JP2000313670A

JP2000313670A - 窒化ケイ素焼結体およびそれからなるスパッタターゲット

Info

Publication number: JP2000313670A
Application number: JP11117553A
Authority: JP
Inventors: Masahisa Sofue; 昌久祖父江; Toshiyuki Imamura; 寿之今村; Hiroshi Fukuzawa; 宏福沢
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1999-04-26
Filing date: 1999-04-26
Publication date: 2000-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】放電加工性に優れ、スパッタターゲットの洗
浄および作業能率の点で効果が大きい緻密質であるとと
もに、スパッタ時の熱応力割れの発生を著しく軽減させ
うる窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】マグネシウム(Ｍｇ)またはイットリウム
(Ｙ)を酸化マグネシウム(ＭｇＯ)または酸化イットリウ
ム(Ｙ₂Ｏ₃)換算で、その合計量が０．３〜４０ｍｏｌ
％、ＩＶａ族の窒化物を５０〜９０ｍｏｌ％添加し、そ
の焼結体の常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上、常温における３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、
電気抵抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍ以下、真密度を１０
０％としたときの相対密度が９６％以上である窒化ケイ
素焼結体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタターゲッ
トや、一般機械器具用部材、溶融金属用部材、熱機関用
部材などの構造部品用部材として幅広く利用できる窒化
ケイ素焼結体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】窒化ケイ素焼結体は強度や靭性に優れて
いるため機械部品への適用が進んでいる。その一方でサ
ーマルヘッドなどの保護膜の形成に用いられるスパッタ
ターゲットなど電子部品用素材にも適用されている。

【０００３】従来の窒化ケイ素焼結体製のスパッタター
ゲットとして、例えば特開平３−２４８８６１号公報に
開示されたものがある。一般に、スパッタターゲットは
緻密質であることが望ましい。その主な理由は、ターゲ
ット内部に気孔を持つものに比べて洗浄が容易で塵など
の不純物を除去しやすいためである。またスパッタ装置
に取り付けた後、装置内の雰囲気を短時間で高真空にで
きるので、作業能率が良くなるためである。

【０００４】しかしながら、窒化ケイ素焼結体製のスパ
ッタターゲットは、緻密質にするとスパッタ時の熱入力
によりターゲットが割れやすい問題があった。前記公報
によれば、ターゲットの密度が理論密度の９５％を超え
ると、ターゲットを貼り付けたバッキングプレートとの
熱膨張差によリ熱応力割れが発生しやすくなることが記
載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】スパッタターゲットは
スパッタ表面に粒子が衝突して発熱する。この熱による
過熱を防止するため、通常、スパッタターゲットの裏面
に貼り付けた銅製のバッキングプレートを水冷すること
が行われている。このような熱の発生と冷却に伴いスパ
ッタターゲットには熱応力が発生し、これが大きくなる
とスパッタターゲットが割れることがある。

【０００６】割れの発生にはスパッタ時の加熱量、スパ
ッタターゲットの相対密度、スパッタターゲットとバッ
キングプレートとの熱膨張率の差、スパッタ雰囲気のガ
スの種類および圧力など多くの因子が関与している。従
来は、これらの因子を考慮して個々のケースについて試
行しながら割れの発生しづらい条件を設定していたのが
実情である。

【０００７】前述のとおり、窒化ケイ素焼結体製のスパ
ッタターゲットでは、その素材を比較的多孔質にするこ
とが割れの防止に効くのは知られている。本発明者らは
窒化ケイ素焼結体製のスパッタターゲットにおいて、そ
の熱伝導率、強度および相対密度が熱応力割れに及ぼす
影響を調査した。その結果、常温において熱伝導率が４
０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以
上あれば、綴密質のものでも熱応力割れが起きないこと
が判った。

