JP2000307194A - 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化物半導体レーザ素子の共振面側を研削に
より仕上げる際、その研削量及び研削角度をサブミクロ
ン精度にまで制御することにより高精度な窒化物半導体
レーザ素子およびその製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 基板１０の上に窒化物半導体層（ｎ型窒
化物半導体層１１・活性層１２・ｐ型窒化物半導体層１
３）を成長させ、窒化物半導体レーザ素子の第１の共振
面５１側の端部の研削面３３周縁であって、窒化物半導
体層の一部が除去されることにより露出したｎ型窒化物
半導体層１１の表面１１ａ側に研削量に応じて研削面３
３の寸法が変化するマーカ４１〜４４を配置し、マーカ
４１〜４４の研削量又は研削角度を検出することにより
窒化物半導体レーザ素子の研削面３３の研削量及び研削
角度を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体（Ｉ
ｎ_X Ａｌ_Y Ｇａ_1-X-Y Ｎ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦
１）よりなる窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒
化物半導体レーザ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に化合物半導体よりなるレーザ素子
には、活性層の光を半導体層内部で共振させるための共
振面が必要である。現在実用化されている赤外、赤色等
の長波長発光半導体レーザ素子は、例えばＧａＡｌＡ
ｓ、ＧａＡｌＡｓＰ、ＧａＡｌＩｎＰ等の材料よりな
り、これらの材料はＧａＡｓ基板の上に成長される。Ｇ
ａＡｓは材料自体に劈開性があるので、前記長波長半導
体レーザ素子の共振面はこのＧａＡｓ基板の劈開性を利
用した劈開面とされることが多い。

【０００３】ところで、窒化物半導体は、例えばサファ
イア（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）のような劈開性を有しない基板の上
に成長されることが多いため、基板を劈開して窒化物半
導体の劈開面を共振面とすることは難しい。一方、エッ
チングにより窒化物半導体の共振面を形成する方法もあ
るが、エッチングにより共振面を形成した後、基板を分
割すると、共振面から突出した基板の一部が出射光を反
射、及び透過させるため、出射レーザ光が様々な方向に
散乱されてしまう。このような散乱が生じるとレンズと
の結合が難しくなるため、レーザビームプリンタや光デ
ィスクなどの種々のレーザ応用装置への適用が困難とな
る。

【０００４】そこで、特開平９−２２３８４４号公報に
おいて、基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その
窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されて
おり、さらに前記共振面から出射されるレーザ光が、共
振面よりも突出した基板を含む部分に遮られないように
されている窒化物半導体レーザ素子が開示されている。

【０００５】また、特開平９−２２３８４４号公報によ
れば、窒化物半導体レーザ素子の共振面より突出した基
板を含む部分の一部、若しくは全部を除去する手段とし
て、ラッピング、切断またはエッチングする手段より選
択されたいずれか一つの手段であることが開示されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平９−
２２３８４４号公報に開示されている窒化物半導体レー
ザ素子の製造方法によれば、窒化物半導体レーザ素子の
共振面より突出した基板を含む部分を除去する際、その
除去量に対して何の基準もなく除去してもミクロン精度
に除去面を仕上げることは難しい。

【０００７】レーザ光の散乱を防止するには、共振面の
加工を１μｍ程度の精度で行う必要があるが、上記従来
の方法によると基板の除去面が共振面に対して斜めにな
ってしまう場合がある。そして、共振面に対して斜めに
突出部分を除去すると誤って共振面を傷つけてしまうこ
ともある。

【０００８】そこで、本発明においては、窒化物半導体
レーザ素子の共振面側を研削により仕上げる際、その研
削量及び研削角度をミクロン精度にまで制御することに
より実用に適した窒化物半導体レーザ素子を得ることを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板の上に窒
化物半導体層を成長させ同窒化物半導体層の一部を除去
して共振器を形成した窒化物半導体レーザ素子の共振面
側の基板と同基板上の窒化物半導体層を研削仕上げする
に際して、研削量に応じて研削面寸法が変化するマーカ
を窒化物半導体レーザ素子の前記共振面側の端部に配置
し、前記マーカの研削面寸法を検出して前記基板と同基
板上の窒化物半導体層の研削量及び研削角度を制御する
ことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法と
したものである。

