JP2000306854A - 窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の低抵抗
化を図る。 【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体装置に含ま
れるｐ型層（６，７）を活性化する方法は、紫外線から
可視光までの範囲内に含まれる波長を含む光を２００〜
５００℃の範囲内の温度の下でｐ型層（６，７）に照射
し、これによってｐ型層（６，７）に含まれるｐ型ドー
パントに結合した水素を分離除去して、ｐ型ドーパント
のアクセプタとしての活性化を促進することを特徴とし
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系化
合物半導体結晶層中に添加されたドーパントに結合され
た水素を分離するとともに中性化して除去することによ
るドーパントの活性を改善する方法に関し、特に、アク
セプタ用ドーパントの活性化率を改善することによって
ｐ型導電層の低抵抗化を図ることに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＧａＮ，ＧａＩｎＮ，ＧａＡｌＮ，Ｇａ
ＩｎＡｌＮなどの窒化ガリウム系半導体においては、電
子のエネルギ遷移は直接遷移であり、組成の制御によっ
て１．９５〜６．２ｅＶの範囲でエネルギバンドギャッ
プを変化させることができ、さらに高い熱的安定性を備
えているので、窒化ガリウム系半導体は半導体発光素子
のための材料、特に青色から紫外の光を発光させるため
の発光ダイオードや半導体レーザ用の材料としての期待
が高まっている。しかし、窒化ガリウム系半導体によれ
ば、ｐ型ドーパントを添加しても低抵抗層を得ることが
容易でなく、窒化ガリウム系ｐ型半導体層を用いて高輝
度発光素子を実用化することが困難となっている。

【０００３】ところで、ＭＯＣＶＤ法による通常の半導
体結晶層の成長条件では、結晶成長用の原料ガスや搬送
ガスに含まれる水素が結晶構成元素やドーパントと結合
して複合物を形成する。そのような水素と結合させられ
たドーパントにおいてその本来の活性が妨げられる現象
が、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＺｎＳｅ，ＧａＮなどの半導体材
料において知られている。高いキャリア濃度を有するｐ
型またはｎ型の導電層を実現するためには、複合物を構
成するドーパントと水素とを何らかの手段によって分離
し、その分離された水素を中性化して除去しなければな
らない。

【０００４】窒化ガリウム系化合物半導体においては、
一般にアクセプタ用ドーパントの活性化率が低く、高い
ホール濃度が得られ難い。特に、不純物エネルギ準位の
比較的浅いＭｇをドーパントとして用いた場合に、その
活性化率が一般に低くなる。上述のように、このような
活性化率が低い原因は、半導体結晶層の成長時に添加さ
れたアクセプタＡ^-にプロトンＨ⁺が結合して複合物（Ａ
^-−Ｈ⁺）を形成し、アクセプタの活性が阻害されること
にある。このような問題を解決するための先行技術にお
ける努力の結果として、複合物（Ａ^-−Ｈ⁺）に対して不
活性ガス雰囲気中で比較的高温においてアニール処理を
施すことによって水素を分離し、かつその水素を結晶外
へ排出することによって高濃度ｐ型導電層の活性化率の
向上がもたらされ、改善されたｐｎ接合の形成が可能に
なっている。このような技術は、特開平２−２５７６７
９や特開平５−１８３１８９において開示されている。

【０００５】特開平２−２５７６７９はｉ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層に電子線を照射する技術を応用する
ことによって、また特開平５−１８３１８９はｉ型窒化
ガリウム系化合物半導体層を４００℃以上の温度でアニ
ールする技術を応用することによって、低抵抗の窒化ガ
リウム系ｐ型半導体層を実現できることを述べている。
これらの先行技術文献において、窒化ガリウム系半導体
結晶層を気相成長法によって形成するときに、一般に窒
素源としてのアンモニアと搬送ガスとしての水素または
水素化合物が用いられるが、この気相反応時にイオン化
した水素が窒化ガリウム系半導体に添加したアクセプタ
と結合するので、ｐ型ドーパントのアクセプタとしての
働きが妨げられる旨が述べられている。

