JP2000315458A - 平面型画像表示装置の製造方法、および平面型画像表示装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平面型画像表示装置の製造工程中において、
装置内部の表面吸着ガスを十分に放出させることによっ
て、外囲器としての真空容器内部を高真空状態に維持す
ることを可能にする。 【解決手段】 基板２１上に形成された電子放出素子２
２を有するリアプレート２０に、蛍光体スクリーン（蛍
光体層１２）を有するフェースプレート１０を、所定の
間隙で対向配置して接合する工程を有する平面型画像表
示装置の製造方法である。リアプレート２０としての基
板２１およびフェースプレート１０の少なくとも一方を
処理容器内に配置し、この処理容器内に設置された電子
源から基板２１やフェースプレート１０に対して真空雰
囲気中で電子を照射（電子線洗浄）して、表面吸着ガス
を十分に放出させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型冷陰極
などの電子放出素子を用いた平面型画像表示装置の製造
方法および製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、発達した半導体加工技術を利用し
て、電界放出型冷陰極の開発が活発に行われており、平
板型画像表示装置への応用が進められている。電界放出
型の電子放出素子を用いた平板型画像表示装置は、液晶
表示装置とは異なって発光型であり、バックライトが不
要であることなどに基づいて、低消費電力化が図れる、
視野角が広い、応答速度が速いなどの特徴を有してい
る。

【０００３】このような平板型画像表示装置としては、
例えば図７に示すようなものが知られている。なお、図
７（ｂ）は図７（ａ）の丸で囲んだ部分を拡大して示す
断面図である。この画像表示装置において、リアプレー
トとしてのシリコン基板１上には多数のキャビティ２を
有する二酸化シリコン膜３が形成されており、この二酸
化シリコン膜３上にはモリブデンやニオブなどからなる
ゲート電極４が形成されている。キャビティ２内部のシ
リコン基板１上には、電子源としてコーン状のモリブデ
ンなどからなる電界放出型の電子放出素子５が形成され
ている。

【０００４】そして、多数の電子放出素子５を有するシ
リコン基板１と所定の間隔を設けて対向するように、ガ
ラス基板などからなる透明基板（フェースプレート）６
が平行に配置されており、これらにより真空外囲器７が
構成されている。透明基板６の電子放出素子５と対向す
る面には、蛍光体スクリーン８が形成されている。さら
に、シリコン基板１と透明基板６に加わる大気圧荷重を
支えるために、これら基板１、６の間には支持部材９が
配設されている。

【０００５】上記した平面型画像表示装置では、多数の
電子放出素子５から放出される電子ビームが蛍光体スク
リーン８に照射され、蛍光体スクリーン８が発光するこ
とにより画像が形成される。このような画像表示装置で
は、電子放出素子５の大きさがマイクロメートルオーダ
ーのサイズであり、シリコン基板１と透明基板６との間
隔をミリメートルオーダーにすることができる。このた
め、現在テレビやコンピューターディスプレイとして使
用されている陰極線管（ＣＲＴ）などと比較して、高解
像度化、軽量化、薄型化を達成することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したような構造を
有する平面型画像表示装置では、装置内部の真空度を例
えば10^-7〜10^-8Torrに保つ必要がある。そこで、従来の
排気工程では画像表示装置を 350℃程度まで加熱するベ
ーキング処理によって、装置内部の表面吸着ガスを短時
間で放出させるようにしている。しかしながら、このよ
うな排気方法では表面吸着ガスを十分に放出させること
はできない。

【０００７】一方、従来のＣＲＴなどでは、封止後に内
部に設けたゲッタを活性化させて、動作時に内壁から放
出されるガスをゲッタに吸着させることにより所望の真
空度を維持している。このようなゲッタ材による高真空
度化および真空度の維持を、平面型画像表示装置にも適
用することが試みられている。

【０００８】ところで、電界放出型の電子放出素子を用
いた平板型画像表示装置は、リアプレートとフェイスプ
レートと支持枠とで形成される真空容器の容積が、通常
のＣＲＴに比べて大幅に小さくなるのに対して、ガスを
放出する壁面の面積は減少しない。このため、ＣＲＴと
同程度のガス放出があった場合、真空容器内の圧力上昇
が極めて大きくなる。このようなことから、平板型画像
表示装置ではゲッタ材の役割が特に重要となるが、配線
のショートなどを防ぐ上で、導電性を有するゲッタ膜の
形成位置は限られている。

