JP2000313960A - 酸化スズ膜の成膜方法 - Google Patents
酸化スズ膜の成膜方法Info
- Publication number
- JP2000313960A JP2000313960A JP11120523A JP12052399A JP2000313960A JP 2000313960 A JP2000313960 A JP 2000313960A JP 11120523 A JP11120523 A JP 11120523A JP 12052399 A JP12052399 A JP 12052399A JP 2000313960 A JP2000313960 A JP 2000313960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- oxide film
- hydrogen bromide
- tin
- injector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】インジェクタ表面や成膜装置内部に酸化スズが
堆積することを抑制できる酸化スズ膜のＣＶＤ成膜方法
の提供。 【解決手段】インジェクタのスリット１０から四塩化ス
ズを、またスリット１１から水を供給し、ＣＶＤ法によ
り基板９上に酸化スズ膜を成膜する際、スリット１２か
ら臭化水素を供給する。
堆積することを抑制できる酸化スズ膜のＣＶＤ成膜方法
の提供。 【解決手段】インジェクタのスリット１０から四塩化ス
ズを、またスリット１１から水を供給し、ＣＶＤ法によ
り基板９上に酸化スズ膜を成膜する際、スリット１２か
ら臭化水素を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法（化学的
気相成長法）により、基体上に酸化スズを主成分とする
膜を成膜する方法に関する。
気相成長法）により、基体上に酸化スズを主成分とする
膜を成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化スズ膜は、透明性を有する導電膜と
して、タッチパネルや太陽電池などに使われている。酸
化スズ膜をＣＶＤ法により成膜するには、四塩化スズな
どの無機系のスズ源を使用する場合と、ジメチルスズジ
クロリド（ＣＨ3）2Ｃｌ2Ｓｎなどの有機系スズ源を使
用する場合がある。ＣＶＤ法においては、これらの原料
ガスをインジェクタから基体に吹き付け、気相及び基体
表面における反応により基体上に酸化スズ膜を堆積させ
る。
して、タッチパネルや太陽電池などに使われている。酸
化スズ膜をＣＶＤ法により成膜するには、四塩化スズな
どの無機系のスズ源を使用する場合と、ジメチルスズジ
クロリド（ＣＨ3）2Ｃｌ2Ｓｎなどの有機系スズ源を使
用する場合がある。ＣＶＤ法においては、これらの原料
ガスをインジェクタから基体に吹き付け、気相及び基体
表面における反応により基体上に酸化スズ膜を堆積させ
る。
【０００３】無機系スズ源は、有機系のものに比べ、一
般に化学反応の速度が速いため、高速の成膜が可能であ
り、また、有害性の高い有機スズを排ガス中に含まない
などの利点がある。しかし、無機系スズ源は、反応性が
高いので基体上の原料ガスの濃度分布が膜厚に直接影響
し、均一な膜を形成するためには基体上のガス濃度が均
一になるように精密な制御をする必要があるうえに、未
反応原料により、インジェクタ表面やＣＶＤ成膜装置内
部に酸化スズを堆積し、その結果、装置の稼動を妨げる
現象も有機系に比べて頻繁に発生する。
般に化学反応の速度が速いため、高速の成膜が可能であ
り、また、有害性の高い有機スズを排ガス中に含まない
などの利点がある。しかし、無機系スズ源は、反応性が
高いので基体上の原料ガスの濃度分布が膜厚に直接影響
し、均一な膜を形成するためには基体上のガス濃度が均
一になるように精密な制御をする必要があるうえに、未
反応原料により、インジェクタ表面やＣＶＤ成膜装置内
部に酸化スズを堆積し、その結果、装置の稼動を妨げる
現象も有機系に比べて頻繁に発生する。
【０００４】成膜装置内部に堆積する酸化スズの発生を
抑制するためには、何らかの条件で四塩化スズと水の反
応を抑制できればよい。アガシェ（Ａｇａｓｈｅ）ら
は、四塩化スズと水を液相のまま４２５℃の基体に吹き
付け酸化スズを作成する実験（スプレー法）を行い、フ
ッ化水素、塩化水素、臭化水素水溶液を原料水溶液に混
ぜることで酸化スズ膜の形成が抑えられることを報告し
