JP2000311900A - ダイオードとその製造方法 - Google Patents
ダイオードとその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常時負荷が接続される蓄電池設備に最適
なダイオードを提供する。 【解決手段】 厚い板厚を有し，高濃度のＮ型半導体基
板２の一方の表面に低濃度で十分薄いＮ型半導体層４を
形成する。このＮ型半導体層４を高濃度のＰ型半導体層
６に置換する。
なダイオードを提供する。 【解決手段】 厚い板厚を有し，高濃度のＮ型半導体基
板２の一方の表面に低濃度で十分薄いＮ型半導体層４を
形成する。このＮ型半導体層４を高濃度のＰ型半導体層
６に置換する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ダイオードとその
製造方法に関するものである。特にダイオードは直流の
常時負荷が接続される蓄電池設備に使用されるダイオー
ドに関するものである。
製造方法に関するものである。特にダイオードは直流の
常時負荷が接続される蓄電池設備に使用されるダイオー
ドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】蓄電池設備は一般に，図５に示すような
構成になっている。４０ａ，４０ｂ，４０ｃの入力端子
には常用の商用交流電源が入力され，この商用電源は，
充電装置４２により整流され，充電装置４２から直流が
出力される。上記充電装置４２は，内蔵するサイリスタ
により制御整流して直流を出力するものと，内蔵する入
力側整流器で一旦直流に変換し，この直流を内蔵するイ
ンバータ等により高周波交流に変換し，さらにこの高周
波交流を出力側整流器で，再度直流に変換して直流を出
力するものがある。４４は充電装置４２の出力と，並列
に接続された蓄電池で，常用の商用交流電源が停電した
場合，負荷補償装置４６を介して通信設備など直流の常
時負荷５８に直流を供給する。
構成になっている。４０ａ，４０ｂ，４０ｃの入力端子
には常用の商用交流電源が入力され，この商用電源は，
充電装置４２により整流され，充電装置４２から直流が
出力される。上記充電装置４２は，内蔵するサイリスタ
により制御整流して直流を出力するものと，内蔵する入
力側整流器で一旦直流に変換し，この直流を内蔵するイ
ンバータ等により高周波交流に変換し，さらにこの高周
波交流を出力側整流器で，再度直流に変換して直流を出
力するものがある。４４は充電装置４２の出力と，並列
に接続された蓄電池で，常用の商用交流電源が停電した
場合，負荷補償装置４６を介して通信設備など直流の常
時負荷５８に直流を供給する。
【０００３】今常用の商用交流電源が停電した後，商用
電源が復旧したとき，停電時に放電した蓄電池４４は充
電装置４２により充電されていく。この蓄電池４４の充
電末期電圧が負荷５８の最高許容電圧を上回り，負荷５
８に過電圧の悪影響を及ぼすことがある。このため，蓄
電池４４と負荷５８との間に負荷補償装置４６が設けら
れている。この負荷補償装置４６はダイオード４８ａ，
４８ｂ，４８ｃ，４８ｄ，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５
０ｄが正方向に直列に接続される。ダイオード４８ａ〜
４８ｄ，５０ａ〜５０ｄは１／１０〜定格電流の変化に
対し，１素子当たり０．５〜１．１Ｖが得られるので，
これを必要個数直列に接続される。また，蓄電池４４の
電池電圧を電圧検出器５２により検出し，電池電圧に応
じて直列接続されたダイオードを短絡する短絡手段５４
ａ，５４ｂを切換て負荷補償を行っている。
電源が復旧したとき，停電時に放電した蓄電池４４は充
電装置４２により充電されていく。この蓄電池４４の充
電末期電圧が負荷５８の最高許容電圧を上回り，負荷５
８に過電圧の悪影響を及ぼすことがある。このため，蓄
電池４４と負荷５８との間に負荷補償装置４６が設けら
れている。この負荷補償装置４６はダイオード４８ａ，