【０００６】前述の特開平２−２５７６７９や特開平５
−１８３１８９に開示された技術によって確かに窒化ガ
リウム系半導体の低抵抗ｐ型層が形成され得るが、前者
の技術ではｐ型半導体層の深い領域まで電子を照射する
ために高エネルギの電子を用いればその半導体層の結晶
を損なうことになる。また後者の先行技術によれば、最
適なアニール温度が約７００℃程度の高い温度であるの
で、半導体結晶中の窒素の脱離に起因するドナー準位の
発生、特に窒化ガリウムインジウム系半導体では窒素の
解離温度が低いので４０ｍｅＶのように浅いドナーとし
て働く窒素空格子点の発生量が大きくなり、その分だけ
アクセプタが打消されて活性化が妨げられる結果とな
る。

【０００７】したがって、通常の半導体結晶層の成長条
件によって得られる半導体層に前述の先行技術による処
理を施しても、得られるホール濃度は３×１０¹⁷〜８×
１０ ¹⁷／ｃｍ³程度となり、そのような半導体層を用い
てもｐｎ接合や電極のオーミック性などにおいて十分な
性能を得ることができず、青色レーザなどの発光素子の
実用化が困難である原因となっている。

【０００８】最近では、アクセプタの活性化のためのア
ニール温度を低減させるために有効な電流注入法が、第
４５回応用物理学界関係連合講演会予稿集３０ａ−ＺＲ
−５において報告されている。この報告によれば、アク
セプタとしてＭｇが添加されたＧａＮ層を含む発光ダイ
オードを形成した後に、このダイオードに順方向の電流
を印加した状態でアニールを行なえば、約４００℃で水
素が解離してＭｇのドーパントが活性化するということ
である。しかし、この方法は低温アニールによるドーパ
ントの活性化の効果を有するものの、半導体デバイスの
製作工程として実用化することを考慮すれば、その工程
がかなり複雑になることに加えて半導体デバイスの製造
原価が高くなるという問題を抱えている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系半導体
に関連して既に述べられたように、ｐ型ドーパントの活
性化が水素によって妨げられる現象は、セレン化亜鉛、
砒化ガリウム、シリコンなどにおいても観察され、種々
の半導体材料に共通する課題である。そして、前述のよ
うに、現状ではｐ型層の低抵抗化は不十分であり、半導
体デバイスの作製の上で重要な課題になっている。

【００１０】たとえば、高輝度発光素子用の材料として
現在注目されているＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＧａＩｎＮな
どにおいては、ｐ型導電層を結晶成長させるに際して、
一般的にはより浅いアクセプタ準位を形成する目的のた
めに１６０ｍｅＶの準位を持つＭｇがドーパントとして
添加される。このアクセプタＡ^-は、ＭＯＣＶＤによる
結晶成長中にその結晶層内に入り込んだプロトンＨ⁺と
会合すれば、電気的に結合して複合物ＭｇＨを生成す
る。

【００１１】特開平５−１８３１８９は、ｐ型層の成長
後に、この層を複合物ＭｇＨが分解する４００℃以上の
温度でアニールすることによってＭｇドーパントを活性
化し得ることを述べている。しかしながら、この熱エネ
ルギによる分解方法では複合物ＭｇＨを十分には分解し
得ず、また分離したプロトンＨ⁺の中性化が不十分であ
るために残留水素が多くなる。したがって、熱エネルギ
のみによる分解によってはＭｇドーパントが十分にアク
セプタとして活性化され得ず、その活性化率はせいぜい
１％程度であり、ｐ型導電層の低抵抗化に関して依然と
して課題が残されている。