ている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２９
（１９９６），２９８８）。しかし、気相成長反応への
応用については何ら示唆されていない。
抑制するためには、何らかの条件で四塩化スズと水の反
応を抑制できればよい。アガシェ（Ａｇａｓｈｅ）ら
は、四塩化スズと水を液相のまま４２５℃の基体に吹き
付け酸化スズを作成する実験（スプレー法）を行い、フ
ッ化水素、塩化水素、臭化水素水溶液を原料水溶液に混
ぜることで酸化スズ膜の形成が抑えられることを報告し
ている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２９
（１９９６），２９８８）。しかし、気相成長反応への
応用については何ら示唆されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、無機系スズ
源を用いたＣＶＤ法による成膜方法において、インジェ
クタ表面や成膜装置内部に酸化スズが堆積すること（以
下、単に酸化スズの堆積という）を抑制できる酸化スズ
膜の成膜方法の提供を目的とする。
源を用いたＣＶＤ法による成膜方法において、インジェ
クタ表面や成膜装置内部に酸化スズが堆積すること（以
下、単に酸化スズの堆積という）を抑制できる酸化スズ
膜の成膜方法の提供を目的とする。
【０００６】本発明は、また、無機系スズ源を用いたＣ
ＶＤ法による成膜方法において、酸化スズ膜の成膜量を
維持したまま、酸化スズの堆積を抑制できる酸化スズ膜
の成膜方法の提供を目的とする。
ＶＤ法による成膜方法において、酸化スズ膜の成膜量を
維持したまま、酸化スズの堆積を抑制できる酸化スズ膜
の成膜方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、スズの無機塩
および水を含む原料ガスをインジェクタより基体表面に
向けて供給し、ＣＶＤ法により、基体上に酸化スズ膜を
成膜する方法において、原料ガスをインジェクタの吹出
し口より供給すると同時に、臭化水素をインジェクタの
別の吹出し口より供給する酸化スズ膜の成膜方法を提供
する。
および水を含む原料ガスをインジェクタより基体表面に
向けて供給し、ＣＶＤ法により、基体上に酸化スズ膜を
成膜する方法において、原料ガスをインジェクタの吹出
し口より供給すると同時に、臭化水素をインジェクタの
別の吹出し口より供給する酸化スズ膜の成膜方法を提供
する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における酸化スズ膜には、
ドーパントがドープされた酸化スズ膜をも含むものとす
る。本発明においては、酸化スズ膜の成膜量を維持する
観点から、酸化スズ膜成膜時の基体温度は４００℃超、
特に５００℃以上であることが好ましい。４００℃以下
では酸化スズ膜の成膜量が顕著に減少する。基体温度の
上限は特になく、基体の軟化点程度まで加熱できる。
ドーパントがドープされた酸化スズ膜をも含むものとす
る。本発明においては、酸化スズ膜の成膜量を維持する
観点から、酸化スズ膜成膜時の基体温度は４００℃超、
特に５００℃以上であることが好ましい。４００℃以下
では酸化スズ膜の成膜量が顕著に減少する。基体温度の
上限は特になく、基体の軟化点程度まで加熱できる。
【０００９】また、酸化スズの堆積を抑制する観点か
ら、原料ガスと接するインジェクタの表面温度（以下、
単にインジェクタの表面温度という）は４００℃以下と
することが好ましい。一方、インジェクタの表面温度が
低すぎると、吸湿性のスズ水和物が生成しやすくなるの
で、インジェクタの表面温度は１３５℃以上であること
が好ましい。
ら、原料ガスと接するインジェクタの表面温度（以下、
単にインジェクタの表面温度という）は４００℃以下と
することが好ましい。一方、インジェクタの表面温度が
低すぎると、吸湿性のスズ水和物が生成しやすくなるの
で、インジェクタの表面温度は１３５℃以上であること
が好ましい。
【００１０】臭化水素の供給量としては、原料ガス中の
スズの無機塩に対して、臭化水素をモル比で０．１〜４
の割合で供給することが好ましい。０．１未満では酸化
スズの堆積を抑制する効果が充分ではない傾向にあり、
また、４を超えると基体温度が５００℃以上においても
酸化スズ膜の成膜量が減少する傾向にある。特に、臭化
水素をモル比で０．１〜２の割合で供給することが好ま
しい。
