JP2000307362A - マイクロ波増幅回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品 - Google Patents
マイクロ波増幅回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロ波増幅回路あるいはその部位単体の
低コスト化、性能安定化を図る。 【解決手段】 一枚の所定面積の誘電体基板２１上に実
装されたマイクロ波増幅回路において、上記マイクロ波
増幅回路のチョークパターン３と分配合成器４の各部位
に対応する上記誘電体基板２１の一部の誘電率を選択的
に他の部分より低く設定した。
低コスト化、性能安定化を図る。 【解決手段】 一枚の所定面積の誘電体基板２１上に実
装されたマイクロ波増幅回路において、上記マイクロ波
増幅回路のチョークパターン３と分配合成器４の各部位
に対応する上記誘電体基板２１の一部の誘電率を選択的
に他の部分より低く設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波増幅
回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品、特
に誘電体基板の誘電率の設定に関するものである。
回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品、特
に誘電体基板の誘電率の設定に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３は、従来のマイクロ波増幅回路の
一例を示す斜視図であり、同図において、互いに連結す
るように接続して成るたとえばセラミック等の各誘電体
基板２０の表面にはＲＦトランジスタ１、入力又は出力
の整合回路２、ＤＣカット用高周波チップコンデンサ
５、バイアス用チップコンデンサ６、ＲＦ終端器７、或
いは、例えばインタディジタルタイプの分配合成回路１
５等が実装されて、全体としてマイクロ波増幅回路を構
成している。
一例を示す斜視図であり、同図において、互いに連結す
るように接続して成るたとえばセラミック等の各誘電体
基板２０の表面にはＲＦトランジスタ１、入力又は出力
の整合回路２、ＤＣカット用高周波チップコンデンサ
５、バイアス用チップコンデンサ６、ＲＦ終端器７、或
いは、例えばインタディジタルタイプの分配合成回路１
５等が実装されて、全体としてマイクロ波増幅回路を構
成している。
【０００３】上記ＲＦトランジスタ１は入力ＲＦを増幅
して出力し、チップコンデンサ５はＲＦのみを通過さ
せ、チップコンデンサ６はバイアス回路を構成するもの
であってマイクロ波には特に関係するものではなく、Ｒ
Ｆ終端器７は終端器で反射されたＲＦを５０Ωで終端
し、吸収するものである。上記整合回路２は入出力間の
整合を行い、分配合成回路１５はマイクロ波を分配ある
いは合成するものである。従来技術によるマイクロ波増
幅回路はこのように、例えば、テフロン、ガラエポ、セ
ラミック、デュロイド、それ以上の高誘電体基板等より
成る単一基板２０に特定の回路部品を実装した上で、こ
の基板２０をそれぞれねじ止め等で固定しリボン接続等
を行う方法で高周波伝送路を構成していた。
して出力し、チップコンデンサ５はＲＦのみを通過さ
せ、チップコンデンサ６はバイアス回路を構成するもの
であってマイクロ波には特に関係するものではなく、Ｒ
Ｆ終端器７は終端器で反射されたＲＦを５０Ωで終端
し、吸収するものである。上記整合回路２は入出力間の
整合を行い、分配合成回路１５はマイクロ波を分配ある
いは合成するものである。従来技術によるマイクロ波増
幅回路はこのように、例えば、テフロン、ガラエポ、セ
ラミック、デュロイド、それ以上の高誘電体基板等より
成る単一基板２０に特定の回路部品を実装した上で、こ
の基板２０をそれぞれねじ止め等で固定しリボン接続等
を行う方法で高周波伝送路を構成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マイクロ波増幅回路は一体化基板回路設計において、高
誘電体基板で構成されていたので、この基板と分配合成
部やチョークパターン部等でファインパターン部を生じ
た場合、パターン精度上の制限で実現できなかったり、
性能安定化に問題があった。そこで、低誘電体基板で構
成すると、サイズが大きくなってしまう問題があった。
そのため、ある程度分割した基板を連結して構成される
ため、組立て工数、製造ばらつき、コストの面で問題が
あった。また、誘電体基板の原材より、回路又はその一
部の部品を実装すべき実装部分を所定面積に面取りし
て、この面取りした部分に実装を行うことで回路あるい
は部品として製造しているが、単一基板の原材における
回路基板の多面取りにおいては切捨て部分にも高価な高
周波基板材を使用しているため原材自体が割高となっ
て、低コスト化を図る上では問題があった。
マイクロ波増幅回路は一体化基板回路設計において、高
誘電体基板で構成されていたので、この基板と分配合成
部やチョークパターン部等でファインパターン部を生じ
た場合、パターン精度上の制限で実現できなかったり、
性能安定化に問題があった。そこで、低誘電体基板で構
成すると、サイズが大きくなってしまう問題があった。
そのため、ある程度分割した基板を連結して構成される
ため、組立て工数、製造ばらつき、コストの面で問題が
あった。また、誘電体基板の原材より、回路又はその一
部の部品を実装すべき実装部分を所定面積に面取りし
て、この面取りした部分に実装を行うことで回路あるい
は部品として製造しているが、単一基板の原材における
回路基板の多面取りにおいては切捨て部分にも高価な高
周波基板材を使用しているため原材自体が割高となっ
て、低コスト化を図る上では問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものでパターン精度にクリティカルなフ
ァインパターン部のばらつき緩和や製造上の制限で実現
できなかった回路構成が可能になることを目的としてい
る。また、パターン精度にクリティカルでない部分はそ
の部分を性能ばらつきに影響のでない程度により高誘電
率にすることによって回路の小型化をはかることを目的
としている。さらに、従来は一様な基板原材であったた
め、高価な高周波基板材では基板加工で切捨てられた分
がコストにはねかえってきたが、この発明では切捨て部
分には低コストな誘電体を使用すればよく、トータルコ
ストの低減がはかれるようにする。
ためになされたものでパターン精度にクリティカルなフ
ァインパターン部のばらつき緩和や製造上の制限で実現
できなかった回路構成が可能になることを目的としてい
る。また、パターン精度にクリティカルでない部分はそ
の部分を性能ばらつきに影響のでない程度により高誘電
率にすることによって回路の小型化をはかることを目的
としている。さらに、従来は一様な基板原材であったた
め、高価な高周波基板材では基板加工で切捨てられた分
がコストにはねかえってきたが、この発明では切捨て部
分には低コストな誘電体を使用すればよく、トータルコ
