JP2000306732A

JP2000306732A - インダクタおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2000306732A
Application number: JP11114897A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Adachi; 一彦安達
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1999-04-22
Filing date: 1999-04-22
Publication date: 2000-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】複雑なプロセスを必要とせずに寄生キャパシ
タを低減させ、高周波特性を改善させることの可能なイ
ンダクタを提供する。【解決手段】誘電体基板１上に金属配線を形成して構
成されるインダクタにおいて、インダクタの寄生キャパ
シタンスを低減するために、インダクタの金属配線(第
２金属配線４)の断面形状を従来の四角形状にかわって
Ｔ型形状あるいはＵ型形状のものにしている。このよう
に、インダクタの金属配線(第２金属配線４)の断面形状
を従来の四角形状にかわってＴ型形状あるいはＵ型形状
のものにすることで、インダクタの金属配線(第２金属
配線４)と接地導体２との間の容量、および配線４間の
容量を低減することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波用集積
回路などに利用されるインダクタおよびその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話やＰＨＳに代表されるよ
うな無線通信機器の急速な普及に伴い、それら機器の小
型化，軽量化，低価格化の要求が強まってきている。ま
た、情報量の増加とともに周波数の高周波化が望まれて
いる。使用周波数が高周波化するのに従い、アンプある
いはミキサなどの電子回路を化合物半導体上に集積化し
たＭＭＩＣ(Monolithic Microwave Integrated Circui
t)が開発・実用化されるようになっている。このような
使用周波数の高周波化は、回路の小型化，軽量化，低価
格化を可能にしている。

【０００３】これらＭＭＩＣでは、化合物半導体を用い
たＦＥＴの他に、コンデンサ，インダクタ等の受動部品
もマイクロストリップ線路等の伝送線路で構成される。
ＭＭＩＣは、高価な化合物半導体を使用するために、出
来るだけ小型化することが望ましい。ＭＭＩＣにおい
て、その大部分の面積は、マイクロストリップ線路ある
いはコプレーナ伝送線路を用いたパッシブ素子、例え
ば、ギャップキャパシタ，ＭＩＭコンデンサ，スタブに
よる整合回路，高周波カットチョークコイルからなるＤ
Ｃバイアス回路，スパイラルインダクタ等が大部分の面
積を占めている。従って、いかにこれらのパッシブ素子
の面積を小さくするかが低コスト化の重要な技術課題に
なっている。

【０００４】特に、整合回路や高周波チョークに用いら
れるインダクタは、２次元的にしか実現する方法がな
く、大面積を必要とする。よく使われるインダクタとし
ては、高インピーダンスラインやメアンダラインそして
スパイラルインダクタがある。これらの各種インダクタ
は、用途に応じて使い分けられ、高インダクタンスが必
要とされる場合にはスパイラルインダクタが使用され
る。

【０００５】マイクロストリップ線路を用いたスパイラ
ルインダクタは、図７(ａ)，(ｂ)に示すような構造にな
っている。なお図７(ａ)は平面図であり、図７(ｂ)は図
７(ａ)のＡ−Ａ線における断面図である。図７(ａ)，
(ｂ)を参照すると、このスパイラルインダクタは、誘電
体基板１の裏面に、接地導体２が配置され、誘電体基板
１の表面に、コイル中心のコンタクト部５からの引き出
し線の第１金属配線３と渦巻状のコイル部の第２金属配
線４とが配置され構成されている。このようなスパイラ
ルインダクタのインダクタンスは次式で近似できる。