【０００８】そこで、本発明者らは、スパッタターゲッ
トの洗浄および作業能率の点で効果が大きい緻密質のス
パッタターゲットにおいてスパッタ時の熱応力割れの発
生を著しく軽減させうる窒化ケイ素焼結体について、特
願平１０−１５９８０６号を提案している。その特願平
１０−１５９８０６号に係わる窒化ケイ素焼結体は、マ
グネシウム（Ｍｇ）またはイットリウム（Ｙ）を酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）または酸化イットリウム（Ｙ
₂Ｏ₃）換算で、その合計量が０．３〜４０ｍｏｌ％含有
し、常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、
常温における３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、真密度
を１００％としたときの相対密度が９６％以上である。

【０００９】しかしながら、この窒化ケイ素焼結体は高
硬度、高靭性のために機械加工が容易でない課題があ
る。したがって、本発明は、機械加工性を向上させると
ともに、例えばスパッタターゲットに用いた場合にスパ
ッタターゲットの洗浄および作業能率の点で効果が大き
く、スパッタ時の熱応力割れの発生を著しく軽減させう
る窒化ケイ素焼結体を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
を行った結果、導電性を有するＩＶａ族の窒化物（Ｔｉ
Ｎ、ＺｒＮ、ＨｆＮ）を添加すれば、窒化ケイ素焼結体
を放電加工により容易に加工できることを見出し、本発
明に想到した。すなわち、本発明に係わる窒化ケイ素焼
結体は、マグネシウム(Ｍｇ)またはイットリウム(Ｙ)を
酸化マグネシウム(ＭｇＯ)または酸化イットリウム(Ｙ₂
Ｏ₃)換算で、その合計量が０．３〜４０ｍｏｌ％、ＩＶ
ａ族の窒化物を５０〜９０ｍｏｌ％添加し、残部不可避
的不純物及び窒化ケイ素からなる原料を焼結し、その焼
結体の常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
上、常温における３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、電
気抵抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍ以下、真密度を１００
％としたときの相対密度が９６％以上である。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に係わる窒化ケイ素焼結体
について説明する。（Ａ）原料（１）マグネシウム(Ｍｇ)またはイットリウム(Ｙ) マグネシウム(Ｍｇ)またはイットリウム(Ｙ)は焼結助剤
として用いられ、窒化ケイ素原料粉末の緻密焼結に有効
である。これらの元素は、窒化ケイ素焼結体を構成する
第1のミクロ組織成分である窒化ケイ素結晶（Ｓｉ₃Ｎ₄
結晶)に対する固溶度が小さいので、窒化ケイ素結晶、
ひいては窒化ケイ素焼結体の熱伝導率を高い水準に保つ
ことができる。

【００１２】マグネシウムまたはイットリウムを酸化マ
グネシウムまたは酸化イットリウム換算で、その合計量
が０．３ｍｏｌ％未満では、焼結時の緻密化作用が不十
分となり、相対密度９６％以上を得られない。しかしな
がら、４０ｍｏｌ％を超えると、窒化ケイ素焼結体の第
２のミクロ組織成分である熱伝導率の低い粒界相の量が
過剰となり、スパッタターゲットの熱伝導率が４０Ｗ／
（ｍ・Ｋ）未満となる。したがって、これらの酸化物は
その合計量で０．３〜４０ｍｏｌ％含有することが好ま
しい。

【００１３】酸化イットリウムの添加量は、０．１ｍｏ
ｌ％未満ではミクロ組織が粗大化して強度が低下するた
め、０．１ｍｏｌ％を下まわらないことがより好まし
い。

【００１４】（２）ＩＶａ族の窒化物ＩＶａ族の窒化物は、窒化ケイ素に導電性を付与するた
め導電性化合物として添加される。これらの導電性化合
物の添加量は、５０ｍｏｌ％よりも低い場合には導電性
化合物の相互の接触が不十分であり、導電性を生じない
ためである。また９０ｍｏｌ％より多く添加すると、焼
結性が低下し、焼結体の気孔率が急増しつまり相対密度
が低下する。より好ましいＩＶａ族の窒化物の添加量
は、６０〜８０ｍｏｌ％である。