ストの低減がはかれるようにする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、マイ
クロ波増幅回路の特定部位の回路に対応する誘電体基板
の一部の誘電率を選択的に他の部分とは異ならせたもの
である。
クロ波増幅回路の特定部位の回路に対応する誘電体基板
の一部の誘電率を選択的に他の部分とは異ならせたもの
である。
【０００７】請求項２の発明は、実装部分を高周波基板
材で形成し、この実装部分以外の切捨て部分を低コスト
基板材で形成したものである。
材で形成し、この実装部分以外の切捨て部分を低コスト
基板材で形成したものである。
【０００８】請求項３の発明は、低誘電率化された部分
を設け、この部分はマイクロ波増幅回路のチョークパタ
ーン部に対応する部位としたものである。
を設け、この部分はマイクロ波増幅回路のチョークパタ
ーン部に対応する部位としたものである。
【０００９】請求項４の発明は、低誘電率化された部分
を設け、この部分はマイクロ波増幅回路の分配合成部に
対応する部位としたものである。
を設け、この部分はマイクロ波増幅回路の分配合成部に
対応する部位としたものである。
【００１０】請求項５の発明は、マイクロ波増幅回路部
品における特定の部位に対応する誘電体基板の一部の誘
電率を選択的に他の部分と異ならせたものである。
品における特定の部位に対応する誘電体基板の一部の誘
電率を選択的に他の部分と異ならせたものである。
【００１１】請求項６の発明は、マイクロ波増幅回路部
品を、広帯域ブランチ回路より構成し、当該回路のファ
インパターンの部位に対応する部分の誘電率を他の部分
の誘電率より低く設定したものである。
品を、広帯域ブランチ回路より構成し、当該回路のファ
インパターンの部位に対応する部分の誘電率を他の部分
の誘電率より低く設定したものである。
【００１２】請求項７の発明は、マイクロ波増幅回路部
品を、インタディジタルカプラより構成し、当該回路の
ファインパターンの部位に対応する部分の誘電率を他の
誘電率より低く設定したものである。
品を、インタディジタルカプラより構成し、当該回路の
ファインパターンの部位に対応する部分の誘電率を他の
誘電率より低く設定したものである。
【００１３】請求項８の発明は、マイクロ波増幅回路部
品を整合回路により構成し、当該回路のチョークパター
ンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低く
設定したものである。
品を整合回路により構成し、当該回路のチョークパター
ンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低く
設定したものである。
【００１４】請求項９の発明は、マイクロ波増幅回路部
品を、整合回路より構成し、当該回路のファインパター
ンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低く
設定したものである。
品を、整合回路より構成し、当該回路のファインパター
ンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低く
設定したものである。
【００１５】請求項１０の発明は、マイクロ波増幅回路
部品のケース壁面に近い導体パターンの部位に対応する
部分の誘電率を他の誘電率より高く設定したものであ
る。
部品のケース壁面に近い導体パターンの部位に対応する
部分の誘電率を他の誘電率より高く設定したものであ
る。
【００１６】請求項１１の発明は、誘電率が高く設定さ
れた部分を設け、当該部分の層を導体で挟むようにして
バイアスコンデンサを形成したものである。
れた部分を設け、当該部分の層を導体で挟むようにして
バイアスコンデンサを形成したものである。
【００１７】請求項１２の発明は、マイクロ波増幅回路
部品を、ディスクリートトランジスタより構成し、当該
ディスクリートトランジスタのトリプレート線路の部位
に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低く設定した
ものである。
部品を、ディスクリートトランジスタより構成し、当該
ディスクリートトランジスタのトリプレート線路の部位
に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低く設定した
ものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
実施例を図に基づき説明する。図１は本発明にかかるマ
イクロ波増幅回路を示した斜視図である。図１におい
て、２１は誘電体より成る所定面積の基板であり、この
上に各種の回路が実装されている。１はＲＦトランジス
タである。３はチョークパターン部であり、これは整合
回路のインピーダンスにあまり影響を与えずにバイアス
を供給するためのパターンから成り、チョークコイルと
同様の効果を奏する。通常はλ／４の長さでバイアス側
のインピーダンスが見えにくくなるように設計される。
４は分配合成器で、前段は３ｄＢ分配器、後段は３ｄＢ
合成器であり、９０°３ｄＢカップラのインターディジ
タルタイプを例としている。５はＤＣカット用のコンデ
ンサであり、ＲＦを通過させる。６はバイアス用コンデ
ンサであり、バイアス回路を構成し、マイクロ波には特
に関係しない。７は終端器であり、反射されたＲＦを５
０Ωで終端し吸収する。８はＲＦが伝導するマイクロス
トリップ線路である。このような構成のマイクロ波増幅
回路の等価回路を図２に示す。図２のように多段増幅器
（２合成）を構成する。
実施例を図に基づき説明する。図１は本発明にかかるマ
イクロ波増幅回路を示した斜視図である。図１におい
て、２１は誘電体より成る所定面積の基板であり、この
上に各種の回路が実装されている。１はＲＦトランジス
タである。３はチョークパターン部であり、これは整合
回路のインピーダンスにあまり影響を与えずにバイアス
を供給するためのパターンから成り、チョークコイルと
同様の効果を奏する。通常はλ／４の長さでバイアス側
のインピーダンスが見えにくくなるように設計される。
４は分配合成器で、前段は３ｄＢ分配器、後段は３ｄＢ
合成器であり、９０°３ｄＢカップラのインターディジ
タルタイプを例としている。５はＤＣカット用のコンデ
ンサであり、ＲＦを通過させる。６はバイアス用コンデ
ンサであり、バイアス回路を構成し、マイクロ波には特
に関係しない。７は終端器であり、反射されたＲＦを５
０Ωで終端し吸収する。８はＲＦが伝導するマイクロス
トリップ線路である。このような構成のマイクロ波増幅
回路の等価回路を図２に示す。図２のように多段増幅器
（２合成）を構成する。
【００１９】なお、上記トランジスタ１については、こ
のトランジスタ１のリード高さをあわせるために基板２
１側を切削して高さ合わせをしている。例えば基板２１
の厚さを約０．６ｍｍとし、基板２１の下にコバール等
でキャリアを作った時の厚さを約０．５ｍｍとして、こ
れ等の合計が約１．１ｍｍとしたとき、これに対し、ト
ランジスタ１の高さは約２ｍｍ程度あるためＶＳＷＲ等
を考慮するとリード高さと基板２１の接続面は面一の構