【０００６】

【数１】Ｌ≒０．０００８Ｎ²Ｓ｛ｌｎ(Ｓ／ｂ)＋０．
７２６＋０．１７８(ｌ／Ｓ)＋(１／８)(ｂ／Ｓ)｝Ｓ≒Ｓｉ＋Ｎｐ

【０００７】ここで、Ｌはインダクタンス(ｎＨ)であ
り、Ｓｉはコイル中心の径であり、Ｎは巻数であり、ｐ
はピッチ(μｍ)であり、ｂはＮ・ｐ積である。

【０００８】しかし、ＧＨｚ以上の周波数で使用するイ
ンダクタでは、寄生キャパシタの影響を考慮する必要が
ある。図８にはスパイラルインダクタの等価回路が示さ
れている。図８に示すように、スパイラルインダクタ
は、その構造からいくつかのキャパシタが寄生すること
が知られている。第１には、マイクロストリップ線路で
構成したスパイラルインダクタのインダクタ配線(第２
金属配線４)と基板裏面の接地導体２との間の寄生キャ
パシタＣ１およびＣ２、第２には、隣接するコイル配線
同士(渦巻状の第２金属配線４の隣接する配線同士)のキ
ャパシタＣ３が代表的である。

【０００９】このように、設計したインダクタＬに寄生
キャパシタが付けば、寄生キャパシタとインダクタが共
振(自己共振)してしまう不具合が発生してしまう問題が
ある。例えば、Ｎ＝３．５，Ｓｉ＝５０μｍ，ｐ＝２０
μｍのスパイラルインダクタを半絶縁性ＧａＡｓ基板上
(２００μｍ)上に金メッキ等で成形した場合のインダク
タンス、寄生キャパシタを概算すれば、インダクタンス
はＬ＝１．６５ｎＨ，配線４と接地導体２との間のキャ
パシタはマイクロストリップ線路のインピーダンス解析
から０．０３６ｐＦ、配線４間の容量はコプレーナ線路
のインピーダンス解析から０．０７ｐＦ程度と見積もら
れる。この結果、スパイラルインダクタの自己共振周波
数は約１５ＧＨｚと見積もられる。従って、このスパイ
ラルインダクタは１５ＧＨｚ以上では、キャパシタとし
て機能することになってしまう。

【００１０】このように、高周波では微少な寄生成分が
素子の特性を劣化させてしまうため、インダクタの設計
では、出来るだけ寄生成分が発生しないような構造とす
ることが重要になってくる。

【００１１】図９，図１０は従来のインダクタの配線形
成工程を説明するための図である。図９，図１０の配線
形成プロセスでは、まず、誘電体基板１上に、所定の開
口幅の第１の開口部８ａを有する第１の開口パターン８
をポジ型レジストで形成する(図９(ａ))。レジストの厚
みは数μｍ程度である。次に、全面にメッキ電極となる
薄い金属膜９を堆積させる(図９(ｂ))。金属膜９には金
Ａｕ／チタンＴｉなどが使用される。次に、前記第１の
開口パターン８上に、第１の開口パターン８の第１の開
口部８ａと同程度あるいは少し狭い開口幅の第２の開口
部１０ａを有する第２の開口パターン１０をポジ型レジ
ストで形成する(図９(ｃ))。次に、金等のメッキ液に試
料を入れ、メッキ電極９から電流を供給して、第１およ
び第２の開口部８ａ，１０ａに金を所定膜厚まで電界メ
ッキし、金の配線１１を形成する(図１０(ｄ))。この
時、金配線１１は２層分のレジスト厚以下の厚さに堆積
される。最後に、レジスト１０，８および余分なメッキ
電極９をアセトンなどの有機溶剤を用いた超音波洗浄、
およびレジスト剥離液で除去して、インダクタが完成す
る(図１０(ｅ))。図１０(ｅ)から明らかなように、従来
では、インダクタの配線１１(図７(ａ)，(ｂ)の第２金
属配線４)の断面形状はほぼ四角形状となっている。