スズの無機塩に対して、臭化水素をモル比で０．１〜４
の割合で供給することが好ましい。０．１未満では酸化
スズの堆積を抑制する効果が充分ではない傾向にあり、
また、４を超えると基体温度が５００℃以上においても
酸化スズ膜の成膜量が減少する傾向にある。特に、臭化
水素をモル比で０．１〜２の割合で供給することが好ま
しい。
【００１１】本発明においては臭化水素は、原料ガスの
吹出し口とは別のインジェクタの吹出し口より供給され
ることが好ましい。臭化水素は原料ガスとあらかじめ混
合した後に原料ガスとともに供給することもできる。な
お、スズの無機塩および臭化水素は、供給時の状態はガ
スの状態である。また、原料ガス中の水は水蒸気の状態
であることが好ましい。本発明におけるスズの無機塩と
しては四塩化スズが好ましい。
吹出し口とは別のインジェクタの吹出し口より供給され
ることが好ましい。臭化水素は原料ガスとあらかじめ混
合した後に原料ガスとともに供給することもできる。な
お、スズの無機塩および臭化水素は、供給時の状態はガ
スの状態である。また、原料ガス中の水は水蒸気の状態
であることが好ましい。本発明におけるスズの無機塩と
しては四塩化スズが好ましい。
【００１２】本発明における成膜時の圧力は特に制限さ
れず、例えば大気圧で行われる。本発明における酸化ス
ズ膜の膜厚は、導電性の観点から、１０ｎｍ以上である
ことが好ましい。臭化水素を供給することにより発生す
る臭化スズは、スズの無機塩（特に四塩化スズ）に比べ
酸化スズ膜上の吸着エネルギーが小さく、膜表面での拡
散がスズの無機塩に比べて大きくなるため、酸化スズ膜
の緻密性を向上させる効果も期待できる。本発明におい
て用いる基体としては、成膜時の高温に耐えるものであ
れば特に限定されず、ガラス基板、結晶化ガラス基板、
セラミックス基板などが挙げられる。
れず、例えば大気圧で行われる。本発明における酸化ス
ズ膜の膜厚は、導電性の観点から、１０ｎｍ以上である
ことが好ましい。臭化水素を供給することにより発生す
る臭化スズは、スズの無機塩（特に四塩化スズ）に比べ
酸化スズ膜上の吸着エネルギーが小さく、膜表面での拡
散がスズの無機塩に比べて大きくなるため、酸化スズ膜
の緻密性を向上させる効果も期待できる。本発明におい
て用いる基体としては、成膜時の高温に耐えるものであ
れば特に限定されず、ガラス基板、結晶化ガラス基板、
セラミックス基板などが挙げられる。
【００１３】以下本発明の一例について図面を参照して
説明する。図１は本発明に用いるＣＶＤ装置の一例の概
略図である。加熱されたガラス基板（酸化スズ膜が形成
される基体）３は、ベルトコンベア２により搬送され、
インジェクタ１から吹き付けられる原料ガスの化学反応
により、酸化スズ膜が成膜される。原料ガスは、四塩化
スズタンク４と水タンク５を窒素ガスボンベ６の窒素ガ
スを用いてバブリングし、飽和蒸気圧で気相中にガス化
したものを用いる。また、別系統で臭化水素ボンベ７よ
り臭化水素を供給する。
説明する。図１は本発明に用いるＣＶＤ装置の一例の概
略図である。加熱されたガラス基板（酸化スズ膜が形成
される基体）３は、ベルトコンベア２により搬送され、
インジェクタ１から吹き付けられる原料ガスの化学反応
により、酸化スズ膜が成膜される。原料ガスは、四塩化
スズタンク４と水タンク５を窒素ガスボンベ６の窒素ガ
スを用いてバブリングし、飽和蒸気圧で気相中にガス化
したものを用いる。また、別系統で臭化水素ボンベ７よ
り臭化水素を供給する。
【００１４】図２は本発明に用いるインジェクタの一例
の構造を示す要部断面図である。インジェクタは５本の
スリット１２、１１、１０、１１、１２からなり、中央
のスリット１０から四塩化スズを、スリット１１から臭
化水素を、スリット１２から水蒸気をそれぞれ流した。
四塩化スズ流量は０．００４ｍｏｌ／ｍｉｎ、水蒸気流
量（２つのスリット１２からの流量の合計）は０．４ｍ
ｏｌ／ｍｉｎとした。この条件で、臭化水素の流量を変
化させ、ベルトコンベア８により搬送されるガラス基板
９上に成膜される酸化スズ膜の膜厚を比較した。原料ガ
スおよび臭化水素は、排気口１３から排気した。ガラス
基板９については、成膜時の基板温度を４００℃および
５００℃に加熱し、比較した。なお、成膜実験は大気圧
下で行った。
の構造を示す要部断面図である。インジェクタは５本の
スリット１２、１１、１０、１１、１２からなり、中央
のスリット１０から四塩化スズを、スリット１１から臭
化水素を、スリット１２から水蒸気をそれぞれ流した。