造がよく、このためにこのような高さ合わせの構造とし
ている。この場合、基板２１におけるチョークパターン
３の部位と分配合成器４の部位とに対応する部分は、性
能ばらつきに影響を与えない程度に他の個所よりも低誘
電率にされている。すなわち、選択的に誘電率を異なら
せているのである。このように選択的に低誘電率化する
方法としては、最近、異なる誘電率の基材を樹脂がん浸
させ、一体化する技術が開発されている。他の簡単な例
としては上記のチョークパターン３と分配合成器４に対
応する部位の基板をくり抜いて、その部分に異なる誘電
の基板埋め込む方法も考えられる。
のトランジスタ１のリード高さをあわせるために基板２
１側を切削して高さ合わせをしている。例えば基板２１
の厚さを約０．６ｍｍとし、基板２１の下にコバール等
でキャリアを作った時の厚さを約０．５ｍｍとして、こ
れ等の合計が約１．１ｍｍとしたとき、これに対し、ト
ランジスタ１の高さは約２ｍｍ程度あるためＶＳＷＲ等
を考慮するとリード高さと基板２１の接続面は面一の構
造がよく、このためにこのような高さ合わせの構造とし
ている。この場合、基板２１におけるチョークパターン
３の部位と分配合成器４の部位とに対応する部分は、性
能ばらつきに影響を与えない程度に他の個所よりも低誘
電率にされている。すなわち、選択的に誘電率を異なら
せているのである。このように選択的に低誘電率化する
方法としては、最近、異なる誘電率の基材を樹脂がん浸
させ、一体化する技術が開発されている。他の簡単な例
としては上記のチョークパターン３と分配合成器４に対
応する部位の基板をくり抜いて、その部分に異なる誘電
の基板埋め込む方法も考えられる。
【００２０】従来では、チョークパターン部３や分配合
成器４は最適なファインパターン部が実現不可能であっ
たりパターン精度のばらつきでマイクロ波増幅回路の性
能ばらつきが生じていたが、本実施の形態１によりクリ
ティカルな部分を低減することができる。また、設計上
無理のないスペース利用ができる。すなわち、チョーク
パターン３、分配合成器４の各部位はファインパターン
のために、パターン精度の影響で組立上のばらつきや最
適設計値を実現できないことがあるが、本実施の形態１
でこの点を解消できる。また、チョークパターン３に関
しては、細幅過ぎると、ハイパワートランジスタの大電
流を流すことが出来ない等の問題があるが、この実施の
形態１では太幅にできるために、それを解消できる。
成器４は最適なファインパターン部が実現不可能であっ
たりパターン精度のばらつきでマイクロ波増幅回路の性
能ばらつきが生じていたが、本実施の形態１によりクリ
ティカルな部分を低減することができる。また、設計上
無理のないスペース利用ができる。すなわち、チョーク
パターン３、分配合成器４の各部位はファインパターン
のために、パターン精度の影響で組立上のばらつきや最
適設計値を実現できないことがあるが、本実施の形態１
でこの点を解消できる。また、チョークパターン３に関
しては、細幅過ぎると、ハイパワートランジスタの大電
流を流すことが出来ない等の問題があるが、この実施の
形態１では太幅にできるために、それを解消できる。
【００２１】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２であるマイクロ波増幅回路の多面取り用の誘電体基板
原材４０の平面図である。同図において９はマイクロ波
増幅回路基板の量産における多面取り基板の切捨て部分
を示しており、１０はマイクロ波増幅回路又はこの回路
の一部の部品を実装する実装部分を示している。誘電体
基板原材４０はこのように実装部分１０を多面取りし
て、この面取りした各実装部分１０をマイクロ波増幅回
路あるいはその一部の部品の実装用として用いるのであ
るが、本実施の形態２ではこのように一枚の誘電体基板
原材４０の状態において、実装部分１０のみを高価な高
周波基板材で形成し、他の切捨て部分９を低コストの基
板材より形成して、低コストな誘電体基板原材４０とす
るものである。
２であるマイクロ波増幅回路の多面取り用の誘電体基板
原材４０の平面図である。同図において９はマイクロ波
増幅回路基板の量産における多面取り基板の切捨て部分
を示しており、１０はマイクロ波増幅回路又はこの回路
の一部の部品を実装する実装部分を示している。誘電体
基板原材４０はこのように実装部分１０を多面取りし
て、この面取りした各実装部分１０をマイクロ波増幅回
路あるいはその一部の部品の実装用として用いるのであ
るが、本実施の形態２ではこのように一枚の誘電体基板
原材４０の状態において、実装部分１０のみを高価な高
周波基板材で形成し、他の切捨て部分９を低コストの基
板材より形成して、低コストな誘電体基板原材４０とす
るものである。
【００２２】実施の形態３．図４及び図５は、本発明の
実施の形態３であるマイクロ波増幅回路分品としての分
配合成回路の平面図である。図４は小版の誘電体基板２
２に設けられた広帯域ブランチライン回路で、図５は小
版の誘電体基板２３に設けられたインタディジタルカッ
プラである。図４，図５においてファインパターン４
ａ，４ｂに対応する部位は回りの部分より誘電率を低め
にして、複合一体化させた回路である。本実施の形態３
のように回路単体を実装する誘電体基板２２，２３につ
いてもその一部を選択的に誘電率を低くすることによ
り、パターン精度等で性能に影響しない程度のパターン
太さにできるため、マイクロ波増幅回路の分配合成レベ
ルを安定にさせ、性能ばらつき等を抑えることができ
る。
実施の形態３であるマイクロ波増幅回路分品としての分
配合成回路の平面図である。図４は小版の誘電体基板２
２に設けられた広帯域ブランチライン回路で、図５は小
版の誘電体基板２３に設けられたインタディジタルカッ
プラである。図４，図５においてファインパターン４
ａ，４ｂに対応する部位は回りの部分より誘電率を低め
にして、複合一体化させた回路である。本実施の形態３
のように回路単体を実装する誘電体基板２２，２３につ
いてもその一部を選択的に誘電率を低くすることによ
り、パターン精度等で性能に影響しない程度のパターン
太さにできるため、マイクロ波増幅回路の分配合成レベ
ルを安定にさせ、性能ばらつき等を抑えることができ
る。
【００２３】実施の形態４．図６は、実施の形態４であ
るマイクロ波増幅回路の整合回路の平面図である。小版
の誘電体基板２４のチョークパターン部分４ｃに対応す
る部位は回りの部分より誘電率を低めにして、複合一体
化させた回路であり、機能的にはチョークパターンのた
めの導体線路となっている。なお、８ｃはトランジスタ
の整合回路である。本実施の形態４により、チョークパ
ターン部分４ｃを、パターン精度等で性能に影響しない
程度のパターン太さにできるため、マイクロ波増幅回路
のチョークパターンからのＲＦもれを低減し、整合回路
に対する影響、性能ばらつき等を抑えることができる。
すなわち、ファインパターンは０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ
以下の線路幅のものであるが、同じインピーダンスの線
路幅は、低誘電率より高誘電率の方が細く、パターン精