【００１２】他方、窒化ガリウム系半導体の結晶層を気
相成長法によって成長させれば、一般にｎ型導電層が形
成されやすいという性質がある。したがって、ｐ型導電
層を形成する場合に、アクセプタとしてＢｅ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｚｎ，Ｃｄなどのドーパントを添加しても、十分に
は高いキャリア濃度が得られないという問題がある。こ
の主たる原因としては、半導体結晶層がその成長中に約
１０００℃前後の比較的高い温度の雰囲気にさらされ、
その雰囲気の窒素分圧が低ければ成長結晶中で窒素の解
離を生じて窒素格子点に空格子点が形成され、この窒素
空格子点がドナーとして働くことが挙げられる。このよ
うに生成する窒素空格子点の量は半導体結晶層の成長条
件に依存して著しく変化し、約１×１０¹⁷〜１×１０²²
／ｃｍ³の範囲で変化するといわれている。一般的に
は、ｐ型導電層の形成においては、ｐ型ドーパントを多
めに添加することによって生じるアクセプタで窒素空格
子点のドナーを補償し、これによってアクセプタ濃度を
増大させ得るはずである。しかし、実際には気相成長さ
せられたｐ型導電層中のアクセプタ濃度は、１０¹⁸／ｃ
ｍ³のオーダで飽和に達する。

【００１３】以上のような先行技術の課題に鑑み、本発
明は、窒化ガリウム系化合物半導体結晶のｐ型導電層中
のアクセプタ用ドーパントを簡便かつ効率的に活性化
し、それによって低抵抗のｐ型導電層を得ることを目的
としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、窒化ガ
リウム系化合物半導体装置に含まれるｐ型層を活性化す
る方法は、紫外線から可視光までの範囲内に含まれる波
長を含む光を２００〜５００℃の範囲内の温度の下でｐ
型層に照射し、これによって、ｐ型層に含まれるｐ型ド
ーパントに結合した水素を分離除去してｐ型ドーパント
のアクセプタとしての活性化を促進させることを特徴と
している。

【００１５】ｐ型ドーパントをアクセプタとして活性化
するための光照射は、一定強度の光の周期的または非周
期的な間欠的照射によって行なわれてもよい。

【００１６】また、ｐ型層の光照射は不活性気体の雰囲
気中で行なわれ得る。さらに、ｐ型層に対する光照射
は、半導体装置に含まれる電極形成の工程の前または後
のいずれにおいても行なうことができる。

【００１７】すなわち、本発明においては、たとえば半
導体発光装置に含まれるｐ型発光層やｐ型クラッド層と
してのｐ型導電層を形成するに際して、そのようなｐ型
導電層に対して紫外線から可視光に含まれる波長を含む
光を照射することによって、直接的にドーパントと水素
との複合物からプロトンを分離させる。このとき、光照
射によって発生した電子がその電気エネルギによって複
合物ＭｇＨからプロトンを分離した上に中性化する働き
をも果たすので、ｐ型ドーパントの活性化が効果的に促
進され、そのｐ型導電層を含む半導体デバイスの性能改
善がもたらされる。

【００１８】半導体デバイスに通電するための陽極と陰
極を形成する前にｐ型導電層内に電子を生じさせる手段
としては、窒化ガリウム系半導体のバンドギャップエネ
ルギよりも大きなエネルギを有する光、すなわち紫外線
から可視光の範囲内の波長を含む光を照射すればよい。
このとき、少なくともドーパントと結合しているプロト
ンの数より多い電子を生成する必要があるが、電子の発
生と同時に発生するホールとの再結合割合などを考慮す
れば、プロトンより１桁から２桁程度多い電子をｐ型導
電層内に発生させ得る光エネルギと光量を照射して複合
物（Ｍｇ^-−Ｈ⁺）からの水素の解離と中性化を促進する
ことが望まれる。

【００１９】言換えれば、本発明によるｐ型層の活性化
方法はその活性化のための電極の形成を必要とせずかつ
比較的低温度において光を照射するだけで達成され得る
極めて簡便な方法であるが、光照射によって電子と同時
にホールも発生するという問題が付随する。しかし、複
合物からの水素の解離を効果的にするためには、光照射
強度を大きくして電子ホールペアの発生数を増大させ、
またｐ型導電層を不均一に光照射することによって電子
とホールの拡散分布を制御することができる。このよう
にして、電子とホールとの直接再結合による電子の消滅
確率を少なくすることができ、それによって複合物から
の水素の解離に寄与すべき電子を増大させることができ
る。このような現象の詳細な機構については必ずしも明
らかではないが、発生した電子が複合物（Ｍｇ^-−Ｈ⁺）
中のＨ⁺のある範囲に接近したときにＭｇ^-と電気的に結
合していたプロトンＨ⁺が電子の電荷ｅ^-によって中和さ
れ、その水素が中性化される作用が基礎となっている現
象と考えられる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の実施の形
態について説明する。ただし、以下の実施の形態は本発
明の技術的思想の具体化を例示するものであり、本発明
の方法は例示された材料の組成、結晶成長条件、気相成
長ガスの種類などによって限定されるものではない。

