JP2000306544A - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ブリッジ残部によるノイズの発生
を抑制させるようにした光電子増倍管を提供することを
目的とする。 【解決手段】 本発明による光電子増倍管１において、
多段に積層させる板状のダイノード８に電子増倍孔８ａ
を成形するにあたってはエッチング技術が利用される。
このエッチング処理を行うにあたって、板状のダイノー
ド基板２０の周囲にパターン枠２２を配置させ、このパ
ターン枠２２とダイノード基板２０の縁部２０ａとをブ
リッジ部２３によって連結させたものを準備する。そし
て、ダイノード基板２０にマスクを施した状態で、エッ
チング処置を行ってダイノード基板２０に多数の電子増
倍孔８ａを成形させる。そして、ブリッジ部２３を、ダ
イノード基板２０側で切断することによって、ダイノー
ド８の縁部８ｂには、僅かながらブリッジ部８ｃが残る
ことになる。そこで、隣接するダイノード８のブリッジ
残部８ｃを、ダイノード８の積層方向に対して異なる位
置となるように配列させて、光電子増倍管１の基本特性
の更なる向上が図られている。
を抑制させるようにした光電子増倍管を提供することを
目的とする。 【解決手段】 本発明による光電子増倍管１において、
多段に積層させる板状のダイノード８に電子増倍孔８ａ
を成形するにあたってはエッチング技術が利用される。
このエッチング処理を行うにあたって、板状のダイノー
ド基板２０の周囲にパターン枠２２を配置させ、このパ
ターン枠２２とダイノード基板２０の縁部２０ａとをブ
リッジ部２３によって連結させたものを準備する。そし
て、ダイノード基板２０にマスクを施した状態で、エッ
チング処置を行ってダイノード基板２０に多数の電子増
倍孔８ａを成形させる。そして、ブリッジ部２３を、ダ
イノード基板２０側で切断することによって、ダイノー
ド８の縁部８ｂには、僅かながらブリッジ部８ｃが残る
ことになる。そこで、隣接するダイノード８のブリッジ
残部８ｃを、ダイノード８の積層方向に対して異なる位
置となるように配列させて、光電子増倍管１の基本特性
の更なる向上が図られている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光面板に入射し
た微弱な光を電子に変換し、多段に積層させたダイノー
ドの電子増倍作用によって検出させるようにした光電子
増倍管に関するものである。
た微弱な光を電子に変換し、多段に積層させたダイノー
ドの電子増倍作用によって検出させるようにした光電子
増倍管に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術として、特
開平６−３１４５５１号公報及び特開平６−３１００８
４号公報がある。これら公報に記載された光電子増倍管
は、多段に積層させたダイノードからなる電子増倍部を
有し、ダイノードとステムピンとを接続させるために、
ダイノードにはＵ字状の接続端子が設けられている。そ
して、各接続端子を段方向にずらすことで、接続端子間
で発生する電界放電を抑制すると同時に、ステムピンが
互いに重なり合わないようにしている。また、各ダイノ
ードは、２枚のダイノード薄板を溶接によって接合させ
ており、各溶接跡も段方向にずらしている。
開平６−３１４５５１号公報及び特開平６−３１００８
４号公報がある。これら公報に記載された光電子増倍管
は、多段に積層させたダイノードからなる電子増倍部を
有し、ダイノードとステムピンとを接続させるために、
ダイノードにはＵ字状の接続端子が設けられている。そ
して、各接続端子を段方向にずらすことで、接続端子間
で発生する電界放電を抑制すると同時に、ステムピンが
互いに重なり合わないようにしている。また、各ダイノ
ードは、２枚のダイノード薄板を溶接によって接合させ
ており、各溶接跡も段方向にずらしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の光電子
増倍管には、次のような課題が存在している。確かに、
接続端子や溶接跡を段方向にずらすことは、光電子増倍
管の性能をアップさせるには有効な手段ではある。しか
し、基本特性の更なる向上を図るにあたって、エッチン
グの技術により各ダイノードを成形する際に発生するバ
リも問題となる。なお、特開平６−３１４５５２号公報
や特開平５−１８２６３１号公報には、ダイノードをエ
ッチングによって成形させることが開示されているが、
エッチング技術を利用した際に発生するバリに着目した
ものではない。
増倍管には、次のような課題が存在している。確かに、
接続端子や溶接跡を段方向にずらすことは、光電子増倍
管の性能をアップさせるには有効な手段ではある。しか
し、基本特性の更なる向上を図るにあたって、エッチン
グの技術により各ダイノードを成形する際に発生するバ
リも問題となる。なお、特開平６−３１４５５２号公報
や特開平５−１８２６３１号公報には、ダイノードをエ
ッチングによって成形させることが開示されているが、
エッチング技術を利用した際に発生するバリに着目した
ものではない。
【０００４】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、ブリッジ残部によるノイズの発生を抑制
させるようにした光電子増倍管を提供することを目的と
する。
されたもので、ブリッジ残部によるノイズの発生を抑制
