JP2000307380A - 弾性表面波素子 - Google Patents

弾性表面波素子

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JP2000307380A
JP2000307380A JP2000011487A JP2000011487A JP2000307380A JP 2000307380 A JP2000307380 A JP 2000307380A JP 2000011487 A JP2000011487 A JP 2000011487A JP 2000011487 A JP2000011487 A JP 2000011487A JP 2000307380 A JP2000307380 A JP 2000307380A
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JP
Japan
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electrode
acoustic wave
surface acoustic
comb
substrate
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JP2000011487A
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English (en)
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Takaki Hanaguruma
隆紀 花車
Kazuya Komori
一哉 小森
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Hokuriku Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】簡単な構造で周波数特性の良い弾性表面波素子
を提供する。 【解決手段】櫛型電極と接続電極26,46等を備えた
弾性表面波共振器が各々1枚の圧電性基板14,34上
に形成され、各々別々の圧電性基板14,34上に形成
された弾性表面波共振器の接続電極26,46等をワイ
ヤや導電性樹脂等により縦続接続した。この一対の圧電
性基板14,34は同一に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、特定の周波数帯
域の電磁波を抽出する周波数フィルタであって、弾性表
面波を利用した弾性表面波素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、弾性表面波素子は、図7に示すよ
うに、横結合共振器が縦続接続されたものの場合、水晶
などの圧電性の1枚の基板1上に二対の櫛形電極2,3
が設けられ、この櫛形電極2,3の側方には、各々等ピ
ッチにパターンが形成された反射器4が各々配置されて
いる。また各櫛形電極2,3には、入力電極5及び出力
電極6が接続され、これら入出力電極5,6に並んで、
各反射器にアース電極7が接続されている。
【0003】また、トランスバーサル型弾性表面波素子
は、図9に示すように基板1を収容したセラミックス等
のパッケージ8に設けられ、基板1上の出力側のアース
電極9は、シールド電極13と共通に接続され、パッケ
ージ8のアース電極9aとワイヤ17で接続されてい
る。また、入力側のアース電極9は、パッケージ8のア
ース電極9bとワイヤ17で接続され、基板1の入力電
極5はパッケージ8の入力電極5aと、出力電極6はパ
ッケージ8の出力電極6aとワイヤ17で各々接続され
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の前者の
場合、基板1を伝わる弾性表面波は、櫛型電極3の表面
を伝播するものの他、基板1の裏面側に伝播して表面側
に反射してくるものがある。この裏面からの反射波は、
図8に示すように中心周波数の側方に表れるスプリアス
の原因となっており、周波数フィルタとしての性能を低
下させていた。
【0005】また、上記従来技術の後者の場合、基板1
の入力または出力電極とアース電極9が基板1上で接続
されて、パッケージ8上の共通のアース電極9aに接続
されているため、シールド電極13によるシールド効果
が得られず、シールド電極13がない場合と同程度の周
波数特性しか得られないものであった。即ち、上記構成
のシールド電極を設けた場合、直達波や漏れ信号である
RFフィールドスルー信号を抑制する効果が小さいもの
であった。
【0006】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、良好な周波数特性を得ることが
できる弾性表面波素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、櫛型電極と
接続電極等を備えた弾性表面波共振器が各々独立した1
枚の圧電性基板上に形成され、各々別々の圧電性基板上
に形成された弾性表面波共振器の接続電極をワイヤや導
電性樹脂等により縦続接続した弾性表面波素子である。