【００２１】図１の模式的な断面図において、本発明が
適用され得る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の一
例が示されている。このような発光素子において、基板
１としてサファイア，ＭｇＡｌ₂Ｏ₄，ＧａＮ，ＭｇＯ，
ＳｉＣ，Ｓｉ，ＺｎＯなどの材料が使用され得るが、通
常はサファイアが用いられる。基板１上のＧａＮバッフ
ァ層２を成長させるときにＭＯＣＶＤ法が用いられる場
合、搬送ガスとして水素を用い、原料ガスとしてアンモ
ニア（ＮＨ₃）とトリメチルガリウム（ＴＭＧ）が用い
られ得る。

【００２２】ＧａＮバッファ層２上には、ｎ⁺型ＧａＮ
層３、ｎ型ＧａＡｌＮ層４、ｎ型ＧａＩｎＮ層５、ｐ型
ＧａＡｌＮ層６、およびｐ⁺型ＧａＮ層７が、発光素子
を形成するために適したそれぞれのキャリア濃度と厚さ
を有する層として連続的に成長させられる。本発明はｐ
型導電層であるｐ型ＧａＡｌＮ層６とｐ⁺型ＧａＮ層７
のキャリア濃度を向上させるために利用することがで
き、高キャリア濃度のｐ型導電層を得るために、水素結
合したアクセプタから水素を解離させてアクセプタとし
ての活性化率を増大させることができる。

【００２３】窒化ガリウム系半導体においては、アクセ
プタとして働くべきＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｃｄなど
のｐ型ドーパントの活性化効率が低く、高いホール濃度
を得ることが困難である。特に、１６０ｍｅＶの浅い不
純物準位を形成し得るｐ型ドーパントであるＭｇを用い
た場合には、熱アニール処理を施してもその活性化率が
約１％程度であって、得られるホール濃度の約５×１０
¹⁷／ｃｍ³程度までのように低いものである。

【００２４】本発明の方法によれば、２００〜５００℃
の範囲内のたとえば約３００℃の比較的低温においてｐ
型導電層に光を照射して電子群を励起生成させ得る。電
子群の励起生成を高めるためにはｐ型導電層のバンドギ
ャップに相当するエネルギを有する光を照射すればよい
が、一般に半導体デバイスにおいては互いに異なる複数
のバンドギャップを有する複数のＰ型導電層を含む場合
があるので、その場合には紫外から赤色までの範囲内で
適切な異なる複数の波長を含む混合光を照射することが
好ましい。

【００２５】本発明の処理方法では水素結合したドーパ
ントから電子によって水素分離とその中性化を行なうの
で、ドーパントの活性化を促進するための加熱温度とし
ては約３００℃前後の比較的低い温度で十分である。こ
の処理温度が３００℃程度の比較的低温であることは、
窒化ガリウム系半導体のｐ型導電層の活性化において重
要な意義を有している。すなわち、従来の比較的高温に
おける活性化法に比べて、蒸気圧の高い窒素の脱離とそ
れに起因するドナーとして作用する窒素空格子点の生成
の抑制が可能となり、ｐ型キャリア濃度の制御性が高め
られる。

【００２６】なお、本発明の方法における電子群励起用
光源の光強度は、ドーパントの活性化のためには高い方
が好ましいが、結晶欠陥などに起因する局部吸収熱によ
る結晶の損傷が生じる懸念もあるのであまりに高いこと
も好ましくなく、たとえば２５０ｍＷ／ｃｍ²程度の光
強度が好ましく用いられ得る。

