JP2000306904A - 半導体素子の製造方法及びその装置 - Google Patents
半導体素子の製造方法及びその装置Info
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成膜過程での反応炉の反応副生成物の堆積膜の
亀裂を強制的に発生させ、亀裂発生時に生じる微細パー
ティクルをガスパージにより強制的に排出し、ウェーハ
への微細パーティクルの付着を低減させることで、反応
炉の洗浄の頻度を少なくして生産性を向上させようとす
るものである。 【解決手段】被処理基板１１に成膜を行う反応炉２内か
ら基板をアンロードした状態で、反応炉内を成膜温度よ
りも低い温度に温度降下させ、ガスパージする半導体素
子の製造方法であり、反応炉内を温度降下させ、反応炉
内に付着した反応副生成物堆積膜の応力を増大させ、堆
積膜に強制的に亀裂を発生させ、亀裂発生時に生じる微
細パーティクルをガスパージにより強制的に排出する。
亀裂を強制的に発生させ、亀裂発生時に生じる微細パー
ティクルをガスパージにより強制的に排出し、ウェーハ
への微細パーティクルの付着を低減させることで、反応
炉の洗浄の頻度を少なくして生産性を向上させようとす
るものである。 【解決手段】被処理基板１１に成膜を行う反応炉２内か
ら基板をアンロードした状態で、反応炉内を成膜温度よ
りも低い温度に温度降下させ、ガスパージする半導体素
子の製造方法であり、反応炉内を温度降下させ、反応炉
内に付着した反応副生成物堆積膜の応力を増大させ、堆
積膜に強制的に亀裂を発生させ、亀裂発生時に生じる微
細パーティクルをガスパージにより強制的に排出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ処理による半
導体素子の製造方法及びその半導体製造装置に関し、特
に製造過程で発生する微細パーティクルの低減を目的と
する半導体素子の製造方法及びその装置に関するもので
ある。
導体素子の製造方法及びその半導体製造装置に関し、特
に製造過程で発生する微細パーティクルの低減を目的と
する半導体素子の製造方法及びその装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造する工程に於いて、ウ
ェーハ等の被処理基板に化学気相成長法ＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
り成膜処理をすることが行われている。
ェーハ等の被処理基板に化学気相成長法ＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によ
り成膜処理をすることが行われている。
【０００３】先ず、図３に於いてＣＶＤ成膜処理を行う
半導体製造装置を説明する。
半導体製造装置を説明する。
【０００４】図３に示す半導体製造装置はバッチ処理式
の半導体製造装置、特に予備室としてロードロック室を
具備したロードロック式半導体製造装置である。
の半導体製造装置、特に予備室としてロードロック室を
具備したロードロック式半導体製造装置である。
【０００５】気密なロードロック室１の上面には反応炉
２が気密に連設され、前記ロードロック室１には図示し
ない基板移載室がゲートバルブ（図示せず）を介して気
密に連設されている。
２が気密に連設され、前記ロードロック室１には図示し
ない基板移載室がゲートバルブ（図示せず）を介して気
密に連設されている。
【０００６】前記反応炉２は前記ロードロック室１の上
面に気密に取付けられた炉口フランジ４、該炉口フラン
ジ４に気密に立設されたアウタチューブ５、該アウタチ
ューブ５内に同心に立設されたインナチューブ６、前記
アウタチューブ５を囲繞する様に設けられたヒータ（図
示せず）等により構成されている。又、前記反応炉２内
部には反応ガスを導入するガス導入ライン７，８が連通
し、又排気装置９が連通している。
面に気密に取付けられた炉口フランジ４、該炉口フラン
ジ４に気密に立設されたアウタチューブ５、該アウタチ
ューブ５内に同心に立設されたインナチューブ６、前記
アウタチューブ５を囲繞する様に設けられたヒータ（図
示せず）等により構成されている。又、前記反応炉２内
部には反応ガスを導入するガス導入ライン７，８が連通
し、又排気装置９が連通している。
【０００７】前記ロードロック室１にはボートエレベー
タ（図示せず）が設けられ、ボート１０を昇降させ前記
反応炉２内に前記ボート１０を装入引出しする様になっ
ている。被処理基板であるウェーハ１１は前記ボート１
０に水平姿勢で多段に装填される。前記ロードロック室
１の内部には降下状態の前記ボート１０に平行となる様
ガスパージノズル１２が直立して設けられ、又前記ロー
ドロック室１には真空排気装置１３が連通され、該真空
排気装置１３により前記ロードロック室１内が真空引き
され、更に前記ガスパージノズル１２により不活性ガス
の一つである窒素ガスが供給され、大気圧復帰がなされ
る。
タ（図示せず）が設けられ、ボート１０を昇降させ前記
反応炉２内に前記ボート１０を装入引出しする様になっ
ている。被処理基板であるウェーハ１１は前記ボート１
０に水平姿勢で多段に装填される。前記ロードロック室
１の内部には降下状態の前記ボート１０に平行となる様
ガスパージノズル１２が直立して設けられ、又前記ロー
ドロック室１には真空排気装置１３が連通され、該真空
排気装置１３により前記ロードロック室１内が真空引き
され、更に前記ガスパージノズル１２により不活性ガス
の一つである窒素ガスが供給され、大気圧復帰がなされ
る。
【０００８】以下、ウェーハ処理について図４を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】前記ロードロック室１、反応炉２が大気圧
状態で前記ボート１０が降下（アンロード）され、該ボ
ート１０の降下状態で図示しない基板移載機により所定
枚数のウェーハ１１が前記ボート１０に装填される。
状態で前記ボート１０が降下（アンロード）され、該ボ
ート１０の降下状態で図示しない基板移載機により所定
枚数のウェーハ１１が前記ボート１０に装填される。
【００１０】前記反応炉２内は稼働中成膜温度に維持さ
れており、図示しないボートエレベータによりボート１
０が上昇され、前記ウェーハ１１は前記反応炉２内に装
入（ロード）される。
れており、図示しないボートエレベータによりボート１
０が上昇され、前記ウェーハ１１は前記反応炉２内に装
入（ロード）される。
【００１１】前記排気装置９により、前記反応炉２内部
が真空排気され、反応ガスが前記ガス導入ライン７，８
より導入され、前記ウェーハ１１に成膜処理がなされ
る。
が真空排気され、反応ガスが前記ガス導入ライン７，８
より導入され、前記ウェーハ１１に成膜処理がなされ
る。
【００１２】成膜処理完了後、前記反応炉２内を大気圧
に復帰させ、図示しないボートエレベータにより前記ボ
ート１０をアンロードし前記ロードロック室１内に引出
す。該ロードロック室１内で、前記ボート１０を冷却
し、図示しない基板移載機により、前記ウェーハ１１を