四塩化スズ流量は０．００４ｍｏｌ／ｍｉｎ、水蒸気流
量（２つのスリット１２からの流量の合計）は０．４ｍ
ｏｌ／ｍｉｎとした。この条件で、臭化水素の流量を変
化させ、ベルトコンベア８により搬送されるガラス基板
９上に成膜される酸化スズ膜の膜厚を比較した。原料ガ
スおよび臭化水素は、排気口１３から排気した。ガラス
基板９については、成膜時の基板温度を４００℃および
５００℃に加熱し、比較した。なお、成膜実験は大気圧
下で行った。
【００１５】図３は四塩化スズの流量に対する臭化水素
の流量（２つのスリット１１からの流量の合計）の変化
が、基板上に成膜された酸化スズ膜の膜厚に及ぼす影響
を測定した結果を示すグラフである。１４は、基板温度
が５００℃の場合を示し、臭化水素の流量に関係なく基
板上の膜厚はほとんど変化していない。１５は基板温度
が４００℃の場合を示しており、臭化水素を四塩化スズ
に対して０．１倍（モル比）添加しただけで、全く添加
しない場合に比べ、膜厚は約３５％減少した。さらに臭
化水素を増やしてゆくと酸化スズ膜厚は減少し続け、臭
化水素を四塩化スズに対して１倍（モル比）以上添加し
た場合には、全く添加しない場合に比べて９０％以上膜
厚が減少した。
の流量（２つのスリット１１からの流量の合計）の変化
が、基板上に成膜された酸化スズ膜の膜厚に及ぼす影響
を測定した結果を示すグラフである。１４は、基板温度
が５００℃の場合を示し、臭化水素の流量に関係なく基
板上の膜厚はほとんど変化していない。１５は基板温度
が４００℃の場合を示しており、臭化水素を四塩化スズ
に対して０．１倍（モル比）添加しただけで、全く添加
しない場合に比べ、膜厚は約３５％減少した。さらに臭
化水素を増やしてゆくと酸化スズ膜厚は減少し続け、臭
化水素を四塩化スズに対して１倍（モル比）以上添加し
た場合には、全く添加しない場合に比べて９０％以上膜
厚が減少した。
【００１６】以上の結果から、成膜時の基体温度が４０
０℃の場合、臭化水素を原料中に添加すると成膜量が著
しく抑制されるのに対し、成膜時の基体温度が５００℃
の場合、臭化水素を供給しても、基体上の酸化スズ膜の
成膜量は維持されることがわかる。すなわち、臭化水素
を添加した場合、反応温度が４００℃の箇所では酸化ス
ズの生成速度が著しく小さくなるのに対し、反応温度が
５００℃の箇所では臭化水素を添加しない場合と同じ生
成速度が維持されることを示している。
０℃の場合、臭化水素を原料中に添加すると成膜量が著
しく抑制されるのに対し、成膜時の基体温度が５００℃
の場合、臭化水素を供給しても、基体上の酸化スズ膜の
成膜量は維持されることがわかる。すなわち、臭化水素
を添加した場合、反応温度が４００℃の箇所では酸化ス
ズの生成速度が著しく小さくなるのに対し、反応温度が
５００℃の箇所では臭化水素を添加しない場合と同じ生
成速度が維持されることを示している。
【００１７】したがって、酸化スズ膜の成膜量を低下さ
せたくない基体の温度を５００℃以上にし、酸化スズの
堆積を抑えたいインジェクタ底面などの表面温度を４０
０℃以上にすれば、基体上の成膜速度を維持したまま、
インジェクタ表面に酸化スズが堆積することを大幅に抑
えられる。
せたくない基体の温度を５００℃以上にし、酸化スズの
堆積を抑えたいインジェクタ底面などの表面温度を４０
０℃以上にすれば、基体上の成膜速度を維持したまま、
インジェクタ表面に酸化スズが堆積することを大幅に抑
えられる。
【００１８】次に、四塩化スズと水蒸気の流量及び吹き
出し口を上記と同じにし、基体温度を５００℃として、
臭化水素を全く入れない条件と、四塩化スズと等モル量
の臭化水素をスリット１１から入れた条件とでそれぞれ
２時間連続して成膜を行い、インジェクタ底面１６に堆
積する酸化スズ量を比較した。なお、インジェクタの底
面温度は３００℃になるように調整した。その結果、臭
化水素を添加した場合の酸化スズの堆積量を膜厚で表示
すると４０ｎｍであったのに対し、臭化水素を添加しな
い場合は、２２０ｎｍであった。
出し口を上記と同じにし、基体温度を５００℃として、
臭化水素を全く入れない条件と、四塩化スズと等モル量
の臭化水素をスリット１１から入れた条件とでそれぞれ
２時間連続して成膜を行い、インジェクタ底面１６に堆
積する酸化スズ量を比較した。なお、インジェクタの底
面温度は３００℃になるように調整した。その結果、臭
化水素を添加した場合の酸化スズの堆積量を膜厚で表示