【０００９】このような点に対して、真空容器の画像表
示領域外の外周部分にゲッタ材を配置し、画像表示領域
に影響を及ぼさない外周部分にゲッタ膜を形成すること
などが提案されている（特開平5-151916号公報、特開平
4-289640号公報など参照）。しかし、このようなゲッタ
膜の配置方法では、外周部分に形成されたゲッタ膜によ
り画像表示領域で発生したガスを有効に吸着できないた
め、真空容器内の真空度を長時間にわたって維持するこ
とができないという問題がある。

【００１０】このようなことから、ゲッタ膜は画像表示
領域内に形成することが検討されている。例えば、特開
平 9-82245号公報には、平板型画像表示装置のフェース
プレートの蛍光膜上に形成されたメタルバック上に、Ｔ
ｉ、Ｚｒもしくはそれらの合金からなるゲッタ材を被覆
する、メタルバックを上記したようなゲッタ材で構成す
る、あるいは画像表示領域内でリアプレートの電子放出
素子以外の部分に上記したようなゲッタ材を配置するこ
とが記載されている。

【００１１】しかしながら、上記した特開平 9-82245号
公報に記載されている平板型画像表示装置では、ゲッタ
材を通常のパネル工程で形成しているため、ゲッタ材の
表面は当然酸化することになる。ゲッタ材は特に表面の
活性度合いが重要であるため、表面酸化したゲッタ材で
は満足なガス吸着効果を得ることができない。

【００１２】そこで、上記公報にはフェースプレートと
リアプレートとの間の空間を支持枠を介して気密封止し
て真空容器とした後に、ゲッタ材を電子線照射などで活
性化することが記載されているが、このような方法では
ゲッタ材を有効に活性化することができない。特に、真
空容器を形成した後にゲッタ材を活性化した場合には、
この活性化により放出された酸素などのガス成分が電子
放出素子や他の部材に付着するため、この段階で電子放
出特性などが低下するおそれがある。

【００１３】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、製造工程中において装置内部の表面吸
着ガスを十分に放出させることによって、外囲器として
の真空容器内部を高真空状態に維持することを可能にし
た平面型画像表示装置の製造方法および平面型画像表示
装置の製造装置を提供することを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の平面型画像表示
装置の製造方法は、請求項１に記載したように、基板上
に形成された電子放出素子に、蛍光体スクリーンを有す
るフェースプレートを間隙を有して対向配置して接合す
る工程を具備する平面型画像表示装置の製造方法におい
て、前記基板および前記フェースプレートの少なくとも
一方に対して、真空雰囲気中で電子を照射する工程を有
することを特徴としている。より具体的には、請求項２
に記載したように、前記基板および前記フェースプレー
トの少なくとも一方を処理容器内に収容し、前記処理容
器内に設置された電子源から前記電子を照射することを
特徴としている。

【００１５】本発明の平面型画像表示装置の製造方法に
おいて、請求項６に記載したように、電子は10^-3Torr以
下の真空度に保たれた真空雰囲気中で照射することが好
ましい。また、請求項７に記載したように、電子放出素
子を有する基板およびフェースプレートの少なくとも一
方を加熱しつつ、電子を照射することが好ましい。この
際、請求項８に記載したように、基板やフェースプレー
トは 200〜 400℃の範囲に加熱することが好ましい。電
子放出素子を有する基板とフェースプレートとは、例え
ば請求項１０に記載したように、電子を照射した後に支
持枠を介して真空雰囲気中で接合される。

【００１６】本発明の平面型画像表示装置の製造装置
は、請求項１３に記載したように、基板上に形成された
電子放出素子に、蛍光体スクリーンを有するフェースプ
レートを間隙を有して対向配置して接合してなる平面型
画像表示装置の製造装置において、前記基板および前記
フェースプレートの少なくとも一方が収容される処理容
器と、前記処理容器内に前記基板および前記フェースプ
レートの少なくとも一方を搬入および搬出する移動手段
と、前記処理容器内を真空雰囲気とする真空手段と、前
記処理容器内に収容された前記基板および前記フェース
プレートの少なくとも一方に電子線を照射する電子線照
射手段と、少なくとも一方に前記電子線が照射された前
記基板と前記フェースプレートとを間隙を有して接合す
る接合手段とを具備することを特徴としている。