【００１５】ＩＶａ族の窒化物とは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
の窒化物をいう。ＺｒとＨｆの窒化物については、高温
での耐酸化性が低いことが分かっているので、特に高温
で用いられる場合にはＴｉの窒化物であるＴｉＮが好適
である。

【００１６】ＴｉＮは、難融性で高硬度であり、また抵
抗率は１０^-5Ω・ｃｍオーダーと低く、さらに正の抵抗
温度係数を有する。ＴｉＮ粉末は、窒化ケイ素中に均一
に分散し、導電性を向上させるためには出来るだけ微細
な粒子が良く、窒化ケイ素粉末の粒子径にもよるが、好
ましくはその平均粒径は５μｍ以下である。

【００１７】ＩＶａ族の窒化物は、窒化ケイ素に比べ
て、熱膨張率が大きく、窒化ケイ素に添加することによ
り、窒化ケイ素焼結体の熱膨張率を大きくする作用を有
する。窒化ケイ素焼結体がターゲットなどに用いられる
場合のように、熱膨張率の高い銅製のバッキングプレー
トのような他部材と複合で用いられる場合には、窒化ケ
イ素焼結体の熱膨張率を高めることが出来る。そのた
め、前記した熱応力による割れを起こしにくくなる。

【００１８】（３）残部残部は基本的に不可避的不純物と窒化ケイ素からなる。（４）アルミニウム（Ａｌ）Ａｌは窒化ケイ素結晶に固溶して熱伝導率を低下させる
作用があり、アルミニウム（Ａｌ）を酸化アルミニウム
（Ａｌ₂Ｏ₃）換算で、０．１ｍｏｌ％以下とする。

【００１９】（５）製造方法本発明の窒化ケイ素焼結体を製造する方法は、特に制限
はなく通常の窒化ケイ素の製造に用いられる成形、焼
結、機械加工などのプロセスを適用できる。また、バッ
キングプレートに貼り付ける方法も公知の手段を適用す
ればよい。

【００２０】（Ｂ）常温における焼結体の特性（１）焼結体の常温における熱伝導率焼結体の常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
上とする。常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
未満では、スパッタターゲット内部の温度勾配が大きく
なり、割れやすくなるからである。より好ましい熱伝導
率は６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。通常、窒化ケイ素
焼結体の常温における熱伝導率は３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）程
度であり、またＴｉＮの常温における熱伝導率は２９Ｗ
／（ｍ・Ｋ）程度である。

【００２１】（２）常温における３点曲げ強度常温における３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上とする。
常温における３点曲げ強度が、６００ＭＰａ未満では、
熱応力による割れが生じやすいからである。

【００２２】（３）電気抵抗率電気抵抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍ以下とする。電気抵
抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍよりも大きいと、放電加工
が出来ないからである。

【００２３】（４）相対密度真密度を１００％としたときの相対密度が９６％以上と
する。相対密度が９６％未満であると、スパッタターゲ
ット中に存在する気孔が連通した孔となりやすい。この
連通孔は、スパッタターゲットの研削加工時に発生する
細かな加工砥石の塵や研削液成分の溜リ場となる。この
ため、スパッタターゲットの研削加工後に水や有機溶媒
に浸漬して超音波洗浄しても、気孔内部に滞留した塵や
不純物成分を完全に除去しきれない。塵や不純物成分を
完全に除去しきれない状態でスパッタすると、不純物が
雰囲気申に放出され、純度の高い良質な被膜を形成する
ことが難しくなる。

【００２４】さらに、スパッタターゲットをスパッタ装
置に取リ付けた後、装置内を真空引きする際に、スパッ
タターゲットに連通孔が存在すると、真空度を高めるこ
とが困難であったり、長時間を要したりする不具合を生
じる。

【００２５】本発明の窒化ケイ素焼結体を用いたスパッ
タターゲットは、相対密度が９６％以上であるため連通
孔が殆ど存在せず、塵や不純物成分による汚染や真空引
きの際の不具合は生じない。

【００２６】本発明の窒化ケイ素焼結体製のスパッタタ
ーゲットは、熱転写プリンタのサーマルヘッドなどに用
いられる耐摩耗性被膜の形成に好適である。

【００２７】スパッタして得られる被膜は、本質的に高
熱伝導の特性をもつとともに、スパッタレートも十分高
くできるため、本発明のスパッタターゲットで形成した
被膜は、高熱伝導の特性を有するので、素子の高発熱密
度化が図れる。また、本発明のスパッタターゲットで形
成したサーマルヘッド用の耐摩耗性被膜は、窒化ケイ素
の特性により耐摩耗性が良好であることはもとより、高
熱伝導性のため熱抵抗が小さくできるので印字速度を高
めることができる。

【００２８】本発明の窒化ケイ素焼結体は、スパッタタ
ーゲットとしてスパッタ時に生じる熱応力割れに対して
高い耐性を示すことを述べたが、これは本発明の窒化ケ
イ素焼結体自体が熱応力に対して高い耐性を示すもの
で、スパッタターゲット以外にも耐熱衝撃性の高い材料
として幅広く利用できるものである。

【００２９】電子部品用部材としては、高熱伝導・高強
度の特性を生かして、各種発熱素子用ヒートシンク部材
などに適用できる。

【００３０】構造部品用部材としては、アルミニウムや
亜鉛などの金属溶湯の分野で用いられるヒータチュー
ブ、ストーク、ダイカストスリーブ、溶湯攪拌用回転イ
ンペラ、ラドル、熱電対保護管などに適用できる。ま
た、アルミニウム、亜鉛などの溶融金属連続めっきライ
ンで用いられるシンクロール、サポートロール、軸受、
軸などに適用することにより、急激な加熱や冷却に対し
て割れづらい部材となり得る。また、鉄鋼あるいは非鉄
の加工分野では、圧延ロール、スキーズロール、ガイド
ローラ、線引きダイスなどに用いれば、被加工物との接
触時の熱拡散性が良好なため、摩耗を少なく、熱応力割
れを生じづらくできる。その他、各種の熱交換器部品や
熱機関用部品などに適用できる。

【００３１】さらに、本発明に係わる窒化ケイ素焼結体
は、放電加工により、複雑形状に加工できるので、樹脂
や軽合金などの成形に用いられる金型としても使用する
ことが出来る。この場合には、本発明に係わる窒化ケイ
素焼結体は、熱伝導率が高いことから、金型内に注入さ
れた溶融状態の樹脂や軽合金からの抜熱が大きく、従来
金型材に比べ、樹脂や軽合金の凝固は早くなり、生産効
率が向上する。

【００３２】

【実施例】（実施例１）表１に実施例１に用いた本発明
例と比較例の組成を示す。焼結助剤として平均粒径０．
２μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末又は平均粒径
０．３μｍの酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）粉末、導電性
化合物として平均粒径１μｍの窒化チタン（ＴｉＮ）
を、平均粒径０．５μｍの窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）粉末
に添加し原料粉末を作製した。原料粉末をエタノール中
でボールミルによリ粉砕、混合した。ついで真空乾燥
後、ふるいを通して造粒し、黒鉛型に充填して、これを
１７００℃、２気圧、窒素ガス雰囲気中で３時間、ホッ
トプレス焼結した。

【００３３】得られた窒化ケイ素焼結体から直径１０２
ｍｍ×厚さ８ｍｍのスパッタターゲットを研削加工など
により作製した。また、同じ焼結体から直径１０ｍｍ×
厚さ３ｍｍの熱伝導率および密度測定用の試験片、縦３
ｍｍ×横４ｍｍ×長さ４０ｍｍの３点曲げ試験片を採取
した。また、縦５ｍｍ×横５ｍｍ×長さ７０ｍｍの電気
抵抗率測定用試験片を採取した。