度は、±２０〜５０μｍ程度なので、細い程影響が大き
い。しかるに、本実施の形態４によれば、上記パターン
太さを大きくできるので、このような不都合が生じな
い。
るマイクロ波増幅回路の整合回路の平面図である。小版
の誘電体基板２４のチョークパターン部分４ｃに対応す
る部位は回りの部分より誘電率を低めにして、複合一体
化させた回路であり、機能的にはチョークパターンのた
めの導体線路となっている。なお、８ｃはトランジスタ
の整合回路である。本実施の形態４により、チョークパ
ターン部分４ｃを、パターン精度等で性能に影響しない
程度のパターン太さにできるため、マイクロ波増幅回路
のチョークパターンからのＲＦもれを低減し、整合回路
に対する影響、性能ばらつき等を抑えることができる。
すなわち、ファインパターンは０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ
以下の線路幅のものであるが、同じインピーダンスの線
路幅は、低誘電率より高誘電率の方が細く、パターン精
度は、±２０〜５０μｍ程度なので、細い程影響が大き
い。しかるに、本実施の形態４によれば、上記パターン
太さを大きくできるので、このような不都合が生じな
い。
【００２４】実施の形態５．図７は実施の形態５である
マイクロ波増幅回路部品としての整合回路の平面図であ
る。誘電体基板２５における導体線路より成るファイン
パターン４ｄの部分は回りの部分より誘電率を低めに
し、複合一体化させた回路であり、機能的には整合回路
内の誘電的成分のための導体線路である。本実施の形態
５により、ファインパターン部をパターン精度等で性能
に影響しない程度のパターン太さにできるため、マイク
ロ波増幅回路の整合回路に対する影響、性能ばらつき等
を抑えることができる。
マイクロ波増幅回路部品としての整合回路の平面図であ
る。誘電体基板２５における導体線路より成るファイン
パターン４ｄの部分は回りの部分より誘電率を低めに
し、複合一体化させた回路であり、機能的には整合回路
内の誘電的成分のための導体線路である。本実施の形態
５により、ファインパターン部をパターン精度等で性能
に影響しない程度のパターン太さにできるため、マイク
ロ波増幅回路の整合回路に対する影響、性能ばらつき等
を抑えることができる。
【００２５】実施の形態６．図８は実施の形態６である
マイクロ波増幅回路部品のケース壁面部１１（基板外周
近傍）に近いパターンの平面図である。誘電体基板２６
におけるケース壁面部１１に近い導体パターン８ｅに対
応する部位１２は回りの部分より誘電率を高めにして、
複合一体化させた回路である。従来はマイクロ波回路の
設計ルールより導体パターン８ｅは壁面部１１側から導
体パターン幅の２〜３倍距離Ｌだけ離す必要があるた
め、単一誘電体基板ではスペースを広くとる必要があっ
た。本実施の形態６により導体パターン８ｅに対応する
部位１２のみ、高誘電率化し、導体パターン８ｅをパタ
ーン精度等で性能に影響しない程度のパターン太さＷに
設定しているため、従来に比較して全体スペースの小型
化がはかれる。
マイクロ波増幅回路部品のケース壁面部１１（基板外周
近傍）に近いパターンの平面図である。誘電体基板２６
におけるケース壁面部１１に近い導体パターン８ｅに対
応する部位１２は回りの部分より誘電率を高めにして、
複合一体化させた回路である。従来はマイクロ波回路の
設計ルールより導体パターン８ｅは壁面部１１側から導
体パターン幅の２〜３倍距離Ｌだけ離す必要があるた
め、単一誘電体基板ではスペースを広くとる必要があっ
た。本実施の形態６により導体パターン８ｅに対応する
部位１２のみ、高誘電率化し、導体パターン８ｅをパタ
ーン精度等で性能に影響しない程度のパターン太さＷに
設定しているため、従来に比較して全体スペースの小型
化がはかれる。
【００２６】実施の形態７．図９，図１０は実施の形態
７のマイクロ波増幅回路部品の多層基板化されたバイア
ス回路の斜視図と断面図である。断面部分４２ｂは回り
の部分より誘電率を高めにしこの断面部分４２ｂを導体
４２ｘ，４２ｙで挟んでバイアス用コンデンサ４２を構
成した複合一体化回路である。４６はスルーホール部
分、５はＤＣカット用コンデンサ、８ｅは整合回路の導
体パターンである。従来では図１３のようにバイアス用
のチップコンデンサ６を取り付けていたが本実施の形態
７より、これが不要となり、部品点数の削減、組み立て
工数の低減をはかれる。
７のマイクロ波増幅回路部品の多層基板化されたバイア
ス回路の斜視図と断面図である。断面部分４２ｂは回り
の部分より誘電率を高めにしこの断面部分４２ｂを導体
４２ｘ，４２ｙで挟んでバイアス用コンデンサ４２を構
成した複合一体化回路である。４６はスルーホール部
分、５はＤＣカット用コンデンサ、８ｅは整合回路の導
体パターンである。従来では図１３のようにバイアス用
のチップコンデンサ６を取り付けていたが本実施の形態
７より、これが不要となり、部品点数の削減、組み立て
工数の低減をはかれる。
【００２７】実施の形態８．図１１，図１２は実施の形
態８によるマイクロ波増幅回路部品としてのディスクリ
ートトランジスタのフィードスルー部の斜視図と上面図
である。各図において、１はディスクリートトランジス
タであり、基板１ｍの上に取付けられており、このディ
スクリートトランジスタ１のパッケージ１ｔの内部に基
板５４ａが組込まれている。基板５４ａの表面側には、
導体パターン８ｆが中央横方向に延長し、この導体パタ
ーン８ｆに直角方向に縦基板５４ｂが取付けられる。こ
の縦基板５４ｂはトランジスタ内を気密化するためのも
ので、気密化のために、マイクロストリップ線路―トリ
プレート―マイクロストリップ線路の組合せの構成とな
っている。この場合、基板５４ａとしては、縦中央方向
の縦基板５４ｂが固着される部分Ｂと、その左，右のＡ
部分において、部分Ｂ（２分割）に対応する部位５４ｅ
（トリプレート線路に対応する部位）の基板５４ａの一
部を低誘電率化している。このように、トリプレート線
路の部分Ｂに対応する部位５４ｅを低誘電率化すること
により、図１２に示すように線路８ｙの中央部８ｍを
（ａ）に示すくび状態から（ｂ）に示す如く太くでき
る。すなわち、部分Ａはマイクロストリップ線路、部分
Ｂはトリプレート線路になっており、部分Ｂではインピ
ーダンスが部分Ａより低くなるため、同一インピーダン
スでつなぐ場合、従来は（ａ）に示すように部分Ｂのパ
ターンは細くせざるをえない。そのため、最適なパター
ン幅が実現できなかったり、パターン精度により性能が
ばらつく要因となっていた。本実施の形態８により性能
に影響しない程度に図１２（ｂ）に示すようにこの部分
を太くでき、性能を安定化させることができる。
態８によるマイクロ波増幅回路部品としてのディスクリ
ートトランジスタのフィードスルー部の斜視図と上面図
である。各図において、１はディスクリートトランジス
タであり、基板１ｍの上に取付けられており、このディ
スクリートトランジスタ１のパッケージ１ｔの内部に基
板５４ａが組込まれている。基板５４ａの表面側には、
導体パターン８ｆが中央横方向に延長し、この導体パタ
ーン８ｆに直角方向に縦基板５４ｂが取付けられる。こ