【００１７】本発明の平面型画像表示装置の製造装置
は、さらに請求項１４に記載したように、前記処理容器
内に配置された前記基板および前記フェースプレートの
少なくとも一方を加熱する手段を具備することを特徴と
している。

【００１８】一般に、固体物質に電子線を照射すること
によって、吸着ガスを固体表面から離脱させることがで
きる。従って、例えば内部を真空雰囲気とした処理容器
内に電子放出素子を有する基板やフェースプレートを収
容し、処理容器内に設けられた電子源から基板やフェー
スプレートに対して電子線を照射することによって、電
子放出素子を有する基板やフェースプレートの全面を隈
なく電子線洗浄することができ、表面吸着ガスを十分に
放出させることが可能となる。このような電子線照射工
程を実施することによって、平面型画像表示装置の外囲
器を構成する真空容器内部を高真空状態、例えば10^-7〜
10^-8Torrというような真空度に維持することが可能とな
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００２０】まず、本発明の平板型画像表示装置の製造
方法について、図１を参照して説明する。図１（ａ）に
示すように、まずフェースプレート１０とリアプレート
２０と支持枠３０を常法に従って準備する。

【００２１】フェースプレート１０は、ガラス基板１１
などの透明基板上に形成された蛍光体層１２を有してい
る。蛍光体層１２はカラー画像表示装置の場合、画素に
対応させて形成した赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体
層および青色発光蛍光体層を有し、これらの間は黒色導
電材１３で分離した構造とされている。赤、緑および青
の各色に発光する蛍光体層１２およびそれらの間を分離
する黒色導電材１３は、それぞれ水平方向に順次繰り返
し形成されている。これら蛍光体層１２および黒色導電
材１３により蛍光体スクリーンが構成されており、この
蛍光体スクリーンが存在する部分が画像表示領域とな
る。

【００２２】黒色導電材１３はその形状によりブラック
ストライプ、ブラックマトリクスなどと呼ばれるもので
ある。ブラックストライプタイプの蛍光体スクリーン
は、赤、緑および青の各色の蛍光体ストライプを順に形
成し、これらの間をストライプ状の黒色導電材で分離し
た構造を有する。ブラックマトリクスタイプの蛍光体ス
クリーンは、赤、緑および青の各色の蛍光体ドットを格
子状に形成し、これらの間を黒色導電材によって分離し
た構造を有する。蛍光体ドットの配置方法は種々適用可
能である。

【００２３】蛍光体層１２上にはメタルバック層１４が
形成されている。メタルバック層１４はＡｌ膜などの導
電性薄膜により構成されている。メタルバック層１４
は、蛍光体層１２で発生した光のうち、電子源となるリ
アプレート２０の方向に進む光を反射して輝度を向上さ
せるものである。さらに、メタルバック層１４はフェー
スプレート１０の画像表示領域に導電性を与えて電荷が
蓄積されるのを防ぎ、リアプレート２０の電子源に対し
てアノード電極の役割を果たすものである。メタルバッ
ク層１４はフェースプレート１０、真空容器（外囲器）
内に残留したガスが電子線で電離されて生成するイオン
により、蛍光体層１２が損傷することを防ぐなどの機能
も有している。

【００２４】ガラス基板１１上への蛍光体層１２と黒色
導電材１３の形成方法としては、スラリー法や印刷法な
どを適用することができる。そして、蛍光体層１２と黒
色導電材１３をガラス基板１１上に形成した後、陽極電
圧などにもよるが、さらにその上に例えば厚さ2500nm以
下のＡｌ膜などからなる導電性薄膜を蒸着法やスパッタ
法などにより形成して、メタルバック層１４とする。