【００２７】図２は、本発明を利用してｐ型ドーパント
であるＭｇを添加した窒化ガリウム層が低抵抗のｐ型層
に改善されることを示すグラフである。このグラフにお
いて、横軸はｐ型層の光照射時の温度（℃）を表わし、
縦軸は光照射後の抵抗率（Ω・ｃｍ）を表わしている。
図２の測定においては、サファイア基板上にＭＯＣＶＤ
法によってＧａＮバッファ層を形成し、その上にｐ型ド
ーパントとしてのＭｇを添加しつつＧａＮ層が３．５μ
ｍの厚さに成長させられた。その後、窒素雰囲気中にお
いてｐ型ＧａＮ層に対して種々の温度で２５０ｍＷ／ｃ
ｍ²の紫外線が２０分間パルス照射された。図２から明
らかなように、ｐ型ＧａＮ層の抵抗率は約２００℃の光
照射温度から減少し始め、約４００℃以上の温度におけ
る光照射によってほぼ一定の低抵抗値となる。このこと
から、本発明によるｐ型導電型層の活性化方法は顕著な
効果を有することが明らかである。

【００２８】このような本発明によるｐ型ドーパントの
活性化の方法を利用して窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子を製造した実施例について、以下において説明す
る。

【００２９】

【実施例】(実施例１）図１を参照して、十分に洗浄さ
れたサファイア基板１がＭＯＣＶＤ反応管中に配置さ
れ、このサファイア基板を１１００℃まで加熱して水素
の搬送ガスを流しながら熱クリーニングが行なわれた。
そして、基板温度が５００℃まで下げられた後に、搬送
ガスとしての水素と原料ガスとしてのＴＭＧおよびＮＨ
₃を用いて、サファイア基板１上に厚さ２０ｎｍのＧａ
Ｎバッファ層２が成長させられた。

【００３０】その後ＴＭＧガスを停止して基板温度を１
０３０℃に上昇させてから、原料ガスとしてのＴＭＧお
よびＮＨ₃とともにドナー用ドーパントとしてのＳｉを
添加するためのドーパントガスとしてシランガスＳｉＨ
₄が供給され、１×１０¹⁹／ｃｍ³のキャリア濃度を有す
る陰極コンタクト用ｎ⁺型ＧａＮ層３が３．５μｍの厚
さに成長させられた。これに続いて、Ｓｉの添加量を減
少させるためにＳｉＨ ₄ガスの流量を減少させ、１×１
０¹⁸／ｃｍ³のキャリア濃度を有する厚さ０．５μｍの
ｎ型Ｇａ_0.8Ａｌ_0.2Ｎクラッド層４が成長させられた。

【００３１】ｎ型クラッド層４の成長後、原料ガスとド
ーパントガスの両方を停止し、基板温度を８００℃に下
げて搬送ガスを水素から窒素に切換えるとともに、原料
ガスとしてのＴＭＧ，ＴＭＩ（トリメチルインジウ
ム），およびＮＨ₃と、ドーパントガスとしてのＳｉＨ₄
とを用いて、厚さ１０ｎｍのｎ型Ｇａ_0.85Ｉｎ_0.15Ｎ層
５が成長させられた。

【００３２】さらに、原料ガスとドーパントガスを停止
して基板温度を１０３０℃に昇温し、原料ガスとしての
ＴＭＧ，ＮＨ₃，およびＴＭＡ（トリメチルアルミニウ
ム）と、ドーパントガスとしてのＣｐ₂Ｍｇ（シクロペ
ンタジエニルマグネシウム）を用いて、Ｍｇが添加され
たｐ型Ｇａ_0.9Ａｌ_0.1Ｎ層６が０．２μｍの厚さに成長
させられた。その後、ＴＭＡを停止し、Ｃｐ₂Ｍｇの流
量を増大させて陽極コンタクト用ｐ⁺型ＧａＮ層７が
０．３μｍの厚さに成長させられた。

【００３３】ｐ⁺型ＧａＮ層７の成長後、基板１がＭＯ
ＣＶＤ反応管から取出され、基板上の半導体層に対して
光照射処理が行なわれた。この光照射処理条件として
は、Ｇａ_0.8Ａｌ_0.2ＮとＧａＮのバンドギャップエネル
ギにほぼ対応する波長３３７ｎｍの紫外線を発光するパ
ルス発振Ｎ₂レーザ（パルス幅１０ｎｓ）を光励起用光
源として用い、その照射光の強度は２５０ｍＷ／ｃｍ²
であり、窒素雰囲気中で４５０℃の温度条件の下で２０
分間の光照射が行なわれた。