の縦基板５４ｂはトランジスタ内を気密化するためのも
ので、気密化のために、マイクロストリップ線路―トリ
プレート―マイクロストリップ線路の組合せの構成とな
っている。この場合、基板５４ａとしては、縦中央方向
の縦基板５４ｂが固着される部分Ｂと、その左，右のＡ
部分において、部分Ｂ（２分割）に対応する部位５４ｅ
（トリプレート線路に対応する部位）の基板５４ａの一
部を低誘電率化している。このように、トリプレート線
路の部分Ｂに対応する部位５４ｅを低誘電率化すること
により、図１２に示すように線路８ｙの中央部８ｍを
（ａ）に示すくび状態から（ｂ）に示す如く太くでき
る。すなわち、部分Ａはマイクロストリップ線路、部分
Ｂはトリプレート線路になっており、部分Ｂではインピ
ーダンスが部分Ａより低くなるため、同一インピーダン
スでつなぐ場合、従来は（ａ）に示すように部分Ｂのパ
ターンは細くせざるをえない。そのため、最適なパター
ン幅が実現できなかったり、パターン精度により性能が
ばらつく要因となっていた。本実施の形態８により性能
に影響しない程度に図１２（ｂ）に示すようにこの部分
を太くでき、性能を安定化させることができる。
【００２８】以上のように、この発明によればマイクロ
波増幅回路内の誘電体部分のうち、誘電率を設計場最適
な状況に応じて低くしたり、高くしたり、また高価な基
板材と安価な基板材を複合一本化するように構成したの
で、マイクロ波増幅回路あるいはその部品単体の低コス
ト化、性能安定化、スペースの有効利用ができる効果が
ある。
波増幅回路内の誘電体部分のうち、誘電率を設計場最適
な状況に応じて低くしたり、高くしたり、また高価な基
板材と安価な基板材を複合一本化するように構成したの
で、マイクロ波増幅回路あるいはその部品単体の低コス
ト化、性能安定化、スペースの有効利用ができる効果が
ある。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、マイクロ波増
幅回路の特定部位の回路に対応する上記誘電体基板の一
部の誘電率を選択的に他の部分とは異ならせたので、パ
ターン精度上の問題を解消でき、性能安定化が図れ、ま
た高誘電率の部分を有することにより基板サイズの小形
化が図れ、組立て工数を少なく、しかも製造ばらつきを
小さくでき、コストを低減できる。
幅回路の特定部位の回路に対応する上記誘電体基板の一
部の誘電率を選択的に他の部分とは異ならせたので、パ
ターン精度上の問題を解消でき、性能安定化が図れ、ま
た高誘電率の部分を有することにより基板サイズの小形
化が図れ、組立て工数を少なく、しかも製造ばらつきを
小さくでき、コストを低減できる。
【００３０】請求項２の発明によれば、実装部分を高周
波基板材で形成し、この実装部分以外の切捨て部分を低
コスト基板材で形成したので、切捨て部分が低コスト基
板材より成るので、誘電体基板原材自体のコストを低減
できる。
波基板材で形成し、この実装部分以外の切捨て部分を低
コスト基板材で形成したので、切捨て部分が低コスト基
板材より成るので、誘電体基板原材自体のコストを低減
できる。
【００３１】請求項３の発明によれば、低誘電率化され
た部分を設け、この部分はマイクロ波増幅回路のチョー
クパターン部に対応する部位としたので、チョークパタ
ーン部に対応する部分の製造ばらつきを小さくでき、ま
た大電流を流すことも可能となる。
た部分を設け、この部分はマイクロ波増幅回路のチョー
クパターン部に対応する部位としたので、チョークパタ
ーン部に対応する部分の製造ばらつきを小さくでき、ま
た大電流を流すことも可能となる。
【００３２】請求項４の発明によれば、低誘電率化され
た部分を設け、この部分はマイクロ波増幅回路の分配合
成部に対応する部位としたので、分配合成部に対応する
部分の製造ばらつきを小さくでき、性能安定化が図れ
る。
た部分を設け、この部分はマイクロ波増幅回路の分配合
成部に対応する部位としたので、分配合成部に対応する
部分の製造ばらつきを小さくでき、性能安定化が図れ
る。
【００３３】請求項５の発明によれば、マイクロ波増幅
回路の特定の部位に対応する上記誘電体基板の一部を選
択的に他の部分と異ならせたので、性能ばらつきを抑え
ることができる。
回路の特定の部位に対応する上記誘電体基板の一部を選
択的に他の部分と異ならせたので、性能ばらつきを抑え
ることができる。
【００３４】請求項６の発明によれば、マイクロ波増幅
回路部品を、広帯域ブランチ回路より構成し、当該回路
のファインパターンの部位に対応する部分の誘電率を他
の部分の誘電率より低く設定したので、広帯域ブランチ
ライン回路におけるパターン太さを大きくでき、性能ば
らつきを抑えることができる。
回路部品を、広帯域ブランチ回路より構成し、当該回路
のファインパターンの部位に対応する部分の誘電率を他
の部分の誘電率より低く設定したので、広帯域ブランチ
ライン回路におけるパターン太さを大きくでき、性能ば
らつきを抑えることができる。
【００３５】請求項７の発明によれば、マイクロ波増幅
回路部品を、インタディジタルカプラより構成し、当該
回路のファインパターンの部位に対応する部分の誘電率
を他の誘電率より低く設定したので、インタディジタル
カプラにおけるパターン太さを大きくでき、性能ばらつ
きを抑えることができる。
回路部品を、インタディジタルカプラより構成し、当該
回路のファインパターンの部位に対応する部分の誘電率
を他の誘電率より低く設定したので、インタディジタル
カプラにおけるパターン太さを大きくでき、性能ばらつ
きを抑えることができる。
【００３６】請求項８の発明によれば、マイクロ波増幅
回路部品を、整合回路より構成し、当該回路のチョーク
パターンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率よ
り低く設定したので、整合回路のパターン太さを大きく
でき、チョークパターンからのＲＦもれを低減でき、性
能ばらつきを抑えることができる。
回路部品を、整合回路より構成し、当該回路のチョーク
パターンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率よ
り低く設定したので、整合回路のパターン太さを大きく
でき、チョークパターンからのＲＦもれを低減でき、性
能ばらつきを抑えることができる。
【００３７】請求項９の発明によれば、マイクロ波増幅
回路部品を、整合回路より構成し、当該回路のファイン
パターンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率よ
り低く設定したので、性能に影響しない程度のパターン
太さにでき、性能ばらつきを抑えることができる。
回路部品を、整合回路より構成し、当該回路のファイン
パターンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率よ
り低く設定したので、性能に影響しない程度のパターン
太さにでき、性能ばらつきを抑えることができる。
【００３８】請求項１０の発明によれば、マイクロ波増
幅回路部品のケース壁面に近い導体パターンの部位に対
応する部分の誘電率を他の誘電率より高く設定したの