【００１０】これにより、窒化物半導体レーザ素子の共
振面側の基板と基板上の窒化物半導体層の研削量及び研
削角度をミクロン精度にまで制御することが可能とな
り、研削面が不意に斜めになったり、必要以上に研削さ
れたりして共振面を損傷することがなく、意のままに高
精度な研削面が得られるようになる。

【００１１】

【発明の実施の形態】請求項１記載の発明は、基板の上
に窒化物半導体層を成長させ同窒化物半導体層の一部を
除去して共振器を形成した窒化物半導体レーザ素子の共
振面側の基板と同基板上の窒化物半導体層を研削仕上げ
するに際して、研削量に応じて研削面寸法が変化するマ
ーカを窒化物半導体レーザ素子の前記共振面側の端部に
配置し、前記マーカの研削面寸法を検出して前記基板と
同基板上の窒化物半導体層の研削量及び研削角度を制御
することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方
法としたものである。これにより、研削量に対してより
大きな単位で変化するマーカの研削面寸法によって研削
量を検出することが可能となるため、窒化物半導体レー
ザ素子の共振面側の基板と基板上の窒化物半導体層の研
削量及び研削角度をミクロン精度にまで制御することが
可能となり、研削面が不意に斜めになったり、必要以上
に研削されたりして共振面を損傷することがなく、意の
ままに高精度な研削面が得られるようになる。

【００１２】請求項２記載の発明は、前記研削仕上げ
が、前記共振面よりも突出した部分についてのみ行われ
る請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法と
したものである。これにより、共振面より発するレーザ
光が、基板上の窒化物半導体層の一部が除去された面、
すなわち窒化物半導体レーザ素子の共振面よりも突出し
た部分に干渉しないようにミクロンの高精度に仕上げら
れた窒化物半導体レーザ素子が得られる。こうして得ら
れた窒化物半導体レーザ素子は、共振面から突出した部
分に共振面より発するレーザ光が干渉しないため、出射
レーザ光が散乱することがない。

【００１３】請求項３記載の発明は、前記研削仕上げ
が、前記共振面を含めて行われる請求項１記載の窒化物
半導体レーザ素子の製造方法としたものである。窒化物
半導体レーザ素子の共振面側の端部に配置したマーカの
研削量または研削角度によって、窒化物半導体レーザ素
子の研削量及び研削角度を制御して共振面を形成すれ
ば、共振面をミクロンの高精度に研削することが可能と
なり、共振面を基板に対して垂直かつ鏡面状態に形成す
ることが可能となる。

【００１４】請求項４記載の発明は、前記研削仕上げ
が、前記基板の表面と研削面とのなす角度が９０°以下
となるように行われる請求項１または２記載の窒化物半
導体レーザ素子の製造方法としたものである。これによ
り、研削角度が少々ずれた場合であっても基板表面側に
ある共振面を損傷する確率を減少させることが可能とな
る。

【００１５】請求項５記載の発明は、前記マーカを、研
削面の周縁に間隔をおいて複数個配置した請求項１から
４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方
法としたものである。窒化物半導体レーザ素子の共振面
側の端部の研削面の周縁にマーカを複数個形成し、この
複数個のマーカのそれぞれの研削量を比較することによ
って、簡単にその研削角度を算出することが可能となる
ため、研削角度を制御して研削面が共振面と平行になる
ように形成することが容易となる。また、研削面の研削
角度を制御して最も研削しやすい角度で窒化物半導体レ
ーザ素子を加工することが可能となる。

【００１６】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１１を用いて説明する。

【００１７】（実施の形態１）図１は本発明の第１実施
の形態における窒化物半導体レーザ素子の斜視図であ
る。

【００１８】図１に示すように、本発明の第１実施の形
態における窒化物半導体レーザ素子は、サファイア製の
基板１０上に、厚み２μｍの窒化物半導体よりなるｎ型
窒化物半導体層１１と、厚み０．３μｍの窒化物半導体
よりなるｎ型光閉じこめ層（図示せず）と、厚み０．１
μｍの窒化物半導体よりなる活性層１２と、厚み０．３
μｍの窒化物半導体よりなるｐ型光閉じこめ層（図示せ
ず）と、厚み１μｍの窒化物半導体よりなるｐ型窒化物
半導体層１３とを順に成長させこれらの窒化物半導体層
の一部を除去して形成されたものであり、図１手前側の
第１の共振面５１及び図２奥側の第２の共振面５２を備
え、第１の共振面５１よりレーザ光を出射する共振器を
構成している。

