化を検出する手段とを
備えた磁気抵抗検出システム。 - 【請求項１０】 データ記録のための複数個のトラック
を有する磁気記憶媒体と，当該磁気記憶媒体上にデータ
を記憶させるための磁気記録手段と，上記した請求項１
〜６の何れかに記載され磁気抵抗効果ヘッドと、磁気抵
抗検出システムと，当該磁気記録手段および磁気抵抗検
出システムを当該磁気記憶媒体の選択されたトラックへ
移動させるためのアクチュエータ手段とからなる磁気記
憶システム。 - 【請求項１１】 当該基板の表面及びその内部に、所定
の形状を有するシリコン層を形成する工程、当該シリコ
ン層の表面及びその内部に、所定の形状を有し、第１の
導電性を有する第１の導電性領域を形成する工程、当該
第１の導電性領域内に所定の形状を有し、第２の導電性
を有する第２の導電性領域を形成する工程、当該第１の
導電性領域と接続される第１の電極を形成する工程及び
当該第２の導電性領域と接続されると共に当該第１の導
電性領域とは接続されない様に、当該第１の導電性領域
の上を絶縁性膜を介して延展せしめられる第２の電極を
形成する工程、とから構成されている事を特徴とする磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115105A JP2000306221A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
| KR10-2000-0021522A KR100388832B1 (ko) | 1999-04-22 | 2000-04-22 | 자기저항 효과 헤드 및 그의 제조 방법 |
| US09/556,335 US6507466B1 (en) | 1999-04-22 | 2000-04-24 | Magnetoresistive effect head with diode in parallel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115105A JP2000306221A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306221A true JP2000306221A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14654364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11115105A Pending JP2000306221A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6507466B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000306221A (ja) |
| KR (1) | KR100388832B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667860B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-12-23 | Seagate Technology Llc | Integrated, on-board device and method for the protection of magnetoresistive heads from electrostatic discharge |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704174B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-03-09 | Sony Corporation | Magnetic recording and playback device with ESD protection |
| US6833982B2 (en) * | 2001-05-03 | 2004-12-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic tunnel junction sensor with a free layer biased by longitudinal layers interfacing top surfaces of free layer extensions which extend beyond an active region of the sensor |
| JP3835237B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-10-18 | ソニー株式会社 | ヘッドドラム装置および磁気記録再生装置 |
| US6650511B2 (en) * | 2002-02-11 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic head assembly with electrostatic discharge (ESD) shunt/pads seed layer |
| US6813122B1 (en) * | 2002-03-06 | 2004-11-02 | Seagate Technology Llc | Mems-based ESD protection of magnetic recording heads |
| US7151654B1 (en) * | 2002-03-12 | 2006-12-19 | Seagate Technology Llc | TMR head structure with conductive shunt |
| US6914758B2 (en) * | 2002-10-21 | 2005-07-05 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for preventing ESD and EOS damage in manufacturing magnetoresistive effect read heads |
| US6891702B1 (en) * | 2002-10-31 | 2005-05-10 | Western Digital Technologies, Inc. | Method and devices for providing magnetoresistive heads with protection from electrostatic discharge and electric overstress events |
| US6774004B1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-08-10 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Nano-scale resistance cross-point memory array |
| EP1525890A1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-27 | Complex Biosystems GmbH | Protein-Proteophore complexes |
| US7161772B2 (en) | 2003-11-19 | 2007-01-09 | International Business Machines Corporation | Removable ESD protection device using diodes |
| DE102016105380A1 (de) | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Infineon Technologies Ag | Elektrischer Schirm zwischen magnetoresistiven Sensorelementen |
| US10796833B2 (en) | 2018-09-25 | 2020-10-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction with low series resistance |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0357705A (ja) | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Haruhisa Sugiyama | 自動スパイクタイヤ |
| JPH06103508A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置 |
| KR950012334A (ko) | 1993-10-29 | 1995-05-16 | 윌리엄 티. 엘리스 | 자기 저항 헤드 어셈블리 및 자기 저항 헤드를 정전하 방전으로부터 보호하는 방법 |
| US5761009A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Having parastic shield for electrostatic discharge protection |