で、ケース壁面に近い導体パターンの太さを、性能に影
響を与えない程度のパターン太さにでき、小型化がはか
れる。
幅回路部品のケース壁面に近い導体パターンの部位に対
応する部分の誘電率を他の誘電率より高く設定したの
で、ケース壁面に近い導体パターンの太さを、性能に影
響を与えない程度のパターン太さにでき、小型化がはか
れる。
【００３９】請求項１１の発明によれば、誘電率が高く
設定された部分を設け、当該部分の層を導体で挟むよう
にしてバイアスコンデンサを形成したので、チップコン
デンサを設けることなくコンデンサを実現でき、部品点
数の削減、組立て工数の低減が図れる。
設定された部分を設け、当該部分の層を導体で挟むよう
にしてバイアスコンデンサを形成したので、チップコン
デンサを設けることなくコンデンサを実現でき、部品点
数の削減、組立て工数の低減が図れる。
【００４０】請求項１２の発明によれば、ディスクリー
トトランジスタのトリプレート線路の部位に対応する部
分の誘電率を他の部分より低く設定したので、ディスク
リートトランジスタにおけるトリプレート線路のパター
ン太さを、性能に影響を与えない程度の太さにでき、性
能を安定化できる。
トトランジスタのトリプレート線路の部位に対応する部
分の誘電率を他の部分より低く設定したので、ディスク
リートトランジスタにおけるトリプレート線路のパター
ン太さを、性能に影響を与えない程度の太さにでき、性
能を安定化できる。
【図１】 本発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形
態１を示す斜視図である。
態１を示す斜視図である。
【図２】 本発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形
態１の等価回路図である。
態１の等価回路図である。
【図３】 本発明によるマイクロ波増幅回路の誘電体基
板原材の実施の形態２を示す平面図である。
板原材の実施の形態２を示す平面図である。
【図４】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実施
の形態３を示す平面図である。
の形態３を示す平面図である。
【図５】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実施
の形態３を示す平面図である。
の形態３を示す平面図である。
【図６】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実施
の形態４を示す平面図である。
の形態４を示す平面図である。
【図７】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実施
の形態５を示す平面図である。
の形態５を示す平面図である。
【図８】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実施
の形態６を示す平面図である。
の形態６を示す平面図である。
【図９】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実施
の形態７を示す斜視図である。
の形態７を示す斜視図である。
【図１０】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実
施の形態７を示す断面図である。
施の形態７を示す断面図である。
【図１１】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実
施の形態８を示す分解斜視図である。
施の形態８を示す分解斜視図である。
【図１２】 本発明によるマイクロ波増幅回路部品の実
施の形態８を示す平面図である。
施の形態８を示す平面図である。
【図１３】 従来のマイクロ波増幅回路の一例を示す斜
視図である。
視図である。
１ トランジスタ、２１，２２，２３，２４，２５ 誘
電体基板、３ チョークパターン部、４ 分配合成器、
５，６ チップコンデンサ、７ 終端器、９ 切捨て
部、１０ 実装部分、１１ ケース壁面部、１２ バイ
アス用コンデンサ、１３ 多層基板、１４ 基板、１５
従来の高周波セラミック基板、１６ スルーホール部
分、４２ｂ 断面部分、４２ バイアス用コンデンサ、
５４ｅ トリプレート線路に対応する部位。
電体基板、３ チョークパターン部、４ 分配合成器、
５，６ チップコンデンサ、７ 終端器、９ 切捨て
部、１０ 実装部分、１１ ケース壁面部、１２ バイ
アス用コンデンサ、１３ 多層基板、１４ 基板、１５
従来の高周波セラミック基板、１６ スルーホール部
分、４２ｂ 断面部分、４２ バイアス用コンデンサ、
５４ｅ トリプレート線路に対応する部位。
Claims (12)
- 【請求項１】 誘電体基板上に実装された上記マイクロ
波増幅回路において、上記マイクロ波増幅回路の特定部
位の回路に対応する上記誘電体基板の一部の誘電率を選
択的に他の部分とは異ならせたことを特徴とするマイク
ロ波増幅回路。 - 【請求項２】 マイクロ波増幅回路又はこの回路の一部
の部品を実装するための実装部分と切捨て部分とを有す
る誘電体基板原材において、上記実装部分を高周波基板
材で形成し、この実装部分以外の切捨て部分を低コスト
基板材で形成したことを特徴とする誘電体基板原材。 - 【請求項３】 低誘電率化された部分を設け、この部分
は上記マイクロ波増幅回路のチョークパターン部に対応
する部位であることを特徴とする請求項１に記載のマイ
クロ波増幅回路。 - 【請求項４】 低誘電率化された部分を設け、この部分
は上記マイクロ波増幅回路の分配合成部に対応する部位
であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波増
幅回路。 - 【請求項５】 誘電体基板上に実装されたマイクロ波増
幅回路の一部の部品において、上記部品の特定の部位に
対応する上記誘電体基板の一部の誘電率を選択的に他の
部分と異ならせたことを特徴とするマイクロ波増幅回路
部品。 - 【請求項６】 上記マイクロ波増幅回路部品を広帯域ブ
ランチ回路より構成し、当該回路のファインパターンの
部位に対応する部分の誘電率を他の部分の誘電率より低
く設定した請求項５に記載のマイクロ波増幅回路部品。 - 【請求項７】 上記マイクロ波増幅回路部品を、インタ
ディジタルカプラより構成し、当該回路のファインパタ
ーンの部位に対応する部分の誘電率を他の誘電率より低
く設定した請求項５に記載のマイクロ波増幅回路部品。 - 【請求項８】 上記マイクロ波増幅回路部品を、整合回
路より構成し、当該回路のチョークパターンの部位に対
応する部分の誘電率を他の誘電率より低く設定した請求
項５に記載のマイクロ波増幅回路部品。 - 【請求項９】 上記マイクロ波増幅回路部品を、整合回
路より構成し、当該回路のファインパターンの部位に対
応する部分の誘電率を他の誘電率より低く設定した請求
項５に記載のマイクロ波増幅回路部品。 - 【請求項１０】 上記マイクロ波増幅回路部品のケース
壁面に近い導体パターンの部位に対応する部分の誘電率
を他の誘電率より高く設定した請求項５に記載のマイク