【００１９】ｐ型窒化物半導体層１３の上部には厚み
０．５μｍのシリコン酸化膜よりなる絶縁物層（図示せ
ず）と、この絶縁物層の一部を除去してｐ型窒化物半導
体層１３の上部に形成された厚み０．０８μｍのニッケ
ル及び金製の第１の正電極２１（図３参照）と、絶縁物
層の上部に形成され第１の正電極２１に接続された厚み
０．３μｍの金製の第２の正電極２２とが配置されてい
る。一方、ｎ型窒化物半導体層１１の上部には負電極２
３が配置されている。

【００２０】窒化物半導体レーザ素子の第１の共振面５
１側の端部の後述する研削面３３周縁であって、窒化物
半導体層の一部が除去されることにより露出したｎ型窒
化物半導体層１１の表面１１ａ側には、研削量に応じて
研削面３３の寸法が変化するラップ用のマーカ４１，４
２が形成されている。窒化物半導体レーザ素子の第１の
共振面５１側の端部であって、基板１０の裏面１０ａ側
にも同様のマーカ４３，４４が第１の共振面５１側の端
部に形成されている。

【００２１】これらのマーカ４１〜４４を、窒化物半導
体レーザ素子の第１の共振面５１よりも突出した部分、
すなわちマーカ４１，４２とマーカ４３，４４とによっ
て挟まれた基板１０及びｎ型窒化物半導体層１１のうち
第１の共振面５１よりも突出した部分を第１の共振面５
１側から共にラップ加工により研削する。研削面３３周
縁のマーカ４１〜４４は研削量に応じて研削面３３の寸
法が変化するため、この研削面３３寸法を検出して突出
部分の研削量及び研削角度を制御する。

【００２２】こうしてマーカ４１〜４４から検出された
研削量または除去角度によって、窒化物半導体レーザ素
子の第１の共振面５１よりも突出した部分の研削量及び
研削角度を制御すれば、第１の共振面５１よりも突出し
た部分をミクロンの高精度に研削することが可能となる
ため、突出部分の研削面３３が不意に斜めになったり、
必要以上に研削されたりして第１の共振面５１を損傷す
ることがなく、研削面３３を第１の共振面５１と平行に
形成することが可能となる。

【００２３】これにより、第１の共振面５１より発する
レーザ光が、基板１０上の窒化物半導体層の一部が除去
された面、すなわち窒化物半導体レーザ素子の第１の共
振面５１よりも突出した部分に干渉しないようにミクロ
ンの高精度に仕上げられた窒化物半導体レーザ素子が得
られる。こうして得られた窒化半導体レーザ素子は、第
１の共振面５１から突出した部分にこの第１の共振面５
１より発するレーザ光が干渉しないため、出射レーザ光
が散乱することがない。

【００２４】次に、このような窒化物半導体レーザ素子
の製造方法について説明する。図２〜図４は本発明の第
１実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造方
法の説明図、図５は本発明の第１実施の形態における窒
化物半導体レーザ素子を示し、（ａ）は表面側からみた
斜視図、（ｂ）は裏面側からみた斜視図、図６は本発明
の第１実施の形態における窒化物半導体レーザ素子のマ
ーカ近辺の詳細を示す平面図、図７は本発明の第１実施
の形態における窒化物半導体レーザ素子のラップ加工に
ついての説明図であって、（ａ）は研削面側からみた窒
化物半導体レーザ素子の正面図、（ｂ）はラップ用ジグ
の斜視図、（ｃ）はラップ加工の様子を示す説明図であ
る。

【００２５】まず、図２（ａ）に示すように、サファイ
ア製基板１０上に、厚み２μｍの窒化物半導体よりなる
ｎ型窒化物半導体層１１と、厚み０．３μｍの窒化物半
導体よりなるｎ型光閉じこめ層（図示せず）と、厚み
０．１μｍの窒化物半導体よりなる活性層１２と、厚み
０．３μｍの窒化物半導体よりなるｐ型光閉じこめ層
（図示せず）と、厚み１μｍの窒化物半導体よりなるｐ
型窒化物半導体層１３とを順に結晶成長法により形成す
る。