【００３４】熱伝導率はレーザフラッシュ法により室温
での熱伝導率を測定した。密度はマイクロメータによる
寸法測定と重量測定の結果から求めた。３点曲げ強度は
室温での３点抗折試験を行い測定した。

【００３５】電気抵抗率は試験片の両端部に所定の電圧
を印加し、このときの電流を測定することにより算出し
た。また、密度測定用試験片を水中に浸漬したときの浮
力変化の有無より連通孔の有無を調べた。すなわち、浮
力が時間経過とともに減少する場合、浸水が有り連通孔
の存在が判定できる。

【００３６】窒化ケイ素焼結体製スパッタターゲットの
スパッタ時の熱応力割れに対する耐性を評価するため、
ターゲットを銅製のバッキングプレートに低融点合金を
用いて接合し、高周波マグネトロン型のスパッタ装置に
取リ付け、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中にて、出力２Ｋ
Ｗ、さらに大きな熱応力が発生する出力３ＫＷでスパッ
タを行った。そして、スパッタ後のスパッタターゲット
を観察して割れの有無を調査した。

【００３７】また、比較例として、熱伝導率、３点曲げ
強度、相対密度の異なる窒化ケイ素焼結体の評価を同様
に行った。本発明の実施例および比較例について、評価
試験を行った結果を表２に示す。表２において、浸水が
無しは○、有りは×、またスパッタ後の割れが無しは
○、有りは×で示す。

【００３８】

【００３９】表２熱伝導率曲げ強度電気抵抗率相対密度浸水割れ (W/m/K) (MPa) ×10^-２(Ω・cm) (%) 2KW 3KW 本発明例１ 55 620 0.91 96 ○ ○ ○ 本発明例２ 50 850 0.34 98 ○ ○ ○ 本発明例３ 45 900 0.77 98 ○ ○ ○ 本発明例４ 45 750 0.62 97 ○ ○ ○ 本発明例５ 65 1100 0.41 99 ○ ○ ○ 本発明例６ 75 1050 0.77 99 ○ ○ ○ 本発明例７ 65 1060 0.82 99 ○ ○ ○ 本発明例８ 75 850 0.25 99 ○ ○ × 比較例１ 19 330 2.00 75 × ○ ○ 比較例２ 45 570 1.00 94 × ○ × 比較例３ 34 750 0.92 99 ○ × × 比較例４ 28 680 0.81 99 ○ × ×

【００４０】本発明例１〜８では、いずれも焼結体の常
温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、常温に
おける３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、電気抵抗率が
１×１０^-２Ω・ｃｍ以下の良好な特性が得られた。ま
た、真密度を１００％としたときの相対密度が９６％以
上が得られ、浸水がなく良好であった。出力２ＫＷのス
パッタでは、本発明例１〜８のいずれも割れの発生はな
く良好であった。出力３ＫＷでは、本発明例８が割れを
生じたが、出力２ＫＷで割れを生じないので十分利用可
能である。比較例１〜４では熱伝導率、曲げ強度、相対
密度のうちいずれか１つ以上が本発明の範囲を満たさず
浸水あるいは割れの不具合を生じた。

【００４１】（実施例２）表３に実施例２に用いた本発
明例を示す。焼結助剤として平均粒径０．２μｍの酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）粉末又は平均粒径０．３μｍの
酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）粉末、導電性化合物として
平均粒径２μｍの窒化チタン（ＴｉＮ）又は平均粒径２
μｍの窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）を、平均粒径０．５
μｍの窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）粉末に添加し原料粉末を
作製した。その後の処理と評価を実施例１と同様に行う
ことにより、導電性化合物とその添加量が異なる窒化ケ
イ素焼結体の評価を行った。その評価結果を表４に示
す。

【００４２】

【００４３】表４熱伝導率曲げ強度電気抵抗率相対密度浸水割れ (W/m/K) (MPa) ×10^-２(Ω・cm) (%) 2KW 3KW 本発明例１１ 65 1050 0.77 99 ○ ○ ○ 本発明例１２ 44 770 0.05 99 ○ ○ ○ 本発明例１３ 59 990 0.42 99 ○ ○ ○ 本発明例１４ 42 650 0.06 99 ○ ○ ○