【００１２】従来、スパイラルインダクタの寄生キャパ
シタを低減させるために、例えば特開平８−１１６０２
８号には、図１１に示すようなスパイラルインダクタ構
造が提案されている。図１１を参照すると、このスパイ
ラルインダクタは、支持基板７上に形成された接地導体
２と誘電体１とストリップラインの第２の金属配線４と
からなるマイクロストリップ線路で構成されており、配
線間容量を低減するために、隣接する線路間の誘電体１
が除去されたものとなっている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
の構造を実現するためには、従来のスパイラルインダク
タ作製工程に、更に誘電体除去工程が加わることにな
り、製造コストの増加、歩留まりの低下が懸念される。
さらに、配線間容量は低減できるとしても、配線と接地
導体との間の容量は低減できないという問題があった。

【００１４】本発明は、複雑なプロセスを必要とせずに
寄生キャパシタを低減させ、高周波特性を改善させるこ
との可能なインダクタを提供することを目的としてい
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明では、誘電体基板上に金属配線
を形成して構成されるインダクタにおいて、金属配線の
断面形状がＴ型であることを特徴としている。

【００１６】また、請求項２記載の発明は、誘電体基板
上に、第１の開口部を有する第１の開口パターンをレジ
ストで形成する工程と、全面にメッキ電極を成膜する工
程と、第１の開口パターンの第１の開口部よりも開口幅
の広い第２の開口部を有する第２の開口パターンをレジ
ストで形成する工程と、第１および第２の開口部に金属
を電界メッキする工程と、第１および第２の開口パター
ンを除去する工程とを有し、断面形状がＴ型の金属配線
を形成することを特徴としている。

【００１７】また、請求項３記載の発明は、誘電体基板
上に金属配線を形成して構成されるインダクタにおい
て、金属配線の断面形状がＵ型であることを特徴として
いる。

【００１８】また、請求項４記載の発明は、誘電体基板
上に、第１の開口部を有する第１の開口パターンをレジ
ストで形成する工程と、全面にメッキ電極を成膜する工
程と、第１の開口パターンの第１の開口部よりも開口幅
の広い第２の開口部を有する第２の開口パターンをレジ
ストで形成する工程と、第１および第２の開口部に第１
の開口部の開口幅の１／２以下の厚さで金属を電界メッ
キする工程と、第１および第２の開口パターンを除去す
る工程とを有し、断面形状がＵ型の金属配線を形成する
ことを特徴としている。

【００１９】また、請求項５記載の発明は、請求項１ま
たは請求項３記載のインダクタにおいて、金属配線の一
部が前記誘電体基板から浮いていることを特徴としてい
る。

【００２０】また、請求項６記載の発明は、誘電体基板
上に、第１の開口部の他に離散的な開口部を有する第１
の開口パターンをレジストで形成する工程と、全面にメ
ッキ電極を成膜する工程と、第１の開口パターンの第１
の開口部よりも開口幅の広い第２の開口部をもつ第２の
開口パターンをレジストで形成する工程と、第１および
第２の開口部に金属を電界メッキする工程と、第１およ
び第２の開口パターンを除去する工程とを有し、金属配
線の一部が誘電体基板から浮いた構造を形成することを
特徴としている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１(ａ)，(ｂ)は本発明に係るイン
ダクタ(スパイラルインダクタ)の構成例を示す図であ
る。なお図１(ａ)は平面図であり、図１(ｂ)は図１(ａ)
のＡ−Ａ線における断面図である。図１(ａ)，(ｂ)を参
照すると、このスパイラルインダクタは、誘電体基板１
の裏面に、接地導体２が配置され、誘電体基板１の表面
に、コイル中心のコンタクト部５からの引き出し線の第
１金属配線３と渦巻状のコイル部の第２金属配線４とが
配置され構成されている。

【００２２】ところで、本発明では、誘電体基板１上に
金属配線を形成して構成されるインダクタにおいて、イ
ンダクタの寄生キャパシタンスを低減するために、イン
ダクタの金属配線(第２金属配線４)の断面形状を従来の
四角形状にかわってＴ型形状あるいはＵ型形状のものに
している。このように、インダクタの金属配線(第２金
属配線４)の断面形状を従来の四角形状にかわってＴ型
形状あるいはＵ型形状のものにすることで、インダクタ
の金属配線(第２金属配線４)と接地導体２との間の容
量、および配線４間の容量を低減することが可能とな
る。さらに、本発明では、寄生キャパシタンスを低減さ
せるために、インダクタの金属配線(第２金属配線４)の
一部を基板１から浮かせる構造を採用している。