４８ｂ，４８ｃ，４８ｄ，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５
０ｄが正方向に直列に接続される。ダイオード４８ａ〜
４８ｄ，５０ａ〜５０ｄは１／１０〜定格電流の変化に
対し，１素子当たり０．５〜１．１Ｖが得られるので，
これを必要個数直列に接続される。また，蓄電池４４の
電池電圧を電圧検出器５２により検出し，電池電圧に応
じて直列接続されたダイオードを短絡する短絡手段５４
ａ，５４ｂを切換て負荷補償を行っている。
【０００４】上記負荷補償装置４６に使用されるダイオ
ード４８ａ〜４８ｄ，５０ａ〜５０ｄは図６に示すよう
な汎用の電力用ダイオードが用いられている。すなわ
ち，２２は厚みが４００μｍ程度で，高濃度のＮ型半導
体基板で，このＮ型半導体基板２２の上に厚みが５０μ
ｍ程度の低濃度のＮ型半導体層２４が形成され，さら
に，この低濃度のＮ型半導体層２４の上には厚みが数μ
ｍで高濃度のＰ型半導体層２６が形成されている。この
後，Ｐ型半導体層２６，高濃度のＮ型半導体基板２２の
表面にアルミニウムを蒸着などによってそれぞれアノー
ド電極２８とカソード電極３０が形成される。
ード４８ａ〜４８ｄ，５０ａ〜５０ｄは図６に示すよう
な汎用の電力用ダイオードが用いられている。すなわ
ち，２２は厚みが４００μｍ程度で，高濃度のＮ型半導
体基板で，このＮ型半導体基板２２の上に厚みが５０μ
ｍ程度の低濃度のＮ型半導体層２４が形成され，さら
に，この低濃度のＮ型半導体層２４の上には厚みが数μ
ｍで高濃度のＰ型半導体層２６が形成されている。この
後，Ｐ型半導体層２６，高濃度のＮ型半導体基板２２の
表面にアルミニウムを蒸着などによってそれぞれアノー
ド電極２８とカソード電極３０が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記ダイオードは，汎
用のダイオードであり，低濃度のＮ型半導体層によって
図７の出力電圧電流特性図に示すように電圧ＶFは０．
６５〜１．１Ｖと少し変化する。また，逆電圧を得るた
めに設けられた低濃度のＮ型半導体層を製造するとき管
理が十分でないと，製造ロットごとに出力電圧電流特性
の変化が少しづつ異なる。このため，負荷を最適に補償
するには，直列接続されるダイオードの特性を揃えるな
ど負荷補償装置４６の製作時の管理が必要となってい
た。また，最小電流時でも負荷５８に印加する電圧を最
適にするには最小出力電流時の電圧降下を０．６５Ｖに
して負荷補償装置４６のダイオードの数を設計しなけれ
ばならない。このために，出力電流に応じて数多くの短
絡手段５４ａ，５４ｂが必要となっていた。
用のダイオードであり，低濃度のＮ型半導体層によって
図７の出力電圧電流特性図に示すように電圧ＶFは０．
６５〜１．１Ｖと少し変化する。また，逆電圧を得るた
めに設けられた低濃度のＮ型半導体層を製造するとき管
理が十分でないと，製造ロットごとに出力電圧電流特性
の変化が少しづつ異なる。このため，負荷を最適に補償
するには，直列接続されるダイオードの特性を揃えるな
ど負荷補償装置４６の製作時の管理が必要となってい
た。また，最小電流時でも負荷５８に印加する電圧を最
適にするには最小出力電流時の電圧降下を０．６５Ｖに
して負荷補償装置４６のダイオードの数を設計しなけれ
ばならない。このために，出力電流に応じて数多くの短
絡手段５４ａ，５４ｂが必要となっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１記載の発明は， 厚い板厚を有し，高濃度
のＮ型半導体基板と，上記Ｎ型半導体基板の一方の表面
に，十分薄く形成された高濃度のＰ型半導体層とにより
形成されたものである。
に，請求項１記載の発明は， 厚い板厚を有し，高濃度
のＮ型半導体基板と，上記Ｎ型半導体基板の一方の表面
に，十分薄く形成された高濃度のＰ型半導体層とにより
形成されたものである。
【０００７】請求項１記載の発明によれば，Ｎ型半導体
基板とＰ型半導体層は，ともに高濃度で，Ｎ型半導体基