【００２５】リアプレート２０は、ガラス基板やセラミ
ックス基板などの絶縁性基板、あるいはＳｉ基板などか
らなる基板２１上に形成された多数の電子放出素子２２
を有しており、これら電子放出素子２２は例えば電界放
出型冷陰極（エミッタ）や表面伝導型電子放出素子など
を備えるものである。リアプレート２０の電子放出素子
２２の形成面には、図示を省略した配線が施されてい
る。すなわち、多数の電子放出素子２２は各画素の蛍光
体に応じてマトリックス状に形成されており、このマト
リックス状電子放出素子２２を一行ずつ駆動する互いに
交差する配線（Ｘ−Ｙ配線）が形成されている。

【００２６】支持枠３０はフェースプレート１０とリア
プレート２０との間の空間を気密封止するものである。
支持枠３０はフェースプレート１０およびリアプレート
２０に対して、フリットガラスやＩｎやその合金などを
用いて接合され、これらよって後述する外囲器としての
真空容器が構成される。なお、支持枠３０には図示を省
略した信号入力端子および行選択用端子が設けられてい
る。これら端子はリアプレート２０の交差配線（Ｘ−Ｙ
配線）に対応するものである。

【００２７】なお、平板型画像表示装置が大型の場合な
ど、本装置が薄い平板状であるためにたわみなどが生じ
ないように、また大気圧に対して強度を付与するため
に、例えば図１（ｂ）に示すように補強板（大気圧支持
部材、スペーサ）１５を、適宜意図する強度に合せて配
置することも可能である。

【００２８】上述したようなフェースプレート１０、リ
アプレート２０および支持枠３０を準備した後、基板の
電子線洗浄、ゲッタ膜の蒸着形成、外囲器としての真空
容器の形成（支持枠３０とフェースプレート１０、リア
プレート２０との接合）を、真空雰囲気を維持した状態
で実施する。このような一連の工程には、例えば図２に
示すような真空処理装置１００が用いられる。

【００２９】図２に示す真空処理装置１００は、フェー
スプレート１０のロード室１０１、ベーキングおよび電
子線洗浄室１０２、冷却室１０３、ゲッタ膜の蒸着室１
０４、リアプレート２０および支持枠３０のロード室１
０５、ベーキングおよび電子線洗浄室１０６、冷却室１
０７、フェースプレート１０とリアプレート２０との組
立室１０８、支持枠３０をフェースプレート１０に対し
て接合する熱処理室１０９、冷却室１１０、およびアン
ロード室１１１を有している。

【００３０】上述した各処理室（処理容器）は、真空処
理が可能な真空処理室とされており、画像表示装置の製
造時には全室が真空排気されている。この際の真空度
は、例えば 1×10^-3Torr以下とすることが好ましく、さ
らに 1×10^-5Torr以下とすることが望ましい。各処理室
間はゲートバルブなどで接続されている。また、図示を
省略したが、真空処理装置１００は被処理物であるフェ
ースプレート１０およびリアプレート２０を搬入および
搬出すると共に、各処理室間を移動させる移動手段と、
各処理室内を真空雰囲気とする真空手段（排気装置な
ど）を有している。

【００３１】メタルバック層１４まで形成されたフェー
スプレート１０は、まずロード室１０１にセットされ
る。ここで、フェースプレート１０の基板端部には、例
えば図３に示すように溝部３２を形成し、この溝部３２
に後述する支持枠３０との気密封止のために、Ｉｎやそ
の合金などからなる接合材３１を予め配置しておいても
よい。そして、ロード室１０１内の雰囲気を真空雰囲気
とした後、フェースプレート１０はベーキングおよび電
子線洗浄室１０２へ送られる。

【００３２】ベーキングおよび電子線洗浄室１０２で
は、フェースプレート１０を例えば300〜 400℃の温度
に加熱し、フェースプレート１０中の脱気を行う。な
お、フェースプレート１０の端部の溝部３２に、予めＩ
ｎやその合金３１を配置した場合には、加熱によりＩｎ
やその合金３１が溶融して、溝部３２より滴下しないよ
うに、フェースプレート１０はベーキングおよび電子線
洗浄室１０２内の下部に溝部３２を上部に向けて配置す
る。

【００３３】上記したベーキングと同時に、例えば図４
に示すように、ベーキングおよび電子線洗浄室１０２の
上部に設置された電子線発生装置５１から電子線５２
を、真空雰囲気中でフェースプレート１０の電子放出素
子形成面に対して照射する。電子線５２を照射する際の
真空度は 1×10^-3Torr以下とすることが好ましく、さら
に 1×10^-5Torr以下とすることが望ましい。電子線５２
は電子線発生装置５１の外部に装着された偏向装置５３
により偏向走査される。これによって、フェースプレー
ト１０の全面を電子線洗浄することができる。