払出す。
に復帰させ、図示しないボートエレベータにより前記ボ
ート１０をアンロードし前記ロードロック室１内に引出
す。該ロードロック室１内で、前記ボート１０を冷却
し、図示しない基板移載機により、前記ウェーハ１１を
払出す。
【００１３】払出しが完了すると未処理のウェーハが更
に前記ボート１０に装填された後、一旦ロードロック室
１を前記真空排気装置１３により真空排気して、気中の
水分や酸素を除去する。その後、ガスパージノズル１２
から窒素ガスを導入し、ロードロック室１を大気圧に戻
し、反応炉２と略同圧にする。次にボートが反応炉２へ
ロードされ、処理が続行される。
に前記ボート１０に装填された後、一旦ロードロック室
１を前記真空排気装置１３により真空排気して、気中の
水分や酸素を除去する。その後、ガスパージノズル１２
から窒素ガスを導入し、ロードロック室１を大気圧に戻
し、反応炉２と略同圧にする。次にボートが反応炉２へ
ロードされ、処理が続行される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ装置によりウェ
ーハ、ガラス基板等被処理基板に成膜処理、例えばＳｉ
Ｎ膜の生成を行うと、反応副生成物が反応室壁面に付着
堆積して膜を生成する。この堆積膜は基板処理を重ねる
毎に成長していき、所定の厚みに達すると割れ、剥がれ
を生じ、パーティクルとなって反応室内に浮遊し、被処
理基板に付着する。パーティクルの数が多くなり、被処
理基板に付着する数が多くなると歩留りが低下し、製品
品質も又低下するという弊害が生じる。特に、１回の処
理で生成される膜厚が１０００Å以上のＳｉ3 Ｎ4 膜の
場合、この現象が顕著となる。Ｓｉ3 Ｎ4 膜に対し、Ｐ
ｏｌｙ系で行われているセルフクリーニングを行うこと
も考えられるが、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の場合累積膜厚が１μｍ
でパーティクルが発生する為、その度にクリーニングを
行う必要があり、Ｐｏｌｙ系に比べクリーニング頻度が
多くなり、その為クリーニングガスによる石英部材への
劣化の影響が非常に大きくなる等の理由により不都合が
あるのでこの問題は深刻となる。
ーハ、ガラス基板等被処理基板に成膜処理、例えばＳｉ
Ｎ膜の生成を行うと、反応副生成物が反応室壁面に付着
堆積して膜を生成する。この堆積膜は基板処理を重ねる
毎に成長していき、所定の厚みに達すると割れ、剥がれ
を生じ、パーティクルとなって反応室内に浮遊し、被処
理基板に付着する。パーティクルの数が多くなり、被処
理基板に付着する数が多くなると歩留りが低下し、製品
品質も又低下するという弊害が生じる。特に、１回の処
理で生成される膜厚が１０００Å以上のＳｉ3 Ｎ4 膜の
場合、この現象が顕著となる。Ｓｉ3 Ｎ4 膜に対し、Ｐ
ｏｌｙ系で行われているセルフクリーニングを行うこと
も考えられるが、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の場合累積膜厚が１μｍ
でパーティクルが発生する為、その度にクリーニングを
行う必要があり、Ｐｏｌｙ系に比べクリーニング頻度が
多くなり、その為クリーニングガスによる石英部材への
劣化の影響が非常に大きくなる等の理由により不都合が
あるのでこの問題は深刻となる。
【００１５】前記反応副生成物の堆積膜の割れは、堆積
生成時の残留応力が膜の成長と共に増大し、更に堆積膜
とアウタチューブ５、インナチューブ６間の熱膨張率の
相違にる熱応力発生し、これら応力が許容限界値（堆積
膜の機械的破壊強度）を越えた場合に発生すると考えら
れている。堆積膜の割れはやがて膜剥離に進行するが、
堆積膜割れの時点でもパーティクルが発生し、この時点
でのパーティクルは０．１〜０．２μｍ程度と極めて微
細である。
生成時の残留応力が膜の成長と共に増大し、更に堆積膜
とアウタチューブ５、インナチューブ６間の熱膨張率の
相違にる熱応力発生し、これら応力が許容限界値（堆積
膜の機械的破壊強度）を越えた場合に発生すると考えら
れている。堆積膜の割れはやがて膜剥離に進行するが、
堆積膜割れの時点でもパーティクルが発生し、この時点
でのパーティクルは０．１〜０．２μｍ程度と極めて微
細である。
【００１６】又、堆積膜の割れは半導体製造過程に発生
すると考えられ、前記堆積膜の厚みが１μｍ程度に達す
るとウェーハに付着するパーティクルの数は、１００個
／ウェーハ以上となり、それ以降は減少することがな
い。
すると考えられ、前記堆積膜の厚みが１μｍ程度に達す
るとウェーハに付着するパーティクルの数は、１００個
／ウェーハ以上となり、それ以降は減少することがな
い。
【００１７】この為、ウェーハに付着するパーティクル
の数を所定値以下に維持するには、前記堆積膜を除去す
る必要があり、堆積膜の厚みが１μｍ程度となる前に反
応炉２を構成する前記インナチューブ６、アウタチュー
ブ５を洗浄していた。
の数を所定値以下に維持するには、前記堆積膜を除去す
る必要があり、堆積膜の厚みが１μｍ程度となる前に反
応炉２を構成する前記インナチューブ６、アウタチュー
ブ５を洗浄していた。
【００１８】前記アウタチューブ５、インナチューブ６
等反応炉２の構成物を洗浄する場合は、半導体製造装置
を休止し、前記反応炉２を分解して行うので、洗浄の頻
度が多くなると半導体製造装置の稼働率が低下し、生産
性が悪化するという問題があった。
等反応炉２の構成物を洗浄する場合は、半導体製造装置
を休止し、前記反応炉２を分解して行うので、洗浄の頻
度が多くなると半導体製造装置の稼働率が低下し、生産
性が悪化するという問題があった。
【００１９】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造過
程での反応副生成物の堆積膜の亀裂を強制的に発生さ
せ、亀裂発生時に生じる微細パーティクルをガスパージ
により強制的に排出し、ウェーハへの微細パーティクル
の付着を低減させることで、反応炉の洗浄の頻度を少な
くして生産性を向上させようとするものである。
程での反応副生成物の堆積膜の亀裂を強制的に発生さ
せ、亀裂発生時に生じる微細パーティクルをガスパージ
により強制的に排出し、ウェーハへの微細パーティクル
の付着を低減させることで、反応炉の洗浄の頻度を少な
くして生産性を向上させようとするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板に
成膜を行う反応炉内から基板をアンロードした状態で、
反応炉内を成膜温度よりも低い温度に温度降下させ、ガ
スパージする半導体素子の製造方法に係り、又前記温度
降下及びガスパージの工程は、処理済基板を反応炉内か
らアンロードした後、次に処理する基板をロードする迄
の間に行う半導体素子の製造方法に係り、又前記温度降
下は、被処理基板を反応炉にロードする際に生じる温度
降下以上の降下分とした半導体素子の製造方法に係り、
又前記温度降下させた後、次に処理する基板を反応炉内
へロードする迄の間に、反応炉内を温度上昇させる工程