板とＰ型半導体層とのバリアが高くなり，ダイオードが
順方向にオンする電圧は高くなる。また，Ｐ型半導体層
の厚みはＮ型半導体基板の厚みより十分に薄い。すなわ
ち，Ｎ型半導体基板の厚みがＰ型半導体層の厚みより十
分厚いため，電圧電流特性の立ち上がりは，ほとんどＮ
型半導体基板により決定される。さらに，Ｎ型半導体基
板の濃度が高濃度であるため，低抵抗となる。
基板とＰ型半導体層は，ともに高濃度で，Ｎ型半導体基
板とＰ型半導体層とのバリアが高くなり，ダイオードが
順方向にオンする電圧は高くなる。また，Ｐ型半導体層
の厚みはＮ型半導体基板の厚みより十分に薄い。すなわ
ち，Ｎ型半導体基板の厚みがＰ型半導体層の厚みより十
分厚いため，電圧電流特性の立ち上がりは，ほとんどＮ
型半導体基板により決定される。さらに，Ｎ型半導体基
板の濃度が高濃度であるため，低抵抗となる。
【０００８】よって，このダイオードを蓄電池設備の負
荷補償装置に使用したときは，最小出力電流時のダイオ
ードのオン電圧と，定格電流時のオン電圧とが，ほぼ等
しく出力電流に応じてダイオードを短絡する短絡手段を
少なくすることができる。また，ダイオードのオン電圧
は大きいため，蓄電池を負荷補償させるダイオードの数
を少なくすることができる。
荷補償装置に使用したときは，最小出力電流時のダイオ
ードのオン電圧と，定格電流時のオン電圧とが，ほぼ等
しく出力電流に応じてダイオードを短絡する短絡手段を
少なくすることができる。また，ダイオードのオン電圧
は大きいため，蓄電池を負荷補償させるダイオードの数
を少なくすることができる。
【０００９】請求項２記載の発明は，厚い板厚を有し，
高濃度のＮ型半導体基板の一方の表面に，低濃度で，十
分薄いＮ型半導体層を形成する工程と，上記Ｎ型半導体
層を高濃度のＰ型半導体層に置換する工程とを備えたも
のである。
高濃度のＮ型半導体基板の一方の表面に，低濃度で，十
分薄いＮ型半導体層を形成する工程と，上記Ｎ型半導体
層を高濃度のＰ型半導体層に置換する工程とを備えたも
のである。
【００１０】請求項２記載の発明によれば，高濃度のＮ
型半導体基板の表面に高濃度のＰ型半導体層を形成する
のは容易ではない。まず，高濃度のＮ型半導体基板の表
面に低濃度のＮ型半導体層を既存の技術により形成す
る。この低濃度のＮ型半導体層い高濃度のＰ型半導体不
純物をイオン注入又は拡散によりＰ型半導体層に容易に
置換される。これら工程の技術は既存の安価な技術で行
うことができる。
型半導体基板の表面に高濃度のＰ型半導体層を形成する
のは容易ではない。まず，高濃度のＮ型半導体基板の表
面に低濃度のＮ型半導体層を既存の技術により形成す
る。この低濃度のＮ型半導体層い高濃度のＰ型半導体不
純物をイオン注入又は拡散によりＰ型半導体層に容易に
置換される。これら工程の技術は既存の安価な技術で行
うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を，その実施の形態を示す
図１乃至４を用いて説明する。図２は本発明のダイオー
ドの製造方法の工程を示したものである。図２（ａ）に
おいて２は厚みが４００μｍ程度で高濃度，例えば１立
方センチメートル当たり１０の１８乗乃至１９乗アト
ム，Ｎ型半導体基板であり，この高濃度のＮ型半導体基
板２の一方の面に，エピタキシャル成長技術などの既存
技術により，例えば数μｍ程度の薄い低濃度のＮ型半導
体層を形成する。
図１乃至４を用いて説明する。図２は本発明のダイオー
ドの製造方法の工程を示したものである。図２（ａ）に
おいて２は厚みが４００μｍ程度で高濃度，例えば１立
方センチメートル当たり１０の１８乗乃至１９乗アト
ム，Ｎ型半導体基板であり，この高濃度のＮ型半導体基
板２の一方の面に，エピタキシャル成長技術などの既存
技術により，例えば数μｍ程度の薄い低濃度のＮ型半導
体層を形成する。
【００１２】次に，この低濃度のＮ型半導体層４の表面
から高濃度，例えば１立方センチメートル当たり１０の
１９乗乃至２０乗アトムのＰ型半導体不純物をイオン注
入又は拡散によりして，図２（ｂ）に示すように低濃度
のＮ型半導体層の全体又は１μｍ程度の厚みを残して高
濃度のＰ型半導体層６に置換する。このとき，Ｐ型半導
体層が数μｍと薄く，Ｎ型半導体層が低濃度であるため
に，Ｐ型濃度の変化は少なく，１立方センチメートル当
たり１０の１９乗乃至２０乗アトムを維持している。こ
の後，図２（ｃ）に示すようにＰ型半導体層６の表面及
び高濃度のＮ型半導体基板２の他の表面に，アルミニウ
ムを蒸着又は表面処理などの既存技術によってアノード
電極１０とカソード電極１２を形成し，図１に示すダイ
オード１を形成する。
から高濃度，例えば１立方センチメートル当たり１０の
１９乗乃至２０乗アトムのＰ型半導体不純物をイオン注
入又は拡散によりして，図２（ｂ）に示すように低濃度
のＮ型半導体層の全体又は１μｍ程度の厚みを残して高
濃度のＰ型半導体層６に置換する。このとき，Ｐ型半導
体層が数μｍと薄く，Ｎ型半導体層が低濃度であるため
に，Ｐ型濃度の変化は少なく，１立方センチメートル当
たり１０の１９乗乃至２０乗アトムを維持している。こ
の後，図２（ｃ）に示すようにＰ型半導体層６の表面及
び高濃度のＮ型半導体基板２の他の表面に，アルミニウ
ムを蒸着又は表面処理などの既存技術によってアノード
電極１０とカソード電極１２を形成し，図１に示すダイ
オード１を形成する。
【００１３】このようにして形成されたダイオード１の
アノード電極１０に＋電位を，またカソード電極１２に
−電位を印加する。印加する電圧が小さい場合には，図
３に示すように電流が流れない。さらに，アノード電極
１０とカソード電極１２とに印加する電圧を大きくし，
例えば電圧ＶＦがほぼ１Ｖになるとダイオード１は急激
に流れる。
アノード電極１０に＋電位を，またカソード電極１２に
−電位を印加する。印加する電圧が小さい場合には，図
３に示すように電流が流れない。さらに，アノード電極
１０とカソード電極１２とに印加する電圧を大きくし，
例えば電圧ＶＦがほぼ１Ｖになるとダイオード１は急激
に流れる。
【００１４】この電圧ＶFまで流れないのは，Ｎ型半導
体基板２とＰ型半導体層６がともに高濃度で，Ｎ型半導
体基板２とＰ型半導体層６との間には空乏層がなくバリ
アが高くなっていることによる。その値は大きい。ま
た，Ｎ型半導体基板２とＰ型半導体層６との間に低濃度
のＮ型半導体層がないため，Ｎ型半導体基板２とＰ型半
導体層６の抵抗分によって図３に示すような電圧電流特
性が決定される。特に，Ｎ型半導体基板２の厚みは，Ｐ
型半導体層６の厚みより十分に厚いため，電圧電流特性
の立ち上がり（抵抗分）はほとんどＮ型半導体基板２に
よって決定される。このＮ型半導体基板２は高濃度であ
るため，抵抗値が小さく，電圧電流特性の立ち上がりは
大きく低抵抗となる。
体基板２とＰ型半導体層６がともに高濃度で，Ｎ型半導
体基板２とＰ型半導体層６との間には空乏層がなくバリ
アが高くなっていることによる。その値は大きい。ま
た，Ｎ型半導体基板２とＰ型半導体層６との間に低濃度
のＮ型半導体層がないため，Ｎ型半導体基板２とＰ型半
導体層６の抵抗分によって図３に示すような電圧電流特
性が決定される。特に，Ｎ型半導体基板２の厚みは，Ｐ
型半導体層６の厚みより十分に厚いため，電圧電流特性
の立ち上がり（抵抗分）はほとんどＮ型半導体基板２に
よって決定される。このＮ型半導体基板２は高濃度であ
るため，抵抗値が小さく，電圧電流特性の立ち上がりは
大きく低抵抗となる。
【００１５】このため，高濃度のＮ型半導体基板の表面
に形成する低濃度で，薄いＮ型半導体層を形成する管理
及び低濃度のＮ型半導体層を高濃度のＰ型半導体に置換
するときの管理に必要以上の管理をすることなく，ダイ
オードを形成することができる。
に形成する低濃度で，薄いＮ型半導体層を形成する管理
及び低濃度のＮ型半導体層を高濃度のＰ型半導体に置換
するときの管理に必要以上の管理をすることなく，ダイ
オードを形成することができる。
【００１６】いま，このダイオードを蓄電池の負荷補償
装置に使用した場合，最小出力電流時のダイオードのオ
ン電圧と定格電流時のオン電圧とがほぼ等しく，出力電
流に応じて切り換える短絡手段を少なくすることができ
る。また，ダイオードがオンする電圧ＶTは大きいた
め，負荷補償させるダイオードの数を少なくすることが
できる。
装置に使用した場合，最小出力電流時のダイオードのオ
ン電圧と定格電流時のオン電圧とがほぼ等しく，出力電
流に応じて切り換える短絡手段を少なくすることができ
る。また，ダイオードがオンする電圧ＶTは大きいた
め，負荷補償させるダイオードの数を少なくすることが
できる。
【００１７】上記実施の形態は，低濃度のＮ型半導体層
の表面全体からＰ型不純物をイオン注入又は拡散してＰ
型半導体層を形成していたが，図４に示すように低濃度
のＮ型半導体層の表面の周端部を除く一部に，高濃度，
例えば１立方センチメートル当たり１０の１９乗〜２０
乗アトムのＰ型半導体不純物をイオン注入又は拡散して
高濃度のＰ型半導体層６ａを形成してもよい。この場合
のダイオードは上記図３に示す実施の形態のダイオード
と同じ動作をする。なお，この場合Ｐ型半導体層６ａの
表面を含み，周端部までを酸化膜８で覆い，さらに，こ
の酸化膜とＰ型半導体層６ａの表面，及び高濃度のＮ型
半導体基板２の他方の表面にアルミニウムを蒸着又は表
面処理してアノード電極１０及びカソード電極１２を形
成する。
の表面全体からＰ型不純物をイオン注入又は拡散してＰ
型半導体層を形成していたが，図４に示すように低濃度
のＮ型半導体層の表面の周端部を除く一部に，高濃度，
例えば１立方センチメートル当たり１０の１９乗〜２０
乗アトムのＰ型半導体不純物をイオン注入又は拡散して
高濃度のＰ型半導体層６ａを形成してもよい。この場合
のダイオードは上記図３に示す実施の形態のダイオード
と同じ動作をする。なお，この場合Ｐ型半導体層６ａの
表面を含み，周端部までを酸化膜８で覆い，さらに，こ
の酸化膜とＰ型半導体層６ａの表面，及び高濃度のＮ型
半導体基板２の他方の表面にアルミニウムを蒸着又は表
面処理してアノード電極１０及びカソード電極１２を形
成する。
【００１８】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば，順方向に
オンする電圧が高く，電圧電流特性の立ち上がりは大き
く低抵抗特性となる。そして，このダイオードを蓄電池
設備の負荷補償装置に使用したとき，最小出力電流時の
ダイオードのオン電圧と，定格電流時のオン電圧とがほ
ぼ等しくなり，出力電流に応じてダイオードを短絡する
短絡手段を少なくすることができる。また，ダイオード
のオン電圧は大きくなり，蓄電池を負荷補償させるダイ
オードの数を少なくすることができる。
オンする電圧が高く，電圧電流特性の立ち上がりは大き
く低抵抗特性となる。そして，このダイオードを蓄電池
設備の負荷補償装置に使用したとき，最小出力電流時の
ダイオードのオン電圧と，定格電流時のオン電圧とがほ
ぼ等しくなり，出力電流に応じてダイオードを短絡する
短絡手段を少なくすることができる。また，ダイオード
のオン電圧は大きくなり，蓄電池を負荷補償させるダイ
オードの数を少なくすることができる。
【００１９】請求項２記載の発明によれば，高濃度のＮ
型半導体基板の表面に低濃度で薄いＮ型半導体層を形成
する工程及び，低濃度のＮ型半導体層を高濃度のＰ型半
導体層に置換する工程は，ともに，安価な既存技術で行
うことができる。また，低濃度のＮ型半導体層は十分に
薄いため，その形成時の管理は必要以上管理する必要が
なく，低濃度のＮ型半導体層を高濃度のＰ型半導体層に
置換するときの管理も必要以上管理する必要がなく，安
価にダイオードを形成することができ。
型半導体基板の表面に低濃度で薄いＮ型半導体層を形成
する工程及び，低濃度のＮ型半導体層を高濃度のＰ型半
導体層に置換する工程は，ともに，安価な既存技術で行
うことができる。また，低濃度のＮ型半導体層は十分に
薄いため，その形成時の管理は必要以上管理する必要が
なく，低濃度のＮ型半導体層を高濃度のＰ型半導体層に