させるようにした光電子増倍管を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明の
光電子増倍管は、受光面板から入射した光によって電子
を放出する光電面を有し、光電面から放出した電子を増
倍させる電子増倍部を密封容器内に有し、電子増倍部で
増倍させた電子に基づいて出力信号を送出するアノード
をもった光電子増倍管において、電子増倍部は、エッチ
ングによって電子増倍孔を成形させた板状のダイノード
を複数枚積層させることで構成され、各ダイノードの縁
部にはブリッジ残部が設けられ、互いに隣接するダイノ
ードのブリッジ残部は、ダイノードの積層方向に対して
異なる位置となるように配列させたことを特徴とする。
光電子増倍管は、受光面板から入射した光によって電子
を放出する光電面を有し、光電面から放出した電子を増
倍させる電子増倍部を密封容器内に有し、電子増倍部で
増倍させた電子に基づいて出力信号を送出するアノード
をもった光電子増倍管において、電子増倍部は、エッチ
ングによって電子増倍孔を成形させた板状のダイノード
を複数枚積層させることで構成され、各ダイノードの縁
部にはブリッジ残部が設けられ、互いに隣接するダイノ
ードのブリッジ残部は、ダイノードの積層方向に対して
異なる位置となるように配列させたことを特徴とする。
【０００６】この光電子増倍管において、多段に積層さ
せる板状のダイノードに電子増倍孔を成形するにあたっ
てはエッチング技術が利用される。このエッチング処理
を行うにあたって、板状のダイノード基板とその周囲に
配置させたパターン枠とをブリッジ部によって連結させ
たものが準備される。そして、ダイノード基板にマスク
を施した状態で、エッチング処置を行ってダイノード基
板に多数の電子増倍孔を成形する。その後、ブリッジ部
を切断し、光電子増倍管に組み込むためのダイノードが
成形されることになる。このとき、ブリッジ部の切断に
よってダイノードの縁部には、ブリッジ部が必然的に残
ることになる。このブリッジ残部が存在するままの状態
でダイノードを積層させ、ブリッジ残部を積層方向に一
列に並べると、ブリッジ残部間で放電が発生することが
確認された。このような現象は、ダイノード間の間隔が
狭ければ狭いほど顕著に現れ、このことが、光電子増倍
管のノイズの発生に影響を与えていることを発明者らは
実験により認識するに至った。そこで、隣接するダイノ
ードのブリッジ残部を、ダイノードの積層方向に対して
異なる位置となるように配列させて、光電子増倍管の基
本特性の更なる向上を図った。特に、電子増倍部を薄型
化する際に手法が有効となる。このように、高精度な光
電子増倍管を追求する上で、バリ（ブリッジ残部）の存
在は無視することができない程、重要な要素であること
が認識され、バリが存在することを前提とした上でこの
発明がなされている。
せる板状のダイノードに電子増倍孔を成形するにあたっ
てはエッチング技術が利用される。このエッチング処理
を行うにあたって、板状のダイノード基板とその周囲に
配置させたパターン枠とをブリッジ部によって連結させ
たものが準備される。そして、ダイノード基板にマスク
を施した状態で、エッチング処置を行ってダイノード基
板に多数の電子増倍孔を成形する。その後、ブリッジ部
を切断し、光電子増倍管に組み込むためのダイノードが
成形されることになる。このとき、ブリッジ部の切断に
よってダイノードの縁部には、ブリッジ部が必然的に残
ることになる。このブリッジ残部が存在するままの状態
でダイノードを積層させ、ブリッジ残部を積層方向に一
列に並べると、ブリッジ残部間で放電が発生することが
確認された。このような現象は、ダイノード間の間隔が
狭ければ狭いほど顕著に現れ、このことが、光電子増倍
管のノイズの発生に影響を与えていることを発明者らは
実験により認識するに至った。そこで、隣接するダイノ
ードのブリッジ残部を、ダイノードの積層方向に対して
異なる位置となるように配列させて、光電子増倍管の基
本特性の更なる向上を図った。特に、電子増倍部を薄型
化する際に手法が有効となる。このように、高精度な光
電子増倍管を追求する上で、バリ（ブリッジ残部）の存
在は無視することができない程、重要な要素であること
が認識され、バリが存在することを前提とした上でこの
発明がなされている。
【０００７】請求項２記載の光電子増倍管において、ブ
リッジ残部は、ダイノードの縁部のうちの辺部分に設け
られると好ましい。このような構成を採用した場合、ブ
リッジ残部の配列パターンを多くすることができ、状況
に応じた様々な対応を可能にする。例えば、積層方向に
対して、ブリッジ残部の位置を全てずらすことを可能に
する。
リッジ残部は、ダイノードの縁部のうちの辺部分に設け
られると好ましい。このような構成を採用した場合、ブ
リッジ残部の配列パターンを多くすることができ、状況
に応じた様々な対応を可能にする。例えば、積層方向に
対して、ブリッジ残部の位置を全てずらすことを可能に
する。
【０００８】請求項３記載の光電子増倍管において、ブ
リッジ残部は、ダイノードの縁部のうちの角部分に設け
られると好ましい。このような構成を採用した場合に、
一列に並べられる角部分に対して、ブリッジ残部を一つ
置きに配置させることが可能になる。
リッジ残部は、ダイノードの縁部のうちの角部分に設け
られると好ましい。このような構成を採用した場合に、
一列に並べられる角部分に対して、ブリッジ残部を一つ
置きに配置させることが可能になる。
【０００９】請求項４記載の光電子増倍管において、各