を有する半導体素子の製造方法に係り、又前記温度上昇
時の反応炉内の温度は、次に処理をする基板を反応炉内
へロードする際の反応炉内の温度が前記温度降下時の温
度以上となる様にした半導体素子の製造方法に係り、又
複数の被処理基板をボートに装填した状態で反応炉内で
バッチ処理した後、ボートを反応炉内からアンロードし
て、処理済基板をボートから取出し、次に処理する未処
理基板をボートへ装填して、再び反応炉内へロードする
迄の間に、前記反応炉内の温度降下、ガスパージ、及び
温度上昇を行う様にした半導体素子の製造方法に係り、
又ボートを反応炉から予備室へアンロードした後、予備
室内でボート上の処理済基板を冷却し、ボートから処理
済基板を取出す過程に於いて、反応炉内を温度降下させ
ると共に真空排気を行ってガスパージし、その後予備室
内で次に処理する未処理基板をボートに装填する過程に
於いて、反応炉内の温度を上昇させると共に反応炉内を
予備室と略同圧にする様にした半導体素子の製造方法に
係り、又成膜時の膜厚が１０００Å以上である窒化膜の
成膜工程に於ける半導体素子の製造方法に係り、又前記
ガスパージの方法が反応炉内に不活性ガスを少量導入し
つつ真空排気を行う半導体素子の製造方法に係るもので
ある。
成膜を行う反応炉内から基板をアンロードした状態で、
反応炉内を成膜温度よりも低い温度に温度降下させ、ガ
スパージする半導体素子の製造方法に係り、又前記温度
降下及びガスパージの工程は、処理済基板を反応炉内か
らアンロードした後、次に処理する基板をロードする迄
の間に行う半導体素子の製造方法に係り、又前記温度降
下は、被処理基板を反応炉にロードする際に生じる温度
降下以上の降下分とした半導体素子の製造方法に係り、
又前記温度降下させた後、次に処理する基板を反応炉内
へロードする迄の間に、反応炉内を温度上昇させる工程
を有する半導体素子の製造方法に係り、又前記温度上昇
時の反応炉内の温度は、次に処理をする基板を反応炉内
へロードする際の反応炉内の温度が前記温度降下時の温
度以上となる様にした半導体素子の製造方法に係り、又
複数の被処理基板をボートに装填した状態で反応炉内で
バッチ処理した後、ボートを反応炉内からアンロードし
て、処理済基板をボートから取出し、次に処理する未処
理基板をボートへ装填して、再び反応炉内へロードする
迄の間に、前記反応炉内の温度降下、ガスパージ、及び
温度上昇を行う様にした半導体素子の製造方法に係り、
又ボートを反応炉から予備室へアンロードした後、予備
室内でボート上の処理済基板を冷却し、ボートから処理
済基板を取出す過程に於いて、反応炉内を温度降下させ
ると共に真空排気を行ってガスパージし、その後予備室
内で次に処理する未処理基板をボートに装填する過程に
於いて、反応炉内の温度を上昇させると共に反応炉内を
予備室と略同圧にする様にした半導体素子の製造方法に
係り、又成膜時の膜厚が１０００Å以上である窒化膜の
成膜工程に於ける半導体素子の製造方法に係り、又前記
ガスパージの方法が反応炉内に不活性ガスを少量導入し
つつ真空排気を行う半導体素子の製造方法に係るもので
ある。
【００２１】又、本発明は、被処理基板に成膜処理を行
う反応炉と、反応ガス導入、排気手段と、反応炉内をガ
スパージする為の不活性ガス導入手段と、反応炉内の温
度を制御する温度制御手段とを具備し、被処理基板を反
応炉内で処理した後、反応炉内から処理済基板をアンロ
ードした状態で、反応炉内を成膜温度よりも低い温度と
なる様温度降下させてガスパージする様構成した半導体
製造装置に係り、又前記温度降下させた後、次に処理す
る基板を反応炉内へロードする迄の間に、反応炉内を温
度上昇させる様にした半導体製造装置に係るものであ
る。
う反応炉と、反応ガス導入、排気手段と、反応炉内をガ
スパージする為の不活性ガス導入手段と、反応炉内の温
度を制御する温度制御手段とを具備し、被処理基板を反
応炉内で処理した後、反応炉内から処理済基板をアンロ
ードした状態で、反応炉内を成膜温度よりも低い温度と
なる様温度降下させてガスパージする様構成した半導体
製造装置に係り、又前記温度降下させた後、次に処理す
る基板を反応炉内へロードする迄の間に、反応炉内を温
度上昇させる様にした半導体製造装置に係るものであ
る。
【００２２】本発明では反応炉内に被処理基板のない状
態で、反応炉内を温度降下させ、反応炉内に付着した反
応副生成物堆積膜の応力を増大させ、堆積膜に強制的に
亀裂を発生させ、亀裂発生時に生じる微細パーティクル
をガスパージにより強制的に排出する。
態で、反応炉内を温度降下させ、反応炉内に付着した反
応副生成物堆積膜の応力を増大させ、堆積膜に強制的に
亀裂を発生させ、亀裂発生時に生じる微細パーティクル
をガスパージにより強制的に排出する。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００２４】本発明に係る装置の構成としては、図３と
同様であるので構成の説明については省略し、図１によ
り以下説明する。
同様であるので構成の説明については省略し、図１によ
り以下説明する。
【００２５】以下、ウェーハ処理について説明する。
【００２６】反応室の予備室としての前記ロードロック
室１、図示しない基板移載室が例えば大気圧に保持さ
れ、前記ボート１０が降下状態で、図示しない基板移載
機により該ボート１０に所定枚数のウェーハ１１が装填
される。この状態では前記反応炉２は気密に閉塞されて
おり、前記ボート１０へのウェーハ１１の装填と並行し
て反応炉２内への不活性ガス、例えばＮ2 導入による真
空破壊即ち反応炉２内の大気圧復帰が行われると共に前
記反応炉２内が成膜温度迄加熱上昇される。
室１、図示しない基板移載室が例えば大気圧に保持さ
れ、前記ボート１０が降下状態で、図示しない基板移載
機により該ボート１０に所定枚数のウェーハ１１が装填
される。この状態では前記反応炉２は気密に閉塞されて
おり、前記ボート１０へのウェーハ１１の装填と並行し
て反応炉２内への不活性ガス、例えばＮ2 導入による真
空破壊即ち反応炉２内の大気圧復帰が行われると共に前
記反応炉２内が成膜温度迄加熱上昇される。
【００２７】前記反応炉２内が成膜温度に達すると、図
示しないボートエレベータによりボート１０が上昇さ
れ、該ボート１０が反応炉２内にロードされる。ロード
した後、前記排気装置９により内部が真空排気され、反
応ガスが前記ガス導入ライン７，８より導入され、ウェ
ーハ１１に成膜処理がなされる。
示しないボートエレベータによりボート１０が上昇さ
れ、該ボート１０が反応炉２内にロードされる。ロード
した後、前記排気装置９により内部が真空排気され、反
応ガスが前記ガス導入ライン７，８より導入され、ウェ
ーハ１１に成膜処理がなされる。
【００２８】成膜処理完了後、前記反応炉２内を不活性
ガス（例えばＮ2 ）導入により大気圧に復帰させ、ロー
ドロック室１内の圧力と略同圧にした後、図示しないボ
ートエレベータにより前記ウェーハ１１を降下しロード
ロック室１内にアンロードする。
ガス（例えばＮ2 ）導入により大気圧に復帰させ、ロー
ドロック室１内の圧力と略同圧にした後、図示しないボ