ロ波増幅回路部品。 - 【請求項１１】 誘電体基板の層の部分において、誘電
率が高く設定された部分を設け、当該部分の層を導体で
挟むようにしてバイアスコンデンサを形成したことを特
徴とする請求項５に記載のマイクロ波増幅回路部品。 - 【請求項１２】 上記マイクロ波増幅回路部品を、ディ
スクリートトランジスタより構成し、当該ディスクリー
トトランジスタのトリプレート線路の部位に対応する部
分の誘電率を他の部分より低く設定した請求項５に記載
のマイクロ波増幅回路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11117194A JP2000307362A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | マイクロ波増幅回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11117194A JP2000307362A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | マイクロ波増幅回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000307362A true JP2000307362A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14705736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11117194A Pending JP2000307362A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | マイクロ波増幅回路と誘電体基板原材及びマイクロ波増幅回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000307362A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1376750A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency quarter-wave transformer |
| EP1376743A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
| EP1376742A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency four port circuit |
| WO2005093948A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 増幅器 |
| US6963259B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-11-08 | Harris Corporation | High efficiency resonant line |
| US6975279B2 (en) | 2003-05-30 | 2005-12-13 | Harris Foundation | Efficient radome structures of variable geometry |
| US6982671B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-01-03 | Harris Corporation | Slot fed microstrip antenna having enhanced slot electromagnetic coupling |
| US6985118B2 (en) | 2003-07-07 | 2006-01-10 | Harris Corporation | Multi-band horn antenna using frequency selective surfaces |
| US6992628B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-01-31 | Harris Corporation | Antenna with dynamically variable operating band |
| US6990729B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-01-31 | Harris Corporation | Method for forming an inductor |
| US6995711B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-02-07 | Harris Corporation | High efficiency crossed slot microstrip antenna |
| US7006052B2 (en) | 2003-05-15 | 2006-02-28 | Harris Corporation | Passive magnetic radome |
| US7030834B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-04-18 | Harris Corporation | Active magnetic radome |
| US7088308B2 (en) | 2003-10-08 | 2006-08-08 | Harris Corporation | Feedback and control system for radomes |
| EP1376753B1 (en) * | 2002-06-27 | 2006-09-27 | Harris Corporation | High efficiency directional coupler |
| US7158005B2 (en) | 2005-02-10 | 2007-01-02 | Harris Corporation | Embedded toroidal inductor |
| US7196607B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-03-27 | Harris Corporation | Embedded toroidal transformers in ceramic substrates |
| JP2007267026A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 高出力増幅器 |