ブリッジ残部は、ダイノードの積層方向において一段置
きに同一位置に設けられると好ましい。このような構成
を採用した場合、ブリッジ残部間を少なくともダイノー
ドの厚み分をもって離間させることができる。
ブリッジ残部は、ダイノードの積層方向において一段置
きに同一位置に設けられると好ましい。このような構成
を採用した場合、ブリッジ残部間を少なくともダイノー
ドの厚み分をもって離間させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による光
電子増倍管の好適な実施形態について詳細に説明する。
電子増倍管の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１１】図１は、本発明に係る光電子増倍管を示す
斜視図であり、図２は、図１の断面図である。これら図
面に示す光電子増倍管１は、略正四角筒形状の金属製
（例えば、コバール金属製やステンレス製）の側管２を
有し、この側管２の一側の開口端Ａにはガラス製の受光
面板３が融着固定され、この受光面板３の内表面には、
光を電子に変換する光電面３ａが形成され、この光電面
３ａは、受光面板２に予め蒸着させておいたアンチモン
にアルカリ金属蒸気を反応させることで形成される。ま
た、側管２の開口端Ｂには、金属製（例えば、コバール
金属製やステンレス製）のステム板４が溶接固定されて
いる。このように、側管２と受光面板３とステム板４と
によって密封容器５が構成され、この密封容器５は、高
さが１０ｍｍ程度の極薄タイプのものである。
斜視図であり、図２は、図１の断面図である。これら図
面に示す光電子増倍管１は、略正四角筒形状の金属製
（例えば、コバール金属製やステンレス製）の側管２を
有し、この側管２の一側の開口端Ａにはガラス製の受光
面板３が融着固定され、この受光面板３の内表面には、
光を電子に変換する光電面３ａが形成され、この光電面
３ａは、受光面板２に予め蒸着させておいたアンチモン
にアルカリ金属蒸気を反応させることで形成される。ま
た、側管２の開口端Ｂには、金属製（例えば、コバール
金属製やステンレス製）のステム板４が溶接固定されて
いる。このように、側管２と受光面板３とステム板４と
によって密封容器５が構成され、この密封容器５は、高
さが１０ｍｍ程度の極薄タイプのものである。
【００１２】また、ステム板４の中央には金属製の排気
管６が固定されている。この排気管６は、光電子増倍管
１の組立て作業終了後、密封容器５の内部を真空ポンプ
（図示せず）によって排気して真空状態にするのに利用
されると共に、光電面３ａの形成時にアルカリ金属蒸気
を密封容器５内に導入させる管としても利用される。
管６が固定されている。この排気管６は、光電子増倍管
１の組立て作業終了後、密封容器５の内部を真空ポンプ
（図示せず）によって排気して真空状態にするのに利用
されると共に、光電面３ａの形成時にアルカリ金属蒸気
を密封容器５内に導入させる管としても利用される。
【００１３】そして、密封容器５内には、ブロック状で
積層タイプの電子増倍器７が設けられ、この電子増倍器
７は、略同一形状をなす１０枚（１０段）の板状ダイノ
ード８を積層させた電子増倍部９を有し、電子増倍器７
は、ステム板４を貫通するように設けられたコバール金
属製のステムピン１０によって密封容器５内で支持さ
れ、各ステムピン１０の先端は各ダイノード８と電気的
に接続されている。また、ステム板４には、各ステムピ
ン１０を貫通させるためのピン孔４ａが設けられ、各ピ
ン孔４ａには、コバールガラス製のハーメチックシール
として利用されるタブレット１１が充填され、各ステム
ピン１０は、タブレット１１を介してステム板４に固定
される。なお、各ステムピン１０には、各ダイノード８
に個別的に接続させたダイノードピン１０Ａと、後述す
る各アノード１２に個別的に接続させたアノードピン１
０Ｂとがある。
積層タイプの電子増倍器７が設けられ、この電子増倍器
７は、略同一形状をなす１０枚（１０段）の板状ダイノ
ード８を積層させた電子増倍部９を有し、電子増倍器７
は、ステム板４を貫通するように設けられたコバール金
属製のステムピン１０によって密封容器５内で支持さ
れ、各ステムピン１０の先端は各ダイノード８と電気的
に接続されている。また、ステム板４には、各ステムピ
ン１０を貫通させるためのピン孔４ａが設けられ、各ピ
ン孔４ａには、コバールガラス製のハーメチックシール
として利用されるタブレット１１が充填され、各ステム
ピン１０は、タブレット１１を介してステム板４に固定
される。なお、各ステムピン１０には、各ダイノード８
に個別的に接続させたダイノードピン１０Ａと、後述す
る各アノード１２に個別的に接続させたアノードピン１
０Ｂとがある。
【００１４】更に、電子増倍器７には、電子増倍部９の
下方に位置してアノードピン１０Ｂの上端に固定したア
ノード１２が並設させられている。また、電子増倍器７
の最上段において、光電面３ａと電子増倍部９との間に
は平板状の収束電極板１３が配置され、この収束電極板
１３には、スリット状の開口部１３ａが複数本形成さ
れ、各開口部１３ａは一方向にリニアな配列をなす。同
様に、電子増倍部９の各ダイノード８には、開口部１３
ａと同数のスリット状電子増倍孔８ａが複数本形成さ
れ、各電子増倍孔８ａは、紙面と垂直な方向でリニアな
配列になっている。
下方に位置してアノードピン１０Ｂの上端に固定したア
ノード１２が並設させられている。また、電子増倍器７