ートエレベータにより前記ウェーハ１１を降下しロード
ロック室１内にアンロードする。
【００２９】該ロードロック室１内で、前記ウェーハ１
１を冷却する。このウェーハ１１の冷却と並行して、前
記反応炉２内を気密に閉塞し、真空排気しつつ炉内温度
を所定温度低下させる。この所定温度低下については、
前記ボート１０を前記反応炉２内にロードする場合に炉
内の温度低下があるが、前記所定温度低下は成膜温度よ
りも低い温度となる様少なくとも前記ボート１０のロー
ド時の温度低下より大きく設定する。
１を冷却する。このウェーハ１１の冷却と並行して、前
記反応炉２内を気密に閉塞し、真空排気しつつ炉内温度
を所定温度低下させる。この所定温度低下については、
前記ボート１０を前記反応炉２内にロードする場合に炉
内の温度低下があるが、前記所定温度低下は成膜温度よ
りも低い温度となる様少なくとも前記ボート１０のロー
ド時の温度低下より大きく設定する。
【００３０】該ロードロック室１内での前記ウェーハ１
１の冷却が完了すると、図示しない基板移載機により、
前記ウェーハ１１をボート１０から払出す。又、前記反
応炉２内を低温（上記温度迄降下させた状態）の状態
で、前記反応炉２内に不活性ガス（例えばＮ2 ）を少量
導入しつつ排気してガスパージする。
１の冷却が完了すると、図示しない基板移載機により、
前記ウェーハ１１をボート１０から払出す。又、前記反
応炉２内を低温（上記温度迄降下させた状態）の状態
で、前記反応炉２内に不活性ガス（例えばＮ2 ）を少量
導入しつつ排気してガスパージする。
【００３１】払出しが完了すると、次に処理する為の未
処理ウェーハが前記ボート１０に装填される。このウェ
ーハ装填動作と並行して不活性ガス（例えばＮ2 ）を導
入し、前記反応炉２の大気圧復帰を行うと共に前記反応
炉２内を成膜温度迄上昇させ、ボートロードの準備がな
される。而して、次の処理が続行される。
処理ウェーハが前記ボート１０に装填される。このウェ
ーハ装填動作と並行して不活性ガス（例えばＮ2 ）を導
入し、前記反応炉２の大気圧復帰を行うと共に前記反応
炉２内を成膜温度迄上昇させ、ボートロードの準備がな
される。而して、次の処理が続行される。
【００３２】上記ウェーハ処理に於いて、ボートアンロ
ード後反応炉２を気密に閉塞した状態で、前記反応炉２
内を真空排気し、更に炉内温度を成膜温度よりも低い所
定温度迄低下させている。斯かる温度降下処理をするこ
とで、前記反応炉２内面の反応副生成物堆積膜に積極的
に熱応力を発生させる。特に、この状況に於ける前記所
定温度迄の温度低下は、ロード時の温度低下より大きく
設定してあることから、堆積膜に発生する応力はボート
ロード時よりも当然大きくなる。而して、前記ボートア
ンロード状態で堆積膜に積極的に亀裂を発生させる。更
に、反応炉２内をガスパージすることで、亀裂発生によ
り飛散した微細パーティクルは反応炉２外に排出され
る。
ード後反応炉２を気密に閉塞した状態で、前記反応炉２
内を真空排気し、更に炉内温度を成膜温度よりも低い所
定温度迄低下させている。斯かる温度降下処理をするこ
とで、前記反応炉２内面の反応副生成物堆積膜に積極的
に熱応力を発生させる。特に、この状況に於ける前記所
定温度迄の温度低下は、ロード時の温度低下より大きく
設定してあることから、堆積膜に発生する応力はボート
ロード時よりも当然大きくなる。而して、前記ボートア
ンロード状態で堆積膜に積極的に亀裂を発生させる。更
に、反応炉２内をガスパージすることで、亀裂発生によ
り飛散した微細パーティクルは反応炉２外に排出され
る。
【００３３】ボートロード時に低温で熱容量の大きいボ
ートの影響により前記反応炉２内の温度は降下するが、
前記ボートアンロード後の温度降下に於ける炉内温度よ
りも温度降下は少なく、堆積膜に発生する応力も小さい
ので、ボートロード時に前記堆積膜に新たな亀裂が発生
することが避けられる。更に又、温度が高くなると前記
堆積膜の応力は減少することが分かっており、成膜処理
時には堆積膜の応力が低減する状態となるので、成膜処
理時には新たな亀裂の発生の可能性は更に低くなる。
ートの影響により前記反応炉２内の温度は降下するが、
前記ボートアンロード後の温度降下に於ける炉内温度よ
りも温度降下は少なく、堆積膜に発生する応力も小さい
ので、ボートロード時に前記堆積膜に新たな亀裂が発生
することが避けられる。更に又、温度が高くなると前記
堆積膜の応力は減少することが分かっており、成膜処理
時には堆積膜の応力が低減する状態となるので、成膜処
理時には新たな亀裂の発生の可能性は更に低くなる。
【００３４】而して、堆積膜の亀裂を事前に発生させ、
亀裂発生に伴う、微細パーティクルをボートロード時前
に強制的に排出するので、微細パーティクルのない状態
でウェーハ処理が行われる。
亀裂発生に伴う、微細パーティクルをボートロード時前
に強制的に排出するので、微細パーティクルのない状態
でウェーハ処理が行われる。
【００３５】堆積膜亀裂により発生するパーティクルを
除去することができるので、反応炉２の洗浄は、堆積膜
が剥離する状態前に行えばよい。従って、反応炉２の洗
浄時期の間隔を大幅に延長することができる。
除去することができるので、反応炉２の洗浄は、堆積膜
が剥離する状態前に行えばよい。従って、反応炉２の洗
浄時期の間隔を大幅に延長することができる。
【００３６】更に、従来のバッチ処理に付加される工
程、即ちボートロード前に反応炉２内の炉内温度を成膜
温度迄上昇させること、ボートアンロード後の反応炉２
内の炉内温度の降下については、それぞれボート１０に
対するウェーハ払出し／装填作業、ロードロック室１内
でのウェーハ冷却作業時に並行して行われるので、バッ
チ処理時間については、従来のものと比較して長くなる
ことはない。
程、即ちボートロード前に反応炉２内の炉内温度を成膜
温度迄上昇させること、ボートアンロード後の反応炉２
内の炉内温度の降下については、それぞれボート１０に
対するウェーハ払出し／装填作業、ロードロック室１内
でのウェーハ冷却作業時に並行して行われるので、バッ
チ処理時間については、従来のものと比較して長くなる
ことはない。
【００３７】尚、上記実施の形態に於いては、反応炉２
からのボートアンロード後、ロードロック室１内でウェ
ーハ１１を冷却する際に並行して、反応炉２内を真空排
気し温度降下させ、ウェーハ１１冷却完了後ウェーハ１
１をボート１０から払出す様に反応炉２内をガスパージ
し、ボート１０からのウェーハ１１払出しが完了後、次
に処理するウェーハ１１をボート１０に装填する際に、
反応炉２内を大気圧へ復帰させると共に成膜温度迄温度
上昇させるとしているが、要は、前記反応炉２の温度降
下、ガスパージ、及び成膜温度への温度上昇等は、反応
炉２からのボートアンロード後、次に処理するウェーハ
１１のボートロード迄の間に行えばよいことは勿論であ
る。
からのボートアンロード後、ロードロック室１内でウェ
ーハ１１を冷却する際に並行して、反応炉２内を真空排
気し温度降下させ、ウェーハ１１冷却完了後ウェーハ１
１をボート１０から払出す様に反応炉２内をガスパージ