| JP2007295367A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| WO2020179476A1 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 回路基板およびアンテナモジュール |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11117194A patent/JP2000307362A/ja active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1376750A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency quarter-wave transformer |
| EP1376743A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
| EP1376742A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-02 | Harris Corporation | High efficiency four port circuit |
| US6753745B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-06-22 | Harris Corporation | High efficiency four port circuit |
| US6794952B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-09-21 | Harris Corporation | High efficiency low pass filter |
| US6838954B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-01-04 | Harris Corporation | High efficiency quarter-wave transformer |
| US6963259B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-11-08 | Harris Corporation | High efficiency resonant line |
| JP2008022575A (ja) * | 2002-06-27 | 2008-01-31 | Harris Corp | 高効率４端子回路 |
| EP1376753B1 (en) * | 2002-06-27 | 2006-09-27 | Harris Corporation | High efficiency directional coupler |
| US6982671B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-01-03 | Harris Corporation | Slot fed microstrip antenna having enhanced slot electromagnetic coupling |
| US6995711B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-02-07 | Harris Corporation | High efficiency crossed slot microstrip antenna |
| US7006052B2 (en) | 2003-05-15 | 2006-02-28 | Harris Corporation | Passive magnetic radome |
| US6975279B2 (en) | 2003-05-30 | 2005-12-13 | Harris Foundation | Efficient radome structures of variable geometry |
| US6985118B2 (en) | 2003-07-07 | 2006-01-10 | Harris Corporation | Multi-band horn antenna using frequency selective surfaces |
| US6992628B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-01-31 | Harris Corporation | Antenna with dynamically variable operating band |
| US7030834B2 (en) | 2003-09-03 | 2006-04-18 | Harris Corporation | Active magnetic radome |
| US6990729B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-01-31 | Harris Corporation | Method for forming an inductor |
| US7513031B2 (en) | 2003-09-05 | 2009-04-07 | Harris Corporation | Method for forming an inductor in a ceramic substrate |
| US7253711B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-08-07 | Harris Corporation | Embedded toroidal inductors |
| US7088308B2 (en) | 2003-10-08 | 2006-08-08 | Harris Corporation | Feedback and control system for radomes |
| WO2005093948A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 増幅器 |
| US7196607B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-03-27 | Harris Corporation | Embedded toroidal transformers in ceramic substrates |
| US7158005B2 (en) | 2005-02-10 | 2007-01-02 | Harris Corporation | Embedded toroidal inductor |
| JP2007267026A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 高出力増幅器 |
| JP2007295367A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| WO2020179476A1 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 回路基板およびアンテナモジュール |
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