の最上段において、光電面３ａと電子増倍部９との間に
は平板状の収束電極板１３が配置され、この収束電極板
１３には、スリット状の開口部１３ａが複数本形成さ
れ、各開口部１３ａは一方向にリニアな配列をなす。同
様に、電子増倍部９の各ダイノード８には、開口部１３
ａと同数のスリット状電子増倍孔８ａが複数本形成さ
れ、各電子増倍孔８ａは、紙面と垂直な方向でリニアな
配列になっている。
【００１５】そして、各ダイノード８の各電子増倍孔８
ａを段方向にそれぞれ配列してなる各電子増倍経路Ｌ
と、収束電極板１３の各開口部１３ａとを一対一で対応
させることによって、電子増倍器７には、複数のチャン
ネルが形成されることになる。また、各アノード１２は
所定数のチャンネル毎に対応するように８×８個設けら
れ、各アノード１２を各アノードピン１０Ｂにそれぞれ
接続させることで、各アノードピン１０Ｂを介して外部
に個別的な出力を取り出している。
ａを段方向にそれぞれ配列してなる各電子増倍経路Ｌ
と、収束電極板１３の各開口部１３ａとを一対一で対応
させることによって、電子増倍器７には、複数のチャン
ネルが形成されることになる。また、各アノード１２は
所定数のチャンネル毎に対応するように８×８個設けら
れ、各アノード１２を各アノードピン１０Ｂにそれぞれ
接続させることで、各アノードピン１０Ｂを介して外部
に個別的な出力を取り出している。
【００１６】このように、電子増倍器７は、複数のリニ
ア型チャンネルを構成している。そして、図示しないブ
リーダ回路に接続した所定のステムピン１０によって、
電子増倍部９及びアノード１２には所定の電圧が供給さ
れ、光電面３ａと収束電極板１３とは、同じ電位に設定
され、各ダイノード８とアノード１２は、上段から順に
高電位の設定がなされている。従って、受光面板２に入
射した光は、光電面３ａで電子に変換され、その電子
が、収束電極板１３と電子増倍器７の最上段に積層され
ている第１段のダイノード８とによって形成される電子
レンズ効果により、所定のチャンネル内に入射すること
になる。そして、電子の入射したチャンネルにおいて、
電子は、ダイノード８の電子増倍経路Ｌを通りながら、
各ダイノード８で多段増倍されて、アノード１２に入射
し、個別的な出力が各アノード１２から送出されること
になる。
ア型チャンネルを構成している。そして、図示しないブ
リーダ回路に接続した所定のステムピン１０によって、
電子増倍部９及びアノード１２には所定の電圧が供給さ
れ、光電面３ａと収束電極板１３とは、同じ電位に設定
され、各ダイノード８とアノード１２は、上段から順に
高電位の設定がなされている。従って、受光面板２に入
射した光は、光電面３ａで電子に変換され、その電子
が、収束電極板１３と電子増倍器７の最上段に積層され
ている第１段のダイノード８とによって形成される電子
レンズ効果により、所定のチャンネル内に入射すること
になる。そして、電子の入射したチャンネルにおいて、
電子は、ダイノード８の電子増倍経路Ｌを通りながら、
各ダイノード８で多段増倍されて、アノード１２に入射
し、個別的な出力が各アノード１２から送出されること
になる。
【００１７】ここで、多段に積層させる板状のダイノー
ド８は、厚み０．２ミリで５×５センチ角の平面を有す
ると共に、多数の電子増倍孔８ａを有し、各電子増倍孔
８ａは、０．５ミリのピッチ間隔をもって配列させてい
る。このような微小な電子増倍孔８ａを成形するにあた
ってはエッチング技術が利用される。このエッチング処
理を行うにあたって、図３に示すようなベース板２４を
準備する。このベース板２４は、厚み０．２ｍｍの板状
ダイノード基板２０，２１を囲むようなパターン枠２２
を有し、このパターン枠２２と各ダイノード基板２０，
２１の縁部２０ａ，２１ａとをブリッジ部２３によって
連結させたものである。
ド８は、厚み０．２ミリで５×５センチ角の平面を有す
ると共に、多数の電子増倍孔８ａを有し、各電子増倍孔
８ａは、０．５ミリのピッチ間隔をもって配列させてい
る。このような微小な電子増倍孔８ａを成形するにあた
ってはエッチング技術が利用される。このエッチング処
理を行うにあたって、図３に示すようなベース板２４を
準備する。このベース板２４は、厚み０．２ｍｍの板状
ダイノード基板２０，２１を囲むようなパターン枠２２
を有し、このパターン枠２２と各ダイノード基板２０，
２１の縁部２０ａ，２１ａとをブリッジ部２３によって
連結させたものである。
【００１８】このベース板２４において、各ダイノード
基板２０，２１は、対向する２本のブリッジ部２３によ
ってそれぞれ支えられ、必要最小限のブリッジ部２３の
本数で、各ダイノード基板２０，２１をパターン枠２２
内で２点支持させている。このように、２本のブリッジ
部２３を介在させ、エッチング中にパターン枠２２から
ダイノード基板２０，２１が落下しないような方策が採
られている。なお、ベース板２４は、プレスによって打
ち抜き成形されるものである。
基板２０，２１は、対向する２本のブリッジ部２３によ
ってそれぞれ支えられ、必要最小限のブリッジ部２３の
本数で、各ダイノード基板２０，２１をパターン枠２２
内で２点支持させている。このように、２本のブリッジ
部２３を介在させ、エッチング中にパターン枠２２から
ダイノード基板２０，２１が落下しないような方策が採
られている。なお、ベース板２４は、プレスによって打
ち抜き成形されるものである。
【００１９】そして、金属製のベース板２４において、
ダイノード基板２０，２１の表面に遮光マスクを施した