| US5748412A (en) * | 1995-08-11 | 1998-05-05 | Seagate Technology, Inc. | Method and apparatus for protecting magnetoresistive sensor element from electrostatic discharge |
| US5638237A (en) * | 1995-08-25 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Fusible-link removable shorting of magnetoresistive heads for electrostatic discharge protection |
| JPH09288805A (ja) | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスク装置 |
| US5757591A (en) | 1996-11-25 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read/inductive write magnetic head assembly fabricated with silicon on hard insulator for improved durability and electrostatic discharge protection and method for manufacturing same |
| JP2924845B2 (ja) * | 1997-03-24 | 1999-07-26 | ティーディーケイ株式会社 | スピンバルブ磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5903415A (en) * | 1997-12-11 | 1999-05-11 | International Business Machines Corporation | AP pinned spin valve sensor with pinning layer reset and ESD protection |
| US6233127B1 (en) * | 1998-04-22 | 2001-05-15 | Tdk Corporation | Thin film device provided with means for electrostatic breakdown prevention |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11115105A patent/JP2000306221A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-22 KR KR10-2000-0021522A patent/KR100388832B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-24 US US09/556,335 patent/US6507466B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667860B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-12-23 | Seagate Technology Llc | Integrated, on-board device and method for the protection of magnetoresistive heads from electrostatic discharge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100388832B1 (ko) | 2003-06-25 |
| US6507466B1 (en) | 2003-01-14 |
| KR20000071790A (ko) | 2000-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114730569B (zh) | 含不同堆叠传感器的二维磁记录读取头结构及磁盘驱动器 | |
| US6606781B1 (en) | Method of making double tunnel junction with magnetoresistance enhancement layer | |
| US8514525B2 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with reference layer integrated in magnetic shield | |
| US20020167766A1 (en) | Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect | |
| US20010005300A1 (en) | Magneto-resistance effect head and magnetic storage device employing the head | |
| JP2003526913A (ja) | バイアス磁性層構造を有する磁気素子 | |
| JP2004538591A (ja) | ナノ酸化物交換結合自由層を有するｇｍｒ磁気変換器 | |
| JP2001325704A (ja) | 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサの製造方法、磁気抵抗検出システム、および磁気記憶システム | |
| JP4147118B2 (ja) | ３端子型磁気ヘッドとそれを搭載した磁気記録再生装置 | |
| JP2001006126A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びそのヘッドを備えた磁気抵抗検出システム並びにそのヘッドを備えた磁気記憶システム | |
| US6507466B1 (en) | Magnetoresistive effect head with diode in parallel | |
| JP2001052316A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JP2000228004A (ja) | 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム | |
| EP1311008A1 (en) | Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect head comprising the same, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US6718621B1 (en) | Magnetoresistive head production method | |
| US6542340B1 (en) | Magnetoresistance element, manufacturing method thereof, magnetic field detection system and magnetic recording system | |
| US7215516B2 (en) | Magnetoresistive head having magnetoresistive film including free layer and pinned layer arranged in head height direction | |
| US6452762B1 (en) | Magneto-resistive element and production method thereof, magneto-resistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US6665153B1 (en) | Magnetoresistance element, head, sensing system, and magnetic storing system | |
| US6552882B1 (en) | Information reproduction head apparatus and information recording/reproduction system | |
| US20080218912A1 (en) | CPP-type magnetoresistive element having spacer layer that includes semiconductor layer | |
| JP2001056908A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド及び磁気抵抗検出システム並びに磁気記憶システム | |
| US7057861B2 (en) | Electromagnetic transducer laminate with different widths for the semi-hard magnetic layer and the first ferromagnetic layer | |
| JP2002141583A (ja) | 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム | |
| JP3204223B2 (ja) | 情報再生ヘッド装置及び情報記録再生システム |