【００２６】次に、図２（ｂ）に示すように、ｐ型窒化
物半導体層１３上に厚み０．５μｍのシリコン酸化膜よ
りなる絶縁物層１４を蒸着法により形成し、さらに絶縁
物層１４にフォトリソグラフィ法で共振器のパターンを
形成する。その後、図２（ｃ）に示すように、ｐ型窒化
物半導体層１３、ｐ型光閉じこめ層、活性層１２、ｎ型
光閉じこめ層およびｎ型窒化物半導体層１１の一部をド
ライエッチング法で除去してｎ型窒化物半導体層１１が
表面に露出した状態とする。さらに、ｎ型窒化物半導体
層１１を確実に露出させるため、０．２μｍの追加のド
ライエッチングを行う。この一連のドライエッチングで
絶縁物層１４は減膜し、厚みが０．３μｍとなる。

【００２７】そして、図３（ａ）に示すように、絶縁物
層１４にフォトリソグラフィ法で正電極とｐ型窒化物半
導体層１３の接続パターンを形成し、バファードフッ酸
により絶縁物層１４をウェットエッチング法で除去す
る。その後、上部に厚み０．０８μｍのニッケル及び金
よりなる第１の正電極２１を蒸着法で形成する。このと
き、窒化物半導体レーザ素子の第１の共振面５１側の端
部の研削面３３周縁であって、窒化物半導体層の一部が
除去されることにより露出したｎ型窒化物半導体層１１
の表面１１ａ側に、研削量に応じて研削面３３の寸法が
変化するそれぞれ同一形状のラップ用のマーカ４１，４
２を第１の正電極２１と同一材料にて形成する。この窒
化物半導体レーザ素子の第１の共振面５１よりも突出し
た部分のうち第１の共振面５１側の面が研削面３３とな
る。

【００２８】ここで、ラップ用のマーカ４１は、図６に
示すように、底辺４７が１００μｍ、高さＨが５０μ
ｍ、厚さが０．０８μｍ程度の二等辺三角柱であり、底
辺４７が第１の共振面５１と平行となるように配置され
ている。しかも、底辺４７から研削面３３側に５μｍの
位置が第１の共振面５１となるように形成しておく。こ
のような形状のマーカ４１は、研削面３３側から研削す
るときに、その研削量に対して研削面３３の幅の寸法が
徐々に大きくなるように変化する。このとき、マーカ４
１はミクロン精度（１μｍ程度）に形成する。

【００２９】なお、このラップ用のマーカ４１は正三角
形等の他の形状にしても良い。また、ラップ加工すると
その研削量に対して徐々にマーカ４１の研削される面の
幅の寸法が減少するように変化するような逆三角形とす
ることもできる。

【００３０】但し、マーカ４１は、光学顕微鏡で研削面
３３に垂直方向から測定するため、金属色の観察しやす
い光沢のある物質で形成するのが望ましい。これによ
り、マーカ４１は認識させやすく測定も容易となるた
め、加工精度が向上する。また、マーカ４１は垂直性を
出したい面やパターンと同時に形成する方が高精度に形
成されるため、マーカ４１は第１の正電極２１あるいは
第１の共振面５１と同一工程で形成するのがよい。

【００３１】さらに、図３（ｂ）に示すように、絶縁物
層１４上にフォトリソグラフィ法で第２の正電極２２の
パターンを形成し、絶縁物層１４とｐ型窒化物半導体層
１３の上に厚み０．３μｍの金よりなる第２の正電極２
２を蒸着法で形成する。同様に、図３（ｃ）に示すよう
に、ｎ型窒化物半導体層１１上にフォトリソグラフィ法
で負電極のパターンを形成し、ｎ型窒化物半導体層１１
上に厚み０．３μｍの金よりなる負電極２３を蒸着法で
形成する。

【００３２】また、図４（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、基板１０の裏面１０ａ側にも同様に、ｎ型窒化物半
導体層１１の表面１１ａ側のマーカ４１，４２の対称位
置にマーカ４１とそれぞれ同一形状のマーカ４３，４４
を形成する。なお、マーカ４３，４４はチタン等の付着
性の良い金属で形成されている。

【００３３】その後、図５（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、窒化物半導体レーザ素子の第１の共振面５１よりも
突出した部分、すなわちマーカ４１，４２とマーカ４
３，４４とによって挟まれた基板１０及びｎ型窒化物半
導体層１１のうち第１の共振面５１よりも突出した部分
を第１の共振面５１側から共にラップ加工により研削す
る。このとき、基板１０及びｎ型窒化物半導体層１１そ
れぞれの裏面１０ａ側及び表面１１ａ側に形成されたマ
ーカ４１〜４４も同時に研削加工され、ラップにより研
削される面、すなわち研削面３３側のマーカ４１〜４４
の幅の寸法が変化する。