すると４０ｎｍであったのに対し、臭化水素を添加しな
い場合は、２２０ｎｍであった。
【００１９】本発明においては、前記したインジェクタ
からのガス供給方法の代わりに、四塩化スズおよび水を
含む原料ガスをインジェクタ中央部から基体に向けて供
給し、原料ガスの外側から臭化水素を供給することで、
より効果的に酸化スズの堆積が抑制できる。
からのガス供給方法の代わりに、四塩化スズおよび水を
含む原料ガスをインジェクタ中央部から基体に向けて供
給し、原料ガスの外側から臭化水素を供給することで、
より効果的に酸化スズの堆積が抑制できる。
【００２０】
【実施例】（例１）図２のスリット１０から四塩化スズ
を、スリット１１から水蒸気を流し、外側のスリット１
２から臭化水素を吹き出すと、臭化水素は原料ガス（四
塩化スズおよび水蒸気）の作る流れの影響でガラス基板
９上にはほとんど到達できず、インジェクタ下面に沿っ
て流れる。このように、ガラス基板９上の成膜速度を犠
牲にすることなく、インジェクタ表面（特に底面周辺）
に堆積する酸化スズを効果的に抑制できる。
を、スリット１１から水蒸気を流し、外側のスリット１
２から臭化水素を吹き出すと、臭化水素は原料ガス（四
塩化スズおよび水蒸気）の作る流れの影響でガラス基板
９上にはほとんど到達できず、インジェクタ下面に沿っ
て流れる。このように、ガラス基板９上の成膜速度を犠
牲にすることなく、インジェクタ表面（特に底面周辺）
に堆積する酸化スズを効果的に抑制できる。
【００２１】この効果を確認するため、前記したＣＶＤ
装置（図１）を用い、図２のスリット１０から四塩化ス
ズを０．００４ｍｏｌ／ｍｉｎ、スリット１１から水蒸
気を０．４ｍｏｌ／ｍｉｎ （２つのスリット１１から
の流量の合計）、スリット１２から臭化水素を０．００
４ｍｏｌ／ｍｉｎ（２つのスリット１２からの流量の合
計）、大気圧中でそれぞれ流し、２時間成膜したとき、
インジェクタ底面１６に堆積した膜の厚さを測定し、ス
リット１２の臭化水素流量をゼロにしたときのインジェ
クタ底面１６に堆積した膜の厚さと比較した。なお、基
板温度は５００℃、インジェクタ底面１６の温度は３０
０℃になるように温度制御を行った。
装置（図１）を用い、図２のスリット１０から四塩化ス
ズを０．００４ｍｏｌ／ｍｉｎ、スリット１１から水蒸
気を０．４ｍｏｌ／ｍｉｎ （２つのスリット１１から
の流量の合計）、スリット１２から臭化水素を０．００
４ｍｏｌ／ｍｉｎ（２つのスリット１２からの流量の合
計）、大気圧中でそれぞれ流し、２時間成膜したとき、
インジェクタ底面１６に堆積した膜の厚さを測定し、ス
リット１２の臭化水素流量をゼロにしたときのインジェ
クタ底面１６に堆積した膜の厚さと比較した。なお、基
板温度は５００℃、インジェクタ底面１６の温度は３０
０℃になるように温度制御を行った。
【００２２】その結果、臭化水素を流したときのインジ
ェクタ底面に付着した膜厚は１８ｎｍであったのに対
し、臭化水素を流さなかった場合は２００ｎｍの膜がイ
ンジェクタ底面に付着した。この結果より、臭化水素を
流すことによりインジェクタ底面に堆積する酸化スズを
抑制できることが確認された。また、ガラス基板上に成
膜された酸化スズ膜の膜厚は、ベルトコンベアの速度を
毎分０．３ｍとした場合、臭化水素を流した条件で１５
０ｎｍ、臭化水素を流さなかった条件で１４０ｎｍであ
り、成膜量は維持されていた。
ェクタ底面に付着した膜厚は１８ｎｍであったのに対
し、臭化水素を流さなかった場合は２００ｎｍの膜がイ
ンジェクタ底面に付着した。この結果より、臭化水素を
流すことによりインジェクタ底面に堆積する酸化スズを
抑制できることが確認された。また、ガラス基板上に成
膜された酸化スズ膜の膜厚は、ベルトコンベアの速度を
毎分０．３ｍとした場合、臭化水素を流した条件で１５
０ｎｍ、臭化水素を流さなかった条件で１４０ｎｍであ
り、成膜量は維持されていた。
【００２３】（例２）臭化水素を、原料ガスを排気する
排気口付近から供給することにより、排気口及び排気管
に堆積する酸化スズを抑制できる。図４は、本発明に用
いるインジェクタの他の例の構造を示す要部断面図であ
る。前記したＣＶＤ装置（図１）を用い、図４のスリッ
ト１９から四塩化スズを０．００４ｍｏｌ／ｍｉｎ、ス
リット２０から水蒸気を０．４ｍｏｌ／ｍｉｎ （２つ
のスリット２０からの流量の合計）流し、左右の排気口
２２付近の供給口２１より臭化水素を０．００４ｍｏｌ
／ｍｉｎ（２つの供給口２１からの流量の合計）流し