し、ボート１０からのウェーハ１１払出しが完了後、次
に処理するウェーハ１１をボート１０に装填する際に、
反応炉２内を大気圧へ復帰させると共に成膜温度迄温度
上昇させるとしているが、要は、前記反応炉２の温度降
下、ガスパージ、及び成膜温度への温度上昇等は、反応
炉２からのボートアンロード後、次に処理するウェーハ
１１のボートロード迄の間に行えばよいことは勿論であ
る。
【００３８】又、前記成膜温度迄の温度上昇について
は、ボートロード時の温度低下の影響が小さい場合、即
ち、低下する温度幅が小さい場合や、温度低下してもパ
ーティクルの発生が少ない場合は、ボートロード後に行
っても構わない。
は、ボートロード時の温度低下の影響が小さい場合、即
ち、低下する温度幅が小さい場合や、温度低下してもパ
ーティクルの発生が少ない場合は、ボートロード後に行
っても構わない。
【００３９】又、成膜温度迄上昇させなくても、ボート
ロード時に温度低下を生じた際の炉内温度が前記ボート
１０アンロード後に温度降下させた際の炉内温度以上と
なる様な温度に上昇させればよい。
ロード時に温度低下を生じた際の炉内温度が前記ボート
１０アンロード後に温度降下させた際の炉内温度以上と
なる様な温度に上昇させればよい。
【００４０】又、上記実施の形態では、ボートロード
時、及びボートアンロード時に於いて、反応炉２内とロ
ードロック室１内を略同圧の大気圧としているが、略同
圧であれば低圧や真空状態でも構わない。その場合は、
大気圧下でウェーハ１１をボート１０に装填後、ロード
ロック室１を一旦真空排気し、その後不活性ガスを供給
して、ボートロード時に所定の圧力に保つ様にする。
時、及びボートアンロード時に於いて、反応炉２内とロ
ードロック室１内を略同圧の大気圧としているが、略同
圧であれば低圧や真空状態でも構わない。その場合は、
大気圧下でウェーハ１１をボート１０に装填後、ロード
ロック室１を一旦真空排気し、その後不活性ガスを供給
して、ボートロード時に所定の圧力に保つ様にする。
【００４１】又、上記実施の形態では、予備室としてロ
ードロック室を用いているが、ロードロック機能を持た
ない予備室の場合であってもよく、前記反応炉２に於け
るガスパージ手順は同じである。
ードロック室を用いているが、ロードロック機能を持た
ない予備室の場合であってもよく、前記反応炉２に於け
るガスパージ手順は同じである。
【００４２】又、上記実施の形態では、ボートアンロー
ド後反応炉２内を真空排気し、更に温度降下させ、ボー
ト１０からのウェーハ１１払出し時に反応炉２内に不活
性ガスを導入しつつ排気してガスパージを行う様にして
いるが、前記真空排気とガスパージは一体の動作として
行っても構わない。即ち、ボートアンロード後、次にボ
ートロードする迄の間、反応炉２内に不活性ガスを少量
導入しつつ排気を続行する。この時、不活性ガス導入量
を排気量より小さく設定することにより真空排気とガス
パージが連続的に一体動作として行われる。
ド後反応炉２内を真空排気し、更に温度降下させ、ボー
ト１０からのウェーハ１１払出し時に反応炉２内に不活
性ガスを導入しつつ排気してガスパージを行う様にして
いるが、前記真空排気とガスパージは一体の動作として
行っても構わない。即ち、ボートアンロード後、次にボ
ートロードする迄の間、反応炉２内に不活性ガスを少量
導入しつつ排気を続行する。この時、不活性ガス導入量
を排気量より小さく設定することにより真空排気とガス
パージが連続的に一体動作として行われる。
【００４３】又、前記温度降下はガスパージと並行、或
は先行して行っても構わない。
は先行して行っても構わない。
【００４４】又前記ガスパージ時に反応炉２内に不活性
ガスを導入しつつ排気する様にしているが、ウェーハア
ンロード後、反応炉２を温度降下させ、反応炉２内を不
活性ガスで充填した後、不活性ガスの導入を停止した状
態で真空排気することを繰返してガスパージする様にし
てもよい。
ガスを導入しつつ排気する様にしているが、ウェーハア
ンロード後、反応炉２を温度降下させ、反応炉２内を不
活性ガスで充填した後、不活性ガスの導入を停止した状
態で真空排気することを繰返してガスパージする様にし
てもよい。
【００４５】
【実施例】次に、シリコンウェーハにＳｉＮ膜、特に１
回に成膜する膜厚が１０００Å以上であるＳｉ3 Ｎ4 膜
を生成する場合について説明する。
回に成膜する膜厚が１０００Å以上であるＳｉ3 Ｎ4 膜
を生成する場合について説明する。
【００４６】反応ガスはＤＣＳ，ＮＨ3 、炉内の成膜処
理温度は、７５０℃〜８００℃であり、温度降下処理の
温度降下は１００℃〜１５０℃、この温度降下は、従来
のボートロード時に成膜処理温度に対する温度降下が７
０℃であることから設定されている。尚、温度降下は亀
裂発生には大きな値がよいが、大きく温度を低下させる
と成膜温度迄に上昇させる時間が長くなり、スループッ
トが低下する。温度降下を１００℃〜１５０℃程度とす
ることで、従来に比べ処理時間を長くすることなく、充
分な効果が得られている。
理温度は、７５０℃〜８００℃であり、温度降下処理の
温度降下は１００℃〜１５０℃、この温度降下は、従来
のボートロード時に成膜処理温度に対する温度降下が７
０℃であることから設定されている。尚、温度降下は亀
裂発生には大きな値がよいが、大きく温度を低下させる
と成膜温度迄に上昇させる時間が長くなり、スループッ
トが低下する。温度降下を１００℃〜１５０℃程度とす
ることで、従来に比べ処理時間を長くすることなく、充
分な効果が得られている。
【００４７】ウェーハに付着したパーティクルの数につ
いて図２により説明する。
いて図２により説明する。
【００４８】成膜処理後に０．１６μｍ以上のパーティ
クルがウェーハに付着した数を示してあり、図中Ａで示
す範囲が、本発明を実施していない状態、Ｂで示す範囲
が本発明を実施した状態を示している。
クルがウェーハに付着した数を示してあり、図中Ａで示
す範囲が、本発明を実施していない状態、Ｂで示す範囲
が本発明を実施した状態を示している。
【００４９】本発明を実施しない状態では、堆積膜厚が
１μｍを越えるとパーティクルの数は急激に増え、２０
０個を遙かに越えた値となる。ところが、本発明を実施
すると、堆積膜厚が３μｍを越えた状態でもパーティク
ルの付着数は５０個以下となる。実験では堆積膜厚が
３．６μｍ迄パーティクルの付着数は５０個以下である
ことが確認されている。本実施例の場合、１回のバッチ
処理で堆積する膜厚は０．１５μｍであり、従って、従
来例では７回程度の連続バッチ処理回数であったのが、
本発明を実施することで２４回程度の連続バッチ処理が
可能となる。
１μｍを越えるとパーティクルの数は急激に増え、２０
０個を遙かに越えた値となる。ところが、本発明を実施
すると、堆積膜厚が３μｍを越えた状態でもパーティク
ルの付着数は５０個以下となる。実験では堆積膜厚が
３．６μｍ迄パーティクルの付着数は５０個以下である
ことが確認されている。本実施例の場合、１回のバッチ
処理で堆積する膜厚は０．１５μｍであり、従って、従