【００２３】図２，図３，図４は本発明のインダクタの
作成工程例を説明するための図である。なお、図２，図
３は、Ｔ型形状の配線を形成する工程例を示す図であ
り、図２，図４はＵ型形状の配線を形成する工程例を示
す図である。図２，図３，図４を参照すると、先ず、誘
電体基板１，例えばＧａＡｓ基板上に、第１の開口部８
ａを有する第１の開口パターン８をポジ型レジストで形
成する(図２(ａ))。この第１の開口パターン８はＴ型形
状あるいはＵ型形状の配線の低部のパターンとなる。次
に、全面にメッキ電極となる薄い金属膜９を蒸着する
(図２(ｂ))。次に、前記第１の開口パターン８上に、第
１の開口パターン８の第１の開口部８ａよりも幅の広い
第２の開口部１０ａを有する第２の開口パターン１０を
レジストで形成する(図２(ｃ))。

【００２４】次に、メッキ電極９から電流を供給し、金
メッキを行ない、Ｔ型形状の配線１２を形成することが
できる(図３(ｄ))。

【００２５】この時、第１の開口パターン８の第１の開
口部８ａの開口幅が金メッキの厚みの２倍以上であれ
ば、Ｕ型形状の配線１３が実現できる(図４(ｄ))。

【００２６】最後に、２層のレジスト８，１０および不
要なメッキ電極９を除去して、本発明のインダクタが完
成する(図３(ｅ)，図４(ｅ))。すなわち、図３(ｄ)の状
態で、２層のレジスト８，１０および不要なメッキ電極
９を除去すると、図３(ｅ)のように、Ｔ型形状の配線１
２を有するインダクタが得られ、また、図４(ｄ)の状態
で、２層のレジスト８，１０および不要なメッキ電極９
を除去すると、図４(ｅ)のように、Ｕ型形状の配線１３
を有するインダクタが得られる。

【００２７】すなわち、本発明の第１の製造工程例(図
２，図３の工程例)では、誘電体基板１上に、第１の開
口部８ａを有する第１の開口パターン８をレジストで形
成する工程と、全面にメッキ電極９を成膜する工程と、
第１の開口パターン８の第１の開口部８ａよりも開口幅
の広い第２の開口部１０ａを有する第２の開口パターン
１０をレジストで形成する工程と、第１および第２の開
口部８ａ，１０ａに金属１２を電界メッキする工程と、
第１および第２の開口パターン８，１０を除去する工程
とを有し、これにより、断面形状がＴ型の金属配線１２
(図１(ａ)，(ｂ)の第２金属配線４)を形成することがで
きる。

【００２８】また、本発明の第２の製造工程例(図２，
図４の工程例)では、誘電体基板１上に、第１の開口部
８ａを有する第１の開口パターン８をレジストで形成す
る工程と、全面にメッキ電極９を成膜する工程と、第１
の開口パターン８の第１の開口部８ａよりも開口幅の広
い第２の開口部１０ａを有する第２の開口パターン１０
をレジストで形成する工程と、第１および第２の開口８
ａ，１０ａに第１の開口部８ａの開口幅の１／２以下の
厚さで金属を電界メッキする工程と、第１および第２の
開口パターン８，１０を除去する工程とを有し、断面形
状がＵ型の金属配線１３を形成するようになっている。