この一対の圧電性基板は同一パッケージ内で接していて
も良い。また、弾性表面波共振器は、横結合共振器や縦
結合共振器の何れでも良い。
【0008】この発明の弾性表面波素子は、縦続接続さ
れた一対の弾性表面波共振器が、各々別々の圧電性基板
上に形成され、互いの共振振動が、圧電性基板の裏面で
反射して伝播することがないようにしたものである。
【0009】またこの発明は、圧電性基板上に形成され
た櫛型電極に近接して、シールド電極が上記圧電性基板
上に設けられたトランスバーサル型の弾性表面波素子で
あって、上記櫛型電極と上記シールド電極の各電極を上
記圧電性基板上で各々独立に設け、上記圧電性基板を収
容したパッケージに上記基板上の各電極と接続される複
数の電極を設け、上記櫛形電極と接続するアース電極
と、上記シールド電極と接続するアース電極とを各々独
立に上記パッケージに形成した弾性表面波素子である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。図1〜図3はこの発明の
一実施形態の弾性表面波素子に用いられる一対の弾性表
面波素子10,12を示している。弾性表面波素子10
は、水晶やリチウムタンタレート等の圧電性を有した第
一基板14の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム
合金等の金属薄膜により二対の第一櫛形電極16が各々
交互に対向して設けられ、この第一櫛形電極16の両側
方には、等ピッチにアルミニウムまたはアルミニウム合
金等の金属薄膜の導電体による格子状のパターンが形成
された第一反射器18,20が各々形成されている。こ
の櫛型電極16および反射器18のピッチは、所望の中
心周波数の波長に対応したものである。
【0011】また、第一櫛形電極16の一方に隣接した
側方には、入力電極22が接続し、他方の側には、弾性
表面波素子12と接続する電気的接続部である接続電極
26が設けられている。第一反射器18,20には、各
々アース電極24が接続し、この第一基板14上に形成
された第一櫛型電極16や第一反射器18,20が、第
一弾性表面波共振器11を構成する。
【0012】次に第二弾性表面波素子12は、上記と同
様に水晶やリチウムタンタレート等の圧電性を有した第
二基板34の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム
合金等の金属薄膜による第二櫛形電極36と第二反射器
38,40が形成されている。この実施形態では、第二
基板34は第一基板14と等しい大きさである。
【0013】さらに第二弾性表面波素子12の第二櫛形
電極36の一方の側には、出力電極42が設けられ、出
力電極42とは反対側には、ワイヤ45により第一弾性
表面波素子10の接続電極26と電気的に接続される接
続電極46が設けられている。また、第二反射器38,
40にもアース電極44が各々設けられている。そし
て、この第二基板34上に形成された第二櫛型電極36
や第二反射器38,40が、第二弾性表面波共振器31
を構成する。
【0014】この実施形態の弾性表面波素子の組立は、
図2に示すように、第一,第二基板14,34をセラミ
ックパッケージ50の収容部底面に接着し収納する。こ
のとき、セラミックパッケージ50内では、第一,第二
基板14,34は互いに接していても良い。この状態
で、第一,第二基板14,34の接続電極26,46を
ワイヤ45で接続する。これにより、第一弾性表面波共
振器11と第二弾性表面波共振器31とが縦続接続され
た状態となる。なお、この接続は、第一,第二基板1
4,34を近接させてセラミックパッケージ60内に固
定した状態で、導電性樹脂等の導電体により接続しても
良い。またセラミックパッケージ60の底面に形成した
接続用導体により接続しても良い。
【0015】そして、セラミックパッケージ50内で
は、第一,第二基板14,34をセラミックパッケージ
50内の電極と各々ワイヤ45でボンディングし、互い
に電気的接続を図る。また、セラミックパッケージ50
の上部開口は、被覆部材52等により覆われる。
【0016】この実施形態の弾性表面波素子によれば、
第一,第二基板14,34が各々別体に設けられ、基板
裏面での反射波が隣の弾性表面波共振器に伝播せず、悪
影響を互いに与えないものである。これにより、図3に
示すように、中心周波数がはっきりしてスプリアスの小
さい周波数特性を得ることができる。
【0017】次にこの発明の第二実施形態について図4
を基にして説明する。ここで、上記実施形態と同様の構
成は同一の符号を付して説明を省略する。この実施形態
の弾性表面波素子の弾性表面波共振器の型は、図1に示
す横結合型ではなく、縦結合型の弾性表面波共振器を2
個縦続接続したものである。この場合も第一,第二基板
14,34の二対の接続電極26,46を、各々ワイヤ
45で接続する。これにより、縦結合型の弾性表面波共
振器においても、上記第一実施形態と同様の効果を得る
ことができる。
【0018】次にこの発明の第三実施形態について図
5,図6を基にして説明する。ここで、上記実施形態と
同様の構成は同一の符号を付して説明を省略する。この
実施形態の弾性表面波素子は、トランスバーサル型の弾
性表面波素子であって、水晶やリチウムタンタレート等
の圧電性を有した基板54の表面に、アルミニウムまた
はアルミニウム合金等の金属薄膜により二対の櫛形電極
56が各々交互に対向して設けられている。各対の櫛形
電極56間の基板54上には、シールド電極58が設け
られている。
【0019】櫛型電極56とシールド電極58は、各々
基板54上で独立に設けられたアース電極60,61,
62,63に接続され、各アース電極60,61,6
2,63は、各々ワイヤ64によりこの基板54を収容
したパッケージ66のアース電極70,71,72,7
3に接続されている。そして、パッケージ66側のアー
ス電極70,71,72,73も、各々独立に形成され
ている。また、基板54の入力電極74は、パッケージ
66の入力電極76とワイヤ64で接続され、出力電極
78は、パッケージ66の出力電極80とワイヤ64で
接続されている。
【0020】この実施形態の弾性表面波装置は、シール
ド電極58に接続されたアース電極61,62を、各々
櫛形電極56と接続したアース電極60,63,70,
73とは独立に設けたので、RFフィールドスルー信号
を効果的に抑制することができ、図6に示すように中心
周波数の側方に表れる信号をより確実に抑えられてい
る。
【0021】
【発明の効果】この発明の弾性表面波素子は、弾性表面
波共振器が各々別々の圧電性基板上に位置し、互いの基
板裏面で反射した弾性波が隣接する基板に伝播せず、ス
プリアスの小さい良好な周波数特性得られる。
【0022】また、シールド電極が接続したアース電極
が櫛形電極側のアース電極とは別に設けられた弾性表面
波素子の場合、周波数フィルタとして通過帯域特性を変
えずに抑圧減衰量を大きくすることができ、周波数特性
の良好な弾性表面波素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第一実施形態の弾性表面波素子の平
面図である。
【図2】この発明の第一実施形態の弾性表面波素子を備
えたパッケージの断面図である。
【図3】この発明の第一実施形態の弾性表面波素子の周
波数特性を示すグラフである。
【図4】この発明の第二実施形態の弾性表面波素子の平
面図である。
【図5】この発明の第三実施形態の弾性表面波素子の平
面図である。
【図6】この発明の第三実施形態の弾性表面波素子の周
波数特性と従来の弾性表面波素子の周波数特性を示すグ
ラフである。
【図7】従来の技術の弾性表面波素子の平面図である。
【図8】従来の技術の弾性表面波素子の周波数特性を示
すグラフである。
【図9】他の従来の弾性表面波素子の平面図である。
【符号の説明】
10 第一弾性表面波素子 12 第二弾性表面波素子 14 第一基板 16 第一櫛形電極 18,20 第一反射器 22 入力電極 24,44 アース電極 26,46 接続電極 34 第二基板 36 第二櫛形電極 38,40 第二反射器 42 出力電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 櫛型電極と接続電極を備えた弾性表面波
    共振器を各々1枚の圧電性基板上に形成し、各々別々の
    圧電性基板上に形成された弾性表面波共振器の接続電極
    を縦続接続したことを特徴とする弾性表面波素子。
  2. 【請求項2】 上記一対の圧電性基板は同一パッケージ
    内に設けられている請求項1記載の弾性表面波素子。
  3. 【請求項3】 圧電性基板上に形成された櫛型電極に近
    接して、シールド電極が上記圧電性基板上に設けられた
    トランスバーサル型の弾性表面波素子において、上記櫛
    型電極と上記シールド電極の各電極を上記圧電性基板上
    で各々独立に設け、上記圧電性基板を収容したパッケー
    ジに上記基板上の各電極と接続される複数の電極を設
    け、上記櫛形電極と接続するアース電極と、上記シール
    ド電極と接続するアース電極とを各々独立に上記パッケ
    ージに形成したことを特徴とする弾性表面波素子。
JP2000011487A 1999-02-17 2000-01-20 弾性表面波素子 Pending JP2000307380A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261583A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kinseki Ltd 弾性表面波装置
JP2016046630A (ja) * 2014-08-21 2016-04-04 日本電波工業株式会社 弾性表面波デバイス

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JP2002261583A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Kinseki Ltd 弾性表面波装置
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