状態でエッチング処置を行い、各ダイノード基板２０，
２１に０．５ｍｍピッチの多数の電子増倍孔８ａを成形
させる。次に、エッチング処理後、ダイノード基板２
０，２１をパターン枠２２から切り離すことが必要とな
る。
ダイノード基板２０，２１の表面に遮光マスクを施した
状態でエッチング処置を行い、各ダイノード基板２０，
２１に０．５ｍｍピッチの多数の電子増倍孔８ａを成形
させる。次に、エッチング処理後、ダイノード基板２
０，２１をパターン枠２２から切り離すことが必要とな
る。
【００２０】この場合、図３及び図４に示すように、パ
ターン枠２２から３ｍｍ程度の幅をもって内方に延びる
ブリッジ部２３の先端は、ダイノード基板２０，２１に
連結させている。そして、ブリッジ部２３の先端部分に
は、三角形状の連結部２３ａが設けられ、その頂部２３
ｂは、ダイノード基板２０，２１の縁部２０ａ，２１ａ
のうちの辺部分Ｓに接続させている。なお、頂部２３ｂ
での支持及び切断を考慮し、頂部２３ｂは０．２ｍｍ程
度の幅をもっている。
ターン枠２２から３ｍｍ程度の幅をもって内方に延びる
ブリッジ部２３の先端は、ダイノード基板２０，２１に
連結させている。そして、ブリッジ部２３の先端部分に
は、三角形状の連結部２３ａが設けられ、その頂部２３
ｂは、ダイノード基板２０，２１の縁部２０ａ，２１ａ
のうちの辺部分Ｓに接続させている。なお、頂部２３ｂ
での支持及び切断を考慮し、頂部２３ｂは０．２ｍｍ程
度の幅をもっている。
【００２１】そこで、ブリッジ部２３の頂部２３ｂを、
一点鎖線で示す位置で切断することにより、ダイノード
基板２０，２１はパターン枠２２から切り離される。そ
の結果、光電子増倍管１内への組み込みが可能なダイノ
ード８が完成することなる。このとき、図５に示すよう
に、ブリッジ部２３の切断によってダイノード８の縁部
８ｂのうちの辺部分Ｓには、ブリッジ部２３が僅かなが
ら残ることになり、これがダイノード８のブリッジ残部
８ｃとなる。
一点鎖線で示す位置で切断することにより、ダイノード
基板２０，２１はパターン枠２２から切り離される。そ
の結果、光電子増倍管１内への組み込みが可能なダイノ
ード８が完成することなる。このとき、図５に示すよう
に、ブリッジ部２３の切断によってダイノード８の縁部
８ｂのうちの辺部分Ｓには、ブリッジ部２３が僅かなが
ら残ることになり、これがダイノード８のブリッジ残部
８ｃとなる。
【００２２】このブリッジ残部８ｃが存在した状態でダ
イノード８を積層させる場合、ブリッジ残部８ｃが積層
方向に一列に並んでしまうと、ブリッジ残部８ｃ間で放
電が発生することが実験により確認された。そして、こ
のような現象は、ダイノード８間の間隔が狭ければ狭い
ほど顕著に現れ、このことが、ノイズの発生に影響を与
えることになる。
イノード８を積層させる場合、ブリッジ残部８ｃが積層
方向に一列に並んでしまうと、ブリッジ残部８ｃ間で放
電が発生することが実験により確認された。そして、こ
のような現象は、ダイノード８間の間隔が狭ければ狭い
ほど顕著に現れ、このことが、ノイズの発生に影響を与
えることになる。
【００２３】そこで、隣接するダイノード８のブリッジ
残部８ｃを、ダイノード８の積層方向に対して異なる位
置となるように配列させることで、光電子増倍管１の基
本特性の更なる向上を図っている。特に、電子増倍部９
を薄型化する際にこの手法が有効となる。ブリッジ残部
８ｃのこのような配列の具体的な例として、図６及び図
７に示すように、ダイノード８の積層方向において、各
ブリッジ残部８ｃを一つ置きに同一位置に配置させる。
その結果、上下方向において、ブリッジ残部８ｃ同士
は、ダイノード８の少なくとも厚み分だけ離されること
になり、ブリッジ残部８ｃで発生する放電が適切に回避
されることになる。
残部８ｃを、ダイノード８の積層方向に対して異なる位
置となるように配列させることで、光電子増倍管１の基
本特性の更なる向上を図っている。特に、電子増倍部９
を薄型化する際にこの手法が有効となる。ブリッジ残部
８ｃのこのような配列の具体的な例として、図６及び図
７に示すように、ダイノード８の積層方向において、各
ブリッジ残部８ｃを一つ置きに同一位置に配置させる。
その結果、上下方向において、ブリッジ残部８ｃ同士
は、ダイノード８の少なくとも厚み分だけ離されること
になり、ブリッジ残部８ｃで発生する放電が適切に回避
されることになる。
【００２４】この構造を用いて実験したところ、ダイノ
ード８の各段間で５００Ｖの耐電圧が確認された。そし
て、光電子増倍管１のノイズ低減が確認され、バリ（ブ
リッジ残部）２３の存在は無視することができない程、
重要な要素であることが認識されるに至った。
ード８の各段間で５００Ｖの耐電圧が確認された。そし
て、光電子増倍管１のノイズ低減が確認され、バリ（ブ
リッジ残部）２３の存在は無視することができない程、
重要な要素であることが認識されるに至った。
【００２５】ブリッジ残部８ｃを、このような配列形態
にするにあたっては、図３に示すように、左右のダイノ
ード基板２０，２１において、ブリッジ部２３の位置を
予め異ならせておくことが肝要である。このことは、ベ
ース板２４をエッチング処理する際に考慮されるべきも
のである。
にするにあたっては、図３に示すように、左右のダイノ
ード基板２０，２１において、ブリッジ部２３の位置を
予め異ならせておくことが肝要である。このことは、ベ
ース板２４をエッチング処理する際に考慮されるべきも
のである。