【００２９】また、上記図２，図３，図４の工程で、Ｔ
型形状の首部分の配線パターンあるいはＵ型底部の配線
パターンに離散的な開口部を設けることで、誘電体基板
１から浮いた構造の配線構造が実現できる。すなわち、
本発明の他の製造工程例では、誘電体基板１上に、第１
の開口部８ａの他に離散的な開口部(後述の図５に符号
１４で示す)を有する第１の開口パターン８をレジスト
で形成する工程と、全面にメッキ電極９を成膜する工程
と、第１の開口パターン８の第１の開口部８ａよりも開
口幅の広い第２の開口部１０ａをもつ第２の開口パター
ン１０をレジストで形成する工程と、第１および第２の
開口部８ａ，１０ａに金属１２を電界メッキする工程
と、第１および第２の開口パーン８，１０を除去する工
程とを有し、これにより、誘電体基板１から浮いた構造
の配線構造を形成することができる。金属配線の一部が
誘電体基板１から浮いている構造とすることによって、
寄生キャパシタンスのより小さいインダクタを実現する
ことができる。この構造は、従来のエアーブリッジプロ
セスで容易に実現が可能である。

【００３０】本発明のインダクタ構造は、図７に示した
ような従来の配線形成工程と同様の工程で形成すること
が可能であり、工程数の増加がなく、低コストで作製す
ることが可能である。また、本発明のインダクタ構造の
キャパシタンス低減効果については、もし、Ｔ型形状の
首部分の配線幅を２．５μｍとし、Ｔ型形状の上部の配
線幅を１０μｍとした場合、従来の１０μｍ幅のインダ
クタと比較して、誘電体基板１との接地面積は１／４倍
になり、キャパシタンスもそれに比例して低減させるこ
とが期待される。また、配線の断面積が増加するため損
失が少ないという利点がある。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００３２】実施例１実施例１では、図２，図３の配線形成工程によって断面
形状がＴ型の配線を形成し、図１(ａ)，(ｂ)に示すよう
なスパイラルインダクタを作製した。すなわち、実施例
１では、Ｔ型断面形状の配線を図２，図３の工程に従っ
て、具体的に次のように形成した。

【００３３】まず、誘電体基板１であるＧａＡｓ上に、
２．５μｍ幅の第１の開口部８ａを有する第１の開口パ
ターン８をポジ型レジストで形成した(図２(ａ))。ここ
で、レジストの厚みは約２．６μｍとした。次に、全面
にメッキ電極となる薄い金属膜９を堆積させた(図２
(ｂ))。ここで、金属膜９には、金Ａｕ／チタンＴｉ(膜
厚が０．０２μｍ／０．０１μｍ)を使用した。次に、
前記第１の開口パターン８上に、第１の開口パターン８
の第１の開口部８ａの開口幅よりも広い開口幅の第２の
開口部１０ａを持つ第２の開口パターン１０をポジ型レ
ジストで形成した(図２(ｃ))。

【００３４】次に、金のメッキ液(ＥＥＪＡ社ミクロ
ファブＡｕ１００)を６０℃に温めた浴槽に試料を入
れ、メッキ電極９から電流を供給して金を所定膜厚まで
電界メッキし、第１および第２の開口部８ａ，１０ａに
金の配線１２を形成した(図３(ｄ))。この時、メッキ厚
みは約４μｍであった。その結果、配線１２の形状とし
てＴ型形状が実現できた。最後に、レジスト８，１０お
よび余分なメッキ電極９をアセトンなどの有機溶剤を用
いた超音波洗浄、およびレジスト剥離液で除去して、図
１のようなインダクタを完成させた(図３(ｅ))。

【００３５】図１のインダクタにおいて、第２金属配線
４の断面は図１(ｂ)に示されるようなＴ型断面をしてい
る。その結果、従来の配線構造よりも誘電体基板１との
接触面積が減少し、隣接する配線４間の容量、および配
線４と接地導体２との間の容量も減少し、インダクタの
高周波化が可能になる。

【００３６】また、図２，図３の配線形成工程は、イン
ダクタ形成に必要不可欠なエアーブリッジ作製工程で作
り込むことが可能で、新たなプロセスを追加する必要が
ないという利点がある。