【００３４】具体的には、上記のような底辺４７が１０
０μｍ、高さＨが５０μｍの二等辺三角形のマーカ４１
の場合、研削面３３側から１μｍラップ加工すると研削
面３３側から見たマーカ４１の長さは２μｍ長くなる。
そして、底辺４７から研削面３３側に５μｍの位置が第
１の共振面５１となるようにマーカ４１を配置しておい
た場合、マーカ４１の幅が８０μｍになるまで研削面３
３側からラップ加工すると第１の共振面５１の手前５μ
ｍの位置までラップ加工したことになる。

【００３５】このラップ加工は、図７（ａ）に示すよう
な窒化物半導体レーザ素子が連続して棒状に形成された
バー３１の研削面３３が、同図（ｂ）に示すようなラッ
プ用ジグ３０の裏面と平行になるように露出させて取り
付け、この研削面３３を同図（ｃ）に示すような回転す
るラップ盤３２上に接触させて回転させることによって
行われ、このラップ盤３２によって研削面３３が研削さ
れる。このとき、バー３１の両端に配置された４つのマ
ーカ４１，４３，４５，４６の幅が同じとなるように制
御し、これら４つのマーカ４１，４３，４５，４６の幅
がある一定の長さになった時点でラップ加工を停止す
る。

【００３６】もし、マーカ４１の幅が９０μｍになるま
でラップ加工すると第１の共振面５１と同一面までラッ
プ加工したことになり、さらに幅が１００μｍになるま
でラップ加工するとエッチングで形成した第１の共振面
５１を損傷することになる。したがって、マーカ４１の
幅が８０〜９０μｍになった時点でラップを停止すれば
第１の共振面５１まで５μｍ以下の最適な除去量とな
る。

【００３７】このような方法によって形成された研削面
３３は第１の共振面５１に対して平行となり、かつ基板
１０及びｎ型窒化物半導体層１１それぞれの裏面１０ａ
側及び表面１１ａ側の面に対して垂直になる。また、研
削量がマーカの幅の寸法で規定できるため、第１の共振
面５１から０〜５μｍ以内に精度良く加工することが可
能となる。なお、研削面３３をより鏡面に近くするため
に、この後ポリッシュ加工を施しても良い。最後に、窒
化物半導体レーザ素子のチップ化を行い、個々の窒化物
半導体レーザ素子が完成する。

【００３８】また、本実施の形態においては、基板１０
及びｎ型窒化物半導体層１１それぞれの裏面１０ａ側及
び表面１１ａ側にマーカ４１〜４６を複数個形成し、こ
の複数個のマーカ４１〜４６のそれぞれの研削量を比較
するようにしているため、簡単にその研削角度を算出す
ることが可能となり、研削角度を制御して研削面３３が
第１の共振面５１と平行になるように形成することが容
易となっている。

【００３９】（実施の形態２）図８及び図９は本発明の
第２実施の形態における窒化物半導体レーザ素子を示す
図であって、（ａ）は研削面側から見た正面図、（ｂ）
は右側面図である。

【００４０】第１実施の形態と同様の窒化物半導体レー
ザ素子に対して、図８に示すように、窒化物半導体レー
ザ素子のラップ加工時における研削角度θ（図９参
照）、すなわち基板の表面１１ａと研削面３３とのなす
角度を検出するには、マーカ４１〜４６の幅を測定すれ
ばよい。例えば、マーカ４１，４５が８０μｍ、マーカ
４３，４６が９０μｍであって、基板１０の厚みが４０
０μｍの場合、研削角度θは８９．３度と算出できる。
マーカ４１〜４６が８５μｍで同一幅の場合、研削角度
θは９０度である。また、マーカ４１，４３とマーカ４
５，４６の幅が異なる場合、バー３１は長手方向に傾い
ていることになる。