【００２６】なお、各ダイノード基板２３の縁部２０
ａ，２１ａには、ダイノードピン１０Ａを接続するため
の耳片２５（図３参照）が形成され、各耳片２５も、ダ
イノード８の積層方向にずらすように配列させることが
必要である。これも、ベース板２４において予め所定の
位置に成形しておくと好適である。また、図８に示すよ
うに、ダイノード８の積層方向において、ブリッジ残部
８ｃを階段状に配列させるようにしてもよい。
ａ，２１ａには、ダイノードピン１０Ａを接続するため
の耳片２５（図３参照）が形成され、各耳片２５も、ダ
イノード８の積層方向にずらすように配列させることが
必要である。これも、ベース板２４において予め所定の
位置に成形しておくと好適である。また、図８に示すよ
うに、ダイノード８の積層方向において、ブリッジ残部
８ｃを階段状に配列させるようにしてもよい。
【００２７】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではない。例えば、図９に示すように、他の変形例
であるベース板２９は、並設させた厚み０．２ｍｍの板
状ダイノード基板３０，３１を囲むようなパターン枠３
２を有し、このパターン枠３２と各ダイノード基板３
０，３１の縁部３０ａ，３１ａとをブリッジ部３３によ
って連結させている。そして、各ブリッジ部３３は、縁
部３０ａ，３１ａのうちの角部分Ｐにそれぞれ接続さ
れ、対角線上に配置される。
ものではない。例えば、図９に示すように、他の変形例
であるベース板２９は、並設させた厚み０．２ｍｍの板
状ダイノード基板３０，３１を囲むようなパターン枠３
２を有し、このパターン枠３２と各ダイノード基板３
０，３１の縁部３０ａ，３１ａとをブリッジ部３３によ
って連結させている。そして、各ブリッジ部３３は、縁
部３０ａ，３１ａのうちの角部分Ｐにそれぞれ接続さ
れ、対角線上に配置される。
【００２８】また、ダイノード基板３０，３１にエッチ
ング処理を行った後、ダイノード基板３０，３１をパタ
ーン枠３２から切り離すと、図１０に示すように、ブリ
ッジ部３３の切断によってダイノード１８の角部分Ｓに
は、ブリッジ部３３が僅かながら残り、これがダイノー
ド１８のブリッジ残部１８ｃとなる。そして、各ブリッ
ジ残部１８ｃは対角線上に出現している。
ング処理を行った後、ダイノード基板３０，３１をパタ
ーン枠３２から切り離すと、図１０に示すように、ブリ
ッジ部３３の切断によってダイノード１８の角部分Ｓに
は、ブリッジ部３３が僅かながら残り、これがダイノー
ド１８のブリッジ残部１８ｃとなる。そして、各ブリッ
ジ残部１８ｃは対角線上に出現している。
【００２９】このようなブリッジ残部１８ｃが存在した
状態でダイノード１８を積層させる場合、隣接するダイ
ノード１８のブリッジ残部１８ｃを、ダイノード１８の
積層方向に対して異なる位置となるように配列させる。
具体的な例として、図１１に示すように、ダイノード８
の積層方向において、角部分Ｐのブリッジ残部１８ｃを
一つ置きに同一の位置に配置させる。その結果、隣接す
るブリッジ残部１８ｃ同士は、ダイノード１８の少なく
とも厚み分だけ離されることになり、ブリッジ残部１８
ｃで発生する放電が適切に回避される。なお、符号３５
は、ダイノードピン１０Ａを接続するための耳片である
（図９参照）。
状態でダイノード１８を積層させる場合、隣接するダイ
ノード１８のブリッジ残部１８ｃを、ダイノード１８の
積層方向に対して異なる位置となるように配列させる。
具体的な例として、図１１に示すように、ダイノード８
の積層方向において、角部分Ｐのブリッジ残部１８ｃを
一つ置きに同一の位置に配置させる。その結果、隣接す
るブリッジ残部１８ｃ同士は、ダイノード１８の少なく
とも厚み分だけ離されることになり、ブリッジ残部１８
ｃで発生する放電が適切に回避される。なお、符号３５
は、ダイノードピン１０Ａを接続するための耳片である
（図９参照）。
【００３０】
【発明の効果】本発明による光電子増倍管は、以上のよ
うに構成されているため、次のような効果を得る。すな
わち、受光面板の受光面から入射した光によって電子を
放出する光電面を有し、光電面から放出した電子を増倍
させる電子増倍部を密封容器内に有し、電子増倍部で増
倍させた電子に基づいて出力信号を送出するアノードを
もった光電子増倍管において、電子増倍部は、エッチン
グによって電子増倍孔を成形させた板状のダイノードを
複数枚積層させることで構成され、各ダイノードの縁部
にはブリッジ残部が設けられ、互いに隣接するダイノー
ドのブリッジ残部は、ダイノードの積層方向に対して異
なる位置となるように配列させたことにより、ブリッジ
残部によるノイズの発生を適切に抑制させることがで
き、光電子増倍管の性能の向上が図られる。
うに構成されているため、次のような効果を得る。すな
わち、受光面板の受光面から入射した光によって電子を
放出する光電面を有し、光電面から放出した電子を増倍
させる電子増倍部を密封容器内に有し、電子増倍部で増
倍させた電子に基づいて出力信号を送出するアノードを
もった光電子増倍管において、電子増倍部は、エッチン
グによって電子増倍孔を成形させた板状のダイノードを
複数枚積層させることで構成され、各ダイノードの縁部
にはブリッジ残部が設けられ、互いに隣接するダイノー
ドのブリッジ残部は、ダイノードの積層方向に対して異
なる位置となるように配列させたことにより、ブリッジ
残部によるノイズの発生を適切に抑制させることがで
き、光電子増倍管の性能の向上が図られる。