【００３７】実施例２実施例２では、図２，図４の配線形成工程によって断面
形状がＵ型の配線を形成した。すなわち、実施例１の断
面形状がＴ型の配線は、配線幅が狭い場合には有効だ
が、プロセスの制限により幅が狭く出来ない場合には、
Ｔ型断面形状はあまり安定とはいえない。そこで、実施
例２では、より幅の広い配線で配線の接地面積を低減
し、寄生キャパシタを低減させる方法として、Ｕ型断面
形状の配線を形成した。

【００３８】実施例２においても、実施例１の図２(ａ)
〜図２(ｃ)の工程と同様の工程を先ず行なった。

【００３９】ここで、配線形状をＵ型とするには、第１
の開口パターン８の第１の開口部８ａの開口幅をメッキ
厚みの２倍よりも広くするか、あるいは、メッキ厚みを
第１の開口パターン８の第１の開口部８ａの開口幅の１
／２以下にすることで実現することが可能となる(図４
(ｄ))。

【００４０】すなわち、第１の開口パターン８の第１の
開口部８ａの開口幅がメッキ厚みの２倍以上であれば、
Ｕ型形状の配線１３(第２金属配線４)が実現できる(図
４(ｄ))。

【００４１】その後、レジスト８，１０および余分なメ
ッキ電極９をアセトンなどの有機溶剤を用いた超音波洗
浄、およびレジスト剥離液で除去して、インダクタを完
成させた(図４(ｅ))。

【００４２】図４(ｅ)に示すように、実際のＵ型配線形
状１３はＵ型というよりも平仮名の「ひ」に近く、庇が
張り出た形状になる。

【００４３】図４(ｅ)に示される配線形状により、従来
の配線構造よりも誘電体基板１との接触面積を減少さ
せ、隣接する配線４間の容量、および配線４と接地導体
２との間の容量も減少させることができ、インダクタの
高周波化が可能になる。

【００４４】実施例２の工程も、実施例１の工程と同様
に、インダクタ形成に必要不可欠なエアーブリッジ作製
工程で作り込むことが可能で、新たなプロセスを追加す
る必要がないという利点がある。

【００４５】実施例３図５，図６は実施例３を説明するための図である。な
お、図５は斜視図であり、図２(ｃ)の状態に対応してい
る。なお、図５において、図が煩雑になるのを避けるた
め、メッキ電極９は図示を省略している。また、図６
(ａ)は図５の状態から配線を形成した後の図５のＡ−Ａ
線(幅方向)に沿った断面図であり、図６(ｂ)は図５の状
態から配線を形成した後の図５のＢ−Ｂ線(長さ方向)に
沿った断面図である。

【００４６】実施例３では、寄生キャパシタをより一層
低減できる構造として、インダクタの金属配線(第２金
属配線４)の一部が誘電体基板１から浮いているインダ
クタの構造を採用している。

【００４７】実施例３では、誘電体基板１上に、金(Ａ
ｕ)／チタン(Ｔｉ)の２層膜からなる下地引き出し電極
をリフトオフ法と真空蒸着で形成した。次に、離散的な
２．５μｍ幅の開口部１４を有する第１の開口パターン
８をポジ型レジストで形成した。このように、第１の開
口パターン８を離散的な開口部１４を有するものとする
ことによって、インダクタ配線の一部を浮かせることが
可能になる。つまり、このように離散的な開口部１４を
有する部分をメッキすれば、レジストの残った部分にお
いてメッキ膜は誘電体基板１から浮くことになる。な
お、このときのレジストの厚みは約２．６μｍとした。