【００３４】なお、電子線発生装置５１の個数、形状、
方式などは、図４に示したような装置に限定されるもの
ではない。例えば、図５に示すように、電子線発生装置
５１を複数（図６では 2個）設け、これら複数の電子線
発生装置５１から交互にまたは同時に電子線５２を照射
してもよい。また、図６に示すように、平板型の電子線
発生装置５４を使用することも可能である。

【００３５】そして、この加熱および電子線洗浄を行っ
たフェースプレート１０は冷却室１０３に送られ、例え
ば 100℃以下の温度（例えば80〜 100℃）まで冷却され
る。冷却されたフェースプレート１０は、ゲッタ膜の蒸
着室１０４へと送られる。このゲッタ膜の蒸着室１０４
において、例えば蛍光体層１２の外側にゲッタ膜として
活性なＢａ膜（図示せず）が蒸着形成される。その後、
フェースプレート１０は組立室１０８に送られる。

【００３６】一方、基板２１上に電子源が形成されたリ
アプレート２０と支持枠３０とは、その工程の容易性か
ら、ロード室１０５にセットする前に固定されているこ
とが好ましい。このリアプレート２０と支持枠３０はロ
ード室１０５の雰囲気を真空雰囲気とした後、ベーキン
グおよび電子線洗浄室１０６へ送られる。

【００３７】ベーキングおよび電子線洗浄室１０６で
は、上述したフェースプレート１０の場合と同様に、リ
アプレート２０および支持枠３０を 300〜 400℃の温度
に加熱して、リアプレート２０中の脱気を行う。このベ
ーキングと同時に、ベーキングおよび電子線洗浄室１０
６の上部に取り付けられた電子線発生装置、例えば図４
ないし図６に示したような電子線発生装置から電子線を
照射する。この電子線は例えば電子線発生装置の外部に
装着された偏向装置により偏向走査される。これによ
り、リアプレート２０の全面を電子線洗浄することがで
きる。

【００３８】そして、このベーキングおよび電子線洗浄
を行ったリアプレート２０および支持枠３０は冷却室１
０７に送られ、例えば 100℃以下の温度（例えば80〜 1
00℃）まで冷却される。冷却されたリアプレート２０お
よび支持枠３０は、上記したフェースプレート１０と同
様に組立室１０８に送られる。

【００３９】組立室１０８では、フェースプレート１
０、リアプレート２０および支持枠３０の組立て（位置
合せ）を行う。組立てに際して、フェースプレート１０
とリアプレート２０との間には必要に応じて補強板を配
置する。平板型画像表示装置が大型の場合など、本装置
が薄い平板状であることからたわみなどが生じないよう
に、また大気圧に対して強度を付与するために、例えば
図１（ｂ）に示すように補強板（大気圧支持部材、スペ
ーサ）１５を適宜意図する強度に合せて配置することが
好ましい。

【００４０】このような状態で熱処理室１０９に送る。
この熱処理室１０９において、真空雰囲気中にて使用し
た接合材３１に応じた温度で熱処理することによって、
フェースプレート１０とリアプレート２０を支持枠３０
を介して押圧接合する。なお、必要に応じて電子源の活
性化処理などを事前に行う。接合までの各工程は真空雰
囲気で実施しているため、蒸着室１０４で形成されたＢ
ａ膜１５は活性な状態が維持されている。すなわち、Ｂ
ａ膜１５の表面が酸素や炭素などで汚染されることを防
止することができる。

【００４１】接合は、Ｉｎやその合金を接合材３１とし
て使用する場合には 100℃程度に加熱して行う。この接
合時の押圧の際に、さらに十分な接合を可能とするため
に、少なくとも接合部に超音波を印加することが好まし
い。なお、フェースプレート１０の端部の溝部３２に予
めＩｎやその合金３１を配置した場合には、接合時の加
熱によりＩｎやその合金３１が溶融して溝部３２より滴
下しないように、フェースプレート１０は熱処理室１０
９内の下部に溝部３２を上部に向けて配置し、支持枠３
０が固定されたリアプレート２０をその上部より配置し
て接合することが好ましい。

【００４２】ここで、一般にＩｎやその合金は接合強度
が不十分と言われているが、本発明の平面型画像表示装
置はフェースプレート１０とリアプレート２０との間隙
が真空に保たれているため、大気圧によりＩｎやその合
金のみであっても十分な強度を得ることができる。Ｉｎ
やその合金に基づく接合強度より、接合部の強度をより
一層向上させるために、接合部をエポキシ樹脂などで補
強してもよい。

【００４３】このようにして、フェースプレート１０、
リアプレート２０および支持枠３０により外囲器として
の真空容器を形成する、すなわちフェースプレート１０
とリアプレート２０との間の空間を支持枠３０で気密封
止することによって、図１（ｂ）に示すような平板型画
像表示装置４０が作製される。この後、平板型画像表示
装置４０は冷却室１１０で常温まで冷却されて、アンロ
ード室１１１から取り出される。

【００４４】なお、平板型画像表示装置４０の製造に用
いる真空処理装置１００は、ロード室１０１からアンロ
ード室１１１までの各構成を組合せた装置であってもよ
く、真空雰囲気が維持できれば特にその構成に限定され
るものではない。また、上述の実施形態ではフェースプ
レート１０とリアプレート２０をそれぞれ別々に電子線
洗浄しているが、両者を治具で所定間隔で離間して保持
しておき、同時に電子線洗浄するようにしてもよい。

【００４５】上述したような製造方法および製造装置に
基づいて得られる平板型画像表示装置４０によれば、十
分な電子放出性能を得る上で求められる10^-7〜10^-8Torr
の真空状態を、初期状態で再現性よく達成することがで
きる。これは上記した各工程を真空雰囲気で行うと共
に、フェースプレート１０とリアプレート２０の全面を
隈なく電子線洗浄して、表面吸着ガスを十分に放出させ
ているためである。すなわち、平板型画像表示装置４０
の動作時にガスがほとんど発生しないため、長時間にわ
たって良好な発光特性を得ることができる。

【００４６】また、上記した本発明の平板型画像表示装
置４０の製造工程においては、真空雰囲気中で気密封止
工程を行っているため、従来の平板型画像表示装置製造
後の装置内の排気工程が不要となる。よって、従来の装
置では必須であった排気のための構成（例えば排気用細
管など）、さらには排気装置が不要となる。また、この
ような排気用細管を用いないため、排気コンダクタンス
が大きくなり、平板型画像表示装置の排気効率が非常に
良好となる。

【００４７】上述したような平面型画像表示装置４０
は、例えばＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づいたテレビ
ジョン表示などに使用される。この際、図示を省略した
信号入力端子および行選択用端子、さらには高圧端子を
介して外部の電気回路と接続される。なお、接合材３１
に導電性を有するＩｎやその合金を用いる場合には、接
合材３１を端子として使用することも可能である。

【００４８】各端子には平面型画像表示装置４０に設け
られている電子源、すなわちＭ行Ｎ列の行列状にマトリ
クス配線された電子放出素子２２を一行ずつ順次駆動す
るための走査信号が印加され、さらに選択された一行の
電子放出素子２２の出力電子ビームを制御するための変
調信号が印加される。高圧端子には電子放出素子２２か
ら放出される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分な
エネルギーを付与するたるの加速電圧が印加される。

【００４９】このように構成された平面型画像表示装置
４０では、各電子放出素子２２に端子を介して電圧を印
加することにより電子放出を生じさせる。また、高圧端
子を介してメタルバック層１４に高圧を印加して電子ビ
ームを加速する。加速された電子は蛍光体層１２に衝突
し、発光が生じて画像が表示される。

【００５０】本発明により得られる平面型画像表示装置
は、例えばテレビ受像機やコンピュータ端末の表示装置
など、各種表示装置として使用することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の平面型画
像表示装置の製造方法および製造装置によれば、フェー
スプレートやリアプレートの全面を隈なく電子線洗浄し
ているため、表面吸着ガスを十分に放出させることがで
きる。従って、平面型画像表示装置の内部を長期間にわ
たって高真空状態に維持することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態による平板型画像表示装
置の要部製造工程を模式的に示す断面図である。

【図２】 本発明の平板型画像表示装置の製造工程で使
用する真空処理装置の一構成例を示す図である。

【図３】 本発明の平板型画像表示装置のフェースプレ
ートの端部の一構成例を拡大して示す断面図である。

【図４】 本発明の平板型画像表示装置の製造工程にお
ける電子線洗浄工程の一例を示す図である。

【図５】 本発明の平板型画像表示装置の製造工程にお
ける電子線洗浄工程の他の例を示す図である。

【図６】 本発明の平板型画像表示装置の製造工程にお
ける電子線洗浄工程のさらに他の例を示す図である。

【図７】 平板型画像表示装置の要部構造を模式的に示
す断面図である。

【符号の説明】

１０……フェースプレート １１……ガラス基板 １２……蛍光体層 １４……メタルバック層 ２０……リアプレート ２１……基板 ２２……電子放出素子 ３０……支持枠 ５１、５４……電子線発生装置 ５２……電子線 ５３……偏向装置

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に形成された電子放出素子に、蛍
   光体スクリーンを有するフェースプレートを間隙を有し
   て対向配置して接合する工程を具備する平面型画像表示
   装置の製造方法において、 前記基板および前記フェースプレートの少なくとも一方
   に対して、真空雰囲気中で電子を照射する工程を有する
   ことを特徴とする平面型画像表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記基板および前記フェースプレートの少なくとも一方
   を処理容器内に収容し、前記処理容器内に設置された電
   子源から前記電子を照射することを特徴とする平面型画
   像表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記処理容器内に設置された複数の前記電子源から交互
   にまたは同時に前記電子を照射することを特徴とする平
   面型画像表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記電子源から射出された前記電子を偏向しつつ照射す
   ることを特徴とする平面型画像表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項２記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 平板型の前記電子源から射出された前記電子を照射する
   ことを特徴とする平面型画像表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記電子を10^-3Torr以下の真空度に保たれた真空雰囲気
   中で照射することを特徴とする平面型画像表示装置の製
   造方法。
7. 【請求項７】 請求項１記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記基板および前記フェースプレートの少なくとも一方
   を加熱しつつ、前記電子を照射することを特徴とする平
   面型画像表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記基板および前記フェースプレートの少なくとも一方
   を 200〜 400℃の範囲に加熱することを特徴とする平面
   型画像表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項７記載の平面型画像表示装置の製
   造方法において、 前記電子を照射した後に、前記基板および前記フェース
   プレートの少なくとも一方を 100℃以下の温度にまで冷
   却することを特徴とする平面型画像表示装置の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の平面型画像表示装置の
    製造方法において、 前記電子を照射した後に、前記基板と前記フェースプレ
    ートとを支持枠を介して真空雰囲気中で接合することを
    特徴とする平面型画像表示装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の平面型画像表示装置
    の製造方法において、 電子を照射した前記支持枠を用
    いることを特徴とする平面型画像表示装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１記載の平面型画像表示装置の
    製造方法において、 前記基板および前記フェースプレートへの前記電子の照
    射を同一の処理容器内で行うことを特徴とする平面型画
    像表示装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 基板上に形成された電子放出素子に、
    蛍光体スクリーンを有するフェースプレートを間隙を有
    して対向配置して接合してなる平面型画像表示装置の製
    造装置において、 前記基板および前記フェースプレートの少なくとも一方
    が収容される処理容器と、 前記処理容器内に前記基板および前記フェースプレート
    の少なくとも一方を搬入および搬出する移動手段と、 前記処理容器内を真空雰囲気とする真空手段と、 前記処理容器内に収容された前記基板および前記フェー
    スプレートの少なくとも一方に電子線を照射する電子線
    照射手段と、 少なくとも一方に前記電子線が照射された前記基板と前
    記フェースプレートとを間隙を有して接合する接合手段
    とを具備することを特徴とする平面型画像表示装置の製
    造装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の平面型画像表示装置
    の製造装置において、 さらに、前記処理容器内に収容
    された前記基板および前記フェースプレートの少なくと
    も一方を加熱する手段を具備することを特徴とする平面
    型画像表示装置の製造装置。