来例では７回程度の連続バッチ処理回数であったのが、
本発明を実施することで２４回程度の連続バッチ処理が
可能となる。
【００５０】尚、上記実施の形態ではバッチ式の半導体
製造装置について説明したが、ボートを用いない枚葉式
の半導体製造装置に於いても「ボート」を「ウェーハ」
に置換えることにより実施可能であることは勿論であ
り、又バッチ式の半導体製造装置であってもロードロッ
ク室を具備しない半導体製造装置に於いても実施可能で
あることは言う迄もない。
製造装置について説明したが、ボートを用いない枚葉式
の半導体製造装置に於いても「ボート」を「ウェーハ」
に置換えることにより実施可能であることは勿論であ
り、又バッチ式の半導体製造装置であってもロードロッ
ク室を具備しない半導体製造装置に於いても実施可能で
あることは言う迄もない。
【００５１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、成膜処
理前に反応炉内の反応副生成堆積膜に強制的に亀裂を発
生させ、亀裂発生に伴う微細パーティクルを排出するの
で、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制で
き、高品質の成膜処理が行え、又堆積膜が剥離する前に
反応炉の洗浄を実施すればよいので洗浄時期の間隔が長
くなり、保守性が向上すると共に稼働率が向上し、又従
来に比較し処理時間も長くなることはない等の優れた効
果を発揮する。
理前に反応炉内の反応副生成堆積膜に強制的に亀裂を発
生させ、亀裂発生に伴う微細パーティクルを排出するの
で、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制で
き、高品質の成膜処理が行え、又堆積膜が剥離する前に
反応炉の洗浄を実施すればよいので洗浄時期の間隔が長
くなり、保守性が向上すると共に稼働率が向上し、又従
来に比較し処理時間も長くなることはない等の優れた効
果を発揮する。
【図１】本発明の半導体素子の製造方法の工程図を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】堆積膜厚とウェーハに対するパーティクル付着
との関係を示す線図である。
との関係を示す線図である。
【図３】半導体製造装置の概略説明図である。
【図４】従来の半導体素子の製造方法の工程図を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１ ロードロック室 ２ 反応炉 ７ ガス導入ライン ８ ガス導入ライン ９ 排気装置 １０ ボート １１ ウェーハ １３ 真空排気装置
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA06 AA13 BA38 BA40 DA06 EA11 GA12 GA13 JA01 JA09 JA10 LA15 5F045 AA06 AB33 AC05 AC12 AC15 AD11 AD12 AE01 BB08 BB15 DP19 EB08 EB12 EB17 EE14 EG01 EG06 EN05 GB05
Claims (11)
- 【請求項１】 被処理基板に成膜を行う反応炉内から基
板をアンロードした状態で、反応炉内を成膜温度よりも
低い温度に温度降下させ、ガスパージすることを特徴と
する半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記温度降下及びガスパージの工程は、
処理済基板を反応炉内からアンロードした後、次に処理
する基板をロードする迄の間に行う請求項１の半導体素
子の製造方法。 - 【請求項３】 前記温度降下は、被処理基板を反応炉に
ロードする際に生じる温度降下以上の降下分とした請求
項２の半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記温度降下させた後、次に処理する基
板を反応炉内へロードする迄の間に、反応炉内を温度上
昇させる工程を有する請求項２の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記温度上昇時の反応炉内の温度は、次
に処理をする基板を反応炉内へロードする際の反応炉内
の温度が前記温度降下時の温度以上となる様にした請求
項４の半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 複数の被処理基板をボートに装填した状
態で反応炉内でバッチ処理した後、ボートを反応炉内か
らアンロードして、処理済基板をボートから取出し、次
に処理する未処理基板をボートへ装填して、再び反応炉
内へロードする迄の間に、前記反応炉内の温度降下、ガ
スパージ、及び温度上昇を行う様にした請求項４の半導
体素子の製造方法。 - 【請求項７】 ボートを反応炉から予備室へアンロード
した後、予備室内でボート上の処理済基板を冷却し、ボ
ートから処理済基板を取出す過程に於いて、反応炉内を
温度降下させると共に真空排気を行ってガスパージし、
その後予備室内で次に処理する未処理基板をボートに装
填する過程に於いて、反応炉内の温度を上昇させると共
に反応炉内を予備室と略同圧にする様にした請求項６の
半導体素子の製造方法。 - 【請求項８】 成膜時の膜厚が１０００Å以上である窒
化膜の成膜工程に於ける請求項６の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項９】 前記ガスパージの方法が反応炉内に不活
性ガスを少量導入しつつ真空排気を行う請求項１〜請求
項８の内いずれかの半導体素子の製造方法。 - 【請求項１０】 被処理基板に成膜処理を行う反応炉
と、反応ガス導入、排気手段と、反応炉内をガスパージ
する為の不活性ガス導入手段と、反応炉内の温度を制御
する温度制御手段とを具備し、被処理基板を反応炉内で
処理した後、反応炉内から処理済基板をアンロードした
状態で、反応炉内を成膜温度よりも低い温度となる様温
度降下させてガスパージする様構成したことを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項１１】 前記温度降下させた後、次に処理する
基板を反応炉内へロードする迄の間に、反応炉内を温度
上昇させる様にした請求項１０の半導体製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11301999A JP3818480B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
| TW089107447A TW509963B (en) | 1999-04-21 | 2000-04-20 | Method for manufacturing a semiconductor device and device for manufacturing a semiconductor |