【００４８】次に、メッキ電極となる薄い金属膜９を蒸
着した。ここで、金属膜９には、Ａｕ／Ｔｉ(膜厚が
０．０２μｍ／０．０１μｍ)を使用した。次に、前記
第１の開口パターン８上に、第１の開口パターン８の第
１の開口部８ａの開口幅よりも広い開口幅の第２の開口
部１０ａをもつ第２の開口パターン１０をポジ型レジス
トで形成した。次に、金のメッキ液(ＥＥＪＡ社ミク
ロファブＡｕ１００)を６０℃に温めた浴槽に試料を入
れメッキ電極９から電流を供給して、金を所定膜厚まで
電界メッキし、図６(ａ)，(ｂ)に示すように、第１およ
び第２の開口部８ａ，１０ａに金の配線１５を形成し
た。なお、図６(ａ)の例では、Ｔ型形状配線の場合につ
いて図示したが、Ｕ型形状配線の場合も、同様である。
また、図６(ｂ)において、符号１６は、空隙である。

【００４９】最後に、アセトンなどの有機溶剤を用いた
超音波洗浄、およびレジスト剥離液で余分なメッキ電極
９およびレジスト８，１０を除去して、インダクタを完
成させた。この結果、実施例３では、図６(ａ)のＡ−Ａ
線に沿った断面図に示すようにＴ型断面形状１５を持
ち、かつ図６(ｂ)のＢ−Ｂ線に沿った断面図に示すよう
な配線１５の一部が空隙１６によって誘電体基板１から
浮いた構造(第２金属配線４，すなわちインダクタ配線)
を提供することができ、より一層の寄生キャパシタンス
の低減が可能になり、インダクタの高周波化が可能とな
る。

【００５０】実施例３の工程も、実施例１，実施例２の
工程と同様に、インダクタ形成に必要不可欠なエアーブ
リッジ作製工程で作り込むことが可能で、新たなプロセ
スを追加する必要がないという利点がある。

【００５１】

【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の
発明によれば、誘電体基板上に金属配線を形成して構成
されるインダクタにおいて、前記金属配線の断面形状が
Ｔ型であるので、金属配線と誘電体基板との接地面積を
減少させることができ、その結果、寄生キャパシタンス
を低減できて、インダクタの高周波化が可能になる。

【００５２】また、請求項２記載の発明によれば、誘電
体基板上に、第１の開口部を有する第１の開口パターン
をレジストで形成する工程と、全面にメッキ電極を成膜
する工程と、前記第１の開口パターンの第１の開口部よ
りも開口幅の広い第２の開口部を有する第２の開口パタ
ーンをレジストで形成する工程と、前記第１および第２
の開口部に金属を電界メッキする工程と、前記第１およ
び第２の開口パターンを除去する工程とを有し、断面形
状がＴ型の金属配線を形成することで、Ｔ型断面形状の
インダクタ配線を低コストで製造できる。

【００５３】また、請求項３記載の発明によれば、誘電
体基板上に金属配線を形成して構成されるインダクタに
おいて、前期金属配線の断面形状がＵ型であるので、金
属配線と誘電体基板との接地面積を減少させることがで
き、その結果、寄生キャパシタンスを低減できて、イン
ダクタの高周波化が可能になる。

【００５４】また、請求項４記載の発明によれば、誘電
体基板上に、第１の開口部を有する第１の開口パターン
をレジストで形成する工程と、全面にメッキ電極を成膜
する工程と、前記第１の開口パターンの第１の開口部よ
りも開口幅の広い第２の開口部を有する第２の開口パタ
ーンをレジストで形成する工程と、前記第１および第２
の開口部に前記第１の開口部の開口幅の１／２以下の厚
さで金属を電界メッキする工程と、前記第１および第２
の開口パターンを除去する工程とを有し、断面形状がＵ
型の金属配線を形成することで、Ｕ型断面形状のインダ
クタ配線を低コストで製造できる。

【００５５】また、請求項５記載の発明によれば、請求
項１または請求項３記載のインダクタにおいて、前記金
属配線の一部が前記誘電体基板から浮いているので、配
線と誘電体基板との接地面積をより一層減少させること
ができ、その結果、寄生キャパシタンスをより一層低減
できて、インダクタの高周波化が可能になる。