【００３４】以上のようにして得られた半導体積層構造
において、ｐ⁺型ＧａＮコンタクト層７上に周知の方法
で陽極９を形成するとともにｎ⁺型ＧａＮクラッド層３
上に陰極８を形成することによって、５００μｍ角の発
光ダイオードが作製された。この発光ダイオードにおい
て、順方向電圧３．４Ｖと順方向電流２０ｍＡの状態に
おいて、４０７ｎｍの発光波長と１．７ｍＷの発光出力
を有する均一発光が得られた。

【００３５】（実施例２）実施例２においても、実施例
１に類似して発光ダイオードが作製された。実施例２に
おいては、光励起用の光源として２種類のレーザが用い
られたことのみにおいて実施例１と異なっている。すな
わち、実施例２においては光励起用光源として、波長３
３７ｎｍの紫外線を発光するＨ₂パルスレーザと波長４
８８ｎｍの青色光を発光する連続発振Ａｒイオンレーザ
が用いられた。パルス発振Ｎ₂レーザに関しては１０ｎ
ｓのパルス幅と１５０ｍＷ／ｃｍ²の光照射強度が用い
られ、連続発振Ａｒイオンレーザに関しては１００ｍＷ
／ｃｍ²の光強度が用いられた。こうして得られた実施
例２の発光ダイオードの特性を測定した結果、３．３Ｖ
の順方向電圧と２０ｍＡの順方向電流の下おいて、４０
７ｎｍの発光波長と１．８ｍＷの発光出力を有する均一
な発光特性が得られた。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、窒化ガ
リウム系化合物半導体のｐ型導電層に対してそのバンド
ギャップエネルギに相当するエネルギを有する光を照射
することによって、アクセプタ型ドーパントの不活性化
の原因となっている複合物（Ａ ^-−Ｈ⁺）から水素を分離
しかつ電気的に中性化することによって、ｐ型ドーパン
トの活性化を著しく改善することができる。また、本発
明の方法において電子励起用光として互いに異なる適切
な複数の波長を含む光を用いることによって、たとえば
半導体レーザに含まれるように互いに異なるバンドギャ
ップを有する複数のｐ型導電層の活性化をも効率よく行
なうことができる。さらに、本発明の光照射を利用した
ｐ型層の活性化方法は、その処理工程が簡便であるので
生産工程の見地からも大きな価値を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用し得る半導体発光素子の構造を示
す模式的な断面図である。

【図２】本発明の方法による光照射によってｐ型層の低
抵抗化の効果を示すグラフである。

【符号の説明】

１ サファイア基板 ２ バッファ層 ３ ｎ⁺型ＧａＮ層 ４ ｎ型Ｇａ_1-yＡｌ_yＮ層 ５ ｎ型Ｇａ_1-xＩｎ_xＮ層 ６ ｐ型Ｇａ_1-zＡｌ_zＮ層 ７ ｐ⁺型ＧａＮ層 ８ 陰極 ９ 陽極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化ガリウム系化合物半導体装置に含ま
   れるｐ型層を活性化する方法であって、紫外線から可視
   光までの範囲内に含まれる波長を含む光を２００〜５０
   ０℃の範囲内の温度の下で前記ｐ型層に照射し、それに
   よって、前記ｐ型層に含まれるｐ型ドーパントに結合し
   た水素を分離除去して前記ｐ型ドーパントのアクセプタ
   としての活性化を促進させることを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 前記ｐ型層の光照射は、一定強度の光の
   周期的または非周期的な間欠的照射によって行なわれる
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 前記ｐ型層の光照射は、不活性気体中で
   行なわれることを特徴とする請求項１または２に記載の
   方法。
4. 【請求項４】 前記ｐ型層の光照射は、前記半導体装置
   に含まれる電極を形成する工程の前または後に行なわれ
   ることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記
   載の方法。