| KR10-2000-0020954A KR100366931B1 (ko) | 1999-04-21 | 2000-04-20 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 |
| US09/556,160 US6573178B1 (en) | 1999-04-21 | 2000-04-21 | Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11301999A JP3818480B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306904A true JP2000306904A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3818480B2 JP3818480B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=14601412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11301999A Expired - Lifetime JP3818480B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6573178B1 (ja) |
| JP (1) | JP3818480B2 (ja) |
| KR (1) | KR100366931B1 (ja) |
| TW (1) | TW509963B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005029566A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| WO2005050725A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| KR100499211B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2005-07-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| US7416978B2 (en) | 2004-12-09 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, film forming system and recording medium |
| JP2009272367A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2011066106A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| WO2011079699A1 (zh) * | 2009-12-29 | 2011-07-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 去除工艺过程中产生的薄膜污染物的方法及pecvd系统 |
| JP2013138217A (ja) * | 2013-02-01 | 2013-07-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 |
| JP2014143421A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 |
| US9111748B2 (en) | 2012-09-26 | 2015-08-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer readable recording medium |
| CN110318038A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-10-11 | 江苏华恒新能源有限公司 | 一种用于真空镀膜腔体内配件分离沉积膜层的方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576568B2 (en) * | 2000-04-04 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations |
| JP2005333090A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Sumco Corp | Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法 |
| US7910494B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-03-22 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing furnace, gas delivery system therefor, and methods for delivering a process gas thereto |
| JP4844261B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
| JP2010140947A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| CN109585267B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-12-01 | 住友电气工业株式会社 | 氮化硅膜的形成方法 |
| JP6946989B2 (ja) | 2017-12-06 | 2021-10-13 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素パッシベーション膜の成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN110473783B (zh) * | 2019-08-20 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 颗粒控制方法 |
| CN111809165A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-10-23 | 上海华力微电子有限公司 | 沉积设备的清洁方法 |
| KR102525514B1 (ko) * | 2021-01-28 | 2023-04-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 반응성 미세입자의 발생을 억제하는 에피택셜 성장장치 및 에피택셜 성장방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2921945B2 (ja) | 1990-08-31 | 1999-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JPH05190470A (ja) | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ｃｖｄ装置の微粒子捕獲方法および捕獲装置 |