【００４１】一方、図９に示すように、ｎ型窒化物半導
体層１１の表面１１ａ側のマーカ４１，４２，４５と基
板１０の裏面１０ａ側のマーカ４３，４４，４６の幅が
異なる場合は、これら表面１１ａ側及び裏面１０ａ側の
マーカ４１〜４６の除去量を比較することによって、簡
単にｎ型窒化物半導体層１１の表面１１ａ側から基板１
０の裏面１０ａ側へ至る研削面３３の研削角度θを算出
することが可能となり、この研削面３３の研削角度θを
制御して最も除去しやすい研削角度で窒化物半導体レー
ザ素子を加工することが可能となる。

【００４２】特に、研削角度θが９０°以下となるよう
に制御してラップ加工するようにすると、窒化物半導体
レーザ素子の第１の共振面５１よりも突出した部分を削
る際、この研削角度θが少々ずれた場合であっても第１
の共振面５１を損傷する確率を減少させることが可能と
なり、ラップ加工をより安全に効率よく行うことが可能
となる。

【００４３】（実施の形態３）第３実施の形態において
は、第１及び第２実施の形態において説明したようなマ
ーカ４１〜４６と同様なマーカを用いて窒化物半導体レ
ーザ素子の共振面５１を形成する方法について説明す
る。図１０は本発明の第３実施の形態における窒化物半
導体レーザ素子のマーカ近辺の詳細を示す平面図、図１
１は本発明の第３実施の形態における窒化物半導体レー
ザ素子の製造方法の説明図である。

【００４４】まず、図２〜図４において説明したのと同
様にして、基板１０上に窒化物半導体層を成長させ、第
２の共振面５２をエッチングによって形成しておく。一
方、第１の共振面５１は、図１０に示すように、研削面
３３と同一面のままとしておくか、あるいはエッチング
によって形成しておいてもよい。

【００４５】そして、窒化物半導体レーザ素子の第一の
共振面５１側の端部に、基板１０及び窒化物半導体層
（ｎ型窒化物半導体層１１・ｎ型光閉じこめ層・活性層
１２・ｐ型光閉じこめ層・ｐ型窒化物半導体層１３）と
共に研削するためのマーカ４１〜４４を配置し、これら
のマーカ４１〜４４によって研削量または研削角度を検
出することにより基板１０及び窒化物半導体層の研削量
及び研削角度を制御して第１の共振面５１を含めて研削
仕上げを行う。

【００４６】このように窒化物半導体レーザ素子の共振
面５１側の端部に配置したマーカ４１〜４４の研削量ま
たは研削角度によって、基板１０及び窒化物半導体層の
研削量および研削角度を制御して第１の共振面５１を形
成すれば、第１の共振面５１をミクロン精度に除去する
ことが可能となり、第１の共振面５１を基板１０に対し
て垂直かつ鏡面状態に形成することが可能となる。その
結果得られた窒化物半導体レーザ素子は、第１の共振面
５１より発するレーザ光のビーム出射方向が基板１０水
平面に対して平行となり、安定したレーザ光を出力する
ことが可能となる。

【００４７】

【発明の効果】本発明により、以下の効果を奏すること
ができる。

【００４８】（１）請求項１記載の発明によって、窒化
物半導体レーザ素子の共振面側の基板と基板上の窒化物
半導体層の研削量及び研削角度をサブミクロン精度にま
で制御することが可能となり、研削面が不意に斜めにな
ったり、必要以上に研削されたりして共振面を損傷する
ことがなく、意のままに高精度な研削面が得られるよう
になる。

【００４９】（２）請求項２記載の発明によって、共振
面より発するレーザ光が基板上の窒化物半導体層の一部
が除去された面、すなわち窒化物半導体レーザ素子の共
振面よりも突出した部分に干渉しないようにサブミクロ
ンの高精度に仕上げられた窒化物半導体レーザ素子は、
その共振面より発するレーザ光のビーム出射方向が基板
上の窒化物半導体層の一部が除去された面に対して平行
となるため、安定したレーザ光を出力することが可能と
なる。

【００５０】（３）請求項３記載の発明によって、窒化
物半導体レーザ素子の共振面側の端部に配置したマーカ
の研削量または研削角度によって、窒化物半導体レーザ
素子の研削量及び研削角度を制御して共振面を形成すれ
ば、共振面をサブミクロンの高精度に研削することが可
能となり、共振面を基板に対して垂直かつ鏡面状態に形
成することが可能となる。こうして得られた窒化物半導
体レーザ素子は、共振面より発するレーザ光のビーム出
射方向が基板水平面に対して平行となり、安定したレー
ザ光を出力することが可能となる。