【００５６】また、請求項６記載の発明によれば、誘電
体基板上に、第１の開口部の他に離散的な開口部を有す
る第１の開口パターンをレジストで形成する工程と、全
面にメッキ電極を成膜する工程と、前記第１の開口パタ
ーンの第１の開口部よりも開口幅の広い第２の開口部を
もつ第２の開口パターンをレジストで形成する工程と、
前記第１および第２の開口部に金属を電界メッキする工
程と、前記第１および第２の開口パターンを除去する工
程とを有し、金属配線の一部が誘電体基板から浮いた構
造を形成することで、インダクタ配線を低コストで製造
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るインダクタの構成例を示す図であ
る。

【図２】本発明のインダクタの作製工程例を示す図であ
る。

【図３】本発明のインダクタの作製工程例を示す図であ
る。

【図４】本発明のインダクタの作製工程例を示す図であ
る。

【図５】実施例３を説明するための図である。

【図６】実施例３を説明するための図である。

【図７】従来のスパイラルインダクタを示す図である。

【図８】従来のスパイラルインダクタの等価回路を示す
図である。

【図９】従来のインダクタの配線形成工程を説明するた
めの図である。

【図１０】従来のインダクタの配線形成工程を説明する
ための図である。

【図１１】従来のスパイラルインダクタを示す図であ
る。

【符号の説明】

１誘電体基板２接地導体３第１金属配線４第２金属配線５コンタクト部６エアーブリッジ部７支持基板８第１の開口パターン８ａ第１の開口部９メッキ電極１０第２の開口パターン１０ａ第２の開口部１２Ｔ型形状配線１３Ｕ型形状配線１４離散的な開口部１５配線の一部が浮いた配線の断面１６空隙

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板上に金属配線を形成して構成
されるインダクタにおいて、前記金属配線の断面形状が
Ｔ型であることを特徴とするインダクタ。
【請求項２】誘電体基板上に、第１の開口部を有する
第１の開口パターンをレジストで形成する工程と、全面
にメッキ電極を成膜する工程と、前記第１の開口パター
ンの第１の開口部よりも開口幅の広い第２の開口部を有
する第２の開口パターンをレジストで形成する工程と、
前記第１および第２の開口部に金属を電界メッキする工
程と、前記第１および第２の開口パターンを除去する工
程とを有し、断面形状がＴ型の金属配線を形成すること
を特徴とするインダクタの製造方法。
【請求項３】誘電体基板上に金属配線を形成して構成
されるインダクタにおいて、前記金属配線の断面形状が
Ｕ型であることを特徴とするインダクタ。
【請求項４】誘電体基板上に、第１の開口部を有する
第１の開口パターンをレジストで形成する工程と、全面
にメッキ電極を成膜する工程と、前記第１の開口パター
ンの第１の開口部よりも開口幅の広い第２の開口部を有
する第２の開口パターンをレジストで形成する工程と、
前記第１および第２の開口部に前記第１の開口部の開口
幅の１／２以下の厚さで金属を電界メッキする工程と、
前記第１および第２の開口パターンを除去する工程とを
有し、断面形状がＵ型の金属配線を形成することを特徴
とするインダクタの製造方法。
【請求項５】請求項１または請求項３記載のインダク
タにおいて、前記金属配線の一部が前記誘電体基板から
浮いていることを特徴とするインダクタ。
【請求項６】誘電体基板上に、第１の開口部の他に離
散的な開口部を有する第１の開口パターンをレジストで
形成する工程と、全面にメッキ電極を成膜する工程と、
前記第１の開口パターンの第１の開口部よりも開口幅の
広い第２の開口部をもつ第２の開口パターンをレジスト
で形成する工程と、前記第１および第２の開口部に金属
を電界メッキする工程と、前記第１および第２の開口パ
ターンを除去する工程とを有し、金属配線の一部が誘電
体基板から浮いた構造を形成することを特徴とするイン
ダクタの製造方法。