| US5637153A (en) * | 1993-04-30 | 1997-06-10 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning reaction tube and exhaustion piping system in heat processing apparatus |
| JP3476638B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2003-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｃｖｄ成膜方法 |
-
1999
- 1999-04-21 JP JP11301999A patent/JP3818480B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-20 KR KR10-2000-0020954A patent/KR100366931B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-20 TW TW089107447A patent/TW509963B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-04-21 US US09/556,160 patent/US6573178B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499211B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2005-07-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| JP2010109387A (ja) * | 2003-09-19 | 2010-05-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JPWO2005029566A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2007-11-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| WO2005029566A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2009135541A (ja) * | 2003-09-19 | 2009-06-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US8636882B2 (en) | 2003-09-19 | 2014-01-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Producing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| US8231731B2 (en) | 2003-09-19 | 2012-07-31 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP2010098331A (ja) * | 2003-09-19 | 2010-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US7955991B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-06-07 | Hitachi Kokussai Electric Inc. | Producing method of a semiconductor device using CVD processing |
| WO2005050725A1 (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| KR100802990B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2008-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체장치의 제조 방법 및 기판처리장치 |
| US7494941B2 (en) | 2003-11-20 | 2009-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device, and substrate processing apparatus |
| US7416978B2 (en) | 2004-12-09 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, film forming system and recording medium |
| US7713354B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-05-11 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, film forming system and recording medium |
| KR100921259B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2009-10-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 및 성막 장치 및 기억 매체 |
| JP2009272367A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2011066106A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| WO2011079699A1 (zh) * | 2009-12-29 | 2011-07-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 去除工艺过程中产生的薄膜污染物的方法及pecvd系统 |
| US9111748B2 (en) | 2012-09-26 | 2015-08-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer readable recording medium |
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