【００５１】（４）請求項４記載の発明によって、窒化
物半導体レーザ素子の共振面よりも突出した部分を削る
際、研削角度が少々ずれた場合であっても基板の表面側
にある共振面を損傷する確率を減少させることが可能と
なり、ラップ加工をより安全に効率よく行うことが可能
となる。

【００５２】（５）請求項５記載の発明によって、窒化
物半導体レーザ素子の共振面側の端部の研削面の周縁に
マーカを複数個形成し、この複数個のマーカのそれぞれ
の研削量を比較することによって、簡単にその研削角度
を算出することが可能となるため、研削角度を制御して
研削面が共振面と平行になるように形成することが容易
となる。また、研削面の研削角度を制御して最も研削し
やすい角度で窒化物半導体レーザ素子を加工することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の斜視図

【図２】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造方法の説明図

【図３】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造方法の説明図

【図４】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造方法の説明図

【図５】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子の製造方法の説明図

【図６】本発明の第１実施の形態における窒化物半導体
レーザ素子のマーカ近辺の詳細を示す平面図

【図７】（ａ）本発明の第１実施の形態における窒化物
半導体レーザ素子のラップ加工のおける研削面側からみ
た窒化物半導体レーザ素子の正面図 （ｂ）本発明の第１実施の形態における窒化物半導体レ
ーザ素子のラップ加工のおけるラップ用ジグの斜視図 （ｃ）本発明の第１実施の形態における窒化物半導体レ
ーザ素子のラップ加工のおけるラップ加工の様子を示す
説明図

【図８】（ａ）本発明の第２実施の形態における窒化物
半導体レーザ素子の研削面側から見た正面図 （ｂ）本発明の第２実施の形態における窒化物半導体レ
ーザ素子の右側面図

【図９】（ａ）本発明の第２実施の形態における窒化物
半導体レーザ素子の研削面側から見た正面図 （ｂ）本発明の第２実施の形態における窒化物半導体レ
ーザ素子の右側面図

【図１０】本発明の第３実施の形態における窒化物半導
体レーザ素子のマーカ近辺の詳細を示す平面図

【図１１】本発明の第３実施の形態における窒化物半導
体レーザ素子の製造方法の説明図

【符号の説明】

１０ 基板 １１ ｎ型窒化物半導体層 １２ 活性層 １３ ｐ型窒化物半導体層 １４ 絶縁膜層 ２１ 第１の正電極 ２２ 第２の正電極 ２３ 負電極 ３０ ラップ用ジグ ３１ バー ３２ ラップ盤 ３３ 研削面 ４１〜４６ マーカ ４７ 底辺 ５１ 第１の共振面 ５２ 第２の共振面

フロントページの続き (72)発明者 金子 信一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 矢野 振一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F073 CA17 CB05 DA35

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板の上に窒化物半導体層を成長させ同窒
   化物半導体層の一部を除去して共振器を形成した窒化物
   半導体レーザ素子の共振面側の基板と同基板上の窒化物
   半導体層を研削仕上げするに際して、研削量に応じて研
   削面寸法が変化するマーカを窒化物半導体レーザ素子の
   前記共振面側の端部に配置し、前記マーカの研削面寸法
   を検出して前記基板と同基板上の窒化物半導体層の研削
   量及び研削角度を制御することを特徴とする窒化物半導
   体レーザ素子の製造方法。
2. 【請求項２】前記研削仕上げが、前記共振面よりも突出
   した部分についてのみ行われる請求項１記載の窒化物半
   導体レーザ素子の製造方法。
3. 【請求項３】前記研削仕上げが、前記共振面を含めて行
   われる請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方
   法。
4. 【請求項４】前記研削仕上げが、前記基板の表面と研削
   面とのなす角度が９０°以下となるように行われる請求
   項１または２記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方
   法。
5. 【請求項５】前記マーカを、研削面の周縁に間隔をおい
   て複数個配置した請求項１から４のいずれかに記載の窒
   化物半導体レーザ素子の製造方法。
6. 【請求項６】基板の上に窒化物半導体層を成長させ同窒
   化物半導体層の一部を除去して共振器を形成し、さらに
   同共振器の少なくとも一方の共振面側の基板と同基板上
   の窒化物半導体層を研削仕上げした窒化物半導体レーザ
   素子であって、前記基板の表面と研削面とのなす角度が
   ９０°以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ
   素子。