【図１】本発明に係る光電子増倍管の一実施形態を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】ダイノードをエッチングにより成形するための
ベース板の第１の例を示す平面図である。
ベース板の第１の例を示す平面図である。
【図４】図３の要部拡大斜視図である。
【図５】ダイノードのブリッジ残部を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】光電子増倍管内で図５のダイノードを積層させ
た状態を示す斜視図である。
た状態を示す斜視図である。
【図７】ブリッジ残部の第１の配列状態を示す側面図で
ある。
ある。
【図８】ブリッジ残部の第２の配列状態を示す側面図で
ある。
ある。
【図９】ダイノードをエッチングにより成形するための
ベース板の第２の例を示す平面図である。
ベース板の第２の例を示す平面図である。
【図１０】ダイノードのブリッジ残部を示す斜視図であ
る。
る。
【図１１】光電子増倍管内で図１０のダイノードを積層
させた状態を示す斜視図である。
させた状態を示す斜視図である。
１…光電子増倍管、３…受光面板、３ａ…光電面、５…
密封容器、８…ダイノード、８ａ…電子増倍孔、８ｂ…
ダイノードの縁部、８ｃ…ブリッジ残部、９…電子増倍
部、１２…アノード、Ｓ…辺部分、Ｐ…角部分。
密封容器、８…ダイノード、８ａ…電子増倍孔、８ｂ…
ダイノードの縁部、８ｃ…ブリッジ残部、９…電子増倍
部、１２…アノード、Ｓ…辺部分、Ｐ…角部分。
Claims (4)
- 【請求項１】 受光面板から入射した光によって電子を
放出する光電面を有し、前記光電面から放出した電子を
増倍させる電子増倍部を密封容器内に有し、前記電子増
倍部で増倍させた電子に基づいて出力信号を送出するア
ノードをもった光電子増倍管において、 前記電子増倍部は、エッチングによって電子増倍孔を成
形させた板状のダイノードを複数枚積層させることで構
成され、前記各ダイノードの縁部にはブリッジ残部が設
けられ、互いに隣接する前記ダイノードの前記ブリッジ
残部は、前記ダイノードの積層方向に対して異なる位置
となるように配列させたことを特徴とする光電子増倍
管。 - 【請求項２】 前記ブリッジ残部は、前記ダイノードの
前記縁部のうちの辺部分に設けられたことを特徴とする
請求項１記載の光電子増倍管。 - 【請求項３】 前記ブリッジ残部は、前記ダイノードの
前記縁部のうちの角部分に設けられたことを特徴とする
請求項１又は２記載の光電子増倍管。 - 【請求項４】 前記各ブリッジ残部は、前記ダイノード
の積層方向において一段置きに同一位置に設けられたこ
とを特徴とする光電子増倍管。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11638199A JP4230606B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 光電子増倍管 |
| CN00806654.XA CN1214441C (zh) | 1999-04-23 | 2000-04-24 | 光电倍增管 |
| AU38426/00A AU3842600A (en) | 1999-04-23 | 2000-04-24 | Photomultiplier tube |
| PCT/JP2000/002655 WO2000065633A1 (fr) | 1999-04-23 | 2000-04-24 | Tube photomultiplicateur |
| EP00917429A EP1182687B1 (en) | 1999-04-23 | 2000-04-24 | Photomultiplier tube |
| US09/937,077 US6650050B1 (en) | 1999-04-23 | 2000-04-24 | Photomultiplier tube |
| DE60026282T DE60026282T2 (de) | 1999-04-23 | 2000-04-24 | Photovervielfacherröhre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11638199A JP4230606B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 光電子増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306544A true JP2000306544A (ja) | 2000-11-02 |
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Family
ID=14685606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11638199A Expired - Fee Related JP4230606B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 光電子増倍管 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6650050B1 (ja) |
| EP (1) | EP1182687B1 (ja) |
| JP (1) | JP4230606B2 (ja) |