【００４４】本発明例１１〜１４では、いずれも熱伝導
率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が６２０Ｍ
Ｐａ以上、電気抵抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍ以下、相
対密度が９６％以上であり、これにより浸水無し、割れ
無しと良好であった。

【００４５】（実施例３）表５に実施例３に用いた本発
明例を示す。焼結助剤として平均粒径０．２μｍの酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）粉末又は平均粒径０．３μｍの
酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）粉末、導電性化合物として
平均粒径１μｍの窒化チタン（ＴｉＮ）を、平均粒径
０．５μｍの窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）粉末に添加し原料
粉末を作製した。その後の処理と評価を実施例１と同様
に行うことにより、導電性化合物の添加量が異なる窒化
ケイ素焼結体の評価を行った。その評価結果を表６に示
す。

【００４６】

【００４７】表６熱伝導率曲げ強度電気抵抗率相対密度浸水割れ (W/m/K) (MPa) ×10^-２(Ω・cm) (%) 2KW 3KW 本発明例２１ 75 1040 0.76 99 ○ ○ ○ 本発明例２２ 66 900 0.53 99 ○ ○ ○ 本発明例２３ 57 860 0.12 99 ○ ○ ○ 本発明例２４ 48 740 0.05 98 ○ ○ ○ 本発明例２５ 40 640 0.04 97 ○ ○ × 比較例２１ 35 450 0.07 80 × × ×

【００４８】本発明例２１〜２５では、いずれも熱伝導
率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が６２０Ｍ
Ｐａ以上、電気抵抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍ以下、相
対密度が９６％以上であり、これにより浸水無し、割れ
無しと良好であった。比較例２１はＴｉＮ添加量が９５
ｍｏｌ％と多いため、焼結後の相対密度が８０％と低か
ったため浸水有り、割れ発生の不具合を生じた。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、放電加工が出来る高熱
伝導・高強度・緻密質の窒化ケイ素焼結体をうることが
でき、これにより、熱応力割れを生じずらい窒化ケイ素
焼結体ならびに窒化ケイ素スパッタターゲットを提供す
ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G001 BA06 BA09 BA32 BA37 BA38 BA71 BB06 BB09 BB32 BB37 BB38 BB71 BC13 BC42 BD03 BD14 BD22 BD36 4K029 BA58 BA60 BC10 BD04 CA05 DC05 DC09 DC39

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マグネシウム(Ｍｇ)またはイットリウム
(Ｙ)を酸化マグネシウム(ＭｇＯ)または酸化イットリウ
ム(Ｙ₂Ｏ₃)換算で、その合計量が０．３〜４０ｍｏｌ
％、ＩＶａ族の窒化物を５０〜９０ｍｏｌ％添加し、そ
の焼結体の常温における熱伝導率が４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上、常温における３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、
電気抵抗率が１×１０^-２Ω・ｃｍ以下、真密度を１０
０％としたときの相対密度が９６％以上であることを特
徴とする窒化ケイ素焼結体。
【請求項２】酸化マグネシウムとともに、酸化イット
リウムを０．１ｍｏｌ％以上添加したことを特徴とする
請求項１に記載の窒化ケイ素焼結体。
【請求項３】アルミニウム(Ａｌ)を酸化アルミニウム
(Ａｌ₂Ｏ₃)換算で、０．１ｍｏｌ％以下としたことを特
徴とする請求項１または２に記載の窒化ケイ素焼結体。
【請求項４】ＩＶａ族の窒化物のうち、ＴｉＮを５０
〜９０ｍｏｌ％添加したことを特徴とする請求項１乃至
請求項３のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結体。
【請求項５】請求項1乃至請求項４のいずれかに記載
の窒化ケイ素焼結体からなることを特徴とするスパッタ
ターゲット。