て、排気口内部２３に付着した酸化スズの膜厚を測定
し、臭化水素を流さなかった場合と比較した。ベルトコ
ンベア１７により搬送されるガラス基板１８の温度が５
００℃、インジェクタ表面（排気口管の壁表面をも含
む）が３００℃になるように温度制御を行った。実験は
大気圧下で行った。
排気口付近から供給することにより、排気口及び排気管
に堆積する酸化スズを抑制できる。図４は、本発明に用
いるインジェクタの他の例の構造を示す要部断面図であ
る。前記したＣＶＤ装置（図１）を用い、図４のスリッ
ト１９から四塩化スズを０．００４ｍｏｌ／ｍｉｎ、ス
リット２０から水蒸気を０．４ｍｏｌ／ｍｉｎ （２つ
のスリット２０からの流量の合計）流し、左右の排気口
２２付近の供給口２１より臭化水素を０．００４ｍｏｌ
／ｍｉｎ（２つの供給口２１からの流量の合計）流し
て、排気口内部２３に付着した酸化スズの膜厚を測定
し、臭化水素を流さなかった場合と比較した。ベルトコ
ンベア１７により搬送されるガラス基板１８の温度が５
００℃、インジェクタ表面（排気口管の壁表面をも含
む）が３００℃になるように温度制御を行った。実験は
大気圧下で行った。
【００２４】その結果、臭化水素を流さなかった場合、
排気口内部に５０ｎｍの酸化スズ膜が付着したが、臭化
水素を流した場合、排気口内部に付着した酸化スズ膜厚
は測定限界以下（５ｎｍ以下）であった。また、ガラス
基板上に成膜された酸化スズ膜の膜厚は、ベルトコンベ
アの速度を毎分０．３ｍとした場合、臭化水素を流した
条件で１５０ｎｍ、臭化水素を流さなかった条件で１６
０ｎｍであり、成膜量は維持されていた。
排気口内部に５０ｎｍの酸化スズ膜が付着したが、臭化
水素を流した場合、排気口内部に付着した酸化スズ膜厚
は測定限界以下（５ｎｍ以下）であった。また、ガラス
基板上に成膜された酸化スズ膜の膜厚は、ベルトコンベ
アの速度を毎分０．３ｍとした場合、臭化水素を流した
条件で１５０ｎｍ、臭化水素を流さなかった条件で１６
０ｎｍであり、成膜量は維持されていた。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、無機系スズ源を用いた
ＣＶＤ法による酸化スズ膜の成膜時にインジェクタ表面
や成膜装置内部に酸化スズが堆積することを抑制でき
る。また、成膜される基体の温度を特定温度にすること
で、無機系スズ源を用いたＣＶＤ法による酸化スズ膜の
成膜時に、酸化スズ膜の成膜量を維持したまま、インジ
ェクタ表面や成膜装置内部に酸化スズが堆積することを
抑制できる。
ＣＶＤ法による酸化スズ膜の成膜時にインジェクタ表面
や成膜装置内部に酸化スズが堆積することを抑制でき
る。また、成膜される基体の温度を特定温度にすること
で、無機系スズ源を用いたＣＶＤ法による酸化スズ膜の
成膜時に、酸化スズ膜の成膜量を維持したまま、インジ
ェクタ表面や成膜装置内部に酸化スズが堆積することを
抑制できる。
【図１】本発明に用いるＣＶＤ装置の一例の概略図
【図２】本発明に用いるインジェクタの一例の構造を示
す要部断面図
す要部断面図
【図３】四塩化スズに対する臭化水素流量と、基板上に
成膜された酸化スズ膜の膜厚との関係を示すグラフ
成膜された酸化スズ膜の膜厚との関係を示すグラフ
【図４】本発明に用いるインジェクタの他の例の構造を
示す要部断面図
示す要部断面図
１：インジェクタ ２：ベルトコンベア ３：ガラス基板 ４：四塩化スズタンク ５：水タンク ６：窒素ガスボンベ ７：臭化水素ボンベ ８：ベルトコンベア ９：ガラス基板 １０、１１、１２：スリット １３：排気口 １４：基板温度５００℃の実験結果 １５：基板温度４００℃の実験結果 １６：インジェクタ底面（膜厚測定箇所） １７：ベルトコンベア １８：ガラス基板 １９：スリット（四塩化スズ） ２０：スリット（水蒸気） ２１：供給口（臭化水素） ２２：排気口 ２３：排気口壁面（膜厚測定箇所）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 徹 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA03 AA18 BA45 CA05 CA06 EA06 FA10 GA12 JA10 LA16
Claims (6)
- 【請求項１】スズの無機塩および水を含む原料ガスをイ
ンジェクタより基体表面に向けて供給し、ＣＶＤ法によ
り、基体上に酸化スズ膜を成膜する方法において、原料