| CN (1) | CN1214441C (ja) |
| AU (1) | AU3842600A (ja) |
| DE (1) | DE60026282T2 (ja) |
| WO (1) | WO2000065633A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006127990A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
| WO2007099958A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
| US7838810B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
| US7847232B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-12-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
| US7902509B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4754804B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管及び放射線検出装置 |
| RU2599286C1 (ru) * | 2015-07-17 | 2016-10-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Тонкий сцинтилляционный счётчик |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3078905B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2000-08-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器を備えた電子管 |
| JP3215486B2 (ja) * | 1992-04-09 | 2001-10-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| EP0622828B1 (en) | 1993-04-28 | 1997-07-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
| JP3401044B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-04-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| JP3434574B2 (ja) | 1994-06-06 | 2003-08-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP3466712B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2003-11-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
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-
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- 1999-04-23 JP JP11638199A patent/JP4230606B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-04-24 AU AU38426/00A patent/AU3842600A/en not_active Abandoned
- 2000-04-24 US US09/937,077 patent/US6650050B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-24 WO PCT/JP2000/002655 patent/WO2000065633A1/ja not_active Ceased
- 2000-04-24 EP EP00917429A patent/EP1182687B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-24 DE DE60026282T patent/DE60026282T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-24 CN CN00806654.XA patent/CN1214441C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007099958A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
| JP2007234364A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管、放射線検出装置および光電子増倍管の製造方法 |
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