置換するときの管理も必要以上管理する必要がなく，安
価にダイオードを形成することができ。
【図１】本発明のダイオードの一実施の形態を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のダイオードの製造工程を示す概略断面図
である。
である。
【図３】図１のダイオードの電圧電流特性図である。
【図４】本発明のダイオードの他の実施の形態を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図５】本発明のダイオードが実装される蓄電池設備の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図６】従来のダイオードの概略断面図である。
【図７】図６のダイオードの出力特性図である。
２ （高濃度の）Ｎ型半導体基板 ４ （低濃度の）Ｎ型半導体層 ２ （高濃度の）Ｐ型半導体層 １０ アノード電極 １２ カソード電極 ４２ 充電装置 ４４ 蓄電池 ４６ 負荷補償装置 ４８ａ，４８ｂ，４８ｃ，４８ｄ，５０ａ，５０ｂ，５
０ｃ，５０ｄ ダイオード ５４ａ，５４ｂ 短絡手段
０ｃ，５０ｄ ダイオード ５４ａ，５４ｂ 短絡手段
Claims (2)
- 【請求項１】 厚い板厚を有し，高濃度のＮ型半導体基
板と，上記Ｎ型半導体基板の一方の表面に，十分薄く形
成された高濃度のＰ型半導体層とにより形成されたダイ
オード。 - 【請求項２】 厚い板厚を有し，高濃度のＮ型半導体基
板の一方の表面に，低濃度で，十分薄いＮ型半導体層を
形成する工程と，上記Ｎ型半導体層を高濃度のＰ型半導
体層に置換する工程とを備えたダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11120209A JP2000311900A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | ダイオードとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11120209A JP2000311900A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | ダイオードとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311900A true JP2000311900A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14780611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11120209A Pending JP2000311900A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | ダイオードとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000311900A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112889137A (zh) * | 2018-09-03 | 2021-06-01 | 株式会社Uacj | 半导体制造方法以及半导体制造装置 |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11120209A patent/JP2000311900A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112889137A (zh) * | 2018-09-03 | 2021-06-01 | 株式会社Uacj | 半导体制造方法以及半导体制造装置 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061219 |