ガスをインジェクタの吹出し口より供給すると同時に、
臭化水素を供給する酸化スズ膜の成膜方法。 - 【請求項２】スズの無機塩および水を含む原料ガスを、
インジェクタ中央部から基体に向けて供給し、原料ガス
の外側から臭化水素を供給する請求項１に記載の酸化ス
ズ膜の成膜方法。 - 【請求項３】臭化水素を、原料ガスを排気する排気口付
近から供給する請求項１または２に記載の酸化スズ膜の
成膜方法。 - 【請求項４】酸化スズ膜成膜時の基体の温度を４００℃
超とする請求項１〜３いずれか１項に記載の酸化スズ膜
の成膜方法。 - 【請求項５】原料ガスと接するインジェクタの表面部分
の温度を４００℃以下とする請求項１〜４いずれか１項
に記載の酸化スズ膜の成膜方法。 - 【請求項６】原料ガス中のスズの無機塩に対して、臭化
水素をモル比で０．１〜４の割合で供給する請求項１〜
５いずれか１項に記載の酸化スズ膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12052399A JP4292623B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 酸化スズ膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12052399A JP4292623B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 酸化スズ膜の成膜方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000313960A true JP2000313960A (ja) | 2000-11-14 |
| JP2000313960A5 JP2000313960A5 (ja) | 2005-05-19 |
| JP4292623B2 JP4292623B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=14788373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12052399A Expired - Fee Related JP4292623B2 (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 酸化スズ膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4292623B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006527308A (ja) * | 2003-06-13 | 2006-11-30 | サン−ゴバン グラス フランス | 障壁支持体上に配置されたパネルの吹付け処理 |
| JP2013506761A (ja) * | 2009-10-02 | 2013-02-28 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 基板に対する改善されたコーティングのための非直交ジオメトリ |
| KR101541155B1 (ko) | 2012-12-13 | 2015-08-06 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 원자층 증착장치 |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP12052399A patent/JP4292623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006527308A (ja) * | 2003-06-13 | 2006-11-30 | サン−ゴバン グラス フランス | 障壁支持体上に配置されたパネルの吹付け処理 |
| JP2013506761A (ja) * | 2009-10-02 | 2013-02-28 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド | 基板に対する改善されたコーティングのための非直交ジオメトリ |
