JP2000309704A - 架橋性エラストマー用フィラーおよびそれを含有する架橋性エラストマー組成物 - Google Patents
架橋性エラストマー用フィラーおよびそれを含有する架橋性エラストマー組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて異物の混入を嫌う半導体製造装置にお
ける封止のためのシール材など用の組成物に配合する、
酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射のいずれに
おいても重量変化が小さいフィラーおよび架橋性エラス
トマー組成物を提供する。 【解決手段】 酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ
照射前後の重量変化がいずれも４ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以
下であるイミド構造を有する架橋性エラストマー用のフ
ィラー、および該フィラーとフッ素系エラストマーなど
の架橋性エラストマーとからなる架橋性エラストマー組
成物。
ける封止のためのシール材など用の組成物に配合する、
酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射のいずれに
おいても重量変化が小さいフィラーおよび架橋性エラス
トマー組成物を提供する。 【解決手段】 酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ
照射前後の重量変化がいずれも４ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以
下であるイミド構造を有する架橋性エラストマー用のフ
ィラー、および該フィラーとフッ素系エラストマーなど
の架橋性エラストマーとからなる架橋性エラストマー組
成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
で必ず曝される酸素（Ｏ2）プラズマ処理およびＣＦ4プ
ラズマ処理に対して重量変化が共に小さく、プラズマ処
理において異物（パーティクル）の発生を顕著に抑制し
得るフィラーおよび該フィラーを含有する架橋性エラス
トマー組成物、ならびに該組成物を用いた各種材料およ
び各種最終製品に関する。
で必ず曝される酸素（Ｏ2）プラズマ処理およびＣＦ4プ
ラズマ処理に対して重量変化が共に小さく、プラズマ処
理において異物（パーティクル）の発生を顕著に抑制し
得るフィラーおよび該フィラーを含有する架橋性エラス
トマー組成物、ならびに該組成物を用いた各種材料およ
び各種最終製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶の製造では、シリコンウェ
ハーなどのＣＶＤやドライエッチング、アッシングなど
の段階で酸素プラズマおよびＣＦ4プラズマなど種々の
プラズマを使用した各種の処理がなされている。こうし
たプラズマ使用する処理装置では種々の連結部分や可動
部分に封止のためにエラストマー性のシール材が使用さ
れている。これらのシール材にはシール性だけではな
く、微細化や基板ウェハーの大型化により、高密度（１
０12〜１０13／ｃｍ3）という厳しいプラズマ処理条件
に耐えられ、極めて精密な加工が要求される半導体を汚
染しないことが要求される。このような要求に対応でき
るシール材のエラストマー性の材料として架橋性のフッ
素系エラストマーおよびシリコーン系エラストマーが採
用されている。
ハーなどのＣＶＤやドライエッチング、アッシングなど
の段階で酸素プラズマおよびＣＦ4プラズマなど種々の
プラズマを使用した各種の処理がなされている。こうし
たプラズマ使用する処理装置では種々の連結部分や可動
部分に封止のためにエラストマー性のシール材が使用さ
れている。これらのシール材にはシール性だけではな
く、微細化や基板ウェハーの大型化により、高密度（１
０12〜１０13／ｃｍ3）という厳しいプラズマ処理条件
に耐えられ、極めて精密な加工が要求される半導体を汚
染しないことが要求される。このような要求に対応でき
るシール材のエラストマー性の材料として架橋性のフッ
素系エラストマーおよびシリコーン系エラストマーが採
用されている。
【０００３】ただ、エラストマー単独ではいかに架橋し
たとしても充分な機械的強度が得られないため、通常、
有機または無機フィラーが配合されている。しかしフィ
ラーといえども前記の性能（分解して異物を発生しない
など）が要求され、どのようなフィラーでもよいわけで
はない。従来から使用または提案されているフィラーに
は、カーボンブラック、シリカ（特許第２７８３５７６
号公報、特許第２８５８１９８号公報）、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）粉末、酸化チタン粉末、ク
レー、タルク、硫酸バリウムなどがある。
たとしても充分な機械的強度が得られないため、通常、
有機または無機フィラーが配合されている。しかしフィ
ラーといえども前記の性能（分解して異物を発生しない
など）が要求され、どのようなフィラーでもよいわけで
はない。従来から使用または提案されているフィラーに
は、カーボンブラック、シリカ（特許第２７８３５７６
号公報、特許第２８５８１９８号公報）、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）粉末、酸化チタン粉末、ク
レー、タルク、硫酸バリウムなどがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらのフィラ
ーは、酸素プラズマ処理では安定であるがＣＦ4プラズ
マ処理では分解して重量減少を生じてしまったり（シリ
カ、酸化チタンなど）、逆に、ＣＦ4プラズマ処理では
安定であるが酸素プラズマ処理では分解して重量減少を
生じてしまう（カーボンブラック、ＰＴＦＥ粉末）。フ
ィラーがプラズマ照射により重量変化、特に重量減少を
生じることは、減少した部分が何らかの形で半導体や液
晶に不要な異物として悪影響を与えていることは確実で
ある。そこで前記のような各種のフィラーが提案されて
いるのであるが、プラズマの種類が異なれば重量変化の
状況も変わってしまい、両プラズマ処理で共に安定なフ
ィラーは知られていない。
ーは、酸素プラズマ処理では安定であるがＣＦ4プラズ
マ処理では分解して重量減少を生じてしまったり（シリ
カ、酸化チタンなど）、逆に、ＣＦ4プラズマ処理では
安定であるが酸素プラズマ処理では分解して重量減少を
生じてしまう（カーボンブラック、ＰＴＦＥ粉末）。フ
ィラーがプラズマ照射により重量変化、特に重量減少を
生じることは、減少した部分が何らかの形で半導体や液
晶に不要な異物として悪影響を与えていることは確実で
ある。そこで前記のような各種のフィラーが提案されて
いるのであるが、プラズマの種類が異なれば重量変化の
状況も変わってしまい、両プラズマ処理で共に安定なフ
ィラーは知られていない。
【０００５】本発明は、酸素プラズマ処理およびＣＨ4
プラズマ処理のいずれの処理に対しても安定で重量減少
が極めて少ないフィラーおよびこのフィラーと架橋性エ
ラストマーとを含む架橋性エラストマー組成物などを提
供することを目的とする。
プラズマ処理のいずれの処理に対しても安定で重量減少
が極めて少ないフィラーおよびこのフィラーと架橋性エ
ラストマーとを含む架橋性エラストマー組成物などを提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、流量
２００ｓｃｃｍ、圧力２８０ミリトール、ＲＦ電力４０
０Ｗおよび照射時間５４分間の条件で測定した酸素プラ
ズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射前後の重量変化がい
ずれも４ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下、好ましくは１ｍｇ／
ｃｍ2・ｈｒ以下である架橋性エラストマー用のフィラ
ーに関する。
２００ｓｃｃｍ、圧力２８０ミリトール、ＲＦ電力４０
０Ｗおよび照射時間５４分間の条件で測定した酸素プラ
ズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射前後の重量変化がい
ずれも４ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下、好ましくは１ｍｇ／
ｃｍ2・ｈｒ以下である架橋性エラストマー用のフィラ
ーに関する。
【０００７】かかるフィラーとしては、主鎖に熱的、化
学的に安定な芳香族環を有し耐熱温度１５０℃以上であ
るもの、特に主鎖中にアミド結合をもつ合成高分子化合
物またはイミド結合をもつ合成高分子化合物からなるも
のが好ましい。
学的に安定な芳香族環を有し耐熱温度１５０℃以上であ
るもの、特に主鎖中にアミド結合をもつ合成高分子化合
物またはイミド結合をもつ合成高分子化合物からなるも
のが好ましい。
【０００８】本発明のフィラーの形状は特に限定され
ず、繊維状、粒子状、薄片状などの種々の形状で使用で
きる。
ず、繊維状、粒子状、薄片状などの種々の形状で使用で
きる。
【０００９】本発明は、さらに上記のフィラーと架橋性
エラストマーとを含む架橋性エラストマー組成物に関す
る。
エラストマーとを含む架橋性エラストマー組成物に関す
る。
【００１０】この架橋性エラストマー組成物は、前記架
橋性エラストマー１００重量部に対して前記フィラーを
１〜１５０重量部含有するものが好ましく、また架橋性
エラストマーがフッ素系エラストマーまたはシリコーン
系エラストマーであることが好ましい。
橋性エラストマー１００重量部に対して前記フィラーを
１〜１５０重量部含有するものが好ましく、また架橋性
エラストマーがフッ素系エラストマーまたはシリコーン
系エラストマーであることが好ましい。
【００１１】また、この架橋性エラストマー組成物は成
形用架橋性エラストマー材料として、またはコーティン
グ用架橋性エラストマー材料として利用できる。
形用架橋性エラストマー材料として、またはコーティン
グ用架橋性エラストマー材料として利用できる。
【００１２】成形用材料とするときは、前記架橋性エラ
ストマー１００重量部に対して前記フィラーを１〜１５
０重量部および架橋剤を０．０５〜１０重量部含有した
ものが好ましい。
ストマー１００重量部に対して前記フィラーを１〜１５
０重量部および架橋剤を０．０５〜１０重量部含有した
ものが好ましい。
【００１３】コーティング用材料とするときは、前記架
橋性エラストマー１００重量部に対して前記フィラーを
１〜１５０重量部および架橋剤を０．１〜１０重量部含
有したものが好ましい。
橋性エラストマー１００重量部に対して前記フィラーを
１〜１５０重量部および架橋剤を０．１〜１０重量部含
有したものが好ましい。
【００１４】さらにまた本発明は、成形用架橋性エラス
トマー材料を架橋成形して得られる成形品、特に半導体
製造装置における封止のためのシール材に関する。
トマー材料を架橋成形して得られる成形品、特に半導体
製造装置における封止のためのシール材に関する。
【００１５】また本発明は、コーティング用架橋性エラ
ストマー材料をエラストマー性成形物の表面にコーティ
ングしたのち架橋して得られる被覆成形品、特に半導体
製造装置における封止のためのシール材に関する。
ストマー材料をエラストマー性成形物の表面にコーティ
ングしたのち架橋して得られる被覆成形品、特に半導体
製造装置における封止のためのシール材に関する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の架橋性エラストマー用の
フィラーは、前記の条件で測定した酸素プラズマ照射お
よびＣＦ4プラズマ照射前後の重量変化がいずれも４ｍ
ｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下である。
フィラーは、前記の条件で測定した酸素プラズマ照射お
よびＣＦ4プラズマ照射前後の重量変化がいずれも４ｍ
ｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下である。
【００１７】基準としたプラズマ照射条件は、半導体製
造の実際の処理環境を念頭に設定しており、これらの条
件下での結果は半導体の製造現場での状況を反映してい
るものと考えている。かかる照射条件での重量変化は、
好ましくは１ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下である。
造の実際の処理環境を念頭に設定しており、これらの条
件下での結果は半導体の製造現場での状況を反映してい
るものと考えている。かかる照射条件での重量変化は、
好ましくは１ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下である。
【００１８】本発明のフィラーに該当する物質として
は、たとえばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
テルイミドなどのイミド構造を有するイミド系フィラ
ー；ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスル
ホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリオキシベンゾエートなどの耐熱温度が１
５０℃以上のエンジニアリングプラスチック製の有機物
フィラーなどがあげられる。
は、たとえばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
テルイミドなどのイミド構造を有するイミド系フィラ
ー；ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスル
ホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリオキシベンゾエートなどの耐熱温度が１
５０℃以上のエンジニアリングプラスチック製の有機物
フィラーなどがあげられる。
【００１９】これらのうち、前記式（Ｉ）で示されるイ
ミド系フィラーが、耐熱性、低含有金属性、低アウトガ
ス性の点から好ましい。
ミド系フィラーが、耐熱性、低含有金属性、低アウトガ
ス性の点から好ましい。
【００２０】かかるフィラーは架橋性エラストマーに配
合されて架橋性エラストマー組成物となる。架橋性エラ
ストマーとしては、フッ素系エラストマー、シリコーン
系エラストマーなどが使用できるが、耐熱性の点からフ
ッ素系エラストマーが好ましい。
合されて架橋性エラストマー組成物となる。架橋性エラ
ストマーとしては、フッ素系エラストマー、シリコーン
系エラストマーなどが使用できるが、耐熱性の点からフ
ッ素系エラストマーが好ましい。
【００２１】本発明に好適に使用され得るフッ素系エラ
ストマーとしては、従来からシール材用、特に半導体製
造装置のシール材用に用いられているものであれば特に
制限はなく、たとえば式（Ｉ）：
ストマーとしては、従来からシール材用、特に半導体製
造装置のシール材用に用いられているものであれば特に
制限はなく、たとえば式（Ｉ）：
【００２２】
【化１】
【００２３】（式中、ｍは８５〜６０、ｎは１５〜４
０）もしくは式（II）：
０）もしくは式（II）：
【００２４】
【化２】
【００２５】（式中、ｍは９５〜５０、ｎは５〜５０、
Ｒfは炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基）で示さ
れる２元共重合体ゴム、式（III）：
Ｒfは炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基）で示さ
れる２元共重合体ゴム、式（III）：
【００２６】
【化３】
【００２７】（式中、ｌは８５〜２０、ｍは０〜４０、
ｎは１５〜４０）で示される３元共重合体ゴム、式（I
V）：
ｎは１５〜４０）で示される３元共重合体ゴム、式（I
V）：
【００２８】
【化４】
【００２９】（式中、ｌは９５〜４５、ｍは０〜１０、
ｎは５〜４５、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ独立してフッ
素原子または水素原子、Ｒfは炭素数１〜８のパーフル
オロアルキル基）で示される３元共重合体ゴム、式
（Ｖ）：
ｎは５〜４５、Ｘ、ＹおよびＺはそれぞれ独立してフッ
素原子または水素原子、Ｒfは炭素数１〜８のパーフル
オロアルキル基）で示される３元共重合体ゴム、式
（Ｖ）：
【００３０】
【化５】
【００３１】（式中、ｌは９５〜３５、ｍは０〜３０、
ｎは５〜３５、Ｒfは炭素数１〜８のパーフルオロアル
キル基）で示される３元共重合体ゴムなどがあげられ
る。これらの中でも、耐薬品性、耐熱性、耐プラズマ性
という点から、式（Ｉ）もしくは式（II）で示される２
元共重合体ゴム、または式（III）で示される３元共重
合体ゴムを用いるのが好ましい。
ｎは５〜３５、Ｒfは炭素数１〜８のパーフルオロアル
キル基）で示される３元共重合体ゴムなどがあげられ
る。これらの中でも、耐薬品性、耐熱性、耐プラズマ性
という点から、式（Ｉ）もしくは式（II）で示される２
元共重合体ゴム、または式（III）で示される３元共重
合体ゴムを用いるのが好ましい。
【００３２】さらに、本発明におけるフッ素ゴム系シー
ル材を構成するフッ素ゴムとしては、エラストマー性セ
グメントである共重合体と非エラストマー性セグメント
である共重合体との共重合体もあげられる。
ル材を構成するフッ素ゴムとしては、エラストマー性セ
グメントである共重合体と非エラストマー性セグメント
である共重合体との共重合体もあげられる。
【００３３】エラストマー性セグメントとは、非晶性で
かつガラス転移点が２５℃以下であるセグメントを示
し、具体的に好ましい組成としては、たとえばＴＦＥ／
ＰＡＶＥ／硬化部位を与える単量体（４５〜９０／１０
〜５０／０〜５。モル％、以下同様）、さらに好ましい
組成は４５〜８０／２０〜５０／０〜５、特に５３〜７
０／３０〜４５／０〜２である。
かつガラス転移点が２５℃以下であるセグメントを示
し、具体的に好ましい組成としては、たとえばＴＦＥ／
ＰＡＶＥ／硬化部位を与える単量体（４５〜９０／１０
〜５０／０〜５。モル％、以下同様）、さらに好ましい
組成は４５〜８０／２０〜５０／０〜５、特に５３〜７
０／３０〜４５／０〜２である。
【００３４】硬化部位を与える単量体としては、たとえ
ばフッ化ビニリデン、ＣＸ2＝ＣＸ−Ｒf 3ＣＨＲＩ（式
中、ＸはＨ、ＦまたはＣＨ3、Ｒf 3はフルオロアルキレ
ン基、パーフルオロアルキレン基、フルオロポリオキシ
アルキレン基またはパーフルオロポリオキシアルキレン
基、ＲはＨまたはＣＨ3）で示されるヨウ素含有単量
体、
ばフッ化ビニリデン、ＣＸ2＝ＣＸ−Ｒf 3ＣＨＲＩ（式
中、ＸはＨ、ＦまたはＣＨ3、Ｒf 3はフルオロアルキレ
ン基、パーフルオロアルキレン基、フルオロポリオキシ
アルキレン基またはパーフルオロポリオキシアルキレン
基、ＲはＨまたはＣＨ3）で示されるヨウ素含有単量
体、
【００３５】
【化６】
【００３６】（式中、ＸはＣＮ、ＣＯＯＨ、ＣＯＯＲ
（Ｒは炭素数１〜１０のフッ素原子を含んでいてもよい
アルキル基）、ｍは０〜５、ｎは１〜３）、臭素含有単
量体などがあげられ、通常、ヨウ素含有単量体などが好
適である。
（Ｒは炭素数１〜１０のフッ素原子を含んでいてもよい
アルキル基）、ｍは０〜５、ｎは１〜３）、臭素含有単
量体などがあげられ、通常、ヨウ素含有単量体などが好
適である。
【００３７】また、非エラストマー性セグメントである
共重合体としては、 （１）ＶｄＦ／ＴＦＥ（０〜１００／１００〜０）、特
にＶｄＦ／ＴＦＥ（７０〜９９／３０〜１）、ＰＴＦＥ
またはＰＶｄＦ； （２）エチレン／ＴＦＥ／ＨＦＰ（６〜４３／４０〜８
１／１０〜３０）、３，３，３−トリフルオロプロピレ
ン−１，２−トリフルオロメチル−３，３，３−トリフ
ルオロプロピレン−１／ＰＡＶＥ（４０〜６０／６０〜
４０）； （３）ＴＦＥ／ＣＦ2＝ＣＦ−Ｒf 1（非エラストマー性
を示す組成範囲、すなわち、ＣＦ2＝ＣＦ−Ｒf 1が１５
モル％以下）； （４）ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＣＴＦＥ（５０〜９９／３０〜
０／２０〜１）； （５）ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＨＦＰ（６０〜９９／３０〜０
／１０〜１）； （６）エチレン／ＴＦＥ（３０〜６０／７０〜４０）； （７）ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）； （８）エチレン／ＣＴＦＥ（３０〜６０／７０〜４０） などがあげられる。これらのうち、耐薬品性と耐熱性の
点から、特にＰＴＦＥおよびＴＦＥ／ＣＦ2＝ＣＦ−Ｒf
1の非エラストマー性の共重合体が好ましい。
共重合体としては、 （１）ＶｄＦ／ＴＦＥ（０〜１００／１００〜０）、特
にＶｄＦ／ＴＦＥ（７０〜９９／３０〜１）、ＰＴＦＥ
またはＰＶｄＦ； （２）エチレン／ＴＦＥ／ＨＦＰ（６〜４３／４０〜８
１／１０〜３０）、３，３，３−トリフルオロプロピレ
ン−１，２−トリフルオロメチル−３，３，３−トリフ
ルオロプロピレン−１／ＰＡＶＥ（４０〜６０／６０〜
４０）； （３）ＴＦＥ／ＣＦ2＝ＣＦ−Ｒf 1（非エラストマー性
を示す組成範囲、すなわち、ＣＦ2＝ＣＦ−Ｒf 1が１５
モル％以下）； （４）ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＣＴＦＥ（５０〜９９／３０〜
０／２０〜１）； （５）ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＨＦＰ（６０〜９９／３０〜０
／１０〜１）； （６）エチレン／ＴＦＥ（３０〜６０／７０〜４０）； （７）ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦ
Ｅ）； （８）エチレン／ＣＴＦＥ（３０〜６０／７０〜４０） などがあげられる。これらのうち、耐薬品性と耐熱性の
点から、特にＰＴＦＥおよびＴＦＥ／ＣＦ2＝ＣＦ−Ｒf
1の非エラストマー性の共重合体が好ましい。
【００３８】シリコーン系エラストマーとしては、たと
えばシリコーンゴム、フルオロシリコーンゴムなどがあ
げられる。
えばシリコーンゴム、フルオロシリコーンゴムなどがあ
げられる。
【００３９】架橋性エラストマー組成物において、前記
本発明のフィラーの配合量は架橋性エラストマー１００
重量部に対して１〜１５０重量部、好ましくは５〜１０
０重量部である。フィラーの配合量が少ないと機械的強
度が充分ではなく、多すぎると伸びなどに劣る。
本発明のフィラーの配合量は架橋性エラストマー１００
重量部に対して１〜１５０重量部、好ましくは５〜１０
０重量部である。フィラーの配合量が少ないと機械的強
度が充分ではなく、多すぎると伸びなどに劣る。
【００４０】このフィラー含有架橋性エラストマー組成
物は、各種成形品の成形材料として、または各種エラス
トマー性成形物のコーティンング用の材料として有用で
ある。
物は、各種成形品の成形材料として、または各種エラス
トマー性成形物のコーティンング用の材料として有用で
ある。
【００４１】成形用の架橋性エラストマー材料とするに
は、前記架橋性エラストマー１００重量部に対して前記
フィラーを１〜１５０重量部、好ましくは５〜１００重
量部、および架橋剤を０．０５〜１０重量部、好ましく
は０．５〜５重量部含有させればよい。
は、前記架橋性エラストマー１００重量部に対して前記
フィラーを１〜１５０重量部、好ましくは５〜１００重
量部、および架橋剤を０．０５〜１０重量部、好ましく
は０．５〜５重量部含有させればよい。
【００４２】架橋剤は架橋性エラストマーの架橋性基
（キュアサイト）の種類によって適宜選定すればよい。
（キュアサイト）の種類によって適宜選定すればよい。
【００４３】架橋系としては、たとえばパーオキサイド
架橋系、ポリオール架橋系、ポリアミン架橋系、トリア
ジン架橋系、オキサゾール架橋系、イミダゾール架橋
系、チアゾール架橋系などにより行なうことができる。
架橋系、ポリオール架橋系、ポリアミン架橋系、トリア
ジン架橋系、オキサゾール架橋系、イミダゾール架橋
系、チアゾール架橋系などにより行なうことができる。
【００４４】パーオキサイド架橋に用いる有機過酸化物
としては、加硫温度条件下でパーオキシラジカルを発生
する公知有機過酸化物ならいずれでもよく、好ましい有
機過酸化物は、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミ
ルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベ
ンゾイルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンなどであ
る。
としては、加硫温度条件下でパーオキシラジカルを発生
する公知有機過酸化物ならいずれでもよく、好ましい有
機過酸化物は、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミ
ルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベ
ンゾイルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンなどであ
る。
【００４５】ポリオール架橋に用いる架橋剤としては、
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＦなどの多価アル
コール化合物があげられる。
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＦなどの多価アル
コール化合物があげられる。
【００４６】ポリアミン架橋に用いる架橋剤としては、
ヘキサメチレンジアミンカルバメート、Ｎ，Ｎ′−ジシ
ンナミリデン−１，６−ヘキサンジアミン、４，４′−
ビス（アミノシクロヘキシル）メタンカルバメートなど
の多価アミン化合物があげられる。
ヘキサメチレンジアミンカルバメート、Ｎ，Ｎ′−ジシ
ンナミリデン−１，６−ヘキサンジアミン、４，４′−
ビス（アミノシクロヘキシル）メタンカルバメートなど
の多価アミン化合物があげられる。
【００４７】トリアジン架橋に用いる架橋剤としては、
テトラフェニルスズ、トリフェニルスズなどの有機スズ
化合物があげられる。
テトラフェニルスズ、トリフェニルスズなどの有機スズ
化合物があげられる。
【００４８】オキサゾール架橋系、イミダゾール架橋
系、チアゾール架橋系に使用する架橋剤としては、たと
えば式（VI）：
系、チアゾール架橋系に使用する架橋剤としては、たと
えば式（VI）：
【００４９】
【化７】
【００５０】（式中、Ｒ3は−ＳＯ2−、−Ｏ−、−ＣＯ
−、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜１０のパ
ーフルオロアルキレン基または単結合手であり、Ｒ4お
よびＲ5は一方が−ＮＨ2であり他方が−ＮＨ2、−ＯＨ
または−ＳＨ、好ましくはＲ4およびＲ5のいずれも−Ｎ
Ｈ2である）で示されるビスジアミノフェニル系架橋
剤、ビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフ
ェノール系架橋剤、式（VII）：
−、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜１０のパ
ーフルオロアルキレン基または単結合手であり、Ｒ4お
よびＲ5は一方が−ＮＨ2であり他方が−ＮＨ2、−ＯＨ
または−ＳＨ、好ましくはＲ4およびＲ5のいずれも−Ｎ
Ｈ2である）で示されるビスジアミノフェニル系架橋
剤、ビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフ
ェノール系架橋剤、式（VII）：
【００５１】
【化８】
【００５２】で示されるビスアミドラゾン系架橋剤、式
（VIII）または（IX）：
（VIII）または（IX）：
【００５３】
【化９】
【００５４】（式中、Ｒf 3は炭素数１〜１０のパーフル
オロアルキレン基）、
オロアルキレン基）、
【００５５】
【化１０】
【００５６】（式中、ｎは１〜１０の整数）で示される
ビスアミドキシム系架橋剤などがあげられる。これらの
ビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフェノ
ール系架橋剤またはビスジアミノフェニル系架橋剤など
は従来ニトリル基を架橋点とする架橋系に使用していた
ものであるが、カルボキシル基およびアルコキシカルボ
ニル基とも反応し、オキサゾール環、チアゾール環、イ
ミダゾール環を形成し、架橋物を与える。
ビスアミドキシム系架橋剤などがあげられる。これらの
ビスアミノフェノール系架橋剤、ビスアミノチオフェノ
ール系架橋剤またはビスジアミノフェニル系架橋剤など
は従来ニトリル基を架橋点とする架橋系に使用していた
ものであるが、カルボキシル基およびアルコキシカルボ
ニル基とも反応し、オキサゾール環、チアゾール環、イ
ミダゾール環を形成し、架橋物を与える。
【００５７】特に好ましい架橋剤としては複数個の３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル基、３−アミノ−４−
メルカプトフェニル基または式：
アミノ−４−ヒドロキシフェニル基、３−アミノ−４−
メルカプトフェニル基または式：
【００５８】
【化１１】
【００５９】（式中、Ｒ3は前記と同じ、Ｒ1とＲ2は前
記のＲ4およびＲ5と同じ）で示される３，４−ジアミノ
フェニル基を有する化合物があげられ、具体的には、た
とえば２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン（一般名：ビス（アミノ
フェノール）ＡＦ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−
メルカプトフェニル）ヘキサフルオロプロパン、テトラ
アミノベンゼン、ビス−３，４−ジアミノフェニルメタ
ン、ビス−３，４−ジアミノフェニルエーテル、２，２
−ビス（３，４−ジアミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンなどである。
記のＲ4およびＲ5と同じ）で示される３，４−ジアミノ
フェニル基を有する化合物があげられ、具体的には、た
とえば２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン（一般名：ビス（アミノ
フェノール）ＡＦ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−
メルカプトフェニル）ヘキサフルオロプロパン、テトラ
アミノベンゼン、ビス−３，４−ジアミノフェニルメタ
ン、ビス−３，４−ジアミノフェニルエーテル、２，２
−ビス（３，４−ジアミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンなどである。
【００６０】架橋剤の配合量は、架橋性エラストマー１
００重量部に対し、通常０．０５〜１０重量部、好まし
くは１〜５重量部である。０．０５重量部より少ない
と、架橋性エラストマーが充分架橋されず、一方１０重
量部を超えると、架橋物の物性を悪化させる。
００重量部に対し、通常０．０５〜１０重量部、好まし
くは１〜５重量部である。０．０５重量部より少ない
と、架橋性エラストマーが充分架橋されず、一方１０重
量部を超えると、架橋物の物性を悪化させる。
【００６１】本発明、特にコーティング用の材料として
使用する場合は、さらに多官能性共架橋剤などの架橋助
剤を用いることができる。使用する多官能性共架橋剤と
しては、たとえばトリアリルシアヌレート、トリメタア
リルイソシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、
トリアクリルホルマール、トリアリルトリメリテート、
Ｎ，Ｎ′−ｍ−フェニレンビスマレイミド、ジアリルフ
タレート、テトラ アリルテレフタールアミド、トリス
（ジアリルアミン）−Ｓ−トリアジン、亜リン酸トリア
リル、Ｎ，Ｎ−ジアリルアクリルアミド、１，６−ジビ
ニルドデカフルオロヘキサンに代表されるビスオレフィ
ンなどがあげられる。
使用する場合は、さらに多官能性共架橋剤などの架橋助
剤を用いることができる。使用する多官能性共架橋剤と
しては、たとえばトリアリルシアヌレート、トリメタア
リルイソシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、
トリアクリルホルマール、トリアリルトリメリテート、
Ｎ，Ｎ′−ｍ−フェニレンビスマレイミド、ジアリルフ
タレート、テトラ アリルテレフタールアミド、トリス
（ジアリルアミン）−Ｓ−トリアジン、亜リン酸トリア
リル、Ｎ，Ｎ−ジアリルアクリルアミド、１，６−ジビ
ニルドデカフルオロヘキサンに代表されるビスオレフィ
ンなどがあげられる。
【００６２】架橋助剤の配合量は、架橋性エラストマー
１００重量部に対し、通常０．１〜１０重量部、好まし
くは０．５〜５重量部である。
１００重量部に対し、通常０．１〜１０重量部、好まし
くは０．５〜５重量部である。
【００６３】架橋助剤の含有量が０．１重量部より少な
いと、架橋性エラストマーが充分架橋されず、一方１０
重量部を超えると架橋物の伸びが低下する。
いと、架橋性エラストマーが充分架橋されず、一方１０
重量部を超えると架橋物の伸びが低下する。
【００６４】本発明において、特に高純度かつ非汚染性
が要求されない分野では、必要に応じて架橋性エラスト
マー組成物に配合される通常の添加物、たとえば充填
剤、加工助剤、可塑剤、着色剤などを配合することがで
き、前記のものとは異なる常用の架橋剤や架橋助剤を１
種またはそれ以上配合してもよい。
が要求されない分野では、必要に応じて架橋性エラスト
マー組成物に配合される通常の添加物、たとえば充填
剤、加工助剤、可塑剤、着色剤などを配合することがで
き、前記のものとは異なる常用の架橋剤や架橋助剤を１
種またはそれ以上配合してもよい。
【００６５】本発明の組成物および成形用またはコーテ
ィング用材料は、上記の各成分を、通常のエラストマー
用加工機械、たとえば、オープンロール、バンバリーミ
キサー、ニーダーなどを用いて混合することにより調製
することができる。この他、密閉式混合機を用いる方法
やエマルジョン混合から共凝析する方法によっても調製
することができる。
ィング用材料は、上記の各成分を、通常のエラストマー
用加工機械、たとえば、オープンロール、バンバリーミ
キサー、ニーダーなどを用いて混合することにより調製
することができる。この他、密閉式混合機を用いる方法
やエマルジョン混合から共凝析する方法によっても調製
することができる。
【００６６】上記組成物および材料から予備成形体を得
る方法は通常の方法でよく、金型にて加熱圧縮する方
法、加熱された金型に圧入する方法、押出機で押出す方
法など公知の方法で行なうことができる。ホースや電線
などの押出製品の場合は押出後も形を保持することが可
能なので、架橋剤を使用せずに押出した予備成形体をそ
のまま用いることができる。もちろん架橋剤を使用して
スチームなどによる加熱架橋を施した予備成形体を用い
ることも可能である。またＯ−リングなどの型物製品で
未架橋状態では離型後も形を保持することが困難な場合
は、架橋剤を使用してあらかじめ架橋した予備成形体を
用いることにより実施可能となる。
る方法は通常の方法でよく、金型にて加熱圧縮する方
法、加熱された金型に圧入する方法、押出機で押出す方
法など公知の方法で行なうことができる。ホースや電線
などの押出製品の場合は押出後も形を保持することが可
能なので、架橋剤を使用せずに押出した予備成形体をそ
のまま用いることができる。もちろん架橋剤を使用して
スチームなどによる加熱架橋を施した予備成形体を用い
ることも可能である。またＯ−リングなどの型物製品で
未架橋状態では離型後も形を保持することが困難な場合
は、架橋剤を使用してあらかじめ架橋した予備成形体を
用いることにより実施可能となる。
【００６７】またパーオキサイド架橋を行なう場合、通
常の架橋性エラストマーの架橋条件下で行なうことがで
きる。たとえば、金型に入れ、加圧下において１２０〜
２００℃で１〜６０分間保持することによってプレス架
橋を行ない、続いて１２０〜２５０℃の炉中で０〜４８
時間保持することによってオーブン架橋を行なうと、架
橋物を得ることができる。
常の架橋性エラストマーの架橋条件下で行なうことがで
きる。たとえば、金型に入れ、加圧下において１２０〜
２００℃で１〜６０分間保持することによってプレス架
橋を行ない、続いて１２０〜２５０℃の炉中で０〜４８
時間保持することによってオーブン架橋を行なうと、架
橋物を得ることができる。
【００６８】本発明においてビスアミノフェノールなど
の架橋剤を用いてオキサゾール架橋を行なう場合、通常
の架橋性エラストマーの架橋条件下で行なうことができ
る。たとえば、金型に入れ、加圧下において１２０〜２
５０℃で１〜６０分間保持することによって、プレス架
橋を行ない、続いて１２０〜３２０℃の炉中で０〜４８
時間保持することによってオーブン架橋を行なうと、架
橋物を得ることができる。また公知の架橋性エラストマ
ーの架橋方法、たとえばポリアミン架橋やポリオール架
橋、パーオキサイド架橋の配合にビス（アミノフェノー
ル）ＡＦなどを添加して併用架橋することもできる。
の架橋剤を用いてオキサゾール架橋を行なう場合、通常
の架橋性エラストマーの架橋条件下で行なうことができ
る。たとえば、金型に入れ、加圧下において１２０〜２
５０℃で１〜６０分間保持することによって、プレス架
橋を行ない、続いて１２０〜３２０℃の炉中で０〜４８
時間保持することによってオーブン架橋を行なうと、架
橋物を得ることができる。また公知の架橋性エラストマ
ーの架橋方法、たとえばポリアミン架橋やポリオール架
橋、パーオキサイド架橋の配合にビス（アミノフェノー
ル）ＡＦなどを添加して併用架橋することもできる。
【００６９】また、カルボキシル基をビスジアミノフェ
ニル系架橋剤で架橋するイミダゾール架橋は、カルボキ
シル基を末端以外に有するカルボキシル含有ポリマーに
最適であり、比較的低い架橋温度（たとえば１５０〜２
３０℃、好ましくは１７０〜２００℃）で良好な物性を
もつ架橋物を与える。
ニル系架橋剤で架橋するイミダゾール架橋は、カルボキ
シル基を末端以外に有するカルボキシル含有ポリマーに
最適であり、比較的低い架橋温度（たとえば１５０〜２
３０℃、好ましくは１７０〜２００℃）で良好な物性を
もつ架橋物を与える。
【００７０】半導体関連製造装置などの非汚染性を強く
求められる用途のばあい、架橋剤などを添加せずに高エ
ネルギー線架橋をするのが好ましい。架橋源としては、
α線、β線、γ線、Ｘ線などの放射線、電子線、紫外線
などが用いられる。
求められる用途のばあい、架橋剤などを添加せずに高エ
ネルギー線架橋をするのが好ましい。架橋源としては、
α線、β線、γ線、Ｘ線などの放射線、電子線、紫外線
などが用いられる。
【００７１】予備成形体に照射される高エネルギー線
は、たとえば電子線の場合、照射線量は５〜５００ｋＧ
ｙが好ましく、さらに１０〜３００ｋＧｙが好ましい。
５ｋＧｙよりも少ないと電子線の照射による機械的強度
の改善が不充分となり、５００ｋＧｙより多いとエラス
トマーの崩壊が進行し、分子間結合が一部切断されて成
形体の機械的強度が低下する。また、機械的強度の改善
のためには線量率は５００ｋＧｙ／ｈｒ以上が好まし
く、さらに１０００ｋＧｙ／ｈｒが好ましい。
は、たとえば電子線の場合、照射線量は５〜５００ｋＧ
ｙが好ましく、さらに１０〜３００ｋＧｙが好ましい。
５ｋＧｙよりも少ないと電子線の照射による機械的強度
の改善が不充分となり、５００ｋＧｙより多いとエラス
トマーの崩壊が進行し、分子間結合が一部切断されて成
形体の機械的強度が低下する。また、機械的強度の改善
のためには線量率は５００ｋＧｙ／ｈｒ以上が好まし
く、さらに１０００ｋＧｙ／ｈｒが好ましい。
【００７２】本発明は上記組成物または成形用材料を架
橋成形して得られる成形品に関する。さらに、上記コー
ティング用材料でエラストマー性成形物を被覆し架橋し
て得られる被覆成形品にも関する。
橋成形して得られる成形品に関する。さらに、上記コー
ティング用材料でエラストマー性成形物を被覆し架橋し
て得られる被覆成形品にも関する。
【００７３】被覆されるエラストマー性成形物として
は、各種のエラストマー性の材料で作製された物品が使
用できるが、特に耐熱性の点からフッ素系エラストマー
やシリコーン系エラストマーなどが好ましい。
は、各種のエラストマー性の材料で作製された物品が使
用できるが、特に耐熱性の点からフッ素系エラストマー
やシリコーン系エラストマーなどが好ましい。
【００７４】本発明の成形品および被覆成形品はつぎの
表１、表２および表３に示す分野の各種成形品として有
用である。
表１、表２および表３に示す分野の各種成形品として有
用である。
【００７５】
【表１】
【００７６】
【表２】
【００７７】
【表３】
【００７８】特に具体的には次のような半導体製造装置
に組み込んで用いることができる。
に組み込んで用いることができる。
【００７９】（１）エッチング装置 ドライエッチング装置 プラズマエッチング装置 反応性イオンエッチング装置 反応性イオンビームエッチング装置 スパッタエッチング装置 イオンビームエッチング装置 ウェットエッチング装置 アッシング装置 （２）洗浄装置 乾式エッチング洗浄装置 ＵＶ／Ｏ3洗浄装置 イオンビーム洗浄装置 レーザービーム洗浄装置 プラズマ洗浄装置 ガスエッチング洗浄装置 抽出洗浄装置 ソックスレー抽出洗浄装置 高温高圧抽出洗浄装置 マイクロウェーブ抽出洗浄装置 超臨界抽出洗浄装置 （３）露光装置 ステッパー コータ・デベロッパー （４）研磨装置 ＣＭＰ装置 （５）成膜装置 ＣＶＤ装置 スパッタリング装置 （６）拡散・イオン注入装置 酸化拡散装置 イオン注入装置 これらのうち、特にプラズマ処理が行なわれる装置、た
とえばＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、反応性イ
オンエッチング装置、アッシング装置、エキシマレーザ
ー露光機のシール材として優れた性能を発揮する。
とえばＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置、反応性イ
オンエッチング装置、アッシング装置、エキシマレーザ
ー露光機のシール材として優れた性能を発揮する。
【００８０】
【実施例】つぎに本発明を実施例をあげて説明するが、
本発明はかかる実施例のみに限られるものではない。
本発明はかかる実施例のみに限られるものではない。
【００８１】実施例１ ポリイミドフィルムをガラス製のシャーレに入れ窒素雰
囲気にて１５０℃で６０分間加熱し、サンプルを作製し
た。
囲気にて１５０℃で６０分間加熱し、サンプルを作製し
た。
【００８２】このサンプルについて、つぎの条件下でプ
ラズマ照射処理を施し、照射前後の重量を測定して重量
変化を調べた。結果を表４に示す。
ラズマ照射処理を施し、照射前後の重量を測定して重量
変化を調べた。結果を表４に示す。
【００８３】使用プラズマ照射装置：マーチ・インスツ
ルメンツ（March Instrurments）社製のＰＸ−１００
０
ルメンツ（March Instrurments）社製のＰＸ−１００
０
【００８４】照射条件： 酸素プラズマ照射処理 ガス流量：２００ｓｃｃｍ ＲＦ出力：４００Ｗ 圧力：２８０ミリトール エッチング時間：５４分間 ＣＦ4プラズマ照射処理 ガス流量：２００ｓｃｃｍ ＲＦ出力：４００Ｗ 圧力：２８０ミリトール エッチング時間：５４分間
【００８５】照射操作：プラズマ照射装置のチャンバー
内の雰囲気を安定させるために、チャンバー前処理とし
て５分間かけて実ガス空放電を行なう。ついでサンプル
を入れたシャーレをＲＦ電極の中心部に配置し、上記の
条件で照射する。
内の雰囲気を安定させるために、チャンバー前処理とし
て５分間かけて実ガス空放電を行なう。ついでサンプル
を入れたシャーレをＲＦ電極の中心部に配置し、上記の
条件で照射する。
【００８６】重量測定：シャルトリウス（Sartorius）
・ＧＭＢＨ(株)製の電子分析天秤２００６ＭＰＥを使用
し、０．０１ｍｇまで測定し０．０１ｍｇの桁を四捨五
入する。
・ＧＭＢＨ(株)製の電子分析天秤２００６ＭＰＥを使用
し、０．０１ｍｇまで測定し０．０１ｍｇの桁を四捨五
入する。
【００８７】サンプルは１種類につき３個使用し、平均
で評価する。
で評価する。
【００８８】比較例１ フィラーとして黒鉛化カーボンブラック（東海カーボン
(株)製の＃３８８５。平均粒径１５μｍ）を用いたほか
は実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照射前後の重
量変化を調べた。結果を表４に示す。
(株)製の＃３８８５。平均粒径１５μｍ）を用いたほか
は実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照射前後の重
量変化を調べた。結果を表４に示す。
【００８９】比較例２ フィラーとしてポリテトラフルオロエチレン粉末（ダイ
キン工業(株)製のルブロンＬ５Ｆ。平均粒径５μｍ）を
用いたほかは実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照
射前後の重量変化を調べた。結果を表４に示す。
キン工業(株)製のルブロンＬ５Ｆ。平均粒径５μｍ）を
用いたほかは実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照
射前後の重量変化を調べた。結果を表４に示す。
【００９０】比較例３ フィラーとしてルチル型酸化チタン粉末（富士チタン
(株)製のＴＭ−１。平均粒径０．４０μｍ）を用いたほ
かは実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照射前後の
重量変化を調べた。結果を表４に示す。
(株)製のＴＭ−１。平均粒径０．４０μｍ）を用いたほ
かは実施例１と同様にしてプラズマ照射し、照射前後の
重量変化を調べた。結果を表４に示す。
【００９１】比較例４ フィラーとして乾式シリカ（(株)龍森製の１−ＦＸ。平
均粒径０．３８μｍ）を用いたほかは実施例１と同様に
してプラズマ照射し、照射前後の重量変化を調べた。結
果を表４に示す。
均粒径０．３８μｍ）を用いたほかは実施例１と同様に
してプラズマ照射し、照射前後の重量変化を調べた。結
果を表４に示す。
【００９２】
【表４】
【００９３】表４から明らかなように、カーボンブラッ
ク（比較例１）およびポリテトラフルオロエチレン粉末
（比較例２）では酸素プラズマ照射により大きく重量が
減少しており、また酸化チタン粉末（比較例３）および
乾式シリカ（比較例４）ではＣＦ4プラズマ照射により
大きく重量減少が生じている。なお、比較例１のＣＦ4
プラズマ照射において重量が増加しているが、これはＣ
Ｆ4プラズマによりカーボンブラックは一部フッ素化さ
れたためと考えられる。これらに対し、本発明のフィラ
ーでは酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射のい
ずれにおいても極めて重量が安定していることがわか
る。
ク（比較例１）およびポリテトラフルオロエチレン粉末
（比較例２）では酸素プラズマ照射により大きく重量が
減少しており、また酸化チタン粉末（比較例３）および
乾式シリカ（比較例４）ではＣＦ4プラズマ照射により
大きく重量減少が生じている。なお、比較例１のＣＦ4
プラズマ照射において重量が増加しているが、これはＣ
Ｆ4プラズマによりカーボンブラックは一部フッ素化さ
れたためと考えられる。これらに対し、本発明のフィラ
ーでは酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射のい
ずれにおいても極めて重量が安定していることがわか
る。
【００９４】
【発明の効果】本発明によれば、酸素プラズマ照射およ
びＣＦ4プラズマ照射のいずれにおいても重量変化が小
さいので、架橋性エラストマーに配合するときには、極
めて異物の混入を嫌う半導体製造装置における封止のた
めのシール材など用の組成物、さらにはシール材といっ
た成形品を提供できる。
びＣＦ4プラズマ照射のいずれにおいても重量変化が小
さいので、架橋性エラストマーに配合するときには、極
めて異物の混入を嫌う半導体製造装置における封止のた
めのシール材など用の組成物、さらにはシール材といっ
た成形品を提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/3477 Ｃ０８Ｋ 5/3477 ５Ｆ００４ Ｃ０８Ｌ 27/12 Ｃ０８Ｌ 27/12 83/04 83/04 Ｃ０９Ｄ 7/12 Ｃ０９Ｄ 7/12 Ａ 127/12 127/12 Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｇ Ｍ Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 山外 隆文 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 (72)発明者 岸根 充 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 Ｆターム(参考） 4F006 AA18 AA42 AB19 AB39 CA08 DA04 4F071 AA26 AA60 AA67 AE02 AG16 BC01 BC07 4H017 AA03 AA04 AA39 AB12 AB15 AB17 AD06 AE05 4J002 BD14W BD15W BD16W CF16X CH09X CM05X CN01X CN03X CP03W CP08W EH146 EJ036 EK036 EK056 EN086 EN096 EN106 EN116 ER016 ES016 EU026 EU196 EV226 EW066 EZ016 FD146 GH01 GH02 GJ02 GQ00 4J038 CD091 CD121 CD131 DF052 DJ022 DJ052 DK002 DK012 KA08 MA02 PB09 5F004 AA15 AA16 BB29 BB30 BC01 DA01 DA26
Claims (17)
- 【請求項１】 流量２００ｓｃｃｍ、圧力２８０ミリト
ール、ＲＦ電力４００Ｗおよび照射時間５４分間の条件
で測定した酸素プラズマ照射およびＣＦ4プラズマ照射
前後の重量変化がいずれも４ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下で
ある架橋性エラストマー用のフィラー。 - 【請求項２】 重量変化が１ｍｇ／ｃｍ2・ｈｒ以下で
ある請求項１記載のフィラー。 - 【請求項３】 主鎖に熱的、化学的に安定な芳香族環を
有し耐熱温度１５０℃以上である請求項１または２記載
のフィラー。 - 【請求項４】 主鎖中にアミド結合をもつ合成高分子化
合物またはイミド結合をもつ合成高分子化合物からなる
請求項１〜３のいずれかに記載のフィラー。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のフィラ
ーと架橋性エラストマーとを含む架橋性エラストマー組
成物。 - 【請求項６】 前記架橋性エラストマー１００重量部に
対して前記フィラーを１〜１５０重量部含有する請求項
５記載の架橋性エラストマー組成物。 - 【請求項７】 架橋性エラストマーが、フッ素系エラス
トマーまたはシリコーン系エラストマーである請求項５
または６記載の架橋性エラストマー組成物。 - 【請求項８】 請求項５〜７のいずれかに記載の架橋性
エラストマー組成物からなる成形用架橋性エラストマー
材料。 - 【請求項９】 前記架橋性エラストマー１００重量部に
対して前記フィラーを１〜１５０重量部および架橋剤を
０．０５〜１０重量部含有する請求項８記載の成形用架
橋性エラストマー材料。 - 【請求項１０】 架橋性エラストマーが、フッ素系エラ
ストマーまたはシリコーン系エラストマーである請求項
８または９記載の成形用架橋性エラストマー材料。 - 【請求項１１】 請求項８〜１０のいずれかに記載の成
形用架橋性エラストマー材料を架橋成形して得られる成
形品。 - 【請求項１２】 半導体製造装置における封止のための
シール材である請求項１１記載の成形品。 - 【請求項１３】 請求項５〜７のいずれかに記載の架橋
性エラストマー組成物からなるコーティング用架橋性エ
ラストマー材料。 - 【請求項１４】 前記架橋性エラストマー１００重量部
に対して前記フィラーを１〜１５０重量部および架橋剤
を０．１〜１０重量部含有する請求項１３記載のコーテ
ィング用架橋性エラストマー材料。 - 【請求項１５】 架橋性エラストマーが、フッ素系エラ
ストマーまたはシリコーン系エラストマーである請求項
１３または１４記載のコーティング用架橋性エラストマ
ー材料。 - 【請求項１６】 請求項１３〜１５のいずれかに記載の
コーティング用架橋性エラストマー材料をエラストマー
性成形物の表面にコーティングしたのち架橋して得られ
る被覆成形品。 - 【請求項１７】 半導体製造装置における封止のための
シール材である請求項１６記載の被覆成形品。
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