| KR101541155B1 (ko) | 2012-12-13 | 2015-08-06 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 원자층 증착장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4292623B2 (ja) | 2009-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2637265B2 (ja) | 窒化珪素膜の形成方法 | |
| JP6320303B2 (ja) | ガラス基材上にシリカ被膜を成膜するための化学的気相成長プロセス | |
| JPH05202476A (ja) | 銅薄膜の選択蒸着の可能な銅錯体と、その蒸着法ならびに薄膜の選択エッチング法 | |
| KR20020008395A (ko) | 화학 증착 시스템 및 방법 | |
| CN1930099B (zh) | 在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法 | |
| KR20090057067A (ko) | 저 저항률의 도핑된 아연 산화물 코팅의 제조 방법 및 그에의해 형성된 물품 | |
| KR20090057287A (ko) | 저 저항률의 도핑된 산화아연으로 코팅된 유리 물품의 제조방법 및 이에 의해 제조된 코팅된 유리 물품 | |
| CN112458435B (zh) | 原子层沉积设备及清洗方法 | |
| CN222024489U (zh) | 复合膜层的连续镀膜装置 | |
| US20140072479A1 (en) | Delivery Equipment for the Solid Precursor Particles | |
| JP5138594B2 (ja) | 大気圧下で連続化学気相堆積する装置、方法、及びその使用 | |
| JP4292623B2 (ja) | 酸化スズ膜の成膜方法 | |
| WO2015075434A1 (en) | Coating apparatus | |
| JP4991950B1 (ja) | ミスト成膜装置 | |
| US11820700B2 (en) | Method of depositing a coating utilizing a coating apparatus | |
| KR101543272B1 (ko) | 기화기를 가지는 증착장치 | |
| CN102912318B (zh) | 减少反应腔内杂质颗粒的方法和化学气相沉积设备 | |
| KR20230034898A (ko) | 증가된 극자외선(euv) 감도를 갖는 언더레이어(ul)를 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조체 | |
| JPWO2014069487A1 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2568224B2 (ja) | 気相化学反応原料の供給方法 | |
| JP4463403B2 (ja) | ゲート酸化膜形成材料およびゲート酸化膜形成方法 | |
| JP4670139B2 (ja) | コーティング装置および方法 | |
| JP2025505728A (ja) | コーティングを形成する方法 | |
| RU2397572C1 (ru) | Способ получения пленочных покрытий оксида олова на подложках | |
| KR100302584B1 (ko) | 산화탄탈륨박막제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040714 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040716 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071126 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090330 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130417 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140417 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |